JPH10149971A - 露光方法及び露光マスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レジスト膜の解像度を確保しかつ工程数を増
加させることなく、部分的に膜厚が異なるレジスト膜の
寸法精度を確保することができない。 【解決手段】 レジスト膜１１に対してパターン露光を
行う場合、必要最低露光量に対する露光量の割合が露光
面の全面で等しくなるように、膜厚ｔ1 の第１露光部１
１ａと膜厚ｔ2 の第２露光部１１ｂとに対して異なる露
光量Ｅ1 ，Ｅ2 で露光を行う。この際、用いる露光マス
ク２は、遮光パターン２２の開口部２２ａのうち、他の
部分よりも必要最低露光量が小さい第１露光部１１ａに
照射される露光光を透過させる部分に対応して光透過率
調整パターン２３を設けたものである。この光透過率調
整パターン２３は、第１露光部１１ａおける必要最低露
光量に対してこの部分に照射される露光量の割合が第２
露光部１１ｂにおける割合と等しくなるように、当初の
露光量を減らすような膜厚Ｔを有している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、露光方法及び露光
マスクに関し、特には半導体装置の製造工程におけるリ
ソグラフィーの際の露光方法及びその際に用いる露光マ
スクに関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置製造におけるリソグラフィー
の際の露光では、レジスト膜を露光するのに必要な最低
の露光量（以下、必要最低露光量と記す）は、当該レジ
スト膜の膜厚によって周期的に変化することが知られて
いる。これは、レジスト膜内部に生じる定在波の影響に
よるものである。ところが、レジスト膜が成膜される基
板表面には配線の形成等によって凹凸があることから、
レジスト膜の膜厚も露光面内において部分的に異なって
いる。このため、露光面内においてレジスト膜の感度が
部分的に変化し、露光及びリソグラフィーの際の寸法精
度を確保することができなかった。

【０００３】そこで、レジスト膜の下層や上層に反射防
止膜を設けたり、染料入りのレジストを用いてレジスト
膜内における光透過率を低下させることで、レジスト膜
内における定在波の発生を抑える方法が考えられてい
る。このような方法によれば、レジスト膜内における露
光の吸収効率が安定化するため、レジスト膜の感度をそ
の膜厚によらず安定化させることが可能になる。したが
って、露光パターンの寸法精度を向上させることができ
る。

【０００４】また、上記露光方法に用いられる露光マス
クは、光透過性基板とこの一主面側に設けられた遮光パ
ターンとで構成されている。このような露光マスクによ
れば、露光面内において均等な露光量で露光が行われ
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記露光方法
には、以下のような課題があった。すなわち、レジスト
膜の下層に反射防止膜を設ける方法では、反射防止膜の
成膜工程や除去工程等の追加工程を必要とするため、半
導体装置の製造工程数が増加する。また、レジスト膜の
上層に反射防止膜を設ける方法では、下層に反射防止膜
を設ける方法よりも工程増加数は少ないものの定在波を
完全に抑えることができず、パターン寸法を制御する効
果が小さい。さらに、染料入りのレジストを用いる方法
では、レジスト膜の光透過率を低下させるため、焦点深
度のマージンが小さくなったりレジスト膜の解像度が劣
化してしまう。したがって、露光パターンの寸法精度は
向上するものの、その後のベーキング及び現像処理によ
って形成されるレジストパターンの寸法精度が低下し、
リソグラフィーにおける寸法精度を向上させることはで
きなかった。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の露光方法は、レジスト膜の膜厚またはレジス
ト膜及びこの下層の絶縁膜の膜厚が異なる部分毎に異な
る露光量で露光を行う。この際、上記膜厚によって決ま
る必要最低露光量に対する露光量の割合が、露光面の全
面でほぼ等しくなるように上記露光量を調節する。

【０００７】上記露光方法では、膜厚が異なる部分毎に
露光量を調節することで、露光面の全面で必要最低露光
量に対する露光量の割合を等しくしている。このことか
ら、レジスト膜内に吸収されて当該レジスト膜の露光に
実際に用いられる吸収露光量は、レジスト膜の膜厚によ
らず露光面の全面で均等になる。したがって、露光面内
においてレジストの感度が見かけ上均等になる。

【０００８】また、上記課題を解決するための本発明の
露光マスクは、光透過性基板の一主面側に半透過性材料
からなる光透過率調整パターンが設けられていることを
特徴とする。この光透過率調整パターンは、遮光パター
ンが配置されていない部分のうちの一部分に対応して設
けられている。上記一部分とは、この露光マスクを用い
て露光を行うレジスト膜において、必要最低露光量が他
の露光部分よりも小さい露光部分に照射される露光光を
透過させる部分であることとする。

【０００９】上記露光マスクでは、遮光パターンの開口
部のうちの一部分に対応して光透過率調整パターンが設
けられていることから、当該露光マスクから照射される
露光のうち、光透過率調整パターンを通過する露光のみ
の露光量が部分的に少なくなる。この光透過率調整パタ
ーンは、必要最低露光量が他の露光部分よりも小さい露
光部分に照射される露光光を透過させる部分に配置され
ることから、レジスト膜の露光部分において、必要最低
露光量に対する露光量の割合が均一化するように露光が
行われる。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した露光方法
及び露光マスクの実施の形態を、図面に基づいて説明す
る。

【００１１】（第１実施形態）図１は第１実施形態の露
光方法及びこの方法に用いる露光マスクを説明するため
の図であり、図２は露光されるレジスト膜の膜厚とこの
レジスト膜を露光するのに必要な最低の露光量（必要最
低露光量）Ｅthとの関係を示すグラフ及び、レジスト
膜の膜厚と露光量Ｅとの関係を示すグラフである。先
ず、これらの図面を用いて第１実施形態を説明する。

【００１２】図に示すように、表面に凹凸が形成された
基板１１上には、この基板１１表面の凹凸を埋め込む状
態で表面平坦にレジスト膜１２が成膜されている。この
ようにして成膜されたレジスト膜１２の露光部分は、膜
厚ｔ1 の第１露光部１１ａと膜厚ｔ2 の第２露光部１１
ｂとで構成される。このように構成されたレジスト膜１
２に対して露光を行う場合には、以下のようにする。

【００１３】先ず、レジスト膜１２の膜厚とこのレジス
ト膜１２の必要最低露光量Ｅthとの関係を示すグラフ
を得る。このグラフは、レジスト膜１２の膜厚によっ
て必要最低露光量Ｅthが周期的に変化したものになり、
レジスト膜１２構成するレジスト材料及び露光光の波長
によって異なる値になる。

【００１４】次に、このグラフを用いて、膜厚ｔ1 の
第１露光部１１ａを露光するための必要最低露光量Ｅth
1 を求め、同様に膜厚ｔ2 の第２露光部１１ｂを露光す
るための必要最低露光量Ｅth2 を求める。

【００１５】次いで、露光の際に露光マスクの光透過性
基板のみを通過してレジスト膜１２に照射される当初露
光量Ｅ0 を求める。そして、露光されるレジスト膜１２
における必要最低露光量Ｅthのうち、最も大きい値にな
る必要最低露光量Ｅthに対する当初露光量Ｅ0 の割合を
算出す。ここでは、第２露光部１１ｂの必要最低露光量
Ｅｔｈ2 が最も大きい値になるため、上記割合はＥ0 ／
Ｅth2 になる。

【００１６】次に、必要最低露光量Ｅthに対してＥ0 ／
Ｅth2 倍になる露光量Ｅを、レジスト膜１２の膜厚に対
してプロットする。そして、露光量Ｅ＝Ｅth×Ｅ0 ／Ｅ
th2のグラフを得る。

【００１７】その後、レジスト膜１２において最も必要
最低露光量Ｅthが大きい値になる第２露光部１１ｂの露
光量Ｅ2 をＥ2 ＝Ｅ0 とする。そして、上記グラフか
ら、膜厚ｔ1 の第１露光部１１ａを露光するための露光
量Ｅ1 を求める。このようにして求めた各露光部分１１
ａ，１１ｂの露光量Ｅ1 ，Ｅ2 と各必要最低露光量Ｅth
1,Ｅth2 とは、上記のように露光量Ｅ＝Ｅth×Ｅ0 ／Ｅ
th2 としたことから、以下に示すように必要最低露光量
Ｅthに対する露光量Ｅの割合が等しくなる。 第１露光部１１ａ：Ｅ1 ／Ｅth1 ＝（Ｅth1 ×Ｅ0 ／Ｅth2 ）／Ｅth1 ＝Ｅ0 ／Ｅth2 第２露光部１１ｂ：Ｅ2 ／Ｅth2 ＝Ｅ0 ／Ｅth2

【００１８】次に、上記のようにして求めた露光量Ｅ1
，Ｅ2 にしたがって、レジスト膜１２の第１露光部１
１ａと第２露光部１１ｂとに露光光を照射する。この
際、以下に説明するように構成された露光マスク２を用
いることとする。すなわち、露光マスク１は、光透過性
基板２１とこの光透過性基板２１上に設けられた遮光パ
ターン２２及び光透過率調整パターン２３とを備えた構
成になっている。

【００１９】上記光透過性基板２１は、ガラスのような
露光光を透過する材料からなる。そして、例えば露光マ
スク２に照射される露光光を減衰させることなく透過さ
せることとする。また、遮光パターン２２は、クロムの
ように露光光に対して遮光性を有する材料からなる。そ
して、光透過率調整パターン２３は、露光光に対して半
透過性を有する材料からなる。

【００２０】このような光透過率調整パターン２３材料
の一例としては、例えばモリブデンシリサイド（ＭｏＳ
ｉ）やレジスト等を用いることができる。さらに、具体
的には、露光光としてフッ化クリプトンレーザ光（波長
２４８）を用いる場合には、高圧水銀灯ｉ線（波長３６
５ｎｎ）用のレジスト材料を用いることができる。この
レジスト材料は、上記レーザ光に対する透過性が上記ｉ
線に対する透過性よりも低く、膜厚を変化させることに
よってレーザ光の透過率を調整することができる。

【００２１】上記光透過率調整パターン２３は、遮光パ
ターン２２が配置されていない部分（以下、開口部２２
ａと記す）のうちの一部分に対応して設けられている。
ここで、上記一部分とは、この露光マスク２を用いて露
光を行うレジスト膜１２において、必要最低露光量が他
の露光部分よりも小さい露光部分に照射される露光光を
透過させる部分、すなわち、レジスト膜１２における第
１露光部１１ａに照射される露光光を通過させる部分で
ある。

【００２２】また、上記光透過率調整パターン２３の膜
厚Ｔは、第１露光部１１ａに照射される露光光の露光量
を当初露光量のＥ0 からＥ0 ×Ｅth1 ／Ｅth2 ＝Ｅ1 に
減らすような値になっている。この膜厚Ｔは、光透過率
調整パターン２３を構成する材料の露光光に対する単位
長さ当たりの透過率によってそれぞれ異なる値になる。

【００２３】上記構成の露光マスク２を用いた露光で
は、露光マスク２を通過してレジスト膜１２に照射され
る露光光のうち、光透過率調整パターン２３を透過した
露光光のみの露光量が上述のようにＥ0 からＥ1 に減衰
される。そして、このように減衰された露光光は、レジ
スト膜１２の第１露光部１１ａに照射される。このこと
から、レジスト膜１２の露光部分において、必要最低露
光量Ｅthに対する露光量Ｅの割合が均一化するように露
光が行われる。

【００２４】ここで、レジスト膜の膜厚による必要最低
露光量Ｅthの差は、レジスト膜の膜厚によってレジスト
膜内部への光エネルギーの吸収効率が異なることに起因
している。このため、上述のように必要最低露光量Ｅth
に対する露光量Ｅの割合を均一化した露光方法では、レ
ジスト膜１２内に吸収されて当該レジスト膜１２の露光
に実際に用いられる吸収露光量を、レジスト膜１２の膜
厚によらずレジスト膜の表面における露光面の全面で均
等にすることができる。したがって、露光面内における
レジスト膜１２の感度が見かけ上均等になる。

【００２５】以上のことから、レジスト膜１２において
必要最低露光量に対する露光量が部分的に過剰になって
露光パターンが設計寸法よりも大きくなることが防止さ
れる。しかも、レジスト膜１２自体の透過率が保たれる
ことから、レジスト膜の解像度を劣化させることもな
い。したがって、露光後にベーキング及び現像工程を経
て基板１１上に形成されるレジストパターンの寸法精度
を向上させることができる。さらに、予め露光光の透過
率が部分的に調整された露光マスク２を用いることで、
露光マスク２を通過して露光面に照射される露光光の露
光量を各露光部１１ａ，１１ｂ毎に異なる値にすること
ができる。したがって、工程数を増加させることなく露
光を行うことができる。

【００２６】（第２実施形態）図３は第２実施形態の露
光方法及びこの方法に用いる露光マスクを説明するため
の図であり、この図と上記図２とを用いて第２実施形態
を説明する。

【００２７】図に示すように、基板１１における平坦面
上には、配線パターン１３が形成されている。また、こ
の配線パターン１３を覆う状態で、この基板１１上に酸
化シリコンからなる絶縁膜１４が設けられている。この
絶縁膜１４は、成膜後に全面エッチバックやＣＭＰ（Ch
emical Mechanical Polishing) を行うことによって、
表面平坦に形成されている。このため、この絶縁膜１４
は、配線パターン１３上における膜厚ｔ3 の第１部分１
４ａと、基板１１上における膜厚ｔ4 の第２部分１４ｂ
とを有している。そして、この絶縁膜１４上に、均一な
膜厚ｔのレジスト膜１５が設けられている。

【００２８】上記のように、レジスト膜１５下に酸化シ
リコンのような絶縁膜１４が設けられている場合には、
絶縁膜１４が露光光（例えば、上記ｉ線やレーザ光）に
対して透明性を有していることから、この絶縁膜１４の
膜厚によってレジスト膜１５の必要最低露光量は変化す
る。そこで、このような状態で成膜されているレジスト
膜１５に対して露光を行う場合には、以下のようにす
る。

【００２９】先ず、上記レジスト膜１５の露光部分を、
上記絶縁膜１４の第１部分１４ａに対応する第１露光部
１１ａと、上記第２部分１４ｂに対応する第２露光部１
１ｂとに分類する。そして、レジスト膜１５の膜厚ｔと
この下層の絶縁膜１４の膜厚ｔ3 ，ｔ4 とを加味した膜
厚ｔ＋ｔ3 ，ｔ＋ｔ4 に対する必要最低露光量Ｅthの関
係を示すグラフ得る。上記膜厚ｔ＋ｔ3 ，ｔ＋ｔ4 と
必要最低露光量Ｅthとの関係は、レジスト膜１５及び絶
縁膜１４の材質と露光光の波長によって異なる値にな
る。

【００３０】次に、上記第１実施形態と同様に、このグ
ラフと露光の際の当初露光量Ｅ0とからグラフを得
る。その後、このグラフから、膜厚ｔ＋ｔ3 の第１露
光部１１ａを露光する際の露光量Ｅ1 と、膜厚ｔ＋ｔ4
の第２露光部１１ｂを露光する際の露光量Ｅ2 を求め
る。そして、この露光量Ｅ1 ，Ｅ2 にしたがって、第１
露光部１１ａと第２露光部１１ｂとの露光を行う。

【００３１】この際、上記第１実施形態と同様に、光透
過性基板２１と遮光パターン２２と光透過率調整パター
ン２３とで構成された露光マスク３を用いて露光を行
う。光透過率調整パターン２３は、遮光パターン２２の
開口部２２ａにおいて、必要最低露光量Ｅｔｈが他の露
光部よりも低い露光部（ここでは、第１露光部１１ａ）
に照射される露光光を透過させる部分に設けられる。ま
た、光透過率調整パターン２３は、上記第１実施形態の
露光マスクにおける光透過率調整パターン２３の膜厚と
同様の膜厚Ｔを有している。

【００３２】以上によって、レジスト膜１５の下層に露
光光に対して透過性を有する絶縁膜１４が部分的に異な
る膜厚で設けられている場合においても、上記第１実施
形態と同様にリソグラフィー工程を増加させたり、レジ
スト膜の解像度を劣化させることなく、露光面内におけ
るレジスト膜１５の感度が見かけ上均等にすることがで
きる。したがって、上記第１実施形態と同様の効果が得
られる。

【００３３】（第３実施形態）図４は第３実施形態の露
光方法及びこの方法に用いる露光マスクを説明するため
の図であり、この図と上記図２とを用いて第３実施形態
を説明する。

【００３４】図に示すように、表面に凹凸が形成された
基板１１上には、当該基板１１の凸部に配線パターン１
３が形成されている。そして、この配線パターン１３を
覆いかつ基板１１の凹部を埋め込む状態で、この基板１
１上に酸化シリコンからなる絶縁膜１４が設けられてい
る。この絶縁膜１４は、表面平坦に設けられていること
から、配線パターン１３上における膜厚ｔ3 の第１部分
１４ａと、基板１１の凸部上における膜厚ｔ4 の第２部
分１４ｂと、基板１１の凹部上における膜厚ｔ5 の第３
部分１４ｃとで構成される。そして、この絶縁膜１４上
に、均一な膜厚ｔを有するレジスト膜１５が設けられて
いる。

【００３５】上記のように、露光光に対して透過性を有
する絶縁膜１４の膜厚が３段階ある場合には、以下のよ
うにして露光を行う。

【００３６】先ず、上記レジスト膜１５の露光部分を、
上記絶縁膜１４の第１部分１４ａに対応する第１露光部
１１ａと、上記第２部分１４ｂに対応する第２露光部１
１ｂと、上記第３部分１４ｃに対応する第３露光部１１
ｃとに分類する。そして、上記第２実施形態と同様に、
レジスト膜１５の膜厚ｔとこの下層の絶縁膜１４の膜厚
ｔ3 ，ｔ4 ，ｔ5 とを加味した膜厚ｔ＋ｔ3 ，ｔ＋ｔ4
，ｔ＋ｔ5 に対する必要最低露光量Ｅthの関係を示す
グラフを得る。

【００３７】次に、上記第１実施形態と同様に、このグ
ラフと露光の際の当初露光量Ｅ0とからグラフを得
る。その後、このグラフから、膜厚ｔ＋ｔ3 の第１露
光部１１ａを露光する際の露光量Ｅ1 と、膜厚ｔ＋ｔ4
の第２露光部１１ｂを露光する際の露光量Ｅ2 と、膜厚
ｔ＋ｔ5 の第３露光部１１ｃを露光する際の露光量Ｅ3
とを求める。そして、この露光量Ｅ1 ，Ｅ2 ，Ｅ3 にし
たがって、第１露光部１１ａと第２露光部１１ｂと第３
露光部１１ｃとの露光を行う。

【００３８】この際、上記第１実施形態と同様に、光透
過性基板２１と遮光パターン２２と光透過率調整パター
ン２３とで構成された露光マスク４を用いて露光を行
う。光透過率調整パターン２３は、遮光パターン２２の
開口部２２ａにおいて、レジスト膜１５の第１露光部１
１ａに照射される露光光を通過させる部分と第３露光部
１１ｃに照射される露光光を通過させる部分とに配置さ
れる。各部分に配置される光透過率調整パターン２３
ａ，２３ｃは、それぞれ異なる膜厚Ｔ1 ，Ｔ2 を有して
いる。

【００３９】すなわち、レジスト膜１５の第１露光部１
１ａに照射される露光光を通過させる光透過率調整パタ
ーン２３ａは、第１露光部１１ａに照射される露光の露
光量を当初露光量のＥ0 からＥ0 ×Ｅth1 ／Ｅth2 ＝Ｅ
1 に減らすような膜厚Ｔ1 を有している。一方、レジス
ト膜１５における第３露光部１１ｃに照射される露光光
を通過させる光透過率調整パターン２３ｃ部分は、第３
露光部１１ｃに照射される露光の露光量を当初露光量の
Ｅ0 からＥ0 ×Ｅth3 ／Ｅth2 ＝Ｅ3 に減らすような膜
厚Ｔ2 を有している。ただし、上記膜厚Ｔ1 ，Ｔ2 は、
それぞれの光透過率調整パターン２３部分を構成する材
質によって異なる値になる。そして、上記各光透過率調
整パターン２３ａ，２３ｃは、それぞれ異なる材質で構
成しても良い。

【００４０】上記構成の露光マスク４を用いた露光で
は、露光マスク４から照射される露光光のうち光透過率
調整パターン２３ａ，２３ｃを通過した露光光のみの露
光量が上述のような値で部分的に低減される。そして、
光透過率調整パターン２３ａ，２３ｃを通過した露光
は、第１露光部１１ａや第３露光部１１ｃに照射される
ことから、レジスト膜１５の露光部分において、必要最
低露光量Ｅthに対する露光量Ｅの割合が均一化するよう
に露光が行われる。

【００４１】以上のことから、上記第３実施形態の露光
方法によっても、上記第１実施形態及び第２実施形態と
同様にリソグラフィー工程を増加させたり、レジスト膜
の解像度を劣化させることなく、露光面内におけるレジ
スト膜１５の感度を見かけ上均等にして、露光及びリソ
グラフィーの寸法精度を確保することができる。

【００４２】上記各実施形態で説明した露光マスクは、
以下のような構成でも良い。すなわち図５に示すよう
に、上記光透過率調整パターン２３は、光透過性基板２
１と遮光パターン２２との間に設けても良い。また、図
６に示すように、上記光透過率調整パターン２３は、遮
光パターン２２を構成するクロムマスクの一部分を、露
光光が透過性を有する程度に薄膜化したものでも良い。
また、ここでは図示を省略するが、光透過率調整パター
ンは、光透過性基板２１において遮光パターン２２と対
する一主面側に設けても良い。

【００４３】さらに、この露光マスクと組み合わせて位
相シフトマスクを用いる場合には、光透過率調整パター
ン２３を透過することで露光の位相にずれが生じないよ
うに当該光透過率調整パターン２３の膜厚を設定するこ
ととする。具体的には、波長λｎｍの露光光を用いる場
合、光透過率調整パターン２３を構成する材料の屈折率
がｎであるとすると、光透過率調整パターン２３の膜厚
は、λ／（ｎ−１）の偶数倍の中から、上記のように露
光光の透過率を調整できる値を選択する。

【００４４】また、本発明は、ラインパターンや孔パタ
ーン等の全てのパターンの露光に対して用いることがで
きる。また、ポジ型レジストまたはネガ型レジストのど
ちらにも適用可能であり、同様の効果を奏することがで
きる。

【００４５】例えば、ポジ型レジストでスリットパター
ンを形成する場合や、ネガ型レジストでラインパターン
を形成するための露光には、図７の平面構成図に示すよ
うな露光マスク７を用いる。すなわち、この露光マスク
７は、光透過性基板（図示せず）上に設けられた遮光パ
ターン２２のスリット状の開口部２２ａの一部を塞ぐ状
態で、光透過率調整パターン２３が設けられている。こ
の光透過率調整パターン２３は、レジスト膜において必
要最低露光量が他の部分よりも少ない部分に照射される
露光光の通過部分に配置される。

【００４６】また、ポジ型レジストで孔パターンを形成
する場合や、ネガ型レジストで島パターンを形成するた
めの露光には、図８の平面構成図に示すような露光マス
ク８を用いる。すなわち、この露光マスク８は、光透過
性基板（図示せず）上に設けられた遮光パターン２２の
開口部２２ａの一部を塞ぐ状態で、光透過率調整パター
ン２３が設けられている。この光透過率調整パターン２
３は、レジスト膜において必要最低露光量が他の部分よ
りも少ない部分に照射される露光光の通過部分に配置さ
れる。

【００４７】上記のような露光マスク７を用いて露光を
行うことで、基板上には寸法精度の高いレジストパター
ンを設けることが可能になる。

【００４８】

【発明の効果】以上、本発明の露光方法によれば、膜厚
が異なる部分毎に異なる露光量で露光を行うことで、レ
ジスト膜の膜厚によらずレジスト膜内における露光光の
吸収量を均一化することができ、レジスト膜の感度を見
かけ上均等にすることが可能になる。したがって、レジ
スト膜の解像度を低下させたり工程を増加させることな
く、露光及びリソグラフィーの寸法精度を向上させるこ
とが可能になる。

【００４９】また、本発明の露光マスクによれば、遮光
パターンの開口部のうちの一部分に光透過率調整パター
ンを設けて露光マスクを通過する露光光の露光量を部分
的に減衰させることで、膜厚が異なる部分毎に異なる露
光量で露光を行うことが可能になる。このため、レジス
ト膜の膜厚によらずレジスト膜内での露光光の吸収量が
均一化するように露光を行うことができる。したがっ
て、レジスト膜の解像度を低下させたり工程を増加させ
ることなく、露光及びリソグラフィーの寸法精度を向上
させるような露光を行うことが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施形態を説明するための構成図である。

【図２】レジスト膜の膜厚と露光量との関係を示すグラ
フである。

【図３】第２実施形態を説明するための構成図である。

【図４】第３実施形態を説明するための構成図である。

【図５】露光マスクの他の構成を示す断面図である。

【図６】露光マスクのさらに他の構成を示す断面図であ
る。

【図７】露光マスクの一例を示す平面構成図である。

【図８】露光マスクの他の例を示す平面構成図である。

【符号の説明】

２，３，４，５，６，７，８ 露光マスク １１ 基板 １２，１５ レジスト膜 １４ 絶縁膜 ｔ，ｔ1 ，ｔ2 レジスト膜の膜厚 ｔ3 ，ｔ4 絶縁膜の膜厚 Ｅth，Ｅth1 ，Ｅth2 ，Ｅth3 必要最低露光量 Ｅ，Ｅ1 ，Ｅ2 ，Ｅ3 露光量

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 峯 清勝 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上のレジスト膜にパターン露光を行
   う方法であって、 前記レジスト膜の膜厚または前記レジスト膜及びこの下
   層の絶縁膜の膜厚によって決まる必要最低露光量に対す
   る露光量の割合が露光面の全面で略等しくなるように、
   前記膜厚が異なる部分毎に異なる露光量で露光を行うこ
   と、 を特徴とする露光方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の露光方法において、 前記露光の際に用いる露光マスクの光透過部における光
   透過率を部分的に変化させることで、当該露光マスクを
   通過して前記露光面に照射される露光光の露光量を前記
   部分毎に異なる値にすること、 を特徴とする露光方法。
3. 【請求項３】 光透過性基板と当該光透過性基板の一主
   面側に設けられた遮光パターンとを有する露光マスクに
   おいて、 前記光透過性基板の一主面側には、前記遮光パターンが
   配置されていない部分のうちの一部分に対応して露光光
   に対して半透過性材料からなる光透過率調整パターンが
   設けられていること、 を特徴とする露光マスク。
4. 【請求項４】 請求項３記載の露光マスクにおいて、 前記光透過率調整パターンは、当該露光マスクを用いて
   露光を行うレジスト膜の必要最低露光量が当該レジスト
   膜における他の露光部分よりも小さい露光部分に照射さ
   れる露光光を透過させる部分に配置されること、 を特徴とする露光マスク。
5. 【請求項５】 請求項３または請求項４記載の露光マス
   クにおいて、 前記光透過率調整パターンは、前記必要最低露光量に対
   する露光量の割合が露光面の全面で略等しくなる膜厚を
   有していること、 を特徴とする露光マスク。