JP4690717B2 - 半導体素子における高電圧の発生回路 - Google Patents
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Description
1)前記電荷ポンプブロックにて上昇された高電圧が、前記外部電源から入力される電源電圧より高い電圧レベルになるようにすること。
2)前記高電圧が、前記基準電圧より一定レベル以上に高ければ、前記電圧レベル感知部から出力される前記オシレータ制御信号が前記第1論理状態と論理的に反対である第2論理状態に変わるようにすること。
3)前記所定周期は、前記ポンピング制御信号の一周期の半分、すなわち、半周期であること。
4)前記クロックフィードバック部は、前記パワーアップ信号を反転するための第1インバータをさらに備えること。
5)前記オシレータが、前記オシレータイネーブル信号を受け取ってパルスを生成する第1NORゲートと、前記第1NORゲートの出力を受け取ってフィードバックさせる遅延ブロックと、前記第1NORゲートから出力されたパルスを受け取って反転されたポンピング制御信号を生成するための第1インバータと、前記反転されたポンピング制御信号を受け取ってポンピング制御信号を前記電荷ポンプブロックに出力するための第2インバータとを含むこと。
6)前記遅延ブロックは、複数のインバータからなること。
320 クロック発生部
330 チャージポンプ
340 クロックフィードバック部
Claims (8)
- 半導体素子に外部電源から印加される高電圧と基準電圧とを比べて前記高電圧が所定レベルに達しないとき、第1論理状態のオシレータ制御信号を出力する高電圧レベル感知器と、
前記オシレータ制御信号及び反転されたポンピング制御信号を入力して、オシレータイネーブル信号を所定周期の間に第1論理状態に維持することができるようにするクロックフィードバック部と、
前記オシレータイネーブル信号に対応して、周期的にトグルリングするポンピング制御信号を生成し、前記反転されたポンピング制御信号を前記クロックフィードバック部に出力するオシレータと、
前記ポンピング制御信号に対応して、高電圧のレベルを上昇させる電荷ポンプブロックとを備え、
前記クロックフィードバック部は、
前記オシレータ制御信号を入力して前記オシレータイネーブル信号を出力し、
前記オシレータイネーブル信号と、印加された電源電圧が所定のレベルに達するとき活性化される初期化のための入力信号と、前記反転されたポンピング制御信号を入力して、これに対応してパルスを出力するフリップフロップを備えていることを特徴とする半導体素子における高電圧発生回路。 - 半導体素子に外部電源から印加される高電圧と基準電圧とを比べて前記高電圧が所定レベルに達しないとき、第1論理状態のオシレータ制御信号を出力する高電圧レベル感知器と、
前記オシレータ制御信号及び反転されたポンピング制御信号を入力して、オシレータイネーブル信号を所定周期の間に第1論理状態に維持することができるようにするクロックフィードバック部と、
前記オシレータイネーブル信号に対応して、周期的にトグルリングするポンピング制御信号を生成し、前記反転されたポンピング制御信号を前記クロックフィードバック部に出力するオシレータと、
前記ポンピング制御信号に対応して、高電圧のレベルを上昇させる電荷ポンプブロックとを備え、
前記クロックフィードバック部は、
前記オシレータ制御信号を入力して前記オシレータイネーブル信号を出力する第1NORゲートと、
前記オシレータイネーブル信号と、印加された電源電圧が所定のレベルに達するとき活性化されるパワーアップ信号と前記反転されたポンピング制御信号を入力して、これに対応して前記第1NORゲートにパルスを出力する第2NORゲートとにより構成したフリップフロップを備えていることを特徴とする半導体素子における高電圧発生回路。 - 前記電荷ポンプブロックにて上昇された高電圧は、前記外部電源から入力される電源電圧より高い電圧レベルを有することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体素子における高電圧発生回路。
- 前記高電圧が、前記基準電圧より一定レベル以上に高ければ、前記電圧レベル感知部から出力される前記オシレータ制御信号が前記第1論理状態と論理的に反対である第2論理状態に変わることを特徴とする請求項3に記載の半導体素子における高電圧発生回路。
- 前記所定周期は、前記ポンピング制御信号の一周期の半周期であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体素子における高電圧発生回路。
- 前記クロックフィードバック部は、
前記パワーアップ信号を反転するための第1インバータをさらに備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体素子における高電圧発生回路。 - 前記オシレータが、
前記オシレータイネーブル信号を入力してパルスを生成する第1NORゲートと、
前記第1NORゲートの出力を入力してフィードバックさせる遅延ブロックと、
前記第1NORゲートから出力されたパルスを入力して反転されたポンピング制御信号を生成する第1インバータと、
前記反転されたポンピング制御信号を入力してポンピング制御信号を前記電荷ポンプブロックに出力する第2インバータと、
を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体素子における高電圧発生回路。 - 前記遅延ブロックは、複数のインバータからなることを特徴とする請求項7に記載の半導体素子における高電圧発生回路。
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