JP4607122B2 - ナノスケールの結晶質シリコン粉末 - Google Patents
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- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 title claims abstract description 39
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 37
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 13
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 7
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims abstract description 6
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 6
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims abstract description 6
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 15
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 10
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- -1 In that case Substances 0.000 claims 1
- TVYNCCPJWWBXRT-UHFFFAOYSA-N [Sm].[Gd] Chemical compound [Sm].[Gd] TVYNCCPJWWBXRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 abstract 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000005004 MAS NMR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001036 glow-discharge mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 229910000064 phosphane Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000005922 Phosphane Substances 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- AFRJJFRNGGLMDW-UHFFFAOYSA-N lithium amide Chemical compound [Li+].[NH2-] AFRJJFRNGGLMDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- QYQOQELPNQXQCY-UHFFFAOYSA-N n-phosphanylmethanamine Chemical compound CNP QYQOQELPNQXQCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003002 phosphanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
- C01B33/18—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/03—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition of silicon halides or halosilanes or reduction thereof with hydrogen as the only reducing agent
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/029—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition of monosilane
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Catalysts (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
本発明は、ナノスケールの結晶質シリコン粉末、および該粉末の製造および使用を提供する。
ホットウォール反応器中で、凝集したナノスケールのシリコン粉末を製造することができることは公知である（Ｒｏｔｈ等、Ｃｈｅｍ．Ｅｎｇ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．２４（２００１）、３）。この方法の欠点は、所望の結晶質シリコンが、熱い反応器壁面上でシランの反応により形成される非晶質シリコンと一緒に生じることであることが判明している。結晶質シリコンはさらに、２０ｍ２／ｇを下回る低いＢＥＴ表面積を有し、従って一般に電子技術的な適用にとっては粗すぎる。
さらに、ドープされたシリコン粉末が得られる方法はＲｏｔｈ等によって開示されていない。このようなドープされたシリコン粉末は、これらの半導体特性と共に、電子技術産業では極めて重要である。さらに、シリコン粉末が反応器壁に堆積し、かつ断熱材料として作用することが欠点である。このことにより反応器中の温度分布は変化し、従ってシリコン粉末の特性も変化する。
本発明の対象は、従来技術の欠点を回避するシリコン粉末を提供することである。特に、該シリコン粉末は均一に変性されたものであるべきである。
本発明はまた、この粉末を工業的な規模で、経済的に実行可能な方法で製造することができる方法を提供することでもある。
本発明は２０〜１５０ｍ２／ｇのＢＥＴ表面積を有する凝集した結晶質シリコン粉末を提供することである。
有利な実施態様では、本発明によるシリコン粉末は４０〜１２０ｍ２／ｇのＢＥＴ表面積を有していてもよい。
凝集した、という表現は、第一に反応において形成され、その後の反応の過程で結合してアグリゲートを形成した、球形もしくは大部分球形の一次粒子を意味するものと理解される。成長の度合いは、方法パラメータにより影響を与えることができる。これらのアグリゲートは、その後の反応の過程でアグロメレートを形成してもよい。一般に一次粒子へと分解することができないか、または部分的に分解することができるのみであるアグリゲートと比較して、アグロメレートはアグリゲートの緩い結合を形成し、これは容易にアグリゲートへと分解することができる。
結晶質、という表現は、粉末の少なくとも９０％が結晶質であることを意味するものと理解される。結晶性のこのような度合いは、本発明による粉末の［１１１］、［２２０］および［３１１］信号の強度を、公知の結晶性および結晶サイズのシリコン粉末のものと比較することにより決定することができる。
本発明の文脈では、少なくとも９５％の結晶度を有するシリコン粉末、特に有利には少なくとも９８％の結晶度を有するシリコン粉末が有利である。ＴＥＭ画像の評価および結晶質の状態の特徴として格子線を示す一次粒子の計数は、結晶度を決定するために適切である。
さらに、本発明によるシリコン粉末はドープされていてもよい。ドープ成分は、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、ユーロピウム、エルビウム、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、ツリウム、ルテチウム、リチウム、イッテルビウム、ゲルマニウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、銀、金または亜鉛である。ドープ成分は特に有利には、特に電子部品における半導体として使用する場合には、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、ユーロピウム、エルビウム、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウムである。本発明によるシリコン粉末中に存在するこれらの元素の割合は１質量％までであってよい。一般に、ドープ成分がｐｐｍまたはｐｐｂの範囲で存在しているシリコン粉末が所望される。ドープ成分の原子１０１３〜１０１５／ｃｍ３の範囲は有利である。
さらに、本発明によるシリコン粉末が、ドープ成分としてリチウムを含有することが可能である。シリコン粉末中に存在するリチウムの割合は５３質量％までであってよい。リチウム２０〜４０質量％までのシリコン粉末が特に有利である。
同様に、本発明によるシリコン粉末は、ドープ成分としてゲルマニウムを含有していてもよい。シリコン粉末中に存在するゲルマニウムの割合は４０質量％までである。ゲルマニウムを１０〜３０質量％含有するシリコン粉末は特に有利である。
最後に、元素の鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、銀、金、亜鉛はシリコン粉末中のドープ成分であってもよい。これらの割合はシリコン粉末の５質量％までであってよい。
ドープ成分は粉末中に均一に分布していてよく、あるいは一次粒子のシェルまたはコア中に富化されているか、または挿入されていてもよい。ドープ成分は有利にはシリコンの格子部位に組み込まれている。これは実質的にドープ材料の種類および反応条件に依存する。
ドープ成分とは本発明の文脈では、本発明による粉末中に存在する元素であると理解される。ドープ材料とは、ドープ成分を得るために方法において使用される化合物であると理解される。
本発明によるシリコン粉末は１０モル％までの水素負荷率を有していてもよく、その際、１〜５モル％の範囲が特に有利である。ＮＭＲ分光分析、たとえば１Ｈ−ＭＡＳ−ＮＭＲ分光分析法またはＩＲ分光分析はこの測定のために適切である。
本発明はまた、
− 少なくとも１の蒸気状もしくは気体状のシランおよび場合により少なくとも１の蒸気状もしくは気体状のドープ材料および不活性ガスおよび、
− 水素、
− をホットウォール反応器中で加熱し、
− 反応混合物を冷却するか、または冷却させ、
− 反応生成物を気体状の物質から粉末の形で分離し、
− その際、シランの割合はシラン、ドープ材料、水素および不活性ガスの合計に対して０．１〜９０質量％であり、
− その際、水素の割合が、水素、シラン、不活性ガスおよび場合によりドープ材料の合計に対して１モル％〜９６モル％の範囲である
ことを特徴とする、本発明によるシリコン粉末を製造する方法を提供する。
− 少なくとも１の蒸気状もしくは気体状のシランおよび場合により少なくとも１の蒸気状もしくは気体状のドープ材料および不活性ガスおよび、
− 水素、
− をホットウォール反応器中で加熱し、
− 反応混合物を冷却するか、または冷却させ、
− 反応生成物を気体状の物質から粉末の形で分離し、
− その際、シランの割合はシラン、ドープ材料、水素および不活性ガスの合計に対して０．１〜９０質量％であり、
− その際、水素の割合が、水素、シラン、不活性ガスおよび場合によりドープ材料の合計に対して１モル％〜９６モル％の範囲である
ことを特徴とする、本発明によるシリコン粉末を製造する方法を提供する。
特に有利には、壁面加熱式のホットウォール反応器を使用することができ、その際、ホットウォール反応器は、供給原料の、および場合によりドープ材料の可能な変換をできる限り完全に達成することができる大きさを有する。一般に、ホットウォール反応器中での滞留時間は０．１秒〜２秒である。ホットウォール反応器中の最高温度は有利には１０００℃を超えないように選択する。
反応混合物の冷却は、例えば反応器の外部からの壁面冷却により、または急冷法で不活性ガスを導入することによって実施することができる。
本発明の文脈でのシランは、反応の条件下でシリコン、水素、窒素および／またはハロゲンを生じるシリコン含有化合物であってよい。ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＣｌＳｉＨ３、Ｃｌ２ＳｉＨ２、Ｃｌ３ＳｉＨおよび／またはＳｉＣｌ４を有利に使用することができ、その際、ＳｉＨ４が特に有利である。さらに、Ｎ（ＳｉＨ３）３、ＨＮ（ＳｉＨ３）２、Ｈ２Ｎ（ＳｉＨ３）、（Ｈ３Ｓｉ）２ＮＮ（ＳｉＨ３）２、（Ｈ３Ｓｉ）ＮＨＮＨ（ＳｉＨ３）、Ｈ２ＮＮ（ＳｉＨ３）２を使用することも可能である。
有利には、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、ユーロピウム、エルビウム、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム、リチウム、ゲルマニウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、銀、金、亜鉛の、水素含有化合物を使用することができる。ジボランおよびホスファンまたは置換されたホスファン、例えばｔＢｕＰＨ２、ｔＢｕ３Ｐ、ｔＢｕＰｈ２Ｐおよびトリスメチルアミノホスファン（（ＣＨ３）２Ｎ）３Ｐが特に有利である。ドープ成分としてリチウムを使用する場合、金属リチウムまたはリチウムアミドＬｉＮＨ２をドープ材料として使用することが最も有利であることが判明している。
不活性ガスとして、主に窒素、ヘリウム、ネオンまたはアルゴンを使用することができ、その際、アルゴンが特に有利である。
本発明はまた、電子部品、電子回路および電気的に活性な充填剤を製造するための本発明による粉末の使用も提供する。
本発明によるシリコン粉末は非晶質成分を有しておらず、かつ高いＢＥＴ表面積を有する。本発明による方法は、従来技術において記載されているような、反応壁へのシリコンの堆積につながらない。さらに、本発明による方法は、ドープされたシリコン粉末の製造を可能にする。
実施例：
分析技術：ＢＥＴ表面積はＤＩＮ６６１３１に従って測定される。ドープの度合いはグロー放電質量分析法（ＧＤＭＳ）を使用して測定される。水素負荷率は１Ｈ−ＭＡＳ−ＮＭＲ分光分析法により測定される。
分析技術：ＢＥＴ表面積はＤＩＮ６６１３１に従って測定される。ドープの度合いはグロー放電質量分析法（ＧＤＭＳ）を使用して測定される。水素負荷率は１Ｈ−ＭＡＳ−ＮＭＲ分光分析法により測定される。
使用される装置：
長さ２００ｃｍおよび直径６ｃｍを有する管をホットウォール反応器として使用する。これは石英ガラスまたは石英ガラスのライナを有するＳｉ／ＳｉＣからなる。該管を長さ１００ｃｍにわたり抵抗加熱を使用して外部から１０００℃に加熱する。
長さ２００ｃｍおよび直径６ｃｍを有する管をホットウォール反応器として使用する。これは石英ガラスまたは石英ガラスのライナを有するＳｉ／ＳｉＣからなる。該管を長さ１００ｃｍにわたり抵抗加熱を使用して外部から１０００℃に加熱する。
シラン１０００ｓｃｃｍ（分あたりの標準立方センチメートル；１ｓｃｃｍ＝０℃および大気圧に対するガス１ｃｍ３／分）およびアルゴン３０００ｓｃｃｍからなるＳｉＨ４／アルゴン混合物（混合物１）およびアルゴンと水素それぞれ５０００ｓｃｃｍの混合物（混合物２）を、上から２流体ノズルを介してホットウォール反応器に供給する。反応器中の圧力は１０８０ミリバールである。粉末化された生成物を下流のフィルターユニットで気体状の物質から分離する。
得られた粉末は２０ｍ２／ｇのＢＥＴ表面積を有する。
例２〜６は例１と同様に実施するが、しかしパラメータは変更する。該パラメータは第１表に記載されている。
Claims (10)
- 凝集した結晶質シリコン粉末において、２０〜１５０ｍ２／ｇのＢＥＴ表面積を有し、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、ユーロピウム、エルビウム、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、ツリウム、ルテチウム、リチウム、イッテルビウム、ゲルマニウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、銀、金又は亜鉛によりドープされていることを特徴とする、凝集した結晶質シリコン粉末。
- ＢＥＴ表面積が４０〜１２０ｍ２／ｇであることを特徴とする、請求項１記載の凝集した結晶質シリコン粉末。
- ドープ成分のリン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、ユーロピウム、エルビウム、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、ツリウム、イッテルビウムおよびルテチウムの割合が１質量％までであることを特徴とする、請求項１記載の凝集した結晶質シリコン粉末。
- 水素負荷率が１０モル％までであることを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項記載の凝集した結晶質シリコン粉末。
- 請求項１から４までのいずれか１項記載の凝集した結晶質シリコン粉末の製造方法において、
− 少なくとも１の蒸気状もしくは気体状のシランおよび少なくとも１の蒸気状もしくは気体状のドープ材料、不活性ガスおよび、
− 水素、
− をホットウォール反応器中で加熱し、
− 反応混合物を冷却するか、または冷却させ、かつ
− 反応生成物を気体状の物質から粉末の形で分離し、
− その際、シランの割合は、シラン、ドープ材料、水素および不活性ガスの合計に対して０．１〜９０質量％であり、
− その際、水素の割合は、水素、シラン、不活性ガスおよびドープ材料の合計に対して１モル％〜９６モル％の範囲であり、
その際、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、ユーロピウム、エルビウム、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム、リチウム、ゲルマニウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、銀、金、亜鉛の水素を含有する化合物の群からドープ材料を選択する
ことを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項記載の凝集した結晶質シリコン粉末の製造方法。 - 化合物ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＣｌＳｉＨ３、Ｃｌ２ＳｉＨ２、Ｃｌ３ＳｉＨおよび／またはＳｉＣｌ４の群からシランを選択する、請求項５記載の方法。
- 化合物Ｎ（ＳｉＨ３）３、ＨＮ（ＳｉＨ３）２、Ｈ２Ｎ（ＳｉＨ３）、（Ｈ３Ｓｉ）２ＮＮ（ＳｉＨ３）２、（Ｈ３Ｓｉ）ＮＨＮＨ（ＳｉＨ３）、Ｈ２ＮＮ（ＳｉＨ３）２の群から、使用すべきシランを選択することを特徴とする、請求項５記載の方法。
- ドープ材料がリチウムアミド（ＬｉＮＨ２）であることを特徴とする、請求項５から７までのいずれか１項記載の方法。
- 不活性ガスとして窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴンを使用することを特徴とする、請求項５から８までのいずれか１項記載の方法。
- 電子部品、電子回路および電気的に活性な充填剤を製造するための、請求項１から４までのいずれか１項記載のシリコン粉末の使用。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10353995A DE10353995A1 (de) | 2003-11-19 | 2003-11-19 | Nanoskaliges, kristallines Siliciumpulver |
| PCT/EP2004/012890 WO2005049492A1 (en) | 2003-11-19 | 2004-11-13 | Nanoscale crystalline silicon powder |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007511460A JP2007511460A (ja) | 2007-05-10 |
| JP4607122B2 true JP4607122B2 (ja) | 2011-01-05 |
Family
ID=34559699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006540274A Active JP4607122B2 (ja) | 2003-11-19 | 2004-11-13 | ナノスケールの結晶質シリコン粉末 |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US7776304B2 (ja) |
| EP (1) | EP1685066B1 (ja) |
| JP (1) | JP4607122B2 (ja) |
| KR (1) | KR100769442B1 (ja) |
| CN (1) | CN100404416C (ja) |
| AT (1) | ATE517059T1 (ja) |
| DE (1) | DE10353995A1 (ja) |
| IL (1) | IL175701A (ja) |
| RU (1) | RU2006121436A (ja) |
| UA (1) | UA87672C2 (ja) |
| WO (1) | WO2005049492A1 (ja) |
Families Citing this family (46)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6599631B2 (en) | 2001-01-26 | 2003-07-29 | Nanogram Corporation | Polymer-inorganic particle composites |
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| US8568684B2 (en) | 2000-10-17 | 2013-10-29 | Nanogram Corporation | Methods for synthesizing submicron doped silicon particles |
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| JP7068034B2 (ja) | 2018-05-18 | 2022-05-16 | 株式会社トクヤマ | シリコン微粒子及びその製造方法 |
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| DE102004041746A1 (de) | 2004-08-28 | 2006-03-02 | Degussa Ag | Kautschukmischung, enthaltend nanoskalige, magnetische Füllstoffe |
| US7371227B2 (en) * | 2004-12-17 | 2008-05-13 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Trocar seal assembly |
| US7704586B2 (en) | 2005-03-09 | 2010-04-27 | Degussa Ag | Plastic molded bodies having two-dimensional and three-dimensional image structures produced through laser subsurface engraving |
| CN101137701B (zh) | 2005-04-18 | 2011-02-09 | 赢创罗姆有限公司 | 由含纳米级无机粒子的热塑性塑料构成的模塑材料和模制品、所述模塑材料和模制品的制备方法及其用途 |
| DE102005040157A1 (de) | 2005-08-25 | 2007-03-01 | Degussa Ag | Paste aus nanoskaligem Pulver und Dispergiermittel |
| DE102005059405A1 (de) | 2005-12-13 | 2007-06-14 | Degussa Gmbh | Zinkoxid-Ceroxid-Kompositpartikel |
| DE102005060121A1 (de) | 2005-12-16 | 2007-06-21 | Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Zinkoxidpulver |
-
2003
- 2003-11-19 DE DE10353995A patent/DE10353995A1/de not_active Withdrawn
-
2004
- 2004-11-13 CN CNB2004800341316A patent/CN100404416C/zh active Active
- 2004-11-13 KR KR1020067009677A patent/KR100769442B1/ko active IP Right Grant
- 2004-11-13 RU RU2006121436/15A patent/RU2006121436A/ru not_active Application Discontinuation
- 2004-11-13 JP JP2006540274A patent/JP4607122B2/ja active Active
- 2004-11-13 UA UAA200606737A patent/UA87672C2/uk unknown
- 2004-11-13 US US10/579,460 patent/US7776304B2/en active Active
- 2004-11-13 AT AT04797876T patent/ATE517059T1/de not_active IP Right Cessation
- 2004-11-13 WO PCT/EP2004/012890 patent/WO2005049492A1/en active Application Filing
- 2004-11-13 EP EP04797876A patent/EP1685066B1/en active Active
-
2006
- 2006-05-17 IL IL175701A patent/IL175701A/en not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-04-13 US US12/759,346 patent/US8043593B2/en active Active
- 2010-07-02 US US12/829,464 patent/US7927570B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1685066A1 (en) | 2006-08-02 |
| US20070094757A1 (en) | 2007-04-26 |
| US20100193746A1 (en) | 2010-08-05 |
| US7776304B2 (en) | 2010-08-17 |
| CN1882503A (zh) | 2006-12-20 |
| RU2006121436A (ru) | 2008-01-10 |
| US7927570B2 (en) | 2011-04-19 |
| DE10353995A1 (de) | 2005-06-09 |
| EP1685066B1 (en) | 2011-07-20 |
| JP2007511460A (ja) | 2007-05-10 |
| KR100769442B1 (ko) | 2007-10-22 |
| CN100404416C (zh) | 2008-07-23 |
| US20100264377A1 (en) | 2010-10-21 |
| ATE517059T1 (de) | 2011-08-15 |
| WO2005049492A1 (en) | 2005-06-02 |
| IL175701A (en) | 2012-04-30 |
| KR20060096448A (ko) | 2006-09-11 |
| US8043593B2 (en) | 2011-10-25 |
| UA87672C2 (uk) | 2009-08-10 |
| IL175701A0 (en) | 2006-09-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A601 | Written request for extension of time |
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|
| A602 | Written permission of extension of time |
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|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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