JP4687340B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
上記の半導体チップは、チップ回路を内蔵し、少なくとも一主面にチップ回路に接続してバンプが形成され、かつ、チップ位置モニター用パターンが形成されている。一方、実装基板は、実装基板回路を内蔵し、少なくとも一主面に実装基板回路に接続して接続電極が形成され、かつ、チップ位置モニター用パターンに対応する位置に実装基板位置モニター用パターンが形成されている。上記のバンプと接続電極が接合されて、半導体チップが実装基板にマウントされている。
ここで、少なくともチップ位置モニター用パターンの形成領域における半導体チップまたは実装基板位置モニター用パターンの形成領域における実装基板において、パターン禁止領域が設けられており、さらに、パターン禁止領域に隣接する領域にダミーパターン領域が設けられている。
ダミーパターン領域とは、例えばダミー、即ち、実際に使用するものと同様に形成されているが使用されない、金属配線、ゲート電極あるいは不純物拡散層などの構造が形成された領域である。
図1は本実施形態に係る半導体装置の模式断面図である。
半導体チップ1が実装基板2にマウントされて構成されている。本実施形態においては、実装基板2は半導体チップ1とは別の半導体チップから構成されており、実装基板2を下半導体チップと称し、実装基板上に実装された半導体チップ1を上半導体チップと称する。
ここで、本実施形態においては、上チップ位置モニター用パターン21mの形成領域における半導体チップ1において、金属配線などのパターンが形成されないパターン禁止領域Rfが設けられており、さらに、パターン禁止領域Rfに隣接する領域にダミーパターン領域Rdが設けられている。ダミーパターン領域Rdの外側に本パターン領域Rpが形成されている。
上半導体チップ1は、不図示の上チップ回路が形成された半導体基板10上に、例えば樹脂などの絶縁材料からなる絶縁層(11,12,13,14,15,16)が積層して形成されており、例えば、各絶縁層に形成された開口部に埋め込まれて形成されたプラグと各絶縁層上に所定のパターンで形成された配線が一体となった導電層(17,18,19,20,21)が形成されている。導電層21の一部は絶縁層16から露出して上パッド電極21pを構成している。
上パッド電極21pには上チップ側バンプ22が形成されている。
また、導電層(17,18,19,20,21)の一部は、ダミーパターン領域Rdにおいて所定のパターンに加工されて、ダミー配線(17d,18d,19d,20d)を構成している。
即ち、下半導体チップ2は、不図示の下チップ回路が形成された半導体基板30上に、例えば樹脂などの絶縁材料からなる絶縁層(31,32,33,34,35,36)が積層して形成されており、例えば、各絶縁層に形成された開口部に埋め込まれて形成されたプラグと各絶縁層上に所定のパターンで形成された配線が一体となった導電層(37,38,39,40,41)が形成されている。導電層41の一部は絶縁層36から露出して下パッド電極41pを構成している。
下パッド電極41pには下チップ側バンプ42が形成されている。
上記以外は、下半導体チップ2においては、パターン禁止領域Rf、ダミーパターン領域Rd、本パターン領域Rpの区別はなく、それぞれに相当する領域において、上記の導電層(37,38,39,40,41)がプラグ及び配線として形成されている。
ここで、上半導体チップ1が下半導体チップ2上にマウントされる領域が図3(a)中に破線で示されており、下チップ位置モニター用パターン及び41mのレイアウトは上チップ位置モニター用パターン21mに対応するように配置されていることを示している。
従って、上半導体チップの製造工程において、ダミーパターン領域Rdにおいてはパターンがないパターン禁止領域Rfに隣接しているために、プロセスが不均一となってしまい、金属配線パターンなどの形状異常やバラツキが生じることがあるが、ダミーパターン領域は実際に駆動されない領域なので問題がない。
一方で、本パターン領域Rdはダミーパターン領域Rdの分パターン禁止領域Rfから遠ざけられているので、本パターン領域Rdでの金属配線パターンなどの形状異常やバラツキが抑止され、回路動作の不安定化や信頼性の劣化を防止できる。
図4(a)は上記の上半導体チップ1を製造する工程の断面図である。
半導体基板に不図示の上チップ回路を形成し、その上層に絶縁層と導電層を積層させ、最上の導電層の一部を絶縁層から露出させて上パッド電極21pとする。同様に最上の導電層をパターン形成して上チップ位置モニター用パターン21mとする。
上パッド電極21pには上チップ側バンプ22を形成する。
半導体基板に不図示の下チップ回路を形成し、その上層に絶縁層と導電層を積層させ、最上の導電層の一部を絶縁層から露出させて下パッド電極41pとする。同様に最上の導電層をパターン形成して下チップ位置モニター用パターン41mとする。ここで、下チップ位置モニター用パターン41mは上半導体チップ1の上チップ位置モニター用パターンの位置に対応するようにして配置する。
下パッド電極41pには下チップ側バンプ42を形成する。
下チップ側バンプ42を上面に向けて置かれた下半導体チップ2上に、上チップ側バンプ22を下側に向けて上半導体チップ1対向させ、上チップ側バンプ22と下チップ側バンプ42とを位置合わせして、これらを接触させる。ローカルリフロー、圧着、超音波などにより上チップ側バンプ22と下チップ側バンプ42を接合することで、上半導体チップ1を下半導体チップ2にマウントする。
上記の上チップ側バンプ22と下チップ側バンプ42とを位置合わせの基準として、上チップ位置モニター用パターン42m及び下チップ位置モニター用パターン41mを用いてもよい。また、上チップ側バンプ22と下チップ側バンプ42とを位置合わせの基準となるマーカーを別途形成しておいてもよい。
以上で、本実施形態に係る半導体装置を製造することができる。
図5(a)及び(b)は両半導体チップの位置ズレ及びチップ間距離をモニターする方法を説明する模式断面図である。
まず、図5(a)に示すように、本実施形態の半導体装置の上チップ位置モニター用パターン42m及び下チップ位置モニター用パターン41mに赤外光などの照明光Liを照射する工程を示す。照明光Liは、上半導体チップを透過して用いられるので、赤外光やX線などのシリコン材料が透過する波長領域とする。
次に、図5(b)に示すように、上記のように照明光を照射したときの反射光Lrをモニターする。
本実施形態においては、上チップ位置モニター用パターン42m及び下チップ位置モニター用パターン41mはそれぞれ大きさの異なる正方形の形状としており、それらが重なった形状としてモニターされる。本実施形態においては、照明光を透過する側の上チップ位置モニター用パターン42mを小さくしてレイアウトしており、これらの相対位置から両チップの位置ズレをモニターでできる。
また、上記の反射像の明るさなどの解析から、チップ間距離をモニターすることができる。
なお、図では上チップ側にダミー配置領域およびパターン禁止領域を設けているが、下チップ側にダミー配置領域およびパターン禁止領域を設け、下チップ側からの赤外反射光を用いて、位置ずれまたはギャップを測定しても良い。
図6(a)は本実施形態に係る半導体装置の模式断面図である。
半導体チップ1が実装基板2にマウントされて構成されている。本実施形態においても、第1実施形態と同様に、実装基板2は半導体チップ1とは別の半導体チップから構成されており、実装基板2を下半導体チップと称し、実装基板上に実装された半導体チップ1を上半導体チップと称する。
上半導体チップ1は、実質的に第1実施形態の上半導体チップと同様の構成である。
即ち、本実施形態の半導体装置の上チップ位置モニター用パターン42m及び下チップ位置モニター用パターン41mに赤外光などの照明光Liを照射したときの透過光Ltをモニターする。
得られる透過光Ltをモニターして透過光の像を得て、第1実施形態と同様に両チップの位置ズレをモニターででき、また、透過光像の明るさなどの解析から、チップ間距離をモニターすることができる。
なお、図では上チップ側にダミー配置領域およびパターン禁止領域を設けているが、下チップ側にダミー配置領域およびパターン禁止領域を設け、下チップ側からの赤外透過光を用いて、位置ずれまたはギャップを測定しても良い。
従って、上半導体チップ及び下半導体チップの各製造工程において、ダミーパターン領域Rdにおいてはパターンがないパターン禁止領域Rfに隣接しているために、プロセスが不均一となってしまい、金属配線パターンなどの形状異常やバラツキが生じることがあるが、ダミーパターン領域は実際に駆動されない領域なので問題がない。
一方で、本パターン領域Rdはダミーパターン領域Rdの分パターン禁止領域Rfから遠ざけられているので、本パターン領域Rdでの金属配線パターンなどの形状異常やバラツキが抑止され、回路動作の不安定化や信頼性の劣化を防止できる。
このため、パターン禁止領域においてはゲート電極及び不純物拡散層のパターンを配置することも禁止される。
例えば、実装基板としては上記の実施形態では下半導体チップを用いているが、半導体チップの他、樹脂基板やセラミック基板などの通常の実装基板や中間基板などを用いることができる。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
Claims (7)
- チップ回路を内蔵し、少なくとも一主面に前記チップ回路に接続してバンプが形成され、かつ、チップ位置モニター用パターンが形成された半導体チップと、
実装基板回路を内蔵し、少なくとも一主面に前記実装基板回路に接続して接続電極が形成され、かつ、前記チップ位置モニター用パターンに対応する位置に実装基板位置モニター用パターンが形成されており、前記バンプと前記接続電極が接合されて前記半導体チップがマウントされた実装基板と、
を有し、
少なくとも前記チップ位置モニター用パターンの形成領域における前記半導体チップまたは前記実装基板位置モニター用パターンの形成領域における前記実装基板において、パターン禁止領域が設けられており、
前記パターン禁止領域に隣接する領域にダミーパターン領域が設けられている
半導体装置。 - 前記実装基板が前記半導体チップと別の第2の半導体チップである
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記接続電極が前記実装基板回路に接続して形成されたバンプである
請求項2に記載の半導体装置。 - 前記チップ位置モニター用パターンの形成領域における前記半導体チップにおいて、チップ側パターン禁止領域が設けられており、前記チップ側パターン禁止領域に隣接する領域にチップ側ダミーパターン領域が設けられており、
前記実装基板位置モニター用パターンの形成領域における前記実装基板において、実装基板側パターン禁止領域が設けられており、前記実装基板側パターン禁止領域に隣接する領域に実装基板側ダミーパターン領域が設けられている
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記ダミーパターン領域において、ダミーの金属配線が形成されている
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記ダミーパターン領域において、ダミーのゲート電極が形成されている
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記ダミーパターン領域において、ダミーの不純物拡散層が形成されている
請求項1に記載の半導体装置。
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JP4699494B2 (ja) * | 2008-04-24 | 2011-06-08 | シャープ株式会社 | Icチップ実装パッケージ、及びこれを備えた画像表示装置 |
JP5696076B2 (ja) * | 2012-03-21 | 2015-04-08 | 株式会社東芝 | 半導体装置の検査装置及び半導体装置の検査方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5942037U (ja) * | 1982-09-10 | 1984-03-17 | 富士通株式会社 | フエ−スダウンボンデイング装置 |
JPH03101142A (ja) * | 1989-09-13 | 1991-04-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH0462944A (ja) * | 1990-07-02 | 1992-02-27 | Toshiba Seiki Kk | インナーリードボンディング方法 |
JPH07335696A (ja) * | 1994-06-14 | 1995-12-22 | Toshiba Corp | 部品の実装方法およびこれに用いる部品の実装装置 |
JPH1012661A (ja) * | 1996-06-19 | 1998-01-16 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH10125728A (ja) * | 1996-10-23 | 1998-05-15 | Casio Comput Co Ltd | ボンディング方法 |
JPH11102932A (ja) * | 1997-07-30 | 1999-04-13 | Seiko Epson Corp | Ic実装構造、液晶装置及び電子機器 |
JP2001110983A (ja) * | 1999-10-14 | 2001-04-20 | Rohm Co Ltd | 半導体装置および半導体チップ、ならびに半導体装置の製造方法 |
JP2001217282A (ja) * | 2000-02-03 | 2001-08-10 | Seiko Epson Corp | 半導体素子の実装構造、表示装置及び電子機器 |
JP2004214699A (ja) * | 1996-11-08 | 2004-07-29 | Ricoh Co Ltd | 半導体実装用回路基板およびそれを備えた半導体装置 |
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2005
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5942037U (ja) * | 1982-09-10 | 1984-03-17 | 富士通株式会社 | フエ−スダウンボンデイング装置 |
JPH03101142A (ja) * | 1989-09-13 | 1991-04-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH0462944A (ja) * | 1990-07-02 | 1992-02-27 | Toshiba Seiki Kk | インナーリードボンディング方法 |
JPH07335696A (ja) * | 1994-06-14 | 1995-12-22 | Toshiba Corp | 部品の実装方法およびこれに用いる部品の実装装置 |
JPH1012661A (ja) * | 1996-06-19 | 1998-01-16 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH10125728A (ja) * | 1996-10-23 | 1998-05-15 | Casio Comput Co Ltd | ボンディング方法 |
JP2004214699A (ja) * | 1996-11-08 | 2004-07-29 | Ricoh Co Ltd | 半導体実装用回路基板およびそれを備えた半導体装置 |
JPH11102932A (ja) * | 1997-07-30 | 1999-04-13 | Seiko Epson Corp | Ic実装構造、液晶装置及び電子機器 |
JP2001110983A (ja) * | 1999-10-14 | 2001-04-20 | Rohm Co Ltd | 半導体装置および半導体チップ、ならびに半導体装置の製造方法 |
JP2001217282A (ja) * | 2000-02-03 | 2001-08-10 | Seiko Epson Corp | 半導体素子の実装構造、表示装置及び電子機器 |
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