JP4568033B2 - 半導体増幅回路 - Google Patents
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Description
12…保護抵抗
13…FET
14…バイアス電圧制御回路
141…電圧設定回路
142…レベルシフト回路
15…定電圧電源
16…電圧検出回路
17…差動増幅器
18…トランジスタ
19…差動増幅器
20…負電源
Y…ドレイン・ゲート間整流電流が流れる方向
IN…入力端子
OUT…出力端子
Claims (2)
- 第1、第2および第3電極を有し、前記第1電極に入力信号が供給され、前記第2電極から出力信号が取り出される半導体増幅素子と、この半導体増幅素子の前記第1電極にバイアス電圧を供給する第1電源と、前記半導体増幅素子の第2電極にバイアス電圧を供給する第2電源と、前記半導体増幅素子の第1電極および前記第1電源間に接続された保護抵抗と、この保護抵抗に、前記半導体増幅素子の第1および第2電極間整流電流が流れることにより、その両端間に生ずる電圧を検出する電圧検出回路と、この電圧検出回路の出力電圧が制御信号として供給されてその出力バイアス電圧が制御されるように、前記半導体増幅素子の第2電極および前記第2電源間に接続された、前記増幅素子のバイアス電圧制御回路と、を具備し、前記電圧検出回路は差動増幅器で構成され、この差動増幅器のマイナス入力端子が前記保護抵抗の増幅素子側の端部に接続され、前記差動増幅器のプラス入力端子が前記保護抵抗の前記第1電源側の端部に接続されていることを特徴とする半導体増幅回路。
- 前記バイアス電圧制御回路は、前記半導体増幅素子の第2電極および前記第2電源
それぞれに接続されたエミッタ電極およびコレクタ電極と、前記電圧検出回路を構成する差動増幅器の出力端が接続されるゲート電極を有するトランジスタ素子であることを特徴とする請求項1記載の半導体増幅回路。
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