JP4595823B2 - ボールグリッドアレイ - Google Patents

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Description

本発明は、一方の面に半導体チップが形成され、他方の面にメイン基板との接続のためのボール端子が形成されたインターポーザを有するボールグリッドアレイに関するものである。
従来のボールグリッドアレイの一例が、特許文献1に開示されている。この特許文献1に開示されたボールグリッドアレイにおいては、インターポーザの一方の面に複数の半導体チップが搭載されるとともに、そのインターポーザの他方の面に、ボール端子としてのはんだボールが配置される。
このような複数の半導体チップは、シリアル通信関係、マイコンの発振子関係、リセット端子、電源関係の端子、A/D入力端子、入力ポート用端子、テスト端子など共通機能のための端子を備える場合がある。このため、複数の半導体チップの共通機能のための端子は、共通のはんだボールに接続することで、ボールグリッドアレイを接続するために必要なはんだボールの数を減らして、ボールグリッドアレイの小型化を図っている。
特開2004−111863号公報
しかしながら、特許文献1に記載のボールグリッドアレイでは、共通の基板に複数の半導体チップを搭載することが前提となっている。換言すれば、インターポーザに単一の半導体チップが搭載される場合に、はんだボールの数をどのように減らすかについては何ら考慮されていない。
本発明は、このような点に鑑みてなされたもので、インターポーザに単一の半導体チップが搭載される場合でも適用可能であって、ボールグリッドアレイの接続のためのボール端子の数を減少させて、ボールグリッドアレイの小型化を図ることが可能なボールグリッドアレイを提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、請求項1に記載のボールグリッドアレイは、
複数のパッドを有する半導体チップと、
前記半導体チップを搭載するとともに、その搭載面に、前記半導体チップの複数のパッドとそれぞれ接続される配線が形成され、前記搭載面と反対側の面に、前記配線と電気的に接続されるボール端子を備えるインターポーザとを有するボールグリッドアレイにおいて、
前記ボール端子の中で、電源用端子又はGND用端子として用いられる少なくとも1個のボール端子が、共通ボール端子として、前記半導体チップの少なくとも2個のパッドに接続され、
前記インターポーザには、前記半導体チップの搭載面からその反対側の面に達する貫通ビアが形成され、前記ボール端子と前記配線とは当該貫通ビア内に設けられた導電材料を介して電気的に接続されるものであり、
前記半導体チップの搭載面と反対側の面に、少なくとも2個の貫通ビア内の導電材料に対して、前記共通ボール端子からそれぞれ延びる分岐配線を設け、かつ前記半導体チップの搭載面において前記少なくとも2個のパッドからの配線を前記分岐配線が接続された貫通ビアの導電材料にそれぞれ別個に接続することにより、前記共通ボール端子を前記少なくとも2個のパッドに接続することを特徴とする。
半導体チップは、多機能化・高機能化などの要求に応えるため、通信回路、入出力回路、A/D回路、ロジック回路などの各種の機能回路が集積化される傾向にある。このため、各機能回路に対応して、多くの電源用パッド及びGND用パッドが設けられる場合がある。請求項1に記載のボールグリッドアレイでは、このような点を考慮し、インターポーザにおいて電源用端子又はGND用端子として用いられる少なくとも1個のボール端子を共通ボール端子として、半導体チップにおける電源用パッド或いはGND用パッドとして用いられるパッドを含む少なくとも2個のパッドに接続する。これにより、半導体チップのパッド数よりもボール端子の数を減らすことができるので、結果として、ボールグリッドアレイの小型化を図ることができる。
特に、請求項1に記載のボールグリッドアレイにおいては、半導体チップの搭載面と反対側の面に、少なくとも2個の貫通ビア内の導電材料に対して、共通ボール端子からそれぞれ延びる分岐配線を設け、かつ半導体チップの搭載面において少なくとも2個のパッドからの配線を分岐配線が接続された貫通ビアの導電材料にそれぞれ別個に接続することにより、共通ボール端子を少なくとも2個のパッドに接続するようにしている。この場合、分岐点からそれぞれのパッドまでの配線長が長くなるため、一方の配線にノイズが発生しても、そのノイズは他方の配線に回り込むよりも、共通ボール端子に流れ易くなる。この結果、相互にノイズが影響を及ぼし合う事態を極力防止することができる。
また、請求項2に記載のボールグリッドアレイでは、前記貫通ビア内に設けられた導電材料は、前記配線及び前記分岐配線よりも高いインピーダンスを有することを特徴とする。
この場合、一方の配線にノイズが発生しても、そのノイズは、貫通ビアの導電部材を通り抜けることができなかったり、貫通ビアの導電部材を通過した場合であっても、他方の配線に連なる貫通ビア内の導電部材によって、その他方の配線への侵入を阻害されたりする。このようにして、共通はんだボールに接続された電源系において、より確実にノイズの相互影響を低減することができる。
請求項3に記載のように、半導体チップが、複数の機能回路を有し、当該機能回路毎に少なくとも1個の電源及びGNDが設けられ、前記複数のパッドは、当該複数の電源及びGNDに対応して、複数の電源用パッドと複数のGND用パッドとを含むものである場合、前記複数の電源用パッド同士及び又は複数のGND用パッド同士が、前記共通ボール端子に接続されることが好ましい。電源やGNDは異なる機能回路で共有することが可能であるためである。
ただし、機能回路によっては、動作電圧が異なったり、電圧及びGNDに流れる電流量が異なったりする場合がある。そのような場合には、各機能回路の動作に及ぼす影響を考慮し、極力、動作電圧や電流量が近似した電源用パッド及び又はGND用パッドを選定して、共通ボール端子に接続することが好ましい。
特に、請求項4に記載したように、前記複数の電源用パッド複数のGND用パッドの中で、相対的に電流の通電量が小さい電源用パッド同士及び又は複数のGND用パッド同士を、前記共通ボール端子に接続することが好ましい。相対的に電流の通電量が小さい電源用パッド同士及び又は複数のGND用パッド同士を共通ボール端子に接続することにより、電流の通電量が相対的に大きい電源用パッドやGND用パッドとの間で、電流の通電量の均等化を図ることができる。また、相対的に電流の通電量が小さければ、共通ボール端子に接続しても、合計の電流通電量が過大になることがない。このため、配線経路におけるインピーダンスによる電圧ドロップも僅かとなり、各機能回路に適切な動作電圧を与えることができる。
また、請求項5に記載したように、前記複数の電源用パッド複数のGND用パッドの中で、相対的にノイズ発生量の小さい電源用パッド同士及び又は複数のGND用パッド同士を、前記共通ボール端子に接続することが好ましい。このようにすれば、ノイズの発生量が相対的に大きい電源用パッドやGND用パッドとの間で、ノイズ発生量の均等化を図ることができる。また、ノイズ発生量が相対的に大きい電源パッドやGNDパッドを、共通ボール端子への接続対象から除外することにより、一方の電源パッドやGNDパッドから他方の電源パッドもしくはGNDパッドへのノイズの伝播を防いだり、ノイズ同士の加算によってノイズ発生量が過度に大きくなることを防止できる。
また、請求項6に記載したように、前記複数の機能回路が、アナログ信号を処理するアナログ系回路と、デジタル信号を処理するデジタル系回路とを有し、
前記アナログ系回路における電源に対応する電源用パッド及びGNDに対応するGND用パッドを、それぞれ個別のボール端子に接続しつつ、前記デジタル系回路における複数の電源に対応する電源用パッド同士及び又は複数のGNDに対応するGND用パッド同士を、前記共通ボール端子に接続することが好ましい。
電源用パッド同士及び又はGND用パッド同士を共通ボール端子に接続すると、例えば一方の電源系にノイズが発生した場合、そのノイズの影響が他方の電源系にも及ぶことになる。ここで、アナログ系回路においては、例えばA/D変換などアナログ信号波形そのものが処理対象となるため、電源電圧や基準電圧に対するノイズの影響が大きい。そのため、ノイズの影響を極力排除すべく、アナログ系回路のための電源用パッド及びGNDパッドはそれぞれ個別のボール端子に接続して、相互に分離することが好ましい。一方、デジタル系回路においては、1もしくは0を表すデジタル信号に基づく処理が行われるので、電源系にノイズが発生しても、その影響は小さい。そのため、共通ボール端子に接続するのは、デジタル系回路における電源用パッド同士及び又はGND用パッド同士であることが好ましい。特に、最も避けるべきことは、アナログ系回路における電源用パッドとデジタル系回路における電源用パッドを共通ボール端子に接続したり、アナログ系回路におけるGND用パッドとデジタル系回路におけるGND用パッドとを共通ボール端子に接続したり、アナログ系とデジタル系とを混在させることである。
上述したように、デジタル系回路における電源用パッド同士及び又はGND用パッド同士を共通ボール端子に接続する場合、請求項7に記載したように、デジタル系回路の入力部における複数の電源に対応する電源用パッド及び複数のGNDに対応するGND用パッドを、それぞれ個別のボール端子に接続しつつ、デジタル系回路の出力部における複数の電源に対応する電源用パッド同士及び又は複数のGNDに対応するGND用パッド同士を、前記共通ボール端子に接続することが好ましい。デジタル系回路においては、基本的にノイズの影響を受けにくいが、外部からデジタル信号を入力する入力部では、その入力されたデジタル信号のレベルに基づいて信号の2値化を行ったりするため、外部にデジタル信号を出力する出力部に比較すれば、ノイズの影響が大きいと言えるためである。
請求項8に記載するように、前記半導体チップは、前記共通ボール端子と接続された少なくとも2個のパッドに接続される前記半導体チップ内の配線経路を、それぞれ個別に閉成状態と開放状態とのいずれかに切替える切替回路と、
前記切替回路が配線経路を1本づつ順番に閉成状態に切替えたとき、その閉成状態となった配線経路の導通状態をチェックするチェック回路とを備えることが好ましい。
あるいは、請求項9に記載するように、前記半導体チップは、前記共通ボール端子と接続された少なくとも2個のパッドに接続される前記半導体チップ内の配線経路に、それぞれ個別に電流を通電する通電回路と、
前記配線経路に流れる電流値を検出する検出回路と、
前記通電回路が配線経路に電流を通電したときに、前記配線経路に流れる電流値から、各々の配線経路の導通状態をチェックするチェック回路とを備えるように構成しても良い。
上述した請求項8あるいは請求項9の構成を採用することにより、共通ボール端子に半導体チップの2以上のパッドを接続しても、共通ボール端子までの配線経路の導通状態を個別にチェックすることができる。
請求項10に記載するように、前記半導体チップにおいて有意な信号の伝達に使用されるパッドの少なくとも1つが、前記半導体チップの搭載面に形成された複数の配線に接続されるようにしても良い。請求項1乃至請求項7の構成により、ボールグリッドアレイの接続に必要なボール端子の数を減らすことができる。この結果、ボール端子の数に余裕が生じるため、例えば特に重要な信号に関して、信号の伝達経路を多重化することが可能になる。
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。図1は、本発明の実施の形態におけるボールグリッドアレイ10の概略構成を示す断面図である。
ボールグリッドアレイ10は、図1に示すように、インターポーザ1、半導体チップ2、ワイヤ3、モールド樹脂4、ボール端子としてのはんだボール5などから構成される。ボールグリッドアレイ10は、はんだボール5を介してメイン基板としてのプリント基板15に実装される。
ここで、図2は、ボールグリッドアレイ10のプリント基板15へ実装される側の面、すなわち、インターポーザ1のはんだボール5が形成された面を示す平面図であり、図3は、インターポーザ1の半導体チップ2の搭載面を示す平面図である。以下、これらの図2及び図3の図面を適宜参照しつつ説明する。
図1及び図3に示すように、インターポーザ1の一方の面には、例えばダイボンド材により固定された半導体チップ2が搭載される。さらに、インターポーザ1の、半導体チップ2の搭載面には、ランド6及びこのランド6と接続された配線パターン7が形成されている。
半導体チップ2は、図3に示すように、上方から見た場合、略四角形の形状を有し、その上表面には、四角形の各辺に沿って、外部との接続のための複数のパッド20が設けられている。この複数のパッド20と、インターポーザ1の半導体チップ搭載面に形成されたランド6とが、ワイヤボンディングされたワイヤ3によって電気的に接続される。
インターポーザ1に半導体チップ2が搭載され、複数のパッド20とランド6とがワイヤ3で電気的に接続された状態において、インターポーザ1の半導体チップ搭載面にはモールド樹脂4が形成される。これにより、半導体チップ2、ワイヤ3及び配線パターン7等がモールド樹脂4にてモールド封止される。
インターポーザ1の、半導体チップ2の搭載面とは反対側の面であるはんだボール5の形成面には、図2に示すように、はんだボール5及びこのはんだボール5と電気的に接続された配線パターン9が設けられている。さらに、インターポーザ1には、半導体チップ2の搭載面からはんだボール5の形成面に達する貫通ビア8が形成されている。この貫通ビア8の内周面には、例えば銅などの導電部材がめっきされており、半導体チップ2の搭載面に形成された配線パターン7と、はんだボール5の形成面に形成された配線パターン9とが、その導電部材によって電気的に接続される。
なお、図1〜図3に示す例では、はんだボール5の形成面に配線パターン9を設け、この配線パターン9を介してはんだボール5と貫通ビア8内の導電部材とを接続するようにしているが、はんだボール5をビア上に設けて、配線パターン9を省略するようにしても良い。
プリント基板15には、各はんだボール5に対応する位置にランド16が形成されており、はんだボール5とランド16とをリフロー工程等によって加熱して接続することにより、ボールグリッドアレイ10がプリント基板15に固定される。
本実施形態においては、上述した構成を有するボールグリッドアレイ10において、インターポーザ1の両面における配線パターン7,9に種々の工夫を施すことにより、はんだボール5の数を削減したり、他の配線間においてノイズが相互に影響しあうことを低減したりすることを可能にした。以下、詳しく説明する。
本実施形態の半導体チップ2は、多機能化・高機能化などの要求に応えるため、通信回路、入出力回路、A/D回路、ロジック回路などの各種の機能回路が集積化されている。このため、各機能回路ごとに設けられる電源やGNDに対応して、半導体チップ2の複数のパッド20は、多くの電源用パッド及びGND用パッドを含んでいる。
そこで、本実施形態によるボールグリッドアレイ10では、インターポーザ1において電源用端子やGND用端子として用いられるはんだボール5を共通はんだボールとして、半導体チップ2における電源用パッド或いはGND用パッドとして用いられる少なくとも2個のパッド20に接続するようにした。これにより、半導体チップ2のパッド20の数よりもはんだボール5の数を減らすことができるので、結果として、ボールグリッドアレイ10の小型化を図ることができる。
共通はんだボール5に電源用パッド或いはGND用パッドとして用いられる少なくとも2個のパッド20を接続するには、図3において、参考例によるAパターンとして示すように、半導体チップ2の搭載面に形成される配線パターン7において、その少なくとも2個のパッド20に接続されたランド6から延びる各配線を、共通はんだボール5に接続される共通の貫通ビア8に接続しても良い。しかし本実施形態では、図2及び図3にBパターンとして示すように、少なくとも2個のパッド20からの配線を別々の貫通ビア8に接続しつつ、その別々の貫通ビア8を配線パターン9によって共通はんだボール5に接続する。
図4は、上述した参考例としてのAパターンによる、電源用パッド或いはGND用パッドとして用いられる少なくとも2個のパッドに対応するランド6a,6bから共通はんだボール5への配線経路を模式的に示したものである。このAパターンの場合、2個のランド6a,6bからそれぞれ延びる配線7a,7bを共通の貫通ビア8に接続するようにしているので、はんだボール5に加え、貫通ビア8の数も削減することができ、効率的な配線を行うことができる。
ただし、電源及びGNDの電源系には、例えば機能回路の動作によって電位が変動したり、さらに機能回路による高周波信号によってノイズが重畳されたりする場合がある。このような原因で、共通はんだボール5に接続された一方の電源系にノイズが発生したりすると、そのノイズが他方の電源系にも影響を及ぼすことになる。
そのため、図4に示すAパターンにおいては、ランド6a,6bから延びる配線7a,7b同士が接続される箇所である貫通ビア8までの配線経路のインピーダンスを、貫通ビア8から共通はんだボール5までの配線経路のインピーダンスよりも高くなるように、配線パターン7,9及び貫通ビア8内の導電部材を形成する。これにより、一方の配線にノイズが発生して、そのノイズが両電源系の接続箇所に到達したとしても、そのノイズは他方の電源系の配線に回り込むよりも、共通はんだボール5に流れ易くなる。従って、共通はんだボール5に接続された電源系同士で相互にノイズが影響を及ぼし合うことを効果的に抑制できる。
上述したインピーダンスの関係を満足させるには、例えば、配線パターン7の太さよりも配線パターン9の太さを太くすれば良い。パッド6a,6bと配線7a,7b同士の接続箇所までは配線パターン7によって接続され、貫通ビア8から共通はんだボール5までは配線パターン9によって接続される。従って、配線パターン7よりも配線パターン9を太くすることにより、ランド6a,6bから配線7a,7b同士の接続箇所までの配線インピーダンスを、貫通ビア8から共通はんだボール5までの配線インピーダンスよりも高くすることができる。
なお、貫通ビア8の内周面に形成される導電部材は、インピーダンスとしてインダクタンス成分を持つため、配線パターン7,9に比較してインピーダンスが高くなる場合がある。ただし、貫通ビア8の深さに相当する導電部材の長さは、配線パターン7,9に比較して充分に短い。従って、貫通ビア8内の導電部材を含む配線接続箇所から共通はんだボール5までの配線インピーダンスを、ランド6a,6bから配線接続箇所までの配線インピーダンスよりも低くすることは充分に可能である。
図5(a)は、上述した本実施形態のパターンであるBパターンによる、電源用パッド或いはGND用パッドとして用いられる少なくとも2個のパッドに対応するランド6a,6bから共通はんだボール5への配線経路を模式的に示したものであり、図5(b)は、その配線経路をより具体的に示した一部断面斜視図である。このBパターンの場合、2個のランド6a,6bからそれぞれ延びる配線7a,7bは、別個の貫通ビア8a,8bに接続されるため、配線効率に関してはAパターンよりも劣っている。
しかしながら、Bパターンにおいては、はんだボール5の形成面において、共通はんだボール5から分岐して延びる配線9a,9bによって、共通はんだボール5とランド6a,6bとの接続を行っているため、Aパターンよりもノイズに対する耐性を向上できるとのメリットがある。上述したように、貫通ビア8内の導電部材は、配線パターン7,9よりも高いインピーダンスを有する。また、分岐点である共通はんだボール5からそれぞれのランド6a,6bまでの配線長が長くなる。このため、例えば図5(c)に矢印で示すように、配線7aにノイズが発生しても、そのノイズは、貫通ビア8aの導電部材を通り抜けることができなかったり、貫通ビア8aの導電部材を通過した場合であっても、配線7bに連なる貫通ビア8b内の導電部材によって配線7bへの侵入を阻害されたりする。このようにして、Bパターンの場合には、Aパターンに比較して、共通はんだボール5に接続された電源系において、より確実にノイズの相互影響を低減することができる。
上述したAパターンあるいはBパターンを用いることにより、半導体チップ2における電源用パッド或いはGND用パッドとして用いられる少なくとも2個のパッド20を、電源用端子或いはGND用端子として用いられる共通はんだボール5に接続することができる。
ただし、電源用パッド或いはGND用パッドとして用いられる少なくとも2個のパッド20を、共通はんだボール5に接続する場合、何ら制限なく、任意の電源用パッド同士或いはGND用パッド同士を接続することは避けるべきである。以下、この点について説明する。
半導体チップ2に集積化される機能回路によっては、動作電圧が異なったり、電源及びGNDに流れる電流量が異なったりする場合がある。従って、そのような場合には、各機能回路の動作に及ぼす影響を考慮し、極力、動作電圧や電流量が近似した電源用パッドやGND用パッドを選定して、共通はんだボール5に接続することが好ましい。
特に、複数の電源用パッド及び複数のGND用パッドにおいて、通電電流量が異なる場合には、相対的に大電流が通電される電源用パッドやGND用パッドは個別のはんだボール5に接続しつつ、相対的に小電流が通電される電源用パッド同士及び/又は複数のGND用パッド同士を、共通はんだボール5に接続すると良い。これにより、複数の電源用パッドや複数のGND用パッドにおいて、各パッドの電流通電量の均等化を図ることができる。また、電源用パッドやGND用パッドにおける通電量が相対的に小さければ、共通はんだボール5に接続しても、共通はんだボール5に流れる合計の電流通電量が過大になることもない。このため、配線経路におけるインピーダンスによる電圧ドロップも僅かとなり、各機能回路に適切な動作電圧を与えることができる。
図3における電源1〜3及びGND1〜3における配線は、上述した電流の通電量を考慮してなされたものである。すなわち、電源1及びGND1は、通電電流量が相対的に小さい2つの電源用パッド同士及びGND用パッド同士を配線パターン7によって接続したものである。一方、電源2及びGND2については、通電電流量が相対的に大きい電源用パッド及びGND用パッドであったため、それらをそれぞれ単独のはんだボール5に接続するように配線されている。またGND3については、相対的に小電流が通電される3個のGND用パッドを配線パターン7によって共通の貫通ビア8に接続するようにしている。このように、共通はんだボール5に接続する電源用パッド若しくはGND用パッドの数は2個に限らず、3個以上であっても良い。なお、電源3に関しては、3個の電源用パッドの位置が離れていることを考慮し、1個の電源用パッドを1個のはんだボール5に接続した電源3aと、2個の電源用パッドを共通はんだボール5に接続した電源3bとに分離されている。
また、通電量の他に、例えば各電源系のノイズ発生量を考慮して、相互に接続する電源用パッドやGND用パッドを選別するようにしても良い。すなわち、複数の電源用パッド及び/又は複数のGND用パッドの中で、相対的にノイズ発生量の小さい電源用パッド同士及び/又は複数のGND用パッド同士を、共通はんだボール5に接続すると良い。このようにすれば、ノイズの発生量が相対的に大きい電源用パッドやGND用パッドとの間で、ノイズ発生量の均等化を図ることができる。また、ノイズ発生量が相対的に大きい電源パッドやGNDパッドを、共通はんだボール5への接続対象から除外することにより、その電源パッドやGNDパッドから他方の電源パッドやGNDパッドへのノイズの伝播を防いだり、ノイズ同士の加算によってノイズ発生量が過度に大きくなることを防止できる。
なお、相対的にノイズ発生量が多い電源系としては、CPUなど高速動作を行う回路、高速通信回路、デジタル系信号出力回路などの電源やGNDが該当する場合が多く、相対的にノイズ発生量が小さい電源系としては、アナログ系回路、低速通信回路、定常的に一定電流が流れる回路などの電源やGNDが該当する場合が多い。
また、半導体チップ2内の複数の機能回路が、図3に示すように、アナログ信号を処理するアナログ系回路21と、デジタル信号を処理するデジタル系回路22,23とを有する場合、アナログ系回路21の電源用パッド及びGND用パッドを、それぞれ個別のはんだボール5に接続しつつ、デジタル系回路23における電源用パッド同士及び/又はGND用パッド同士を、共通はんだボール5に接続するようにすると良い。
上述したように、電源用パッド同士やGND用パッド同士を共通はんだボール5に接続すると、両電源系において、ノイズが相互に影響し合う可能性が生じる。ここで、アナログ系回路21においては、アナログ信号波形そのものが処理対象となる。例えばA/D変換回路の電源電圧や基準電圧が電源系に侵入したノイズによって変動すると、そのときのA/D変換結果には大きな誤差が含まれる可能性が高くなる。このため、アナログ系回路21の電源4及びGND4に関しては、電源用パッド及びGNDパッドをそれぞれ個別のはんだボール5に接続し、他の電源系とは分離することが望ましい。
一方、デジタル系回路23においては、1もしくは0を表すデジタル信号に基づく処理が行われるので、電源系にノイズが発生しても、その影響は小さい。そのため、デジタル系回路23の電源6及びGND6に関して、複数の電源用パッド同士及び複数のGND用パッド同士が、それぞれ共通はんだボール5に接続されている。
なお、半導体チップ2がアナログ系回路21とデジタル系回路22,23とを有する場合に、最も避けるべきことは、アナログ系回路21における電源用パッドとデジタル系回路22,23における電源用パッドを共通はんだボール5に接続したり、アナログ系回路21におけるGND用パッドとデジタル系回路22,23におけるGND用パッドとを共通はんだボール5に接続して、アナログ系とデジタル系とを混在させることである。
また、図3に示す例では、デジタル系回路22,23において、外部にデジタル信号を出力するデジタル系出力部23に関してのみ、電源用パッド同士及びGND用パッド同士を共通はんだボール5に接続する。つまり、外部からデジタル信号を入力するデジタル系出力部22については、複数の電源用パッド或いは複数のGND用パッドが共通はんだボール5に接続されていない。
デジタル系回路22,23は、0若しくは1を示すデジタル信号を処理対象とするため、基本的にノイズの影響を受けにくいが、デジタル系入力部22では、入力されたデジタル信号のレベルに基づいて信号の2値化を行ったりするため、デジタル系出力部23に比較すれば、ノイズの影響が大きい。従って、電源用パッド同士やGND用パッド同士の接続は、デジタル系出力部23において優先的に行うことが好ましい。
上述したようにして、複数の電源用パッドや複数のGND用パッドを共通はんだボール5に接続するようにすると、ボールグリッドアレイの接続に必要なはんだボール5の数を減らすことができる。この結果、はんだボール5の数に余裕が生じるため、図3に示すように、特に重要な信号の伝達に使用する重要信号配線を、複数の貫通ビア8及び複数のはんだボール5に接続して、その信号の伝達経路を多重化することも可能になる。
複数の電源用パッドや複数のGND用パッドを、上述したAパターンのように、配線7a,7bにより共通の貫通ビア8を介して共通はんだボール5に接続する場合、半導体チップ2の搭載面において、その配線7a,7bにより、有意な信号の伝達に使用される配線を囲むように、半導体チップ2のパッドの配列及び配線パターン7を設定すると良い。
例えば、有意な信号として、発振信号などノイズ源となり易い信号の伝達に使用される配線を、共通はんだボール5に接続され同電位となっている配線7a,7bで囲むことにより、配線7a,7bにノイズ源となり易い信号に対するシールドの役割を持たせることができる。すなわち、ノイズ源となり易い信号の伝達用の配線から、その配線を取り囲んでいる同電位の配線7a,7bを越えて、他の配線にノイズが伝播することを防止できるのである。なお、有意な信号として、ノイズの影響を極力排除したい信号の伝達に使用される配線を、共通はんだボール5に接続された配線7a,7bで囲むようにしても良い。
図3には、上述したような、2個以上の電源用パッドあるいはGND用パッドと共通はんだボール5との間を接続する配線7a,7bが、有意な信号の伝達に使用される配線を取り囲むように形成された例がいくつか示されている。
この図3に示すように、配線7a,7bによって有意な信号の配線を取り囲む際には、配線7a,7bが接続される貫通ビア8が、その有意な信号の配線が接続される貫通ビア8よりも、半導体チップ2から離れた位置に形成されたものであることが好ましい。これにより、配線7a,7bによって有意な信号の配線を取り囲むときに、配線を長く取り回すことなどが不要となる。
なお、図1〜3には、ワイヤボンディングによって半導体チップ2のパッド20と、インターポーザ1のランド6とを電気的に接続する例について示したが、図6に示すように半導体チップ2をインターボーザ1に対して、ボール端子40を介してフリップチップ実装(表面実装)することも可能である。
このフリップチップ実装を採用する場合には、半導体チップ2の表面において、複数のパッドを、内周側と外周側の2列に設けるとともに、インターポーザ1の半導体チップ2の搭載面に、その複数のパッドに対応するように、内周側及び外周側の2列にランド6を配列する。
図7は、内外周の2列にランド6が配列され、各ランド6に接続する配線パターンが形成されたインターポーザ1を示す。このようなランド6の配列を有する場合、参考例として図7のパターンCに示すように、共通はんだボール5に接続される配線7a,7bは、内周側のランド6に接続され、有意な信号の配線は外周側のランド6に接続されると良い。これにより、配線7Aa,7bは、有意な信号の配線の半導体チップ2側の端部を越えて、半導体チップ2の中心に向かって延びるため、有意な信号の配線をより確実にガードすることができる。換言すれば、図7のパターンDのように、有意な信号の配線が、配線7a,7bの端部よりも半導体チップ2の中心に向かって延出していると、その延出した部分から、他の配線にノイズが伝播する可能性が高まってしまうのである。
以上、電源用パッド或いはGND用パッドとして用いられる少なくとも2個のパッド20を、共通はんだボール5に接続する手法について説明したが、このように複数の電源系が相互に接続される場合、一方の電源系に断線等の異常が生じていても、それを検出することが困難になる恐れがある。
そのため、例えば図8や図9に示す回路を半導体チップ2に集積化して、共通はんだボール5に接続された配線7a,7bに断線等の異常が生じていないかどうかを個別にチェックすることが好ましい。
図8に示す回路では、共通はんだボール5に接続された2個のパッド20にそれぞれ接続される半導体チップ2内の配線経路にスイッチSW1,SW2を設けている。これらのスイッチSW1,SW2は、切替回路25によってそれぞれ個別に閉成状態と開放状態とのいずれかに切替えられる。すなわち、半導体チップ2が動作する際には、切替回路25はスイッチSW1、SW2をともに閉成状態にして、機能回路に動作電圧を供給できるようにし、導通状態のチェック時には、スイッチSW1,SW2を1つずつ順番に閉成状態に切替える。導通チェック回路26は、外部から所定の電位がパッド20に印加されつつ各スイッチSW1、SW2が閉じられたときに、各配線経路における電位のレベルに基づいて、導通状態が正常であるか否かを判定する。なお、導通チェック回路24は、共通はんだボール5に接続されたパッド20以外のパッド20に対しても設けられている。
図9に示す回路では、半導体チップ2内の各配線経路に電流検出部28〜30を設けている。そして、外部から各パッドに電源が供給されて、各配線経路に電流が通電されたときに、各配線経路に流れる電流の電流値を電流検出部28〜30によって検出する。導通チェック回路27は、検出された電流値に基づいて、各経路ごとに導通状態が正常であるか否かを判定する。
上述した図8に示す回路では、半導体チップ2が動作するときには、スイッチSW1,SW2を閉成状態にするので、導通状態が検査できる時期が、ボールグリッドアレイとしての製品出荷前や、そのボールグリッドアレイがメイン基板に実装されたときに限られる。しかし、図9に示す回路によれば、各配線経路に流れる電流の電流値を監視するものであるため、ボールグリッドアレイを実装したメイン基板が、ある制御対象機器の制御に用いられる状態となっても、各経路の導通状態をチェックすることができる。
実施形態におけるボールグリッドアレイ10の概略構成を示す断面図である。 インターポーザ1のはんだボール5が形成された面を示す平面図である。 インターポーザ1の半導体チップ2の搭載面を示す平面図である。 電源用パッド或いはGND用パッドとして用いられる少なくとも2個のパッドに対応するランド6a,6bと共通はんだボール5とを接続する参考例としてのパターン(Aパターン)における配線経路を模式的に示した図である。 (a)は、電源用パッド或いはGND用パッドとして用いられる少なくとも2個のパッドに対応するランド6a,6bと共通はんだボール5とを接続する本実施形態によるパターン(Bパターン)における配線経路を模式的に示した図であり、(b)はその配線経路をより具体的に示した一部断面斜視図であり、(c)はノイズの回り込みがより確実に防止できる理由を説明するための説明図である。 ボールグリッドアレイをインターポーザに表面実装した変形例を示す断面図である。 図6に示す変形例における、インターポーザの半導体チップの搭載面を参考例として示す平面図である。 共通はんだボール5に接続された配線7a,7bに断線等の異常が生じていないかどうかを個別にチェックする第1の回路を示す回路図である。 共通はんだボール5に接続された配線7a,7bに断線等の異常が生じていないかどうかを個別にチェックする第2の回路を示す回路図である。
符号の説明
1 インターポーザ
2 半導体チップ
3 ワイヤ
5 はんだボール
6 ランド
7 配線パターン
8 貫通ビア
9 配線パターン
10 ボールグリッドアレイ

Claims (10)

  1. 複数のパッドを有する半導体チップと、
    前記半導体チップを搭載するとともに、その搭載面に、前記半導体チップの複数のパッドとそれぞれ接続される配線が形成され、前記搭載面と反対側の面に、前記配線と電気的に接続されるボール端子を備えるインターポーザとを有するボールグリッドアレイにおいて、
    前記ボール端子の中で、電源用端子又はGND用端子として用いられる少なくとも1個のボール端子が、共通ボール端子として、前記半導体チップの少なくとも2個のパッドに接続され、
    前記インターポーザには、前記半導体チップの搭載面からその反対側の面に達する貫通ビアが形成され、前記ボール端子と前記配線とは当該貫通ビア内に設けられた導電材料を介して電気的に接続されるものであり、
    前記半導体チップの搭載面と反対側の面に、少なくとも2個の貫通ビア内の導電材料に対して、前記共通ボール端子からそれぞれ延びる分岐配線を設け、かつ前記半導体チップの搭載面において前記少なくとも2個のパッドからの配線を前記分岐配線が接続された貫通ビアの導電材料にそれぞれ別個に接続することにより、前記共通ボール端子を前記少なくとも2個のパッドに接続することを特徴とするボールグリッドアレイ。
  2. 前記貫通ビア内に設けられた導電材料は、前記配線及び前記分岐配線よりも高いインピーダンスを有することを特徴とする請求項1に記載のボールグリッドアレイ。
  3. 前記半導体チップは、複数の機能回路を有し、当該機能回路毎に少なくとも1個の電源及びGNDが設けられ、前記複数のパッドは、当該複数の電源及びGNDに対応して、複数の電源用パッドと複数のGND用パッドとを含むものであって、
    前記複数の電源用パッド同士及び又は複数のGND用パッド同士が、前記共通ボール端子に接続されることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のボールグリッドアレイ。
  4. 前記複数の電源用パッド複数のGND用パッドの中で、相対的に電流の通電量が小さい電源用パッド同士及び又は複数のGND用パッド同士を、前記共通ボール端子に接続することを特徴とする請求項3に記載のボールグリッドアレイ。
  5. 前記複数の電源用パッド複数のGND用パッドの中で、相対的にノイズ発生量の小さい電源用パッド同士及び又は複数のGND用パッド同士を、前記共通ボール端子に接続することを特徴とする請求項3に記載のボールグリッドアレイ。
  6. 前記複数の機能回路が、アナログ信号を処理するアナログ系回路、デジタル信号を処理するデジタル系回路とを有し、
    前記アナログ系回路における電源に対応する電源用パッド及びGNDに対応するGND用パッドを、それぞれ個別のボール端子に接続しつつ、前記デジタル系回路における複数の電源に対応する電源用パッド同士及び又は複数のGNDに対応するGND用パッド同士を、前記共通ボール端子に接続することを特徴とする請求項3に記載のボールグリッドアレイ。
  7. 前記デジタル系回路は、外部からデジタル信号を入力する入力部と、外部へデジタル信号を出力する出力部とを有し、
    前記入力部における複数の電源に対応する電源用パッド及び複数のGNDに対応するGND用パッドを、それぞれ個別のボール端子に接続しつつ、前記出力部における複数の電源に対応する電源用パッド同士及び又は複数のGNDに対応するGND用パッド同士を、前記共通ボール端子に接続することを特徴とする請求項6に記載のボールグリッドアレイ。
  8. 前記半導体チップは、
    前記共通ボール端子と接続された少なくとも2個のパッドに接続される前記半導体チップ内の配線経路を、それぞれ個別に閉成状態と開放状態とのいずれかに切替える切替回路と、
    前記切替回路が配線経路を1本づつ順番に閉成状態に切替えたとき、その閉成状態となった配線経路の導通状態をチェックするチェック回路とを備えることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記載のボールグリッドアレイ。
  9. 前記半導体チップは、
    前記共通ボール端子と接続された少なくとも2個のパッドに接続される前記半導体チップ内の配線経路に、それぞれ個別に電流を通電する通電回路と、
    前記配線経路に流れる電流値を検出する検出回路と、
    前記通電回路が配線経路に電流を通電したときに、前記配線経路に流れる電流値から、各々の配線経路の導通状態をチェックするチェック回路とを備えることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記載のボールグリッドアレイ。
  10. 前記半導体チップにおいて有意な信号の伝達に使用されるパッドの少なくとも1つが、前記半導体チップの搭載面に形成された複数の配線に接続されることを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれかに記載のボールグリッドアレイ。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101387922B1 (ko) * 2007-07-24 2014-04-22 삼성디스플레이 주식회사 구동 칩, 이를 갖는 구동 칩 패키지 및 표시 장치
US7906424B2 (en) 2007-08-01 2011-03-15 Advanced Micro Devices, Inc. Conductor bump method and apparatus
US20090032941A1 (en) * 2007-08-01 2009-02-05 Mclellan Neil Under Bump Routing Layer Method and Apparatus
US7812428B2 (en) * 2007-12-05 2010-10-12 Atmel Rousset S.A.S. Secure connector grid array package
US8314474B2 (en) * 2008-07-25 2012-11-20 Ati Technologies Ulc Under bump metallization for on-die capacitor
JP2010067657A (ja) * 2008-09-09 2010-03-25 Nec Electronics Corp 半導体集積回路装置とテスト端子配置方法
JP5152099B2 (ja) * 2009-05-18 2013-02-27 富士通株式会社 基板構造
US20120235729A1 (en) * 2011-03-15 2012-09-20 Stmicroelectronics S.R.L. Integrated device and method of reducing voltage drops on a supply distribution metal path of a device
KR20120119960A (ko) * 2011-04-21 2012-11-01 삼성전자주식회사 마이크로 범프 연결성을 테스트할 수 있는 반도체 장치
JP2013125765A (ja) * 2011-12-13 2013-06-24 Elpida Memory Inc 半導体装置
JP5991750B2 (ja) * 2012-09-10 2016-09-14 キヤノン株式会社 積層型半導体装置及びプリント回路板
US9589946B2 (en) * 2015-04-28 2017-03-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Chip with a bump connected to a plurality of wirings
JP6653541B2 (ja) 2015-09-14 2020-02-26 ローム株式会社 半導体装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000236040A (ja) * 1999-02-15 2000-08-29 Hitachi Ltd 半導体装置
JP2003124432A (ja) * 2001-10-18 2003-04-25 Hitachi Ltd 半導体装置及びその半導体装置を組み込んだ電子装置
JP2005340741A (ja) * 2004-05-31 2005-12-08 Renesas Technology Corp 半導体装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59193046A (ja) * 1983-04-15 1984-11-01 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JPH08102507A (ja) 1994-09-30 1996-04-16 Matsushita Electric Works Ltd プラスチック ボール グリッド アレイ
JP3449099B2 (ja) * 1996-02-15 2003-09-22 株式会社日立製作所 半導体装置
GB2314463A (en) 1996-06-19 1997-12-24 Ibm PCB mounting pad arrangement for plastic ball grid array module
JPH1041426A (ja) 1996-07-19 1998-02-13 Nec Corp ボールグリッドアレイパッケージ実装構造とボールグリッドアレイパッケージ
JPH1074802A (ja) 1996-08-30 1998-03-17 Shimu:Kk ボールグリッドアレイパッケージの接続構造及びその接続検査方法
US6008534A (en) * 1998-01-14 1999-12-28 Lsi Logic Corporation Integrated circuit package having signal traces interposed between power and ground conductors in order to form stripline transmission lines
JPH11251727A (ja) 1998-02-27 1999-09-17 Fuji Photo Film Co Ltd グリッドアレイ型半導体パッケージの実装方法
JPH11274237A (ja) 1998-03-23 1999-10-08 Casio Electronics Co Ltd ボールグリッドアレイ実装方法
JPH11297879A (ja) 1998-04-08 1999-10-29 Toshiba Corp Bgaパッケージ、プリント基板及び実装構造体
JPH11307684A (ja) 1998-04-24 1999-11-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体パッケージ
JP4484176B2 (ja) 2000-01-21 2010-06-16 イビデン株式会社 ボールグリッドアレイ型パッケージの接続構造
JP2002043466A (ja) 2000-07-26 2002-02-08 Denso Corp ボールグリッドアレイパッケージ
JP3528919B2 (ja) 2001-05-31 2004-05-24 日本電気株式会社 ボールグリッドアレイ集積回路実装方法
TW200408091A (en) * 2001-11-13 2004-05-16 Koninkl Philips Electronics Nv Device for shielding transmission lines from ground or power supply
JP2003283081A (ja) 2002-03-26 2003-10-03 Ricoh Co Ltd 配線用補助パッケージ
US6700207B2 (en) * 2002-08-05 2004-03-02 Lsi Logic Corporation Flip-chip ball grid array package for electromigration testing
US6747352B1 (en) * 2002-08-19 2004-06-08 Amkor Technology, Inc. Integrated circuit having multiple power/ground connections to a single external terminal
JP2004111863A (ja) 2002-09-20 2004-04-08 Denso Corp ボールグリッドアレイ
JP2004349457A (ja) * 2003-05-22 2004-12-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd Lsiパッケージ
TWI236120B (en) * 2003-10-16 2005-07-11 Via Tech Inc Chip package and electrical-connection structure between chip and substrate

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000236040A (ja) * 1999-02-15 2000-08-29 Hitachi Ltd 半導体装置
JP2003124432A (ja) * 2001-10-18 2003-04-25 Hitachi Ltd 半導体装置及びその半導体装置を組み込んだ電子装置
JP2005340741A (ja) * 2004-05-31 2005-12-08 Renesas Technology Corp 半導体装置

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Publication number Publication date
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