JP4678314B2 - 強誘電体メモリ装置、表示用駆動ic及び電子機器 - Google Patents
強誘電体メモリ装置、表示用駆動ic及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4678314B2 JP4678314B2 JP2006045547A JP2006045547A JP4678314B2 JP 4678314 B2 JP4678314 B2 JP 4678314B2 JP 2006045547 A JP2006045547 A JP 2006045547A JP 2006045547 A JP2006045547 A JP 2006045547A JP 4678314 B2 JP4678314 B2 JP 4678314B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- active region
- bit line
- ferroelectric
- line
- memory device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
- G11C11/221—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements using ferroelectric capacitors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/18—Bit line organisation; Bit line lay-out
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
- G11C8/14—Word line organisation; Word line lay-out
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
- H10B53/30—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors characterised by the memory core region
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
図1は、本実施の形態の表示用駆動ICの構成を示すブロック図である。表示用駆動ICは、強誘電体メモリ装置と、ラッチ回路150と、表示駆動回路160とを備えて構成される。強誘電体メモリ装置は、メモリセルアレイ110と、複数のワード線WLと、複数のプレート線PLと、複数のビット線BLと、ワード線制御部121と、プレート線制御部130と、ビット線制御部140とを備えて構成される。
図11は、本実施の形態のメモリセルアレイの構成を示す要部平面図である。なお、図3等と対応する部位には同じ符号を付し、その詳細な説明を省略する。
図12及び図13は、本実施の形態のメモリセルアレイの構成を示す要部平面図である。図13は、図12に示す平面パターンのうち、活性領域112、114とワード線WL1〜WL4の関係を明示した図である。なお、図3及び図4等と対応する部位には同じ符号を付し、その詳細な説明を省略する。
Claims (11)
- 第1の方向に延在する第1のビット線と、
前記第1の方向に延在する第2のビット線と、
前記第1のビット線の前記第2のビット線と反対側において、前記第1の方向に所定の間隔を有して配置されており、前記第1のビット線及び第1の強誘電体キャパシタがそれぞれ接続された第1の活性領域と、
前記第1のビット線の前記第2のビット線側において、前記第1の方向に所定の間隔を有して配置されており、前記第1のビット線及び第2の強誘電体キャパシタがそれぞれ接続された第2の活性領域と、
前記第2のビット線の前記第1のビット線側において、前記第1の方向に所定の間隔を有して配置されており、前記第2のビット線及び第3の強誘電体キャパシタがそれぞれ接続された第3の活性領域と、
前記第1の活性領域上から前記第1の方向と交差する第2の方向に延在する第1のワード線と、を備え、
前記第1の活性領域及び前記第2の活性領域の各々は、一方の端部及び他方の端部を有しており、
前記第1の活性領域の一部は、前記第1の方向において、前記第2の活性領域の一部と重なり、かつ、前記第2の方向において当該第2の活性領域と所定の間隔を有して配置され、
前記第2の活性領域の全部は、前記第1の方向において、前記第3の活性領域と重なり、かつ、前記第2の方向において当該第3の活性領域と所定の間隔を有して配置されたこと、を特徴とする強誘電体メモリ装置。 - 前記第1のワード線は、前記第1の活性領域上であって、前記第1の方向において前記第2の活性領域と重なり合う領域上から前記第2の方向に延在し、前記第2の活性領域を回避し、前記第2の活性領域と前記第1方向において前記所定の間隔で配置された他の第2の活性領域との間上を通るように配置されることを特徴とする請求項1に記載の強誘電体メモリ装置。
- 前記第1のビット線は、前記第1の活性領域において一方の端部と他方の端部との間の第1の領域に接続され、前記第2の活性領域において一方の端部と他方の端部との間の第2の領域に接続されており、
前記第1のワード線は、前記第1の活性領域において、一方の端部と前記第1の領域との間を通るように前記第2の方向に延在し、
当該強誘電体メモリ装置は、
前記第1の活性領域において、他方の端部と前記第1の領域との間を通って、前記第2の方向に延在する第2のワード線を、
さらに備えたことを特徴とする請求項1記載の強誘電体メモリ装置。 - 前記第1のワード線及び前記第2のワード線は、それらが配置された前記第1の活性領域の一方の端部と前記第1の方向において一部が重なる第2の活性領域と他方の端部と前記第1の方向において一部が重なる他の第2の活性領域との間を通って配置されており、
第1の活性領域における前記第1のワード線と前記第2のワード線との間隔は、前記第2の活性領域と前記他の第2の活性領域との間における前記第1のワード線と前記第2のワード線との間隔より広いことを特徴とする請求項3記載の強誘電体メモリ装置。 - 前記第1のワード線及び前記第2のワード線は、それらが配置された前記第1の活性領域の一方の端部と前記第1の方向において一部が重なる第2の活性領域と他方の端部と前記第1の方向において一部が重なる他の第2の活性領域との間を通って配置されており、
第1の活性領域における前記第1のワード線と前記第2のワード線との間隔は、前記第2の活性領域と前記他の第2の活性領域との間における前記第1のワード線と前記第2のワード線との間隔と同じであることを特徴とする請求項3記載の強誘電体メモリ装置。 - 前記第1の活性領域の一方の端部は、前記第1の方向において、前記第1の活性領域と一部が重なる第2の活性領域の他方の端部と重なっており、
前記第2の活性領域の一方の端部は、前記第1の方向において、前記第2の活性領域と一部が重なる前記第1の活性領域の他方の端部と重なっていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項記載の強誘電体メモリ装置。 - 前記第1の強誘電体キャパシタは、前記第1の活性領域における一方の端部に接続されており、
前記第2の強誘電体キャパシタは、前記第2の活性領域における他方の端部に接続されており、
当該強誘電体メモリ装置は、
前記第2の方向に延在し、前記第1の強誘電体キャパシタ及び前記第2の強誘電体キャパシタに接続された第1のプレート線を、
さらに備えたことを特徴とする請求項6記載の強誘電体メモリ装置。 - 前記第1の強誘電体キャパシタは、前記第1の活性領域における一方の端部に接続されており、
前記第2の強誘電体キャパシタは、前記第2の活性領域における他方の端部に接続されており、
当該強誘電体メモリ装置は、
前記第2の方向に延在し、前記第1の強誘電体キャパシタ及び前記第2の強誘電体キャパシタに接続された第1のプレート線と、
前記第1の活性領域における他方の端部に接続された第4の強誘電体キャパシタと、
前記第2の活性領域における一方の端部に接続された第5の強誘電体キャパシタと、
前記第2の方向に延在し、前記第4の強誘電体キャパシタ及び前記第5の強誘電体キャパシタに接続された第2のプレート線と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項6記載の強誘電体メモリ装置。 - 前記第1の強誘電体キャパシタは、前記第1の活性領域における一方の端部に接続されており、
前記第2の強誘電体キャパシタは、前記第2の活性領域における他方の端部に接続されており、
当該強誘電体メモリ装置は、
前記第1の方向に延在し、前記第1の強誘電体キャパシタに接続された第1のプレート線と、
前記第1の方向に延在し、前記第2の強誘電体キャパシタに接続された第2のプレート線と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項6記載の強誘電体メモリ装置。 - 請求項1乃至9のいずれか一項記載の強誘電体メモリ装置を備えたことを特徴とする表示用駆動IC。
- 請求項1乃至9のいずれか一項記載の強誘電体メモリ装置を備えたことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005194382A JP2007013011A (ja) | 2005-07-01 | 2005-07-01 | 強誘電体メモリ装置及び表示用駆動ic |
JP2006045547A JP4678314B2 (ja) | 2005-07-01 | 2006-02-22 | 強誘電体メモリ装置、表示用駆動ic及び電子機器 |
US11/448,530 US7292465B2 (en) | 2005-07-01 | 2006-06-07 | Ferroelectric random access memory device, display drive integrated circuit, and electronic apparatus |
KR1020060055260A KR100815334B1 (ko) | 2005-07-01 | 2006-06-20 | 강유전체 메모리 장치, 표시용 구동 ic 및 전자 기기 |
CNB2006100904285A CN100511471C (zh) | 2005-07-01 | 2006-06-23 | 铁电存储装置、显示用驱动集成电路以及电子设备 |
KR1020070130449A KR20070120932A (ko) | 2005-07-01 | 2007-12-13 | 강유전체 메모리 장치, 표시용 구동 ic 및 전자 기기 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005194382A JP2007013011A (ja) | 2005-07-01 | 2005-07-01 | 強誘電体メモリ装置及び表示用駆動ic |
JP2006045547A JP4678314B2 (ja) | 2005-07-01 | 2006-02-22 | 強誘電体メモリ装置、表示用駆動ic及び電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007227547A JP2007227547A (ja) | 2007-09-06 |
JP4678314B2 true JP4678314B2 (ja) | 2011-04-27 |
Family
ID=37589271
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005194382A Pending JP2007013011A (ja) | 2005-07-01 | 2005-07-01 | 強誘電体メモリ装置及び表示用駆動ic |
JP2006045547A Expired - Fee Related JP4678314B2 (ja) | 2005-07-01 | 2006-02-22 | 強誘電体メモリ装置、表示用駆動ic及び電子機器 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005194382A Pending JP2007013011A (ja) | 2005-07-01 | 2005-07-01 | 強誘電体メモリ装置及び表示用駆動ic |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7292465B2 (ja) |
JP (2) | JP2007013011A (ja) |
KR (2) | KR100815334B1 (ja) |
CN (1) | CN100511471C (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20090090602A (ko) | 2008-02-21 | 2009-08-26 | 삼성전자주식회사 | 워드 라인 저항을 감소시킬 수 있는 상 변화 메모리 장치 |
IN2012DN04871A (ja) | 2009-12-11 | 2015-09-25 | Semiconductor Energy Laoboratory Co Ltd | |
EP2526590A4 (en) * | 2010-01-19 | 2015-06-03 | Quintel Technology Ltd | METHOD AND APPARATUS FOR SCANNING ANTENNA RADIATION PATTERN |
TWI567735B (zh) | 2011-03-31 | 2017-01-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 記憶體電路,記憶體單元,及訊號處理電路 |
US9058892B2 (en) | 2012-03-14 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and shift register |
KR102056893B1 (ko) * | 2012-08-24 | 2019-12-17 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 |
US11244364B2 (en) | 2014-02-13 | 2022-02-08 | Apptio, Inc. | Unified modeling of technology towers |
CN104617092B (zh) * | 2014-11-06 | 2018-06-22 | 苏州捷芯威半导体有限公司 | 一种半导体器件及其制作方法 |
US10262715B2 (en) | 2017-03-27 | 2019-04-16 | Micron Technology, Inc. | Multiple plate line architecture for multideck memory array |
JP6352493B2 (ja) * | 2017-05-16 | 2018-07-04 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体記憶装置 |
US10446502B2 (en) * | 2017-08-30 | 2019-10-15 | Micron, Technology, Inc. | Apparatuses and methods for shielded memory architecture |
US10741540B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-08-11 | Taiwan Semiconductor Manufacutring Company, Ltd. | Integrated circuit layout method and device |
CN109378313B (zh) * | 2018-09-23 | 2020-10-30 | 复旦大学 | 一种低功耗三维非易失性存储器及其制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04279055A (ja) * | 1991-01-08 | 1992-10-05 | Nec Corp | 半導体メモリ |
JP2000133784A (ja) * | 1998-10-28 | 2000-05-12 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | 強誘電体メモリ装置 |
JP2002305289A (ja) * | 2001-04-05 | 2002-10-18 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
JP2005129794A (ja) * | 2003-10-24 | 2005-05-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2005209324A (ja) * | 2003-09-22 | 2005-08-04 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、コンピュータシステム、携帯コンピュータシステム、論理可変lsi装置、icカード、ナビゲーションシステム、ロボット、画像表示装置、光ディスク記憶装置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4032903A (en) * | 1976-02-13 | 1977-06-28 | Rca Corporation | Charge injection device arrays |
JPH0276258A (ja) * | 1988-09-13 | 1990-03-15 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
KR920007358B1 (ko) * | 1990-03-28 | 1992-08-31 | 금성일렉트론 주식회사 | 고집적 메모리 셀 및 코아 어레이 구조 |
JPH0521742A (ja) * | 1991-07-12 | 1993-01-29 | Sony Corp | 半導体メモリ |
KR930011238A (ko) * | 1991-11-12 | 1993-06-24 | 오리 노리오 | 스태틱 알에이엠(ram)의 메모리셀 및 그 메모리셀어레이 |
JP3368726B2 (ja) * | 1995-08-07 | 2003-01-20 | ヤマハ株式会社 | 半導体記憶装置とその製造方法 |
JPH1011978A (ja) * | 1996-06-28 | 1998-01-16 | Hitachi Ltd | 強誘電体メモリ、強誘電体メモリの製造方法及びデータ処理システム |
JP3343055B2 (ja) * | 1996-07-09 | 2002-11-11 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP3496576B2 (ja) * | 1999-06-04 | 2004-02-16 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
KR100320435B1 (ko) * | 1999-11-22 | 2002-01-15 | 박종섭 | 불휘발성 강유전체 메모리 소자 및 그 제조방법 |
KR100369350B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2003-01-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 활성영역과 공핍형 트랜지스터로 이루어진 비트라인 구조를 갖는 강유전체 메모리 소자 |
JP2002170935A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電体メモリ |
JP2003045174A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-02-14 | Sharp Corp | 半導体記憶装置 |
JP4090766B2 (ja) * | 2002-03-19 | 2008-05-28 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4114652B2 (ja) * | 2004-08-20 | 2008-07-09 | セイコーエプソン株式会社 | 強誘電体メモリ |
-
2005
- 2005-07-01 JP JP2005194382A patent/JP2007013011A/ja active Pending
-
2006
- 2006-02-22 JP JP2006045547A patent/JP4678314B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-07 US US11/448,530 patent/US7292465B2/en active Active
- 2006-06-20 KR KR1020060055260A patent/KR100815334B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-06-23 CN CNB2006100904285A patent/CN100511471C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-12-13 KR KR1020070130449A patent/KR20070120932A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04279055A (ja) * | 1991-01-08 | 1992-10-05 | Nec Corp | 半導体メモリ |
JP2000133784A (ja) * | 1998-10-28 | 2000-05-12 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | 強誘電体メモリ装置 |
JP2002305289A (ja) * | 2001-04-05 | 2002-10-18 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
JP2005209324A (ja) * | 2003-09-22 | 2005-08-04 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、コンピュータシステム、携帯コンピュータシステム、論理可変lsi装置、icカード、ナビゲーションシステム、ロボット、画像表示装置、光ディスク記憶装置 |
JP2005129794A (ja) * | 2003-10-24 | 2005-05-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070120932A (ko) | 2007-12-26 |
KR100815334B1 (ko) | 2008-03-19 |
CN100511471C (zh) | 2009-07-08 |
KR20070003567A (ko) | 2007-01-05 |
JP2007013011A (ja) | 2007-01-18 |
CN1892897A (zh) | 2007-01-10 |
US7292465B2 (en) | 2007-11-06 |
JP2007227547A (ja) | 2007-09-06 |
US20070002605A1 (en) | 2007-01-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4678314B2 (ja) | 強誘電体メモリ装置、表示用駆動ic及び電子機器 | |
US20060133139A1 (en) | Non-volatile semiconductor memory | |
US7323718B2 (en) | Input display with embedded photo sensor | |
US7852655B2 (en) | Semiconductor memory device | |
US6990005B2 (en) | Semiconductor device | |
WO2010087389A1 (ja) | 磁気メモリ素子、磁気メモリ | |
US20050105335A1 (en) | Semiconductor memory device and electric device with the same | |
JP4697668B2 (ja) | 強誘電体メモリ装置、表示用駆動ic及び電子機器 | |
US7394677B2 (en) | Ferroelectric random access memory device, display drive IC and electronic equipment | |
US8446751B2 (en) | Semiconductor memory device | |
JP2003315817A (ja) | 表示装置 | |
US6710386B2 (en) | Semiconductor memory device using ferroelectric film | |
US7193260B2 (en) | Ferroelectric memory device | |
CN100524511C (zh) | 铁电存储装置、显示用驱动ic及电子设备 | |
US20110228206A1 (en) | Liquid crystal device and electronic apparatus | |
JP2008180807A (ja) | 電気光学装置およびその電気光学装置を備えた電子機器 | |
JP4192613B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
US7046542B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
US20030173606A1 (en) | Semiconductor storage device including nonvolatile ferroelectric memory | |
JP2001249361A5 (ja) | ||
JP3945498B2 (ja) | メモリセル及び半導体記憶装置 | |
JP2005079478A (ja) | メモリ装置及び電子機器 | |
JP2000131710A (ja) | 薄膜トランジスタ回路基板およびこれを用いた液晶パネル | |
JP2003282840A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JPH10242466A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080304 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100617 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100618 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100817 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100910 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101108 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110105 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110118 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4678314 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140210 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |