JPH11297879A - Bgaパッケージ、プリント基板及び実装構造体 - Google Patents

Bgaパッケージ、プリント基板及び実装構造体

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JPH11297879A
JPH11297879A JP10095987A JP9598798A JPH11297879A JP H11297879 A JPH11297879 A JP H11297879A JP 10095987 A JP10095987 A JP 10095987A JP 9598798 A JP9598798 A JP 9598798A JP H11297879 A JPH11297879 A JP H11297879A
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健志 伊藤
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    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA

Abstract

(57)【要約】 【課題】 端子ピッチが細かく、しかも端子数の多いB
GAパッケージ、プリント基板及び実装構造体を提供す
る。 【解決手段】 BGAパッケージの基板1の同一電位の
端子11を複数個近接させ、この近接した複数個の端子
11に接続されるプリント基板のパッドで囲まれる領域
が、BGAパッケージの基板1を搭載するプリント基板
の電源、グランド層に接続するビアホール2の最も外側
より大きくなるように、BGAパッケージの基板1の同
一電位の端子11を集合させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、端子ピッチが細か
く、しかも端子数の多いBGAパッケージ、プリント基
板及び実装構造体に関する。
【0002】
【従来の技術】LSIを搭載するパッケージは、年々小
型化の一途をたどつている。パッケージの形態も、パッ
ケージ周辺に端子を形成する従来のQFP( Quad
Flat Package) だけでなく、パッケージに
2次元的に端子を配置( 以下エリア配置と称する) した
BGA( Ball Gride Array) パッケー
ジが採用されている。
【0003】近年、特に,LSIと同等の大きさのパッ
ケージであるCSP( Chip Size Packa
ge) が注目され、採用もされ始めている。
【0004】このようなエリア配置のパッケージでは、
パッケージサイズを減少させるために、端子ピッチの縮
小が図られている。端子ピツチの縮小は、BGAパツケ
ージを搭載するプリント基板に対して微細な配線ルール
の採用が要求される。ただ、通常のBGAパッケージ
は、BGAパッケージを搭載するプリント基板の配線ル
ールの制約から、端子の列数に制限があり、パツケージ
上のすべての領域を使用できるわけではない。例えば、
図7に示したようにBGAパッケージ1の中心部分には
端子を配置しないのが一般的である。
【0005】また、LSI間を伝送する信号の速度も向
上しており、BGAパッケージ1も電気特性を十分考慮
して設計する必要に迫られている。このため、基板の配
線の引き回しを優先させて図7のように電源(グラン
ド)端子11はBGAパッケージ1の中央部に配置され
ることが多かつた。
【0006】これは、電源、グランド配線の物理的長さ
を短縮することにより、BGAパッケージ1の電源、グ
ランド配線(リード)のインダクタンス低減をも図れる
というものである。
【0007】しかし、単純な導体のインダクタンスは、
前述のとおりパターンの長さを短縮することにより低減
できるが、実際には、インダクタンスは信号と電源の導
体で形成されるループのインダクタンスとなるため、電
気特性に関しては得策ではない。
【0008】つまり、パツケージの信号配線および端子
と電源・グランドの配線と端子の位置関係により、イン
ダクタンスは大きく変化する。図8に示したように、信
号配線41と電源配線42が近接している部分では、電
流が逆方向に流れ(信号電流43、電源電流44)相互
インダクタンス45がループのインダクタンスを減少さ
せる方向に作用する。
【0009】信号配線のうち、電源・グランドと近接し
ていない配線46が長いと全体のインダクタンスを増加
させることになる。従って、パツケージのインダクタン
スを減少させるためには、図9のように、電源(グラン
ド)端子11をパツケージ上で均等に配置させ、極力信
号と電源、グランドの結合を大きくすることが望まし
い。また、電源、グランドの端子数もできるだけ多くす
ることが望ましい。
【0010】しかし、この場合は図9のような端子配置
では、BGAパッケージ1を搭載するプリント基板の負
担が大きくなってしまう。たとえば、図9のようなBG
Aパッケージ1の場合、端子の列数はBGAパッケージ
1を搭載するプリント基板の配線ルールによって変化す
ることになる。すなわち、BGAパツケージ1の端子を
受けるパッドPおよび配線層を変更するためのビアホー
ル2の間を、配線を何本通すことができるかによつて変
化する。
【0011】図9のような電源(グランド)端子11の
配置では、BGAパッケージ1を搭載するプリント基板
の引き出し線は図10のようになる。電源(グランド)
端子11が図10のように分散している場合には、BG
Aパッケージ1と接続するパッドPから全てパッド領域
外部へ配線50、51で引き出さなければならない。
【0012】近年では、ビルドアップ基板など微細配線
が可能な基板がパソコンなどの基板として使用されてい
る。当然のことながら、プリント基板には微細配線が可
能な基板が望ましい。
【0013】図11にビルドアツプ基板の断面図を示
す。ビルドアップ基板は、通常の張り合わせ型の基板(
コア基板) L1´〜L8´の表層に絶縁層と導体層を交
互に積層して形成されるもので、微細な配線ルールを実
現できる。代表的な設計ルールの例の値を以下に示す。
【0014】 ライン / スぺース ビアランド径 ビルドアッブ基板 50um/ 50um 200um ガラスエボキシ基板 100um/100um 500um(表層) 電源、グランド層は通常内部の基板層に形成される。従
って、電源(グランド)端子11は、コア基板のビアホ
ール2により、電源、グランドプレーンに接続されるこ
とになる。
【0015】図11に示した8層のビルドアツプ基板の
場合、グランド層はコア基板内部の配線パターン3の導
体層に形成されるため、グランド層へ接続する場合に
は、ビアとランド径が大きいため、通常の端子配置では
コア基板の内層へ接続するビアホール2をパッドP近傍
に配置することができない。
【0016】従って、図12のようにチップ搭載領域か
ら外部に引き出して配線しなければならない。図12で
は電源端子のみの引き出し配線を示してあるが、実際に
は信号線も同様に引き出す。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ビルドアップ基板の場合、引き出し配線がチツプの端子
数分だけ必要となる。
【0018】そのため、基板の配線数が増加するととも
に、電源・グランドの引き出し線長の増加によるインダ
クタンス増加を引き起こし、電気特性そのものの劣化を
引き起こすという問題を抱えている。
【0019】また、コア基板のビアサイズはビルドアッ
プ層と比較して非常に大きくなるため、電源、グランド
層に接続するコア基板のビア数は、パッケージの電源、
グランドの端子数よりも少なくなるのが一般的である。
【0020】しかし、コア基板のビア数が減少しても、
パッケージ搭載領域から引き出さなければならないた
め、パッケージからの引き出しが困難であることには変
わりないという問題を抱えている。
【0021】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
もので、その目的とするところはBGAパツケージの搭
載するプリント基板の配線の引き回しが容易となり、し
かも、BGAパツケージをプリント基板に実装した状態
での電気特性を劣化させないBGAパッケージ、プリン
ト基板及び実装構体を提供することにある。
【0022】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明による手
段によれば、基板と、前記基板の一方の主面側に取付け
られた半導体素子と、前記基板の他方の主面側に設けら
れ前記半導体素子に電気的に接続された複数の半導体素
子端子と、前記半導体素子端子に形成された半田ボール
とを具備し、前記半導体素子端子の内前記半導体素子に
対する信号授受以外に用いられる同電位の半導体素子端
子が複数個近接して配設され、且つ、前記近接して配設
された同電位の半導体素子端子群が分散して配置されて
いることを特微とするBGAパッケージにある。
【0023】請求項2の発明による手段によれば、基板
と、前記基板の一方の主面側に取付けられた半導体素子
と、前記基板の他方の主面側に設けられ前記半導体素子
に電気的に接続された複数の半導体素子端子と、前記半
導体素子端子に形成された半田ボールとを具備し、前記
半導体素子端子の内前記半導体素子に対する信号授受以
外に用いられる同電位の半導体素子端子が複数個近接し
て配設され、且つ、前記近接して配設された同電位の半
導体素子端子群が分散して配置されているBGAパッケ
ージが実装されるプリント基板において、プリント基板
本体と、前記プリント基板本体の一方の主面に設けられ
前記半田ボールを介して前記半導体素子端子に接続され
る複数のプリント基板端子と、前記プリント基板本体内
部に設けられ前記プリント基板側端子に電気的に接続さ
れた複数のビアホールと、前記プリント基板本体内部に
設けられ前記ビアホールに電気的に接続された導電層と
を具備し、前記近接して配設された同電位の半導体素子
端子に接続される前記プリント基板端子は、これらのプ
リント基板端子により囲まれる領域内に存在する共通の
ビアホールを介して前記導電層に接続されていることを
特徴とするプリント基板にある。
【0024】請求項3の発明による手段によれば、前記
プリント基板端子により囲まれる領域内に存在する前記
ビアホールの内、最大のビアホールの端部に設けられた
ランドの大きさは、前記プリント基板端子により囲まれ
る領域よりも小さく設けられていることを特徴とする請
求項2記載のプリント基板にある。
【0025】請求項4の発明による手段によれば、基板
と、前記基板の一方の主面側に取付けられた半導体素子
と、前記基板の他方の主面側に設けられ前記半導体素子
に電気的に接続された複数の半導体素子端子と、前記半
導体素子端子に形成された半田ボールと、前記半導体素
子が取付けられた基板が搭載されるプリント基板本体
と、前記プリント基板本体の一方の主面に設けられ前記
半田ボールを介して前記半導体素子端子に接続される複
数のプリント基板側端子と、前記プリント基板本体内部
に設けられ前記プリント基板側端子に電気的に接続され
た複数のビアホールと、前記プリント基板本体内部に設
けられ前記ビアホールに電気的に接続された導電層とを
具備し、前記半導体素子端子の内前記半導体素子に対す
る信号授受以外に用いられる同電位の半導体素子端子が
複数個近接して配設され、且つ、前記近接して配設され
た同電位の半導体素子端子群が分散して配置され、且
つ、前記近接して配設された同電位の半導体素子端子に
接続される前記プリント基板端子は、これらのプリント
基板端子により囲まれる領域内に存在する共通のビアホ
ールを介して前記導電層に接続されていることを特徴と
する実装構造体にある。
【0026】請求項5の発明による手段によれば、前記
プリント基板側端子により囲まれる領域内に存在する前
記ビアホールの内、最大のビアホールの端部に設けられ
たランドの大きさは、前記プリント基板側端子により囲
まれる領域よりも小さく設けられていることを特徴とす
る請求項4記載の実装構造体にある。
【0027】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
【0028】図1から図2は本発明のBGAパッケージ
基板1で、図1(a)はBGAパッケージの基板1を示
す平面図、図1(b)はBGAパッケージの基板1の裏
面図である。また、図2は半導体素子8を搭載した状態
でのBGAパッケージの基板1の要部断面図である。な
お、図示しないが、半導体素子8は樹脂封止されてい
る。
【0029】図1(a)に示すように、BGAパッケー
ジの基板1の上面には、ボンデイング・パッド4と、
0.15mm線幅の配線パターン3が設けられており、
配線パターン3の端部は信号端子であるビアホール2に
接続されている。これらは、信号の配線の接続に使用さ
れる( 本発明でいう信号とは、電源、グランド以外の全
ての信号を指し、例えばテスト用信号なども含まれる)
【0030】また、半導体素子搭載位置5の近傍には、
電源端子11が設けられており、これらは電源あるいは
グラウンドの配線の接続に使用される。電源端子11は
ビアホール2に接続されている。
【0031】図1(b)に示すように、BGAパッケー
ジの基板1の裏面においては、ビアホール2に接続され
た配線パターン6と、配線パターン6に接続された半田
付けパッド7が配置され、これらは信号の配線の接続に
使用される。また、BGAパッケージの基板1の裏面の
中央部には、上記のビアホール2に接続された0.3m
m線幅の配線パターン3と、配線パターン3に接続され
た半田付けパッド13が配置され、これらは電源あるい
はグラウンドの配線の接続に使用される。電源系統の配
線の配線パターン3は、インダクタンス低減のために線
幅を広くし、また、ビアホール2と半田付けパッド13
とは、1対1で結ぶのではなく、所によっては複数本の
配線で結んでいる。
【0032】図2に示すように、BGAパッケージの基
板1に搭載された半導体素子8の電極(信号電極)は、
ボンデイングワイヤ15によって配線パターン3と接続
され、配線パターン3→ビアホール2→配線パターン6
を介して、半田付けパッド13に接続される。この半田
付けパッド13には半田ボール10などが接続される。
【0033】これらは、信号の配線の接続に使用され
る。また、BGAパッケージの基板1の中央部では、半
導体素子8の電極(電源電極ならびにグランド電極)と
電源端子11とが、ボンデイングワイヤ16によって接
続され、端子11→ビアホール12→配線パターン3a
を介して、半田付けパッドである電源端子13に接続さ
れる。この電源端子13には半田ボール10が形成され
る。これらは、電源あるいはグラウンドの配線の接続に
使用される。
【0034】図3は本発明のBGAパッケージの基板1
のプリント基板20への実装状態を示す断面図である。
また、図4は本発明のBGAパッケージの基板1の平面
図で、図5はBGAパッケージを搭載するプリント基板
20のパッドの状態を示す平面図で、図6はその配線状
態を示す説明図である。
【0035】これらの各図で、通常、はんだ付パッドで
ある電源端子P3は複数の電源電位とグランド電位の端
子の両用のものに適用できる。
【0036】すなわち、図3においてプリント基板20
は8層の配線パターン30が設けられた導体層(L1〜
L8)がそれぞれの絶縁層(La〜Lg)の上に形成さ
れている。各層の配線パターン30は回路設計に対応し
てそれぞれがビアホールにより電気的に接続されてい
る。これらのビアホール2a、2b、2cのうち、最上
層の導体層L1をなすパッドである電極端子P1に接続
されたビアホール2aは図6に示すように、4つの電源
端子P2を電極端子P1を介して電気的に接続するもの
で、パッドP1の幅よりも小さく設定され、また、最上
層の導体層L1をなすパッドである電源端子P1の直下
の第3導体層L3と第6導体層L6の間には、最上層の
導体層L1の電源端子P1の径よりも直径が大きい円柱
状のビアホール2cが設けられている。このビアホール
2cは、導体層L4をなすグランドプレーンGLに接続
されている。
【0037】なお、ビアホール2cの直径はパッドP1
より必ずしも大きくなければなれないことはない。そし
て、このビアホール2cの上下両端側には、導体層L3
に電気的に接続されたランドLcが同心円状に設けら
れ、さらに、このランドLcは導体層L2、L3間に設
けられたビアホール2bに導体層L3を介して電気的に
接続されている。
【0038】一方、プリント基板20の最上層の導体層
L1の外側のパッドP2は、はんだボール10を介して
接合するBGAパッケージの基板1のパッケージパッド
P3と接合している。なお、パッドP2、P3は電源端
子となっているので、以下電源端子P2、P3とよぶ。
【0039】しかして、この実施の形態においては、図
4および図5で示すように、BGAパッケージの基板1
及びプリント基板20の電源端子P2、P3は4つの端
子を集合させて配置している。さらに、これら4つの各
端子P2、P3からなる多数の端子群は、図4に示すよ
うに、基板1及びプリント基板20の各主面上において
それぞれ分散して配置されている。なお、集合させる電
源端子P2、P3の数は4つに限定されるものではな
く、端子サイズとビアホール2のサイズの関係によって
任意に選定することが出来る。また、図4においては、
電源端子P3は実際ははんだボールと解してもよい。
【0040】また、図4のBGAパッケージの基板1の
端子ピッチは1mm以下と狭ピツチをなしている。
【0041】しかして、この場合、BGAパッケージの
基板1を搭載するプリント基板20では、図5のように
4つの電源端子P2をまとめてビアホール2a、2bを
介してビアホール2cによりグランドプレーンGLに接
続することができるため、ビアホール個数を減少させる
ことができる。すなわち、4つの電極端子P2は、一つ
のビアホールを2cを共有し、このビアホール2cを介
してグランドプレーンGLに接続されている。従って、
BGAパッケージの基板1の内部からより多くの配線を
引き出すことが可能になる。この場合の条件として、図
3に示すように、ビアホール2cの上下両端部のランド
LCのサイズDBが、4つの電源端子P2の占める領域
の最大外間DAよりも小さく設ける必要がある。
【0042】従って、電極端子11からグランドプレー
ンGLへ接続するための配線の長さを著しく短縮するこ
とができる。そのため、グランドのインダクタンスを減
少させ、グランドに起因するノイズ、例えば、同時スイ
ッチングノイズ( グランドバウンス) を低減することが
可能になる。
【0043】
【発明の効果】以上のように、本発明は、同一電位の電
源端子を複数個近接させ、前記近接した複数個の電源端
子により囲まれるプリント基板の内に存在するビアホー
ルを前記同一電位の電極端子で共有させ、この共有させ
たビアホールを介して基板内各層への電気的接続を行う
ようにしたので、電源、グランドの引き出し配線が短縮
され、電源、グランドのインダクタンスを低減させ、グ
ランドに起因するノイズ、例えば、同時スイッチングノ
イズ(グランドバウンス)を低減することができるよう
になる。
【0044】また、BGA接続用のパツドからの引き出
し線の本数が削減できるため、パッケージ内側の配線の
引き出しを容易に行うことができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明のBGAパッケージの基板の平
面図、(b)は同じくBGAパッケージの基板の裏面
図。
【図2】半導体素子を搭載した状態での、図1のBGA
パッケージの基板の要部断面図。
【図3】本発明の実装構造体を示す一実施例の断面図。
【図4】本発明のBGAパッケージの基板の平面図。
【図5】本発明のプリント基板のパッドの状態を示す平
面図。
【図6】本発明のBGAパッケージの基板を搭載するプ
リント基板の配線状態を示す説明図。
【図7】従来のBGAパツケ一ジの端子配置図。
【図8】一般的なBGAパッケージの基板内部の配線構
造図。
【図9】電気特性を改善した従来のBGAパッケ一ジの
端子配置図。
【図10】従来の端子配列のBGAパッケージの基板
(8層)のビルドアップ基板における配線引き出し概念
図。
【図11】ビルドアツプ基板の構造を示す断面図。
【図12】電気特性を改善した従来のBGAパッケージ
の基板を搭載するプリント基板の配線引き出し概念図。
【符号の説明】
1…BGAパッケージの基板、2、2a、2b、2c…
ビアホール、3…配線パターン、4…ボンディングパッ
ド、6…配線パターン、7…はんだパッド、10…はん
だボール、11…電源端子、13…はんだ付けパッド、
15…ボンディングワイヤ、L1〜L8…導体層、La
〜Lg …絶縁層、P、P2…パッド、42…電源配線、
43…信号電流、44…電源電流、45…相互インダク
タンス、46…配線、50、51…配線

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板と、前記基板の一方の主面側に取付
    けられた半導体素子と、前記基板の他方の主面側に設け
    られ前記半導体素子に電気的に接続された複数の半導体
    素子端子と、前記半導体素子端子に形成された半田ボー
    ルとを具備し、前記半導体素子端子の内前記半導体素子
    に対する信号授受以外に用いられる同電位の半導体素子
    端子が複数個近接して配設され、且つ、前記近接して配
    設された同電位の半導体素子端子群が分散して配置され
    ていることを特微とするBGAパッケージ。
  2. 【請求項2】 基板と、前記基板の一方の主面側に取付
    けられた半導体素子と、前記基板の他方の主面側に設け
    られ前記半導体素子に電気的に接続された複数の半導体
    素子端子と、前記半導体素子端子に形成された半田ボー
    ルとを具備し、前記半導体素子端子の内前記半導体素子
    に対する信号授受以外に用いられる同電位の半導体素子
    端子が複数個近接して配設され、且つ、前記近接して配
    設された同電位の半導体素子端子群が分散して配置され
    ているBGAパッケージが実装されるプリント基板にお
    いて、プリント基板本体と、前記プリント基板本体の一
    方の主面に設けられ前記半田ボールを介して前記半導体
    素子端子に接続される複数のプリント基板端子と、前記
    プリント基板本体内部に設けられ前記プリント基板側端
    子に電気的に接続された複数のビアホールと、前記プリ
    ント基板本体内部に設けられ前記ビアホールに電気的に
    接続された導電層とを具備し、前記近接して配設された
    同電位の半導体素子端子に接続される前記プリント基板
    端子は、これらのプリント基板端子により囲まれる領域
    内に存在する共通のビアホールを介して前記導電層に接
    続されていることを特徴とするプリント基板。
  3. 【請求項3】 前記プリント基板端子により囲まれる領
    域内に存在する前記ビアホールの内、最大のビアホール
    の端部に設けられたランドの大きさは、前記プリント基
    板端子により囲まれる領域よりも小さく設けられている
    ことを特徴とする請求項2記載のプリント基板。
  4. 【請求項4】 基板と、前記基板の一方の主面側に取付
    けられた半導体素子と、前記基板の他方の主面側に設け
    られ前記半導体素子に電気的に接続された複数の半導体
    素子端子と、前記半導体素子端子に形成された半田ボー
    ルと、前記半導体素子が取付けられた基板が搭載される
    プリント基板本体と、前記プリント基板本体の一方の主
    面に設けられ前記半田ボールを介して前記半導体素子端
    子に接続される複数のプリント基板側端子と、前記プリ
    ント基板本体内部に設けられ前記プリント基板側端子に
    電気的に接続された複数のビアホールと、前記プリント
    基板本体内部に設けられ前記ビアホールに電気的に接続
    された導電層とを具備し、前記半導体素子端子の内前記
    半導体素子に対する信号授受以外に用いられる同電位の
    半導体素子端子が複数個近接して配設され、且つ、前記
    近接して配設された同電位の半導体素子端子群が分散し
    て配置され、且つ、前記近接して配設された同電位の半
    導体素子端子に接続される前記プリント基板端子は、こ
    れらのプリント基板端子により囲まれる領域内に存在す
    る共通のビアホールを介して前記導電層に接続されてい
    ることを特徴とする実装構造体。
  5. 【請求項5】 前記プリント基板側端子により囲まれる
    領域内に存在する前記ビアホールの内、最大のビアホー
    ルの端部に設けられたランドの大きさは、前記プリント
    基板側端子により囲まれる領域よりも小さく設けられて
    いることを特徴とする請求項4記載の実装構造体。
JP10095987A 1998-04-08 1998-04-08 Bgaパッケージ、プリント基板及び実装構造体 Pending JPH11297879A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7586186B2 (en) 2006-01-24 2009-09-08 Denso Corporation Ball grid array

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