JP4635412B2 - 導電性接着フィルムおよびこれを用いた半導体装置 - Google Patents

導電性接着フィルムおよびこれを用いた半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4635412B2
JP4635412B2 JP2003199901A JP2003199901A JP4635412B2 JP 4635412 B2 JP4635412 B2 JP 4635412B2 JP 2003199901 A JP2003199901 A JP 2003199901A JP 2003199901 A JP2003199901 A JP 2003199901A JP 4635412 B2 JP4635412 B2 JP 4635412B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
semiconductor device
adhesive film
conductive adhesive
weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2003199901A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005044524A (ja
Inventor
梨恵 高山
大助 中川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority to JP2003199901A priority Critical patent/JP4635412B2/ja
Publication of JP2005044524A publication Critical patent/JP2005044524A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4635412B2 publication Critical patent/JP4635412B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、導電性接着フィルム及びこれを用いた半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の製造における半導体素子を金属リードフレーム等に接着する方法(いわゆるダイボンディング方法)は、従来の金−シリコーン共晶に始まり、半田、樹脂ペーストによる方法と推移してきた。現在では、導電性の樹脂ペーストを使用する方法が主に用いられている。
【0003】
しかし、導電性の樹脂ペーストを用いる方法では、ボイドの発生による導電性の低下およびペースト厚さの不均一等が生じる場合があった。
また、近年開発されたBGA(Ball Grid Array)やCSP(Chip Scale Package)といった高密度実装方法を用いた半導体装置では、樹脂ペーストが接着後にはみ出すという問題を生じることもあった。
【0004】
これらの問題を解決する手法として、ポリイミドを用いたフィルム状の接着剤が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
このフィルム状の接着剤は、多量の銀粒子を含んでいるため可とう性が不十分であり、作業性に劣っていた。また、ポリイミドを用いたフィルム状の接着剤は、高温で接着する必要があるため、高密度化した半導体素子、リードフレーム等に熱損傷を与える場合があった。
【0005】
【特許文献1】
特開平6−145639号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、導電性に優れ、かつ低温で接着可能な導電性接着フィルムおよびそれを用いた半導体装置を提供するものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、(1)〜()に記載の本発明により達成される。
(1)ウエハの裏面に、導電性接着フィルム、ダイシングテープをラミネートした導電性接着フィルム付きウエハをダイシングしたのちダイシングテープを剥離する工程を含む半導体装置の製造方法により製造され、前記導電性接着フィルムを介して、半導体素子と、
支持部材とが接合されている半導体装置であって、前記導電性接着フィルムが、アクリル系樹脂と、導電性粒子とを含む樹脂組成物で構成され、硬化反応後における破断点伸度が2%以上であることを特徴とする半導体装置。
(2)前記樹脂組成物は、さらに硬化性樹脂を含むものである第(1)に記載の半導体装置。
(3)前記アクリル系樹脂のガラス転移温度は、−10〜50℃である第(1)または(2)に記載の半導体装置。
(4)前記アクリル系樹脂は、アクリル酸共重合体である第(1)ないし(3)のいずれか1項に記載の半導体装置。
(5)前記アクリル系樹脂は、ニトリル基を持つ化合物を含むものである第(1)ないし(4)のいずれか1項に記載の半導体装置。
(6)前記アクリル系樹脂は、エポキシ基を持つ化合物を含むものである第(1)ないし(5)のいずれか1項に記載の半導体装置。
(7)前記導電性粒子は、銀粉である第(1)ないし(6)のいずれか1項に記載の半導体装置。
(8)体積抵抗値が10 −3 Ω・cm以下である第(1)ないし(7)のいずれか1項に記載の半導体装置。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の導電性接着フィルムおよび半導体装置について説明する。
本発明の導電性接着フィルムは、アクリル系樹脂と、導電性粒子とを含む樹脂組成物で構成されることを特徴とするものである。
また、本発明の半導体装置は、上記に記載の導電性接着フィルムを介して、半導体素子と、支持部材とが接合されていることを特徴とするものである。
【0009】
まず、導電性接着フィルムについて説明する。
本発明の導電性接着フィルムは、アクリル系樹脂と、導電性粒子を含む樹脂組成物で構成されるものである。これにより、可とう性および低温での接着性に優れることができる。
前記アクリル系樹脂は、アクリル酸およびその誘導体を意味し、具体的にはアクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル等のアクリル酸エステル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル等のメタクリル酸エステル、アクリロニトリル、アクリルアミド等の重合体および他の単量体との共重合体等が挙げられる。これらの中でもアクリル酸共重合体が好ましい。これにより、低温での接着性を特に向上することができる。
【0010】
また、エポキシ基、水酸基、カルボキシル基、二トリル基等を持つ化合物を有するアクリル系樹脂(アクリル酸共重合体)が好ましい。これにより、半導体素子等の被着体への密着性を向上することができる。前記官能基を持つ化合物として、具体的にはグリシジルエーテル基を持つグリシジルメタクリレート、水酸基を持つヒドロキシメタクリレート、カルボキシル基を持つカルボキシメタクリレート、二トリル基を持つアクリロニトリル等が挙げられる。
これらの中でも特にニトリル基を持つ化合物を含むアクリル酸共重合体が好ましい。これにより、被着体への密着性を特に向上することができる。
【0011】
前記官能基を持つ化合物の含有量は、特に限定されないが、前記アクリル系樹脂全体の0.5〜40重量%が好ましく、特に5〜30重量%が好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると導電性を向上する効果が低下する場合がある。
【0012】
前記アクリル系樹脂のガラス転移温度は、特に限定されないが、−10〜50℃が好ましく、特に0〜40℃が好ましい。ガラス転移温度が前記下限値未満であると粘着力が強くなり作業性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると導電性接着フィルムがもろくなりすぎる場合がある。
【0013】
前記アクリル系樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の5〜30重量%が好ましく、特に10〜20重量%が好ましい。含有量が前記下限値未満であると導電性接着フィルムの可とう性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると導電性接着フィルムの作業性を低下する場合がある。
【0014】
前記アクリル系樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、10万以上が好ましく、特に15〜100万が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であると導電性接着フィルムの強度が低下する場合があり、前記上限値を超えると硬化性樹脂との相溶性を向上する効果が低下する場合がある。
【0015】
前記導電性粒子としては、例えば金、銀、銅、鉄、ニッケル、SUS、カーボンブラック等が挙げられる。これらの中でも銀(特に銀粉)および銅が好ましい。これにより、導電性に優れる。
また、前記導電性粒子の形状は、特に限定されないが、例えば破砕形、球状、鱗片状等が挙げられる。これらの中でも鱗片状が好ましい。これにより、作業性を向上することができる。
【0016】
前記導電性粒子の平均粒子径は、特に限定されないが、0.5〜20μmが好ましく、特に1〜10μmが好ましい。平均粒子径が前記範囲内であると、特に導電性接着フィルムの外観に優れる。
【0017】
前記導電性粒子の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の60〜90重量%が好ましく、特に70〜80重量%が好ましい。含有量が前記範囲内であると、半導体用接着フィルムの導電性に特に優れる。
【0018】
また、前記導電性粒子として銀(銀粉)を用いる場合、前記銀粉は、特に限定されないが、フレーク状の銀粉を含むことが好ましく、特にフレーク状の銀粉と球状銀粉とを併用することが好ましく、最もフレーク状の銀粉と球状銀粉とアドマイズド銀粉とを併用することが好ましい。これにより、優れた導電性を維持した状態で、作業性を向上することができる。
前記アドマイズド銀粉とは、アドマイズド法により得られるものであり、銀を溶融させた後、噴霧冷却して得られるものである。前記アドマイズド銀粉は、粒子間に空隙を有さず、熱伝導性の低下が無く熱放散性を付与する特徴を有する。
【0019】
前記フレーク状の銀粉の平均粒子径は、特に限定されないが、1〜15μmが好ましく、特に3〜10μmが好ましい。フレーク状の銀粉の平均粒子径が前記範囲内であると、特に導電性接着フィルムの粘度を低下させ、銀粉を高充填にすることができる。
さらに、前記フレーク状の銀粉は、前記平均粒子径の範囲に加え、最大粒子径が30μm以下であることが好ましく、特に10〜25μmであることが好ましい。これにより、前記粘度を低下させる効果に加え、導電性接着フィルムの外観も向上することができる。
【0020】
前記球状銀粉の平均粒子径は、特に限定されないが、0.3〜3.0μmが好ましく、特に0.5〜2.5μmが好ましい。球状銀粉の平均粒子径が前記範囲内であると、特に導電性接着フィルムの接着性を向上することができる。
さらに、前記球状銀粉は、前記平均粒子径の範囲に加え、最大粒子径が30μm以下であることが好ましく、特に10〜25μmであることが好ましい。これにより、前記接着性を向上する効果に加え、導電性接着フィルムの外観も向上することができる。
【0021】
前記アドマイズド銀粉の平均粒子径は、3〜10μmが好ましく、特に5〜8μmが好ましい。平均粒子径が前記範囲内であると、特に導電性接着フィルムの接着性を向上することができる。さらに、前記アドマイズド銀粉は、前記平均粒子径の範囲内に加え、タップ密度が4.5g/cm3以上であることが好ましく、特に5.0〜6.0g/cm3が好ましい。これにより、銀粉の充填性を向上することができる。前記タップ密度は、例えばJISK5101−1991の20.2タップ法に準じた方法により測定できる。
【0022】
前記フレーク状の銀粉の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物の20〜80重量%が好ましく、特に30〜70重量%が好ましい。含有量が前記範囲内であると、導電性と接着性と作業性のバランスに特に優れる。
また、前記球状銀粉の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物の5〜20重量%が好ましく、特に8〜18重量%が好ましい。含有量が前記範囲内であると、チキソ性をより向上することができる。
また、前記アドマイズド銀粉の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物の15〜50重量%が好ましく、特に20〜45重量%が好ましい。含有量が前記範囲内であると、導電性をより向上することができる。
【0023】
前記樹脂組成物は、さらに硬化性樹脂を含むことが好ましい。これにより、熱圧着時には濡れ性を向上することができる。なお、硬化性樹脂としては、後述するような硬化剤としての機能を有するようなものを含んでいても良い。さらに熱圧着後の加熱により、硬化反応が進行し、三次元網目状化して、半導体素子と金属リードフレーム等の支持部材との接着性を向上することができる。
前記硬化性樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾールフェノール樹脂等のフェノール樹脂、レゾルシノール樹脂、ビスフェノールAエポキシ樹脂、ビスフェノールFエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア(尿素)樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、ビスフェノールAジシアネート樹脂、ビスフェノールFジシアネート樹脂、ビス(4−シアネートフェニル)エーテル樹脂、ビスフェノールEジシアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂、ノボラック型シアネート樹脂等のシアネートエステル樹脂等の熱硬化性樹脂が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても良い。これらの中でもエポキシ樹脂が特に好ましい。これにより、耐熱性および密着性をより向上することができる。
【0024】
前記熱硬化性樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の1〜10重量%が好ましく、特に3〜8重量%が好ましい。含有量が前記下限値未満であると耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると保存性が低下する場合がある。
ここで保存性とは、半導体用接着フィルムのワニスを常温で保存できる特性を意味する。
【0025】
前記硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、その含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の1〜8重量%が好ましく、特に3〜7重量%が好ましい。含有量が前記下限値未満であると耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると保存性が低下する場合がある。
【0026】
前記硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、その重量平均分子量は、特に限定されないが、300〜2,000が好ましく、特に500〜800が好ましい。前記重量平均分子量が前記上限値を超えるとアクリル系樹脂との相溶性が低下する場合があり、前記下限値未満であると熱圧着や熱硬化する際に揮発成分が発生する場合がある。
また、前記エポキシ樹脂のエポキシ当量は、特に限定されないが、100〜2,000g/eqが好ましく、特に120〜1,800g/eqが好ましい。エポキシ当量が前記下限値未満であると架橋密度が低下して耐熱性が低下する場合があり、前記上限値を超えると導電性接着フィルムが脆くなる場合がある。
【0027】
さらに、前記エポキシ樹脂は、室温で固形のエポキシ樹脂と、室温で液状のエポキシ樹脂を併用することが好ましい。これにより、導電性接着フィルムで半導体素子等を接着する際のフロー性(導電性接着フィルムの濡れ拡がり性)を向上することができる。
前記室温で固形のエポキシ樹脂と、液状のエポキシ樹脂との併用割合は、特に限定されないが、固形のエポキシ樹脂/液状のエポキシ樹脂が重量比で9/1〜5/5が好ましく、特に8/2〜6/4が好ましい。併用割合が前記範囲内であると、特に導電性接着フィルムのフロー性を特に向上することができる。
【0028】
前記熱硬化性樹脂には、上記で挙げた成分のほかにも、さらにエポキシオリゴマーなども用いることができる。前記エポキシオリゴマーとしては、例えば分子内に少なくとも1つのエポキシ基を有するものが挙げられ、分子量1,000〜50,000が好ましく、特に3,000〜10,000が好ましい。
【0029】
さらに、前記エポキシ樹脂を硬化性樹脂として用いる場合、特に限定されないが、さらにシアネートエステル樹脂を併用することがさらに好ましい。これにより、被着体への密着性と耐熱性とをより向上することができる。
前記シアネートエステル樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の0.1〜8重量%が好ましく、特に0.5〜5重量%が好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えるとアウトガスの原因や耐熱性を向上する効果が低下する場合がある。
【0030】
また、前記硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合は、特に限定されないが、エポキシ樹脂の反応を促進させるために硬化促進剤を添加することが好ましい。
前記硬化促進剤としては、例えばジシアンジアミド誘導体、イミダゾール類、トリフェニルホスフィンなどが用いられる。これらは2種類以上を併用してもよい。これらの中でもイミダゾール類を使用することが好ましい。イミダゾール類として、具体的には1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチル−イミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾールなどが挙げられる。
【0031】
前記硬化促進剤の配合量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の0.01〜5重量%が好ましく、特に0.03〜2重量%が好ましい。配合量が前記範囲内であると、特にエポキシ樹脂の反応性に優れる。
【0032】
前記硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合、前記樹脂組成物は硬化剤(特に、イミダゾール系硬化剤)を含んでも良い。
前記硬化剤としては、例えばジエチレントリアミン(DETA)、トリエチレンテトラミン(TETA)、メタキシレリレンジアミン(MXDA)などの脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン(DDM)、m−フェニレンジアミン(MPDA)、ジアミノジフェニルスルホン(DDS)などの芳香族ポリアミンのほか、ジシアンジアミド(DICY)、有機酸ジヒドララジドなどを含むポリアミン化合物等のアミン系硬化剤、ヘキサヒドロ無水フタル酸(HHPA)、メチルテトラヒドロ無水フタル酸(MTHPA)などの脂環族酸無水物(液状酸無水物)、無水トリメリット酸(TMA)、無水ピロメリット酸(PMDA)、ベンゾフェノンテトラカルボン酸(BTDA)等の芳香族酸無水物等の酸無水物系硬化剤、フェノール樹脂等のフェノール系硬化剤が挙げられる。これらの中でもフェノール系硬化剤が好ましく、具体的にはビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)メタン(通称テトラメチルビスフェノールF)、4,4’−スルホニルジフェノール、4,4’−イソプロピリデンジフェノール(通称ビスフェノールA)、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2−ヒドロキシフェニル)メタン、(2−ヒドロキシフェニル)(4−ヒドロキシフェニル)メタンおよびこれらの内ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2−ヒドロキシフェニル)メタン、(2−ヒドロキシフェニル)(4−ヒドロキシフェニル)メタンの3種の混合物(例えば、本州化学工業(株)製、ビスフェノールF−D)等のビスフェノール類、1,2−ベンゼンジオール、1,3−ベンゼンジオール、1,4−ベンゼンジオール等のジヒドロキシベンゼン類、1,2,4−ベンゼントリオール等のトリヒドロキシベンゼン類、1,6−ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン類の各種異性体、2,2’−ビフェノール、4,4’−ビフェノール等のビフェノール類の各種異性体等の化合物が挙げられる。
【0033】
前記エポキシ樹脂の硬化剤の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の0.5〜30重量%が好ましく、特に3〜10重量%が好ましい。含有量が前記下限値未満であると耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると保存性が低下する場合がある。
【0034】
前記硬化剤としては、さらにエポキシ樹脂とアミン化合物の反応物を用いることもできる。これはマイクロカプセル型硬化剤と呼ばれるもので、加熱により付加したアミン化合物がエポキシ樹脂より遊離し、エポキシ樹脂に作用するものである。例えば、ビスフェノールF型エポキシ樹脂と2−メチルイミダゾールにイソシアネートを付加させたものがある。
【0035】
前記樹脂組成物には、必要に応じてカップリング剤等の添加剤を用いることができる。
前記カップリング剤としては、例えばシラン系カップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤等が挙げられる。これらの中でも、シリコンチップとの界面での密着性が良いシラン系カップリング剤が好ましい。具体的にはγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、β−(3、4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−メタクロキシプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【0036】
前記カップリング剤の配合量は、特に限定されないが、樹脂分(アクリル系樹脂+硬化性樹脂)100重量部に対し0.5〜10重量部が好ましく、特に0.8〜8重量部が好ましい。配合量が前記範囲内であると、特に密着性に優れる。
【0037】
本発明の導電性接着フィルムは、例えば以下のような方法で得ることができる。
前記樹脂組成物を、例えばN−メチル−2−ピロリドン、アニソール、メチルエチルケトン、トルエン、酢酸エチル等の有機溶剤中で混合してワニス状とし、これをポリイミド等の耐熱性のフィルム支持基材にフローコーター、ロールコーター、コンマコーター等で塗布してフィルムを形成して本発明の導電性接着フィルムを得ることができる。
【0038】
前記導電性接着フィルムの体積抵抗値は、特に限定されないが、10-3Ω・cm以下であることが好ましく、特に10-4〜10-5Ω・cmであることが好ましい。体積抵抗値が前記範囲内であると、導電性接着フィルムの熱放散性が向上するため、小型化および高密度実装に対応した最新の半導体装置に適した接着フィルムを得ることができる。
【0039】
前記導電性接着フィルムの硬化反応後における破断点伸度は、特に限定されないが、1%以上であることが好ましく、特に2〜200%であることが好ましい。破断点伸度が前記範囲内であると、特にダイシング性を向上することができる。
前記硬化反応後とは、例えば前記導電性接着フィルムを180℃、1時間処理した後などである。
【0040】
次に、本発明の半導体装置について好適な実施の形態に基づいて説明する。
図1は、本発明の半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。
半導体装置1は、半導体素子2と、半導体用接着フィルム3と、支持部材4とを有する。
半導体素子2は、上述したような半導体用接着フィルム2を介して支持部材4に接合されている。
【0041】
支持部材4としては、例えば金属性のリードフレーム、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸した基板、ポリイミド樹脂基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂基板の樹脂製基板等が挙げられる。
【0042】
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【実施例】
まず、導電性接着フィルムの実施例および比較例に基づいて説明する。
(実施例1)
▲1▼樹脂ワニスの調製
アクリル系樹脂としてアクリル酸共重合体A(ナガセケムテックス(株)社製、SG−P3−DR、ガラス転移温度15℃、重量平均分子量850,000、アクリロ二トリル含有量30重量%、グリシジルメタクリレート含有量3.0重量%)11.9重量%と、硬化性樹脂としてエポキシ樹脂A(日本化薬(株)社製、EOCN−1020−80、当量200g/eq)6.0重量%と、シアネート樹脂(旭チバ(株)社製、AroCy L−10)1.4重量%と、導電性粒子としてフレーク状銀粉(DMC2ジャパン(株)社製、SF−86S、平均粒子径3.0μm、最大粒子径30μm以下)30重量%と、球状銀粉A(DMC2ジャパン(株)社製、SF−48、平均粒子径5.0μm、最大粒子径30μm以下)10重量%と、アドマイズド銀粉(福田金属(株)社製、AgXF301H、平均粒子径5.0μm、最大粒子径30μm以下)40重量%と、硬化促進剤としてイミダゾール化合物(四国化成工業(株)社製、1B2PZ)0.1重量%と、カップリング剤としてシラン系カップリング剤(信越化学(株)社製、KBM403E)0.6重量%とをメチルエチルケトンに溶解して、固形分61.1重量%の樹脂ワニスを得た。
【0043】
▲2▼導電性接着フィルムの製造
上述の樹脂ワニスをコンマコーターで支持基材PETフィルム(RL−07(38)、厚さ38μm)に塗布し、80℃、8分乾燥して導電性接着フィルムを得た。
【0044】
▲3▼半導体装置の製造
半導体素子(厚さ300μm)のウエハの裏面に、温度130℃、線圧1.0MPa、速度5mm/秒の条件でラミネートした。さらにダイシングテープ(住友ベークライト株式会社製、FSN−40006)を室温でラミネートした後、導電性接着フィルム付きウエハを8.0×10.0mmに切断し、ダイシングテープを剥離して導電性接着フィルム付き半導体チップとした。これを42アロイのリードフレームへの加圧時間を1秒間、温度を200℃、圧着圧力を1.0MPaとして熱圧着した。その後、住友ベークライト(株)製エポキシ封止材(EME−6300S)により封止し、半導体装置(QFP、大きさ14mm×20mm×2mm)を得た。
【0045】
(実施例2)
アクリル系樹脂として以下のものを用いた以外は、実施例1と同様にした。
アクリル系樹脂としてアクリル酸共重合体B(ナガセケムテックス(株)社製、SG−80HDR、ガラス転移温度10℃、重量平均分子量350,000、アクリロ二トリル含有量20重量%、グリシジルメタクリレート含有量1.0重量%)を用いた。
【0046】
(実施例3)
アクリル系樹脂として以下のものを用いた以外は、実施例1と同様にした。
アクリル系樹脂としてアクリル酸共重合体C(ナガセケムテックス(株)社製、SG−600LBDR、ガラス転移温度−31.4℃、重量平均分子量1200000、アクリロ二トリル含有量6.0重量%、グリシジルメタクリレート含有量0重量%)を用いた。
【0047】
(実施例4)
アクリル系樹脂として以下のものを用いた以外は、実施例1と同様にした。
アクリル系樹脂としてアクリル酸共重合体D(ナガセケムテックス(株)社製、SG−600、ガラス転移温度85℃、アクリロ二トリル含有量0重量%、グリシジルメタクリレート含有量0重量%)を用いた。
【0048】
(実施例5)
硬化性樹脂として以下のものを用いた以外は、実施例1と同様にした。
硬化性樹脂としてエポキシ樹脂B(ジャパンエポキシレジン(株)社製、EP1100L、当量4,000g/eq)を用いた。
【0049】
(実施例6)
導電性粒子として以下のものを用いた以外は、実施例1と同様にした。
球状銀粉の代りに球状銅粉(日本アトマイズ加工(株)製、SF−Cu、平均粒子径10μm、最大粒子径30μm以下)を用いた。
【0050】
(実施例7)
導電性粒子としてアドマイズド銀粉を使用せずに以下のものを用いた以外は、実施例1と同様にした。
アドマイズド銀粉の代りに、球状銀粉B(福田金属(株)社製、AgC−156I、平均粒子径2〜3μm、最大粒子径30μm以下)の含有量を40重量%とした。
【0051】
(実施例8)
導電性粒子としてフレーク状銀粉を使用せずに以下のものを用いた以外は、実施例1と同様にした。
フレーク状銀粉の代りに、球状銀粉C((株)徳力化学化学研究所社製、AgF−5S、平均粒子径4〜6μm、最大粒子径30μm以下)の含有量を10重量%とした。
【0052】
(実施例9)
樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例1と同様にした。アクリル系樹脂としてアクリル酸共重合体A(ナガセケムテックス(株)社製、SG−P3−DR、ガラス転移温度15℃、重量平均分子量850000、アクリロ二トリル含有量30%、グリシジルメタクリレート含有量3%)30重量%と、硬化性樹脂としてエポキシ樹脂(日本化薬(株)社製、EOCN−1020−80、当量200g/eq)15重量%と、導電性粒子としてフレーク状銀粉(DMC2ジャパン(株)社製、SF−86S、平均粒子径3.0μm、最大粒子径30μm以下)30重量%と、球状銀粉A(DMC2ジャパン(株)社製、SF−48、平均粒子径5.0μm、最大粒子径30μm以下)5重量%と、アドマイズド銀粉(福田金属(株)社製、AgXF301H、平均粒子径5.0μm、最大粒子径30μm以下)25重量%と、硬化促進剤としてイミダゾール化合物(四国化成工業(株)社製、1B2PZ)0.15重量%とをメチルエチルケトンに溶解して、固形分38.6重量%の樹脂ワニスを得た。
【0053】
(比較例1)
アクリル系樹脂の代りに、以下の樹脂を用いた以外は実施例1と同様にした。
アクリル系樹脂の代りにシリコーン変性ポリイミド樹脂(ジアミン成分として2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(0.15モル)およびα,ω−ビス(3−アミノプロピル)ポリジメチルシロキサン(平均分子量837)(0.15モル)と、酸成分として4,4’−オキシジフタル酸二無水物(0.15モル)および3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(0.15モル)とを合成して得られるアニソールに可溶なポリイミド樹脂、Tg:100℃、重量平均分子量50,000)を用いた。
【0054】
(比較例2)
アクリル系樹脂の代りに、以下の樹脂を用いた以外は実施例1と同様にした。
アクリル系樹脂の代りにフェノキシ樹脂(東都化成社製、FX−280S、ガラス転移温度160℃、重量平均分子量20,000)を用いた。
【0055】
各実施例および比較例で得られた導電性接着フィルムについて、下記の評価を行った。評価内容を評価項目と共に示す。得られた結果を表1に示す。
▲1▼初期密着性
各実施例および比較例で得られた導電性接着フィルムを2.5mmφの金型で打ち抜き、圧着温度180℃、圧力20MPa、加圧時間0.5秒で仮圧着し、次いで、圧着温度180℃、圧力10MPa、加圧時間1.0秒で、フィルムを42−合金のリードフレームに貼り付けた。
次に、4mm×4mmの半導体素子を、上記2.5mmφのフィルムに、圧着温度160℃、圧力10MPa、圧着時間1.0秒でチップマウントし、室温でダイシェア強度を測定し初期密着性を測定した。各符号は、以下の通りである。
◎:ダイシェア強度が2.0MPaを超える。
○:ダイシェア強度が、1.5〜2.0MPa以下である。
△:ダイシェア強度が、1.0〜1.5MPa未満である。
×:ダイシェア強度が、1.0MPa未満である。
【0056】
▲2▼体積抵抗値
体積抵抗値は、各実施例および比較例で得られた導電性接着フィルムを、180℃で1時間処理し熱硬化させ、幅10mm、長さ60mmに切断し、スライドガラス上での体積抵抗をミリオーム計で測定した。各符号は、以下の通りである。
◎:体積抵抗値が1.0×10-3Ω・cm以下
○:体積抵抗値が1.0×10-3を超え、1.0×10-4Ω・cm未満
△:体積抵抗値が1.0×10-4以上、1.0×10-5Ω・cm未満
×:体積抵抗値が1.0×10-5Ω・cm以上
【0057】
▲3▼密着性
密着性は、240℃での熱時接着強度で評価した。
各実施例および比較例で得られた導電性接着フィルムを、さらに、180℃で1時間硬化させた。そして硬化後、プッシュプルゲージを用い240℃での熱時ダイシェア強度を測定した。各符号は、以下の通りである。
◎:熱時ダイシェア強度が、0.4MPaを超える
○:熱時ダイシェア強度が、0.2〜0.4MPa以下である
△:熱時ダイシェア強度が、0.1〜0.2MPa未満である。
×:熱時ダイシェア強度が、0.1未満である。
【0058】
▲4▼作業性
作業性は、各実施例および比較例で得られた導電性接着フィルムを100mm×100mmに切断し、半分に折り曲げた後98hPaの圧力でプレスした際の導電性接着フィルムの形状で評価した。各符号は、以下の通りである。
◎:破断等が全く無し。
○:破断等が部分的に有るが、実用上使用可能である。
△:破断等が部分的に有り、実用上使用不可能である。
×:破断等が有り。
【0059】
▲6▼破断伸度
破断点伸度は、各実施例および比較例で得られた導電性接着フィルムを180℃で1時間処理し熱硬化させ、幅10mm、長さ120mmに切断した後、万能型引っ張り試験機(オリエンテック社製、テンシロンRTC−1250A)で破断点伸度を測定した。各符号は、以下の通りである。
◎:破断点伸度が、2.0%を超える。
○:破断点伸度が、1.0〜2.0%以下である。
△:破断点伸度が、0.5〜1.0%未満である。
×:破断点伸度が、0.5%未満である。
【0060】
▲7▼保存性
各導電性接着フィルムを室温で720時間放置した。その後、示査走査熱量測定装置(セイコーインスツルメント社製、DSC6000)を用いてピークトップ温度で評価し、保存性データとした。
◎:ピークトップの温度が、変化しない。
○:ピークトップの温度変化が、5℃未満である。
△:ピークトップの温度変化が、5℃以上、8℃未満である。
×:ピークトップの温度変化が、8℃以上である。
【0061】
▲8▼耐熱性
耐熱性は、各実施例および比較例で得られた導電性接着フィルムを示査熱熱重量同時測定装置(セイコーインスツルメント社製、TG/DTA6200)を用いて熱分解温度で評価した。各符号は、以下の通りである。
◎:5重量%の熱分解温度が、350℃を超える。
○:5重量%の熱分解温度が、320〜350℃以下である。
△:5重量%の熱分解温度が、300〜320℃未満である。
×:5重量%の熱分解温度が、300℃未満である。
▲9▼耐リフロー性
上記実施例及び比較例により得た半導体装置と同じパッケージを5個作製した。各パッケージを温度及び湿度がそれぞれ85℃/85%RHの恒温恒湿槽中で、12時間吸湿させた後、Max.230℃、10秒のIRリフローにかけ、半田リフローを行い、その剥離状態を超音波探傷機により観察した。「良好な試料数/評価個数」で示した。
【0062】
【表1】
Figure 0004635412
【0063】
表1から明らかなように、実施例1〜9は体積抵抗値が低く、初期密着性に優れていた。したがって、導電性および低温での接着可能であることが示された。
また、実施例1〜4、6、7および9は、密着性に優れており、接続信頼性にも優れていた。
また、実施例1〜3および5〜9は、作業性にも優れていた。
また、実施例1〜4および6〜9は、耐熱性にも優れていた。
【0064】
【発明の効果】
本発明によれば、導電性に優れ、かつ低温で接着可能な導電性接着フィルムおよびそれを用いた半導体装置を得ることができる。
また、特定のアクリル酸共重合体を用いる場合、特に高温での密着性に優れ、接続信頼性を向上することができる。
また、特定のアクリル酸共重合体を用いる場合、特に破断伸度等のフィルム特性に優れる導電性接着フィルムを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
1 半導体装置
2 半導体素子
3 半導体用接着フィルム
4 支持部材

Claims (8)

  1. ウエハの裏面に、導電性接着フィルム、ダイシングテープをラミネートした導電性接着フィルム付きウエハをダイシングしたのちダイシングテープを剥離する工程を含む半導体装置の製造方法により製造され、前記導電性接着フィルムを介して、半導体素子と、支持部材とが接合されている半導体装置であって、
    前記導電性接着フィルムが、
    アクリル系樹脂と、導電性粒子とを含む樹脂組成物で構成され、
    硬化反応後における破断点伸度が2%以上である
    ことを特徴とする半導体装置。
  2. 前記樹脂組成物は、さらに硬化性樹脂を含むものである請求項1に記載の半導体装置。
  3. 前記アクリル系樹脂のガラス転移温度は、−10〜50℃である請求項1または2に記載の半導体装置。
  4. 前記アクリル系樹脂は、アクリル酸共重合体である請求項1ないし3のいずれか1項に記載の半導体装置。
  5. 前記アクリル系樹脂は、ニトリル基を持つ化合物を含むものである請求項1ないし4のいずれか1項に記載の半導体装置。
  6. 前記アクリル系樹脂は、エポキシ基を持つ化合物を含むものである請求項1ないし5のいずれか1項に記載の半導体装置。
  7. 前記導電性粒子は、銀粉である請求項1ないし6のいずれか1項に記載の半導体装置。
  8. 体積抵抗値が10 −3 Ω・cm以下である請求項1ないし7のいずれか1項に記載の半導体装置。
JP2003199901A 2003-07-22 2003-07-22 導電性接着フィルムおよびこれを用いた半導体装置 Expired - Fee Related JP4635412B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003199901A JP4635412B2 (ja) 2003-07-22 2003-07-22 導電性接着フィルムおよびこれを用いた半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003199901A JP4635412B2 (ja) 2003-07-22 2003-07-22 導電性接着フィルムおよびこれを用いた半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005044524A JP2005044524A (ja) 2005-02-17
JP4635412B2 true JP4635412B2 (ja) 2011-02-23

Family

ID=34260522

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003199901A Expired - Fee Related JP4635412B2 (ja) 2003-07-22 2003-07-22 導電性接着フィルムおよびこれを用いた半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4635412B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9200184B2 (en) 2012-05-17 2015-12-01 Henkel IP & Holding GmbH Chain extended epoxy to improve adhesion of conductive die attach film

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4505583B2 (ja) * 2005-06-20 2010-07-21 フジコピアン株式会社 ダイカットで使用する基材レス両面粘着テープ
JP4505582B2 (ja) * 2005-06-20 2010-07-21 フジコピアン株式会社 打ち抜き加工用感圧接着テープ
CN103923578A (zh) 2013-01-10 2014-07-16 杜邦公司 包括含氟弹性体的导电粘合剂
CN103928077B (zh) 2013-01-10 2017-06-06 杜邦公司 含有共混弹性体的导电粘合剂
KR20160106625A (ko) * 2014-01-08 2016-09-12 닛토덴코 가부시키가이샤 필름형 접착제, 필름형 접착제를 갖는 다이싱 테이프, 반도체 장치의 제조 방법, 및 반도체 장치
JP2015129226A (ja) * 2014-01-08 2015-07-16 日東電工株式会社 フィルム状接着剤、フィルム状接着剤付きダイシングテープ、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
JP6516473B2 (ja) * 2014-02-28 2019-05-22 日東電工株式会社 導電性粘着テープ、および導電性粘着テープ付表示装置
JP6563700B2 (ja) * 2015-06-10 2019-08-21 京セラ株式会社 半導体接着用樹脂組成物、半導体接着用シート及びそれを用いた半導体装置
TWI704196B (zh) * 2016-03-29 2020-09-11 日商拓自達電線股份有限公司 導電性塗料及使用其之屏蔽封裝體之製造方法
EP3540025B1 (en) 2016-11-10 2023-09-13 Kyocera Corporation Semiconductor-bonding resin composition, semiconductor-bonding sheet, and semiconductor device using semiconductor-bonding sheet
JP2019173023A (ja) * 2019-06-03 2019-10-10 京セラ株式会社 半導体接着用シート及びそれを用いた半導体装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11106714A (ja) * 1997-10-08 1999-04-20 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続用フィルム状接着剤
JP2001115127A (ja) * 1999-10-19 2001-04-24 Hitachi Chem Co Ltd 導電性接着剤とそれを用いた配線板
JP2002343747A (ja) * 2001-05-17 2002-11-29 Lintec Corp ダイシングシート及びダイシング方法
JP2003073641A (ja) * 2001-08-31 2003-03-12 Hitachi Chem Co Ltd 難燃性接着フィルム、半導体搭載用配線基板、半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2003129017A (ja) * 2001-10-25 2003-05-08 Sumitomo Bakelite Co Ltd 導電性接着フィルム及びこれを用いた半導体装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11106714A (ja) * 1997-10-08 1999-04-20 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続用フィルム状接着剤
JP2001115127A (ja) * 1999-10-19 2001-04-24 Hitachi Chem Co Ltd 導電性接着剤とそれを用いた配線板
JP2002343747A (ja) * 2001-05-17 2002-11-29 Lintec Corp ダイシングシート及びダイシング方法
JP2003073641A (ja) * 2001-08-31 2003-03-12 Hitachi Chem Co Ltd 難燃性接着フィルム、半導体搭載用配線基板、半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2003129017A (ja) * 2001-10-25 2003-05-08 Sumitomo Bakelite Co Ltd 導電性接着フィルム及びこれを用いた半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9200184B2 (en) 2012-05-17 2015-12-01 Henkel IP & Holding GmbH Chain extended epoxy to improve adhesion of conductive die attach film

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005044524A (ja) 2005-02-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4137827B2 (ja) 導電性接着フィルムおよびこれを用いた半導体装置
JP5315690B2 (ja) エリア実装型半導体装置及びその製造方法
JP5353449B2 (ja) 半導体装置の製造方法、半導体封止用接着剤及び半導体装置
KR20070118132A (ko) 반도체장치, 버퍼 코트용 수지 조성물, 다이 본딩용 수지조성물 및 봉지용 수지 조성물
JP4635412B2 (ja) 導電性接着フィルムおよびこれを用いた半導体装置
JP5115096B2 (ja) 接着フィルム
KR20100010036A (ko) 접착 필름 및 이것을 이용한 반도체 장치
JP4994743B2 (ja) フィルム状接着剤及びそれを使用する半導体パッケージの製造方法
JP2009091510A (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び該組成物を用いた半導体装置
JP2009256612A (ja) 半導体封止用接着剤、半導体封止用フィルム状接着剤、半導体装置及びその製造方法
JP5118956B2 (ja) 電子部品用接着剤
JP4400609B2 (ja) 半導体用接着フィルムおよび半導体装置
JP5274744B2 (ja) フィルム状接着剤及びこれを用いた半導体装置
JP4319108B2 (ja) 半導体用接着フィルムおよび半導体装置
JP2004186204A (ja) 回路部材接続用フィルム状接着剤及びこれを用いた半導体装置
KR101035873B1 (ko) 고온 속경화형 접착필름 조성물 및 이를 이용한 접착필름
JP2011192818A (ja) 半導体チップ接合用接着フィルム
JP2010239106A (ja) 半導体チップ接合用接着剤
JP2005203401A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2008300862A (ja) 半導体用接着フィルムおよび半導体装置
JP2004288560A (ja) 導電性接着フィルム及びこれを用いた半導体装置
JP4625342B2 (ja) 電子部品装置及び電子部品装置の製造方法
JP2002322457A (ja) 半導体装置用接着剤組成物及び半導体装置用接着シート
JP2014140006A (ja) 半導体パッケージ
JP3735106B2 (ja) 半導体用接着フィルムおよび半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060417

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080912

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080924

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081125

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090707

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090907

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20101026

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101108

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131203

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees