JP6942559B2 - 受電装置 - Google Patents

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Description

本発明は、受電装置に関する。
従来、無線で電力を供給する無線給電システムがある。無線給電システムは、一次側コイルを介して無線で電力を送電する送電装置と、送電装置から送電された電力を二次側コイルを介して無線で受電する受電装置とを備える。受電装置は、二次側コイルを介して受電した交流電力を直流電力に整流する同期整流回路と、同期整流回路により整流された直流電力を平滑する平滑回路とを有する。例えば、特許文献1には、上述の無線給電システムと同等に構成されたDCDCコンバータが開示される。
特許第4515683号公報
ところで、近年、受電装置は、半導体のスイッチング素子を用いた同期整流回路を使用する場合が増えており、この場合に同期整流を改善することが望まれている。
そこで、本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、同期整流を適正に行うことができる受電装置を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る受電装置は、一次側コイルから無線で送電される交流電力を受電する二次側コイルと、前記二次側コイルにより受電した交流電力を直流電力に整流するスイッチング素子部、及び、前記スイッチング素子部を駆動する駆動回路を有する同期整流回路と、前記同期整流回路により整流された前記直流電力を平滑する平滑回路と、前記スイッチング素子部を制御する制御回路と、を備え、前記制御回路は、前記同期整流回路から前記平滑回路に流れる電流が予め定められた閾値より小さい場合、前記同期整流回路の前記スイッチング素子部をオフするものであって、前記同期整流回路と前記平滑回路との間に設けられる電圧降下判定用の抵抗と、分圧用の第1抵抗と、分圧用の第2抵抗と、分圧用の第3抵抗と、分圧用の第4抵抗と、分圧用の第5抵抗と、前記電圧降下判定用の抵抗の前記同期整流回路側の端部とグランドとの間に接続され、当該電圧降下判定用の抵抗側から順番に前記第1抵抗と前記第2抵抗と前記第3抵抗とを直列に接続する第1接続線と、前記電圧降下判定用の抵抗の前記平滑回路側の端部とグランドとの間に接続され、当該電圧降下判定用の抵抗側から順番に前記第4抵抗と前記第5抵抗とを直列に接続する第2接続線と、前記第1抵抗と前記第2抵抗との間に接続される第1入力端子、前記第4抵抗と前記第5抵抗との間に接続される第2入力端子、及び、前記駆動回路に接続される出力端子を有する判定回路と、前記判定回路の前記出力端子に接続されるゲート端子、前記第2抵抗と前記第3抵抗との間に接続されるドレイン端子、及び、グランドに接続されるソース端子を有するスイッチング素子とを含み、前記判定回路は、前記第1入力端子と前記第2入力端子との電圧の大きさを比較することにより、前記同期整流回路から前記平滑回路に流れる電流が前記閾値より小さいか否かを判定し、当該閾値より小さい場合に、前記スイッチング素子部をオフするための信号を前記出力端子から出力することを特徴とする。
上記受電装置において、前記判定回路は、電圧降下判定用の抵抗の電圧降下に基づく電流が前記閾値より小さい場合、前記駆動回路を介して前記スイッチング素子部をオフすことが好ましい。
上記受電装置において、前記同期整流回路は、第1スイッチング素子、第2スイッチング素子、第3スイッチング素子、及び、第4スイッチング素子を有する前記スイッチング素子部と、前記第1スイッチング素子を駆動する第1駆動回路、前記第2スイッチング素子を駆動する第2駆動回路、前記第3スイッチング素子を駆動する第3駆動回路、及び、前記第4スイッチング素子を駆動する第4駆動回路を有する駆動部と、を含んで構成され、前記第1スイッチング素子と前記第3スイッチング素子とが直列に接続された第1直列回路と、前記第2スイッチング素子と前記第4スイッチング素子とが直列に接続され前記第1直列回路よりも前記平滑回路側に位置し前記第2スイッチング素子が前記第1スイッチング素子側に配置され且つ前記第4スイッチング素子が前記第3スイッチング素子側に配置される第2直列回路とが前記平滑回路に並列接続され、前記第1スイッチング素子と前記第3スイッチング素子との接続点に前記二次側コイルの一方側の端子である第1端子が接続され、前記第2スイッチング素子と前記第4スイッチング素子との接続点に前記二次側コイルの他方側の端子である第2端子が接続されたフルブリッジ回路を構成し、前記第1端子が前記第1駆動回路及び前記第4駆動回路に接続され、前記第2端子が前記第2駆動回路及び前記第3駆動回路に接続されることが好ましい。
本発明に係る受電装置は、同期整流回路から平滑回路に流れる電流が予め定められた閾値より小さい場合、同期整流回路のスイッチング素子部をオフする。この構成により、受電装置は、二次側コイルの入力電圧よりも平滑回路側の電圧が大きくなっても、平滑回路から同期整流回路に電流が逆流することを抑制できる。また、受電装置は、二次側コイルの一方側の端子である第1端子が第1駆動回路及び第4駆動回路に接続され、二次側コイルの他方側の端子である第2端子が第2駆動回路及び第3駆動回路に接続される。この構成により、受電装置は、例えば、従来のように送信側から同期整流回路を駆動する駆動信号を受信する必要がないので、装置の構成を簡素化することができる。この結果、受電装置は、同期整流を適正に行うことができる。
図1は、実施形態に係る受電装置の構成を示す回路図である。 図2は、実施形態に係る受電装置の入力電圧の波形を示す図である。 図3は、実施形態に係る受電装置の整流動作を示す回路図である。 図4は、実施形態に係る受電装置の整流動作を示す回路図である。 図5は、実施形態に係る駆動回路のオン動作を示す回路図である。 図6は、実施形態に係る駆動回路のオン動作を示すタイミングチャートである。 図7は、実施形態に係る駆動回路のオフ動作を示す回路図である。 図8は、実施形態に係る受電装置の逆流抑制を示すタイミングチャートである。 図9は、実施形態に係る駆動回路の強制停止を示すタイミングチャートである。 図10は、実施形態に係る受電装置の一連の動作を示すタイミングチャートである。 図11は、実施形態に係る受電装置のダイオードによる整流動作を示す回路図である。 図12は、実施形態に係る受電装置のダイオードによる整流動作を示す回路図である。 図13は、実施形態の変形例に係る逆流抑制回路の構成を示す回路図である。
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
〔実施形態〕
実施形態に係る受電装置1について説明する。受電装置1は、図示しない送電装置と共に無線給電システム100を構成する。無線給電システム100は、送電装置から受電装置1に無線で電力を供給するシステムである。受電装置1は、送電装置から送電された交流電力を共振回路10を介して受電し、受電した交流電力を同期整流回路30により直流電力に整流し、同期整流回路30により整流された直流電力を平滑回路20により平滑して負荷部2に供給する。以下、受電装置1について詳細に説明する。
受電装置1は、共振回路10と、平滑回路20と、同期整流回路30と、制御回路としての逆流抑制回路40とを備える。共振回路10は、二次側コイル11と、二次側コイル11に直列に接続される共振コンデンサ12とを有する。二次側コイル11は、送電装置の一次側コイルに対し非接触で対向して設けられ、同期整流回路30に接続される。共振回路10は、送電装置の一次側コイルから無線(非接触)で送電された交流電力を受電し、受電した交流電力を同期整流回路30に出力する。
平滑回路20は、直流電流を平滑化する回路であり、平滑コンデンサCを備える。平滑コンデンサCは、同期整流回路30に並列に接続され、同期整流回路30から出力される直流電流(脈流)を平滑し、平滑した直流電力を負荷部2に供給する。
同期整流回路30は、交流電力を直流電力に整流する回路である。同期整流回路30は、フルブリッジ整流回路であり、スイッチング素子部31と、ダイオード部32と、駆動部33とを有する。スイッチング素子部31は、第1直列回路31Aと、第2直列回路31Bとを有する。第1直列回路31Aは、第1スイッチング素子としてのFET(Field-Effect Transistor)M1と、第3スイッチング素子としてのFETM3とを有し、FETM1とFETM3とが直列に接続される。第1直列回路31Aは、例えば、FETM1のソース端子とFETM3のドレイン端子とが接続される。
第2直列回路31Bは、第2スイッチング素子としてのFETM2と、第4スイッチング素子としてのFETM4とを有し、FETM2とFETM4とが直列に接続される。第2直列回路31Bは、例えば、FETM2のソース端子とFETM4のドレイン端子とが接続される。第2直列回路31Bは、第1直列回路31Aよりも平滑回路20側に位置し、FETM2がFETM1側に配置され且つFETM4がFETM3側に配置される。第1直列回路31A及び第2直列回路31Bは、平滑回路20に並列接続される。第1直列回路31A及び第2直列回路31Bは、例えば、FETM1のドレイン端子及びFETM2のドレイン端子が平滑回路20の一方側に接続され、FETM3のソース端子及びFETM4のソース端子が平滑回路20の他方側に接続される。FETM1〜M4は、例えば、Nチャネル型のMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)であるが、これに限定されず、例えば、Pチャネル型のMOSFETでもよい。
同期整流回路30は、FETM1とFETM3との接続点に二次側コイル11の一方側の端子である第1端子11aが接続される。同期整流回路30は、例えば、FETM1のソース端子とFETM3のドレイン端子との接続点に第1端子11aが接続される。同期整流回路30は、FETM2とFETM4との接続点に二次側コイル11の他方側の端子である第2端子11bが接続される。同期整流回路30は、例えば、FETM2のソース端子とFETM4のドレイン端子との接続点に第2端子11bが接続される。
ダイオード部32は、順方向に電流を流す回路である。ダイオード部32は、ダイオードD1〜D4を有する。ダイオードD1は、FETM1に並列接続され、カソード端子がFETM1のドレイン端子に接続され、アノード端子がFETM1のソース端子に接続される。ダイオードD2は、FETM2に並列接続され、カソード端子がFETM2のドレイン端子に接続され、アノード端子がFETM2のソース端子に接続される。ダイオードD3は、FETM3に並列接続され、カソード端子がFETM3のドレイン端子に接続され、アノード端子がFETM3のソース端子に接続される。ダイオードD4は、FETM4に並列接続され、カソード端子がFETM4のドレイン端子に接続され、アノード端子がFETM4のソース端子に接続される。なお、同期整流回路30は、ダイオード部32を設けないで、FETM1〜M4の内部に存在するボディダイオードで代用してもよい。
駆動部33は、二次側コイル11に出力される交流電力に同期して、FETM1〜M4をオン・オフ制御する回路である。駆動部33は、FETM1を駆動する駆動回路N1と、FETM2を駆動する駆動回路N2と、FETM3を駆動する駆動回路N3と、FETM4を駆動する駆動回路N4とを有する。駆動部33は、二次側コイル11の第1端子11aが駆動回路N1及び駆動回路N4に接続され、二次側コイル11の第2端子11bが駆動回路N2及び駆動回路N3に接続される。駆動部33は、二次側コイル11から出力される入力電圧V1、V2におけるGND(グランド)に対する電位差を駆動信号S1、S2として利用する。駆動部33は、二次側コイル11の第1端子11aから駆動信号S1が出力され、二次側コイル11の第2端子11bから駆動信号S2が出力される。駆動部33は、駆動信号S1に基づいて駆動回路N1及び駆動回路N4をオン・オフ制御し、駆動信号S2に基づいて駆動回路N2及び駆動回路N3をオン・オフ制御する。
次に、同期整流回路30の動作について説明する。同期整流回路30は、図2に示すように、二次側コイル11から出力される入力電圧V1、V2の波形がパルス状である。この波形は、第1端子11aに印加される入力電圧V1と第2端子11bに印加される入力電圧V2とがGND基準で交互に高くなる。同期整流回路30は、上述したように、第1端子11aに印加される入力電圧V1のGNDに対する電位差を駆動信号S1として利用する。同期整流回路30は、例えば、第1端子11a側において入力電圧V1が閾値V1th以上の場合、駆動回路N1、N4を駆動するハイレベル(Hiレベル)の駆動信号S1とする(図10参照)。また、同期整流回路30は、入力電圧V1が閾値V1thより小さい場合、駆動回路N1、N4を駆動しないローレベル(Loレベル)の駆動信号S1とする。同期整流回路30は、ハイレベル又はローレベルの駆動信号S1に基づいて駆動回路N1、N4を駆動制御する。同期整流回路30は、図3に示すように、駆動信号S1(ハイレベル)により駆動回路N1、N4を駆動してFETM1、M4をオンし、二次側コイル11の第1端子11aから流れる電流を、平滑回路20を介して負荷部2の正極に出力する。
同期整流回路30は、第2端子11bに印加される入力電圧V2のGNDに対する電位差を駆動信号S2として利用する。同期整流回路30は、例えば、第2端子11b側において入力電圧V2が閾値V2th以上の場合、駆動回路N2、N3を駆動するハイレベルの駆動信号S2とする(図10参照)。また、同期整流回路30は、入力電圧V2が閾値V2thより小さい場合、駆動回路N2、N3を駆動しないローレベルの駆動信号S2とする。同期整流回路30は、ハイレベル又はローレベルの駆動信号S2に基づいて駆動回路N2、N3を駆動制御する。同期整流回路30は、図4に示すように、駆動信号S2(ハイレベル)により駆動回路N2、N3を駆動してFETM2、M3をオンし、二次側コイル11の第2端子11bから流れる電流を、平滑回路20を介して負荷部2の正極に出力する。このように、同期整流回路30は、第1端子11a及び第2端子11bのそれぞれに印加される入力電圧V1、V2に基づく駆動信号S1、S2に応じて、FETM1〜M4をオンする。なお、同期整流回路30は、ダイオードD1〜D4によりGND基準で順方向電圧Vdが生じる(図2参照)。
次に、駆動回路N1〜N4について詳細に説明する。なお、駆動回路N1〜N4は、それぞれ同等の構成のため、駆動回路N1について説明し、駆動回路N2〜N4の説明は省略する。駆動回路N1は、図5に示すように、駆動電源33aと、複数のNPN型のバイポーラ・トランジスタであるトランジスタQ1、トランジスタQ3と、複数のPNP型のバイポーラ・トランジスタであるトランジスタQ2、トランジスタQ4と、複数の抵抗とを有する。駆動電源33aの電圧は、第1端子11aの入力電圧V1よりも高い電圧である。トランジスタQ1は、ベース端子が二次側コイル11の第1端子11aに接続され、エミッタ端子がGNDに接続され、コレクタ端子がトランジスタQ4のベース端子に接続される。トランジスタQ4は、エミッタ端子が駆動電源33aに接続され、コレクタ端子がトランジスタQ3のベース端子に接続される。トランジスタQ3は、コレクタ端子がトランジスタQ4のコレクタ端子に接続され、エミッタ端子がFETM1のゲート端子に接続される。トランジスタQ2は、ベース端子がトランジスタQ4のコレクタ端子に接続され、エミッタ端子がFETM1のゲート端子に接続され、コレクタ端子がFETM1のソース端子に接続される。各抵抗は、トランジスタQ1〜トランジスタQ4の間等に適宜設けられる。
図5、図6を参照して駆動回路N1によりFETM1をオンする例について説明する。駆動回路N1は、第1端子11aに印加された入力電圧V1を分圧した電圧VQ1がトランジスタQ1の電圧Vbe以上の場合、つまり、駆動信号S1がハイレベルの場合、トランジスタQ1がオンする。駆動回路N1は、トランジスタQ1がオンになり電流が流れる経路ができるため、トランジスタQ4のエミッタ端子とベース端子との間に電位差が生じてトランジスタQ4がオンする。駆動回路N1は、トランジスタQ4がオンすると駆動電源33aの電圧がトランジスタQ3のベース端子に印加されトランジスタQ3がオンする。駆動回路N1は、トランジスタQ3がオンすると、FETM1のゲート端子にゲート電流Igsが流れて充電されるのでFETM1のゲート電圧Vgsが徐々に上昇していき閾値Vthg以上になるとFETM1がオンする。駆動回路N1は、FETM1のゲート端子への充電が終了すると、FETM1のゲート電圧Vgsが駆動電源33aの電圧に近づきトランジスタQ3がオフになるが、FETM1のゲート端子に電荷が溜まっているのでFETM1のオンが維持される。
次に、図6、図7を参照して駆動回路N1によりFETM1をオフする例について説明する。駆動回路N1は、第1端子11aに印加された電圧を分圧した電圧VQ1がトランジスタQ1の電圧Vbeより小さい場合、つまり、駆動信号S1がローレベルの場合、トランジスタQ1がオフする。駆動回路N1は、トランジスタQ1がオフするとトランジスタQ4のエミッタ端子とベース端子との間に電位差がなくなるのでトランジスタQ4がオフする。駆動回路N1は、トランジスタQ4がオフすると駆動電源33aの電圧がトランジスタQ3のベース端子に印加されないのでトランジスタQ3がオフする。また、駆動回路N1は、トランジスタQ4がオフするとトランジスタQ2のベース電圧が第1端子11aの入力電圧V1に低下する。駆動回路N1は、FETM1のゲート電圧VgsがトランジスタQ2のエミッタ端子に印加されているので、トランジスタQ4のオフ直後においてトランジスタQ2のエミッタ端子の電圧がベース端子の電圧よりも高くなる。これにより、駆動回路N1は、トランジスタQ2のエミッタ端子とベース端子との間に電流が流れてトランジスタQ2がオンする。駆動回路N1は、トランジスタQ2がオンするとFETM1のゲート端子とソース端子とが接続状態となり、ゲート端子に溜まった電荷が放電されFETM1がオフする。駆動回路N1は、FETM1のゲート端子の電荷が放電されるとトランジスタQ2のエミッタ端子の電圧が第1端子11aの入力電圧V1になるためトランジスタQ2がオフする。
次に、受電装置1の逆流抑制回路40について説明する。逆流抑制回路40は、送電装置と受電装置1とのインピーダンスの不整合により平滑回路20から同期整流回路30に電流が逆流することを抑制する回路である。逆流抑制回路40は、抵抗としてのシャント抵抗41と、判定回路としてのコンパレータ42と、複数の抵抗R1〜R4とを有する(図1参照)。シャント抵抗41は、同期整流回路30と平滑回路20との間に設けられる。コンパレータ42は、シャント抵抗41の一端にかかる電圧を抵抗R1、R2により分圧する第1接続線43に当該コンパレータ42の入力端子Vin+が接続される。また、コンパレータ42は、シャント抵抗41の他端にかかる電圧を抵抗R3、R4により分圧する第2接続線44に当該コンパレータ42の入力端子Vin−が接続される。コンパレータ42は、それぞれの入力端子Vin+、Vin−に入力される電圧が、抵抗R1〜R4による分圧に応じて設定される。実施形態では、コンパレータ42は、入力端子Vin+と入力端子Vin−とに入力される電圧の分圧抵抗を同等にしている。コンパレータ42は、当該コンパレータ42の出力端子Voutが駆動回路N1〜N4に接続される。コンパレータ42は、シャント抵抗41の両端の電位差である電圧降下に基づいて同期整流回路30から平滑回路20に流れる電流を判定する。コンパレータ42は、例えば、シャント抵抗41の電圧降下に基づく検出電流Ic(電流)と予め定められた電流閾値Ith(閾値)とを比較し、検出電流Icが電流閾値Ithよりも小さい場合、FETM1〜M4をオフするように駆動回路N1〜N4を制御する(図8参照)。
逆流抑制回路40は、検出電流Icが電流閾値Ithより小さい場合、駆動回路N1〜N4を介してFETM1〜M4にハイレベルの停止信号S3を出力する。ここで、停止信号S3(ハイレベル)は、FETM1〜M4を強制的にオフにする信号である。同期整流回路30は、逆流抑制回路40から停止信号S3(ハイレベル)が出力された場合、FETM1〜M4をオフし、ダイオードD1、D4(D2、D3)を通電経路として電流を流す。このとき、同期整流回路30は、例えば、当該FETM1、M4をオンすることを示す駆動信号S1(ハイレベル)が出力されても、逆流抑制回路40の停止信号S3(ハイレベル)によりFETM1、M4を強制的にオフする。逆流抑制回路40は、検出電流Icが電流閾値Ith以上である場合、ローレベルの停止信号S3を出力する。同期整流回路30は、例えば、停止信号S3(ローレベル)且つ駆動信号S1(ハイレベル)である場合、FETM1、M4をオンし、FETM1、M4を通電経路として電流を流す。このように、同期整流回路30は、逆流抑制回路40から停止信号S3(ハイレベル)が出力された場合、つまり、二次側コイル11の入力電圧V1、V2が低下した場合、FETM1〜M4をオフして通電経路をダイオードD1〜D4に切り替える。この切り替えにより、同期整流回路30は、二次側コイル11の入力電圧V1、V2が低下して平滑回路20側の電圧が二次側コイル11の入力電圧V1、V2よりも高くなっても、平滑回路20側から同期整流回路30側に電流が逆流することを抑制できる(図8の囲み部分K)。
次に、駆動回路N1〜N4の停止信号S3に基づく動作について詳細に説明する。なお、駆動回路N1〜N4は、それぞれ同等の構成のため、駆動回路N1について説明し、駆動回路N2〜N4の説明は省略する。駆動回路N1は、図9に示すように、さらに、FETM5と、PNP型のバイポーラ・トランジスタであるトランジスタQ5とを有する。FETM5は、ゲート端子がコンパレータ42の出力端子Voutに接続され、ドレイン端子が駆動電源33aに接続され、ソース端子がGNDに接続される。トランジスタQ5は、エミッタ端子が駆動電源33aに接続され、ベース端子がFETM5のドレイン端子に接続され、コレクタ端子がトランジスタQ4のベース端子に接続される。
駆動回路N1は、FETM5のゲート端子にコンパレータ42から停止信号S3(ハイレベル)が出力されるとFETM5がオンする。駆動回路N1は、FETM5がオンすると駆動電源33aとGNDとの間に通電経路ができるのでトランジスタQ5のベース電圧が駆動電源33aの電圧から分圧分だけ低下することによる電位差によってトランジスタQ5がオンする。駆動回路N1は、トランジスタQ5がオンするとトランジスタQ4のエミッタ端子とベース端子との間が短絡された状態で固定されトランジスタQ4がオフする。これにより、駆動回路N1は、停止信号S3(ハイレベル)によりFETM5がオンにされている間、駆動信号S1がハイレベルであっても、トランジスタQ4がオンになることはないため、停止信号S3(ハイレベル)によりFETM1が強制的にオフになる。
次に、図10〜図12を参照して受電装置1の一連の動作について説明する。受電装置1は、送電装置の1次側コイルを介して電力が供給されていない状態では、駆動信号S1、S2がローレベルであり、停止信号S3がハイレベルであり、この結果、FETM1〜M4がオフである。受電装置1は、送電装置の1次側コイルを介して電力が供給されると、二次側コイル11の第1端子11aに入力電圧V1が印加される。同期整流回路30は、第1端子11a側において入力電圧V1が閾値V1th以上になると、ハイレベルの駆動信号S1を入力する(時刻t1)。このとき、同期整流回路30は、検出電流Icが電流閾値Ithより小さく停止信号S3がハイレベルであるため、FETM1、M4をオンせずにオフの状態を維持し、ダイオードD1、D4を介して電流が流れる(図11参照)。同期整流回路30は、時刻t2において検出電流Icが電流閾値Ith以上となると停止信号S3がハイレベルからローレベルとなる。これにより、同期整流回路30は、FETM1、M4をオンしてFETM1、M4を介して電流が流れる(図3参照)。同期整流回路30は、第1端子11aの入力電圧V1の低下に伴い検出電流Icが電流閾値Ithより小さくなると、ハイレベルの停止信号S3を入力する(時刻t3)。これにより、同期整流回路30は、FETM1、M4をオフしてダイオードD1、D4を介して電流が流れる(図11参照)。同期整流回路30は、第1端子11a側において入力電圧V1が閾値V1thより小さくなると、ローレベルの駆動信号S1を入力する(時刻t4)。
同期整流回路30は、第2端子11b側において入力電圧V2が閾値V2th以上になると、ハイレベルの駆動信号S2を入力する。このとき、同期整流回路30は、検出電流Icが電流閾値Ithより小さく停止信号S3がハイレベルであるため、FETM2、M3をオンせずにオフの状態を維持し、ダイオードD2、D3を介して電流が流れる(図12参照)。同期整流回路30は、時刻t5において検出電流Icが電流閾値Ith以上となるとローレベルの停止信号S3を入力する。これにより、同期整流回路30は、FETM2、M3をオンしてFETM2、M3を介して電流が流れる(図4参照)。同期整流回路30は、第2端子11bの入力電圧V2の低下に伴い検出電流Icが電流閾値Ithより小さくなると、ハイレベルの停止信号S3を入力する(時刻t6)。これにより、同期整流回路30は、FETM2、M3をオフしてダイオードD2、D3を介して電流が流れる(図12参照)。同期整流回路30は、第2端子11b側において入力電圧V2が閾値V2thより小さくなると、ローレベルの駆動信号S2を入力する。同期整流回路30は、第1端子11a側において入力電圧V1が閾値V1th以上になるとハイレベルの駆動信号S1を入力し(時刻t7)、検出電流Icが電流閾値Ith以上となるとローレベルの停止信号S3を入力し(時刻t8)、FETM1、M4をオンしてFETM1、M4を介して電流が流れる。このように、同期整流回路30は、駆動信号S1、S2及び停止信号S3に基づいてFETM1〜M4をオン・オフする。
以上のように、実施形態に係る受電装置1は、二次側コイル11と、同期整流回路30と、平滑回路20と、逆流抑制回路40とを備える。二次側コイル11は、一次側コイルから無線で送電される交流電力を受電する。同期整流回路30は、二次側コイル11により受電した交流電力を直流電力に整流するスイッチング素子部31を有する。平滑回路20は、同期整流回路30により整流された直流電力を平滑する。逆流抑制回路40は、スイッチング素子部31を制御する。例えば、逆流抑制回路40は、同期整流回路30から平滑回路20に流れる検出電流Icが予め定められた電流閾値Ithより小さい場合、同期整流回路30のスイッチング素子部31をオフする。
このように、受電装置1は、二次側コイル11の入力電圧V1、V2が低下した場合に、同期整流回路30のスイッチング素子部31をオフする。この構成により、受電装置1は、二次側コイル11の入力電圧V1、V2よりも平滑回路20側の電圧が大きくなっても、平滑回路20から同期整流回路30に電流が逆流することを抑制できる。この抑制により、受電装置1は、電力伝送効率の低下を抑制でき、同期整流を適正に行うことができる。また、受電装置1は、FETM1〜M4により整流を行うので従来のダイオードにより整流を行う場合と比較して導通損失を抑制できる。
上記受電装置1において、逆流抑制回路40は、シャント抵抗41と、コンパレータ42とを有する。シャント抵抗41は、同期整流回路30と平滑回路20との間に設けられる。コンパレータ42は、シャント抵抗41の電圧降下に基づく検出電流Icが電流閾値Ithより小さい場合、スイッチング素子部31をオフする。この構成により、受電装置1は、平滑回路20から同期整流回路30に電流が逆流することを抑制できる。
上記受電装置1において、同期整流回路30は、スイッチング素子部31と、駆動部33とを有する。スイッチング素子部31は、FETM1、FETM2、FETM3、及び、FETM4を有する。駆動部33は、FETM1を駆動する駆動回路N1、FETM2を駆動する駆動回路N2、FETM3を駆動する駆動回路N3、及び、FETM4を駆動する駆動回路N4を有する。同期整流回路30は、FETM1とFETM3とが直列に接続された第1直列回路31Aを形成する。同期整流回路30は、FETM2とFETM4とが直列に接続され、第1直列回路31Aよりも平滑回路20側に位置し、FETM2がFETM1側に配置され且つFETM4がFETM3側に配置される第2直列回路31Bを形成する。同期整流回路30は、第1直列回路31Aと第2直列回路31Bとが平滑回路20に並列接続される。同期整流回路30は、FETM1とFETM3との接続点に二次側コイル11の一方側の端子である第1端子11aが接続され、FETM2とFETM4との接続点に二次側コイル11の他方側の端子である第2端子11bが接続されたフルブリッジ回路を構成する。同期整流回路30は、二次側コイル11の第1端子11aが駆動回路N1及び駆動回路N4に接続され、二次側コイル11の第2端子11bが駆動回路N2及び駆動回路N3に接続される。
この構成により、受電装置1は、二次側コイル11の第1端子11a及び第2端子11bに印加される入力電圧V1、V2を用いて同期整流回路30のFETM1〜M4を駆動することができる。この構成により、受電装置1は、例えば、従来のように送信側からFETM1〜M4を駆動する駆動信号を受信する必要がないので、装置の構成を簡素化することができ製造コストを抑制できる。この結果、受電装置1は、同期整流を適正に行うことができる。
〔変形例〕
次に、実施形態の変形例について説明する。なお、変形例は、実施形態と同等の構成要素には同じ符号を付し、その詳細な説明を省略する。実施形態では、逆流抑制回路40は、各入力端子Vin+にかかる分圧抵抗を固定していたが、検出電流Icの立ち上がりと検出電流Icの立ち下がりとにおいて分圧抵抗を変更してもよい。例えば、変形例に係る受電装置1Aの逆流抑制回路40Aは、図13に示すように、第1接続線43に直列に接続された3つの抵抗R1、R2、R5と、各抵抗R1、R2、R5の接続関係を切り替えるFETM6とを有する。逆流抑制回路40Aは、FETM6のゲート端子がコンパレータ42の出力端子Voutに接続され、ドレイン端子が抵抗R2と抵抗R5との間に接続され、ソース端子がGNDに接続される。
逆流抑制回路40Aは、出力端子Voutからハイレベルの停止信号S3がFETM6のゲート端子に入力されFETM6がオンされると、抵抗R2が抵抗R5を介さずにGNDに接続される。これにより、逆流抑制回路40Aは、コンパレータ42の入力端子Vin+に印加される電圧の分圧抵抗を変更してヒステリシスを持たせることができるので、検出電流Icの立ち上がりと立ち下がりの閾値を別々に変更できる。
1、1A 受電装置
11 二次側コイル
11a 第1端子
11b 第2端子
20 平滑回路
30 同期整流回路
31 スイッチング素子部
31A 第1直列回路
31B 第2直列回路
33 駆動部
40、40A 逆流抑制回路(制御回路)
41 シャント抵抗(抵抗)
42 コンパレータ(判定回路)
Ic 検出電流(電流)
Ith 電流閾値(閾値)
M1 FET(第1スイッチング素子)
M2 FET(第2スイッチング素子)
M3 FET(第3スイッチング素子)
M4 FET(第4スイッチング素子)
N1 駆動回路(第1駆動回路)
N2 駆動回路(第2駆動回路)
N3 駆動回路(第3駆動回路)
N4 駆動回路(第4駆動回路)

Claims (3)

  1. 一次側コイルから無線で送電される交流電力を受電する二次側コイルと、
    前記二次側コイルにより受電した交流電力を直流電力に整流するスイッチング素子部、及び、前記スイッチング素子部を駆動する駆動回路を有する同期整流回路と、
    前記同期整流回路により整流された前記直流電力を平滑する平滑回路と、
    前記スイッチング素子部を制御する制御回路と、を備え、
    前記制御回路は、前記同期整流回路から前記平滑回路に流れる電流が予め定められた閾値より小さい場合、前記同期整流回路の前記スイッチング素子部をオフするものであって、
    前記同期整流回路と前記平滑回路との間に設けられる電圧降下判定用の抵抗と、
    分圧用の第1抵抗と、分圧用の第2抵抗と、分圧用の第3抵抗と、分圧用の第4抵抗と、分圧用の第5抵抗と、
    前記電圧降下判定用の抵抗の前記同期整流回路側の端部とグランドとの間に接続され、当該電圧降下判定用の抵抗側から順番に前記第1抵抗と前記第2抵抗と前記第3抵抗とを直列に接続する第1接続線と、
    前記電圧降下判定用の抵抗の前記平滑回路側の端部とグランドとの間に接続され、当該電圧降下判定用の抵抗側から順番に前記第4抵抗と前記第5抵抗とを直列に接続する第2接続線と、
    前記第1抵抗と前記第2抵抗との間に接続される第1入力端子、前記第4抵抗と前記第5抵抗との間に接続される第2入力端子、及び、前記駆動回路に接続される出力端子を有する判定回路と、
    前記判定回路の前記出力端子に接続されるゲート端子、前記第2抵抗と前記第3抵抗との間に接続されるドレイン端子、及び、グランドに接続されるソース端子を有するスイッチング素子とを含み、
    前記判定回路は、前記第1入力端子と前記第2入力端子との電圧の大きさを比較することにより、前記同期整流回路から前記平滑回路に流れる電流が前記閾値より小さいか否かを判定し、当該閾値より小さい場合に、前記スイッチング素子部をオフするための信号を前記出力端子から出力することを特徴とする受電装置。
  2. 前記判定回路は、
    前記電圧降下判定用の抵抗の電圧降下に基づく電流が前記閾値より小さい場合、前記駆動回路を介して前記スイッチング素子部をオフする請求項1に記載の受電装置。
  3. 前記同期整流回路は、
    第1スイッチング素子、第2スイッチング素子、第3スイッチング素子、及び、第4スイッチング素子を有する前記スイッチング素子部と、
    前記第1スイッチング素子を駆動する第1駆動回路、前記第2スイッチング素子を駆動する第2駆動回路、前記第3スイッチング素子を駆動する第3駆動回路、及び、前記第4スイッチング素子を駆動する第4駆動回路を有する駆動部と、を含んで構成され、
    前記第1スイッチング素子と前記第3スイッチング素子とが直列に接続された第1直列回路と、前記第2スイッチング素子と前記第4スイッチング素子とが直列に接続され前記第1直列回路よりも前記平滑回路側に位置し前記第2スイッチング素子が前記第1スイッチング素子側に配置され且つ前記第4スイッチング素子が前記第3スイッチング素子側に配置される第2直列回路とが前記平滑回路に並列接続され、前記第1スイッチング素子と前記第3スイッチング素子との接続点に前記二次側コイルの一方側の端子である第1端子が接続され、前記第2スイッチング素子と前記第4スイッチング素子との接続点に前記二次側コイルの他方側の端子である第2端子が接続されたフルブリッジ回路を構成し、前記第1端子が前記第1駆動回路及び前記第4駆動回路に接続され、前記第2端子が前記第2駆動回路及び前記第3駆動回路に接続される請求項1又は2に記載の受電装置。
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