JP4603892B2 - 電流が制限されるラッチ - Google Patents
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- 集積回路であって、
行列で配列された不揮発性メモリセルのアレイと、
前記メモリセルのアレイに結合された複数のラッチ回路であって、前記複数のラッチ回路は上部給電ラインと下部給電ラインとの間に並列に結合され、各ラッチ回路は前記上部給電ラインに結合された上部昇圧回路ブロックと前記下部給電ラインに結合された下部降圧回路ブロックとを有し、第1のモードで前記上部給電ラインは正電圧となり、第2のモードで前記上部給電ラインは0ボルト以下の第1の負電圧となり、前記下部給電ラインは第1の負電圧よりも低い第2の負電圧となる複数のラッチ回路と、
前記上部給電ラインに接続される上部電流制限器回路と、
前記上部電流制限器回路に接続される第1の電流源であって、前記上部電流制限器回路は前記第1の電流源と前記上部給電ラインとの間で接続されて、前記第1の電流源から前記上部給電ラインへの第1の電流を制限する第1の電流源と、
前記下部給電ラインに接続される下部電流制限器回路と、
前記下部電流制限器回路に接続される第2の電流源であって、前記下部電流制限器回路は前記第2の電流源と前記下部給電ラインとの間で接続されて、前記第2の電流源から前記下部給電ラインへの第2の電流を制限する第2の電流源と、
を有する集積回路。 - 請求項1記載の集積回路において、
前記上部昇圧回路ブロックは、
前記上部給電ラインに結合されたソース、第1のノードに結合されたゲートおよび第2のノードに結合されたドレインを有する第1のpチャネルトランジスタと、
前記上部給電ラインに結合されたソース、第2のノードに結合されたゲートおよび第1のノードに結合されたドレインを有する第2のpチャネルトランジスタと、
を有する集積回路。 - 請求項1記載の集積回路において、
前記下部降圧回路ブロックは、
前記下部給電ラインに結合されたソース、第1のノードに結合されたゲートおよび第2のノードに結合されたドレインを有する第1のnチャネルトランジスタと、
前記下部給電ラインに結合されたソース、第2のノードに結合されたゲートおよび第1のノードに結合されたドレインを有する第2のnチャネルトランジスタと、
を有する集積回路。 - 請求項1記載の集積回路において、
前記メモリセルは、フラッシュ、EEPROM、EPROM、フローティングゲート、HEまたはDFGSSIセルを有する集積回路。 - 請求項1記載の集積回路において、
前記ラッチは、
バイアス電圧ラインに結合されたゲートを有し、第1と第2のノード間に結合された第1のnチャネルトランジスタと、
バイアス電圧ラインに結合されたゲートを有し、第3と第4のノード間に結合された第2のnチャネルトランジスタと、
を有する集積回路。 - 請求項5記載の集積回路において、
前記第1および第2のnチャネルトランジスタは、nウェルタブ内に入っているp−形拡散タブに各々が形成されるディープnウェルデバイスである集積回路。 - 請求項5記載の集積回路において、
前記ラッチは、
第2のノードと第5のノードとの間に結合された第1のpチャネルトランジスタと、
第4のノードと第6のノードとの間に結合された第2のpチャネルトランジスタであって、正規の動作中に第5のノードと第6のノードが、相補論理信号を提供する第2のpチャネルトランジスタと、
をさらに有する集積回路。 - 請求項1記載の集積回路において、
第1のモードにおいて、前記上部給電ラインは10ボルト以上の正電圧源に接続され、前記下部給電ラインは接地接続される集積回路。 - 請求項1記載の集積回路において、
前記上部電流制限器回路は前記上部給電ラインから引き込まれた第1の電流を約10マイクロアンペアに制限し、前記下部電流制限器回路は前記下部給電ラインから引き込まれた第2の電流を約10マイクロアンペアに制限する集積回路。 - 請求項2記載の集積回路において、
前記pチャネルトランジスタは、3重nウェルデバイスである集積回路。 - 請求項1記載の集積回路において、
一つの動作モード中に、前記上部給電ラインと下部給電ラインにおける電圧間の電圧差は、約10ボルト以上である集積回路。 - 請求項1記載の集積回路において、
前記ラッチは、メモリセルのプログラミング中の復号化に使用される集積回路。 - 請求項1記載の集積回路において、
前記上部給電ラインに供給される電圧は、第1のオンチップのポンプ回路によって発生され、前記下部給電ラインに供給される電圧は、第2のオンチップのポンプ回路によって発生される集積回路。 - 請求項1記載の集積回路において、
第2のモードにおいて、前記上部給電ラインは0ボルト以下の負電圧源に結合され、前記下部給電ラインは−5ボルト未満の負電圧源に結合される集積回路。 - 請求項1記載の集積回路において、
前記上部給電ラインおよび下部給電ラインに供給される電圧は、オンチップのポンプ回路を使用して発生される集積回路。 - 請求項1記載の集積回路において、
前記不揮発性メモリセルの各行は、メモリセルの行のピッチごとに配置されるそれぞれのラッチ回路を有する集積回路。 - 請求項16記載の集積回路において、
前記不揮発性メモリセルは複数のバンクに分割され、かつ行の各ラッチ回路は各バンクに対して一つずつ対応するスイッチを複数有する集積回路。 - 請求項17記載の集積回路において、
4つのバンクが存在する集積回路。 - 請求項16記載の集積回路において、
前記ラッチ回路は、オンチップ発生の電圧源を使用して電力供給される集積回路。 - 請求項1記載の集積回路において、
前記ラッチ回路に供給される電流は、100マイクロアンペア以下に制限される集積回路。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/313,738 US7339822B2 (en) | 2002-12-06 | 2002-12-06 | Current-limited latch |
PCT/US2003/038328 WO2004053883A2 (en) | 2002-12-06 | 2003-12-01 | Current-limited latch |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006509327A JP2006509327A (ja) | 2006-03-16 |
JP4603892B2 true JP4603892B2 (ja) | 2010-12-22 |
Family
ID=32468331
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004559228A Expired - Fee Related JP4603892B2 (ja) | 2002-12-06 | 2003-12-01 | 電流が制限されるラッチ |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7339822B2 (ja) |
EP (1) | EP1586096B1 (ja) |
JP (1) | JP4603892B2 (ja) |
KR (1) | KR101030680B1 (ja) |
CN (1) | CN100552808C (ja) |
AT (1) | ATE429014T1 (ja) |
AU (1) | AU2003297625A1 (ja) |
DE (1) | DE60327257D1 (ja) |
TW (1) | TWI320573B (ja) |
WO (1) | WO2004053883A2 (ja) |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US7339822B2 (en) | 2002-12-06 | 2008-03-04 | Sandisk Corporation | Current-limited latch |
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ITBO20030703A1 (it) | 2003-11-21 | 2005-05-22 | Gd Spa | Unita' di alimentazione e trasporto tabacco in una |
-
2002
- 2002-12-06 US US10/313,738 patent/US7339822B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-12-01 EP EP03812793A patent/EP1586096B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-01 JP JP2004559228A patent/JP4603892B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-01 AT AT03812793T patent/ATE429014T1/de not_active IP Right Cessation
- 2003-12-01 CN CNB2003801051871A patent/CN100552808C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-01 KR KR1020057010199A patent/KR101030680B1/ko active IP Right Grant
- 2003-12-01 WO PCT/US2003/038328 patent/WO2004053883A2/en active Application Filing
- 2003-12-01 AU AU2003297625A patent/AU2003297625A1/en not_active Abandoned
- 2003-12-01 DE DE60327257T patent/DE60327257D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-04 TW TW092134197A patent/TWI320573B/zh not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-12-20 US US11/019,990 patent/US7319630B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI320573B (en) | 2010-02-11 |
CN1720585A (zh) | 2006-01-11 |
ATE429014T1 (de) | 2009-05-15 |
JP2006509327A (ja) | 2006-03-16 |
US20040109354A1 (en) | 2004-06-10 |
AU2003297625A1 (en) | 2004-06-30 |
WO2004053883A3 (en) | 2005-03-17 |
WO2004053883A2 (en) | 2004-06-24 |
EP1586096B1 (en) | 2009-04-15 |
TW200421350A (en) | 2004-10-16 |
EP1586096A2 (en) | 2005-10-19 |
DE60327257D1 (de) | 2009-05-28 |
CN100552808C (zh) | 2009-10-21 |
US7319630B2 (en) | 2008-01-15 |
KR20050098836A (ko) | 2005-10-12 |
US20050101236A1 (en) | 2005-05-12 |
KR101030680B1 (ko) | 2011-04-22 |
US7339822B2 (en) | 2008-03-04 |
AU2003297625A8 (en) | 2004-06-30 |
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Legal Events
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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