TWI492536B - 開關裝置 - Google Patents

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TWI492536B
TWI492536B TW098138505A TW98138505A TWI492536B TW I492536 B TWI492536 B TW I492536B TW 098138505 A TW098138505 A TW 098138505A TW 98138505 A TW98138505 A TW 98138505A TW I492536 B TWI492536 B TW I492536B
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Inventor
Itaru Yamanobe
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Advantest Corp
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/16Modifications for eliminating interference voltages or currents
    • H03K17/161Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
    • H03K17/162Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/163Soft switching
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K2217/00Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
    • H03K2217/0081Power supply means, e.g. to the switch driver

Description

開關裝置
本發明是關於一種開關裝置(switch device)。
先前,已知有場效電晶體(FET,field effect transistor)等的電壓控制型的開關。此種開關在接通(turn on)以及斷開(turn off)時需要預定的開關時間(switching time)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第3941309號說明書
此處,在對元件進行測試的測試裝置的領域中,有時會對此種開關的開關時間進行控制。但是,能夠對此種開關的開關時間進行控制的驅動電路的構成是複雜的。
例如,在專利文獻1中記載著對絕緣閘極雙極性電晶體(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)的開關時間進行控制的驅動電路。然而,在專利文獻1所記載的驅動電路中,必需在檢測出集極電壓(collector voltage)等達到預定的電壓後使驅動電壓上升,構成上是複雜的。
因此,本發明之一態樣的目的在於提供一種能夠解決上述問題的開關裝置。該目的可藉由申請專利範圍中獨立項所記載的特徵的組合而達成。又,附屬項規定本發明的更為有利的具體例。
根據本發明的第1態樣,提供一種開關裝置,該開關裝置是對兩個端子間的連接狀態進行切換,並且包括:開關,根據所供給的控制電壓來對上述兩個端子間的連接狀態進行切換;第1電源部,產生第1電壓值的電源電壓;第2電源部,產生第2電壓值的電源電壓;以及驅動部,與接收到將上述開關自第1狀態切換為第2狀態的切換指示相應地,藉由上述第1電源部所產生的電力而使上述控制電壓變化為上述第1電壓值為止之後,藉由上述第2電源部所產生的電力,以較至上述第1電壓值為止的時間變化率更低的時間變化率,在相同方向上使上述控制電壓進而自上述第1電壓值變化為第2電壓值為止。
再者,上述發明的概要並未列舉本發明的所有必要特徵,該些特徵群的次組合(sub-combination)亦又可成為發明。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
以下,透過發明的實施形態來對本發明的(一)態樣進行說明,以下的實施形態並非用以限定申請專利範圍所涉及的發明,且實施形態中所說明的特徵的組合的全部未必是發明的解決手段所必需的。
圖1表示本實施形態的開關裝置20的構成。開關裝置20是對兩個端子間的連接狀態進行切換。更具體而言,開關裝置20是使第1端子12與第2端子14之間形成開路(open)或短路(short)。開關裝置20包括FET(場效電晶體)22、第1電源部24、第2電源部26、驅動部28以及變更部30。
FET22根據所供給的控制電壓來對兩個端子間(第1端子12與第2端子14之間)的連接狀態進行切換。更具體而言,FET22根據所供給的控制電壓來使兩個端子間形成開路或短路。
再者,將使兩個端子間成為開路或短路中的任一方的狀態的FET22的開關狀態稱作第1狀態,並將FET22的與第1狀態不同的開關狀態稱作第2狀態。FET22在被供給第3電壓值(V3 )的控制電壓的情形時成為第1狀態,而在被供給第2電壓值(V2 )的控制電壓的情形時成為第2狀態。
在本實施形態中,FET22是汲極連接於第1端子12,源極連接於第2端子14。並且,FET22是在作為控制端的閘極、與源極間被供給控制電壓。所述FET22根據供給至閘極與源極之間的控制電壓,來使第1端子12與第2端子14之間形成開路或短路。
再者,開關裝置20若為根據所供給的控制電壓來對第1端子12與第2端子14之間的連接狀態進行切換的開關,則亦可包含其他類型的開關來代替FET22。作為一例,開關裝置20亦可為包括IGBT等來代替FET22的構成。
第1電源部24是產生第1電壓值(V1 )的電源電壓。作為一例,第1電源部24自第1輸出端子(圖1中的正側端子)產生第1電壓值(V1 )的電源電壓。又,作為一例,第1電源部24自第2輸出端子(圖1中的負側端子)產生第3電壓值(V3 )的電源電壓。再者,第1電壓值(V1 )既可為較第3電壓值(V3 )更低的電壓值,亦可為較第3電壓值(V3 )更高的電壓值。
又,在本實施形態中,第1電源部24可自外部變更第1電壓值(V1 )。作為一例,第1電源部24自外部供給表示應產生的第1電壓值(V1 )的資料,產生與所提供的資料相對應的值的電源電壓。
第2電源部26是產生第2電壓值(V2 )的電源電壓。作為一例,第2電源部26自第1輸出端子(圖1中的正側端子)產生第2電壓值(V2 )的電源電壓。又,作為一例,第2電源部26自第2輸出端子(圖1中的負側端子)產生第3電壓值(V3 )的電源電壓。即,第2電源部26的第2輸出端子產生與第1電源部24的第2輸出端子相同的電壓。
再者,第2電壓值(V2 )在以第3電壓值(V3 )為基準的情形時(例如設為0伏的情形時)是與第1電壓值(V1 )的極性相同的電壓值,且與第3電壓值(V3 )的電位差的絕對值大於等於第1電壓值(V1 )。即,第1電壓值(V1 )、第2電壓值(V2 )以及第3電壓值(V3 )的關係為V2 ≧V1 ≧V3 或V2 ≦V1 ≦V3 (其中,V2 ≠V3 )。又,當驅動部28是在將第2電壓值(V2 )的控制電壓供給至FET22時,使藉由第2電源部26所產生的電源電壓進行電壓下降後供給至FET22的電路的情形時,該第2電源部26產生將第2電壓值(V2 )與該下降電壓加以相加而得的電壓值。
驅動部28接收了表示將FET22切換為第1狀態或第2狀態的切換指示的控制信號。驅動部28在接受到使FET22成為第1狀態的控制信號的情形時,對FET22供給第3電壓值(V3 )的控制電壓。又,驅動部28在接收到使FET22成為第2狀態的控制信號的情形時,對FET22供給第2電壓值(V2 )的控制電壓。
此處,驅動部28是與接收到將FET22自第1狀態切換為第2狀態的切換指示相應地,使控制電壓以如下方式發生變化。即,此時,驅動部28藉由第1電源部24所產生的電力而使控制電壓自第3電壓值(V3 )變化為第1電壓值(V1 )為止之後,藉由第2電源部26所產生的電力,而在與至第1電壓值(V1 )為止的變化相同的方向上,使控制電壓進而自第1電壓值(V1 )變化為第2電壓值(V2 )為止。另外,此時,驅動部28以較自第3電壓值(V3 )至第1電壓值(V1 )為止的時間變化率更低的時間變化率,使控制電壓自第1電壓值(V1 )變化為第2電壓值(V2 )為止。
作為一例,驅動部28包括第1電晶體32、第2電晶體34、輸入開關36、二極體(diode)38以及電阻40。第1電晶體32是集極(collector)連接於第1電源部24的第1輸出端子,射極(emitter)連接於FET22的閘極。並且,第1電晶體32在基極(base)上連接著第2電源部26的第1輸出端子的情形時為接通,在基極上連接著第2電源部26的第2輸出端子的情形時為斷開。
第2電晶體34中集極連接於第1電源部24以及第2電源部26的第2輸出端子,射極連接於FET22的閘極。第2電晶體34在基極上連接著第2電源部26的第1輸出端子的情形時為斷開,在基極上連接著第2電源部26的第2輸出端子的情形時為接通。
輸入開關36接收控制信號。輸入開關36在被供給使FET22成為第1狀態的切換指示的控制信號時,將第2電源部26的第2輸出端子連接於第1電晶體32以及第2電晶體34的基極。又,輸入開關36在被供給使FET22成為第2狀態的切換指示的控制信號時,將第2電源部26的第1輸出端子連接於第1電晶體32以及第2電晶體34的基極。
二極體38設置在第1電源部24的第1輸出端子與第1電晶體32的集極之間。二極體38阻止在FET22的閘極電壓超過第1電壓值(V1 )的情形時的朝向第1電源部24的逆流電流。即,二極體38是作為對自第2電源部26的第1輸出端子向第1電源部24的第1輸出端子的逆流電流進行阻止的電流阻止部而發揮作用。
電阻40設置在第2電源部26的第1輸出端子與第1電晶體32的基極之間。電阻40在將自第2電源部26的第1輸出端子所產生的電源電壓施加至FET22的閘極的情形時,作為設置在第2電源部26的第1輸出端子與FET22的控制端之間的電阻而發揮作用。所述電阻40可使第2電源部26的輸出電阻大於第1電源部24的輸出電阻。再者,若第2電源部26的內部的輸出電阻大於第1電源部24的輸出電阻,則驅動部28亦可為不具有電阻40的構成。
所述驅動部28在接收到表示使FET22成為第1狀態的指示的控制信號的情形時,由於第1電晶體32為斷開且第2電晶體34為接通,故而可將作為FET22的控制端的閘極與第1電源部24以及第2電源部26的第2輸出端子加以連接。因此,此時,驅動部28可將第3電壓值(V3 )的控制電壓供給至FET22的閘極,而使FET22成為第1狀態。
又,所述驅動部28在接收到表示使FET22成為第2狀態的指示的控制信號的情形時,由於第1電晶體32為接通且第2電晶體34為斷開,故而可將作為FET22的控制端的閘極與產生第2電壓值(V2 )的第2電源部26的第1輸出端子加以連接。因此,此時,驅動部28可將第2電壓值(V2 )的控制電壓供給至FET22的閘極,而使FET22成為第2狀態。再者,關於與接收到將FET22自第1狀態切換為第2狀態的切換指示相應的驅動部28的動作的詳細情況,將於圖2以及圖3中進行說明。
變更部30是由使用者(user)等來指定開關時間。變更部30根據所指定的開關時間,對第1電源部24所產生的電源電壓的值(第1電壓值(V1 ))進行變更。作為一例,變更部30根據所指定的開關時間,在第3電壓值(V3 )至第2電壓值(V2 )的範圍內對第1電源部24所產生的第1電壓值(V1 )的電源電壓進行變更。再者,變更部30亦可對控制電壓的自第3電壓值(V3 )至第1電壓值(V1 )為止的時間變化率、或者控制電壓的自第1電壓值(V1 )至第2電壓值(V2 )為止的時間變化率進行變更,來代替對第1電源部24所產生的第1電壓值(V1 )進行變更。
圖2表示第1電晶體32為接通以及第2電晶體34為斷開、且FET22的閘極電壓Vgs為第3電壓值(V3 )至第1電壓值(V1 )的範圍的情形時的驅動部28的等效電路(equivalent circuit)。驅動部28在接收到使FET22成為第1狀態的指示的控制信號的情形時,形成為使第1電晶體32為斷開且使第2電晶體34為接通的狀態,將第3電壓值(V3 )的控制電壓施加至FET22的閘極。並且,驅動部28在接收到將FET22自第1狀態切換為第2狀態的切換指示的情形時,自使第1電晶體32為斷開且使第2電晶體34為接通的狀態,變化為使第1電晶體32為接通且使第2電晶體34為斷開的狀態。
此處,在第1電晶體32剛變化為接通以及第2電晶體34剛變化為斷開後,在FET22的閘極電容50中並未蓄積電荷,故而閘極電壓Vgs為第3電壓值(V3 )。又,在閘極電壓Vgs為第3電壓值(V3 )至第1電壓值(V1 )的範圍內,二極體38為接通,第1電源部24的第1輸出端子與FET22的閘極端子之間形成連接。又,第1電源部24的輸出電阻低於第2電源部26的輸出電阻。藉此,在FET22的閘極電壓Vgs低於第1電壓值(V1 )、且第1電源部24以及第2電源部26均連接於FET22的閘極的情形時,主要將第1電源部24的電源電流供給至閘極電容50,而第2電源部26的電源電流幾乎不供給至閘極電容50。
因此,在接收到將FET22自第1狀態切換為第2狀態的切換指示的情形時,在閘極電壓Vgs為第3電壓值(V3 )至第1電壓值(V1 )的範圍內,驅動部28將第1電源部24所輸出的電源電流經由二極體38而供給至閘極電容50,而幾乎不將第2電源部26所輸出的電源電流供給至閘極電容50。即,驅動部28將第1電源部24所產生的電源電壓作為控制電壓(閘極電壓Vgs)而施加至FET22。藉此,驅動部28可與接收到將FET22自第1狀態切換為第2狀態的切換指示相應地,藉由第1電源部24所產生的電力而使控制電壓自第3電壓值(V3 )變化至第1電壓值(V1 )為止。
圖3表示第1電晶體32為接通以及第2電晶體34為斷開、且FET22的閘極電壓Vgs為第1電壓值(V1 )至第2電壓值(V2 )的範圍的情形時的驅動部28的等效電路。繼而,在FET22的閘極電容50中蓄積電荷,當FET22的閘極電壓Vgs達到第1電壓值(V1 )時,二極體38為斷開,第1電源部24的第1輸出端子與FET22的閘極端子之間形成開路。
因此,在接收到將FET22自第1狀態切換為第2狀態的切換指示的情形時,在閘極電壓Vgs為第1電壓值(V1 )至第2電壓值(V2 )的範圍內,驅動部28將第2電源部26所輸出的電源電流,經由第1電晶體32的基極與射極間的二極體構件(diode component)52而供給至閘極電容50。即,藉由第2電源部26所產生的電源電壓作為控制電壓(閘極電壓Vgs)而供給至FET22。藉此,驅動部28可與接收到將FET22自第1狀態切換為第2狀態的切換指示相應地,藉由第2電源部26所產生的電力,而在與自第3電壓值(V3 )至第1電壓值(V1 )為止的變化相同的方向上,使FET22的閘極電壓Vgs(控制電壓)進而自第1電壓值(V1 )變化為第2電壓值(V2 )為止。
另外,第2電源部26的輸出電阻高於第1電源部24的輸出電阻。因此,驅動部28使閘極電壓Vgs為第1電壓值(V1 )至第2電壓值(V2 )的範圍內的供給至閘極電容50的供給電流,小於閘極電壓Vgs為第3電壓值(V3 )至第1電壓值(V1 )的範圍內的供給至閘極電容50的供給電流。藉此,驅動部28可使FET22的閘極電壓Vgs(控制電壓)的自第1電壓值(V1 )至第2電壓值(V2 )為止的時間變化率,低於自第3電壓值(V3 )至第1電壓值(V1 )為止的時間變化率。
繼而,在FET22的閘極電容50中進一步蓄積電荷,當FET22的閘極電壓Vgs達到第2電壓值(V2 )時,停止向FET22的閘極電容50蓄積電荷。藉此,驅動部28可將第2電壓值(V2 )的控制電壓施加至FET22的閘極。
圖4表示已改變第1電壓值(V1 )的情形時的FET22的閘極電壓Vgs(控制電壓)的時間變化的一示例。圖5表示已改變第1電壓值(V1 )的情形時的FET22的汲極一源極間電壓Vds的時間變化的一示例。
再者,在圖4以及圖5中,A表示將第1電壓值(V1 )設定為更接近於第2電壓值(V2 )的值的示例。另一方面,B表示將第1電壓值(V1 )與A的情況相比設定為遠離第2電壓值(V2 )的值的示例。
變更部30可在第3電壓值(V3 )至第2電壓值(V2 )的範圍內對第1電源部24所產生的第1電壓值(V1 )的電源電壓進行變更。此處,在將第1電壓值(V1 )設定為更接近於第2電壓值(V2 )的值的情形時,使用由電流供給能力高的第1電源部24所產生的電源電壓來使控制電壓發生變化的比例增大。因此,在將第1電壓值(V1 )設定為更接近於第2電壓值(V2 )的值的情形時,FET22的開關時間變短。即,越是將第1電壓值(V1 )設定為更接近於第2電壓值(V2 )的值,FET22的開關時間越短。
因此,變更部30在縮短開關時間的情形時,是以使第1電壓值(V1 )為更接近於第2電壓值(V2 )的值的方式而變更。又,變更部30在延長開關時間的情形時,是以使第1電壓值為更遠離第2電壓值(V2 )的值的方式而變更。藉此,變更部30可根據所指定的開關時間,來調整使FET22自第1狀態變化為第2狀態的情形時的開關時間。
圖6表示第1電壓值(V1 )與第2電壓值(V2 )相一致的情形時的FET22的閘極電壓Vgs(控制電壓)的時間變化的一示例。圖7表示第1電壓值(V1 )與第3電壓值(V3 )相一致的情形時的FET22的閘極電壓Vgs(控制電壓)的時間變化的一示例。
又,變更部30亦可使第1電源部24所產生的第1電壓值(V1 )的電源電壓與第2電壓值(V2 )相一致。在第1電壓值(V1 )與第2電壓值(V2 )相一致的情形時,驅動部28可幾乎不使用第2電源部26所產生的電力,而是藉由第1電源部24所產生的電力,來使FET22的閘極電壓Vgs(控制電壓)自第3電壓值(V3 )變化至第2電壓值(V2 )為止。此時,驅動部28可如圖6的t0 所示,使FET22的開關時間最短。
又,變更部30亦可使第1電源部24所產生的第1電壓值(V1 )的電源電壓與第3電壓值(V3 )相一致。在第1電壓值(V1 )與第3電壓值(V3 )相一致的情形時,驅動部28可不使用第1電源部24所產生的電力,而是藉由第2電源部26所產生的電力,來使FET22的閘極電壓Vgs(控制電壓)自第3電壓值(V3 )變化至第2電壓值(V2 )為止。此時,驅動部28可如圖7的t10 所示,使FET22的開關時間最長。
再者,變更部30亦可代替上述者,而對控制電壓的自第3電壓值(V3 )至第1電壓值(V1 )為止的時間變化率進行變更。更具體而言,變更部30在縮短開關時間的情形時,是藉由例如使第1電源部24的輸出電阻變小,而使自第3電壓值(V3 )至第1電壓值(V1 )為止的時間變化率變大。又,變更部30在延長開關時間的情形時,是藉由例如使第1電源部24的輸出電阻變大,而使自第3電壓值(V3 )至第1電壓值(V1 )為止的時間變化率變小。
又,變更部30亦可對控制電壓的自第1電壓值(V1 )變化至第2電壓值(V2 )為止的時間變化率進行變更。作為一例,變更部30在縮短開關時間的情形時,藉由例如使第2電源部26的輸出電阻(例如電阻40)變小,而使自第1電壓值(V1 )至第2電壓值(V2 )為止的時間變化率變大。又,變更部30在延長開關時間的情形時,藉由例如使第2電源部26的輸出電阻變大,而使自第1電壓值(V1 )至第2電壓值(V2 )為止的時間變化率變小。
如上所述,藉由開關裝置20,能夠以簡單的構成來控制開關的開關時間。更詳細而言,藉由開關裝置20,可將使FET22自第1狀態切換為第2狀態的情形時的開關時間控制為所指定的時間。
又,作為變形例,第1電源部24亦可為能夠產生超過第2電壓值(V2 )的第1電壓值(V1 )、即、FET22的閘極電壓的額定範圍內的電源電壓,的可變電壓電源。即,在第2電壓值(V2 )高於第3電壓值(V3 )的情形時,第1電源部24可為能夠產生高於第2電壓值(V2 )、且小於等於閘極電壓的額定值的第1電壓值(V1 )的電源電壓的可變電壓電源。又,在第2電壓值(V2 )低於第3電壓值(V3 )的情形時,第1電源部24可為能夠產生低於第2電壓值(V2 )、且大於等於閘極電壓的額定值的第1電壓值(V1 )的電源電壓的可變電壓電源。
此時,變更部30將第1電壓值(V1 )自第3電壓值(V3 )變更至超過第2電壓值(V2 )的閘極電壓的額定電壓為止。藉此,變更部30可於更寬的範圍內對開關時間進行變更。
以上,利用實施形態對本發明進行了說明,但本發明的技術範圍並不限定於上述實施形態所記載的範圍。本領域的技術人員當明白,可對上述實施形態加以多種變更或改良。根據申請專利範圍的記載可知,上述加以變更或改良後的形態亦可包含在本發明的技術範圍內。
應注意的是,申請專利範圍、說明書以及附圖中所示的裝置、系統、程式以及方法中的動作、順序、步驟以及階段等的各處理的執行順序,只要未特別明示為「較……以前」、「在……之前」等,且並未將先前處理的輸出用於後處理中的情況,則可按任意順序來實現。關於申請專利範圍、說明書以及附圖中的動作流程(flow),即使是為了方便而使用「首先,」、「其次,」等來進行說明,亦並未意味著必需以此順序來實施。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作些許之更動與潤飾,故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
12...第1端子
14...第2端子
20...開關裝置
22...FET
24...第1電源部
26...第2電源部
28...驅動部
30...變更部
32...第1電晶體
34...第2電晶體
36...輸入開關
38...二極體
40...電阻
50...閘極電容
52...基極與發射極間的二極體構件
V1 ...第1電壓值
V2 ...第2電壓值
V3 ...第3電壓值
Vgs...閘極電壓
Vds...汲極-源極間電壓
圖1表示本發明的實施形態的開關裝置20的構成。
圖2表示第1電晶體32為接通以及第2電晶體34為斷開、且FET22的閘極電壓Vgs為第3電壓值(V3 )至第1電壓值(V1 )的範圍的情形時的驅動部28的等效電路。
圖3表示第1電晶體32為接通以及第2電晶體34為斷開、且FET22的閘極電壓Vgs為第1電壓值(V1 )至第2電壓值(V2 )的範圍的情形時的驅動部28的等效電路。
圖4表示已改變第1電壓值(V1 )的情形時的FET22的閘極電壓Vgs(控制電壓)的時間變化的一示例。
圖5表示已改變第1電壓值(V1 )的情形時的FET22的汲極一源極間電壓Vds的時間變化的一示例。
圖6表示第1電壓值(V1 )與第2電壓值(V2 )相一致的情形時的FET22的閘極電壓Vgs(控制電壓)的時間變化的一示例。
圖7表示第1電壓值(V1 )與第3電壓值(V3 )相一致的情形時的FET22的閘極電壓Vgs(控制電壓)的時間變化的一示例。
12...第1端子
14...第2端子
20...開關裝置
22...FET
24...第1電源部
26...第2電源部
28...驅動部
30...變更部
32...第1電晶體
34...第2電晶體
36...輸入開關
38...二極體
40...電阻
V1 ...第1電壓值
V2 ...第2電壓值
V3 ...第3電壓值

Claims (19)

  1. 一種開關裝置,該開關裝置是對兩個端子間的連接狀態進行切換,且包括:開關,根據所供給的控制電壓來對上述兩個端子間的連接狀態進行切換;第1電源部,產生第1電壓值的電源電壓;第2電源部,產生第2電壓值的電源電壓;以及驅動部,與接收到將上述開關自第1狀態切換為第2狀態的切換指示相應地,藉由上述第1電源部所產生的電力而使上述控制電壓變化為上述第1電壓值為止之後,藉由上述第2電源部所產生的電力,以較至上述第1電壓值為止的時間變化率更低的時間變化率,在相同方向上使上述控制電壓進而自上述第1電壓值變化為第2電壓值為止,其中在接收到將上述開關自上述第1狀態切換為上述第2狀態的切換指示的情形時,在上述開關之閘極電壓為上述第1電壓值至上述第2電壓值的範圍內,驅動部將上述第2電源部所輸出的電源電流,經由第1電晶體的基極與射極間的二極體構件而供給至閘極電容,其中上述第1電晶體的集極連接於上述第1電源部的第1輸出端子,射極連接於上述開關的閘極。
  2. 一種開關裝置,該開關裝置是對兩個端子間的連接狀態進行切換,且包括:開關,根據所供給的控制電壓來對上述兩個端子間的 連接狀態進行切換;第1電源部,產生第1電壓值的電源電壓;第2電源部,產生第2電壓值的電源電壓;以及驅動部,與接收到將上述開關自第1狀態切換為第2狀態的切換指示相應地,藉由上述第1電源部所產生的電力而使上述控制電壓變化為上述第1電壓值為止之後,藉由上述第2電源部所產生的電力,以較至上述第1電壓值為止的時間變化率更低的時間變化率,在相同方向上使上述控制電壓進而自上述第1電壓值變化為第2電壓值為止,其中上述第1電源部為產生超過上述第2電壓值的上述第1電壓值,即上述開關的閘極電壓的額定範圍內的電源電壓的可變電壓電源。
  3. 一種開關裝置,該開關裝置是對兩個端子間的連接狀態進行切換,且包括:開關,根據所供給的控制電壓來對上述兩個端子間的連接狀態進行切換;第1電源部,產生第1電壓值的電源電壓;第2電源部,產生第2電壓值的電源電壓;以及驅動部,與接收到將上述開關自第1狀態切換為第2狀態的切換指示相應地,藉由上述第1電源部所產生的電力而使上述控制電壓變化為上述第1電壓值為止之後,藉由上述第2電源部所產生的電力,以較至上述第1電壓值為止的時間變化率更低的時間變化率,在相同方向上使上述控制電 壓進而自上述第1電壓值變化為第2電壓值為止,其中上述第1電源部為產生低於上述第2電壓值、且大於等於上述開關之閘極電壓的額定值的上述第1電壓值的電源電壓的可變電壓電源。
  4. 一種開關裝置,該開關裝置是對兩個端子間的連接狀態進行切換,且包括:開關,根據所供給的控制電壓來對上述兩個端子間的連接狀態進行切換;第1電源部,產生第1電壓值的電源電壓;第2電源部,產生第2電壓值的電源電壓;驅動部,與接收到將上述開關自第1狀態切換為第2狀態的切換指示相應地,藉由上述第1電源部所產生的電力而使上述控制電壓變化為上述第1電壓值為止之後,藉由上述第2電源部所產生的電力,以較至上述第1電壓值為止的時間變化率更低的時間變化率,在相同方向上使上述控制電壓進而自上述第1電壓值變化為第2電壓值為止;以及變更部,該變更部是根據所指定的開關時間,來對上述第1電源部所產生的上述第1電壓值、上述控制電壓的至上述第1電壓值為止的時間變化率、或上述控制電壓的自上述第1電壓值至上述第2電壓值為止的時間變化率進行變更。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之開關裝置,其中變更部是根據所指定的開關時間,調整在上述開關從 上述第1狀態變化到上述第2狀態時的開關時間。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之開關裝置,其中變更部是使上述第1電源部產生的上述第1電壓值與上述第2電壓值一致。
  7. 如申請專利範圍第4項所述之開關裝置,其中上述第1電源部是自第1輸出端子產生上述第1電壓值的電源電壓,並自第2輸出端子產生第3電壓值的電源電壓,上述第2電源部是自第1輸出端子產生上述第2電壓值的電源電壓,並自第2輸出端子產生上述第3電壓值的電源電壓,上述驅動部是在接收到將上述開關切換為第1狀態的切換指示的情形時,將上述開關的控制端與上述第1電源部以及上述第2電源部的各自的第2輸出端子加以連接,且在接收到將上述開關切換為第2狀態的切換指示的情形時,將上述開關的控制端與上述第1電源部以及上述第2電源部的各自的第1輸出端子加以連接。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之開關裝置,其中上述第1電壓值、上述第2電壓值與上述第3電壓值的關係是上述第2電壓值大於等於上述第1電壓值,且上述第1電壓值大於等於上述第3電壓值,或者上述第2電壓值小於等於上述第1電壓值,且上述第1電壓值小於等於上述第3電壓值,但是上述第2電壓值不等於上述第3電壓值。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之開關裝置,其中 上述驅動部使上述開關之閘極電壓為上述第1電壓值至上述第2電壓值的範圍內的供給至閘極電容的供給電流,小於閘極電壓為上述第3電壓值至上述第1電壓值的範圍內的供給至閘極電容的供給電流。
  10. 如申請專利範圍第7項所述之開關裝置,其中上述變更部使上述第1電源部所產生的上述第1電壓值的電源電壓與上述第3電壓值一致。
  11. 如申請專利範圍第7項所述之開關裝置,其中上述驅動部包括電流阻止部,該電流阻止部是阻止自上述第2電源部的第1輸出端子向上述第1電源部的第1輸出端子的逆流電流。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之開關裝置,其中更包括二極體,連接於上述第1電源部的第1輸出端子,在上述開關的閘極電壓為上述第3電壓值至上述第1電壓值的範圍內,上述二極體為接通,上述第1電源部的第1輸出端子與上述開關的閘極端子之間形成連接。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之開關裝置,其中更包括二極體,連接於上述第1電源部的第1輸出端子,在上述開關的閘極電容中蓄積電荷,當上述開關的閘極電壓達到上述第1電壓值時,上述二極體為斷開,上述第1電源部的第1輸出端子與上述開關的閘極端子之間形成開路。
  14. 如申請專利範圍第7項或第11項所述之開關裝置,其中 上述驅動部包括設置在上述第2電源部的第1輸出端子與上述開關的控制端之間的電阻。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之開關裝置,其中上述第1電源部的輸出電阻低於上述第2電源部的輸出電阻。
  16. 如申請專利範圍第7項或第11項所述之開關裝置,其中上述第1電源部可自外部變更上述第1電壓值,上述變更部是根據所指定的開關時間,在上述第3電壓值至上述第2電壓值的範圍內對上述第1電源部所產生的上述第1電壓值的電源電壓進行變更。
  17. 如申請專利範圍第7項或第11項所述之開關裝置,其中上述驅動部包括設置在上述第2電源部的第1輸出端子與上述開關的控制端之間的電阻,上述變更部是根據所指定的開關時間來變更上述電阻的電阻值。
  18. 如申請專利範圍第4項所述之開關裝置,其中上述開關為場效電晶體,上述驅動部是將上述控制電壓供給至上述場效電晶體的閘極。
  19. 一種開關裝置,該開關裝置是對兩個端子間的連接狀態進行切換,且包括:開關,根據所供給的控制電壓來對上述兩個端子間的 連接狀態進行切換;驅動部,與接收到將上述開關自第1狀態切換為第2狀態的切換指示相對應地,藉由產生第1電壓值的電源電壓的第1電源部所產生的電力來使上述控制電壓變化為上述第1電壓值為止之後,藉由產生第2電壓值的電源電壓的第2電源部所產生的電力,以較至上述第1電壓值為止的時間變化率更低的時間變化率,在相同方向上使上述控制電壓進而自上述第1電壓值變化為第2電壓值為止;以及變更部,該變更部是根據所指定的開關時間,來對上述第1電源部所產生的上述第1電壓值、上述控制電壓的至上述第1電壓值為止的時間變化率、或上述控制電壓的自上述第1電壓值至上述第2電壓值為止的時間變化率進行變更。
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