WO2010086986A1 - モールド及びその作製方法 - Google Patents

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WO2010086986A1
WO2010086986A1 PCT/JP2009/051489 JP2009051489W WO2010086986A1 WO 2010086986 A1 WO2010086986 A1 WO 2010086986A1 JP 2009051489 W JP2009051489 W JP 2009051489W WO 2010086986 A1 WO2010086986 A1 WO 2010086986A1
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WO
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mold
transfer
outer peripheral
gripped
peripheral region
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PCT/JP2009/051489
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橋本　和信
今井　哲也
加園　修
勝村　昌広
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パイオニア株式会社
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    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/855—Coating only part of a support with a magnetic layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0017—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor for the production of embossing, cutting or similar devices; for the production of casting means
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    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/887—Nanoimprint lithography, i.e. nanostamp

Definitions

  • the present invention relates to a mold having a concavo-convex pattern to be transferred to a transfer layer on a transfer medium such as a substrate, and a method for manufacturing the same.
  • a disk-shaped mold is used for a disk-shaped substrate such as the above (for example, Patent Document 1).
  • the problems to be solved by the present invention include the above-mentioned drawbacks as an example.
  • the mold is held at the outer peripheral portion, interference between the holding portion of the mold and the transfer target such as a substrate, and further, double-sided printing
  • the mold of the invention according to claim 1 is a mold in which a pattern for transfer by a transfer device is formed on a transfer layer formed on the surface of a transfer object, and the transfer device is formed in a part of an outer peripheral region.
  • a gripped portion to be gripped for transfer to the transfer target body is formed, and the gripped portion has a shape different from that of the other portion of the outer peripheral region.
  • the mold set of the invention according to claim 7 is a mold set composed of two molds in which patterns for transfer by a transfer device are individually formed on transfer layers formed on both surfaces of a transfer object, In each of the two molds, a gripped portion that is gripped for transfer to the transfer target in the transfer device is formed in a part of the outer peripheral region, and the gripped portion is connected to the other portion of the outer peripheral region.
  • a gripped portion that is gripped for transfer to the transfer target in the transfer device is formed in a part of the outer peripheral region, and the gripped portion is connected to the other portion of the outer peripheral region.
  • the gripped portion is formed at different angular positions in each of the two molds.
  • a mold manufacturing method is a mold manufacturing method having a pattern to be transferred by a transfer device, a pattern forming step of forming a pattern on a mold substrate, and an outer peripheral region of the mold substrate.
  • a gripped portion to be gripped for transfer to a transfer target is formed in a part of the outer peripheral region of the mold, and the gripped portion is the other part of the outer peripheral region. Therefore, it is possible to prevent interference such as collision between the gripping portion that grips the gripped portion and the substrate.
  • each of the two molds has a gripped portion to be gripped for transfer to a transfer target body in a part of the outer peripheral region, and the gripping portion is Since the shape is different from the other part of the outer peripheral region, and the gripped part is formed at different angular positions in each of the two molds, the gripping part and the lower side gripping the gripped part of the upper mold in the case of double-sided printing It is possible to prevent mutual interference between the gripping portion that grips the gripped portion of the mold, between any gripping portion and the mold or the substrate, or between the molds.
  • FIG. 1 It is a figure which shows schematic structure of the nanoimprint apparatus using the mold of this invention. It is a top view which shows the upper mold in the apparatus of FIG. It is a flowchart which shows the nanoimprint process of the apparatus of FIG. It is the top view (a) and side view (b) which show the state of the upper mold, lower mold, and board
  • a there are a plan view (a), a VV sectional view (b), and a WW sectional view (c) showing a state of supporting and fixing the mold and the substrate when the mold is pressed. It is a figure which shows a mold preparation method.
  • FIG. 1 shows a schematic cross-sectional structure of a nanoimprint apparatus of UV (Ultraviolet) type that performs transfer using the mold of the present invention.
  • UV Ultraviolet
  • This nanoimprint apparatus performs pattern transfer on both sides of the substrate 6 simultaneously using an upper mold 503a and a lower mold 503b in which the uneven pattern to be transferred is previously formed.
  • the upper mold 503a and the lower mold 503b are mold sets.
  • the substrate 6 is a disk-shaped substrate, for example, a magnetic disk, and has a central hole in the center.
  • the substrate 6 is made of a material such as tempered glass, an aluminum substrate, or a silicon wafer.
  • an upper transfer layer 604a and a lower transfer layer 604b made of a material that is cured when irradiated with ultraviolet rays are formed.
  • the upper and lower molds 503a and 503b are made of a base material having ultraviolet transparency such as quartz and glass, and an uneven pattern is formed on the surface thereof.
  • the upper mold 503a has a disk shape larger than the substrate 6 as shown in FIG. 2, and has a central hole at the center thereof.
  • a range P indicated by a dotted line in FIG. 2 is a portion where the uneven pattern of the upper mold 503a is formed.
  • the diameter of the center hole of the upper mold 503 a is slightly larger than the diameter of the center hole of the substrate 6.
  • the upper mold 503a further has three notches 50a at equal intervals (120 degree intervals) in the disk-shaped outer peripheral region with the same width. That is, the three notches 50a are formed with respect to the center point of the upper mold 503a, and the notch direction is a direction perpendicular to a straight line passing through the center point of the upper mold 503a.
  • the lower mold 503b has a disk shape like the upper mold 503a, has a center hole at the center thereof, and has three cutout portions 51b in the outer peripheral region.
  • the upper mold 503a and the lower mold 503b have the same shape, but gripped portions other than the notch portions are gripped by grip portions 509a and 509b described later, and the grip portions 509a and 509b are Different shapes may be used as long as they do not interfere with each other.
  • FIG. 1 shows the configuration of the nanoimprint apparatus in a state where the substrate 6 on which the upper transfer layer 604a and the lower transfer layer 604b are formed, the upper mold 503a, and the lower mold 503b are mounted.
  • the nanoimprint apparatus shown in FIG. 1 includes an upper mechanism unit, a lower mechanism unit, a controller 200 that controls the upper mechanism unit and the lower mechanism unit, and an operation unit 201.
  • the upper mechanism unit includes an upper center pin 30a, an upper mold holding unit 501a, an upper stage 505a, an upper center pin support unit 506a, an upper center pin driving unit 507a, an upper UV irradiation unit 508a, an upper mold holding unit 509a, and an upper mold holding drive.
  • a unit 510a is provided.
  • the board-like upper stage 505a has a screw hole portion in which a screw groove into which a ball screw 512 (to be described later) is screwed is formed, along with an opening portion 100a as shown in FIG.
  • An upper center pin drive unit 507a and an upper UV irradiation unit 508a are installed on the upper surface of the upper stage 505a.
  • an upper mold holding portion 501a having a mold holding surface (a surface with which the upper mold 503a is in contact in FIG. 1) for fixing and holding the upper mold 503a, and an upper center pin support portion 506a.
  • the upper center pin support portion 506a is installed in the opening 100a of the upper stage 505a.
  • the upper center pin support portion 506a is provided with a through-hole for supporting the upper center pin 30a in a vertically movable state in a direction perpendicular to the mold holding surface of the upper mold holding portion 501a.
  • Upper center pin drive unit 507a in accordance with the upper center pin movement signal CG U supplied from the controller 200, the upper center pin 30a, the upper or lower in a direction perpendicular to the mold holding surface of the upper mold holding portion 501a Move to the side.
  • the upper UV irradiation unit 508a applies ultraviolet light to be cured on the transfer layer material to the upper transfer layer 604a of the substrate 6 through the opening 100a of the upper stage 505a in accordance with the ultraviolet irradiation signal UV supplied from the controller 200. Irradiate toward.
  • the upper mold holding part 501a has a mold holding surface on which the upper mold 503a is fixed by the upper mold holding part 509a.
  • the mold holding surface of the upper mold holding part 501a is provided with a through hole for allowing the upper center pin 30a to pass therethrough.
  • the upper mold holding unit 501a is provided with an upper mold holding drive unit 510a.
  • the upper mold holding / driving unit 510a has an arc portion between three notches 50a in the outer peripheral region of the upper mold 503a by three L-shaped gripping portions 509a (only two are shown in FIG. 1). That is, in order to grip the gripped portion), the gripping portion 509a is driven according to the mold grip signal MQ supplied from the controller 200.
  • a recess 301a is formed at the tip of the upper center pin 30a.
  • the lower mechanism part includes a lower center pin 30b, a lower mold holding part 501b, a lower stage 505b, a lower center pin support part 506b, a lower center pin drive unit 507b, a lower UV irradiation unit 508b, a lower part.
  • a side mold holding part 509b, a lower mold holding drive unit 510b, a stage vertical drive unit 511, and a ball screw 512 are provided.
  • the board-like lower stage 505b has a screw hole portion in which a screw groove into which the ball screw 512 is screwed is cut, together with the opening portion 100b as shown in FIG.
  • the ball screw 512 has one end threaded in the lower stage 505b and the other end threaded in the upper stage 505a so that the lower stage 505b and the upper stage 505a are connected to each other while maintaining the parallel state. Each part is screwed.
  • On the upper surface of the lower stage 505b there is provided a lower mold holding portion 501b having a mold holding surface (a surface in contact with the lower mold 503b in FIG. 1) for fixing and holding the lower mold 503b.
  • a side center pin support portion 506b is provided.
  • a lower center pin drive unit 507b, a lower UV irradiation unit 508b, and a stage vertical drive unit 511 are provided on the lower surface of the lower stage 505b.
  • the lower center pin support 506b is installed in the opening 100b of the lower stage 505b.
  • the lower center pin support portion 506b is provided with a through hole for supporting the lower center pin 30b in a state in which the lower center pin 30b can be moved up and down in a direction perpendicular to the mold holding surface of the lower mold holding portion 501b. Yes.
  • a hemispherical or cone-shaped convex portion 301b is formed at the tip of the lower center pin 30b.
  • the convex portion 301b forms a clamping mechanism together with the concave portion 301a at the tip of the upper center pin 30a.
  • a flange 504b is formed near the tip of the lower center pin 30b. The diameter of the flange 504b is smaller than the diameter of the center hole of the lower mold 503b, but larger than the diameter of the center hole of the substrate 6.
  • the lower mold holding unit 501b is provided with a lower mold holding drive unit 510b.
  • the lower mold holding / driving unit 510b has three arcuate portions (that is, gripped portions) between the cutout portions 51b of the lower mold 503b with three L-shaped gripping portions 509b (only two are shown in FIG. 1). ) Is driven according to the mold holding signal MQ supplied from the controller 200.
  • the holding part 509a for the upper mold 503a and the holding part 509b for the lower mold 503b are provided at the same angular position around the upper center pins 30a and 30b. There is an angle shift of 60 degrees from the lower side.
  • the operation unit 201 accepts various operation commands instructed by the user to operate the nanoimprint apparatus, and supplies an operation command signal indicating the operation commands to the controller 200.
  • the controller 200 executes various processing signals (UV, CG U , CG L ) for controlling the nanoimprint apparatus by executing a processing program corresponding to the operation indicated by the operation command signal supplied from the operation unit 201. Generate.
  • the controller 200 starts executing the nanoimprint processing program as shown in FIG.
  • the controller 200 first transports the upper mold 503a onto the mold holding surface of the upper mold holding portion 501a by a transport device (not shown) (step S1), and then transfers the mold grip signal MQ to the upper side. It supplies to the mold holding drive unit 510a (step S2).
  • step S2 each of the upper mold holding drive units 510a drives the grip portion 509a, and the grip portion 509a sandwiches the upper mold 503a from both sides at a predetermined upper holding position on the mold holding surface of the upper mold holding portion 501a. Fix it.
  • the predetermined upper holding position is a position where the upper center pin 30a can move without contacting the center hole of the upper mold 503a.
  • the controller 200 causes the lower mold 503b to be transferred onto the mold holding surface of the lower mold holding portion 501b by the transfer device (step S3), and after that transfer, the mold holding signal MQ is driven to hold the lower mold. It supplies to the unit 510b (step S4).
  • each of the lower mold holding drive units 510b drives the gripping part 509b, and the gripping part 509b places the lower mold 503b on both sides at a predetermined lower holding position on the mold holding surface of the lower mold holding part 501b. Fix it so that it can be pinched.
  • the predetermined lower holding position is a position where the lower center pin 30b can move without contacting the center hole of the lower mold 503b, and is in a vertical relationship with the predetermined upper holding position.
  • the upper mold 503a is attracted to the mold holding surface of the upper mold holding part 501a by using a vacuum pump, and the lower mold 503b is similarly molded to the mold of the lower mold holding part 501b. You may make it adsorb
  • the controller 200 transports the substrate 6 by the transport device described above and attaches it to the flange 504b of the lower center pin 30b (step S5). That is, at the position where the lower center pin 30b is inserted into the center hole of the substrate 6, the substrate 6 is placed on the flange 504b by being moved along the tip convex portion 301b of the lower center pin 30b. As a result, the substrate 6 can be aligned with the molds 503a and 503b held and fixed as described above.
  • step S6 After mounting the substrate 6, the controller 200 performs mold pressing (step S6).
  • a stage drive signal SG is supplied to the stage vertical drive unit 511 to move the upper stage 505a downward, and an upper center pin movement signal CG U is used to move the upper center pin 30a downward.
  • the upper stage 505a moves downward
  • the upper center pin 30a moves downward
  • the concave portion 301a at the tip thereof is coupled to the convex portion 301b of the lower center pin 30b
  • the upper mold 503a is attached to the substrate 6. It contacts the upper transfer layer 604a.
  • a concavo-convex pattern in which the concavo-convex state is reversed from the concavo-convex pattern formed in the upper mold 503a is formed on the surface portion of the upper transfer layer 604a.
  • a concavo-convex pattern in which the concavo-convex state is reversed from the concavo-convex pattern formed in the lower mold 503b is formed on the surface portion of the lower transfer layer 604b. That is, by executing step S4, simultaneous double-side pattern transfer is performed on the upper transfer layer 604a and the lower transfer layer 604b of the substrate 6 by the upper mold 503a and the lower mold 503b.
  • the gripping portion 509a that grips the upper mold 503a and the gripping portion 509b that grips the lower mold 503b are present at positions where they do not overlap each other. That is, with the center pins 30a and 30b as the center, the gripping portions 509a and the gripping portions 509b are alternately positioned at intervals of 60 degrees, the gripping portions 509a grip the circular outer peripheral portion other than the notch portions 50a of the upper mold 503a, Since the grip portion 509b grips a circular outer peripheral portion other than the notch portion 51b of the lower mold 503b, the grip portion 509a is positioned within the existing angle of the notch portion 51b of the lower mold 503b and the outer periphery of the lower mold 503b.
  • the grip portion 509b is not located at the position where it overlaps with the outer peripheral portion of the upper mold 503a while being located within the existing angle of the notch 50a of the upper mold 503a.
  • the notches 50a and 51b serve as so-called reliefs with respect to the grips 509b and 509a. Therefore, interference such as a collision between the gripping part 509a and the gripping part 509b in the pressing direction at the time of pressing, a collision between the gripping part 509a and the outer peripheral part of the lower mold 503b, or a collision between the gripping part 509b and the outer peripheral part of the upper mold 503a. Therefore, both surfaces of the substrate 6 can be simultaneously pressed by the upper mold 503a and the lower mold 503b.
  • step S7 the controller 200 supplies the ultraviolet irradiation signal UV to the upper UV irradiation unit 508a and the lower UV irradiation unit 508b (step S7).
  • the upper UV irradiation unit 508a irradiates the upper transfer layer 604a of the substrate 6 with ultraviolet rays to be cured, and the lower UV irradiation unit 508b is to cure the transfer layer material. Is irradiated toward the lower transfer layer 604b.
  • the controller 200 executes mold release to release the substrate 6 from the upper mold 503a and the lower mold 503b (step S8).
  • the controller 200 supplies a stage drive signal SG for moving the upper stage 505a upward by a predetermined distance to the stage vertical drive unit 511.
  • the upper mold 503a is separated from the upper transfer layer 604a of the substrate 6 as indicated by an arrow A in FIG.
  • an upper center pin movement signal CG U is supplied to the upper center pin driving unit 507a so as to move upward in a state where the upper center pin 30a and the lower center pin 30b are coupled, and at the same time, the lower center pin movement signal CG.
  • L is supplied to the lower center pin drive unit 507b. Accordingly, the substrate 6 is lifted by the flange 504b of the lower center pin 30b in the direction of arrow A in FIG. 5, and as a result, the substrate 6 is released from the lower mold 503b as indicated by arrow B.
  • the controller 200 is a leaving supplies the upper center pin moving signal CG U to move the upper center pin 30a upward to the upper center pin drive unit 507a, the substrate 6 from the lower center pin 30b A command to be sent is sent to the transfer device to carry out the substrate 6 (step S9).
  • step S10 determines whether or not an operation command signal indicating the end of the operation is supplied from the operation unit 201 (step S10). If it is determined in step S10 that an operation command signal indicating the end of the operation has been supplied, the controller 200 ends the nanoimprint processing program. On the other hand, if it is determined in step S7 that the operation command signal indicating the end of the operation is not supplied, the controller 200 returns to the execution of step S5 and repeatedly executes the operations of steps S5 to S10. As a result, pattern transfer is continuously performed on the newly mounted substrate 6.
  • the upper mold holding part 509a and the lower mold holding part 509b are configured to move in the left-right direction.
  • the upper mold 503a is held and fixed by a gripping portion 509b attached to the rotary shaft 521a and rotated by driving means (not shown).
  • the gripping portion 509b is a position indicated by a broken line T when the upper mold 503a is carried in and out. You may make it become. The same applies to the lower mold 503b.
  • the substrate 6 is supported by the upper and lower center pins 30a and 30b.
  • the two arm support members 523a having the above may be sandwiched from both sides.
  • the lower mold 503b has a disk shape that is slightly smaller than the upper mold 503a, and is fixed to the tip of the lower center pin 30b by a fixing member 311b.
  • the upper center pin 30a in the nanoimprint apparatus of FIG. 1 is not provided.
  • the upper mold 503a and the lower mold 503b are fixed so that the cutout portion 50a and the cutout portion 51b are located in the same direction, and thus, when pressed, as shown in FIG.
  • the portions 50a and 51b are escaped so that the arm support member 523a does not overlap the upper mold 503a and the lower mold 503b.
  • each of the upper mold 503a and the lower mold 503b is provided with two or three notches 50a and 51b, but the number may be two or more.
  • the number of notches 50a and 51b in each of the upper mold 503a and the lower mold 503b is n
  • the notches 50a and 51b are formed at an angular interval of 360 degrees / n.
  • the number of n is preferably 2 to 5.
  • each of the substrate 6, the upper mold 503a, and the lower mold 503b is a disk shape
  • the disk shape includes an elliptical shape
  • the mold of the present invention can also be used for thermal imprinting in which a pattern is transferred by heating a substrate and a mold.
  • a UV-impermeable substrate such as nickel or silicon can be used.
  • the concave / convex pattern is transferred to both surfaces of the substrate.
  • the mold of the present invention can also be used for nanoimprinting in which the concave / convex pattern is transferred only to one transfer layer forming surface of the substrate.
  • FIG. 8 shows an example of a mold manufacturing method for manufacturing the upper mold 503a and the lower mold 503b.
  • the mold manufacturing method will be described with reference to FIG. 8.
  • a circular quartz substrate 100 having a resist layer 100a formed on the surface is prepared, and the resist layer 100a on the substrate 100 is applied to the resist layer 100a from above by an electron beam drawing apparatus.
  • the electron beam is irradiated to expose the resist layer 100a (exposure process). That is, in the exposure process, for example, the data pattern of each of the servo zone and the data zone for the magnetic disk is formed as a latent image 100b on the resist layer 100a of the substrate 100 by irradiating the substrate with an electron beam.
  • the substrate 100 is subjected to development processing (development process).
  • development process development processing
  • the latent image 100b portion is removed by the development process.
  • quartz etching is performed on the quartz substrate 100 to form a recess 100c (etching step).
  • the resist layer 100a remaining by the etching process is peeled off (resist layer removing process).
  • resist layer removing process resist layer removing process
  • the boundary line of the notch to be cut in the outer shape processing step may be drawn together with the data pattern by the electron beam irradiation by the electron beam drawing apparatus in the exposure step. As a result, the outer peripheral region can be easily and accurately cut in the outer shape processing step.
  • the outer shape processing step may be performed before the exposure step, and the above-described exposure step, development step, etching step, and resist layer removal step may be performed on the substrate 100 having the notch.
  • a disk-shaped quartz substrate (non-externally processed) having a UV curable resin formed on the surface is prepared, and a concavo-convex pattern is separately prepared on the UV curable resin on the surface of the quartz substrate.
  • the outer shape processing step may be executed.
  • a UV curable resin is formed on the surface of the quartz substrate, and a concavo-convex pattern separately formed on the UV curable resin is provided.
  • a resin replica mold in which UV nanoimprint is performed using a mold and the uneven pattern is transferred onto the UV curable resin may be produced.
  • the material of the substrate 6 is a material capable of transferring a fine uneven pattern formed on the mold, for example, a resin film, bulk resin, low melting point glass, etc.
  • the upper layer portion of the substrate 6 can be handled as a transfer layer.
  • the pattern shape can be directly transferred onto the substrate 6.

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Abstract

　モールドの外周領域の一部には、転写装置において被転写体への転写のために把持される被把持部が形成され、当該被把持部は外周領域の他部とは異なる形状である。モールドセットの２つのモールドの各々は、外周領域の一部には、転写装置において被転写体への転写のために把持される被把持部が形成され、当該被把持部は外周領域の他部とは異なる形状であり、被把持部が２つのモールド各々で互い異なる角度位置に形成される。

Description

モールド及びその作製方法
　本発明は、基板等の被転写体上の転写層に転写させるべき凹凸パターンが形成されたモールド及びその作製方法に関する。
　電子ビーム露光等によって微細なパターンを形成したモールドを、樹脂材料（レジスト）を塗布したウェハ等の基板に押し付けることにより、レジスト上にパターンを転写するいわゆるナノインプリント手法において、光記録媒体、磁気記録媒体などのディスク形状の基板に対しては一般的に円盤状のモールドが用いられる（例えば、特許文献１）。
　かかる転写方法では、先ず、転写層が形成された基板を第１保持手段によって保持され、更にモールドを第２保持手段に吸着保持させ、互いに離間した状態でモールド及び基板各々の基準位置同士を一致させてから、モールド及び基板間に圧力を加えてプレスすることにより、このモールドの凹凸パターンを基板の表面に押しつけるようにしている。
特開２００６－０４０３２１号
　上記の特許文献１に開示された転写方法においては、モールドや基板の形状が円形のため、モールドを外周部で保持した場合、モールドの保持部と基板とが干渉することがあるという問題があった。また、両面プリントの場合には、上側モールドと下側モールドの保持部や、保持部とモールド同士が相互に干渉することがあるという問題もあった。
　そこで、本発明が解決しようとする課題には、上記の欠点が一例として挙げられ、モールドを外周部で保持した場合にモールドの保持部と基板等の被転写体との干渉、更に両面プリントの場合に上側モールドと下側モールドの保持部との間や、保持部とモールド同士の相互干渉を防止することができるモールド、モールドセット及びその製造方法を提供することを目的とする。
　請求項１に係る発明のモールドは、被転写体の表面に形成された転写層に転写装置によって転写させるためのパターンが形成されたモールドであって、外周領域の一部には、前記転写装置において前記被転写体への転写のために把持される被把持部が形成され、当該被把持部は前記外周領域の他部とは異なる形状であること特徴としている。
　請求項７に係る発明のモールドセットは、被転写体の両面各々に形成された転写層に転写装置によって転写させるためのパターンが個別に形成された２つのモールドからなるモールドセットであって、前記２つのモールドの各々は、外周領域の一部には、前記転写装置において前記被転写体への転写のために把持される被把持部が形成され、当該把持部は前記外周領域の他部とは異なる形状であり、前記被把持部が前記２つのモールド各々で互い異なる角度位置に形成されること特徴としている。
　請求項１０に係る発明のモールドの製造方法は、転写装置によって転写させるためのパターンを有するモールドの製造方法であって、モールド基板上にパターンを形成するパターン形成工程と、前記モールド基板の外周領域の一部に、前記外周領域の他部と異なる形状であって、前記転写装置において前記被転写体への転写のために把持される被把持部を形成する外形加工工程と、を備えたことを特徴としている。
　請求項１及び１０に係る発明によれば、モールドの外周領域の一部には被転写体への転写のために把持される被把持部が形成され、当該被把持部は外周領域の他部とは異なる形状であるので、その被把持部を把持する把持部と基板との間における衝突等の干渉を防止することが可能となる。また、請求項７に係る発明によれば、２つのモールドの各々は、外周領域の一部には、被転写体への転写のために把持される被把持部が形成され、当該把持部は外周領域の他部とは異なる形状であり、被把持部が２つのモールド各々で互い異なる角度位置に形成されるので、両面プリントの場合に上側モールドの被把持部を把持する把持部と下側モールドの被把持部を把持する把持部との間、いずれかの把持部とモールド又は基板との間、或いはモールド同士の相互干渉を防止することができる。
本発明のモールドを用いるナノインプリント装置の概略構成を示す図である。 図１の装置中の上側モールドを示す平面図である。 図１の装置のナノインプリント処理を示すフローチャートである。 図１の装置のモールド押圧時の上側モールド、下側モールド及び基板の状態を示す平面図(a)及び側面図(b)である。 図１の装置の離型時の上側モールド、下側モールド及び基板の状態を示す図である。 図１の装置のモールド把持部の他の例を示す図である。 本発明の他の実施例としてモールド押圧時のモールド及び基板の支持固定状態を示す平面図(a)、Ｖ－Ｖ断面図(b)及びＷ－Ｗ断面図(c)である。 モールド作製方法を示す図である。
符号の説明
６，１６　　基板
３０ａ　上側センターピン
３０ｂ　下側センターピン
２００　コントローラ
５０１ａ　上側モールド保持部
５０１ｂ　下側モールド保持部
５０３ａ　上側モールド
５０３ｂ　下側モールド
５０７ｂ　下側センターピン駆動ユニット
５１１　　ステージ上下駆動ユニット
　以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ詳細に説明する。
　図１は、本発明のモールドを用いて転写を行うＵＶ（Ultraviolet：紫外線）式のナノインプリント装置の概略断面構造を示している。
　このナノインプリント装置は、転写すべき凸凹パターンが予め形成されている上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂを用いて基板６に対して両面同時にパターン転写を行うものである。上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂはモールドセットである。基板６は円盤形状の例えば、磁気ディスク用基板であり、中心に中心孔を有している。基板６は強化ガラス、アルミ基板、シリコンウェハ等の材料からなる。基板６の両面には、紫外線が照射されると硬化する材料からなる上側転写層６０４ａ及び下側転写層６０４ｂが形成されている。上側及び下側モールド５０３ａ，５０３ｂは石英、ガラス等の紫外線透過性を有する基材からなり、その表面に凹凸パターンが形成されている。
　上側モールド５０３ａは図２に示すように基板６より大なる大きさの円盤形状をなし、その中心に中心孔を有している。図２において点線で示した範囲Ｐが上側モールド５０３ａの凹凸パターンの形成部分である。上側モールド５０３ａの中心孔の径は基板６の中心孔の径より若干大である。
　上側モールド５０３ａは更に、その円盤形状の外周領域に３つの切り欠き部５０ａを等間隔（１２０度間隔）で同一幅で有している。すなわち、その３つの切り欠き部５０ａは上側モールド５０３ａの中心点について対象に形成され、その切り欠き方向は上側モールド５０３ａの中心点を通る直線に対して直角な方向である。下側モールド５０３ｂも上側モールド５０３ａと同様に円盤形状をなし、その中心に中心孔を有し、その外周領域には３つの切り欠き部５１ｂが形成されている。なお、この実施例においては、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂは同一形状であるが、後述する把持部５０９ａ，５０９ｂによって切り欠き部以外の被把持部が把持され、それら把持部５０９ａ，５０９ｂが互いに干渉しないならば異なる形状であっても良い。
　図１には、上側転写層６０４ａ及び下側転写層６０４ｂが形成された基板６と、上側モールド５０３ａと、下側モールド５０３ｂとが装着された状態におけるナノインプリント装置の構成を示している。
　図１に示すナノインプリント装置は、上側機構部、下側機構部、これら上側機構部及び下側機構部を制御するコントローラ２００及び操作部２０１から構成される。
　上側機構部は、上側センターピン３０ａ、上側モールド保持部５０１ａ、上側ステージ５０５ａ、上側センターピン支持部５０６ａ、上側センターピン駆動ユニット５０７ａ、上側ＵＶ照射ユニット５０８ａ、上側モールド把持部５０９ａ、上側モールド把持駆動ユニット５１０ａを備える。
　ボード状の上側ステージ５０５ａには、図１に示す如き開口部１００ａと共に、後述するボールネジ５１２がねじ込まれるネジ溝が切られているネジ穴部が存在する。上側ステージ５０５ａの上面上には、上側センターピン駆動ユニット５０７ａ及び上側ＵＶ照射ユニット５０８ａが設置されている。一方、その下面上には、上側モールド５０３ａを固定保持させる為のモールド保持面（図１において上側モールド５０３ａが接触している面）を備えた上側モールド保持部５０１ａ、及び上側センターピン支持部５０６ａが設けられている。上側センターピン支持部５０６ａは、上側ステージ５０５ａの開口部１００ａに設置されている。上側センターピン支持部５０６ａは、上側センターピン３０ａを上側モールド保持部５０１ａのモールド保持面に対して垂直な方向において上下移動可能な状態で支持する為の貫通孔が設けられている。
　上側センターピン駆動ユニット５０７ａは、コントローラ２００から供給された上側センターピン移動信号ＣＧＵに応じて、上側センターピン３０ａを、上側モールド保持部５０１ａのモールド保持面に対して垂直な方向において上側又は下側に移動させる。上側ＵＶ照射ユニット５０８ａは、コントローラ２００から供給された紫外線照射信号ＵＶに応じて、転写層材料を硬化させるべき紫外線を、上側ステージ５０５ａの開口部１００ａを介して、基板６の上側転写層６０４ａに向けて照射する。上側モールド保持部５０１ａは、上側モールド５０３ａが上側モールド把持部５０９ａによって固定されるモールド保持面を有している。上側モールド保持部５０１ａのモールド保持面には、上側センターピン３０ａを貫通させる為の貫通孔が設けられている。上側モールド保持部５０１ａには、上側モールド保持駆動ユニット５１０ａが設けられている。上側モールド保持駆動ユニット５１０ａは、３つのＬ字状の把持部５０９ａ（図１では２つのみを示している）にて上側モールド５０３ａの外周領域の３つの切り欠き部５０ａの間の円弧部分（すなわち被把持部）を把持させるべく、コントローラ２００から供給されたモールド把持信号ＭＱに応じてこの把持部５０９ａを駆動する。
　上側センターピン３０ａの先端には凹部３０１ａが形成されている。
　一方、下側機構部は、下側センターピン３０ｂ、下側モールド保持部５０１ｂ、下側ステージ５０５ｂ、下側センターピン支持部５０６ｂ、下側センターピン駆動ユニット５０７ｂ、下側ＵＶ照射ユニット５０８ｂ、下側モールド把持部５０９ｂ、下側モールド把持駆動ユニット５１０ｂ、ステージ上下駆動ユニット５１１及びボールネジ５１２を備える。
　ボード状の下側ステージ５０５ｂには、図１に示す如き開口部１００ｂと共に、ボールネジ５１２がねじ込まれるネジ溝が切られているネジ穴部が存在する。ボールネジ５１２は、下側ステージ５０５ｂ及び上側ステージ５０５ａによる互いの平行状態を維持させたまま両者を連結するように、その一端が下側ステージ５０５ｂのネジ穴部、他端が上側ステージ５０５ａのネジ穴部に夫々ネジ込まれている。下側ステージ５０５ｂの上面上には、下側モールド５０３ｂを固定保持させる為のモールド保持面（図１において下側モールド５０３ｂが接触している面）を備えた下側モールド保持部５０１ｂ、及び下側センターピン支持部５０６ｂが設けられている。一方、下側ステージ５０５ｂの下面上には、下側センターピン駆動ユニット５０７ｂ、下側ＵＶ照射ユニット５０８ｂ及びステージ上下駆動ユニット５１１が設けられている。
　下側センターピン支持部５０６ｂは、下側ステージ５０５ｂの開口部１００ｂに設置されている。下側センターピン支持部５０６ｂには、下側センターピン３０ｂを、下側モールド保持部５０１ｂのモールド保持面に対して垂直な方向において上下移動可能な状態で支持する為の貫通孔が設けられている。
　上側センターピン３０ａ及び下側センターピン３０ｂ各々の中心軸は同一直線上にあるとする。下側センターピン３０ｂの先端には半球状又はコーン状の凸部３０１ｂが形成されている。その凸部３０１ｂは上側センターピン３０ａの先端の凹部３０１ａと共にクランプ機構をなしている。また、下側センターピン３０ｂの先端近傍にはフランジ５０４ｂが形成されている。フランジ５０４ｂの直径は下側モールド５０３ｂの中心孔の直径より小であるが、基板６の中心孔の直径より大である。
　下側モールド保持部５０１ｂには、下側モールド保持駆動ユニット５１０ｂが設けられている。下側モールド保持駆動ユニット５１０ｂは、３つのＬ字状の把持部５０９ｂ（図１では２つのみを示している）にて下側モールド５０３ｂの切り欠き部５１ｂ間の円弧部分（すなわち被把持部）を把持させるべく、コントローラ２００から供給されたモールド把持信号ＭＱに応じて把持部５０９ｂを駆動する。
　図１においては上側モールド５０３ａ用の把持部５０９ａと、下側モールド５０３ｂ用の把持部５０９ｂとは上側センターピン３０ａ，３０ｂを中心にして同一角度位置に設けられているが、実際には上側と下側とでは６０度の角度ずれがある。
　操作部２０１は、このナノインプリント装置を動作させるべく、使用者によって指示された各種動作指令を受け付け、その動作指令を示す動作指令信号をコントローラ２００に供給する。コントローラ２００は、操作部２０１から供給された動作指令信号にて示される動作に対応した処理プログラムを実行することにより、ナノインプリント装置を制御する為の各種制御信号（ＵＶ、ＣＧＵ、ＣＧＬ）を生成する。
　ここで、操作部２０１が、使用者からのナノインプリント実行指令を受け付けると、コントローラ２００は、図３に示す如きナノインプリント処理プログラムの実行を開始する。
　図３において、先ず、コントローラ２００は、搬送装置（図示せず）によって上側モールド５０３ａを上側モールド保持部５０１ａのモールド保持面上に搬送させ（ステップＳ１）、その搬送後、モールド把持信号ＭＱを上側モールド保持駆動ユニット５１０ａに供給する（ステップＳ２）。ステップＳ２の実行により、上側モールド保持駆動ユニット５１０ａ各々は把持部５０９ａを駆動し、把持部５０９ａは上側モールド保持部５０１ａのモールド保持面上の所定上側保持位置に上側モールド５０３ａを両側から挟むように固定する。所定上側保持位置は上側センターピン３０ａが上側モールド５０３ａの中心孔内を接触することなく移動することができる位置である。
　次に、コントローラ２００は、上記の搬送装置によって下側モールド５０３ｂを下側モールド保持部５０１ｂのモールド保持面上に搬送させ（ステップＳ３）、その搬送後、モールド把持信号ＭＱを下側モールド保持駆動ユニット５１０ｂに供給する（ステップＳ４）。ステップＳ４の実行により、下側モールド保持駆動ユニット５１０ｂ各々は把持部５０９ｂを駆動し、把持部５０９ｂは下側モールド保持部５０１ｂのモールド保持面上の所定下側保持位置に下側モールド５０３ｂを両側から挟むように固定する。所定下側保持位置は下側センターピン３０ｂが下側モールド５０３ｂの中心孔内を接触することなく移動することができる位置であり、所定上側保持位置と上下対象関係にある。
　なお、把持部５０９ａ，５０９ｂによる固定の他に、真空ポンプを用いて上側モールド５０３ａを上側モールド保持部５０１ａのモールド保持面に吸着させ、同様に下側モールド５０３ｂを下側モールド保持部５０１ｂのモールド保持面に吸着させても良い。
　次いで、コントローラ２００は、上記の搬送装置によって基板６を搬送させそれを下側センターピン３０ｂのフランジ５０４ｂに装着させる（ステップＳ５）。すなわち、基板６の中心孔内に下側センターピン３０ｂが挿入される位置において基板６は下側センターピン３０ｂの先端凸部３０１ｂに沿って移動されることによりフランジ５０４ｂに載置される。これにより、上記したように保持固定されたモールド５０３ａ，５０３ｂに対する基板６の位置合わせを行うことができる。
　基板６の装着後、コントローラ２００は、モールド押圧を行う（ステップＳ６）。モールド押圧の際には上側ステージ５０５ａを下方向に移動させるためにステージ駆動信号ＳＧがステージ上下駆動ユニット５１１に供給され、上側センターピン３０ａを下方向に移動させるために上側センターピン移動信号ＣＧＵが上側センターピン駆動ユニット５０７ａに供給される。これにより、上側ステージ５０５ａが下方向に移動すると共に上側センターピン３０ａが下方向に移動してその先端の凹部３０１ａが下側センターピン３０ｂの凸部３０１ｂに結合して上側モールド５０３ａが基板６の上側転写層６０４ａに接触する。上側ステージ５０５ａ及び上側センターピン３０ａが上側モールド５０３ａ及び基板６と共に更に下方向に移動すると、下側センターピン３０ｂを押し下げることになり、やがて基板６の下側転写層６０４ｂが下側モールド５０３ｂと接触する。基板６の両面が上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂによって加圧されるので、上側モールド５０３ａの凸部が上側転写層６０４ａに押し込まれ、同時に下側モールド５０３ｂの凸部が下側転写層６０４ｂに押し込まれる。よって、上側転写層６０４ａの表面部には、上側モールド５０３ａに形成されている凹凸パターンとは凹凸の状態が反転した凸凹パターンが形成される。一方、下側転写層６０４ｂの表面部には、下側モールド５０３ｂに形成されている凹凸パターンとは凹凸の状態が反転した凸凹パターンが形成される。すなわち、かかるステップＳ４の実行により、基板６の上側転写層６０４ａ及び下側転写層６０４ｂ各々に対して、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂによる両面同時パターン転写が為されるのである。
　モールド押圧においては、図４(a)及び(b)に示すように上側モールド５０３ａを把持する把持部５０９ａと、下側モールド５０３ｂを把持する把持部５０９ｂとが互いに重ならない位置に存在する。すなわち、センターピン３０ａ，３０ｂを中心にして把持部５０９ａと把持部５０９ｂとが６０度間隔で交互に位置し、把持部５０９ａは上側モールド５０３ａの切り欠き部５０ａ以外の円形外周部分を把持し、把持部５０９ｂは下側モールド５０３ｂの切り欠き部５１ｂ以外の円形外周部分を把持するので、把持部５０９ａが下側モールド５０３ｂの切り欠き部５１ｂの存在角度内に位置して下側モールド５０３ｂの外周部分と重なる位置とならず、同様に、把持部５０９ｂが上側モールド５０３ａの切り欠き部５０ａの存在角度内に位置して上側モールド５０３ａの外周部分と重なる位置にない。これにより切り欠き部５０ａ，５１ｂが把持部５０９ｂ，５０９ａに対してのいわゆる逃げとなっている。よって、押圧時に押圧方向において把持部５０９ａと把持部５０９ｂとの衝突、把持部５０９ａと下側モールド５０３ｂの外周部分との衝突、或いは把持部５０９ｂと上側モールド５０３ａの外周部分との衝突等の干渉が互いに起きることがないので、基板６の両面を上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂによって同時に加圧することができるのである。
　ステップＳ４の実行後、コントローラ２００は、紫外線照射信号ＵＶを上側ＵＶ照射ユニット５０８ａ及び下側ＵＶ照射ユニット５０８ｂに供給する（ステップＳ７）。ステップＳ７の実行により、上側ＵＶ照射ユニット５０８ａが転写層材料を硬化させるべき紫外線を基板６の上側転写層６０４ａに向けて照射すると共に、下側ＵＶ照射ユニット５０８ｂが転写層材料を硬化させるべき紫外線を下側転写層６０４ｂに向けて照射する。上側転写層６０４ａ及び下側転写層６０４ｂ各々の転写層材料が硬化した後、コントローラ２００は、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂから基板６を離型させるべき離型を実行する（ステップＳ８）。この離型において、コントローラ２００は、上側ステージ５０５ａを所定距離だけ上方向に移動させるべきステージ駆動信号ＳＧをステージ上下駆動ユニット５１１に供給する。これにより、上側モールド５０３ａが図５に矢印Ａで示すように、基板６の上側転写層６０４ａから離間する。更に、上側センターピン３０ａ及び下側センターピン３０ｂが結合した状態で上方向に移動させるように上側センターピン移動信号ＣＧＵが上側センターピン駆動ユニット５０７ａに供給され、同時に下側センターピン移動信号ＣＧＬが下側センターピン駆動ユニット５０７ｂに供給される。よって、図５に矢印Ａの方向に、下側センターピン３０ｂのフランジ５０４ｂにより基板６が持ち上がり、結果として矢印Ｂのように下側モールド５０３ｂから基板６が離型する。
　そして、離型後、コントローラ２００は、上側センターピン３０ａを上方向に移動させるべき上側センターピン移動信号ＣＧＵを上側センターピン駆動ユニット５０７ａに供給すると共に、基板６を下側センターピン３０ｂから離脱させるべき指令を上記の搬送装置に送出して基板６を搬出させる（ステップＳ９）。
　次に、コントローラ２００は、操作部２０１から、動作終了を示す動作指令信号が供給されているか否かを判定する（ステップＳ１０）。ステップＳ１０において動作終了を示す動作指令信号が供給されたと判定された場合、コントローラ２００は、このナノインプリント処理プログラムを終了する。一方、ステップＳ７にて動作終了を表す動作指令信号が供給されていないと判定された場合、コントローラ２００は、上記のステップＳ５の実行に戻ってステップＳ５～Ｓ１０の動作を繰り返し実行する。これにより、新たに装着された基板６に対して連続してパターン転写を行うのである。
　なお、図１のナノインプリント装置においては、上側モールド把持部５０９ａ及び下側モールド把持部５０９ｂは左右方向に移動するように構成されているが、図６に示すように上側モールド保持部５０１ａに回転軸５２１ａが取り付けられその回転軸５２１ａを中心にして図示しない駆動手段によって回動する把持部５０９ｂによって上側モールド５０３ａを保持固定し、把持部５０９ｂは上側モールド５０３ａの搬入及び搬出時には破線Ｔで示した位置となるようにしても良い。下側モールド５０３ｂについても同様である。
　また、図１のナノインプリント装置においては、基板６は上側及び下側センターピン３０ａ，３０ｂによって支持されるが、図７(a)～(c)に示すように基板６の外周部分を先端に凹部を有する２つのアーム支持部材５２３ａによって両側から挟持するようにしても良い。この場合に、下側モールド５０３ｂは上側モールド５０３ａより若干小なる円盤形状であり、下側センターピン３０ｂの先端に固定部材３１１ｂによって固定される。図１のナノインプリント装置内の上側センターピン３０ａは設けられていない。また、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂはその切り欠き部５０ａ及び切り欠き部５１ｂが互いに同一方向に位置するように固定され、これにより、押圧時には図７(b)に特に示すように切り欠き部５０ａ及び５１ｂが逃げとなってアーム支持部材５２３ａが上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂと重なり合わないようにされている。
　上記した実施例においては、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂ各々には２又は３つの切り欠き部５０ａ，５１ｂが設けられているが、その数は２以上であれば良い。上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂ各々の切り欠き部５０ａ，５１ｂの数をｎ個とした場合に、３６０度／ｎの角度間隔で切り欠き部５０ａ，５１ｂは形成される。ただし、ｎの数は２～５であることが好ましい。
　なお、上記した実施例においては、基板６、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂ各々が円盤状の場合について説明したが、その円盤状には楕円形も含まれる。
　更に、上記した実施例においては、紫外線を用いたナノインプリントが行われるが、基板及びモールドを加熱してパターンを転写する熱インプリントにも本発明のモールドを用いることができ、その場合はモールド基材としてＵＶ非透過性の基材、たとえばニッケル、シリコンなどを用いることもできる。
　また、上記した実施例においては、基板の両面に凹凸パターン転写がされるが、本発明のモールドは基板の一方の転写層形成面だけに凹凸パターン転写するナノインプリントに用いることもできる。
　図８は、上記の上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂを作製するモールド作製方法の一例を示している。この図８に従ってモールド作製方法を説明すると、先ず、表面にレジスト層１００ａが形成された円形の石英基板１００が用意され、その基板１００上のレジスト層１００ａに対し、その上方から電子ビーム描画装置によって電子ビームが照射され、レジスト層１００ａが露光される（露光工程）。すなわち、露光工程にて、その基板への電子ビーム照射によって例えば、磁気ディスク用のサーボゾーン及びデータゾーン各々のデータパターンが基板１００のレジスト層１００ａに潜像１００ｂとして形成される。そのような基板１００が電子ビーム記録装置から取り出された後、基板１００に対して現像処理が施される（現像工程）。現像工程により潜像１００ｂ部分が除去される。その後、石英基板１００に対して石英エッチングが施され凹部１００ｃが形成される（エッチング工程）。エッチング工程によって残ったレジスト層１００ａは剥離される（レジスト層除去工程）。これによって凹凸パターンとして表面に形成された石英基板１００が作製される。石英基板１００の外周領域の３カ所が図８の破線の如くカットされ、その結果、図２に示したように切り欠き部を有するモールドとなる（外形加工工程）。この作製方法は上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂのいずれにおいても同様である。
　外形加工工程においてカットするべき切り欠き部の境界線を露光工程において電子ビーム描画装置による電子ビーム照射でデータパターンと共に描画しても良い。これにより外形加工工程における外周領域のカットを容易にかつ正確に行うことができる。
　なお、外形加工工程を露光工程の前に行い、切り欠き部を有する基板１００について上記の露光工程、現像工程、エッチング工程及びレジスト層除去工程を行っても良い。
　また、モールド作製方法としては、表面にＵＶ硬化樹脂が形成された円盤状の石英基板（未外形加工のもの）を用意してその石英基板表面のＵＶ硬化樹脂に別途作製された凹凸パターンを有するモールドを用いてＵＶナノインプリントを施し、そのＵＶ硬化樹脂上に凹凸パターンを転写した樹脂レプリカモールドを作製した後、外形加工工程を実行しても良い。
　更に、円盤状の石英基板の外周領域に切り欠き部を形成する外形加工工程を実行した後、その石英基板の表面にＵＶ硬化樹脂を形成し、ＵＶ硬化樹脂に別途作製された凹凸パターンを有するモールドを用いてＵＶナノインプリントを施し、そのＵＶ硬化樹脂上に凹凸パターンを転写した樹脂レプリカモールドを作製しても良い。
　また、基板６の材質がモールドに形成された微細な凹凸パターンを転写可能な材質、例えば樹脂フィルム、バルク樹脂、低融点ガラス等であれば、基板６の上層部分を転写層として扱うことができ、基板６上に直接パターン形状を転写することができる。
　また、磁気ディスクの転写だけでなく、光ディスクなどの様々な記録媒体の製造に用いることができる。

Claims (11)

  1. 　被転写体の表面に形成された転写層に転写装置によって転写させるためのパターンが形成されたモールドであって、
    　外周領域の一部には、前記転写装置において前記被転写体への転写のために把持される被把持部が形成され、当該被把持部は前記外周領域の他部とは異なる形状であること特徴とするモールド。
  2. 　前記外周領域には複数の切り欠き部を有し、前記被把持部は前記切り欠き部以外の部分であることを特徴とする請求項１記載のモールド。
  3. 前記被把持部は、前記外周領域の前記被把持部以外の領域に対して突出していることを特徴とする請求項１記載のモールド。
  4. 　前記複数の切り欠き部は前記外周領域に等間隔で形成されていることを特徴とする請求項２記載のモールド。
  5. 　前記複数の切り欠き部の各々は円盤の中心から半径方向の線に対して直角な方向にカットされて形成されていることを特徴とする請求項２記載のモールド。
  6. 　前記モールドは円盤状であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１記載のモールド。
  7. 　被転写体の両面各々に形成された転写層に転写装置によって転写させるためのパターンが個別に形成された２つのモールドからなるモールドセットであって、
    　前記２つのモールドの各々は、外周領域の一部には、前記転写装置において前記被転写体への転写のために把持される被把持部が形成され、当該被把持部は前記外周領域の他部とは異なる形状であり、前記被把持部が前記２つのモールド各々で互い異なる角度位置に形成されること特徴とするモールドセット。
  8. 　前記２つの円盤状モールドは同一形状であることを特徴とする請求項７記載のモールドセット。
  9. 　転写装置を用いて、被転写体の第１面の第1転写層に第１パターンを転写する第１モールドと、前記第１面の反対側の第２面の第２転写層に第２パターンを転写する第２モールドとからなるモールドセットであって、
    　前記第１モールドは、
    　前記第１モールドの第１外周領域の一部に、前記転写装置の第１把持手段で把持される第１被把持部が形成され、当該第１被把持部は前記第１外周領域の他部とは異なる形状であり、
    　前記第２モールドは、
    　前記第２モールドの第２外周領域の一部に、前記転写装置の第２把持手段で把持される第２被把持部が形成され、当該第２被把持部は前記第２外周領域の他部とは異なる形状であり、
    　前記第１把持手段と前記第２把持手段とは、前記転写装置において異なる位置に存在し、
    　前記第１把持部と前記第２把持部とは、互いに干渉しない位置で把持されることを特徴とするモールドセット。
  10. 　転写装置によって転写させるためのパターンを有するモールドの製造方法であって、
    　モールド基板上にパターンを形成するパターン形成工程と、
    　前記モールド基板の外周領域の一部に、前記外周領域の他部と異なる形状であって、前記転写装置において前記被転写体への転写のために把持される被把持部を形成する外形加工工程と、を備えたことを特徴とする製造方法。
  11. 　前記モールドの外周領域を切り欠くことで、前記被把持部以外の部分を形成することを特徴とする請求項１０記載の製造方法。
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