JP2009542179A - 電力消費装置を制御するための回路配置および方法 - Google Patents

電力消費装置を制御するための回路配置および方法 Download PDF

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Abstract

本発明は、電力消費装置(M)を制御するための回路配置に関し、該回路配置には4個の電子スイッチ(V1、V2、V3、V4)とブリッジ回路の横方向脚部に配置された電力消費装置(M)とを備えるブリッジ回路と、上記4個の電子スイッチ用の制御端子を備える制御回路(uC)とが設けられている。第1の電子スイッチ(V1)用の制御端子が第1のコンデンサ(C1)と第1の抵抗器(R1)とから構成される直列接続を介して第4の電子スイッチ(V4)用の上記制御端子に接続され、そして第3の電子スイッチ(V3)用の上記制御端子が第2のコンデンサ(C2)と第2の抵抗器(R2)とから構成される直列接続を介して第2の電子スイッチ(V2)用の上記制御端子に接続される。また、本発明は入力(「高インピーダンス」)として、または出力(「低」または「高」)として切り替えられてもよい(「3値状態(トライステート)」)電子スイッチを制御するための制御端子を備える制御回路(uC)を用いて電子スイッチを切り替えるための方法にも関する。電子スイッチ(V1、V2、V3、V4)を導電状態から非導電状態に、および/またはその逆に(非導電状態から導電状態に)切り替えるステップは2つの工程、すなわち制御端子が「低」から「高インピーダンス」を介して「高」に切り替える、または「高」から「高インピーダンス」を介して、「低」に切り替える、工程で実行される。
【選択図】 図1

Description

発明の内容
本発明は、例えば、制御回路によって制御される電子スイッチであって電池式小型電子デバイスの電気モータを動作させるためのブリッジ回路に存在する電子スイッチによって、電力消費装置を制御するための回路配置と方法とに関する。
このような回路配置は、例えば、DE 10 2005 059 571に記載されている。DE 102 46 520 A1もまた、ブリッジ回路を用いて電池式小型電子デバイスの振動電気モータを制御するための回路配置と方法とについて記載している。もし、小型電子デバイスが例えば、リチウムイオン電池で動作する場合、もし、ブリッジ回路の電子スイッチが「低」レベルまたは「高」レベルいずれかを有する制御回路によって制御される場合、電子スイッチを切り替える際に電源電圧は、他の電池と比較して、電流変化が存在するときに、対応して高い逆電圧を誘導する高い寄生インダクタンスをリチウムイオン電池が有するので、大幅に低下するか、あるいは2倍以上に上昇してもよい。
本発明の目的は、高い寄生インダクタンスを有する電圧源による動作のために特に設計された電力消費装置を制御するための回路配置と方法とを提供することである。
この目的は、少なくとも1つの電子回路と、時間の経過に伴う電流の変化が比較的小さいように、非導電状態から導電状態に、あるいはその逆に電子スイッチを切り替える1つの制御回路と、を備える回路配置によって本発明にしたがって達成される。この方法で、電源に使用されるリチウムイオン電池の比較的高い寄生インダクタンスは過剰に高い逆電圧を発生する可能性がないので、例えば、制御回路として使用されるマイクロコントローラは電池によって電流を直接供給されてもよく、すなわち、電池電圧を平滑にするためのコンデンサを持つことは必要でない。この回路配置は好適には、駆動装置として振動電気モータまたはリニアモータを有し、またリチウムイオン電池で動作する電気歯ブラシまたは電気かみそりのために意図されており;これは回路技術に関する低い複雑さを特徴としている。
しかしながら、時間の経過に伴う電流の大きな変化は、電源に使用されるリチウムイオン電池の比較的高い寄生インダクタンスのためばかりでなく、当然ながら無論のこと回路配置によって制御される電力消費装置のインダクタンスのために好ましくない高い逆電圧を引き起こす可能性がある。もし、電力消費装置が誘導負荷であれば、本発明の方法は少なくともこの消費装置を流れる電流の非活性化に使用される。
電力消費装置を制御するための本発明の方法では制御回路は、導電状態から非導電状態に、および/またはその逆に電子スイッチ(単数または複数)を少なくとも2つの工程で切り替える。例えば、制御回路の制御端子における、および/または電子スイッチの制御端子におけるレベルは、「開放(オープン)」を介して「低(ロー)」から「高(ハイ)」および/または「高」から「低」に切り替えられる。本発明の方法は好適には、制御回路の制御端子が入力(「高インピーダンス」)として、または出力(「低」または[高])として切り替えられ得ること(「3値状態(トライステート)」)と、導電状態から非導電状態に、および/またはその逆に電子スイッチを切り替えるために電子スイッチの制御端子が「高インピーダンス」を介して「低」から「高」に、および/または「高インピーダンス」を介して「高」から「低」に切り替えられることとによってCMOS技術の制御回路において実現され得る。制御回路は好適には、電子スイッチがこの電子スイッチの状態(「導電状態」または「非導電状態」)を変えた後にのみ第2の工程、すなわち「高インピーダンス」から「高」または「低」に切り替えるステップを実行する。
制御回路がブリッジ回路内の4個の電子スイッチを用いて電力消費装置を制御し、また、この消費装置がブリッジ回路の横方向ブランチ(横枝)に配置される本発明の回路では、制御回路は4個の電子スイッチのための制御端子を有する。本発明によれば、第1の電子スイッチ用の制御端子は第1のコンデンサと第1の抵抗器との直列接続を介して第4の電子スイッチ用の制御端子に接続され、第3の電子スイッチ用の制御端子は第2のコンデンサと第2の抵抗器との直列接続を介して第2の電子スイッチ用の制御端子に接続される。第1、第4の電子スイッチは電力消費装置の一端に接続され、第2、第3の電子スイッチはこの電力消費装置の他端に接続される。
本発明は、唯一の図面に示された電力消費装置を制御するための本発明の回路配置に関する典型的な実施形態に基づいて以下詳細に説明する。この説明では更なる実施形態についても記載する。
図に示された本発明の回路配置は、寄生インダクタンスLを有する電池Aを有する。更に4個のトランジスタV1、V2、V3、V4を有するブリッジ回路が設けられており、電気モータまたは他の電力消費装置がこのブリッジ回路の横方向ブランチに配置されている。4個のトランジスタV1、V2、V3、V4は、MOS−FETの各々が公知の方法で保護ダイオードを有するMOS−FETである。これらのトランジスタは、4個の制御端子を有する制御回路uCによって制御されることが可能であり、これらの制御端子の各々は状態「高インピーダンス」(入力)または「低」または「高」(出力)(「3値状態(トライステート)」)を想定してもよい。制御回路uCは、電池Aから電流を直接供給される。第1のトランジスタV1と第3のトランジスタV3は、これらのトランジスタのソース端子が電池Aの負極に接続されたnチャネルMOS−FETである。第2のトランジスタV2と第4のトランジスタV4は、これらのトランジスタのソース端子が電池Aの正極に接続されたpチャネルMOS−FETである。第1のMOS−FET V1と第4のMOS−FET V4のドレイン端子はモータMの一端に接続され、第2のMOS−FET V2と第3のMOS−FET V3のドレイン端子はモータMの他端に接続される。4個のトランジスタV1、V2、V3、V4のゲート端子は各々、ゲート抵抗器Rgを通して制御回路uCの4個の制御端子の1つに接続される。ゲート抵抗器Rgは、トランジスタが制御されるときに制御ユニットに流入する全電流を制限するように機能する。もし、制御回路がより大きな電流用に設計されている場合、これらの抵抗器は省略されてもよい。各トランジスタのソース端子は各々、プルアップ/プルダウン抵抗器Rpとそれぞれのゲート抵抗器Rgとを介してそれぞれのトランジスタのゲート端子に接続される。第1のトランジスタV1用の制御端子は、第1の抵抗器R1と第1のコンデンサC1との直列接続を介して第4のトランジスタ用の制御端子に接続される。第3のトランジスタV3用の制御端子は、第2の抵抗器R2と第2のコンデンサC2との直列接続を介して第2のトランジスタ用の制御端子に接続される。
図に示された回路配置の機能は以下に記載する。最初に考えられる開始状態で回路配置は、「低い」電位が第4のトランジスタV4用と第1のトランジスタV1用の制御端子に広がっていて、「高い」電位が第2のトランジスタV2用と第3のトランジスタV3用の制御端子に広がっている状態に在る。したがって、第4のトランジスタV4と第3のトランジスタV3はここを通して切り替えられるのに対して、第1のトランジスタV1と第2のトランジスタV2は遮断されるので、電流は電池Aから第4のトランジスタV4と第3のトランジスタV3とを通ってモータMに流れる。次に、この回路配置は、電流が反対方向に、すなわち電池Aから第2のトランジスタV2と第1のトランジスタV1とを通ってモータMに流れる状態に切り替えられる。この切り替えは、すなわちこの時の電流の非活性化と反対方向の電流の活性化は以下に記載する。
上記の開始状態では第4のトランジスタV4と第1のトランジスタV1の制御端子には「低い」電位が広がっているので、第1のコンデンサが放電する。このときに流れる電流の切断は、時点T1において「低」から「高インピーダンス」に第4のトランジスタV4用の制御端子を制御回路uCが切り替えることから始まるので、第4のトランジスタV4のゲートにおける電圧はRp/R1比によって決定される電圧にジャンプする。したがって、このときコンデンサC1には電圧が印加されて、コンデンサC1を充電する。同時に、第4のトランジスタV4のMillerキャパシタンス(寄生ゲートドレインキャパシタンス)は放電する。コンデンサC1の充電は、第4のトランジスタV4のゲートの更なる電圧上昇を、したがって、第4のトランジスタV4のMillerキャパシタンスの更なる放電を発生させる。もし、ゲートソース電圧が時点T2>T1においてドレインソース電圧とほぼ同じ値に到達した場合、第4のトランジスタV4はこのトランジスタの非活性化状態に切り替わり、Millerキャパシタンスは比較的低い値に降下する。そのとき第4のトランジスタV4のゲートの電圧は更に上昇するが、この電圧変化の時定数は第4のトランジスタV4のMillerキャパシタンスによって決定されることはほとんどなく、その代わりに、主として第1のコンデンサC1のキャパシタンスとトータルRp+R1とによって決定される。時点T3>T2において制御回路uCは第4のトランジスタV4用の制御端子を「高インピーダンス」から「高」に切り替えるので、第4のトランジスタV4の非活性化は終了する。第1のコンデンサC1と抵抗器Rp、Rgとの適当なサイズ決めと、T1および/またはT2に関する切り替え時点T3の適当な選択とによって、結果は第4のトランジスタV4のソフトな切断となるので、時間経過に伴う電流の変化は電池電圧がこの切断によって影響されることがほとんどないほど小さい。
第3のトランジスタV3の非活性化は、第4のトランジスタV4の非活性化と平行した時点で行われてもよい。しかしながら、第3のトランジスタV3は好適には、電流がほとんど、あるいはまったく流れていないときにのみ、すなわち第4のトランジスタV4の切断からある時間遅れをもって、非活性化される。第3のトランジスタV3は、第4のトランジスタV4に基づいて上記で説明された方法と同じ方法によって非活性化されてもよい。しかしながら、もし電流が第3のトランジスタV3をほとんど、またはまったく流れていなければ、このトランジスタはまた、制御回路uCが言及し得るほどの如何なる寄生電圧も誘導せずに、それぞれの制御端子を「高」から「低」に直接切り替えるという点で「ハードな」方法で非活性化されてもよい。第2のコンデンサC2は第3のトランジスタV3の非活性化によって充電される。
しかしながら、もし第4のトランジスタV4がオフにされた後に、第1のトランジスタV1がオンになって、第3のトランジスタV3が最初に活性化されたままであれば、すなわちDE 102 46 520 A1に記載されているように、モータMが第1のトランジスタV1と第3のトランジスタV3とを通して短絡する場合、これは特に有利である。モータMのインダクタンスにより第4のトランジスタV4が非活性化された後でも、まだモータMを流れている短絡電流は、消費されて第1のトランジスタV1と第2のトランジスタV2の保護ダイオードを通して電池に流れ戻ることができない。この方法で回路配置の効率は改善され、これが、電池の寄生インダクタンスが寄生電圧を誘導するのを防止する。実際に電流がモータMを流れていないときにのみ、第3のトランジスタV3はオフにされる。次に第2のトランジスタV2は、「高」から「低」にそれぞれの制御端子を直接切り替える制御回路uCによって活性化されてもよいので、電流はモータのインダクタンスにより時間経過に伴う第2のトランジスタV2の活性化時の電流変化が十分低くなるように、第1のトランジスタV1と第2のトランジスタV2とを通って反対方向にモータMを通って流れることができる。電流が反対方向にモータMを通って流れることを可能にするために第3のトランジスタV3と第4のトランジスタV4の非活性化の後にのみ第1のトランジスタV1と第2のトランジスタV2とが活性化される場合には、好適には第1のトランジスタV1が最初に活性化されて、次に、第2のトランジスタV2が活性化される;第1のトランジスタV1はまた、制御回路uCが言及し得るほどの如何なる寄生電圧も誘導せずにそれぞれの制御端子を「低」から「高」に直接切り替えるという点で「ハードな」方法で活性化されてもよい。第1のトランジスタV1の活性化によって第1のコンデンサC1は放電する。次に、第2のトランジスタV2が活性化されるが、これはまた電力消費装置が誘導負荷を示すときに「ハードな」方法で達成されてもよい。モータMと第2のトランジスタV2と第1のトランジスタV1とを通って流れる電流の非活性化は、第4のトランジスタV4と第3のトランジスタV3とを通って流れる電流の非活性化に基づいて上記のように行われる。
こうして、電子スイッチの非活性化と任意選択的活性化は、次の方法にしたがって行われる:第1の工程で制御回路はこの制御回路の制御端子を切り替え、「低」から「高インピーダンス」に電子スイッチを制御するために入力(「高インピーダンス」)として、または出力(「低」または「高」)として切り替えられること(3値状態(トライステート))が可能であり、また第2の工程においてのみ制御回路は「高い」に切り替える、および/または制御回路は、第1の工程で「高い」から「高いインピーダンス」に切り替え、次に第2の工程のみにより「低い」に切り替える。第1の工程と第2の工程との間の時間間隔は、少なくとも1つの抵抗器と1つのコンデンサとを含む、電子回路の配線の適当なサイズ決めによって電子回路のMillerキャパシタンスに合うように調整され、そして好適には一定の値に設定され、それによってこの配線は、上記のブリッジ回路の場合に抵抗器Rp、Rg、R1、R2と第1のコンデンサC1と第2のコンデンサC2とによって形成される。
V1…第1のトランジスタ、V2…第2のトランジスタ、V3…第3のトランジスタ、V4…第4のトランジスタ、A…電池、M…モータ、Rg…ゲート抵抗器、Rp…プルアップ/プルダウン抵抗器、C1…第1のコンデンサ、C2…第2のコンデンサ、uC…制御回路

Claims (12)

  1. ブリッジ回路の横方向ブランチに配置された電力消費装置(M)と共に4個の電子スイッチ(V1、V2、V3、V4)を有するブリッジ回路と、前記4個の電子スイッチ用の制御端子を有する制御回路(uC)と、を用いて前記電力消費装置を制御するための回路配置であって、
    前記第1の電子スイッチ(V1)用の前記制御端子が第1のコンデンサ(C1)と第1の抵抗器(R1)との直列接続を介して前記第4の電子スイッチ(V4)用の前記制御端子に接続され、そして前記第3の電子スイッチ(V3)用の前記制御端子が第2のコンデンサ(C2)と第2の抵抗器(R2)との直列接続を介して前記第2の電子スイッチ(V2)用の前記制御端子に接続されることを特徴とする回路配置。
  2. 前記電子スイッチ(V1、V2、V3、V4)がトランジスタを、好適にはMOS電力トランジスタを備えることを特徴とする、請求項1に記載の回路配置。
  3. 前記制御回路(uC)がマイクロコントローラを、好適にはCMOS技術のマイクロコントローラを備えることを特徴とする、請求項1または2に記載の回路配置。
  4. 前記制御回路(uC)の前記制御端子が入力(「高インピーダンス」)として、または出力(「低」または「高」)として切り替えられ得ること(「3値状態(トライステート)」)を特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の回路配置。
  5. 前記制御回路(uC)の各制御端子がゲート抵抗器(Rg)を通して前記それぞれの電子回路の前記制御端子に接続されることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の回路配置。
  6. 前記制御回路(uC)の各制御端子がプルアップおよび/またはプルダウン抵抗器(Rp)を通して前記それぞれの電子回路のソース端子に接続されることを特徴とする、請求項2〜5のいずれか一項に記載の回路配置。
  7. 請求項1〜6のいずれか一項に記載の回路配置を有する小型電子デバイス。
  8. 入力(「高インピーダンス」)として、または出力(「低」または「高」)として切り替えられてもよい(「3値状態(トライステート)」)電子スイッチを制御するための制御端子を有する制御回路を用いて前記電子スイッチを切り替えるための方法であって、
    前記電子スイッチ(V1、V2、V3、V4)を導電状態から非導電状態に、および/またはその逆に(非導電状態から導電状態に)切り替えるための前記制御回路が2つの工程を順次に実行する、すなわち前記制御回路(uC)の前記それぞれの制御端子が最初に「低」から「高インピーダンス」に、次に「高」に切り替える、および/または最初に「高」から「高インピーダンス」に、次に「低」に切り替えることを特徴とする方法。
  9. 前記制御回路が、前記電子スイッチ(V1、V2、V3、V4)がこの電子スイッチの状態(「導電状態」または「非導電状態」)を変えた後にのみ第2の工程、すなわち高インピーダンスから「高」または「低」に切り替えるステップを実行することを特徴とする、請求項8に記載の方法。
  10. 前記第1の工程と前記第2の工程との間の時間間隔が、少なくとも1つの抵抗器(R1;R2;R3)とコンデンサ(C1;C2)とを有する、前記電子スイッチ(V1、V2、V3、V4)の回路の適当なサイズ決めを介して前記電子スイッチ(V1、V2、V3、V4)のMillerキャパシタンスに合うように調整されることを特徴とする、請求項8または9に記載の方法。
  11. ブリッジ回路を形成する数個の電子スイッチ(V1、V2、V3、V4)が切り替えられることを特徴とする、請求項8〜10のいずれか一項に記載の方法。
  12. 請求項8〜11のいずれか一項に記載の方法によって切り替えられる少なくとも1つの電子回路(V1、V2、V3、V4)を有する小型電子デバイス。
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