JP4809080B2 - フッ素イオンを含有する排水の処理方法および排水処理剤 - Google Patents

Description

本発明は、半導体製造工場より排出されるｐＨ４.０以下の排水中に含まれるフッ素イオンの含有量を低減する方法に関する。更に詳しくは、該排水中に含有するフッ素イオンの含有量を排水基準以下、更には、土壌基準以下に低減する方法に関する。

半導体製造工場では、シリコンウエハーのエッチング剤として多量のフッ酸が使用されている。このフッ酸は、水等で洗浄されるためにその排水はｐＨが４.０以下と低く且つ高濃度のフッ素が含まれている。
そして、環境庁発令の排水基準によれば検液中のフッ素イオン濃度は８ｍｇ／Ｌ以下、または土壌基準によれば同０.８ｍｇ／Ｌ以下に定められている。
フッ素含有排水中のフッ素を除去する方法としては、フッ素含有水にカルシウム塩を加えて難溶性のフッ化カルシウムを生成させる方法が提案されている(特許文献１参照)。
また、フッ素含有水にマグネシア形成可能なマグネシウム化合物を４００〜７００℃で焼成したマグネシアを主成分とする吸着剤を加えてフッ素を吸着除去する方法が提供されている。(特許文献２参照)。
しかしながら、特許文献１に記載されたフッ素含有排水にカルシウム塩を加えてフッ化カルシウムを生成さす方法は、フッ化カルシウムの溶解度が０.００１６ｇ／１００ｇ(１８℃)と大きく土壌基準をクリアすることができない。また、特許文献２に記載されたマグネシア系吸着剤はフッ素除去能が不十分である。
特開平１０−５７９６９公報 特開昭５７−１９７０８２公報

本発明は、前記従来技術の問題点を解決し、半導体製造工場より排出されるフッ素イオンを含有するｐＨ４.０以下の排水中のフッ素イオンを効率的に除去し、低減する処理方法を提供することを目的とする。

本発明者らは、フッ素イオンを含有する低ｐＨ(４.０以下)の排水中のフッ素イオンを効率的に除去する方法を鋭意研究した。その結果、特定の複合錯体酸化物が大きいフッ素吸着能を有することを見出した。
また、かかる特定の複合錯体酸化物を高濃度のフッ素イオンを含有する排水に添加することにより、処理後液中のフッ素イオン濃度を排水基準の８ｍｇ／Ｌ以下、さらには土壌基準の０.８ｍｇ／Ｌ以下とすることとが可能であることを見出した。また、更には、フッ素イオンを吸着した複合錯体水酸化物粒子が、再溶出試験においてフッ素イオンを溶出しないことをも見出し本発明を完成した。
即ち、本発明によれば下記に説明する、半導体製造工場より排出されるフッ素イオンを含有するｐＨ４.０以下の排水中のフッ素イオン濃度を低減する方法および処理剤が提供される。

（１）フッ素イオンを含有するｐＨ４.０以下の排水に、下記式（１）で表わされる複合錯体酸化物を添加し、かくして形成されたフッ素を含有する複合錯体水酸化物粒子を処理された排水から分離することを特徴とする、前記排水中のフッ素イオンの含有量を低減する方法。
Ｍ^２＋ _ｘＭ^３＋ _ｙＯ_{（ｘ＋３ｙ／２−ｎｚ／２）}（Ａ^ｎ−）_ｚ （１）
［式中、Ｍ^２＋はＭｇ^２＋、Ｚｎ^２＋、Ｎｉ^２＋、Ｆｅ^２＋、Ｃａ^２＋およびＣｕ^２＋から選択される少なくとも１種を表し、Ｍ^３＋はＡｌ^３＋およびＦｅ^３＋から選択される少なくとも１種を表し、Ａ⁻はＣｌ⁻、ＮＯ_３ ⁻およびＳＯ_４ ^２−から選択される少なくとも１種を表し、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ次の条件を満足する。１／８＞ｙ／ｘ＞０、４／８≧ｚ／(ｘ＋ｙ)＞０で示される。］
（２）式（１）中のＭ^２＋がＭｇ^２＋であることを特徴とする前記（１）記載のフッ素イオンを低減する方法。
（３）式（１）中のＭ^３＋がＡｌ^３＋であることを特徴とする前記（１）記載のフッ素イオンを低減する方法。
（４）該複合錯体酸化物のＢＥＴ表面積が１００〜４００ｍ^２／ｇを有するものである前記（１）記載のフッ素イオンを低減する方法。
（５）フッ素イオンを含有するｐＨ４.０以下の排水中が、半導体製造工場より排出される排水である前記（１）記載のフッ素イオンを低減する方法。
（６）排水中のフッ素イオン濃度が、１〜３００ｍｇ／Ｌである前記（１）記載のフッ素イオンを低減する方法。
（７）処理温度が１０〜２５℃で行われる前記（１）記載のフッ素イオンを低減する方法。
（８）該複合錯体酸化物を該排水に添加後の接触時間が５分〜３時間である前記（１）記載のフッ素イオンを低減する方法。
（９）該排水１００重量部当り、該複合錯体酸化物を０.０５〜１０重量部、好ましくは０.１〜５重量部を使用する前記（１）記載のフッ素イオンを低減する方法。
（１０）形成した複合錯体水酸化物粒子を含有する処理された排水中に凝集剤を添加して、複合錯体水酸化物粒子と処理された排水を分離する前記（１）記載のフッ素イオンを低減する方法。
（１１）該凝集剤は、該複合錯体酸化物１重量部当り０.０１〜０.５重量部添加せしめる前記（１０）記載のフッ素イオンを低減する方法。
（１２）分離されたフッ素イオン含有複合錯体水酸化物粒子は、環境庁告示４６号試験において、フッ素イオンを溶出しないことを特徴とする前記（１）記載のフッ素イオンを低減する方法。
（１３）処理後排水中のフッ素イオン濃度が８ｍｇ／Ｌ以下である前記（１）記載のフッ素イオンを低減する方法。
（１４)処理後排水中のフッ素イオン濃度が０.８ｍｇ／Ｌ以下である前記（１）記載のフッ素イオンを低減する方法。
（１５）前記式（１）で表される複合錯体酸化物よりなるフッ素イオンを除去するための排水処理剤。

本発明によれば、半導体製造工場より排出されるフッ素イオンを含有するｐＨ４.０以下の排水中に、前記式（１）で表される複合錯体酸化物を添加することにより、処理後排水中のフッ素イオン濃度を環境基準、更には、土壌基準以下とすることが可能である。
更に、該排水中に多量の各種陰イオン(ＳＯ_４ ^２−，Ｃｌ⁻，ＮＯ_３ ⁻等)が存在していても選択的にフッ素イオンを吸着除去できる。

本発明の、半導体製造工場より排出されるフッ素を含有するｐＨ４.０以下の排水中のフッ素イオン濃度低減方法の実施形態は、該排水に複合錯体酸化物を添加し、攪拌し放置することによりフッ素含有複合錯体水酸化物粒子を形成させ、該複合錯体水酸化物粒子を分離することを特徴とする。

本発明において使用する前記式（１）で表される複合錯体酸化物は、下記式（２）で表される複合錯体水酸化物を５００〜１０００℃、好ましくは７５０〜８５０℃の温度で焼成することによって得られる化合物である。この式（２）で表される複合錯体水酸化物およびその製造方法は特公昭４８−２９４７９号公報に記載されている。

Ｍ^２＋ _ｘＭ^３＋ _ｙ(ＯＨ)_{２ｘ＋３ｙ‐ｎｚ}(Ａ^ｎ‐)_ｚ・ａＨ_２Ｏ （２）
［式中、Ｍ^２＋はＭｇ^２＋、Ｚｎ^２＋、Ｎｉ^２＋、Ｆｅ^２＋、Ｃａ^２＋、およびＣｕ^２＋から選択される少なくとも１種を表し、Ｍ^３＋はＡｌおよびＦｅから選択される少なくとも１種を表し、Ａ⁻は１〜４価の無機陰イオンまたは−ＣＯＯＨ，−ＯＨ，ＳＨ，−ＳＯ_３Ｈの中の１種または２種以上の官能基を１〜４個有する有機配位アニオンから選択される少なくとも１種を表し、ａは整数を表し、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ次の条件を満足する。１／８＞ｙ／ｘ＞０、４／８≧ｚ／(ｘ＋ｙ)＞０で示される。］
式（２）の水酸化物の焼成温度については、５００〜１０００℃と広い温度巾で高いＢＥＴ表面積を有する酸化物が得られるが、より好ましくは７５０〜８５０℃である。

本発明において使用する式（１）で表される複合錯体酸化物中、Ｍ^２＋は前述のように、Ｍｇ^２＋、Ｚｎ^２＋、Ｎｉ^２＋、Ｆｅ^２＋、Ｃａ^２＋またはＣｕ^２＋が挙げられるが、好ましくはＭｇ^２＋，Ｃａ^２＋であり、より好ましくはＭｇ^２＋である。
Ｍ^３＋は前述のように、Ａｌ^３＋またはＦｅ^３＋が挙げられるが、好ましくはＡｌ^３＋である。

本発明において、式（１）の複合錯体酸化物のＢＥＴ表面積は１００〜４００ｍ^２／ｇ、好ましくは１５０〜４００ｍ^２／ｇである。ＢＥＴ表面積が１００ｍ^２／ｇ未満では活性が低いために、水中での水酸化物への移行に長時間を有するとともに、フッ素イオン吸着容量が小さいので不利である。上限については特に規制するものではないが、４００ｍ^２／ｇ以上の複合錯体酸化物を得ることが困難である。
半導体製造工場から排出される排水は、フッ素イオン濃度が高いために多くの場合ｐＨが４.０以下である。また、該複合錯体酸化物の複合錯体水酸化物への移行は低ｐＨであるほど早く、中性以上のｐＨでは極端に複合錯体水酸化物への移行速度が遅くなり、更に、全ての該複合錯体酸化物を複合錯体水酸化物に移行できなく、その結果、フッ素イオンを目的濃度まで低減できなくなる。

本発明においては、該排水中のフッ素イオン濃度が通常１〜３００ｍｇ／Ｌである。上限については特に制限するものでなく複合錯体酸化物添加量を調整することにより、排水中のフッ素濃度を目的濃度まで低減できる。更に、半導体製造工場から排出される排水中のフッ素イオン濃度は、凡そ最小２０ｍｇ／Ｌ、最大３００ｍｇ／Ｌである。

本発明において、該排水と該複合錯体酸化物との接触時の液温は１０〜２５℃である。この温度は、半導体工場より排出される排水の年間を通じての液温を考慮したものであり、上限については高い方が有利であるが、特に冬期においては液温が低いために２５℃以上とするのに多くの熱エネルギーを要するので経済的に不利である。

本発明において、該排水と該複合錯体酸化物との接触時間は、５分〜３時間、好ましくは１５分〜１時間である。接触時間を５分以下とすると、該複合錯体酸化物の複合錯体水酸化物への移行量が少なく、フッ素吸着容量が小さいので不利である。上限については特に制限するものではないが、３時間以上とすると処理時間が長く不利である。

本発明において、該複合錯体酸化物の添加量は該排水１００重量部に対して、０.０５〜１０重量部、好ましくは０.１〜５重量部である。上限については特に制限するものではないが、１０重量部添加を超えると沈殿分離して廃棄する該複合錯体水酸化物の量が多くなり経済的でない。

本発明において、処理後のフッ素イオンを含有した複合錯体水酸化物粒子を排水中からの沈殿分離を容易にするために凝集剤を添加することが好ましい。
該凝集剤としては、市販の無機系凝集剤および市販の高分子凝集剤共に有効であり、添加量は該複合錯体酸化物１重量部に対して０.０１〜０.５重量部、好ましくは０.２〜０.５重量部とするのが有利である。
更に、本発明において、フッ素イオンを含有する複合錯体水酸化物粒子を分離した排水のｐＨは９.５〜１１.０であるが、この排水に硫酸等の鉱酸を添加することにより容易に排水基準のｐＨ５.６〜８.６とすることが可能である。

本発明において、分離されたフッ素イオン含有複合錯体水酸化物粒子は、環境庁告示４６号試験においてフッ素イオン溶出基準に適合する。
本発明の好適な実施形態によれば、フッ素イオン含有排水中のフッ素イオン濃度を排水基準値の８ｐｐｍ以下、更には、土壌環境基準値の０.８ｐｐｍ以下とすることが可能である。

以下に、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
尚、複合錯体中のマグネシウム、アルミニウムはキレート法、炭酸イオンはＪＩＳ Ｋ ９１０１ 、塩素イオンおよび硝酸イオンはイオンクロマトグラフィー、硫酸イオンは比色法で測定した。

複合錯体水酸化物およびその酸化物の合成
合成例１
２Ｌ容ビーカーに、塩化マグネシウム６水塩水溶液(Ｍｇ^２＋＝１.３モル／Ｌ)１.０Ｌおよび塩化アルミニウム６水塩水溶液(Ａｌ^３＋＝０.６モル／Ｌ)０.２１７Ｌを投入し液温を３０℃に調整する。続いて、攪拌下に、３.４モル／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液を定量ポンプを用いて５ｍＬ／分の流速で反応液ｐＨが１１.６になるまで投入し反応終了とした。後、反応液を水洗ろ過し、８０℃で１５時間オーブンにて乾燥後、ラボスケールハンマーミルで粉砕することにより複合錯体粉末を得た。得られた複合錯体粉末の組成式は、Ｍｇ_１０.１Ａｌ(ＯＨ)_{２２.３５}(Ｃｌ)_０.８５・３.３Ｈ_２Ｏであった。
得られた複合錯体粉末をラボスケール間接ロータリーキルンを用いて、７５０℃の温度で１時間焼成することにより複合錯体酸化物を得た。得られた複合錯体酸化物のＢＥＴ表面積は１７０ｍ^２／ｇであり、組成式はＭｇ_２０.２Ａｌ_２Ｏ_{２２.３５}(Ｃｌ)_１.７であった。

合成例２
２Ｌ容ビーカーに、硝酸マグネシウム６水塩水溶液(Ｍｇ^２＋＝１.２５モル／Ｌ)１.０Ｌおよび硝酸アルミニウム６水塩水溶液(Ａｌ^３＋＝０.４５モル／Ｌ)０.２３１Ｌを投入し液温を３０℃に調整する。続いて、攪拌下に、３.４モル／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液を定量ポンプを用いて５ｍＬ／分の流速で反応液ｐＨが１１.０になるまで投入し反応終了とした。後、反応液を水洗ろ過し、８０℃で１５時間オーブンにて乾燥後、ラボスケールハンマーミルで粉砕することにより複合錯体粉末を得た。得られた複合錯体粉末の組成式は、Ｍｇ_１２.２Ａｌ(ＯＨ)_２６.０(ＮＯ_３)_１.４・３.２Ｈ_２Ｏであった。
得られた複合錯体粉末を合成例１と同様に焼成して得られた複合錯体酸化物のＢＥＴ表面積は１８５ｍ^２／ｇであり、組成式はＭｇ_２４.３Ａｌ_２Ｏ_２６.６(ＮＯ_３)_０.７であった。

合成例３
２Ｌ容ビーカーに、硫酸マグネシウム６水塩水溶液(Ｍｇ^２＋＝１.５モル／Ｌ)１.０Ｌおよび硫酸アルミニウム６水塩水溶液(Ａｌ^３＋＝０.５モル／Ｌ)０.３Ｌを投入し液温を３０℃に調整する。続いて、攪拌下に、３.４モル／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液を定量ポンプを用いて５ｍＬ／分の流速で反応液ｐＨが１０.８になるまで投入し反応終了とした。後、反応液を水洗ろ過し、８０℃で１５時間オーブンにて乾燥後、ラボスケールハンマーミルで粉砕することにより複合錯体粉末を得た。得られた複合錯体粉末の組成式は、Ｍｇ_１４.１Ａｌ(ＯＨ)_{２９.７４}(ＳＯ_４)_０.７３・４.３Ｈ_２Ｏであった。
得られた複合錯体粉末を合成例１と同様に焼成して得られた複合錯体酸化物のＢＥＴ表面積は１６５ｍ^２／ｇであり、組成式はＭｇ_２８.２Ａｌ_２Ｏ_{３０.４７}(ＳＯ_４)_０.７３であった。

実施例１
表１に示すイオンを含む半導体製造工場より排出された排水２００ｍＬに、合成例１で得られた複合錯体酸化物を０.３ｇ(０.１５重量部)添加し、３０分間マグネティックスタラーを用いて攪拌した(攪拌中の液温は２２.５℃であった)。後、固液分離した上澄み液のフッ素イオン濃度は１.７ｍｇ／Ｌで排水基準に適合していた。また、液のｐＨは１０.４３であった。
尚、本条件における該複合錯体酸化物のフッ素イオン吸着容量は３.２ミリモル／ｇであった。

実施例２
実施例１において、該複合錯体酸化物添加量を０.７５ｇ(０.３５重量部)とした以外は実施例１と同様に処理した。その結果、フッ素イオン濃度は０.４１ｍｇ／Ｌで土壌基準に適合しており、液のｐＨは１０.５０であった。本条件における該複合錯体酸化物のフッ素イオン吸着容量は１.３１ミリモル／ｇであった。

実施例３
実施例２において、該複合錯体酸化物を合成例２で得られた複合錯体酸化物とした以外は実施例２と同様に処理した。その結果、フッ素イオン濃度は０.１７ｍｇ／Ｌで土壌基準に適合していた。また、液のｐＨは１０.４４であった。
尚、本条件における該複合錯体酸化物のフッ素イオン吸着容量は１.９７ミリモル／ｇであった。

実施例４
実施例２において、該複合錯体酸化物を合成例３で得られた複合錯体酸化物とした以外は実施例２と同様に処理した。その結果、フッ素イオン濃度は０.２２ｍｇ／Ｌで土壌基準に適合していた。また、液のｐＨは１０.５１であった。
尚、本条件における該複合錯体酸化物のフッ素イオン吸着容量は１.９７ミリモル／ｇであった。

実施例５
表１に示すフッ素イオンを含む半導体工場より排出された排水２００ｍＬを、液温９〜１１℃に調整し、合成例１で得られた複合錯体酸化物を１.０ｇ(０.５重量部)添加し、マグネティックスタラーを用いて２時間攪拌した(この間終始液温を９〜１１℃に調整した。)。後、固液分離した上澄み液中のＦイオン濃度は０.２５ｍｇ／Ｌで土壌基準に適合していた。また、液のｐＨは１０.２５であった。
尚、本条件における該複合錯体酸化物のフッ素イオン吸着容量は０.９９ミリモル／ｇであった。

実施例６
表１に示すイオンを含む半導体製造工場より排出された排水３０００ｍＬに、合成例１で得られた複合錯体酸化物を１０.５ｇ(０.３５重量部)添加し、ケミスタラーを用いて１時間攪拌した。後、ミクニエコシステム(株)製凝集剤スカイクリーンＳを０.３ｇ(該酸化物１重量部に対して０.０３３重量部)添加したところ沈降性の良いフロックが形成され２０秒の攪拌で完全に固液分離できた。後、攪拌を停止し、固液分離した上澄み液に硫酸を加えてｐＨ７.５に調整した液中のフッ素イオン濃度は０.１４ｍｇ／Ｌであり土壌基準に合格していた。尚、本条件における該複合錯体酸化物のフッ素イオン吸着容量は１.４１ミリモル／ｇであった。

実施例７
実施例６において、固液分離により得られたフッ素イオン含有複合錯体水酸化物粒子を、環境庁告示４６号に準じて溶出試験を実施した結果、溶出フッ素イオン濃度は０.１ｍｇ／Ｌ未満であり、土壌基準に合格していた。

比較例１
フッ素イオン濃度９８.２ｍｇ／Ｌに調整したｐＨ８.２０のモデル排水(フッ化ナトリウム水溶液)２００ｍＬに、合成例２で得られた複合錯体酸化物を１ｇ(０.５重量部)添加し、マグネティックスタラーを用いて３０分間攪拌した(攪拌中の液温は２２.２℃であった)。後、固液分離した上澄み液中のＦイオン濃度は２５.５ｍｇ／Ｌで排水基準に不適合であった。また、液のｐＨは１１.８５であった。
尚、本条件における該複合錯体酸化物のフッ素イオン吸着容量は０.７７ミリモル／ｇであった。

比較例２
比較例１において、マグネティックスタラーでの攪拌時間を２４時間とした以外は比較例１と同様に処理した。その結果、フッ素イオン濃度は１１.３ｍｇ／Ｌで排水基準に不適合であった。
尚、本条件における該複合錯体酸化物のフッ素イオン吸着容量は０.９２ミリモル／ｇであった。

実施例１〜７より、半導体製造工場より排出されるフッ素イオンを含有するｐＨ４.０以下の排水中に、複合錯体を焼成した複合錯体酸化物を添加することにより、排水中のフッ素イオンを効率的に除去できることが分かる。更に、排水基準のフッ素濃度８ｍｇ／Ｌ以下および土壌基準の０.８ｍｇ／Ｌ以下とすることが可能であることが分かる。また、このことが可能となる該複合錯体酸化物の最大吸着容量はそれぞれ３ミリモル／ｇ、１.４ミリモル／ｇであることも分かる。
この吸着容量より、該排水中のフッ素イオン濃度が如何なるものであっても添加する該複合錯体酸化物添加量を計算でもとめることができる。
更に、フッ素イオン吸着した複合錯体水酸化物は、環境庁告示の溶出試験においてフッ素イオンを溶出しないため廃棄物処理が容易で低コストで実施できることが分かる。
尚、比較例１〜２より該複合錯体酸化物は、低ｐＨ排水でなければフッ素イオンを効率的に除去できないことも分かる。

Claims (15)

1. フッ素イオンを含有するｐＨ４.０以下の排水に、下記式（１）で表わされる複合錯体酸化物を添加し、かくして形成されたフッ素イオンを含有する複合錯体水酸化物粒子を処理された排水から分離することを特徴とする、前記排水中のフッ素イオンを低減する方法。
   Ｍ^２＋ _ｘＭ^３＋ _ｙＯ_{（ｘ＋３ｙ／２‐ｎｚ／２）}（Ａ^ｎ‐）_ｚ （１）
   ［式中、Ｍ^２＋はＭｇ^２＋、Ｚｎ^２＋、Ｎｉ^２＋、Ｆｅ^２＋、Ｃａ^２＋およびＣｕ^２＋から選択される少なくとも１種を表し、Ｍ^３＋はＡｌ^３＋およびＦｅ^３＋から選択される少なくとも１種を表し、Ａ⁻はＣｌ⁻、ＮＯ_３ ⁻およびＳＯ_４ ^２−から選択される少なくとも１種を表し、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ次の条件を満足する。１／８＞ｙ／ｘ＞０、４／８≧ｚ／(ｘ＋ｙ)＞０で示される。］
2. 式（１）中のＭ^２＋がＭｇ^２＋である請求項１記載のフッ素イオンを低減する方法。
3. 式（１）中のＭ^３＋がＡｌ^３＋である請求項１記載のフッ素イオン低減を低減する方法。
4. 該複合錯体酸化物のＢＥＴ表面積が１００〜４００ｍ^２／ｇを有するものである請求項１記載のフッ素イオンを低減する方法。
5. フッ素イオンを含有するｐＨ４.０以下の排水が、半導体製造工場より排出される排水である請求項１記載のフッ素イオンを低減する方法。
6. 該排水中のフッ素イオン濃度が、１〜３００ｍｇ／Ｌである請求項１記載のフッ素イオンを低減する方法。
7. 処理温度が１０〜２５℃の温度で行われる請求項１記載のフッ素イオンを低減する方法。
8. 該複合錯体酸化物を該排水に添加後の接触時間が５分〜３時間である請求項１のフッ素イオンを低減する方法。
9. 該排水１００重量部当り、該複合錯体酸化物０.０５〜１０重量部を使用する請求項１記載のフッ素イオンを低減する方法。
10. 形成した複合錯体水酸化物粒子を含有する処理された排水中に凝集剤を添加して、複合錯体水酸化物粒子と処理された排水を分離する請求項１記載のフッ素イオンを低減する方法。
11. 該凝集剤は、該複合錯体酸化物１重量部当り０.０１〜０.５重量部添加せしめる請求項１０記載のフッ素イオンを低減する方法。
12. 分離されたフッ素イオン含有複合錯体水酸化物粒子は、環境庁告示４６号試験において、フッ素イオンを溶出しない請求項１記載のフッ素イオンを低減する方法。
13. 処理後排水中のフッ素イオン濃度が８ｍｇ／Ｌ以下である請求項１記載のフッ素イオンを低減する方法。
14. 処理後排水中のフッ素イオン濃度が０.８ｍｇ／Ｌ以下である請求項１記載のフッ素イオンを低減する方法。
15. 下記式（１）で表される複合錯体酸化物よりなることを特徴とする、フッ素イオンを除去するための排水処理剤。
    Ｍ ^２＋ _ｘ Ｍ ^３＋ _ｙ Ｏ _{（ｘ＋３ｙ／２−ｎｚ／２）} （Ａ ^ｎ− ） _ｚ （１）
    ［式中、Ｍ ^２＋ はＭｇ ^２＋ 、Ｚｎ ^２＋ 、Ｎｉ ^２＋ 、Ｆｅ ^２＋ 、Ｃａ ^２＋ およびＣｕ ^２＋ から選択される少なくとも１種を表し、Ｍ ^３＋ はＡｌ ^３＋ およびＦｅ ^３＋ から選択される少なくとも１種を表し、Ａ ⁻ はＣｌ ⁻ 、ＮＯ _３ ⁻ およびＳＯ _４ ^２− から選択される少なくとも１種を表し、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ次の条件を満足する。１／８＞ｙ／ｘ＞０、４／８≧ｚ／(ｘ＋ｙ)＞０で示される。］