JP5961944B2 - ゲート駆動回路 - Google Patents
ゲート駆動回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5961944B2 JP5961944B2 JP2011178771A JP2011178771A JP5961944B2 JP 5961944 B2 JP5961944 B2 JP 5961944B2 JP 2011178771 A JP2011178771 A JP 2011178771A JP 2011178771 A JP2011178771 A JP 2011178771A JP 5961944 B2 JP5961944 B2 JP 5961944B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- gate
- switching element
- source
- control circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 35
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
- Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes
Landscapes
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Description
12 ナンド回路
13 ターンオフ制御回路
GaNFET スイッチング素子
G1,G2,G3,G5,G6 インバータ
R,R1,R2 抵抗
C1,Ce,Co コンデンサ
PC1 フォトカプラ
Q1〜Q4 トランジスタ
E 電源
E1 正電源
E2 負電源
Dg,D1,D2 ダイオード
T1 トランス
ERRAMP 誤差増幅器
Claims (3)
- 負極が接地された正電源と、
正極が接地された負電源と、
前記正電源の正極と前記負電源の負極との間に設けられ、制御信号を生成する制御回路と、
前記正電源の正極と前記負電源の負極との間に設けられた第1トランジスタと第2トランジスタとの直列回路と、
ドレイン、接地されたソース及び前記第1トランジスタと第2トランジスタとの接続点に接続されたゲートを備えたワイドバンドギャップ半導体からなるスイッチング素子と、
前記制御回路からの制御信号がオフになった場合に、前記第1トランジスタを所定時間だけオンさせ前記第1トランジスタを介して前記負電源の電圧を前記スイッチング素子のゲート端子に印加するターンオフ制御回路と、
前記スイッチング素子のゲートとソースとの間に設けられ、前記制御回路からの制御信号がオフになった場合に、前記スイッチング素子のゲートとソースとの間を短絡させる第3トランジスタと第4トランジスタとからなる双方向スイッチと、
を備えることを特徴とするゲート駆動回路。 - ドレイン端子、ソース端子及びゲート端子を備えたワイドバンドギャップ半導体からなるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子のオンオフを制御するための制御信号を生成する制御回路であって、自己のグランドが前記スイッチング素子のソースに対してフローティングされている制御回路と、
前記制御回路の電源端子間に設けられた第1トランジスタと第2トランジスタとの直列回路であって、第1トランジスタと第2トランジスタとの接続点が前記スイッチング素子のソースに接続された直列回路と、
前記制御回路の電源端子間に設けられた第3トランジスタと第4トランジスタとの直列回路であって、第3トランジスタと第4トランジスタとの接続点が前記スイッチング素子のゲートに接続された直列回路と、
前記制御回路からの制御信号がオンになった場合に、前記第1トランジスタと第4トランジスタをオンするとともに前記第2トランジスタと第3トランジスタをオフし、前記制御信号がオフになった場合に、前記第2トランジスタと第3トランジスタをオンするとともに前記第1トランジスタと第4トランジスタをオフし、且つ、前記制御信号がオフになった場合に、前記第2トランジスタを所定時間だけオンし、該所定時間が経過した後は、前記第1トランジスタをオンするとともに前記第2トランジスタをオフして、前記スイッチング素子のゲートとソースとの間を短絡させるゲート制御回路と、
を備えることを特徴とするゲート駆動回路。 - 前記制御回路のグランドと前記スイッチング素子のソース端子とは、ダイオードを介して接続されていることを特徴とする請求項2記載のゲート駆動回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011178771A JP5961944B2 (ja) | 2011-08-18 | 2011-08-18 | ゲート駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011178771A JP5961944B2 (ja) | 2011-08-18 | 2011-08-18 | ゲート駆動回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013042612A JP2013042612A (ja) | 2013-02-28 |
JP5961944B2 true JP5961944B2 (ja) | 2016-08-03 |
Family
ID=47890474
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011178771A Active JP5961944B2 (ja) | 2011-08-18 | 2011-08-18 | ゲート駆動回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5961944B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11342909B2 (en) | 2019-12-17 | 2022-05-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor integrated circuit and control method of semiconductor integrated circuit |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10855271B2 (en) * | 2016-12-15 | 2020-12-01 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Control device for semiconductor switch, and electrical power system |
KR102092186B1 (ko) * | 2018-11-08 | 2020-03-23 | 주식회사 싸이트론 | 트랜지스터 게이트 바이어스 신호 제어 회로 |
KR102656901B1 (ko) * | 2022-10-18 | 2024-04-11 | 한국전기연구원 | 음 전압 기반 게이트 구동회로 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2952897B2 (ja) * | 1989-07-28 | 1999-09-27 | 株式会社安川電機 | ゲート駆動回路 |
JPH0548584U (ja) * | 1991-11-27 | 1993-06-25 | 株式会社明電舎 | 高速スイッチング素子のゲートドライブ回路 |
JP3666843B2 (ja) * | 1999-02-26 | 2005-06-29 | 株式会社東芝 | 絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路 |
JP2002290224A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Tdk Corp | 半導体素子 |
JP4366929B2 (ja) * | 2002-12-18 | 2009-11-18 | 富士ゼロックス株式会社 | 電源装置及びこれを用いた画像形成装置 |
JP4682173B2 (ja) * | 2007-07-12 | 2011-05-11 | 株式会社日立製作所 | 電圧駆動型半導体素子のドライブ回路及びインバータ装置 |
WO2010132460A2 (en) * | 2009-05-11 | 2010-11-18 | Semisouth Laboratories, Inc. | Gate driver for enhancement-mode and depletion-mode wide bandgap semiconductor jfets |
JP2012199763A (ja) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Sanken Electric Co Ltd | ゲートドライブ回路 |
-
2011
- 2011-08-18 JP JP2011178771A patent/JP5961944B2/ja active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11342909B2 (en) | 2019-12-17 | 2022-05-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor integrated circuit and control method of semiconductor integrated circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013042612A (ja) | 2013-02-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101541632B1 (ko) | 반도체 스위치 소자의 구동 장치 | |
JP5934925B2 (ja) | ゲートドライバおよびこれを備えたパワーモジュール | |
JP5354417B2 (ja) | レベルシフト回路 | |
US8766711B2 (en) | Switching circuit with controlled driver circuit | |
US7579880B2 (en) | Circuit for driving a semiconductor element | |
JP3912417B2 (ja) | 駆動回路 | |
US7746155B2 (en) | Circuit and method for transistor turn-off with strong pulldown | |
US8044685B2 (en) | Floating driving circuit | |
US9954519B2 (en) | Electronic switch, and corresponding device and method | |
US9379699B2 (en) | Switch driver with a low-cost cross-conduction-preventing circuit | |
US7705638B2 (en) | Switching control circuit with reduced dead time | |
JP2014176228A (ja) | ゲート駆動回路 | |
JP6090007B2 (ja) | 駆動回路 | |
US7724069B1 (en) | Analog switch for operation outside power rails with low supply current | |
JP2008011088A (ja) | フローティング駆動回路 | |
JP5961944B2 (ja) | ゲート駆動回路 | |
JP2012200083A (ja) | スイッチング回路及びdc−dcコンバータ | |
JP2013009216A (ja) | ゲートドライブ回路 | |
JP2020025158A (ja) | 高耐圧集積回路 | |
JP5405299B2 (ja) | 電力消費装置を制御するための回路配置および方法 | |
JP2018074676A (ja) | ゲート駆動回路 | |
JP6942559B2 (ja) | 受電装置 | |
JP2002325451A (ja) | スイッチング電源装置 | |
JP2018056750A (ja) | 出力段バッファ回路 | |
CN107579728B (zh) | 采用电荷泵的功率场效应管的驱动电路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140718 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150430 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150511 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150617 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151216 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160531 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160613 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5961944 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |