JP4680953B2 - 多座配位β−ケトイミナート金属錯体 - Google Patents
多座配位β−ケトイミナート金属錯体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4680953B2 JP4680953B2 JP2007115819A JP2007115819A JP4680953B2 JP 4680953 B2 JP4680953 B2 JP 4680953B2 JP 2007115819 A JP2007115819 A JP 2007115819A JP 2007115819 A JP2007115819 A JP 2007115819A JP 4680953 B2 JP4680953 B2 JP 4680953B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- metal
- methyl
- ethyl
- ether
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 title description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 78
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 73
- -1 ether compound Chemical class 0.000 claims description 66
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 35
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 29
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 27
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 27
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 24
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 21
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 21
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 17
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 15
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 15
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 12
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 12
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 12
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 9
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 8
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 6
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 5
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 5
- 150000003857 carboxamides Chemical class 0.000 claims description 5
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 claims description 5
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 5
- 125000001973 tert-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 5
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000001983 dialkylethers Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PZYDAVFRVJXFHS-UHFFFAOYSA-N n-cyclohexyl-2-pyrrolidone Chemical compound O=C1CCCN1C1CCCCC1 PZYDAVFRVJXFHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000002895 organic esters Chemical class 0.000 claims description 4
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 2
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims 18
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims 2
- ZFPGARUNNKGOBB-UHFFFAOYSA-N 1-Ethyl-2-pyrrolidinone Chemical compound CCN1CCCC1=O ZFPGARUNNKGOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 48
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 33
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 33
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 30
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 30
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 28
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 20
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 19
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 19
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 19
- VSBJOMJQJLJPMB-UHFFFAOYSA-N 5-[2-(dimethylamino)ethylimino]-2,2-dimethylhexan-3-one Chemical compound CN(C)CCN=C(C)CC(=O)C(C)(C)C VSBJOMJQJLJPMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 12
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 12
- 125000004213 tert-butoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(O*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 12
- 238000004467 single crystal X-ray diffraction Methods 0.000 description 11
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 239000003039 volatile agent Substances 0.000 description 8
- YPHLYXXEXBWEFV-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(dimethylamino)ethylimino]pentan-2-one Chemical compound CN(C)CCN=C(C)CC(C)=O YPHLYXXEXBWEFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 description 6
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N N-Butyllithium Chemical compound [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 5
- 229910000104 sodium hydride Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 description 5
- OMPMLFBRLBCHGW-UHFFFAOYSA-N 5-[2-(diethylamino)ethylimino]-2,2-dimethylhexan-3-one Chemical compound CCN(CC)CCN=C(C)CC(=O)C(C)(C)C OMPMLFBRLBCHGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 4
- 238000010626 work up procedure Methods 0.000 description 4
- AHFNSWYSDBXHKD-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(dimethylamino)propylimino]-2,2-dimethylhexan-3-one Chemical compound CN(C)CCCN=C(C)CC(=O)C(C)(C)C AHFNSWYSDBXHKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- DILRJUIACXKSQE-UHFFFAOYSA-N n',n'-dimethylethane-1,2-diamine Chemical compound CN(C)CCN DILRJUIACXKSQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 3
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 3
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 3
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GBNDTYKAOXLLID-UHFFFAOYSA-N zirconium(4+) ion Chemical compound [Zr+4] GBNDTYKAOXLLID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LCLCVVVHIPPHCG-UHFFFAOYSA-N 5,5-dimethylhexane-2,4-dione Chemical compound CC(=O)CC(=O)C(C)(C)C LCLCVVVHIPPHCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHHFBKSDEKJPCZ-UHFFFAOYSA-N 5-[2-[2-(dimethylamino)ethoxy]ethylimino]-2,2-dimethylhexan-3-one Chemical compound CN(C)CCOCCN=C(C)CC(=O)C(C)(C)C VHHFBKSDEKJPCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 0 C*CC1[U]*=C(*)C(*)=C1* Chemical compound C*CC1[U]*=C(*)C(*)=C1* 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 2
- 238000002290 gas chromatography-mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 125000001841 imino group Chemical group [H]N=* 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002829 nitrogen Chemical group 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- MIOZXHSALLZYTG-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(dimethylamino)ethoxy]ethanamine Chemical compound CN(C)CCOCCN MIOZXHSALLZYTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LWCNXQIPAYIHBR-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(diethylamino)propylimino]-2,2-dimethylhexan-3-one Chemical compound CCN(CC)CCCN=C(C)CC(=O)C(C)(C)C LWCNXQIPAYIHBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003512 Claisen condensation reaction Methods 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019502 Orange oil Nutrition 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002262 Schiff base Substances 0.000 description 1
- 150000004753 Schiff bases Chemical class 0.000 description 1
- KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N Sodium Chemical compound [Na] KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCKIEQZJEYYRIY-UHFFFAOYSA-N Titanium ion Chemical compound [Ti+4] LCKIEQZJEYYRIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001552 barium Chemical class 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- IUNMPGNGSSIWFP-UHFFFAOYSA-N dimethylaminopropylamine Chemical compound CN(C)CCCN IUNMPGNGSSIWFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000004494 ethyl ester group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- NDOGLIPWGGRQCO-UHFFFAOYSA-N hexane-2,4-dione Chemical compound CCC(=O)CC(C)=O NDOGLIPWGGRQCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 230000009878 intermolecular interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000103 lithium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003002 lithium salt Inorganic materials 0.000 description 1
- 159000000002 lithium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000003760 magnetic stirring Methods 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052987 metal hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004681 metal hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- UDGSVBYJWHOHNN-UHFFFAOYSA-N n',n'-diethylethane-1,2-diamine Chemical compound CCN(CC)CCN UDGSVBYJWHOHNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QOHMWDJIBGVPIF-UHFFFAOYSA-N n',n'-diethylpropane-1,3-diamine Chemical compound CCN(CC)CCCN QOHMWDJIBGVPIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 235000019198 oils Nutrition 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000010502 orange oil Substances 0.000 description 1
- 210000000056 organ Anatomy 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NTTOTNSKUYCDAV-UHFFFAOYSA-N potassium hydride Chemical compound [KH] NTTOTNSKUYCDAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000105 potassium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- BPEVHDGLPIIAGH-UHFFFAOYSA-N ruthenium(3+) Chemical class [Ru+3] BPEVHDGLPIIAGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- ODZPKZBBUMBTMG-UHFFFAOYSA-N sodium amide Chemical compound [NH2-].[Na+] ODZPKZBBUMBTMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012312 sodium hydride Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- JLQFVGYYVXALAG-CFEVTAHFSA-N yasmin 28 Chemical compound OC1=CC=C2[C@H]3CC[C@](C)([C@](CC4)(O)C#C)[C@@H]4[C@@H]3CCC2=C1.C([C@]12[C@H]3C[C@H]3[C@H]3[C@H]4[C@@H]([C@]5(CCC(=O)C=C5[C@@H]5C[C@@H]54)C)CC[C@@]31C)CC(=O)O2 JLQFVGYYVXALAG-CFEVTAHFSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 150000003754 zirconium Chemical class 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
- C07F9/005—Compounds of elements of Group 5 of the Periodic Table without metal-carbon linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F3/00—Compounds containing elements of Groups 2 or 12 of the Periodic Table
- C07F3/04—Calcium compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F17/00—Metallocenes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/003—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table without C-Metal linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/28—Titanium compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
- Catalysts (AREA)
Description
本発明は、金属含有多座配位β−ケトイミナート及びその溶液に関する。
半導体製造産業は、原子層堆積を含む化学気相堆積処理用の金属源含有前駆体を常に必要としており、シリコン、金属窒化物、金属酸化物、及びこれらの金属含有前駆体を用いた他の金属含有層のような基材上に、コンフォーマル金属含有膜を作製するために使われる。
米国特許第５８２０６６４号明細書
特開平６−２９８７１４号明細書
欧州特許公開第１２２７０７９号明細書
国際公開第２００４００２９４６号明細書
欧州特許第３６９２９７号明細書
国際公開第０２／０１８３９４号明細書
DOUGLAS L SCHULZ, et al, New Precursors for Barium MOCVD, Inorg. Chem., 1993, 249-250, 32, 3, Amer. Chem. Soc.
SERGEJ PASKO, et al, Synthesis and Characterization of New Alkaline Earth Metal B-ketoiminates, Inorg. Chem., 2005, 483-487, 8, Elsevier B.V.
PIER LUIGI FRANCESCHINI, et al, Volatile B-ketoiminato- and B-Diketiminator-Based Zirconium Complexes as Potential MOCVD Precursors, Inorg. Chem., 2003, 7273-7282, 42, Amer. Chemi. Soc.
TSUNG-YI CHOU, et al, Synthesis and Characterization of Tris(B-ketoiminator)ruthenium(III) Complexes:... Chem. Vap. Deposition, 2004, 10, 3, 149-158
SUNKWON LIM, et al, A Study on the Development of Chemical Vapor Deposition Precursors. 4. Synthesis and ... Chem. Mater., 2002, 14, 1548-1554, Amer. Chem. Soc.
SUNKWON LIM, et al, A Study on the Development of CVD Precursors V - Synthesis and Characterization of new N-alkoxy-B-ketoiminate Complexes of Titanium, Jour. Organ. Chem., 2004, 689, 224-237, Elsevier B.V.
NIKKI L. EDLEMAN, et al, Synthesis and Characterization of Volatile, Fluorine-Free B-Ketoiminate Lanthanide MOCVD Precursors and Their Implementation In ... Inorg. Chem., 2002, 41, 5005-5023, Amer. Chem. Soc.
DANIEL B. STUDEBAKER, et al, Encapsulating Bis(B-Ketoiminator) Polyethers, Volatile, Fluorine-Free Barium Precursors for Metal ... Inorg. Chem. 2000, 39, 3148-3157, Amer. Chem. Soc.
JASON S. MATTHEWS, et al, Group 2 Element Precursors for the Chemical Vapor Deposition of Electronic Materials, Adv. in Inorg. Chem., 50, 2000, 173-192, Academic Press
本発明は、窒素又は酸素の官能基が多座配位β−ケトイミナートのイミノ基に組み込まれている、金属含有多座配位β−ケトイミナート及びその溶液を対象とし、その多座配位β−ケトイミナートは、次の構造で表される群から選択される。
式中、Ｍは価数が２〜５の金属である。金属の例として、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、チタン、ジルコニウム、バナジウム、タングステン、マンガン、コバルト、鉄、ニッケル、ルテニウム、亜鉛、銅、パラジウム、白金、イリジウム、レニウム及びオスミウムが挙げられる。様々な有機基が使用でき、例えば、Ｒ1は、炭素原子が１〜１０個、好ましくは炭素原子を１〜６個含有する基である、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ2は、水素、アルキル、アルコキシ、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ3は、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ4は、アルキレン架橋基、好ましくは炭素原子を２又は３個含有する基であって、金属中心に配位して５員環又は６員環を形成し；Ｒ5及びＲ6はそれぞれ、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され、それらが連結して炭素原子、酸素原子又は窒素原子を含有する環を形成してもよい。添字ｎは金属Ｍの価数と等しい整数である。
式中、Ｍは、チタン、ジルコニウム及びハフニウムを含む、４族及び５族の金属から選択される金属イオンであり；Ｒ1は、好ましくは炭素原子を１〜６個含有する基である、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ2は、水素、アルキル、アルコキシ、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ3は、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ4は、アルキレン架橋基、好ましくは炭素原子を２又は３個含有する基であって、金属中心に配位して５員環又は６員環を形成し；Ｒ5及びＲ6はそれぞれ、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され、それらが連結して炭素原子、酸素原子又は窒素原子を含有する環を形成してもよい。Ｒ7は、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；ｍ及びｎは少なくとも１であって、ｍ＋ｎの合計は金属の価数と等しい。
式中、具体例として、Ｍはアルカリ土類金属、例えばカルシウム、ストロンチウム、バリウムであり；Ｒ1は、好ましくは炭素原子を１〜６個含有する基である、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ2は、水素、アルキル、アルコキシ、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ3は、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ4及びＲ5はそれぞれ、炭素原子２個のアルキレン架橋基であって、金属中心に配位して５員環を形成し；Ｒ6及びＲ7はそれぞれ、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され、あるいはそれらが連結して炭素原子、酸素原子又は窒素原子を含有する環を形成してもよく；Ｘは、酸素、又は水素、アルキル基もしくはアリール基で置換された窒素のいずれかである。
これらの金属含有多座β−ケトイミナートを化学気相堆積又は原子層堆積用の前駆体として使用することによって、いくつかの利点が実現でき、例えば、
反応性錯体を良好な収率で形成する能力；
１種類の配位子が配位した、単量体錯体、特にストロンチウム錯体及びバリウム錯体を形成し、高い蒸気圧を実現できる能力；
幅広い電気的用途での使用に適した、高度にコンフォーマルな金属薄膜を製造する能力；
マイクロエレクトロニクスデバイスでの使用に適した、高度にコンフォーマルな金属酸化物薄膜を形成する能力：
錯体が高い化学反応性を有するために、金属含有多座β−ケトイミナートと基材表面との間の表面反応を促進する能力；及び
Ｒ1基〜Ｒ7基を変えることにより、これらの金属含有多座β−ケトイミナートの物理的特性を調節する能力
が挙げられる。
反応性錯体を良好な収率で形成する能力；
１種類の配位子が配位した、単量体錯体、特にストロンチウム錯体及びバリウム錯体を形成し、高い蒸気圧を実現できる能力；
幅広い電気的用途での使用に適した、高度にコンフォーマルな金属薄膜を製造する能力；
マイクロエレクトロニクスデバイスでの使用に適した、高度にコンフォーマルな金属酸化物薄膜を形成する能力：
錯体が高い化学反応性を有するために、金属含有多座β−ケトイミナートと基材表面との間の表面反応を促進する能力；及び
Ｒ1基〜Ｒ7基を変えることにより、これらの金属含有多座β−ケトイミナートの物理的特性を調節する能力
が挙げられる。
本発明は、金属含有多座β−ケトイミナート前駆体と、堆積処理、例えばＣＶＤ及びＡＬＤを介して、シリコン、金属窒化物、金属酸化物及び他の金属層のような基材上に、コンフォーマル金属含有膜を作製するのに有用である、それらの前駆体の溶液とに関する。そのようなコンフォーマル金属含有膜の用途は、コンピュータチップ、光学デバイス、磁気情報記憶装置から、支持材料に被着した金属触媒の範囲に及ぶ。従来の多座β−ケトイミナート前駆体と対照的に、この多座β−ケトイミナート配位子には、少なくとも１つのアミノ有機イミノ官能基が組み込まれており、報告されている文献とは対照的に、この官能基はアルコキシ基を供与性配位子とする。
気相堆積処理用の酸化剤として、酸素、過酸化水素及びオゾンが挙げられ、堆積処理用の還元剤として、水素、ヒドラジン、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン及びアンモニアが挙げられる。
ある種類の金属前駆体構造が以下の構造１Ａに図示されており、次式の金属Ｍは２価である。
式中、Ｍは２族、８族、９族、１０族の金属原子から選択される。この前駆体において好ましくは、Ｒ1は、金属がストロンチウム及びバリウムの場合はＣ1-10アルキル基、好ましくはｔｅｒｔ−ブチル基又はｔｅｒｔ−ペンチル基、コバルト又はニッケルの場合はＣ1-5、Ｒ 2 は、水素、アルキル、アルコキシ、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され、Ｒ 3 は、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され、Ｒ5及びＲ6はそれぞれ低級Ｃ1-3、好ましくはメチル基、Ｒ4はＣ2-3アルキレン架橋基、好ましくはエチレン基である。好ましい金属は、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、鉄、コバルト及びニッケルである。
多座β−ケトイミナート配位子を含有する第１の種類の金属錯体の範囲で、別の種類の構造が以下の構造２Ａに図示されており、次式の金属Ｍは３価である。
式中、Ｍは３族の金属原子から選択される。この前駆体において好ましくは、Ｒ1はＣ4-6アルキル基、好ましくはｔｅｒｔ−ブチル基及びｔｅｒｔ−ペンチル基、Ｒ 2 は、水素、アルキル、アルコキシ、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され、Ｒ 3 は、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され、Ｒ5及びＲ6はそれぞれ低級Ｃ1-3、好ましくはメチル基、Ｒ4はＣ2-3アルキレン架橋基、好ましくはエチレン基である。好ましい金属は、スカンジウム、イットリウムおよびランタンである。
第２の種類の金属含有前駆体は、式Ｂに示される多座β−ケトイミナート配位子から構成される。
式中、Ｍは、チタン、ジルコニウム又はハフニウムのような、４族又は５族の金属である。示すように、錯体は、少なくとも１つのアルコキシ配位子と、少なくとも１つのアミノ有機イミノを有する多座β−ケトイミナート配位子とからなる。好ましいＲ1基〜Ｒ6基は式Ａと同様である。好ましいＲ7基は、直鎖又は分岐アルキル、例えばイソプロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチル及びｔｅｒｔ−ブチルであり、ｍ及びｎは少なくとも１であって、ｍ＋ｎの合計が金属の価数と等しい。
最後の種類の金属含有多座β−ケトイミナート前駆体を、式Ｃに示す。
式中、Ｍはアルカリ土類金属であり、Ｒ1は、炭素原子を１〜１０個有する、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ2及びＲ3はそれぞれ、水素、アルキル、アルコキシ、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ4及びＲ5はそれぞれ、Ｃ2-3のアルキレン架橋基、好ましくはエチレン基；Ｒ6及びＲ7はそれぞれ、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族、アリール、及び酸素原子又は窒素原子を含有する複素環；Ｘは、酸素、又は水素、アルキル基もしくはアリール基で置換された窒素のいずれかである。
多座β−ケトイミナート配位子は、周知の手順、例えば、ナトリウムアミド又は水素化ナトリウムのような強塩基の存在下、嵩高いケトンとエチルエステルとのクライゼン縮合の後に、他の既知の手順、例えばアルキルアミノアルキルアミンとのシッフ塩基縮合反応を行って調製できる。
配位子は、液体については真空蒸留、固体については結晶化によって精製できる。
高収率で多座配位子を生成する好ましい方法として、嵩高いＲ1基、例えばケトン官能基と連結する炭素に水素が結合していないＣ4-10アルキル基を選択することが好ましく、最も好ましいＲ1基はｔｅｒｔ−ブチル又はｔｅｒｔ−ペンチルである。Ｒ1基は後のシッフ縮合で起こる副反応を防ぎ、後ほど金属中心を分子間相互作用から保護する。得られる金属含有錯体の分子量を低くし、高い蒸気圧を有する錯体を得ることを可能にするためには、競合する問題、すなわち多座配位子のＲ1基〜Ｒ7基はできる限り小さくなければならないといった問題が存在する。得られる錯体を、金属中心に配位した５員環又は６員環の形成を介してより安定にするため、好ましいＲ4基及びＲ5基は炭素原子を２〜３個含有する。
次に、この得られた３座配位子を、純粋な金属、金属アミド、金属水素化物及び金属アルコキシドと反応させて、金属含有錯体を調製できる。また、多座配位子をアルキルリチウム又は水素化カリウムと反応させて配位子のリチウム塩又はカリウム塩を得て、その後ハロゲン化金属、ＭＸ2（Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）と反応させて、金属含有錯体を調製してもよい。４族及び５族の混合配位子錯体は、金属アルコキシドと多座配位子の比率を変えることによって作ることができる。
多座β−ケトイミナート配位子を有するこれらの金属含有錯体は、５００℃未満の温度で、化学気相堆積（ＣＶＤ）法又は原子層堆積（ＡＬＤ）法のいずれかによって、金属薄膜又は金属酸化物薄膜を作るための、潜在的な前駆体として使用できる。ＣＶＤ処理は、還元剤又は酸化剤があってもなくても行うことができ、一方ＡＬＤ処理には、還元剤又は酸化剤のような他の反応剤を使用することが通常含まれる。
多成分金属酸化物については、錯体が同じ多座β−ケトイミナート配位子を有している場合、これらの錯体を予備混合できる。多座β−ケトイミナート配位子を有するこれらの金属含有錯体は、周知のバブリング又はベーパードロー（vapor draw）技術によって、ＣＶＤ又はＡＬＤの反応器内に気相で供給できる。適当な溶媒又は混合溶媒に錯体を溶解し、使用した溶媒又は混合溶媒に応じてモル濃度が０．００１〜２Ｍの溶液を調製することによって、直接液体供給法も使用できる。
堆積処理に使用する前駆体を溶解する際に使用した溶媒は、任意の相溶性の溶媒又はそれらの混合物、例えば、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、エーテル、エステル、ニトリル及びアルコールを含んでもよい。好ましくは、１〜２０個のエトキシ（−Ｃ2Ｈ4Ｏ−）繰り返し単位を有するグライム溶媒；Ｃ2-12アルカノール；Ｃ1-6アルキル部位を含むジアルキルエーテル、Ｃ4-8環状エーテル、Ｃ12−Ｃ60クラウンＯ4−Ｏ20エーテル（接頭のＣiの範囲はエーテル化合物中の炭素原子数ｉであり、接尾のＯiの範囲はエーテル化合物中の酸素原子数ｉである）からなる群から選択される有機エーテル；Ｃ6−Ｃ12脂肪族炭化水素；Ｃ6−Ｃ18芳香族炭化水素；有機エステル；有機アミン、ポリアミン；及び有機アミドからなる群から選択される溶媒が、溶液の溶媒成分に含まれる。
別の種類の溶媒で有利なものは、ＲＣＯＮＲ’Ｒ’’の有機アミド類であり、式中、Ｒ及びＲ’は、炭素原子を１〜１０個有するアルキルであって、これらは連結して環状基（ＣＨ2）n（式中、ｎは４〜６、好ましくは５）を形成してもよく、Ｒ’’は炭素原子を１〜４個有するアルキル、及びシクロアルキルから選択される。Ｎ−メチル−２−ピロリジノン及びＮ−シクロヘキシル−２−ピロリジノンが例である。
以下の例は、多座β−ケトイミナート配位子を有する金属含有錯体の調製に加えて、金属含有膜の堆積処理における、それら錯体の前駆体としての使用を説明する。
例１ ２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノンの合成：５００ｍＬのシュレンクフラスコに、２，２−ジメチル−３，５−ヘキサンジオン ２９．３ｇ（２０６ｍｍｏｌ）と、無水Ｎａ2ＳＯ4 ２４ｇ（１７０ｍｍｏｌ）を、ＴＨＦ ２００ｍＬと一緒に入れた。そのフラスコに、２−（ジメチルアミノ）エチルアミン ２０．０８ｇ（２２８ｍｍｏｌ）をＴＨＦ ２０ｍＬに入れて、滴下して加えた。反応混合物を３日間撹拌した。完了時の反応混合物のＧＣ／ＭＳ分析は、痕跡量の２−（ジメチルアミノ）エチルアミンを伴って反応が完了したことを示した。全ての揮発分を１３０℃未満の温度で蒸留除去した。引き続き、得られた淡黄色溶液をショートパス装置によって真空蒸留した。ヘキサンから結晶化して、約３６ｇの白色結晶を収率８２％で得た。ヘキサンに溶解した結晶のＧＣ分析は、ヘキサン以外の観察可能なＧＣピークを１つだけ示した。固体結晶の融点は２８〜３０℃であることが分かった。
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝１１．３０（ｓ，１Ｈ，Ｃ（Ｏ）ＣＨＣ（Ｎ「Ｈ」）），５．１５（ｓ，１Ｈ，Ｃ（Ｏ）Ｃ「Ｈ」Ｃ（ＮＨ）），２．８０（ｍ，２Ｈ，ＨＮＣ「Ｈ」2ＣＨ2Ｎ（ＣＨ3）2），２．０５（ｔ，２Ｈ，ＨＮＣＨ2Ｃ「Ｈ」2Ｎ（ＣＨ3）2），１．９５（ｓ，６Ｈ，Ｎ（Ｃ「Ｈ」3）2），１．５０（ｓ，３Ｈ，Ｃ（ＮＨ）Ｃ「Ｈ」3），１．３５（ｓ，９Ｈ，Ｃ（Ｃ「Ｈ」3）3）
例２ ２，２−ジメチル−５−（ジエチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノンの合成：２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノンと同様の手順で、２，２−ジメチルヘキサ−３，５−ジオン（５．０７ｇ、３６ｍｍｏｌ）、Ｎａ2ＳＯ4（３．５ｇ、２４．６６ｍｍｏｌ）、及び２−（ジエチルアミノ）エチルアミン（５．２５ｇ、４５ｍｍｏｌ）を出発原料とした。全ての揮発分を除去した後、ショートパス真空蒸留装置によってオレンジ／黄色の液体が得られた。収率は７８％である。
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝１１．２７（ｓ，１Ｈ，Ｃ（Ｏ）ＣＨＣ（Ｎ「Ｈ」）），５．１６（ｓ，１Ｈ，Ｃ（Ｏ）Ｃ「Ｈ」Ｃ（ＮＨ）），２．８２（ｍ，２Ｈ，ＨＮＣ「Ｈ」2ＣＨ2Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）2），２．２６（ｑ，４Ｈ，Ｎ（Ｃ「Ｈ」2ＣＨ3）2），２．２０（ｔ，２Ｈ，ＨＮＣＨ2Ｃ「Ｈ」2Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）2），１．５５（ｓ，３Ｈ），１．２５（ｓ，９Ｈ，Ｃ（Ｃ「Ｈ」3）3），０．８６（ｔ，６Ｈ，Ｎ（ＣＨ2Ｃ「Ｈ」3）2）
例３ ２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノプロピル−イミノ）−３−ヘキサノンの合成：２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノンと同様の手順で、２，２−ジメチルヘキサ−３，５−ジオン（１９．２７ｇ、１３６ｍｍｏｌ）、Ｎａ2ＳＯ4（１３ｇ、９２ｍｍｏｌ）、及び３−（ジメチルアミノ）プロピルアミン（１５．７２ｇ、１５４ｍｍｏｌ）を出発原料とした。全ての揮発分を除去した後、ショートパス真空蒸留装置によって黄色の液体が得られた。収率は８９％である。
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝１１．３０（ｓ，１Ｈ，Ｃ（Ｏ）ＣＨＣ（Ｎ「Ｈ」）），５．１７（ｓ，１Ｈ，Ｃ（Ｏ）Ｃ「Ｈ」Ｃ（ＮＨ）），２．８４（ｑ，２Ｈ，ＨＮＣ「Ｈ」2ＣＨ2ＣＨ2Ｎ（ＣＨ3）2），２．０５（ｔ，２Ｈ，ＨＮＣＨ2ＣＨ2Ｃ「Ｈ」2Ｎ（ＣＨ3）2），１．９４（ｓ，６Ｈ，Ｎ（Ｃ「Ｈ」3）2），１．５４（ｓ，３Ｈ，Ｃ（ＮＨ）Ｃ「Ｈ」3），１．３２（ｍ，２Ｈ，ＨＮＣＨ2Ｃ「Ｈ」2ＣＨ2Ｎ（ＣＨ3）2），１．２７（ｓ，９Ｈ，Ｃ（Ｃ「Ｈ」3）3）
例４ ２，２−ジメチル−５−（ジエチルアミノプロピル−イミノ）−３−ヘキサノンの合成：２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノンと同様の手順で、２，２−ジメチルヘキサ−３，５−ジオン（３．５０ｇ、２５ｍｍｏｌ）、Ｎａ2ＳＯ4（４．８１ｇ、３４ｍｍｏｌ）、及び３−（ジエチルアミノ）プロピルアミン（３．５７ｇ、２７ｍｍｏｌ）を出発原料とした。ショートパス装置によって真空蒸留して得られた淡黄／緑色の液体の収率は６７％である。
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝１１．４１（ｓ，１Ｈ，Ｃ（Ｏ）ＣＨＣ（Ｎ「Ｈ」）），５．１７（ｓ，１Ｈ，Ｃ（Ｏ）Ｃ「Ｈ」Ｃ（ＮＨ）），２．８４（ｑ，２Ｈ，ＨＮＣ「Ｈ」2ＣＨ2ＣＨ2Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）2），２．２８（ｑ，４Ｈ，Ｎ（Ｃ「Ｈ」2ＣＨ3）2），２．１９（ｔ，２Ｈ，ＨＮＣＨ2ＣＨ2Ｃ「Ｈ」2Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）2），１．５３（ｓ，３Ｈ，Ｃ（ＮＨ）Ｃ「Ｈ」3），１．３３（ｍ，２Ｈ，ＨＮＣＨ2Ｃ「Ｈ」2ＣＨ2Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）2），１．２８（ｓ，９Ｈ，Ｃ（Ｃ「Ｈ」3）3），０．８６（ｔ，６Ｈ，Ｎ（ＣＨ2Ｃ「Ｈ」3）2）
例５ ４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ペンタノンの合成：２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノンと同様の手順で、２，４−ペンタジオン（８．００ｇ、８０．７ｍｍｏｌ）、Ｎａ2ＳＯ4（１４ｇ、９８．６４ｍｍｏｌ）、及び２−（ジメチルアミノ）エチルアミン（７．８３ｇ、８８．８ｍｍｏｌ）を出発原料とした。１５０ｍＴｏｒｒの減圧下、９５〜１０５℃の油浴で真空蒸留して、緑色の液体を得た。収率は８３％で、ＧＣ分析はピークを１つ示した。
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝１１．１１（ｂｒ，ｓ，１Ｈ，Ｃ（Ｏ）ＣＨＣ（Ｎ「Ｈ」）），４．８８（ｓ，１Ｈ，Ｃ（Ｏ）Ｃ「Ｈ」Ｃ（ＮＨ）），２．７８（ｍ，２Ｈ，ＨＮＣ「Ｈ」2ＣＨ2Ｎ（ＣＨ3）2），２．０１（ｔ，２Ｈ，ＨＮＣＨ2Ｃ「Ｈ」2Ｎ（ＣＨ3）2），２．００（ｓ，３Ｈ，Ｃ（Ｏ）Ｃ「Ｈ」3），１．９３（ｓ，６Ｈ，Ｎ（Ｃ「Ｈ」3）2），１．４７（ｓ，３Ｈ，Ｃ（ＮＨ）Ｃ「Ｈ」3）
例６ ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート−Ｎ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムの合成：Ｓｒ（Ｎ（ＳｉＭｅ3）2）2・２ＴＨＦ４０．０ｇ（０．０６６ｍｏｌ）を、ＴＨＦ１００ｍＬと一緒に５００ｍＬのシュレンクフラスコに入れた。このフラスコに、ワックス状の２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノン２９．０ｇ（０．１４ｍｏｌ）をＴＨＦ１００ｍＬに入れて滴下した。得られた淡黄色の透明溶液を室温で一晩撹拌した。次に、全ての揮発分を真空下で除去して黄色の固体を得て、その固体を熱ヘキサン１００ｍＬに溶解した。トラップされた揮発性液体をＧＣ／ＭＳ分析すると、ＴＨＦ及び副生成物のヘキサメチルシリルアミンを含有していることが示された。ＴＨＦに溶解した黄色固体のＧＣ／ＭＳから、ＴＨＦ以外は、２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノンのみであることが明らかとなり、このことは、固体が３座β−ケトイミナート配位子を含有していることを示唆する。その後、ヘキサン溶液を約３０ｍＬに濃縮すると、底に白い結晶が析出した。フラスコを−２０℃に保って、より多くの無色の結晶を得た。結晶を２６．１ｇ収集し、真空下で乾燥した。収率はストロンチウム基準で７７％であった。
元素分析：Ｃ24Ｈ46Ｎ4Ｏ2Ｓｒの計算値 Ｃ，５６．４９；Ｎ，１０．９８；Ｈ，９．０９：検出値 Ｃ，５６．３４；Ｎ，１１．３２；Ｈ，８．９１
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝５．１６（ｓ，２Ｈ），２．９７（ｔ，４Ｈ），２．２６（ｂ，４Ｈ），１．８９（ｓ，１２Ｈ），１．７７（ｓ，６Ｈ），１．３７（ｓ，１８Ｈ）
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝５．１６（ｓ，２Ｈ），２．９７（ｔ，４Ｈ），２．２６（ｂ，４Ｈ），１．８９（ｓ，１２Ｈ），１．７７（ｓ，６Ｈ），１．３７（ｓ，１８Ｈ）
ビス（２，２−ジメチル−５−（（ジメチルアミノエチル）イミノ）−３−ヘキサノナート）ストロンチウムの無色の結晶を、Ｘ線単結晶解析によって構造的に特定した（図１参照）。以下の構造は、ゆがんだ８面体環境で、ストロンチウムに、２つの２，２−ジメチル−５−（（ジメチルアミノエチル）イミノ）−３−ヘキサノナート配位子が配位していることを示す。Ｓｒ−Ｎの距離は２．６１４〜２．６９０Åの範囲で、Ｓｒ−Ｏの平均は２．３５３Åである。図２は、ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート−Ｎ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムのＴＧＡ図を示し、錯体が揮発性であるが、より高温で分解することを示す。
例７ ビス（２，２−ジメチル−５−（ジエチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート−Ｎ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムの合成：例６と同様の手順で、Ｓｒ（Ｎ（ＳｉＭｅ3）2）2・２ＴＨＦ（２．６６ｇ、０．００５ｍｏｌ）及び２，２−ジメチル−５−（ジエチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノン（２．０ｇ、０．００８ｍｏｌ）を出発原料とした。全ての揮発分を除去してワークアップした後、結晶を１．９１ｇ収集し、真空下で乾燥した。収率はストロンチウム基準で８４％である。
元素分析：Ｃ28Ｈ54Ｎ4Ｏ2Ｓｒの計算値 Ｃ，５９．３８；Ｎ，９．８９；Ｈ，９．６１：検出値 Ｃ，５８．９９；Ｎ，９．９０；Ｈ，９．５１
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝５．１４（ｓ，２Ｈ），２．１１（ｔ，４Ｈ），２．６７（ｂ，４Ｈ），２．５４（ｂ，８Ｈ），１．７６（ｓ，６Ｈ），１．３６（ｓ，１８Ｈ），０．７４（ｔ，１２Ｈ）
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝５．１４（ｓ，２Ｈ），２．１１（ｔ，４Ｈ），２．６７（ｂ，４Ｈ），２．５４（ｂ，８Ｈ），１．７６（ｓ，６Ｈ），１．３６（ｓ，１８Ｈ），０．７４（ｔ，１２Ｈ）
ビス（２，２−ジメチル−５−（ジエチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）ストロンチウムの無色の結晶を、Ｘ線単結晶解析によって構造的に特定した。以下の構造は、ゆがんだ８面体環境で、ストロンチウムに、２つの２，２−ジメチル−５−（ジエチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート配位子が配位していることを示す。Ｓｒ−Ｎの距離は２．６０４〜２．６７７Åの範囲で、Ｓｒ−Ｏの平均は２．３７４Åである。
例８ トリス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）イットリウムの合成：例６と同様の手順で、Ｙ（Ｎ（ＳｉＭｅ3）2）3（２．００ｇ、３．９ｍｍｏｌ）及び２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノン（２．４１ｇ、１１．３５ｍｍｏｌ）を出発原料とした。白色固体を１．５７ｇ収集し、収率はイットリウム基準で５７％である。
元素分析：Ｃ36Ｈ69Ｎ6Ｏ3Ｙの計算値 Ｃ，５９．８１；Ｎ，９．６３；Ｈ，１１．６３：検出値 Ｃ，５９．８１；Ｎ，９．３７；Ｈ，１１．８３
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝５．１４（ｓ，３Ｈ），３．４７（ｔ，６Ｈ），２．４９（ｔ，６Ｈ），２．２２（ｓ，１８Ｈ），１．８１（ｓ，９Ｈ），１．２７（ｓ，２７Ｈ）
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝５．１４（ｓ，３Ｈ），３．４７（ｔ，６Ｈ），２．４９（ｔ，６Ｈ），２．２２（ｓ，１８Ｈ），１．８１（ｓ，９Ｈ），１．２７（ｓ，２７Ｈ）
トリス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）イットリウムの無色の結晶を、Ｘ線単結晶解析によって構造的に特定した（図３参照）ところ、イットリウム原子に、３つの２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート配位子が配位していることが明らかとなった。
例９ ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）コバルトの合成：この化合物を製造するための手順（ａ）及び（ｂ）を示す。（ａ）無水ＣｏＣｌ2 ２ｇ（０．０１５ｍｏｌ）を、ＴＨＦ ３０ｍＬと一緒に５００ｍＬシュレンクフラスコに入れた。このフラスコに、２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノン（６．４ｇ、０．０３ｍｏｌ）を２．５Ｍ nＢｕＬｉヘキサン溶液（１２ｍＬ、０．０３ｍｏｌ）とヘキサン ４０ｍＬ中、−７８℃で反応させてその場で調製した、（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）リチウムを加え、室温で３０分撹拌した。混合物を室温で一晩撹拌した。反応完了後、全ての揮発分を真空下で除去して暗茶色の固体を得た。抽出及び濾過して、暗茶色の溶液と茶色の固体を得た。この茶色の固体は、痕跡量のＣｏ化合物が混ざったＬｉＣｌであった。その後、茶色の溶液を５０℃で乾燥して、暗茶色の固体を得た。この暗茶色の固体を１０５℃、５０ｍＴｏｒｒで昇華して、緑がかった茶色の微結晶を得た。収率はコバルト基準で５０％である。
元素分析：ＣｏＣ24Ｈ46Ｎ4Ｏ2の計算値 Ｃ，５９．８６；Ｎ，１１．６３；Ｈ，９．６３：検出値 Ｃ，５９．７３；Ｎ，１１．６２；Ｈ，９．７７
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝１１９．０４，２５．３８，１１．８６，３．４２，１．３６，０．４３，−１６．００，−９７．００
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝１１９．０４，２５．３８，１１．８６，３．４２，１．３６，０．４３，−１６．００，−９７．００
ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）コバルトの単結晶を、Ｘ線単結晶解析によって特定した（図４参照）ところ、ゆがんだ８面体環境で、コバルト原子に、２つの２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート配位子が配位していることが示された。
（ｂ）ＮａＨ（０．３４ｇ、１４ｍｍｏｌ）を、２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノン（２．０７ｇ、１２ｍｍｏｌ）をＴＨＦ ７０ｍＬに溶解した溶液にゆっくりと加えた。バブリングを止めた後、ＣｏＣｌ2（１．０７ｇ、８ｍｍｏｌ）を反応フラスコに加えた。ワークアップ後に茶色の結晶を２．２５ｇ収集し、収率は６９％であった。
例１０ ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノプロピル−イミノ）−３−ヘキサノナート）コバルトの合成：例９と同様の手順で、２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノプロピル−イミノ）−３−ヘキサノン（１．５０ｇ、０．００７ｍｏｌ）、及びＮａＨ（０．２２ｇ、０．００９ｍｏｌ）を出発原料として、ＣｏＣｌ2（０．３８ｇ、０．００３ｍｏｌ）を加えた。ワークアップ後、得られた茶色の固体を昇華して、オレンジ色の結晶が得られた。収率は８２％である。
元素分析：ＣｏＣ26Ｈ50Ｎ4Ｏ2の計算値 Ｃ，６１．２７；Ｎ，１０．９９；Ｈ，９．８９：検出値 Ｃ，６１．４２；Ｎ，１１．１９；Ｈ，９．４３
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝１４．４０，８．８３，１．４２，−１．４５，−５．５４，−２１．４９，−３１．９１
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝１４．４０，８．８３，１．４２，−１．４５，−５．５４，−２１．４９，−３１．９１
ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノプロピル−イミノ）−３−ヘキサノナート）コバルトの単結晶を、Ｘ線単結晶解析によって特定したところ、８面体環境で、コバルト原子に、２つの２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノプロピル−イミノ）−３−ヘキサノナート配位子が配位していることが示された。
例１１ ビス（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ペンタノナート）コバルトの合成：例９と同様の手順で、４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ペンタノン（２．０７ｇ、０．０１２ｍｏｌ）、及びＮａＨ（０．３４ｇ、０．１４ｍｏｌ）を出発原料として、ＣｏＣｌ2（１．０７ｇ、０．００８ｍｏｌ）を加えた。結晶はヘキサン溶液から成長させ、収率は６９％である。
元素分析：ＣｏＣ18Ｈ34Ｎ4Ｏ2の計算値 Ｃ，５４．４０；Ｎ，１４．８３；Ｈ，８．６２：検出値 Ｃ，５４．７２；Ｎ，１４．０４；Ｈ，１０．１０
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝２５．４７，１７．４４，８．６９，１．３５，−９．４７，−１２．００，−２１．４０，−１１６．００，１２０．０４
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝２５．４７，１７．４４，８．６９，１．３５，−９．４７，−１２．００，−２１．４０，−１１６．００，１２０．０４
例１２ ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）ニッケルの合成：例９と同様の手順で、２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノン（３．４８ｇ、０．０１６ｍｏｌ）、及び２．５Ｍブチルリチウム（６．５ｍＬ、０．０１６ｍｏｌ）を出発原料として、ＮｉＣｌ2（１．０２ｇ、０．００８ｍｏｌ）を加えた。昇華して明るい緑色の固体を収率６６％で得た。
元素分析：ＮｉＣ24Ｈ46Ｎ4Ｏ2の計算値 Ｃ，５９．８９；Ｎ，１１．６３；Ｈ，９．６３：検出値 Ｃ，６０．８０；Ｎ，１１．６２；Ｈ，８．８０
ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）ニッケルの単結晶を、Ｘ線単結晶解析によって特定したところ（図５参照）、８面体環境で、ニッケル原子に、２つの２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート配位子が配位していることが示された。
例１３ ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノプロピル−イミノ）−３−ヘキサノナート）ニッケルの合成：例９と同様の手順で、２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノプロピル−イミノ）−３−ヘキサノン（３．６６ｇ、０．０１６ｍｏｌ）、及び２．５Ｍブチルリチウム（６．３ｍＬ、０．０１５ｍｏｌ）を出発原料として、ＮｉＣｌ2（１．０１ｇ、０．００８ｍｏｌ）を加えた。緑色の結晶をヘキサン溶液から収集した。
元素分析：ＮｉＣ26Ｈ50Ｎ4Ｏ2の計算値 Ｃ，６１．３０；Ｎ，１１．５２；Ｈ，９．８９：検出値 Ｃ，６１．５２；Ｎ，１１．０６；Ｈ，９．３４
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝６０．００，３６．５６，３．５７，１．４７，−２．８４，１４．７０，１６．１０，−７６．００
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝６０．００，３６．５６，３．５７，１．４７，−２．８４，１４．７０，１６．１０，−７６．００
ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノプロピル−イミノ）−３−ヘキサノナート）ニッケルの単結晶を、Ｘ線単結晶解析によって特定したところ、８面体環境で、ニッケル原子に、２つの２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノプロピル−イミノ）−３−ヘキサノナート配位子が配位していることが示された。
例１４ ビス（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ペンタノナート）ニッケルの合成：例９と同様の手順で、４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ペンタノン（２．１５ｇ、０．０１３ｍｏｌ）、及びＮａＨ（０．３６ｇ、０．０１５ｍｏｌ）を出発原料として、ＮｉＣｌ2（０．７４ｇ、０．００６ｍｏｌ）を加えた。生成物を昇華して、ヘキサンから結晶化した。収率は７４％である。
元素分析：ＮｉＣ18Ｈ34Ｎ4Ｏ2の計算値 Ｃ，５４．４３；Ｎ，１４．１０；Ｈ，８．６３：検出値 Ｃ，５４．２１；Ｎ，１４．０４；Ｈ，１０．１０
例１５ トリス（イソプロポキシ）（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）チタン（ＩＶ）の合成：Ｔｉ（ＯＣＨ（ＣＨ3）2）4（２．００ｇ、０．００７ｍｏｌ）、２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノン（１．４５ｇ、０．００７ｍｏｌ）、及びヘキサン １５ｍＬを１００ｍＬシュレンクフラスコに入れた。混合物を４０℃で１６時間撹拌した。真空下で全ての揮発分を除去し、黄色の粉末状固体をヘキサンで洗って乾燥した。昇華すると収率９０％で淡緑色の結晶が得られる。
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝５．１８（ｓ，１Ｈ），５．００（ｂ，３Ｈ），２．９６（ｓ，２Ｈ），２．４８（ｓ，６Ｈ），２．２８（ｔ，２Ｈ），１．５３（ｓ，３Ｈ），１．３５（ｓ，９Ｈ），１．３０（ｓ，１８Ｈ）
例１６ トリス（イソプロポキシ）（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ペンタノナート）チタンの合成：例１５と同様の手順で、Ｔｉ（ＯＣＨ（ＣＨ3）2）4（２．０８ｇ、０．００７ｍｏｌ）、及び４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ペンタノン（１．１９ｇ、０．００７ｍｏｌ）を撹拌した。粘着質の黄色固体を昇華すると、収率７４％で淡緑色の結晶が生成した。
元素分析：Ｃ18Ｈ38Ｎ2Ｏ4Ｔｉの計算値 Ｃ，５４．８２；Ｎ，９．７１；Ｈ，７．１０：検出値 Ｃ，５２．５０；Ｎ，９．５０；Ｈ，７．３９
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝４．９２（ｂ，３Ｈ），４．８３（ｓ，１Ｈ），２．９６（ｓ，２Ｈ），２．４７（ｓ，６Ｈ），２．２７（ｔ，２Ｈ），１．９５（ｓ，３Ｈ），１．４５（ｓ，６Ｈ），１．３０（ｓ，１８Ｈ）
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝４．９２（ｂ，３Ｈ），４．８３（ｓ，１Ｈ），２．９６（ｓ，２Ｈ），２．４７（ｓ，６Ｈ），２．２７（ｔ，２Ｈ），１．９５（ｓ，３Ｈ），１．４５（ｓ，６Ｈ），１．３０（ｓ，１８Ｈ）
トリス（イソプロポキシ）（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ペンタノナート）チタンの単結晶を、Ｘ線単結晶解析によって特定したところ、チタン原子に、３つのイソプロポキシ基と、１つの４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ペンタノナート配位子とが配位していたことが示された。
例１７ トリス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ペンタノナート）ハフニウム（ＩＶ）の合成：例１５の同様の手順で、Ｈｆ（ＯＣ（ＣＨ3）3）4（２．７３ｇ、０．００６ｍｏｌ）、及び４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ペンタノン（１．０１ｇ、０．００５ｍｏｌ）を出発原料とした。揮発分をＧＣ／ＭＳで調べると、２−メチル−２−プロパノールが観察された。白色固体を収率９５％で収集した。ペンタン／ヘキサン溶液から結晶化して、無色のブロック状結晶が得られる。
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝４．８１（ｓ，１Ｈ），２．８９（ｔ，２Ｈ），２．４４（ｓ，８Ｈ），１．５５（ｓ，９Ｈ），１．４２（ｓ，３Ｈ），１．３６（ｓ，１８Ｈ）
例１８ トリス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）ジルコニウム（ＩＶ）の合成：例１５と同様の手順で、Ｚｒ（ＯＣ（ＣＨ3）3）4（１．８１ｇ、０．００５ｍｏｌ）、及び２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノン（１．０５ｇ、０．００５ｍｏｌ）を出発原料とした。ワークアップして淡黄色固体を収率９５％で得た。
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝４．８６（ｓ，１Ｈ，ＢｕＣＯＣ「Ｈ」ＣＮ），２．９１（ｂ，ｔ，２Ｈ，ＮＣ「Ｈ」2ＣＨ2ＮＭｅ2），２．３９（ｂ，ｓ，６Ｈ，ＣＨ2Ｎ（Ｃ「Ｈ」3）2），２．３９（ｂ，ｔ，２Ｈ，ＮＣＨ2Ｃ「Ｈ」2ＮＭｅ2），１．５５（ｓ，９Ｈ，（Ｃ「Ｈ」3）3ＣＣＯ），１．４９（ｓ，３Ｈ，ＣＯＣＨＣＮ（Ｃ「Ｈ」3）），１．３１（ｓ，２７Ｈ，（ＯＣ（Ｃ「Ｈ」3）3）
トリス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）ジルコニウム（ＩＶ）の無色の結晶を、Ｘ線単結晶解析によって特定したところ、ジルコニウム原子に、３つのｔｅｒｔ−ブトキシ基と、置換された１つの２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート配位子とが配位していたことが示された。
例１９ トリス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ペンタノナート）ジルコニウム（ＩＶ）の合成：例１５と同様の手順で、Ｚｒ（ＯＣ（ＣＨ3）3）4（２．２ｇ、０．００６ｍｏｌ）、及び４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ペンタノン（１．０ｇ、０．００６ｍｏｌ）をＴＨＦ中で撹拌して、ワークアップ後に、淡黄色固体を収率８２％で得た。
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝４．８６（ｓ，１Ｈ，ＣＨ3ＣＯＣ「Ｈ」ＣＮ），２．９０（ｓ，２Ｈ，ＮＣ「Ｈ」2ＣＨ2ＮＭｅ2），２．３６（ｂ，ｓ，６Ｈ，ＣＨ2Ｎ（Ｃ「Ｈ」3）2），２．３６（ｂ，ｔ，２Ｈ，ＮＣＨ2Ｃ「Ｈ」2ＮＭｅ2），１．８９（ｓ，３Ｈ，Ｃ「Ｈ」3ＣＯＣＨＣＮ），１．５１（ｓ，９Ｈ，Ｃ「Ｈ」3（ＣＨ3）2ＣＯＣＨ），１．４１（ｓ，３Ｈ，ＣＨ3ＣＯＣＨＣＮＣＨ3），１．３５（ｓ，１８Ｈ，（Ｃ「Ｈ」3）2（ＣＨ3）ＣＯＣＨ）
トリス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ペンタノナート）ジルコニウム（ＩＶ）の無色の結晶を、Ｘ線単結晶解析によって特定したところ（図６参照）、ジルコニウム原子に、３つのｔｅｒｔ−ブトキシ基と、置換された１つの４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ペンタノナート配位子とが配位していたことが示された。図７は、トリス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ペンタノナート）ジルコニウム（ＩＶ）のＴＧＡ図を示し、錯体が揮発性で残渣が２％未満であることを示す。
例２０ ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）バリウムの合成：例６と同様の手順で、Ｂａ（Ｎ（ＳｉＭｅ3）2）2・２ＴＨＦ、及び２，２−ジメチル−５−（ジエチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノンを出発原料とした。全ての揮発分を除去すると、非常に粘ちょうなオレンジ色の油が得られた。ＮＭＲは、未反応の２，２−ジメチルー５−（ジエチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノンがいくらかあることを示唆する。遊離した配位子をショートパス蒸留で除去して、オレンジ色の固体を得た。
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝５．１１（ｂｒ，ｓ），３．１０（ｂｒ，ｓ），２．２１（ｂｒ，ｓ），１．９５（ｂｒ，ｓ），１．８０（ｓ，６Ｈ），１．３８（ｓ）
例２１ テトラキス（エトキシ）（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ペンタノナート）タンタル（Ｖ）の合成：４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ペンタノン（０．６４ｇ、３．８ｍｍｏｌ）を、Ｔａ2（ＯＥｔ）10（１．５０ｇ、１．８５ｍｍｏｌ）を入れたフラスコにゆっくりと加えた。フラスコを８０℃で３時間加熱し、次に副生成物のエタノールを真空下で除去して、透明なオレンジ色の液体を１．６ｇ得た。収率は９８％である。
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝４．７９（ｓ，１Ｈ），４．７６（ｑ，２Ｈ），４．７１（ｑ，２Ｈ），４．３１（ｑ，２Ｈ），４．２８（ｑ，２Ｈ），３．７４（ｔ，２Ｈ），２．６０（ｔ，２Ｈ），２．１３（ｓ，６Ｈ），１．８５（ｓ，３Ｈ），１．７０（ｓ，３Ｈ），１．４０（ｔ，３Ｈ），１．３８（ｔ，３Ｈ），１．２０（ｔ，６Ｈ）
例２２ ２，２−ジメチル−５−（２−（２−（ジメチルアミノ）エトキシ）エチル−イミノ）−３−ヘキサノンの合成：磁気撹拌装置を備えた１００ｍＬ丸底フラスコに、２，２−ジメチルヘキサン−３，５−ジオン ８ｇを、１．１当量の２−（２−（ジメチルアミノ）エトキシ）エチルアミン、無水硫酸ナトリウム及び無水ジエチルエーテルと合わせて入れ、窒素下で３日間撹拌した。エーテルをロータリーエバポレーターで除去し、ビグルー管を通して残渣を真空蒸留して、生成物を９．７ｇ得た。
1ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＴＨＦd8）：δ＝１１．０５（ｓ，１Ｈ），５．０６（ｓ，１Ｈ），３．５１（ｔ，２Ｈ），３．５０（ｔ，２Ｈ），３．３７（ｑ，２Ｈ），２．４２（ｔ，２Ｈ），２．１７（ｓ，６Ｈ），１．９２（ｓ，３Ｈ），１．０５（ｓ，９Ｈ）
例２３ ビス（２，２−ジメチル−５−（２−（２−（ジメチルアミノ）エトキシ）エチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）バリウムの合成：グローブボックス内で、磁気撹拌装置を備えた１００ｍＬシュレンクフラスコに、昇華したバリウム金属 １．２５ｇを、２，２−ジメチル−５−（２−（２−（ジメチルアミノ）エトキシ）エチル−イミノ）−３−ヘキサノン ３．１５ｇ、及び無水ＴＨＦ ３０ｍＬと合わせて入れた。フラスコをシュレンクラインに配置し、コールドフィンガー凝縮器を取り付けた。無水アンモニアをフラスコ内で凝縮させ、コールドフィンガー凝縮器を用いて４時間還流した。フラスコ及び凝縮器は放置して室温まで一晩で戻し、ガスバブラーを通してアンモニアを逃がした。セライトを通して曇った琥珀色の溶液を濾過し、生成物を熱ヘキサンから白色結晶として結晶化した。
1ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＴＨＦd8）：δ＝４．６４（ｓ，１Ｈ），３．９４（ｔ，２Ｈ），３．７１（ｔ，２Ｈ），３．５１（ｔ，２Ｈ），２．４９（ｔ，２Ｈ），２．１８（ｓ，６Ｈ），１．７８（ｓ，３Ｈ），１．１０（ｓ，９Ｈ）
例２４ ２，２−ジメチル−５−（２−（２−（ジメチルアミノ−エチル）（メチルアミノ））エチル−イミノ）−３−ヘキサノンの合成：磁気撹拌装置を備えた１００ｍＬ丸底フラスコに、２，２−ジメチルヘキサン−３，５−ジオン １．９ｇを、１．１当量の２−（２−（ジメチルアミノ−エチル）（メチルアミノ））エチルアミン、無水硫酸ナトリウム及び無水ジエチルエーテルと合わせて入れ、窒素下で一晩撹拌した。エーテルをロータリーエバポレーターで除去し、ビグルー管を通して残渣を真空蒸留して、生成物を２．７ｇ得た。
1ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＴＨＦd8）：δ＝１０．９９（ｓ，１Ｈ），５．０６（ｓ，１Ｈ），３．２８（ｑ，２Ｈ），２．５３（ｔ，２Ｈ），２．４８（ｔ，２Ｈ），２．３７（ｔ，２Ｈ），２．２５（ｓ，３Ｈ），２．１５（ｓ，６Ｈ），１．９２（ｓ，３Ｈ），１．０６（ｓ，９Ｈ）
例２５ ビス（２，２−ジメチル−５−（２−（２−（ジメチルアミノ−エチル）（メチルアミノ））エチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）バリウムの合成：グローブボックス内で、磁気撹拌装置を備えた５０ｍＬシュレンクフラスコに、昇華したバリウム金属 １．０５ｇを、２，２−ジメチル−５−（２−（２−（ジメチルアミノ−エチル）（メチルアミノ））エチル−イミノ）−３−ヘキサノン ２．７２ｇ、及び無水ＴＨＦ ２０ｍＬと合わせて入れた。フラスコをシュレンクラインに配置し、コールドフィンガー凝縮器を取り付けた。無水アンモニアをフラスコ内で凝縮させ、コールドフィンガー凝縮器を用いて４時間還流した。フラスコ及び凝縮器は放置して室温まで一晩で戻し、ガスバブラーを通してアンモニアを逃がした。曇った灰色の懸濁液を濃縮し、熱ヘキサン中に懸濁し、セライトを通して濾過した。生成物を熱ヘキサンから数回再結晶化して、無色の結晶を０．４ｇ得た。
元素分析：Ｃ30Ｈ60ＢａＮ6Ｏ2の計算値 Ｃ，５３．４５；Ｎ，１２．４７；Ｈ，８．９７：検出値 Ｃ，５３．３３；Ｎ，１２．７１；Ｈ，９．４４
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝５．０７（ｓ，１Ｈ），３．２８（ｂｒ，ｓ，２Ｈ），２．４９（非常にブロード，６Ｈ），２．２３（ｓ，６Ｈ），２．２２（ｓｈ，３Ｈ），１．８４（ｓ，３Ｈ），１．４０（ｓ，９Ｈ）
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝５．０７（ｓ，１Ｈ），３．２８（ｂｒ，ｓ，２Ｈ），２．４９（非常にブロード，６Ｈ），２．２３（ｓ，６Ｈ），２．２２（ｓｈ，３Ｈ），１．８４（ｓ，３Ｈ），１．４０（ｓ，９Ｈ）
ビス（２，２−ジメチル−５−（２−（２−（ジメチルアミノ−エチル）（メチルアミノ））エチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）バリウムの単結晶を、Ｘ線単結晶解析によって特定したところ、４座配位の状態で、バリウム原子に、２つの２，２−ジメチル−５−（２−（２−（ジメチルアミノ−エチル）（メチルアミノ））エチル−イミノ）−３−ヘキサノナート配位子が配位していることが示された。
例２６ ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート−Ｎ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムの、１Ｍ Ｎ−メチル−２−ピロリジノン溶液の調製：ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート−Ｎ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウム ０．２５ｇを含む１ｍＬバイアルに、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン（ＮＭＰ） ０．４９ｍＬを加えたところ、薄黄色の透明溶液になった。溶液を一晩室温で保持し、その後真空下で乾燥して薄黄色の固体を得た。図９は、ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート−Ｎ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムのＮＭＰへの溶解前後のＴＧＡ／ＤＳＣを示し、ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート−Ｎ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムとＮＭＰとが相溶性であって、得られた溶液をＣＶＤ又はＡＬＤ処理に使用できることを示唆している。
例２７ ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート−Ｎ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムの、１．０Ｍ Ｎ−シクロヘキシル−２−ピロリジノン溶液の調製：ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート−Ｎ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウム（０．１０ｇ、０．２０ｍｍｏｌ）を含む２ｍＬバイアルに、Ｎ−シクロヘキシル−２−ピロリジノン ０．１９ｍＬを加えたところ、淡緑色の透明溶液になった。この溶液のＴＧＡは、この混合物が揮発性であることを示す。
例２８ トリス（イソプロポキシ）（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ペンタノナート）チタンの、０．９Ｍ Ｎ−メチル−２−ピロリジノン溶液の調製：トリス（イソプロポキシ）（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ペンタノナート）チタン（０．１ｇ、０．２５ｍｍｏｌ）を含む２ｍＬバイアルに、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン ０．２７ｍＬを加えたところ、明るいオレンジ色の溶液になった。この溶液のＴＧＡは、この混合物が揮発性であることを示す。
例２９ トリス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ペンタノナート）ジルコニウム（ＩＶ）の、０．７５Ｍ Ｎ−メチル−２−ピロリジノン溶液の調製：トリス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ペンタノナート）ジルコニウム（ＩＶ）（０．１０ｇ、０．２１ｍｍｏｌ）を含む２ｍＬバイアルに、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン ０．２８ｍＬを加えたところ、黄緑色の溶液になった。この溶液のＴＧＡは、この混合物が揮発性であることを示す。
Claims (19)
- 構造Ａによって表される、金属含有錯体。
- Ｍがストロンチウム、Ｒ1がｔｅｒｔ−ブチル、Ｒ2が水素、Ｒ3がメチル、Ｒ4がＣ2アルキレン架橋基であり、Ｒ5及びＲ6がそれぞれメチル及びエチルからなる群から選択される、請求項１に記載の金属含有錯体。
- 構造Ａによって表される、金属含有錯体。
- Ｍがコバルト及びニッケルからなる群から選択され、Ｒ1がメチル及びｔｅｒｔ−ブチルからなる群から選択され、Ｒ2が水素、Ｒ3がメチルであり、Ｒ4がＣ2アルキレン架橋基又はＣ3アルキレン架橋基から選択され、Ｒ5及びＲ6がそれぞれメチル及びエチルからなる群から選択される、請求項３に記載の金属含有錯体。
- 構造Ａによって表される、金属含有錯体。
- Ｍがイットリウム及びランタンからなる群から選択され、Ｒ1がｔｅｒｔ−ブチル、Ｒ2が水素、Ｒ3がメチルであり、Ｒ4がＣ2アルキレン架橋基又はＣ3アルキレン架橋基から選択され、Ｒ5及びＲ6がそれぞれメチル及びエチルからなる群から選択される、請求項５に記載の金属含有錯体。
- 構造Ｂによって表される、金属含有錯体。
- Ｍがチタン、ハフニウム及びジルコニウムからなる群から選択され、Ｒ1がメチル及びｔｅｒｔ−ブチルからなる群から選択され、Ｒ2が水素、Ｒ3がメチル、Ｒ4がＣ2アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がそれぞれメチル及びエチルからなる群から選択される、請求項７に記載の金属含有錯体。
- 構造Ｃによって表される、金属含有錯体。
- Ｍがバリウム、Ｒ1がｔｅｒｔ−ブチル、Ｒ2が水素、Ｒ3がメチル、Ｒ4及びＲ5がそれぞれＣ2アルキレン架橋基、Ｒ6及びＲ7がメチル、ＸがＮＣＨ3である、請求項９に記載の金属含有錯体。
- １〜２０個のエトキシ（−Ｃ2Ｈ4Ｏ−）繰り返し単位を有するグライム溶媒；Ｃ2-12アルカノール；Ｃ1-6アルキル部位を含むジアルキルエーテル、Ｃ4-8環状エーテル、Ｃ12−Ｃ60クラウンＯ4−Ｏ20エーテル（接頭のＣiの範囲は該エーテル化合物中の炭素原子数ｉであり、接尾のＯiの範囲は該エーテル化合物中の酸素原子数ｉである）からなる群から選択される有機エーテル；Ｃ6−Ｃ12脂肪族炭化水素；Ｃ6−Ｃ18芳香族炭化水素；有機エステル；有機アミン；及びポリアミン；並びに有機アミドからなる群から選択される溶媒に溶解した、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の金属含有錯体。
- 前記溶媒が、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、Ｎ−エチル−２−ピロリジノン及びＮ−シクロヘキシル−２−ピロリジノンからなる群から選択される有機アミドである、請求項１１に記載の金属含有錯体。
- コンフォーマル金属酸化物薄膜を基材上に形成するための気相堆積方法であって、前駆体源及び酸素含有化学物質を堆積室に導入して金属酸化物膜を基材に堆積するものであり、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の前記金属含有錯体を該前駆体源として用いることが改良点に含まれる、気相堆積方法。
- 前記気相堆積方法が化学気相堆積及び原子層堆積からなる群から選択される、請求項１３に記載の方法。
- 前記酸素含有化学物質が、水、Ｏ2、Ｈ2Ｏ2、オゾン及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項１３又は１４のいずれかに記載の方法。
- コンフォーマル金属薄膜を基材上に形成するための気相堆積方法であって、前駆体源及び還元剤を堆積室に導入して金属膜を基材に堆積するものであり、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の前記金属含有錯体を該前駆体源として用いることが改良点に含まれる、気相堆積方法。
- 前記還元剤が、水素、ヒドラジン、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン、アンモニア及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項１６に記載の方法。
- コンフォーマル金属酸化物薄膜を基材上に形成するための気相堆積方法であって、前駆体源の溶液及び酸素含有化学物質を堆積室に導入して金属酸化物膜を基材に堆積するものであり、１〜２０個のエトキシ（−Ｃ2Ｈ4Ｏ−）繰り返し単位を有するグライム溶媒；Ｃ2-12アルカノール；Ｃ1-6アルキル部位を含むジアルキルエーテル、Ｃ4-8環状エーテル、Ｃ12−Ｃ60クラウンＯ4−Ｏ20エーテル（接頭のＣiの範囲は該エーテル化合物中の炭素原子数ｉであり、接尾のＯiの範囲は該エーテル化合物中の酸素原子数ｉである）からなる群から選択される有機エーテル；Ｃ6−Ｃ12脂肪族炭化水素；Ｃ6−Ｃ18芳香族炭化水素；有機エステル；有機アミン；及びポリアミン；並びに有機アミドからなる群から選択される溶媒に溶解した、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の前記金属含有錯体から構成される溶液を用いることが改良点に含まれる、気相堆積方法。
- コンフォーマル金属薄膜を基材上に形成するための気相堆積方法であって、前駆体源の溶液及び還元剤を堆積室に導入して金属膜を基材に堆積するものであり、１〜２０個のエトキシ（−Ｃ2Ｈ4Ｏ−）繰り返し単位を有するグライム溶媒；Ｃ2-12アルカノール；Ｃ1-6アルキル部位を含むジアルキルエーテル、Ｃ4-8環状エーテル、Ｃ12−Ｃ60クラウンＯ4−Ｏ20エーテル（接頭のＣiの範囲は該エーテル化合物中の炭素原子数ｉであり、接尾のＯiの範囲は該エーテル化合物中の酸素原子数ｉである）からなる群から選択される有機エーテル；Ｃ6−Ｃ12脂肪族炭化水素；Ｃ6−Ｃ18芳香族炭化水素；有機エステル；有機アミン；及びポリアミン；並びに有機アミドからなる群から選択される溶媒に溶解した、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の前記金属含有錯体から構成される溶液を用いることが改良点に含まれる、気相堆積方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US79482006P | 2006-04-25 | 2006-04-25 | |
| US11/735,603 US7947814B2 (en) | 2006-04-25 | 2007-04-16 | Metal complexes of polydentate beta-ketoiminates |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007302656A JP2007302656A (ja) | 2007-11-22 |
| JP2007302656A5 JP2007302656A5 (ja) | 2009-01-22 |
| JP4680953B2 true JP4680953B2 (ja) | 2011-05-11 |
Family
ID=38445584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007115819A Active JP4680953B2 (ja) | 2006-04-25 | 2007-04-25 | 多座配位β−ケトイミナート金属錯体 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7947814B2 (ja) |
| EP (1) | EP1849789B1 (ja) |
| JP (1) | JP4680953B2 (ja) |
| KR (3) | KR100892018B1 (ja) |
| CN (1) | CN101074203B (ja) |
| TW (1) | TWI339207B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013501714A (ja) * | 2009-08-07 | 2013-01-17 | シグマ−アルドリッチ・カンパニー、エルエルシー | 高分子量アルキル−アリルコバルトトリカルボニル錯体及び誘電体薄膜を作製するためのそれらの使用 |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7947814B2 (en) | 2006-04-25 | 2011-05-24 | Air Products And Chemicals, Inc. | Metal complexes of polydentate beta-ketoiminates |
| US7691984B2 (en) * | 2007-11-27 | 2010-04-06 | Air Products And Chemicals, Inc. | Metal complexes of tridentate β-ketoiminates |
| US8092870B2 (en) * | 2008-04-11 | 2012-01-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Preparation of metal oxide thin film via cyclic CVD or ALD |
| US7919409B2 (en) * | 2008-08-15 | 2011-04-05 | Air Products And Chemicals, Inc. | Materials for adhesion enhancement of copper film on diffusion barriers |
| US20100119726A1 (en) * | 2008-11-07 | 2010-05-13 | Air Products And Chemicals, Inc. | Group 2 Metal Precursors For Deposition Of Group 2 Metal Oxide Films |
| US8471049B2 (en) * | 2008-12-10 | 2013-06-25 | Air Product And Chemicals, Inc. | Precursors for depositing group 4 metal-containing films |
| KR101150124B1 (ko) * | 2009-03-11 | 2012-06-08 | 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 | 여러자리 베타-케토이미네이트의 금속 착물을 제조하는 방법 |
| US8722933B2 (en) * | 2009-03-11 | 2014-05-13 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for preparing metal complexes of polydentate beta-ketoiminates |
| US8658831B2 (en) | 2009-06-02 | 2014-02-25 | Huntsman International Llc | Method for separating N,N-dialkylbisaminoalkylether from mixtures comprising N,N-dialkylbisaminoalkylbisaminoalkylether and at least one of N,N,N′-trialkylbisaminoalkylether and N,N,N′,N′-tetraalkylbisaminoalkylether |
| US8202808B2 (en) * | 2009-06-03 | 2012-06-19 | Intermolecular, Inc. | Methods of forming strontium titanate films |
| US9528182B2 (en) * | 2009-06-22 | 2016-12-27 | Arkema Inc. | Chemical vapor deposition using N,O polydentate ligand complexes of metals |
| KR101303782B1 (ko) * | 2009-09-08 | 2013-10-15 | 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 | 금속 함유 막을 증착하기 위한 아미노에테르를 함유하는 액체 조성물 |
| US8507704B2 (en) * | 2009-09-08 | 2013-08-13 | Air Products And Chemicals, Inc. | Liquid composition containing aminoether for deposition of metal-containing films |
| US20110256314A1 (en) | 2009-10-23 | 2011-10-20 | Air Products And Chemicals, Inc. | Methods for deposition of group 4 metal containing films |
| US8952188B2 (en) | 2009-10-23 | 2015-02-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Group 4 metal precursors for metal-containing films |
| JP5544198B2 (ja) * | 2010-03-17 | 2014-07-09 | 株式会社Ａｄｅｋａ | β−ケトイミン化合物、金属錯体及び薄膜形成用原料 |
| US9079923B2 (en) | 2010-08-05 | 2015-07-14 | Air Products And Chemicals, Inc. | Multidentate ketoimine ligands for metal complexes |
| US20130011579A1 (en) | 2010-11-30 | 2013-01-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Metal-Enolate Precursors For Depositing Metal-Containing Films |
| US8617305B2 (en) * | 2011-01-25 | 2013-12-31 | Air Products And Chemicals, Inc. | Metal complexes for metal-containing film deposition |
| KR101711095B1 (ko) * | 2011-04-01 | 2017-03-02 | 삼성전자 주식회사 | β-케토이민 리간드, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 금속 착화합물 및 이를 이용한 박막 형성 방법 |
| JP6278827B2 (ja) * | 2014-05-14 | 2018-02-14 | 株式会社Adeka | 銅化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法 |
| KR101654787B1 (ko) * | 2015-04-03 | 2016-09-06 | 충남대학교산학협력단 | 팔라듐 케토이미네이트 착화합물을 함유하는 촉매 조성물 및 이를 이용한 크로스커플링 화합물의 제조 방법 |
| WO2019076552A1 (de) * | 2017-10-17 | 2019-04-25 | Evonik Degussa Gmbh | Zinkketoiminatkomplexe als katalysatoren zur herstellung von polyurethanen |
| JPWO2022014344A1 (ja) * | 2020-07-13 | 2022-01-20 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5820664A (en) * | 1990-07-06 | 1998-10-13 | Advanced Technology Materials, Inc. | Precursor compositions for chemical vapor deposition, and ligand exchange resistant metal-organic precursor solutions comprising same |
| JP2000503805A (ja) * | 1996-01-11 | 2000-03-28 | エフエスアイ インターナショナル インコーポレイテッド | ベータ―ジケトンまたはベータ―ケトイミン配位子形成化合物を用いる金属除去のための改良された方法 |
| JP2002302473A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-10-18 | Samsung Electronics Co Ltd | 非対称型β−ケトイミネートリガンド化合物、その製造方法及びそれを含む有機金属前駆体 |
| JP2004014813A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Showa Denko Kk | 金属研磨組成物、それを用いた研磨方法及びそれを用いた基板の製造方法 |
| JP2005531619A (ja) * | 2002-06-28 | 2005-10-20 | ゾルファイ バリウム ストロンチウム ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 新規アルカリ土類金属錯体及びその使用 |
| TWI256078B (en) * | 2005-04-13 | 2006-06-01 | Univ Tsing Hua | Process and copper source reagents for depositing copper thin film in an atmosphere containing low concentration of oxygen |
| US20060234857A1 (en) * | 2005-04-13 | 2006-10-19 | Chevron Phillips Chemical Company Lp | Catalysts for olefin polymerization |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4950790A (en) | 1988-11-14 | 1990-08-21 | Air Products And Chemicals, Inc. | Volatile fluorinated β-ketoimines and associated metal complexes |
| FR2655339B2 (fr) | 1989-04-19 | 1992-04-10 | Medgenix Group Sa | Composes et complexes utiles notamment en imagerie medicale. |
| JP3227891B2 (ja) | 1993-04-20 | 2001-11-12 | 三菱マテリアル株式会社 | 新規な有機金属錯体とその配位子 |
| JPH08259528A (ja) | 1995-03-24 | 1996-10-08 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | アリールアルキルヒドロペルオキシド類の製造方法 |
| AU2001285235A1 (en) | 2000-08-28 | 2002-03-13 | Advanced Technology Materials, Inc. | Source reagent compositions and method for forming metal films on a substrate bychemical vapor deposition |
| JP4660924B2 (ja) | 2000-12-25 | 2011-03-30 | 東ソー株式会社 | 安定化された銅錯体及びその製造方法 |
| US7205422B2 (en) | 2004-12-30 | 2007-04-17 | Air Products And Chemicals, Inc. | Volatile metal β-ketoiminate and metal β-diiminate complexes |
| US7034169B1 (en) | 2004-12-30 | 2006-04-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Volatile metal β-ketoiminate complexes |
| US7947814B2 (en) | 2006-04-25 | 2011-05-24 | Air Products And Chemicals, Inc. | Metal complexes of polydentate beta-ketoiminates |
| KR20090007099A (ko) | 2007-07-13 | 2009-01-16 | 임은자 | 신발 안창의 제조방법 |
| KR20090007102A (ko) | 2007-07-13 | 2009-01-16 | 현대모비스 주식회사 | 차량용 오일 리저버 |
| US7691984B2 (en) * | 2007-11-27 | 2010-04-06 | Air Products And Chemicals, Inc. | Metal complexes of tridentate β-ketoiminates |
-
2007
- 2007-04-16 US US11/735,603 patent/US7947814B2/en active Active
- 2007-04-25 CN CN2007101097926A patent/CN101074203B/zh active Active
- 2007-04-25 TW TW096114684A patent/TWI339207B/zh active
- 2007-04-25 EP EP07251747.7A patent/EP1849789B1/en not_active Not-in-force
- 2007-04-25 JP JP2007115819A patent/JP4680953B2/ja active Active
- 2007-04-25 KR KR1020070040463A patent/KR100892018B1/ko active IP Right Grant
-
2009
- 2009-01-29 KR KR1020090007102A patent/KR100950393B1/ko active IP Right Grant
- 2009-01-29 KR KR1020090007099A patent/KR100950392B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5820664A (en) * | 1990-07-06 | 1998-10-13 | Advanced Technology Materials, Inc. | Precursor compositions for chemical vapor deposition, and ligand exchange resistant metal-organic precursor solutions comprising same |
| JP2000503805A (ja) * | 1996-01-11 | 2000-03-28 | エフエスアイ インターナショナル インコーポレイテッド | ベータ―ジケトンまたはベータ―ケトイミン配位子形成化合物を用いる金属除去のための改良された方法 |
| JP2002302473A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-10-18 | Samsung Electronics Co Ltd | 非対称型β−ケトイミネートリガンド化合物、その製造方法及びそれを含む有機金属前駆体 |
| JP2004014813A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Showa Denko Kk | 金属研磨組成物、それを用いた研磨方法及びそれを用いた基板の製造方法 |
| JP2005531619A (ja) * | 2002-06-28 | 2005-10-20 | ゾルファイ バリウム ストロンチウム ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 新規アルカリ土類金属錯体及びその使用 |
| TWI256078B (en) * | 2005-04-13 | 2006-06-01 | Univ Tsing Hua | Process and copper source reagents for depositing copper thin film in an atmosphere containing low concentration of oxygen |
| US20060234857A1 (en) * | 2005-04-13 | 2006-10-19 | Chevron Phillips Chemical Company Lp | Catalysts for olefin polymerization |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013501714A (ja) * | 2009-08-07 | 2013-01-17 | シグマ−アルドリッチ・カンパニー、エルエルシー | 高分子量アルキル−アリルコバルトトリカルボニル錯体及び誘電体薄膜を作製するためのそれらの使用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20070248754A1 (en) | 2007-10-25 |
| JP2007302656A (ja) | 2007-11-22 |
| KR20070105280A (ko) | 2007-10-30 |
| TWI339207B (en) | 2011-03-21 |
| KR100950392B1 (ko) | 2010-03-29 |
| CN101074203A (zh) | 2007-11-21 |
| CN101074203B (zh) | 2010-12-29 |
| KR20090018998A (ko) | 2009-02-24 |
| EP1849789B1 (en) | 2014-04-09 |
| KR100950393B1 (ko) | 2010-03-29 |
| KR20090018999A (ko) | 2009-02-24 |
| US7947814B2 (en) | 2011-05-24 |
| KR100892018B1 (ko) | 2009-04-07 |
| TW200745143A (en) | 2007-12-16 |
| EP1849789A1 (en) | 2007-10-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4680953B2 (ja) | 多座配位β−ケトイミナート金属錯体 | |
| JP2007302656A5 (ja) | ||
| KR100988973B1 (ko) | 트리덴테이트 베타케토이미네이트의 금속 착물 | |
| KR101288919B1 (ko) | 금속 함유 막의 증착을 위한 금속 착물 | |
| TW201014925A (en) | Titanium pyrrolyl-based organometallic precursors and use thereof for preparing dielectric thin films | |
| US8642797B2 (en) | Amidate precursors for depositing metal containing films | |
| KR100807947B1 (ko) | 비대칭형 β-케토이미네이트 리간드 화합물의 제조방법 | |
| JP2009007333A5 (ja) | ||
| JP5424715B2 (ja) | チタン錯体、その製造方法、チタン含有薄膜及びその製法 | |
| KR101306810B1 (ko) | 신규의 텅스텐 아미노알콕사이드 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | |
| US8313807B2 (en) | High coordination sphere group 2 metal β-diketiminate precursors | |
| KR100634814B1 (ko) | 새로운 티타늄 산화물 선구 물질 및 그 제조 방법 | |
| KR100584200B1 (ko) | 티타늄 산화물 선구 물질 및 그 제조 방법 | |
| KR100756388B1 (ko) | 알루미늄증착 전구체 및 그의 제조방법 | |
| KR20230017669A (ko) | 박막 제조를 위한 신규한 유기 금속 화합물 | |
| KR20020047687A (ko) | 리간드 및 그를 이용한 유기금속 전구체 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081128 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100602 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100608 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100907 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100910 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101208 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110104 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110203 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4680953 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140210 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |