JP4742700B2 - 画素形成方法 - Google Patents
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Description
この表示装置に用いるカラーフィルタは、多くの場合、画素として形成されて使用されるものである。表示装置用カラーフィルタの画素を形成する方法として、これまで実用されてきた方法には、フォトリソグラフィー法、印刷法などがあげられる。
図3、及び図4に示すように、液晶表示装置に用いられるカラーフィルタは、ガラス基板(50)上にブラックマトリックス(51)、着色画素(52)が順次に形成されたものである。
図3、及び図4はカラーフィルタを模式的に示したもので、着色画素(52)は12個表されているが、実際のカラーフィルタにおいては、例えば、対角17インチの画面に数百μm程度の着色画素が多数個配列されている。
ブラックマトリックスは、カラーフィルタの着色画素の位置を定め、大きさを均一なものとし、また、表示装置に用いられた際に、好ましくない光を遮蔽し、表示装置の画像をムラのない均一な、且つコントラストを向上させた画像にする機能を有している。
このブラックマトリックス(51)は、ガラス基板(50)上に、例えば、ブラックマトリックス形成用の黒色フォトレジストを用いてフォトリソグラフィ法によって形成されたものであり、樹脂を用いて形成されたブラックマトリックスを樹脂ブラックマトリックス(51)と称している。
図1(a)は、スピンコータによってガラス基板(1)上に形成された塗膜(2)の状態を説明する平面図である。また、図1(b)は、(a)のA−A線での断面図である。図1(a)、(b)に示すように、スピンコータによってガラス基板(1)上に形成された
塗膜(2)の膜厚は、ガラス基板(1)の中央部が薄く、周縁部が厚いといった膜厚分布の傾向がある。
尚、図1(a)の平面図においては、説明上、塗膜の厚薄を斜線の疎密で表している。
図2(a)は、スリットコータによってガラス基板(1)上に形成された塗膜(2)の状態を説明する平面図である。また、図2(b)は、図2(a)のA−A線での断面図である。図1(a)と同様に、塗膜の厚薄を実線の疎密で表している。
この現象は、塗布開始前の待機中にスリットノズルの先端部が空気と接触していると、先端部内の塗布液の一部分の濃度が高くなるためである。
また、上記画素形成方法を用いて製造したカラーフィルタを提供することを課題とする。
素を形成する系の解像度以下のピッチをもったラインアンドスペースパターンであることを特徴とする画素形成方法である。
図6は、本発明による画素形成方法の一例を模式的に示す説明図である。図6(a)は、スピンコータによってガラス基板(1)上に形成されたネガ型フォトレジストの、スピンコータに固有な膜厚分布をした塗膜(2)が設けられ、その塗膜(2)に、本発明におけるフォトマスク(PM2)を介した露光(5)を与えている状態を示したものである。
従って、現像処理後に得られる画素(3’)は、図6(b)に示すように、ガラス基板(1)の周縁部の塗膜の残膜率は低く、すなわち、周縁部の画素の膜厚は低減して膜厚分布の傾向が是正され、ガラス基板の全面にわたり均一な膜厚の画素が形成される。
ハーフートーン部(4)としては、紫外線を減衰させる薄膜、例えば、ITOなどの金属酸化物膜からなるハーフートーン部、或いは、フォトマスクを製造する際に成膜したクロム膜をフォトエチングしたハーフートーン部などがあげられる。
このラインアンドスペースパターンは、系の解像度以下のピッチで、且つ中央部から周縁部へと濃度の勾配を有したものとなる。
図7(a)、(b)に示すように、このハラインアンドスペースパターンは光を遮光するライン(L)と光を透過するスペース(S)で構成される。
本発明におけるラインアンドスペースパターンは、用いるフォトリソグラフィー法の系の解像度以下となっている。
フォトリソグラフィー法の系とは、例えば、画素を形成する際の光学系、フォトマスク、着色フォトレジスト、現像処理などのプロセス全体を指し、得られる画素のパターンの解像度は、この系の解像度によって定まる。
本発明においては、1枚のフォトマスクを介した露光によって、ガラス基板上の塗膜の膜厚分布の内、膜厚の正常な部分に形成される画素の膜厚と、膜厚の厚い部分に形成される画素の膜厚を同時に均一に形成するために、フォトマスク上のハーフトーン部(4)のラインアンドスペースパターンを、着色フォトレジストへの露光時において、そのフォトリソグラフィー法の系の解像度以下とする。
具体的には、例えば、ラインの巾(Lw):スペースの巾(Sw)=1:1においては、ピッチ(Pw)が略8μm以下になるとラインとスペースの分離ができなくなる。また、例えば、ラインの巾(Lw):スペースの巾(Sw)=1:5においては、ラインの巾(Lw)が略3μm以下になるとラインとスペースの分離ができなくなる。
で光学濃度を表すパターンであれば、特に限定されるものではない。例えば、市松模様、波状、円形などがあげられる。
2・・・塗膜
3・・・膜厚分布を反映した画素
3’・・・本発明における画素
4・・・ハーフートーン部
5・・・露光
51・・・ブラックマトリックス
52・・・着色画素
L・・・光を遮光するライン
Lw・・・ラインの巾
PM1・・・フォトマスク
PM2・・・本発明におけるフォトマスク
Pw・・・ラインアンドスペースパターンのピッチ
S・・・光を透過するスペース
Sw・・・スペースの巾
Claims (1)
- 基板上に塗布装置を用いてネガ型フォトレジストの塗膜を設け、フォトマスクを介した露光、及び現像処理により画素を形成する画素形成方法において、該フォトマスクが、用いた塗布装置に固有な塗膜の膜厚分布の内、膜厚の厚い部分に対応したフォトマスク上の部分にハーフートーン部を有しており、このハーフートーン部が、画素を形成する系の解像度以下のピッチをもったラインアンドスペースパターンであることを特徴とする画素形成方法。
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