JP4568280B2 - クラック・ストップを形成する方法 - Google Patents

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Description

本発明は、一般に、二酸化シリコンＳｉＯ2などの低Ｋ誘電体材料において銅または銀の相互接続などの自己パッシベーション（表面安定化）酸化物層（self-passivating oxide layer）を形成しない金属相互接続を使用して集積回路（ＩＣ）チップ上に形成されたＩＣの低Ｋ誘電体材料用のクラック・ストップ（crack stop）に関する。
詳細には、主題の発明は、ＩＣチップ上で実行されたダイシング（dicing）操作中にＩＣチップの周辺エッジに沿って形成されたチッピング（chipping）およびクラッキング（cracking）によって引き起こされた、低Ｋ誘電体材料において銅または銀の相互接続などの金属相互接続を使用して、ＩＣチップのアクティブ・エリアに対する損傷を防止するためのクラック・ストップ構造およびそのクラック・ストップ構造を形成するための方法に関する。吸湿バリアまたはエッジ・シールは、ＩＣチップのアクティブ・エリアの外周エッジに沿って位置決めされた金属スタック（積層金属）として形成される。クラック・ストップは、ＩＣチップの外周上の吸湿バリア／エッジ・シールの外側に位置決めされた少なくとも１つのトレンチまたは溝（groove）によって形成される。
ＩＣチップ・ダイシング操作中に、ＩＣチップのアクティブ・エリア内に伝播し、障害を引き起こす可能性のあるクラックが形成される。従来技術では、チップ・ダイシング中に形成されたクラックがチップ内に広がるのを防止するために、ＩＣチップの外周部にクラック・ストップ層が取り入れられている。クラックは、一般に二酸化シリコンＳｉＯ2などの脆性材料である後工程（ＢＥＯＬ：back end of line）誘電体により一般に伝播する。
アルミニウムＡｌが自己パッシベーション酸化物層を形成する従来技術のＡｌ相互接続技術では、チップのアクティブ回路エリアを取り囲み、クラックがＢＥＯＬ誘電体からＩＣチップ内に移動するのを防止する、金属スタックまたはエッチング除去領域（etched-out region）のいずれかとしてクラック・ストップが形成されている。
従来技術の銅Ｃｕ相互接続技術では、クラックの伝播（広がり）がＢＥＯＬ誘電体からＩＣチップ内に移動するのを防止するためにチップのアクティブ回路エリアを取り囲む金属スタックとしてクラック・ストップが形成されている。
また、従来技術では、三重エッジ・シールも形成している。しかし、追加のエッジ・シールは、ＩＣチップ上のより多くのエリアを占めるという不利点を有する。
本発明は、二酸化シリコンＳｉＯ2などの低Ｋ誘電体材料において銅または銀の相互接続などの自己パッシベーション酸化物層を形成しない金属相互接続を使用してＩＣチップ上に形成された集積回路（ＩＣ）用のクラック・ストップ構造およびそのクラック・ストップ構造を形成するための方法を提供する。
クラック・ストップは、ダイシング操作中にＩＣチップの周辺エッジに沿って形成されたチッピングおよびクラッキングによって引き起こされたクラックがＩＣチップのアクティブ回路エリア内に広がるのを防止する。吸湿バリア（moisture barrier）またはエッジ・シールは、ＩＣチップのアクティブ・エリアの外周エッジに沿って位置決めされた金属スタックとして形成される。クラック・ストップは、ＩＣチップの外周上の吸湿バリア／エッジ・シールの外側に位置決めされた少なくとも１つのトレンチまたは溝によって形成される。
より詳細には、吸湿バリア／エッジ・シールは、ＩＣチップのアクティブ回路エリアの周りに金属スタックによって形成された少なくとも１つの内部境界吸湿バリア／エッジ・シールを有し、各金属スタックは複数の金属配線（metal line）およびバイア・バー（viabar）を有することができる。その上、クラック・ストップは、ＩＣチップの外周上の吸湿バリア／エッジ・シールの外側に形成された複数のトレンチまたはボイド領域（void region）を有することができる。
低Ｋ誘電体用のクラック・ストップに関する本発明の上記の目的および利点については、当業者であれば、複数の図を通して同様の要素が同一参照番号によって示されている添付図面に併せて読んだときに、そのいくつかの実施形態に関する以下の詳細な説明に関連して、より容易に理解できるであろう。
図１は、ＩＣチップのダイシング中に形成されたクラックがＩＣチップの脆性（brittle）ＢＥＯＬ誘電体内に広がるのを防止するためにＩＣチップ上で銅相互接続技術で使用されていた従来技術の金属スタック・クラック・ストップを示している。ＩＣチップのアクティブ回路エリア１０は、一般に図１の左側に形成され、その外周エッジに沿って形成された吸湿バリア／エッジ・シール１２と、エッジ・シールの外側に形成された金属スタック・クラック・ストップ１４によって縁取られている。
ＩＣチップはシリコンＳｉ基板上に形成され、ＩＣチップの例示的なアクティブ・エリアは図１の左側に示されている。この例示的なアクティブ・エリアは、ｐゲートの上のポリ導体（poly conductor）と、左のｎ領域の上のタングステンＷの周りに形成されたチタンＴｉまたはＴｉＮライナと、右のｎ領域の上のＢＰＳＧ（ボロフォスフォ・シリケート・ガラス（borophospho silicate glass））の層とともに、浅いトレンチ分離（shallow trench isolation）ＳＴＩによって囲まれたｎｐｎ ｎＦＥＴトランジスタ・デバイスを含む。アクティブ・エリアは、概して窒化シリコンＳｉ3Ｎ4または炭化シリコンＳｉＣのキャッピング／エッチング・ストップ層１６によって分離された金属層Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４と、上面アルミニウム層Ａｌと、その周りに形成された耐熱金属（タンタルＴａなど）拡散バリア１８を備えた銅Ｃｕの相互接続と、ＳｉＯ2などのＢＥＯＬ（後工程）低Ｋ誘電体材料２０とを含む。
図１によって図示した通り、従来技術の銅Ｃｕ相互接続技術では、ＩＣチップのアクティブ・エリアの外周エッジに沿って、その周りに形成された耐熱金属（タンタルＴａなど）拡散バリア２２とともに、吸湿バリア／エッジ・シール１２が金属スタックとして形成されている。金属スタックは概して、銅Ｃｕから形成された複数のバイア・バー２４から形成され、その数は多ければ多いほど良く、典型的な数は６個である。また、クラック・ストップ１４も吸湿バリア／エッジ・シール１２の外側の金属スタックとして形成されており、概して十分な銅Ｃｕから形成された単一バイア・バー２６を含む。
図１に示されているような構造では、誘電率＜４．０である低Ｋ誘電体に埋め込まれたＣｕ相互接続技術用の有効なクラック・ストップとして金属スタックが機能しないことが発見されている。ＩＣチップ上で実行されたダイシング操作中に形成されたクラックはＣｕ／ＳｉＯ2技術ではクラック・ストップ１４で停止するが、金属スタック内の露出されたＣｕは水蒸気の存在下で急速酸化を受けやすい。この酸化の結果としてＣｕの体膨張が発生し、低Ｋ誘電体の低弾性率のためにクラック・ストップ付近の層の分離を引き起こす。これにより、湿気がチップ内に入ることができ、低Ｋ誘電体内への高速水分拡散のために故障（failure）を引き起こす。
本発明は、ＩＣチップ上で実行されたダイシング操作中にＩＣチップの周辺エッジに沿って形成されたチッピングおよびクラッキングによって引き起こされたＩＣチップのアクティブ・エリアに対する損傷を防止するために、ＳｉＯ2などの低Ｋ誘電体材料において銅または銀の相互接続などの自己パッシベーション酸化物層を形成しない金属相互接続を使用してＩＣチップ用のクラック・ストップを提供する。吸湿バリア／エッジ・シールは、ＩＣチップのアクティブ・エリアの外周エッジに沿って位置決めされた金属スタックとして形成される。クラック・ストップは、ＩＣチップの外周上の吸湿バリア／エッジ・シールの外側に少なくとも１つのボイド・トレンチまたは溝によって形成される。
図２は、チップが吸湿バリア／エッジ・シールとクラック・ストップとを取り入れている、本発明の一実施形態を示している。
図２のアクティブ・エリア１０は実質的に図１と同じであり、したがって、その詳細な説明は繰り返さない。
吸湿バリア／エッジ・シール１２は好ましくは、１つの金属スタックからなるＩＣチップのアクティブ回路エリアの周りに形成された少なくとも１つの内部リングまたは境界によって形成され、それぞれが１つの金属スタックからなるいくつかの内部リングまたは境界によって形成することができる。各金属スタックは概して、銅Ｃｕまたは銀Ａｇから形成された複数の金属配線およびバイア・バーから形成することができ、その数は多ければ多いほど良く、典型的な数は６個である。
クラック・ストップ２８は、吸湿バリア／エッジ・シール１２の少なくとも１つの内部リングまたは境界の周りに形成された少なくとも１つの外部リングまたは境界エッチング除去ボイド領域３０によって形成され、それぞれが１つのエッチング除去ボイド領域３０からなる、いくつかの外部リングによって形成することができ、図２には２つが示されている。エッチング除去ボイド・クラック・ストップの手法は、クラックが吸湿バリア／エッジ・シール１２と絶えず接触するのを防止する。
本発明によるクラック・ストップ２８および吸湿バリア／エッジ・シール１２は以下のように形成することができる。従来の処理を使用して、最終的な上部Ａｌ層までＩＣチップを形成する。ＩＣチップのアクティブ回路エリア１０の周辺部（perimeter）の周りにリングを形成する、バイア・バー２４、２６およびバイア・バーのすぐ上の金属配線など、図１に図示されている一連の積層（stacked）金属バイア構造を作成することにより、クラック・ストップ２８および吸湿バリア／エッジ・シール１２が形成される。種々の諸実施形態では、所望の通り、吸湿バリア／エッジ・シール１２の任意の多数のリングおよびクラック・ストップ２８の任意の多数のリングを形成することができる。
クラック・ストップを形成するために、上部Ａｌ層はＩＣチップ上に形成されるが、Ａｌ層はクラック・ストップ２８の領域３２、バイア終端開口（terminal via opening）の上方／上に形成されない。Ａｌ層は、その後のウェット・エッチングからエッジ・シール領域を保護するために、クラック・ストップの周辺部の内側のエッジ・シール１２の領域上に形成される。
次に、希釈Ｈ2ＳＯ4：Ｈ2Ｏ2または希釈Ｈ2ＳＯ4：Ｈ2Ｏ2：ＨＦなど、Ａｌに対して選択的なＣｕまたはＡｇなどの相互接続金属とバリア層１６および１８とを除去するウェット・エッチングにおいてウェハがエッチングされる。この同じウェット・エッチングがシリコンＳｉと接触するバリア層およびタングステンＷを除去することに留意されたい。このように、クラック・ストップ２８のエッチング除去ボイド領域３０はエッジ・シール１２の外周エッジの周りに形成され、そのエッジ・シール１２はＩＣチップのアクティブ・エリア用のクラック・ストップとして働くようにＩＣチップのアクティブ・エリアの周りに形成される。
低Ｋ誘電体用のクラック・ストップに関する本発明のいくつかの諸実施形態および諸変形例について本明細書で詳細に説明したが、本発明の開示および教示は当業者に対し数多くの代替設計を示唆するものであることは明らかであるはずである。
ダイシング中に形成されたクラックがＩＣチップの脆性ＢＥＯＬ誘電体内に広がるのを防止するためにＩＣチップ上で銅Ｃｕ相互接続技術で使用されていた従来技術の金属スタック・クラック・ストップを示す図である。 ＩＣチップが、そのＩＣチップの外周の周りに位置決めされた金属スタックからなる吸湿バリア／エッジ・シールと、吸湿バリアの周りに形成された少なくとも１つの外部エッチング除去ボイド・リングからなるクラック・ストップとを取り入れている、本発明の一実施形態を示す図である。

Claims (7)

  1. アクティブ回路エリアを有する集積回路（ＩＣ）チップ用のクラック・ストップを形成するための方法において、前記ＩＣチップが低Ｋ誘電体材料において自己パッシベーション酸化物層を形成しない金属相互接続を含み、吸湿バリア／エッジ・シールが前記ＩＣチップの前記アクティブ回路エリアの外周エッジに沿って位置決めされ、前記クラック・ストップが、ウェハ上で実行されたダイシング操作中に前記ＩＣチップの周辺エッジに沿って形成されたチッピングおよびクラッキングによって引き起こされた前記ＩＣチップの前記アクティブ回路エリアに対する損傷を防止するために、前記ＩＣチップの前記外周エッジに沿う前記吸湿バリア／エッジ・シールの外側に少なくとも１つのトレンチまたは溝によって形成され、前記方法が、
    前記ウェハ上に前記ＩＣチップを形成するステップと、
    前記ＩＣチップの前記アクティブ回路エリアの前記外周エッジの周りに境界を形成する一連の積層金属バイア構造を作成することにより、前記クラック・ストップおよび前記吸湿バリア／エッジ・シールを形成するステップと、
    前記クラック・ストップの領域上にＡｌ層を形成せずに前記ＩＣチップの上に上部Ａｌ層を形成し、その後のウェット・エッチングから前記吸湿バリア／エッジ・シールの領域を保護するために、前記クラック・ストップの周辺部の内側の前記吸湿バリア／エッジ・シールの前記領域上に前記Ａｌ層を形成するステップと、
    クラック・ストップとして前記少なくとも１つのトレンチまたは溝を形成するために、Ａｌに対して選択的な前記金属相互接続および該金属相互接続に接する拡散バリア層を除去するウェット・エッチングで前記ウェハにエッチングを施すステップと、
    を有する方法。
  2. 希釈Ｈ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２：ＨＦを有するウェット・エッチングで前記ウェハにエッチングを施すステップを含む、請求項１に記載の方法。
  3. 希釈Ｈ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２を有するウェット・エッチングで前記ウェハにエッチングを施すステップを含む、請求項１に記載の方法。
  4. 前記金属相互接続を銅の相互接続として形成するステップを含む、請求項１に記載の方法。
  5. 前記金属相互接続を銀の相互接続として形成するステップを含む、請求項１に記載の方法。
  6. 前記ＩＣチップの前記アクティブ回路エリアの周りの前記積層金属バイア構造により少なくとも１つの内部境界吸湿バリア／エッジ・シールを形成することにより前記吸湿バリア／エッジ・シールを形成するステップを含む、請求項１に記載の方法。
  7. 複数の金属相互接続およびバイア・バーを形成することにより前記積層金属バイア構造を形成するステップを含む、請求項１に記載の方法。
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Families Citing this family (104)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050026397A1 (en) * 2003-07-28 2005-02-03 International Business Machines Corporation Crack stop for low k dielectrics
US7109093B2 (en) * 2004-03-22 2006-09-19 International Business Machines Corporation Crackstop with release layer for crack control in semiconductors
US7777338B2 (en) * 2004-09-13 2010-08-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Seal ring structure for integrated circuit chips
US7374971B2 (en) * 2005-04-20 2008-05-20 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor die edge reconditioning
WO2006121129A1 (ja) * 2005-05-13 2006-11-16 Nec Corporation 半導体装置及びその製造方法
US7572738B2 (en) * 2005-05-23 2009-08-11 Sony Corporation Crack stop trenches in multi-layered low-k semiconductor devices
JP2006339189A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体ウェハおよびそれにより形成した半導体装置
US20060278957A1 (en) * 2005-06-09 2006-12-14 Zong-Huei Lin Fabrication of semiconductor integrated circuit chips
US7538433B2 (en) * 2005-06-16 2009-05-26 Panasonic Corporation Semiconductor device
CN100407403C (zh) * 2005-06-28 2008-07-30 联华电子股份有限公司 半导体晶片
US8624346B2 (en) 2005-10-11 2014-01-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Exclusion zone for stress-sensitive circuit design
US20070087067A1 (en) * 2005-10-18 2007-04-19 Yuan Yuan Semiconductor die having a protective periphery region and method for forming
US20070102792A1 (en) * 2005-11-07 2007-05-10 Ping-Chang Wu Multi-layer crack stop structure
US20070102791A1 (en) * 2005-11-07 2007-05-10 Ping-Chang Wu Structure of multi-layer crack stop ring and wafer having the same
US7795615B2 (en) * 2005-11-08 2010-09-14 Infineon Technologies Ag Capacitor integrated in a structure surrounding a die
US7622364B2 (en) 2006-08-18 2009-11-24 International Business Machines Corporation Bond pad for wafer and package for CMOS imager
US20080122038A1 (en) * 2006-09-15 2008-05-29 Toshiba America Electronic Components, Inc. Guard ring structure with metallic materials
US7692274B2 (en) * 2007-01-04 2010-04-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Reinforced semiconductor structures
US7646078B2 (en) * 2007-01-17 2010-01-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Die saw crack stopper
JP5027529B2 (ja) * 2007-03-01 2012-09-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置、ならびに外観検査方法
KR100995558B1 (ko) 2007-03-22 2010-11-22 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
WO2008126268A1 (ja) 2007-03-30 2008-10-23 Fujitsu Microelectronics Limited 半導体装置
US7952167B2 (en) * 2007-04-27 2011-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Scribe line layout design
US8125052B2 (en) * 2007-05-14 2012-02-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Seal ring structure with improved cracking protection
US7960814B2 (en) 2007-08-08 2011-06-14 Freescale Semiconductor, Inc. Stress relief of a semiconductor device
US7659616B2 (en) * 2007-10-10 2010-02-09 International Business Machines Corporation On-chip cooling systems for integrated circuits
US8643147B2 (en) * 2007-11-01 2014-02-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Seal ring structure with improved cracking protection and reduced problems
DE102007053249A1 (de) * 2007-11-08 2009-05-20 Continental Automotive Gmbh Halbleiterkörper sowie ein Verfahren zum Abdichten eines Halbleiterkörpers mittels einer Längsstruktur
JP5583320B2 (ja) * 2007-12-05 2014-09-03 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル 半導体ウエハ及びその製造方法
US8137791B2 (en) * 2007-12-12 2012-03-20 International Business Machines Corporation Fuse and pad stress relief
US7812424B2 (en) * 2007-12-21 2010-10-12 Infineon Technologies Ag Moisture barrier capacitors in semiconductor components
US8159254B2 (en) * 2008-02-13 2012-04-17 Infineon Technolgies Ag Crack sensors for semiconductor devices
US7871902B2 (en) * 2008-02-13 2011-01-18 Infineon Technologies Ag Crack stop trenches
US7491578B1 (en) 2008-04-02 2009-02-17 International Business Machines Corporation Method of forming crack trapping and arrest in thin film structures
KR101234382B1 (ko) * 2008-05-23 2013-02-18 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치 및 그 제조 방법
US8334582B2 (en) * 2008-06-26 2012-12-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Protective seal ring for preventing die-saw induced stress
US7790577B2 (en) * 2008-07-17 2010-09-07 International Business Machines Corporation Crackstop structures and methods of making same
US7821104B2 (en) * 2008-08-29 2010-10-26 Freescale Semiconductor, Inc. Package device having crack arrest feature and method of forming
US7948064B2 (en) 2008-09-30 2011-05-24 Infineon Technologies Ag System on a chip with on-chip RF shield
US8169059B2 (en) * 2008-09-30 2012-05-01 Infineon Technologies Ag On-chip RF shields with through substrate conductors
US8063469B2 (en) * 2008-09-30 2011-11-22 Infineon Technologies Ag On-chip radio frequency shield with interconnect metallization
US8178953B2 (en) * 2008-09-30 2012-05-15 Infineon Technologies Ag On-chip RF shields with front side redistribution lines
US8889548B2 (en) 2008-09-30 2014-11-18 Infineon Technologies Ag On-chip RF shields with backside redistribution lines
US7906836B2 (en) * 2008-11-14 2011-03-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Heat spreader structures in scribe lines
US8188574B2 (en) * 2009-02-12 2012-05-29 International Business Machines Corporation Pedestal guard ring having continuous M1 metal barrier connected to crack stop
US8368180B2 (en) 2009-02-18 2013-02-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Scribe line metal structure
DE102009009442A1 (de) * 2009-02-18 2010-09-09 Polylc Gmbh & Co. Kg Organische Elektronikschaltung
JP4987897B2 (ja) * 2009-03-23 2012-07-25 株式会社東芝 半導体装置
US20110006389A1 (en) * 2009-07-08 2011-01-13 Lsi Corporation Suppressing fractures in diced integrated circuits
JP5442394B2 (ja) 2009-10-29 2014-03-12 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
JP2011134824A (ja) * 2009-12-24 2011-07-07 Elpida Memory Inc 半導体ウエハ、半導体ウエハの製造方法、および半導体装置
JP5401301B2 (ja) * 2009-12-28 2014-01-29 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置
US8987830B2 (en) * 2010-01-12 2015-03-24 Marvell World Trade Ltd. Attaching passive components to a semiconductor package
US8859390B2 (en) 2010-02-05 2014-10-14 International Business Machines Corporation Structure and method for making crack stop for 3D integrated circuits
US9093411B2 (en) * 2010-10-19 2015-07-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pad structure having contact bars extending into substrate and wafer having the pad structure
TW201222759A (en) * 2010-11-25 2012-06-01 Ind Tech Res Inst Semiconductor structure and process thereof
JP2012204444A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Sony Corp 半導体装置及びその製造方法
TWI467695B (zh) * 2011-03-24 2015-01-01 Sony Corp 半導體裝置及其製造方法
US8810001B2 (en) * 2011-06-13 2014-08-19 Mediatek Inc. Seal ring structure with capacitor
JP5879774B2 (ja) * 2011-06-30 2016-03-08 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置とその製造方法
US8710630B2 (en) * 2011-07-11 2014-04-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Mechanisms for marking the orientation of a sawed die
US9093129B2 (en) * 2011-09-01 2015-07-28 Chengdu Haicun Ip Technology Llc Discrete three-dimensional memory comprising dice with different BEOL structures
JP5874249B2 (ja) * 2011-09-02 2016-03-02 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置及びその製造方法
US8604618B2 (en) 2011-09-22 2013-12-10 International Business Machines Corporation Structure and method for reducing vertical crack propagation
US8860185B2 (en) * 2012-01-25 2014-10-14 Globalfoundries Singapore Pte Ltd Crack-arresting structure for through-silicon vias
JP5968711B2 (ja) * 2012-07-25 2016-08-10 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US8742594B2 (en) 2012-09-14 2014-06-03 International Business Machines Corporation Structure and method of making an offset-trench crackstop that forms an air gap adjacent to a passivated metal crackstop
JP5541345B2 (ja) * 2012-11-09 2014-07-09 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置およびその製造方法
US8937009B2 (en) 2013-04-25 2015-01-20 International Business Machines Corporation Far back end of the line metallization method and structures
CN104347596B (zh) * 2013-08-08 2017-02-08 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 芯片的密封环结构
JP5915636B2 (ja) * 2013-12-18 2016-05-11 ソニー株式会社 半導体装置とその製造方法
US9583410B2 (en) 2014-03-21 2017-02-28 International Business Machines Corporation Volumetric integrated circuit and volumetric integrated circuit manufacturing method
CN104979327B (zh) * 2014-04-04 2018-07-27 华邦电子股份有限公司 半导体元件
KR101697961B1 (ko) * 2015-03-10 2017-01-20 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자, 및 이의 제조방법
US20150371956A1 (en) * 2014-06-19 2015-12-24 Globalfoundries Inc. Crackstops for bulk semiconductor wafers
CN105374762B (zh) * 2014-08-28 2018-09-18 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 待切割的半导体芯片结构及其制造方法
KR102341726B1 (ko) * 2015-02-06 2021-12-23 삼성전자주식회사 반도체 소자
DE102015203393A1 (de) 2015-02-25 2016-08-25 Infineon Technologies Ag Halbleiterelement und Verfahren zu Herstellen von diesem
US20160268166A1 (en) * 2015-03-12 2016-09-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device and method of manufacturing the same
US9589912B1 (en) * 2015-08-27 2017-03-07 Globalfoundries Inc. Integrated circuit structure with crack stop and method of forming same
CN107316817B (zh) * 2016-04-26 2020-08-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 封装件及其制造方法
KR102541563B1 (ko) * 2016-04-27 2023-06-08 삼성전자주식회사 반도체 장치, 반도체 칩 및 반도체 장치의 제조 방법
US9831194B1 (en) 2016-07-06 2017-11-28 Globalfoundries Inc. Edge compression layers
US10109599B2 (en) * 2016-12-21 2018-10-23 Globalfoundries Inc. Integrated circuit structure with continuous metal crack stop
US20180182665A1 (en) 2016-12-28 2018-06-28 Invensas Bonding Technologies, Inc. Processed Substrate
US10879212B2 (en) 2017-05-11 2020-12-29 Invensas Bonding Technologies, Inc. Processed stacked dies
CN107104120B (zh) * 2017-05-24 2019-03-15 成都线易科技有限责任公司 磁感应器件及制造方法
US10396042B2 (en) * 2017-11-07 2019-08-27 International Business Machines Corporation Dielectric crack stop for advanced interconnects
US10490513B2 (en) 2018-03-28 2019-11-26 International Business Machines Corporation Advanced crack stop structure
US10475753B2 (en) 2018-03-28 2019-11-12 International Business Machines Corporation Advanced crack stop structure
US20200075533A1 (en) * 2018-08-29 2020-03-05 Invensas Bonding Technologies, Inc. Bond enhancement in microelectronics by trapping contaminants and arresting cracks during direct-bonding processes
US20200075508A1 (en) * 2018-08-29 2020-03-05 Toshiba Memory Corporation Semiconductor device
JP7240149B2 (ja) * 2018-08-29 2023-03-15 キオクシア株式会社 半導体装置
CN110767664B (zh) * 2019-10-31 2022-08-26 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
CN113130413B (zh) * 2019-12-30 2024-09-06 联华电子股份有限公司 半导体元件封装结构及其制造方法
JP7443097B2 (ja) * 2020-03-09 2024-03-05 キオクシア株式会社 半導体ウェハおよび半導体チップ
US11658121B2 (en) * 2020-05-27 2023-05-23 Micron Technology, Inc. Semiconductor device and method of forming the same
US11127700B1 (en) * 2020-05-28 2021-09-21 United Microelectronics Corp. Integrated circuit device
US20210384093A1 (en) * 2020-05-28 2021-12-09 United Microelectronics Corp. Integrated circuit device
CN111834434B (zh) * 2020-07-29 2022-07-05 深圳富创通科技有限公司 一种oled显示装置及其制备方法
US11887945B2 (en) * 2020-09-30 2024-01-30 Wolfspeed, Inc. Semiconductor device with isolation and/or protection structures
US11308257B1 (en) 2020-12-15 2022-04-19 International Business Machines Corporation Stacked via rivets in chip hotspots
US20230187294A1 (en) * 2021-12-13 2023-06-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor wafer seal ring
US20230378012A1 (en) * 2022-05-17 2023-11-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Integrated Circuit Packages and Methods of Forming the Same

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56103447A (en) * 1980-01-22 1981-08-18 Toshiba Corp Dicing method of semiconductor wafer
US5414297A (en) * 1989-04-13 1995-05-09 Seiko Epson Corporation Semiconductor device chip with interlayer insulating film covering the scribe lines
JPH0750700B2 (ja) * 1989-06-27 1995-05-31 三菱電機株式会社 半導体チップの製造方法
US5149571A (en) 1990-10-11 1992-09-22 Croell Richard C License plate
US5913543A (en) 1992-07-17 1999-06-22 Optical Security Group, Inc. Tamper evident and counterfeit resisting informational article and associated method
US5704652A (en) 1992-07-17 1998-01-06 Optical Security Group, Inc. Tamper evident and counterfeit resisting informational article and associated method
JP2776457B2 (ja) * 1992-12-29 1998-07-16 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 半導体デバイスのクラックストップ形成方法及び半導体デバイス
JP2940432B2 (ja) * 1995-04-27 1999-08-25 ヤマハ株式会社 半導体装置とその製造方法
TW293152B (en) * 1995-07-28 1996-12-11 Hitachi Ltd Semiconductor integrated circuit device and fabricating method thereof
US5776826A (en) * 1996-05-06 1998-07-07 International Business Machines Corporation Crack stop formation for high-productivity processes
US5994762A (en) * 1996-07-26 1999-11-30 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device including boron-doped phospho silicate glass layer and manufacturing method thereof
US5851903A (en) * 1996-08-20 1998-12-22 International Business Machine Corporation Method of forming closely pitched polysilicon fuses
US5834829A (en) * 1996-09-05 1998-11-10 International Business Machines Corporation Energy relieving crack stop
US6028347A (en) * 1996-12-10 2000-02-22 Digital Equipment Corporation Semiconductor structures and packaging methods
KR100205321B1 (ko) * 1996-12-30 1999-07-01 구본준 크랙방지 패턴을 갖는 반도체소자의 제조방법
US5789302A (en) * 1997-03-24 1998-08-04 Siemens Aktiengesellschaft Crack stops
US6022791A (en) * 1997-10-15 2000-02-08 International Business Machines Corporation Chip crack stop
US6365958B1 (en) * 1998-02-06 2002-04-02 Texas Instruments Incorporated Sacrificial structures for arresting insulator cracks in semiconductor devices
EP0977276A1 (en) * 1998-07-08 2000-02-02 Hewlett-Packard Company Semiconductor device cleave initiation
US6303977B1 (en) * 1998-12-03 2001-10-16 Texas Instruments Incorporated Fully hermetic semiconductor chip, including sealed edge sides
US6518881B2 (en) 1999-02-25 2003-02-11 David A. Monroe Digital communication system for law enforcement use
US6509622B1 (en) * 2000-08-23 2003-01-21 Intel Corporation Integrated circuit guard ring structures
US6383893B1 (en) * 2000-12-28 2002-05-07 International Business Machines Corporation Method of forming a crack stop structure and diffusion barrier in integrated circuits
US6620727B2 (en) * 2001-08-23 2003-09-16 Texas Instruments Incorporated Aluminum hardmask for dielectric etch
US6838299B2 (en) * 2001-11-28 2005-01-04 Intel Corporation Forming defect prevention trenches in dicing streets
JP4088120B2 (ja) * 2002-08-12 2008-05-21 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
WO2004097916A1 (ja) * 2003-04-30 2004-11-11 Fujitsu Limited 半導体装置の製造方法、半導体ウエハおよび半導体装置
US20050026397A1 (en) * 2003-07-28 2005-02-03 International Business Machines Corporation Crack stop for low k dielectrics

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