JP4705683B2 - マイクロプロセッサからの出力信号を用いた電子構成素子の駆動のための回路装置及びその方法 - Google Patents
マイクロプロセッサからの出力信号を用いた電子構成素子の駆動のための回路装置及びその方法 Download PDFInfo
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Description
本発明の背景となっているのは、マイクロプロセッサのコントローラが益々パワーエレクトロニクスの分野に進出していることにある。ここでは典型的な適用例として絶縁ゲートを備えた電子スイッチの駆動があげられ、これらは静的にみて実質的に電圧制御されるものである(例えばMOSFET、IGBT、ESBT、PFC(Power Factor Correction)段など)。
それ故に本発明の課題は、低コストな方式で電子構成素子をマイクロプロセッサの出力信号を用いて駆動することのできる手段を提供することにある。
図1は、本発明による回路装置の実施例の概略的なブロック回路図であり、
図2は、図1の回路装置におけるMOSFETをオン/オフした時の様々な特性量の時間経過を表した図であり、
図3は、図1の回路装置におけるMOSFETのスイッチオン状態での様々な特性量の時間経過を拡大して表した図であり、
図4は、図1の回路装置におけるMOSFETのスイッチオフ状態での様々な特性量の時間経過を拡大して表した図である。
図1には本発明による回路装置の有利な実施例のブロック回路図が概略的に表されている。電子構成素子のいくつかは、当業者にとっては以下の実施例においても明らかであるようにシミュレーションによって決定される。この回路装置はマイクロプロセッサMPを含んでおり、その出力側A1からは出力信号V6が供給される。この出力信号は抵抗R97を介して一方のバイポーラトランジスタQ5のエミッタにベース回路側にて印加されている。そのベースは基準電位V7におかれており、これは当該実施例においては5Vである。またこれは同時にマイクロプロセッサMPの給電にも使用されている。バイポーラトランジスタQ5のコレクタは、第2のバイポーラトランジスタQ7のベースに接続されている。この第2のバイポーラトランジスタはエミッタ回路にて駆動される。第2のバイポーラトランジスタのコレクタは抵抗R108を介して制御入力側、すなわちMOSFETトランジスタM9によって実現されるパワースイッチのゲートに接続されている。第1のバイポーラトランジスタQ5のコレクタと第2のバイポーラトランジスタQ7のベースの間には第1の不飽和ダイオードD86が結合されており、第1のバイポーラトランジスタQ5のコレクタと第2のバイポーラトランジスタQ7のコレクタの間には第2の不飽和ダイオードD87が結合されている。電界効果トランジスタM9のゲートは、電界効果トランジスタQ9のドレイン端子に結合されており、そのソースはアース端子に接続している。それに対してゲートはマイクロプロセッサMPの出力側A1に接続されている。電界効果トランジスタM9のゲートとアース端子の間にはプルダウン抵抗R1が結合されている。誘導負荷のシミュレーションのためにインダクタンスL9が電界効果トランジスタのドレイン端子に接続されており、その場合このドレイン端子はダイオードD72とツェナーダイオードD78からなる直列回路を介してアース電位と接続している。バイポーラトランジスタQ5とQ7を含んでいるドライバー回路段、並びに電界効果トランジスタQ9及び電界効果トランジスタM9は、電圧源V1によって給電されており、この電圧源は本発明においては12Vの電圧を供給している。
Q5=BC846A、
Q7=BC807−40、
D86及びD87=各D1N4148、
Q9=BSS87/SIE、
M9=IRF830、
D72=D1N4937、
D78=D1N5254。
またQ9に対する低コストな代替例として例えばBSS98、BSS123並びに2N7002などがあげられる。
Claims (11)
- マイクロプロセッサ(MP)からの出力信号(V6)を用いて電子構成素子を駆動するための回路装置であって、
制御入力側を備えた電子構成素子と、
出力側(A1)から出力信号(V6)を供給しているマイクロプロセッサ(MP)とが含まれている形式の回路装置において、
ベース接地形の第1のバイポーラトランジスタ(Q5)が含まれており、該第1のバイポーラトランジスタ(Q5)のエミッタは、前記マイクロプロセッサ(MP)の出力側(A1)に結合されており、
エミッタ接地形の第2のバイポーラトランジスタ(Q7)が含まれており、該第2のバイポーラトランジスタ(Q7)のベースは、前記第1のバイポーラトランジスタ(Q5)のコレクタに結合されており、さらに前記第2のバイポーラトランジスタ(Q7)のコレクタは電子構成素子の制御入力側に結合され、さらに、
別のトランジスタ(Q9)が含まれており、前記トランジスタ(Q9)の制御電極は前記マイクロプロセッサ(MP)の出力側(A1)に結合されており、前記トランジスタ(Q9)の基準電極はグランドに結合されており、さらに前記トランジスタ(Q9)の作用電極は電子構成素子の制御入力側に結合されていることを特徴とする回路装置。 - 前記マイクロプロセッサ(MP)は、第1の基準電位(V7)に結合される入力側を有しており、前記第1のバイポーラトランジスタ(Q5)のベースは、前記マイクロプロセッサ(MP)の基準電位(V7)に結合される、請求項1記載の回路装置。
- 前記第1のバイポーラトランジスタ(Q5)のコレクタと前記第2のバイポーラトランジスタ(Q7)のベースの間に、第1の不飽和ダイオード(D86)が結合されており、さらに前記第1のバイポーラトランジスタ(Q5)のコレクタと前記第2のバイポーラトランジスタ(Q7)のコレクタの間に、第2の不飽和ダイオード(D87)が結合されている、請求項1または2記載の回路装置。
- 前記別のトランジスタ(Q9)は、MOSFETである、請求項1記載の回路装置。
- 前記別のトランジスタ(Q9)は、nチャネル型MOSFETである、請求項1記載の回路装置。
- 前記電子構成素子の制御入力側は、プルダウン抵抗(R1)を介して第2の基準電位に結合されている、請求項1記載の回路装置。
- 前記マイクロプロセッサ(MP)の出力側(A1)からの出力信号(V6)の電圧振幅は最大6Vである、請求項1から6いずれか1項記載の回路装置。
- 前記第1のバイポーラトランジスタ(Q5)はnpn型である、請求項1から7いずれか1項記載の回路装置。
- 前記第2のバイポーラトランジスタ(Q7)はpnp型である、請求項1から8いずれか1項記載の回路装置。
- 前記電子構成素子は、実質的に電圧制御された電子構成素子である、請求項1から9いずれか1項記載の回路装置。
- 前記電子構成素子はMOSFET、IGBTまたはESBTである、請求項1から10いずれか1項記載の回路装置。
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