JPH1127855A - 突入電流防止回路 - Google Patents
突入電流防止回路Info
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- JPH1127855A JPH1127855A JP17664897A JP17664897A JPH1127855A JP H1127855 A JPH1127855 A JP H1127855A JP 17664897 A JP17664897 A JP 17664897A JP 17664897 A JP17664897 A JP 17664897A JP H1127855 A JPH1127855 A JP H1127855A
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- Japan
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- fet
- voltage
- load
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 バッテリーと負荷との間に接続したスイッチ
を使用した場合、スイッチの投入時に接点に発生する火
花によってスイッチが劣化したり、バッテリーホルダー
の金属端子部が溶解することがある。 【解決手段】 電源としてバッテリー１３を使用する電
子機器において、入力端子１，２に印加されるバッテリ
ー電圧の印加／非印加に応じて充放電を行う充放電回路
（３，４，６，９）の出力電圧が、ツェナーダイオード
７のツェナー電圧およびＦＥＴ８のゲートスレッシュホ
ールド電圧で決まるスレッシュホールド電圧を越えたと
きに、スイッチ素子であるＦＥＴ５をオンさせ、このＦ
ＥＴ５を通して負荷１１側に電流を供給するようにし、
バッテリー１３を接続したときにチャタリング現象が発
生しても、その発生期間には負荷１１側への電流供給を
行わないようにする。
を使用した場合、スイッチの投入時に接点に発生する火
花によってスイッチが劣化したり、バッテリーホルダー
の金属端子部が溶解することがある。 【解決手段】 電源としてバッテリー１３を使用する電
子機器において、入力端子１，２に印加されるバッテリ
ー電圧の印加／非印加に応じて充放電を行う充放電回路
（３，４，６，９）の出力電圧が、ツェナーダイオード
７のツェナー電圧およびＦＥＴ８のゲートスレッシュホ
ールド電圧で決まるスレッシュホールド電圧を越えたと
きに、スイッチ素子であるＦＥＴ５をオンさせ、このＦ
ＥＴ５を通して負荷１１側に電流を供給するようにし、
バッテリー１３を接続したときにチャタリング現象が発
生しても、その発生期間には負荷１１側への電流供給を
行わないようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、突入電流防止回路
に関し、特に電源としてバッテリーを使用する電子機器
の突入電流防止回路に関するものである。
に関し、特に電源としてバッテリーを使用する電子機器
の突入電流防止回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、電源としてバッテリーを使用する
電子機器では、バッテリー接続時の突入電流を防止する
手段として、バッテリーと機器との間に接続されたスイ
ッチを使用していた。すなわち、図３において、機器の
一方の入力端子２１と負荷２５の一端との間にスイッチ
２３が接続され、２つの入力端子２１，２２間にバッテ
リー２６が接続されるようになっていた。なお、入力端
子２２および負荷２５の他端はグランドに接続され、ま
た負荷２５にはデカップリングコンデンサ２４が並列に
接続されている。
電子機器では、バッテリー接続時の突入電流を防止する
手段として、バッテリーと機器との間に接続されたスイ
ッチを使用していた。すなわち、図３において、機器の
一方の入力端子２１と負荷２５の一端との間にスイッチ
２３が接続され、２つの入力端子２１，２２間にバッテ
リー２６が接続されるようになっていた。なお、入力端
子２２および負荷２５の他端はグランドに接続され、ま
た負荷２５にはデカップリングコンデンサ２４が並列に
接続されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このように、スイッチ
を使用した従来技術には、次のような問題があった。 バッテリーを使用する電子機器でも、扱う電力が１０
Ｗを越えるようになると入力電流が数アンペアの直流に
なり、負荷２５に入っているコンデンサを充電する突入
電流も大きいので、スイッチ２３の投入（閉）時に接点
に発生する火花によってスイッチ２３が劣化しやすくな
る。
を使用した従来技術には、次のような問題があった。 バッテリーを使用する電子機器でも、扱う電力が１０
Ｗを越えるようになると入力電流が数アンペアの直流に
なり、負荷２５に入っているコンデンサを充電する突入
電流も大きいので、スイッチ２３の投入（閉）時に接点
に発生する火花によってスイッチ２３が劣化しやすくな
る。
【０００４】バッテリー２６の交換のときにスイッチ
２３を切り忘れていると、バッテリー２６を接続した瞬
間に大きな電流（主に、負荷２５に入っているコンデン
サを充電する突入電流）が機器側に流れ、これに伴って
発生する火花によってバッテリーホルダーの金属端子部
が溶解することがある。また、火花発生に際して起こる
音も問題となる。
２３を切り忘れていると、バッテリー２６を接続した瞬
間に大きな電流（主に、負荷２５に入っているコンデン
サを充電する突入電流）が機器側に流れ、これに伴って
発生する火花によってバッテリーホルダーの金属端子部
が溶解することがある。また、火花発生に際して起こる
音も問題となる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明による突入電流防
止回路は、電源としてバッテリーを使用する電子機器の
突入電流防止回路であって、バッテリー電圧が印加され
る入力端子と負荷との間に接続された電界効果トランジ
スタ（以下、ＦＥＴと記す）と、入力端子の端子電圧に
応じて充放電を行う充放電回路と、この充放電回路の出
力電圧が所定のスレッシュホールド電圧を越えたときＦ
ＥＴをオンさせる制御回路とを備えた構成となってい
る。
止回路は、電源としてバッテリーを使用する電子機器の
突入電流防止回路であって、バッテリー電圧が印加され
る入力端子と負荷との間に接続された電界効果トランジ
スタ（以下、ＦＥＴと記す）と、入力端子の端子電圧に
応じて充放電を行う充放電回路と、この充放電回路の出
力電圧が所定のスレッシュホールド電圧を越えたときＦ
ＥＴをオンさせる制御回路とを備えた構成となってい
る。
【０００６】上記構成の突入電流防止回路において、充
放電回路は、入力端子にバッテリー電圧が印加されたと
き充電を行い、印加されないとき放電を行う。そして、
この充放電回路の出力電圧が所定のスレッシュホールド
電圧を越えたとき、制御回路はスイッチ素子であるＦＥ
Ｔをオンさせる。これにより、ＦＥＴを通して負荷側に
電流が供給される。
放電回路は、入力端子にバッテリー電圧が印加されたと
き充電を行い、印加されないとき放電を行う。そして、
この充放電回路の出力電圧が所定のスレッシュホールド
電圧を越えたとき、制御回路はスイッチ素子であるＦＥ
Ｔをオンさせる。これにより、ＦＥＴを通して負荷側に
電流が供給される。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を用いて詳細に説明する。図１は、本発明の一実
施形態を示す回路図である。
て図面を用いて詳細に説明する。図１は、本発明の一実
施形態を示す回路図である。
【０００８】図１において、電子機器の入力端子１，２
は、通常は、ネジ式の端子か或いはバッテリーホルダー
と呼称される専用の治具である。一方の入力端子１に
は、抵抗３およびコンデンサ１２の各一端、並びにダイ
オード９のカソードおよびＰチャンネル型ＦＥＴ５のソ
ースがそれぞれ接続されている。他方の入力端子２はグ
ランドに接続されている。そして、これら入力端子１，
２間にバッテリー１３が接続される。
は、通常は、ネジ式の端子か或いはバッテリーホルダー
と呼称される専用の治具である。一方の入力端子１に
は、抵抗３およびコンデンサ１２の各一端、並びにダイ
オード９のカソードおよびＰチャンネル型ＦＥＴ５のソ
ースがそれぞれ接続されている。他方の入力端子２はグ
ランドに接続されている。そして、これら入力端子１，
２間にバッテリー１３が接続される。
【０００９】抵抗３の他端は、コンデンサ４の一端、ダ
イオード９のアノードおよびツェナーダイオード７のカ
ソードとそれぞれ接続されている。これら抵抗３、コン
デンサ４およびダイオード９によってＣＲ時定数回路が
構成されており、抵抗３、コンデンサ４およびダイオー
ド９の接続点が当該時定数回路の出力ノードとなる。コ
ンデンサ４の他端はグランドに接続されている。ツェナ
ーダイオード７のアノードは、Ｎチャンネル型ＦＥＴ８
のゲート（制御電極）と接続されている。ＦＥＴ８のド
レインはＦＥＴ５のゲートおよびコンデンサ１２の他端
と接続され、ソースはグランドに接続されている。
イオード９のアノードおよびツェナーダイオード７のカ
ソードとそれぞれ接続されている。これら抵抗３、コン
デンサ４およびダイオード９によってＣＲ時定数回路が
構成されており、抵抗３、コンデンサ４およびダイオー
ド９の接続点が当該時定数回路の出力ノードとなる。コ
ンデンサ４の他端はグランドに接続されている。ツェナ
ーダイオード７のアノードは、Ｎチャンネル型ＦＥＴ８
のゲート（制御電極）と接続されている。ＦＥＴ８のド
レインはＦＥＴ５のゲートおよびコンデンサ１２の他端
と接続され、ソースはグランドに接続されている。
【００１０】ＦＥＴ５のソースとドレインの間には抵抗
６が接続されている。ＦＥＴ５のドレインには、コンデ
ンサ１０および負荷１１の各一端が接続されている。コ
ンデンサ１０および負荷１１の各他端はグランドに接続
されている。コンデンサ１０は、負荷電流の急激な変動
に対して電流を供給し、負荷１１側から見た電源のイン
ピーダンスを下げるための働きを行うデカップリングコ
ンデンサである。
６が接続されている。ＦＥＴ５のドレインには、コンデ
ンサ１０および負荷１１の各一端が接続されている。コ
ンデンサ１０および負荷１１の各他端はグランドに接続
されている。コンデンサ１０は、負荷電流の急激な変動
に対して電流を供給し、負荷１１側から見た電源のイン
ピーダンスを下げるための働きを行うデカップリングコ
ンデンサである。
【００１１】次に、上記構成の突入電流防止回路の回路
動作について、図２の波形図を用いて説明する。なお、
図２において、各波形（Ａ）〜（Ｄ）は、図１における
各部（Ａ）〜（Ｄ）の波形をそれぞれ表している。ま
た、ＶD9(VF)はダイオード９の順方向電圧である。
動作について、図２の波形図を用いて説明する。なお、
図２において、各波形（Ａ）〜（Ｄ）は、図１における
各部（Ａ）〜（Ｄ）の波形をそれぞれ表している。ま
た、ＶD9(VF)はダイオード９の順方向電圧である。
【００１２】先ずバッテリー１３が入力端子１，２間に
接続された場合、接続箇所は機械的に何度かの接触と非
接触を繰り返すいわゆるチャタリング現象を起こす。こ
のため、入力端子１に加わる電圧波形は、図２（Ａ）に
示すように振動波形となる。入力端子１にバッテリー電
圧が印加されると、コンデンサ４の電圧（Ｂ）は、抵抗
３との時定数により徐々に上昇するが、直ぐにはツェナ
ーダイオード７とＦＥＴ８のスレッシュホールド電圧の
合計値を越えないため、ＦＥＴ８はオフ状態にある。
接続された場合、接続箇所は機械的に何度かの接触と非
接触を繰り返すいわゆるチャタリング現象を起こす。こ
のため、入力端子１に加わる電圧波形は、図２（Ａ）に
示すように振動波形となる。入力端子１にバッテリー電
圧が印加されると、コンデンサ４の電圧（Ｂ）は、抵抗
３との時定数により徐々に上昇するが、直ぐにはツェナ
ーダイオード７とＦＥＴ８のスレッシュホールド電圧の
合計値を越えないため、ＦＥＴ８はオフ状態にある。
【００１３】これにより、ＦＥＴ５のゲート‐ソース間
はほぼ同電位であるため、ＦＥＴ５もオフ状態にあり、
したがって負荷１１側に電流は流れない。ここで、コン
デンサ１２は、バッテリー１３の接続直後にＦＥＴ５の
ゲート‐ソース間に電圧変化が発生し、瞬間的にＦＥＴ
５がオンするのを防止するためのものである。また、抵
抗６を通じて負荷１１側に流れる電流は、例えば、バッ
テリー電圧が７Ｖ、抵抗６の抵抗値が１００ＫΩの場合
に７０μＡであり、これは無視できる程度の微小電流で
ある。
はほぼ同電位であるため、ＦＥＴ５もオフ状態にあり、
したがって負荷１１側に電流は流れない。ここで、コン
デンサ１２は、バッテリー１３の接続直後にＦＥＴ５の
ゲート‐ソース間に電圧変化が発生し、瞬間的にＦＥＴ
５がオンするのを防止するためのものである。また、抵
抗６を通じて負荷１１側に流れる電流は、例えば、バッ
テリー電圧が７Ｖ、抵抗６の抵抗値が１００ＫΩの場合
に７０μＡであり、これは無視できる程度の微小電流で
ある。
【００１４】チャタリングを何度か繰り返している間、
コンデンサ４の電圧（Ｂ）は、シリコンダイオードの順
方向電圧である０．７Ｖ以上には大きく上昇することは
できない。何故ならば、入力端子１の電圧（Ａ）が低下
した瞬間に、コンデンサ４に蓄えられた電荷がダイオー
ド９およひ抵抗６を通して負荷１１側に放電してしまう
からである。これは、抵抗６の抵抗値を抵抗３の抵抗値
の１０分の１程度に設定しておくことによって実現され
る。
コンデンサ４の電圧（Ｂ）は、シリコンダイオードの順
方向電圧である０．７Ｖ以上には大きく上昇することは
できない。何故ならば、入力端子１の電圧（Ａ）が低下
した瞬間に、コンデンサ４に蓄えられた電荷がダイオー
ド９およひ抵抗６を通して負荷１１側に放電してしまう
からである。これは、抵抗６の抵抗値を抵抗３の抵抗値
の１０分の１程度に設定しておくことによって実現され
る。
【００１５】暫くしてチャタリング現象が収まると、コ
ンデンサ４の電圧（Ｂ）は次第に上昇し、Ｔ１時間経過
後にツェナーダイオード７とＦＥＴ８のスレッシュホー
ルド電圧の合計値を上回る。すると、ＦＥＴ８がオン
し、これに伴ってＦＥＴ５のソース電位（Ｃ）が低下す
るためＦＥＴ５もオン状態となる。したがって、このＦ
ＥＴ５を通して負荷１１側に電圧（Ｄ）を供給できるよ
うになる。
ンデンサ４の電圧（Ｂ）は次第に上昇し、Ｔ１時間経過
後にツェナーダイオード７とＦＥＴ８のスレッシュホー
ルド電圧の合計値を上回る。すると、ＦＥＴ８がオン
し、これに伴ってＦＥＴ５のソース電位（Ｃ）が低下す
るためＦＥＴ５もオン状態となる。したがって、このＦ
ＥＴ５を通して負荷１１側に電圧（Ｄ）を供給できるよ
うになる。
【００１６】ここで、Ｔ１は次式の計算によって求める
ことができる。 ＶZ ＋ＶTH(Q8)＝ＶBAT (1−ＥＸＰ（−Ｔ１／ＣＲ）） 但し、ＶZ はツェナーダイオード７のツェナー電圧、Ｖ
TH(Q8)はＦＥＴ８のゲートスレッシュホールド電圧、Ｖ
BAT はバッテリー電圧、Ｃはコンデンサ４の容量値、Ｒ
は抵抗３の抵抗値である。
ことができる。 ＶZ ＋ＶTH(Q8)＝ＶBAT (1−ＥＸＰ（−Ｔ１／ＣＲ）） 但し、ＶZ はツェナーダイオード７のツェナー電圧、Ｖ
TH(Q8)はＦＥＴ８のゲートスレッシュホールド電圧、Ｖ
BAT はバッテリー電圧、Ｃはコンデンサ４の容量値、Ｒ
は抵抗３の抵抗値である。
【００１７】上述したように、バッテリー１３と負荷１
１との間にＦＥＴ５をスイッチ素子として接続し、バッ
テリー電圧の印加／非印加によって充放電を行うＣＲ時
定数回路（抵抗３、コンデンサ４およびダイオード９）
の出力電圧（Ｂ）があらかじめ設定した電圧（本例で
は、ツェナーダイオード７とＦＥＴ８のスレッシュホー
ルド電圧の合計値）を越えたときにＦＥＴ５がオンし、
負荷１１側への電流供給を開始するようにしたため、バ
ッテリー１３を接続したときにチャタリング現象が発生
しても、その間には負荷１１が接続されないようにする
ことができる。
１との間にＦＥＴ５をスイッチ素子として接続し、バッ
テリー電圧の印加／非印加によって充放電を行うＣＲ時
定数回路（抵抗３、コンデンサ４およびダイオード９）
の出力電圧（Ｂ）があらかじめ設定した電圧（本例で
は、ツェナーダイオード７とＦＥＴ８のスレッシュホー
ルド電圧の合計値）を越えたときにＦＥＴ５がオンし、
負荷１１側への電流供給を開始するようにしたため、バ
ッテリー１３を接続したときにチャタリング現象が発生
しても、その間には負荷１１が接続されないようにする
ことができる。
【００１８】ここで、チャタリング現象の発生期間中に
入力端子１，２にバッテリー１３が接続されている時間
と離れている時間の比率は１：１に近いものと推定され
ることから、抵抗３、コンデンサ４およびダイオード９
からなるＣＲ時定数回路において、バッテリー電圧が印
加されたときの充電時定数をＴ１、バッテリー電圧が印
加されなくなったときの放電時定数をＴ２とした場合
に、好ましくは、放電時定数Ｔ２を充電時定数Ｔ１のほ
ぼ１０分の１程度になるように設定することで、確実に
放電を完了させることができることになる。
入力端子１，２にバッテリー１３が接続されている時間
と離れている時間の比率は１：１に近いものと推定され
ることから、抵抗３、コンデンサ４およびダイオード９
からなるＣＲ時定数回路において、バッテリー電圧が印
加されたときの充電時定数をＴ１、バッテリー電圧が印
加されなくなったときの放電時定数をＴ２とした場合
に、好ましくは、放電時定数Ｔ２を充電時定数Ｔ１のほ
ぼ１０分の１程度になるように設定することで、確実に
放電を完了させることができることになる。
【００１９】また、スイッチ素子であるＦＥＴ５をオン
／オフ制御する制御回路を、ツェナーダイオード７およ
びＦＥＴ８によって構成したことで、ＦＥＴ５をオンさ
せるときのスレッシュホールド電圧を、ツェナーダイオ
ード７のツェナー電圧ＶZ およびＦＥＴ８のゲートスレ
ッシュホールド電圧ＶTH(Q8)で設定できるため、特別に
スレッシュホールド電圧設定回路を設ける必要がなく、
回路構成の簡略化が図れるという利点がある。
／オフ制御する制御回路を、ツェナーダイオード７およ
びＦＥＴ８によって構成したことで、ＦＥＴ５をオンさ
せるときのスレッシュホールド電圧を、ツェナーダイオ
ード７のツェナー電圧ＶZ およびＦＥＴ８のゲートスレ
ッシュホールド電圧ＶTH(Q8)で設定できるため、特別に
スレッシュホールド電圧設定回路を設ける必要がなく、
回路構成の簡略化が図れるという利点がある。
【００２０】なお、上記実施形態においては、ＦＥＴ５
をオン／オフ制御する素子としてＮチャンネル型ＦＥＴ
８を用いたが、これに代えてＮＰＮ型バイポーラトラン
ジスタを用いることも可能である。この場合、抵抗３の
抵抗値を大きくすると、当該トランジスタのベースドラ
イブ電流が不足し動作不能となることから、ＣＲ時定数
回路において必要な時定数を得るためにはコンデンサ４
の容量値を大きくすることになり、コスト高となる。こ
れを回避するためには、ＮＰＮ型バイポーラトランジス
タを２個ダーリントン接続した構成を採れば良い。
をオン／オフ制御する素子としてＮチャンネル型ＦＥＴ
８を用いたが、これに代えてＮＰＮ型バイポーラトラン
ジスタを用いることも可能である。この場合、抵抗３の
抵抗値を大きくすると、当該トランジスタのベースドラ
イブ電流が不足し動作不能となることから、ＣＲ時定数
回路において必要な時定数を得るためにはコンデンサ４
の容量値を大きくすることになり、コスト高となる。こ
れを回避するためには、ＮＰＮ型バイポーラトランジス
タを２個ダーリントン接続した構成を採れば良い。
【００２１】また、上記実施形態では、スイッチ素子と
してＦＥＴ５に代えてバイポーラトランジスタを用いる
ことも考えられる。ただし、バイポーラトランジスタの
場合は、ベース電流を流し続けないとオン状態を維持で
きないため、オン状態に保つための電力を必要とする。
これに対し、ＦＥＴでは、ゲートに電圧を与える最初だ
け電力損失があるものの、その後は電力損失がない分だ
けバイポーラトランジスタよりも有利であり、しかもオ
ン時に残る抵抗成分もＦＥＴの方が十分に小さい。した
がって、スイッチ素子としてＦＥＴを用いるのが好まし
い。
してＦＥＴ５に代えてバイポーラトランジスタを用いる
ことも考えられる。ただし、バイポーラトランジスタの
場合は、ベース電流を流し続けないとオン状態を維持で
きないため、オン状態に保つための電力を必要とする。
これに対し、ＦＥＴでは、ゲートに電圧を与える最初だ
け電力損失があるものの、その後は電力損失がない分だ
けバイポーラトランジスタよりも有利であり、しかもオ
ン時に残る抵抗成分もＦＥＴの方が十分に小さい。した
がって、スイッチ素子としてＦＥＴを用いるのが好まし
い。
【００２２】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、入力端子に印加されるバッテリー電圧の印加／非
印加に応じて充放電を行う充放電回路の出力電圧が、所
定のスレッシュホールド電圧を越えたときにＦＥＴスイ
ッチをオンさせ、このＦＥＴスイッチを通して負荷側に
電流を供給するようにしたことにより、バッテリーを接
続したときにチャタリング現象が発生しても、その発生
期間には負荷側への電流供給を行わないようにすること
ができる。これにより、以下に記すような効果を得るこ
とができる。
れば、入力端子に印加されるバッテリー電圧の印加／非
印加に応じて充放電を行う充放電回路の出力電圧が、所
定のスレッシュホールド電圧を越えたときにＦＥＴスイ
ッチをオンさせ、このＦＥＴスイッチを通して負荷側に
電流を供給するようにしたことにより、バッテリーを接
続したときにチャタリング現象が発生しても、その発生
期間には負荷側への電流供給を行わないようにすること
ができる。これにより、以下に記すような効果を得るこ
とができる。
【００２３】バッテリーを接続した直後に大電流が流
れてバッテリーホルダーの金属端子部に発生する火花に
よって溶解したり、火花発生に際して大きな音が出たり
することがなくなる。 機械的スイッチが無いため、接点に発生する火花によ
って電源スイッチが劣化するということもなく、高い信
頼性が得られる。しかも、スイッチ素子のオン／オフ制
御は自動的に行われるため、スイッチの切り忘れなども
なく、サービスが容易になる。
れてバッテリーホルダーの金属端子部に発生する火花に
よって溶解したり、火花発生に際して大きな音が出たり
することがなくなる。 機械的スイッチが無いため、接点に発生する火花によ
って電源スイッチが劣化するということもなく、高い信
頼性が得られる。しかも、スイッチ素子のオン／オフ制
御は自動的に行われるため、スイッチの切り忘れなども
なく、サービスが容易になる。
【図１】本発明の一実施形態を示す回路図である。
【図２】回路動作を説明するための各部の波形図であ
る。
る。
【図３】従来例を示す回路図である。
１、２ 入力端子 ５ Ｐチャンネル型ＦＥＴ ７ ツェナーダイオード ８ Ｎチャンネル型ＦＥＴ １１ 負荷 １３ バッテリー
Claims (2)
- 【請求項１】 電源としてバッテリーを使用する電子機
器の突入電流防止回路であって、 バッテリー電圧が印加される入力端子と負荷との間に接
続された電界効果トランジスタと、 前記入力端子の端子電圧に応じて充放電を行う充放電回
路と、 前記充放電回路の出力電圧が所定のスレッシュホールド
電圧を越えたとき前記電界効果トランジスタをオンさせ
る制御回路とを備えたことを特徴とする突入電流防止回
路。 - 【請求項２】 前記制御回路は、前記充放電回路の出力
ノードにカソードが接続されたツェナーダイオードと、
前記電界効果トランジスタのゲートとグランドとの間に
接続され、その制御電極が前記ツェナーダイオードのア
ノードに接続されたトランジスタとからなることを特徴
とする請求項１記載の突入電流防止回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17664897A JPH1127855A (ja) | 1997-07-02 | 1997-07-02 | 突入電流防止回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17664897A JPH1127855A (ja) | 1997-07-02 | 1997-07-02 | 突入電流防止回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1127855A true JPH1127855A (ja) | 1999-01-29 |
Family
ID=16017263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17664897A Pending JPH1127855A (ja) | 1997-07-02 | 1997-07-02 | 突入電流防止回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1127855A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100462880B1 (ko) * | 2002-04-18 | 2004-12-17 | 삼성전자주식회사 | 돌입 전류 방지 회로 |
| KR20150048635A (ko) * | 2013-10-28 | 2015-05-07 | 오므론 가부시키가이샤 | 급전 회로 및 당해 급전 회로를 구비하는 전자 기기 |
| CN108683416A (zh) * | 2018-07-25 | 2018-10-19 | 上海艾为电子技术股份有限公司 | 一种负载开关控制电路 |
| WO2019102247A1 (en) * | 2017-11-21 | 2019-05-31 | Framatome | Protection circuit for a shunt resistor and instrumentation device |
-
1997
- 1997-07-02 JP JP17664897A patent/JPH1127855A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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