JP4608028B2

JP4608028B2 - モールド及びその作製方法

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Publication number: JP4608028B2
Application number: JP2010501725A
Authority: JP
Inventors: 和信橋本; 哲也今井; 修加園; 昌広勝村
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Priority date: 2009-01-29
Filing date: 2009-01-29
Publication date: 2011-01-05
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Description

本発明は、基板等の被転写体上の転写層に転写させるべき凹凸パターンが形成されたモールド及びその作製方法に関する。

電子ビーム露光等によって微細なパターンを形成したモールドを、樹脂材料（レジスト）を塗布したウェハ等の基板に押し付けることにより、レジスト上にパターンを転写するいわゆるナノインプリント手法において、光記録媒体、磁気記録媒体などのディスク形状の基板に対しては一般的に円盤状のモールドが用いられる（例えば、特許文献１）。

かかる転写方法では、先ず、転写層が形成された基板を第１保持手段によって保持され、更にモールドを第２保持手段に吸着保持させ、互いに離間した状態でモールド及び基板各々の基準位置同士を一致させてから、モールド及び基板間に圧力を加えてプレスすることにより、このモールドの凹凸パターンを基板の表面に押しつけるようにしている。
特開２００６−０４０３２１号

上記の特許文献１に開示された転写方法においては、モールドや基板の形状が円形のため、モールドを外周部で保持した場合、モールドの保持部と基板とが干渉することがあるという問題があった。また、両面プリントの場合には、上側モールドと下側モールドの保持部や、保持部とモールド同士が相互に干渉することがあるという問題もあった。

そこで、本発明が解決しようとする課題には、上記の欠点が一例として挙げられ、モールドを外周部で保持した場合にモールドの保持部と基板等の被転写体との干渉、更に両面プリントの場合に上側モールドと下側モールドの保持部との間や、保持部とモールド同士の相互干渉を防止することができるモールド及びその製造方法を提供することを目的とする。

請求項１に係る発明のモールドは、被転写体の表面に形成された転写層を挟むようにモールド同士を互いに接近させることにより転写を行う転写装置において使用され、前記転写層に前記転写装置によってパターンを転写させるモールドであって、外周に等間隔に３箇所の切り欠き部を有することで、円盤形状の外周領域を切り欠いた形状を有し、前記モールドの前記切り欠き部以外の部分が前記転写装置によって把持される被把持部とされており、前記切り欠き部と前記被把持部とは互いに異なる形状であることを特徴としている。

請求項２に係る発明のモールドの製造方法は、被転写体の表面に形成された転写層を挟むようにモールド同士を互いに接近させることにより転写を行う転写装置において使用され、前記転写層に前記転写装置によってパターンを転写させるモールドの製造方法であって、前記モールドの基板にパターンを形成するパターン形成工程と、円盤形状のモールドの外周に等間隔で３箇所を切り欠くことにより３つの切り欠き部を形成し、前記モールドの外周の前記切り欠き部以外の前記切り欠き部とは形状が異なる部分を前記転写装置によって把持される被把持部とする外形加工工程と、を備えることを特徴としている。

請求項１及び２に係る発明によれば、モールドの外周には等間隔に３つの切り欠き部を有し、外周の切り欠き部以外の部分を転写装置によって把持される被把持部とし、切り欠き部と被把持部とは互いに異なる形状であるので、その被把持部を把持する把持部と基板との間における衝突等の干渉を防止することが可能となる。

本発明のモールドを用いるナノインプリント装置の概略構成を示す図である。図１の装置中の上側モールドを示す平面図である。図１の装置のナノインプリント処理を示すフローチャートである。図１の装置のモールド押圧時の上側モールド、下側モールド及び基板の状態を示す平面図(a)及び側面図(b)である。図１の装置の離型時の上側モールド、下側モールド及び基板の状態を示す図である。図１の装置のモールド把持部の他の例を示す図である。本発明の他の実施例としてモールド押圧時のモールド及び基板の支持固定状態を示す平面図(a)、Ｖ−Ｖ断面図(b)及びＷ−Ｗ断面図(c)である。モールド作製方法を示す図である。

符号の説明

６，１６基板
３０ａ上側センターピン
３０ｂ下側センターピン
２００コントローラ
５０１ａ上側モールド保持部
５０１ｂ下側モールド保持部
５０３ａ上側モールド
５０３ｂ下側モールド
５０７ｂ下側センターピン駆動ユニット
５１１ステージ上下駆動ユニット

以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ詳細に説明する。

図１は、本発明のモールドを用いて転写を行うＵＶ（Ultraviolet：紫外線）式のナノインプリント装置の概略断面構造を示している。

このナノインプリント装置は、転写すべき凸凹パターンが予め形成されている上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂを用いて基板６に対して両面同時にパターン転写を行うものである。上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂはモールドセットである。基板６は円盤形状の例えば、磁気ディスク用基板であり、中心に中心孔を有している。基板６は強化ガラス、アルミ基板、シリコンウェハ等の材料からなる。基板６の両面には、紫外線が照射されると硬化する材料からなる上側転写層６０４ａ及び下側転写層６０４ｂが形成されている。上側及び下側モールド５０３ａ，５０３ｂは石英、ガラス等の紫外線透過性を有する基材からなり、その表面に凹凸パターンが形成されている。

上側モールド５０３ａは図２に示すように基板６より大なる大きさの円盤形状をなし、その中心に中心孔を有している。図２において点線で示した範囲Ｐが上側モールド５０３ａの凹凸パターンの形成部分である。上側モールド５０３ａの中心孔の径は基板６の中心孔の径より若干大である。

上側モールド５０３ａは更に、その円盤形状の外周領域に３つの切り欠き部５０ａを等間隔（１２０度間隔）で同一幅で有している。すなわち、その３つの切り欠き部５０ａは上側モールド５０３ａの中心点について対象に形成され、その切り欠き方向は上側モールド５０３ａの中心点を通る直線に対して直角な方向である。下側モールド５０３ｂも上側モールド５０３ａと同様に円盤形状をなし、その中心に中心孔を有し、その外周領域には３つの切り欠き部５１ｂが形成されている。なお、この実施例においては、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂは同一形状であるが、後述する把持部５０９ａ，５０９ｂによって切り欠き部以外の被把持部が把持され、それら把持部５０９ａ，５０９ｂが互いに干渉しないならば異なる形状であっても良い。

図１には、上側転写層６０４ａ及び下側転写層６０４ｂが形成された基板６と、上側モールド５０３ａと、下側モールド５０３ｂとが装着された状態におけるナノインプリント装置の構成を示している。

図１に示すナノインプリント装置は、上側機構部、下側機構部、これら上側機構部及び下側機構部を制御するコントローラ２００及び操作部２０１から構成される。

上側機構部は、上側センターピン３０ａ、上側モールド保持部５０１ａ、上側ステージ５０５ａ、上側センターピン支持部５０６ａ、上側センターピン駆動ユニット５０７ａ、上側ＵＶ照射ユニット５０８ａ、上側モールド把持部５０９ａ、上側モールド把持駆動ユニット５１０ａを備える。

ボード状の上側ステージ５０５ａには、図１に示す如き開口部１００ａと共に、後述するボールネジ５１２がねじ込まれるネジ溝が切られているネジ穴部が存在する。上側ステージ５０５ａの上面上には、上側センターピン駆動ユニット５０７ａ及び上側ＵＶ照射ユニット５０８ａが設置されている。一方、その下面上には、上側モールド５０３ａを固定保持させる為のモールド保持面（図１において上側モールド５０３ａが接触している面）を備えた上側モールド保持部５０１ａ、及び上側センターピン支持部５０６ａが設けられている。上側センターピン支持部５０６ａは、上側ステージ５０５ａの開口部１００ａに設置されている。上側センターピン支持部５０６ａは、上側センターピン３０ａを上側モールド保持部５０１ａのモールド保持面に対して垂直な方向において上下移動可能な状態で支持する為の貫通孔が設けられている。

上側センターピン駆動ユニット５０７ａは、コントローラ２００から供給された上側センターピン移動信号ＣＧ_Ｕに応じて、上側センターピン３０ａを、上側モールド保持部５０１ａのモールド保持面に対して垂直な方向において上側又は下側に移動させる。上側ＵＶ照射ユニット５０８ａは、コントローラ２００から供給された紫外線照射信号ＵＶに応じて、転写層材料を硬化させるべき紫外線を、上側ステージ５０５ａの開口部１００ａを介して、基板６の上側転写層６０４ａに向けて照射する。上側モールド保持部５０１ａは、上側モールド５０３ａが上側モールド把持部５０９ａによって固定されるモールド保持面を有している。上側モールド保持部５０１ａのモールド保持面には、上側センターピン３０ａを貫通させる為の貫通孔が設けられている。上側モールド保持部５０１ａには、上側モールド保持駆動ユニット５１０ａが設けられている。上側モールド保持駆動ユニット５１０ａは、３つのＬ字状の把持部５０９ａ（図１では２つのみを示している）にて上側モールド５０３ａの外周領域の３つの切り欠き部５０ａの間の円弧部分（すなわち被把持部）を把持させるべく、コントローラ２００から供給されたモールド把持信号ＭＱに応じてこの把持部５０９ａを駆動する。

上側センターピン３０ａの先端には凹部３０１ａが形成されている。

一方、下側機構部は、下側センターピン３０ｂ、下側モールド保持部５０１ｂ、下側ステージ５０５ｂ、下側センターピン支持部５０６ｂ、下側センターピン駆動ユニット５０７ｂ、下側ＵＶ照射ユニット５０８ｂ、下側モールド把持部５０９ｂ、下側モールド把持駆動ユニット５１０ｂ、ステージ上下駆動ユニット５１１及びボールネジ５１２を備える。

ボード状の下側ステージ５０５ｂには、図１に示す如き開口部１００ｂと共に、ボールネジ５１２がねじ込まれるネジ溝が切られているネジ穴部が存在する。ボールネジ５１２は、下側ステージ５０５ｂ及び上側ステージ５０５ａによる互いの平行状態を維持させたまま両者を連結するように、その一端が下側ステージ５０５ｂのネジ穴部、他端が上側ステージ５０５ａのネジ穴部に夫々ネジ込まれている。下側ステージ５０５ｂの上面上には、下側モールド５０３ｂを固定保持させる為のモールド保持面（図１において下側モールド５０３ｂが接触している面）を備えた下側モールド保持部５０１ｂ、及び下側センターピン支持部５０６ｂが設けられている。一方、下側ステージ５０５ｂの下面上には、下側センターピン駆動ユニット５０７ｂ、下側ＵＶ照射ユニット５０８ｂ及びステージ上下駆動ユニット５１１が設けられている。

下側センターピン支持部５０６ｂは、下側ステージ５０５ｂの開口部１００ｂに設置されている。下側センターピン支持部５０６ｂには、下側センターピン３０ｂを、下側モールド保持部５０１ｂのモールド保持面に対して垂直な方向において上下移動可能な状態で支持する為の貫通孔が設けられている。

上側センターピン３０ａ及び下側センターピン３０ｂ各々の中心軸は同一直線上にあるとする。下側センターピン３０ｂの先端には半球状又はコーン状の凸部３０１ｂが形成されている。その凸部３０１ｂは上側センターピン３０ａの先端の凹部３０１ａと共にクランプ機構をなしている。また、下側センターピン３０ｂの先端近傍にはフランジ５０４ｂが形成されている。フランジ５０４ｂの直径は下側モールド５０３ｂの中心孔の直径より小であるが、基板６の中心孔の直径より大である。

下側モールド保持部５０１ｂには、下側モールド保持駆動ユニット５１０ｂが設けられている。下側モールド保持駆動ユニット５１０ｂは、３つのＬ字状の把持部５０９ｂ（図１では２つのみを示している）にて下側モールド５０３ｂの切り欠き部５１ｂ間の円弧部分（すなわち被把持部）を把持させるべく、コントローラ２００から供給されたモールド把持信号ＭＱに応じて把持部５０９ｂを駆動する。

図１においては上側モールド５０３ａ用の把持部５０９ａと、下側モールド５０３ｂ用の把持部５０９ｂとは上側センターピン３０ａ，３０ｂを中心にして同一角度位置に設けられているが、実際には上側と下側とでは６０度の角度ずれがある。

操作部２０１は、このナノインプリント装置を動作させるべく、使用者によって指示された各種動作指令を受け付け、その動作指令を示す動作指令信号をコントローラ２００に供給する。コントローラ２００は、操作部２０１から供給された動作指令信号にて示される動作に対応した処理プログラムを実行することにより、ナノインプリント装置を制御する為の各種制御信号（ＵＶ、ＣＧ_Ｕ、ＣＧ_Ｌ）を生成する。

ここで、操作部２０１が、使用者からのナノインプリント実行指令を受け付けると、コントローラ２００は、図３に示す如きナノインプリント処理プログラムの実行を開始する。

図３において、先ず、コントローラ２００は、搬送装置（図示せず）によって上側モールド５０３ａを上側モールド保持部５０１ａのモールド保持面上に搬送させ（ステップＳ１）、その搬送後、モールド把持信号ＭＱを上側モールド保持駆動ユニット５１０ａに供給する（ステップＳ２）。ステップＳ２の実行により、上側モールド保持駆動ユニット５１０ａ各々は把持部５０９ａを駆動し、把持部５０９ａは上側モールド保持部５０１ａのモールド保持面上の所定上側保持位置に上側モールド５０３ａを両側から挟むように固定する。所定上側保持位置は上側センターピン３０ａが上側モールド５０３ａの中心孔内を接触することなく移動することができる位置である。

次に、コントローラ２００は、上記の搬送装置によって下側モールド５０３ｂを下側モールド保持部５０１ｂのモールド保持面上に搬送させ（ステップＳ３）、その搬送後、モールド把持信号ＭＱを下側モールド保持駆動ユニット５１０ｂに供給する（ステップＳ４）。ステップＳ４の実行により、下側モールド保持駆動ユニット５１０ｂ各々は把持部５０９ｂを駆動し、把持部５０９ｂは下側モールド保持部５０１ｂのモールド保持面上の所定下側保持位置に下側モールド５０３ｂを両側から挟むように固定する。所定下側保持位置は下側センターピン３０ｂが下側モールド５０３ｂの中心孔内を接触することなく移動することができる位置であり、所定上側保持位置と上下対象関係にある。

なお、把持部５０９ａ，５０９ｂによる固定の他に、真空ポンプを用いて上側モールド５０３ａを上側モールド保持部５０１ａのモールド保持面に吸着させ、同様に下側モールド５０３ｂを下側モールド保持部５０１ｂのモールド保持面に吸着させても良い。

次いで、コントローラ２００は、上記の搬送装置によって基板６を搬送させそれを下側センターピン３０ｂのフランジ５０４ｂに装着させる（ステップＳ５）。すなわち、基板６の中心孔内に下側センターピン３０ｂが挿入される位置において基板６は下側センターピン３０ｂの先端凸部３０１ｂに沿って移動されることによりフランジ５０４ｂに載置される。これにより、上記したように保持固定されたモールド５０３ａ，５０３ｂに対する基板６の位置合わせを行うことができる。

基板６の装着後、コントローラ２００は、モールド押圧を行う（ステップＳ６）。モールド押圧の際には上側ステージ５０５ａを下方向に移動させるためにステージ駆動信号ＳＧがステージ上下駆動ユニット５１１に供給され、上側センターピン３０ａを下方向に移動させるために上側センターピン移動信号ＣＧ_Ｕが上側センターピン駆動ユニット５０７ａに供給される。これにより、上側ステージ５０５ａが下方向に移動すると共に上側センターピン３０ａが下方向に移動してその先端の凹部３０１ａが下側センターピン３０ｂの凸部３０１ｂに結合して上側モールド５０３ａが基板６の上側転写層６０４ａに接触する。上側ステージ５０５ａ及び上側センターピン３０ａが上側モールド５０３ａ及び基板６と共に更に下方向に移動すると、下側センターピン３０ｂを押し下げることになり、やがて基板６の下側転写層６０４ｂが下側モールド５０３ｂと接触する。基板６の両面が上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂによって加圧されるので、上側モールド５０３ａの凸部が上側転写層６０４ａに押し込まれ、同時に下側モールド５０３ｂの凸部が下側転写層６０４ｂに押し込まれる。よって、上側転写層６０４ａの表面部には、上側モールド５０３ａに形成されている凹凸パターンとは凹凸の状態が反転した凸凹パターンが形成される。一方、下側転写層６０４ｂの表面部には、下側モールド５０３ｂに形成されている凹凸パターンとは凹凸の状態が反転した凸凹パターンが形成される。すなわち、かかるステップＳ４の実行により、基板６の上側転写層６０４ａ及び下側転写層６０４ｂ各々に対して、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂによる両面同時パターン転写が為されるのである。

モールド押圧においては、図４(a)及び(b)に示すように上側モールド５０３ａを把持する把持部５０９ａと、下側モールド５０３ｂを把持する把持部５０９ｂとが互いに重ならない位置に存在する。すなわち、センターピン３０ａ，３０ｂを中心にして把持部５０９ａと把持部５０９ｂとが６０度間隔で交互に位置し、把持部５０９ａは上側モールド５０３ａの切り欠き部５０ａ以外の円形外周部分を把持し、把持部５０９ｂは下側モールド５０３ｂの切り欠き部５１ｂ以外の円形外周部分を把持するので、把持部５０９ａが下側モールド５０３ｂの切り欠き部５１ｂの存在角度内に位置して下側モールド５０３ｂの外周部分と重なる位置とならず、同様に、把持部５０９ｂが上側モールド５０３ａの切り欠き部５０ａの存在角度内に位置して上側モールド５０３ａの外周部分と重なる位置にない。これにより切り欠き部５０ａ，５１ｂが把持部５０９ｂ，５０９ａに対してのいわゆる逃げとなっている。よって、押圧時に押圧方向において把持部５０９ａと把持部５０９ｂとの衝突、把持部５０９ａと下側モールド５０３ｂの外周部分との衝突、或いは把持部５０９ｂと上側モールド５０３ａの外周部分との衝突等の干渉が互いに起きることがないので、基板６の両面を上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂによって同時に加圧することができるのである。

ステップＳ４の実行後、コントローラ２００は、紫外線照射信号ＵＶを上側ＵＶ照射ユニット５０８ａ及び下側ＵＶ照射ユニット５０８ｂに供給する（ステップＳ７）。ステップＳ７の実行により、上側ＵＶ照射ユニット５０８ａが転写層材料を硬化させるべき紫外線を基板６の上側転写層６０４ａに向けて照射すると共に、下側ＵＶ照射ユニット５０８ｂが転写層材料を硬化させるべき紫外線を下側転写層６０４ｂに向けて照射する。上側転写層６０４ａ及び下側転写層６０４ｂ各々の転写層材料が硬化した後、コントローラ２００は、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂから基板６を離型させるべき離型を実行する（ステップＳ８）。この離型において、コントローラ２００は、上側ステージ５０５ａを所定距離だけ上方向に移動させるべきステージ駆動信号ＳＧをステージ上下駆動ユニット５１１に供給する。これにより、上側モールド５０３ａが図５に矢印Ａで示すように、基板６の上側転写層６０４ａから離間する。更に、上側センターピン３０ａ及び下側センターピン３０ｂが結合した状態で上方向に移動させるように上側センターピン移動信号ＣＧ_Ｕが上側センターピン駆動ユニット５０７ａに供給され、同時に下側センターピン移動信号ＣＧ_Ｌが下側センターピン駆動ユニット５０７ｂに供給される。よって、図５に矢印Ａの方向に、下側センターピン３０ｂのフランジ５０４ｂにより基板６が持ち上がり、結果として矢印Ｂのように下側モールド５０３ｂから基板６が離型する。

そして、離型後、コントローラ２００は、上側センターピン３０ａを上方向に移動させるべき上側センターピン移動信号ＣＧ_Ｕを上側センターピン駆動ユニット５０７ａに供給すると共に、基板６を下側センターピン３０ｂから離脱させるべき指令を上記の搬送装置に送出して基板６を搬出させる（ステップＳ９）。

次に、コントローラ２００は、操作部２０１から、動作終了を示す動作指令信号が供給されているか否かを判定する（ステップＳ１０）。ステップＳ１０において動作終了を示す動作指令信号が供給されたと判定された場合、コントローラ２００は、このナノインプリント処理プログラムを終了する。一方、ステップＳ７にて動作終了を表す動作指令信号が供給されていないと判定された場合、コントローラ２００は、上記のステップＳ５の実行に戻ってステップＳ５〜Ｓ１０の動作を繰り返し実行する。これにより、新たに装着された基板６に対して連続してパターン転写を行うのである。

なお、図１のナノインプリント装置においては、上側モールド把持部５０９ａ及び下側モールド把持部５０９ｂは左右方向に移動するように構成されているが、図６に示すように上側モールド保持部５０１ａに回転軸５２１ａが取り付けられその回転軸５２１ａを中心にして図示しない駆動手段によって回動する把持部５０９ｂによって上側モールド５０３ａを保持固定し、把持部５０９ｂは上側モールド５０３ａの搬入及び搬出時には破線Ｔで示した位置となるようにしても良い。下側モールド５０３ｂについても同様である。

また、図１のナノインプリント装置においては、基板６は上側及び下側センターピン３０ａ，３０ｂによって支持されるが、図７(a)〜(c)に示すように基板６の外周部分を先端に凹部を有する２つのアーム支持部材５２３ａによって両側から挟持するようにしても良い。この場合に、下側モールド５０３ｂは上側モールド５０３ａより若干小なる円盤形状であり、下側センターピン３０ｂの先端に固定部材３１１ｂによって固定される。図１のナノインプリント装置内の上側センターピン３０ａは設けられていない。また、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂはその切り欠き部５０ａ及び切り欠き部５１ｂが互いに同一方向に位置するように固定され、これにより、押圧時には図７(b)に特に示すように切り欠き部５０ａ及び５１ｂが逃げとなってアーム支持部材５２３ａが上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂと重なり合わないようにされている。

上記した実施例においては、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂ各々には２又は３つの切り欠き部５０ａ，５１ｂが設けられているが、その数は２以上であれば良い。上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂ各々の切り欠き部５０ａ，５１ｂの数をｎ個とした場合に、３６０度／ｎの角度間隔で切り欠き部５０ａ，５１ｂは形成される。ただし、ｎの数は２〜５であることが好ましい。

なお、上記した実施例においては、基板６、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂ各々が円盤状の場合について説明したが、その円盤状には楕円形も含まれる。

更に、上記した実施例においては、紫外線を用いたナノインプリントが行われるが、基板及びモールドを加熱してパターンを転写する熱インプリントにも本発明のモールドを用いることができ、その場合はモールド基材としてＵＶ非透過性の基材、たとえばニッケル、シリコンなどを用いることもできる。

また、上記した実施例においては、基板の両面に凹凸パターン転写がされるが、本発明のモールドは基板の一方の転写層形成面だけに凹凸パターン転写するナノインプリントに用いることもできる。

図８は、上記の上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂを作製するモールド作製方法の一例を示している。この図８に従ってモールド作製方法を説明すると、先ず、表面にレジスト層１００ａが形成された円形の石英基板１００が用意され、その基板１００上のレジスト層１００ａに対し、その上方から電子ビーム描画装置によって電子ビームが照射され、レジスト層１００ａが露光される（露光工程）。すなわち、露光工程にて、その基板への電子ビーム照射によって例えば、磁気ディスク用のサーボゾーン及びデータゾーン各々のデータパターンが基板１００のレジスト層１００ａに潜像１００ｂとして形成される。そのような基板１００が電子ビーム記録装置から取り出された後、基板１００に対して現像処理が施される（現像工程）。現像工程により潜像１００ｂ部分が除去される。その後、石英基板１００に対して石英エッチングが施され凹部１００ｃが形成される（エッチング工程）。エッチング工程によって残ったレジスト層１００ａは剥離される（レジスト層除去工程）。これによって凹凸パターンとして表面に形成された石英基板１００が作製される。石英基板１００の外周領域の３カ所が図８の破線の如くカットされ、その結果、図２に示したように切り欠き部を有するモールドとなる（外形加工工程）。この作製方法は上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂのいずれにおいても同様である。

外形加工工程においてカットするべき切り欠き部の境界線を露光工程において電子ビーム描画装置による電子ビーム照射でデータパターンと共に描画しても良い。これにより外形加工工程における外周領域のカットを容易にかつ正確に行うことができる。

なお、外形加工工程を露光工程の前に行い、切り欠き部を有する基板１００について上記の露光工程、現像工程、エッチング工程及びレジスト層除去工程を行っても良い。

また、モールド作製方法としては、表面にＵＶ硬化樹脂が形成された円盤状の石英基板（未外形加工のもの）を用意してその石英基板表面のＵＶ硬化樹脂に別途作製された凹凸パターンを有するモールドを用いてＵＶナノインプリントを施し、そのＵＶ硬化樹脂上に凹凸パターンを転写した樹脂レプリカモールドを作製した後、外形加工工程を実行しても良い。

更に、円盤状の石英基板の外周領域に切り欠き部を形成する外形加工工程を実行した後、その石英基板の表面にＵＶ硬化樹脂を形成し、ＵＶ硬化樹脂に別途作製された凹凸パターンを有するモールドを用いてＵＶナノインプリントを施し、そのＵＶ硬化樹脂上に凹凸パターンを転写した樹脂レプリカモールドを作製しても良い。

また、基板６の材質がモールドに形成された微細な凹凸パターンを転写可能な材質、例えば樹脂フィルム、バルク樹脂、低融点ガラス等であれば、基板６の上層部分を転写層として扱うことができ、基板６上に直接パターン形状を転写することができる。

また、磁気ディスクの転写だけでなく、光ディスクなどの様々な記録媒体の製造に用いることができる。

Claims

被転写体の表面に形成された転写層を挟むようにモールド同士を互いに接近させることにより転写を行う転写装置において使用され、前記転写層に前記転写装置によってパターンを転写させるモールドであって、
外周に等間隔に３箇所の切り欠き部を有することで、円盤形状の外周領域を切り欠いた形状を有し、
前記モールドの前記切り欠き部以外の部分が前記転写装置によって把持される被把持部とされており、
前記切り欠き部と前記被把持部とは互いに異なる形状であることを特徴とするモールド。
被転写体の表面に形成された転写層を挟むようにモールド同士を互いに接近させることにより転写を行う転写装置において使用され、前記転写層に前記転写装置によってパターンを転写させるモールドの製造方法であって、
前記モールドの基板にパターンを形成するパターン形成工程と、
円盤形状のモールドの外周に等間隔で３箇所を切り欠くことにより３つの切り欠き部を形成し、
前記モールドの外周の前記切り欠き部以外の前記切り欠き部とは形状が異なる部分を前記転写装置によって把持される被把持部とする外形加工工程と、を備えることを特徴とする製造方法。