JP4564558B2 - 差動演算増幅回路とそれを用いたパイプライン型a/d変換装置 - Google Patents

差動演算増幅回路とそれを用いたパイプライン型a/d変換装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4564558B2
JP4564558B2 JP2008241120A JP2008241120A JP4564558B2 JP 4564558 B2 JP4564558 B2 JP 4564558B2 JP 2008241120 A JP2008241120 A JP 2008241120A JP 2008241120 A JP2008241120 A JP 2008241120A JP 4564558 B2 JP4564558 B2 JP 4564558B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
operational amplifier
circuit
converter
differential operational
transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008241120A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010074636A (ja
Inventor
祥二 川人
一隆 本多
泰秀 清水
邦之 谷
輝 蔵内
公治 須志原
耕一郎 益子
Original Assignee
株式会社半導体理工学研究センター
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社半導体理工学研究センター filed Critical 株式会社半導体理工学研究センター
Priority to JP2008241120A priority Critical patent/JP4564558B2/ja
Priority to US12/562,664 priority patent/US7898449B2/en
Publication of JP2010074636A publication Critical patent/JP2010074636A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4564558B2 publication Critical patent/JP4564558B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45237Complementary long tailed pairs having parallel inputs and being supplied in series
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45094Indexing scheme relating to differential amplifiers the dif amp being realized by coupling the emitters respectively sources of two common collector respectively drain transistors of a first type to the emitters respectively sources of two common base respectively gate transistors of a second complementary type
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45356Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC comprising one or more op-amps, e.g. IC-blocks
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45481Indexing scheme relating to differential amplifiers the CSC comprising only a direct connection to the supply voltage, no other components being present
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45551Indexing scheme relating to differential amplifiers the IC comprising one or more switched capacitors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Analogue/Digital Conversion (AREA)

Description

本発明は、例えばパイプライン型A/D変換装置において用いられセットリング誤差補正を行う差動演算増幅回路と、それを用いたパイプライン型A/D変換装置に関する。
通信システムや映像技術の高度化に伴い、アナログ・デジタル混載システムLSIの担う役割が大きくなっている今日において、アナログ回路の消費電力に対する削減は大きな関心事である。半導体微細加工技術の進歩は、デジタル回路の高性能化・高集積化をもたらすとともに、低電源電圧化による効率的な電力削減を行ってきた。その一方でアナログ回路であるA/D変換器にとっては、トランジスタの基本的性能が上がっているものの、プロセス上の素子バラつきや低電圧化による信号対雑音比(SNR)の劣化等への対策が必要であり、確実な性能を得るためのアナログ回路設計を困難なものにしている。
8ビット以上の高分解能で変換周波数が数10MHz〜数100MHzの高速A/D変換器が必要とされる代表的なアプリケーションは、デジタルカメラ・ビデオカメラ等のコンシューマ向け画像・映像機器、超音波・X線・CT等の医療用イメージングシステム、そしてワイヤレスLAN、携帯電話等の無線通信機器のフロントエンドが挙げられる。そのような高速・高分解能が求められるアプリケーションにおいて、広く用いられているのがパイプライン型A/D変換器である。パイプライン型A/D変換器は、サンプルホールド回路と、1段当りMビット(基本は1ビット)のA/D変換を行う基本演算回路(乗算型A/D変換器(MDAC:Multiplying Digital-to-Analog Converter))を多段従属接続して、パイプライン的な動作を行うことで必要な分解能を得る方式である(例えば、非特許文献特許文献1−2参照。)。
特許第3597812号公報。 米国特許第6756928号の明細書。 米国特許第5748040号の明細書。 特開2005−210635号公報。 特開2007−274631号公報。 Carl R. Grace et al., A 12b 80MS/s Pipeline ADC with Bootstrapped Digital Calibration", 2004 IEEE International Slid-State Circuits Conference (ISSCC) Digest of Technical Papers, No. 25.5, pp.460-461, February 2004. Boris Murmann et al., "A 12-bit 75-MS/s Pipelined ADC Using Open-Loop Residue Amplification", IEEE Journal of Slid-state Circuits, Vol.38, No.12, pp.2050, 2040-December 2003. Echere Iroaga et al., A 12b, 75 MS/s Pipelined ADC Using Incomplete Settling", 2006 Symposium on VLSI Circuits Digest of Technical Papers, pp.274-275, June 2006. Echere Iroaga et al., "A 12-Bit 75-MS/s Pipelined ADC Using Incomplete Settling", IEEE Journal of Soild-state Circuits, Vol.42, No.4, April 2007. Oaf Stroeble et al., "An 80 MHz 10b Pipeline ADC with Dynamic Range Doubling and Dynamic Reference Selection", 2004 IEEE International Slid-State Circuits Conference (ISSCC) Digest of Technical Papers, No. 25.6, pp.462-463, February 2004.
微細化により性能向上したデジタル技術を積極的に用いることで、アナログ回路の要求精度を緩和するデジタル補正は、パイプラインA/D変換器の誤差要因であるキャパシタミスマッチ、増幅器の有限利得誤差等に一般的に用いられている。同じく誤差要因であるセットリング誤差は、通常、誤差を小さくしようとすると、増幅器のバイアス電流が増加し、電力が増大してしまう。もしセットリング誤差そのものをデジタル補正できるのであれば、セットリング誤差を少なくするための増幅器のバイアス電流を増やす必要がなくなり大幅に電力が削減できるが、定電流領域のあるA級増幅器を用いた場合のセットリング誤差は非線型であるため、複雑な補正回路が必要になるという問題点があった。
以下、従来技術に係る各セットリング誤差補正方法とその問題点について詳述する。
まず、非特許文献1においてセットリング誤差非線形補正方法が開示されており、この方法では、クローズドループ・アーキテクチャによるビットパイプライン型A/D変換器は、有限利得誤差及びスルーイング領域の非線形をデジタル補正する回路を有し、入力信号振幅が大きい場合に、スルーイングの影響によりセットリングが不完全になることで生ずる非線形を、偶数次の関数でフィッテングして補正している。この方法では、不完全なセットリングを2次の非線形関数として補正するため、デジタルで乗算器等が必要で複雑な補正回路となり14ビット以上の高分解能には適していないという問題点があった。
次いで、非特許文献2−4において、オープンループ・アーキテクチャを用いたセットリング誤差線形補正方法が開示されており、この方法では、オープンループ・アーキテクチャを用いた12ビットパイプライン型A/D変換器は、非線形、デバイスのミスマッチ、そして不完全なセットリングをデジタルで補正することで低消費電力を実現している。オープンループ・アーキテクチャのセットリング応答は、回路の時定数が増幅器の動作範囲内では、RLを増幅器の出力抵抗、CLを負荷容量とすると、τ=RLCLとなるため、セットリング応答は、一次のステップ応答で線形な誤差となる。この方法では、オープンループ・アーキテクチャ自体による奇数次(3次と5次)の非線形が残るため、複雑な補正回路が必要となり14ビット以上の高分解能には適していないという問題点があった。
さらに、非特許文献5においては、ダイナミックレンジダブリングによる誤差補正方法が開示されており、この方法では、従来型1.5bit/stageパイプライン段の一段目に、もう2つのコンパレータを付加することで入力振幅をA/D変換器内部の振幅に対し2倍取れるようにして、信号対雑音比(SNR)を向上させ、かつ消費電力を削減している。この方法では、付加するコンパレータの消費電力の増加と、付加するサンプリング容量による面積増、デジタル領域でのダイナミックレンジの引き戻しが必要になるという問題点があった。
本発明の目的は以上の問題点を解決し、例えば14ビット以上の高分解能のA/D変換装置において用いることができ、しかも従来技術に比較して簡単な構成でありかつ高精度でセットリング誤差補正することができる差動演算増幅回路とそれを用いたパイプライン型A/D変換装置を提供することにある。
第1の発明に係る差動演算増幅回路は、
カスコード接続された第1乃至第4のトランジスタからそれぞれなる2組のカスコード回路に2個の補助差動増幅器が接続されたテレスコピック差動演算増幅回路において、
上記各カスコード回路において、上記第1のトランジスタのゲートと、上記第2のトランジスタのゲートとをそれぞれ第1及び第2カップリングキャパシタを介して接続された当該差動演算増幅回路の入力端子と、
上記各カスコード回路において、カスコード接続された第3のトランジスタと第4のトランジスタの接続点に接続された当該差動演算増幅回路の出力端子と、
上記各カスコード回路において、第1のトランジスタのゲートと上記第1のカップリングキャパシタとの接続点に接続された第1のスイッチと、
上記各カスコード回路において、第4のトランジスタのゲートと上記第2のカップリングキャパシタとの接続点に接続された第2のスイッチとを備え、サンプリングフェーズとホールドフェーズで動作するパイプライン型A/D変換装置のための差動演算増幅回路であって、
サンプリングフェーズにおいて、第1のスイッチ及び第2のスイッチがオンされて、第1のトランジスタ及び第4のトランジスタの各ゲートには所定のバイアス電圧が印加され、当該差動演算増幅回路の入力端子はコモンモード電圧に設定され、
ホールドフェーズにおいて、第1のスイッチ及び第2のスイッチがオフされて、第1のトランジスタ及び第4のトランジスタの各ゲート電圧は入力端子を介して入力された入力信号に追随して変化し、上記カップリングキャパシタは入力信号のレベルシフタとして動作して、これにより当該差動演算増幅回路はプッシュプル動作することにより、トランスコンダクタンス駆動領域のみで動作し、スルーイング領域で動作することを防止することを特徴とする。
第2の発明に係るパイプライン型A/D変換装置は、
入力信号をサンプルホールドするサンプルホールド回路と、
上記サンプルホールドされた信号を順次A/D変換する複数段のA/D変換回路部とを備えたパイプライン型A/D変換装置において、
上記各A/D変換回路部は、
当該A/D変換回路部に入力される信号をサンプルホールドする別のサンプルホールド回路と、
当該A/D変換回路部に入力される信号をデジタル出力コードにA/D変換するサブAD変換器と、
上記デジタル出力コードをA/D変換するD/A変換器と、
上記別のサンプルホールド回路によりサンプルホールドされた信号と、上記A/D変換された信号との残差を求めて増幅する残差増幅手段とを備え、
上記残差増幅手段は、請求項1記載の差動演算増幅回路により構成され、
上記サブA/D変換器は、入力電圧を所定の参照電圧範囲より狭い第1の参照電圧範囲で制限しかつ出力電圧を上記参照電圧範囲よりも狭い第2の参照電圧範囲で制限する1.5bit/stageの伝達特性で、入力電圧をA/D変換することを特徴とする。
上記パイプライン型A/D変換装置において、上記サブA/D変換器から出力されるデジタル出力コードをフルスケール変換するフルスケール変換器をさらに備え、
上記フルスケール変換器は、上記デジタル出力コードと、当該デジタル出力コードを2ビットシフトしたコードとを単純加算することによりフルスケール変換することを特徴とする。
また、上記パイプライン型A/D変換装置において、上記各A/D変換回路部のホールドフェーズの初期において、上記残差増幅手段の差動演算増幅回路の出力端子を短絡するようにリセットするリセット回路をさらに備えたことを特徴とする。
本発明に係るパイプライン型A/D変換装置のための差動演算増幅回路によれば、セットリング誤差を線形に補正することにより、デジタル領域での補正回路を容易にするだけでなく、要求されるセットリング誤差の精度を大幅に緩和できる。本発明者らのシミュレーション結果によると、セットリング時間が半分に短縮できるので、消費電力が従来に比べ約半分まで削減できる。その理由は、セットリング誤差は、通常、誤差を小さくしようとすると、差動演算増幅器のバイアス電流が増加し、電力が増大してしまう。セットリング誤差そのものをデジタル補正できるのであれば、セットリング誤差を少なくするための増幅器のバイアス電流を増やす必要がなくなるため、アナログ回路の要求精度を緩和するためである。
本発明に係る非スルーイング差動演算増幅器は、スタティックな電力は少ないが、増幅器が容量を充放電する場合に大きな駆動能力を持つ。従来型増幅器のgm駆動領域でほぼ2倍以上の出力駆動電流が得られ、スルーイング領域ではそれ以上の出力駆動電流を得られ、しかも、スタティックな電力は単位バイアス電流ラインが2本であるため折り返しカスコード増幅器の半分ですむため、電力効率が非常に高い。その理由は、定電流駆動ではなく、プッシュプル動作(AB級動作)であるためである。
以下、本発明に係る実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の各実施形態において、同様の構成要素については同一の符号を付している。
一般的にナイキストA/D変換器であるパイプラインA/D変換器では、変換速度が速いためオーバーサンプリングは使えず、実効分解能12ビット以上の高分解能A/D変換器には、誤差補正回路や大きなサンプリング容量等が必要であり、従来の手法では消費電力がより一層増大し、変換速度にもよるが製品レベルの消費電力は数Wに達するものもある。本発明の実施形態においては、高分解能パイプラインA/D変換器を低消費電力で実現するため、定電駆動領域のない非スルーイング高電力効率増幅器によるクローズドループ・アーキテクチャと、出力振幅を制限した例えば好ましくは1.5bit/stage伝達特性を用いて、線形化したセットリング誤差のデジタル補正手法を提案する。
図1は本発明の一実施形態に係るパイプライン型A/D変換装置の構成を示すブロック図である。図1において、本実施形態に係るパイプライン型A/D変換装置は、サンプルホールド回路1と、複数k段のA/D変換回路部10−1〜10−k(総称して符号10を付す。)と、各A/D変換回路部10の出力端子に接続されたフルスケール変換器20−1〜20−k(総称して符号20を付す。)とを備えて構成される。図1において、アナログ入力信号をサンプルホールド回路1で受けてサンプルホールドし、それ以降は各各A/D変換回路部10のパイプライン段により、入力電圧2倍にしかつ入力電圧に対して参照電圧を減加算する。各A/D変換回路部10は、コンパレータを用いて前段の出力電圧をA/D変換する低分解能のサブA/D変換器13と、前段の出力電圧をサンプリングするサンプルホールド回路11と、サブA/D変換器13からのデジタル出力コードYをD/A変換するD/A変換器14と、サンプルホールド回路11からの出力信号からD/A変換器14からの出力信号を減算して残差を演算する減算器12と、上記残差を増幅する残余利得増幅器15とを備えて構成される。なお、サブA/D変換器13からのデジタル出力コードYはフルスケール変換器20に出力されて、後述するようにフルスケール変換される。
図2は図1の演算回路部2内の各A/D変換回路部10−1〜10−kにおける従来技術に係る入出力伝達特性を示す図である。各A/D変換回路部10を冗長2進を用いた1.5bit/stageで構成した場合、図2に示すような入出力伝達特性によってA/D変換を行っている。この基本演算回路は乗算型D/A変換器(MDAC(Multiplying DAC)と呼び、その各段のA/D変換回路部10での基本演算は次式で表される。
[数1]
Vout
=2Vin−(d+2+…+2k−1k−1)Vref
ここで、d={−1,0,1;i=0,1,…,k−1}である。VrefはA/D変換器のフルスケールを決める参照電圧である。
図3は図1のサンプルホールド回路1からA/D変換回路部10−2までのスイッチトキャパシタ回路の回路図(差動回路のうち非反転信号処理回路側のみを示し、反転信号処理回路側は同様に構成され図示を省略する。)であり、図4は図3の回路の動作を示すタイミングチャートである。図13において、サンプルホールド回路1はスイッチSW11〜SW13と差動演算増幅器3とを備えて構成され、各A/D変換回路部10は、スイッチSW1〜SW4と、2個のカップリングキャパシタCcと、サブA/D変換器13と、D/A変換器14と、差動演算増幅器15とを備えて構成される。各段のA/D変換回路部10は、図4に示すように、サンプルフェーズの処理と、増幅(ホールド)フェーズの処理とを順次繰り返して実行し、奇数段のA/D変換回路部10と、偶数段のA/D変換回路部10とは正反対のタイミング(タイミングチャート信号φ1,φ2)で動作する。入力端子から最終段まで半クロック毎に、従来技術では図2に示す入出力伝達特性に従いながら演算結果を後段に渡すことでパイプライン的にA/D変換を行う。全体の分解能は1ステージ当りの分解能とパイプラインの段数で決まる。
図5は図3のA/D変換回路部10−1〜10−kの差動演算増幅器15を従来技術に係るA級差動演算増幅器で構成したときの当該A級差動演算増幅器の入出力駆動特性を示す図である。図5から明らかなように、過渡状態においてA級差動演算増幅器の入力の差電圧が大きいときには、増幅器出力が定電流源として動作し(スルーイング領域)、差電圧が小さいときには、トランスコンダクタンス増幅器(gm駆動領域)として動作することになる。
図6は図5のA級差動演算増幅器の過渡応答特性を示す図である。A級差動演算増幅器が上述のように動作するため、図6に示すように、大きな入力信号に対する過渡応答は、時刻tSRで増幅器のドライブ特性が定電駆動からgm駆動へと変化する。
図7は本発明者らによるシミュレーション結果であって、従来技術に係るA級差動演算増幅器のセットリング誤差特性を示す図である。図7の横軸は入力電圧Vinであり、縦軸は各入力電圧におけるセットリング誤差estを表している。誤差特性は、定電流駆動(スルーイング)とgm駆動の複合領域からなる誤差特性のため非線形であり、しかも入力電圧|Vin|>3Vref/4の範囲では大きな誤差を生じている。このようなA級差動演算増幅器の電流駆動特性の違いによる非線形セットリング誤差特性を補正するには、複雑な補正回路構成が必要となってしまう。非線形なセットリング誤差の主な原因は、A級差動演算増幅器のスルーイングである。
図8は図3のA/D変換回路部10−1〜10−kの差動演算増幅器15の具体例である、本発明の実施形態に係る容量結合利得増強カスコード型非スルーイング差動演算増幅器40の構成を示す回路図である。また、図19は従来技術に係るテレスコピックカスコード差動演算増幅器40A(例えば、非特許文献3−5参照。)の構成を示すブロック図である。なお、図8及び図19において、対称な回路の同様の素子については同一の符号を付している。
図19の従来技術に係るテレスコピックカスコード差動演算増幅器40Aでは、電源電圧VDDと接地との間に、カスコード接続されたPチャンネルMOSトランジスタMP1,MP2、NチャンネルMOSトランジスタMN1,MN2及びバイアス印加用NチャンネルMOSトランジスタMQ1からそれぞれなる2組のカスコード回路に2個の補助差動増幅器31,32が接続されて利得増強がなされ、1対のNチャンネルMOSトランジスタMN1,MN1のゲートに入力端子51,52が接続される一方、PチャンネルMOSトランジスタMP2とNチャンネルMOSトランジスタMN2の各接続点にそれぞれ出力端子53,54が接続されて構成される。なお、1対のMOSトランジスタMP1,MP1の各ゲートにはコモンモードバイアス電圧CM_Pが印加され、NチャンネルMOSトランジスタMQ1のゲートにはバイアス電圧VBN1が印加されている。
これに対して、実施形態に係る図8の容量結合利得増強カスコード型非スルーイング差動演算増幅器40では、図19の従来技術に比較して、以下の点が異なる。
(1)カスコード接続された各MOSトランジスタMN1,MP1のゲートは、それぞれカップリングキャパシタCn、Cpを介して当該増幅器の入力端子51,52と容量的に結合される。
(2)1対のPチャンネルMOSトランジスタMP1,MP1のゲートには、スイッチSW31を介してバイアス電圧VBP1が印加され、1対のNチャンネルMOSトランジスタMN1,MN1のゲートには、スイッチSW32を介してバイアス電圧VBN1が印加される。これにより、1対のPチャンネルMOSトランジスタMP1,MP1と並列に接続された1対のPチャンネルMOSトランジスタMP3,MP3のゲートは互いに接続されてコモンモード電圧CM_Pがセットされ、1対のNチャンネルMOSトランジスタMN1,MN1と並列に接続された1対のNチャンネルMOSトランジスタMN3,MN3のゲートは互いに接続されてコモンモード電圧CM_Nがセットされる。
以上のように構成された差動演算増幅器40において、サンプリングフェーズではHレベルのタイミング信号φabに応答して4個のスイッチSW31,SW31,SW32,SW32がオンし、MOSトランジスタMN1及びMP1のゲートは、所定の適切な参照電圧にバイアスされ、同時に当該差動演算増幅器40の入力端子51,52は、コモンモード電圧にセットされている。ホールドフェーズではLレベルのタイミング信号φabに応答して4個のスイッチSW31,SW31,SW32,SW32はオフし、MOSトランジスタMN1及びMP1は参照電圧から切り離され入力信号に追従するようになる。ここで、カップリングキャパシタCn、Cpは入力信号のレベルシフタとして働き、当該差動演算増幅器40はプッシュプル動作をするため、gm駆動領域のみで動作し、スルーイング領域は存在しない。
図9は本発明者らによるシミュレーション結果であって、従来技術に係るA級差動演算増幅器及び本実施形態に係る図8の容量結合利得増強カスコード型非スルーイング差動演算増幅器40の入力電圧Vinに対する出力電流Ioutを示す図である。図9から明らかなように、従来技術に係るA級差動演算増幅器の最大出力駆動電流が単位バイアス電流で制限されるのに対し、本実施形態に係る非スルーイング差動演算増幅器40はテール電流源を持たないため大きなgm駆動電流を得られる。非スルーイング差動演算増幅器40の出力駆動電流は、従来技術に係るA級差動演算増幅器のgm駆動領域でほぼ2倍の出力駆動電流が得られ、スルーイング領域ではそれ以上の出力駆動電流を得られ、しかも、スタティックな電力は単位バイアス電流ラインが2本であるため折り返しカスコード増幅器の半分ですむため、電力効率が非常に高い。本実施形態に係る容量結合カスコード型非スルーイング増幅器は、スルーイングがないためセットリング誤差を線形化するが、図9から明らかなように、従来技術の1.5bit/stageの伝達特性では|Vin|>3Vref/4であるような大きな入力信号に対してはgmが減少することにより非線形が生ずる。
図10は図3のA/D変換回路部10−1における、出力振幅制限をしない従来技術と、出力振幅制限をした実施形態の1.5bit/stageの伝達特性を示す図である。アナログ信号は外部からの入力フル振幅が±0.8Vr(3.2Vp−p)であるのに対し、回路内部では、1段目を除いて±0.5Vrの信号振幅でA/D変換を行っている(なお、サンプルホールド増幅器無しの1段目のA/D変換回路部10−1では±0.6Vr)。この伝達特性により、大きな入力信号を用いるので高いSNRを確保でき、かつ内部の振幅が比較的小さくなるためトランジスタ性能の高いコアデバイスが使用できる。しかも、基本的には、サブA/D変換器13のコンパレータの判断基準を図10となるようにずらしただけなので付加的なサンプリング容量やコンパレータはいらず、1.5bit/stage入出力特性の3つの判断領域(D=−1,0,1の領域)で応答特性が比較的似るという特徴をもち誤差補正を容易にしている。また、このままA/D変換した場合のデジタル出力コードYはフルスケールの80%に出力振幅が制限され、アナログ入力電圧範囲(−0.8Vr≦Vin≦+0.8Vr)に対するデジタル出力コードYは次式で表される。なお、−1,0,1の1.5ビットで表現している。
[数2]
(−1 −1 0 0…)≦Y≦(1 1 0 0…)
デジタル領域でアナログフル振幅(±0.8Vr)に対し、フルスケールコード
[数3]
Z(−1 −1 −1 −1…≦Y≦1 1 1 1…)
を表すようにするにはデジタルコードYに対して1/0.8(=1.25)倍させてやればよい。より詳しくは、
[数4]
(1+2−2+2−4)Y=0.7619Y
から1/0.7619倍である。また、
[数5]
1.25=1+2−2
なので、フルスケールコードZは次式で表される。
[数6]
Z=(1/0.8)Y=(1+2−2)Y
すなわち、図18のフルスケール変換器20の構成例に示すように、デジタル出力コードYと、そのYの2ビットシフトの加算によりフルスケール変換ができる。このコード変換は、15ビットに対し数ビットの拡張コードがあればA/D変換器の動的性能には影響しない。
図11は図1の偶数段のA/D変換回路部(MDAC)10の詳細構成を示す回路図である。奇数段のA/D変換回路部10は同様に構成されるが、後述するように正反対のタイミングで動作する。また、図12(a)は図1の奇数段のA/D変換回路部(MDAC)10の動作を示すタイミングチャートであり、図12(b)は図1及び図11の偶数段のA/D変換回路部(MDAC)10の動作を示すタイミングチャートである。図11において、Csはサンプリングキャパシタであり、SW41〜SW46はスイッチであり、Q1〜Q6はスイッチングトランジスタである。また、コモンモードレギュレータ41は、当該A/D変換回路部10の出力端子から差動演算増幅器40の入力端子にカップリングキャパシタCc1を介して接続されており、詳細後述する。奇数段のA/D変換回路部10と、偶数段のA/D変換回路部10は正反対のタイミングで動作する。タイミング信号φ2_EVENのホールドフェーズでの初期の所定の期間で、タイミング信号RESEVENに応答して動作するスイッチングトランジスタQ5,Q6からなるリセット回路70により差動演算増幅器40の差動出力信号を短時間ショートさせている。若干のホールド時間が犠牲になるものの、次段サンプリング容量の履歴による初期電位の変動を0にリセットすることで、誤差補正を線形にする効果がある。
図13は本実施形態及び比較例に係る非スルーイング差動演算増幅器40の入力電圧Vinに対するセットリング誤差estを示す図である。すなわち、図13は、非スルーイング差動演算増幅器40を用いた1.5bit/stageのA/D変換回路部(MDAC)10のセットリング誤差特性であり、すべてMOSデバイスを使用したときのシミュレーション結果である。図13では、非スルーイング差動演算増幅器40に対して、
(a)出力振幅が制限された1.5bit/stageの伝達特性を用いない場合と、
(b)出力振幅が制限されかつリセットを用いない場合と、
(c)すべての線形化のための要素技術を含む場合(すなわち、出力振幅が制限されリセットを用いる場合)と
におけるセットリング誤差特性を示している。
まず、出力振幅が制限された1.5bit/stageの伝達特性を用いない場合には、フル振幅の入力付近で増幅器の線形範囲を超え、トランスコンダクタンスgmが劣化するため大きな奇数次の非線形特性が生ずる。また、リセットを用いない場合には、ホールド時間が長くなるためセットリング誤差自体は小さくなるが誤差特性にオフセットが生じ、不連続点での非線形を補正する付加的な回路が必要となる。これらに比べて、すべての要素技術を含むセットリング誤差特性は、線形性が大きく向上していることがわかる。そのため、図7のA級差動演算増幅器の非線形なセットリング誤差特性に対して、誤差の線形補正が可能となる。非スルーイング差動演算増幅器40を用いたセットリング応答は、gm駆動領域だけでの応答であり、動作領域でgm値の変化がほとんどなければ単純なRC回路におけるステップ応答のように振る舞う。セットリング許容誤差estを仮に1LSBとすると、15ビットの分解能では、
[数7]
st=1/215=0.003%
となり、セットリング時間として10.5必要になる。非スルーイング差動演算増幅器40を用いた場合の最大セットリング誤差は約0.3%として、この誤差が線形に補正できるとすると、セットリング時間は5.8τ(ここで、τは時定数である。)にまで緩和され約45%のセットリング時間が削減できる。これは、差動演算増幅器のバイアス電流を増やすことなく、効率を2倍にしたのと同等の効果があるため、結果的に約45%の電力削減効果になる。
また、図11のA/D変換回路部(MDAC)10では、容量結合カスコード型非スルーイング差動演算増幅器40のコモンモードを制御するためのコモンモードレギュレータ(CMR(Common mode regulator))を用いている。非スルーイング差動演算増幅器40は、テール電流源が存在しないため、本質的に電源変動やコモン変動に弱い。特に、増幅器入力のコモンモードに対して敏感であり、増幅器入力段はテール電流源を持たず疑似差動的に動作するため、パイプライン段の後段になるほど入力コモン成分のオフセットが蓄積して、信号振幅がダイナミックレンジいっぱいまで飽和してしまい、それ以上A/D変換ができなくなってしまう。増幅器の出力段には、コモンモード補償として単位バイアス電流Ioの20%の電流を流しているが、入力のコモンが大きく変動する場合には不十分である。
図14は図11のコモンモードレギュレータ41の詳細構成を示す回路図である。図14において、コモンモードレギュレータ41は4個のスイッチSW51〜SW54と、帰還キャパシタC2を有して積分器を構成する差動演算増幅器50と、入力キャパシタC1とを備えて構成される。すなわち、コモンモードレギュレータ41は、入力キャパシタC1によりA/D変換回路部(MDAC)10の差動出力電圧(VoutP,VoutM)と、コモンモード電圧VCOMのコモン成分の差を検出し、その差分を、差動演算増幅器50によるスイッチトキャパシタ積分器で積分し、カップリングキャパシタCc1を介して積分器の出力信号を差動演算増幅器40の入力端子に伝達する。
図15は図11のサンプリングフェーズのときの動作を示す回路図であり、図16は図11のホールドフェーズのときの動作を示す回路図である。また、図17は図15及び図16の回路における差動演算増幅器40から出力されるコモンモード差電圧ΔVcmount及び積分用差動演算増幅器50から出力されるコモンモード積分出力電圧Vcmrの時間応答波形を示す図である。
図16のホールドフェーズのときに、コモンモード差電圧ΔVcmoutは、入力カップリングキャパシタC1によってモニタされ、当該入力電圧と、コモンモード電圧VCOMとの差は積分器に蓄積される。図15のサンプリングフェーズでは、コモンモード積分出力電圧VcmrはキャパシタCc1に蓄積され、同時にキャパシタCc1はコモンモード電圧VCOMによってリセットされる。次のホールドフェーズにて、キャパシタCc1は蓄積された電荷を増幅器入力に注入することにより、増幅器出力のコモンモードを制御する。長期間の積分(約1μs)の積分により出力変動が0になるように、A/D変換回路部(MDAC)10とコモンモードレギュレータ41によるループは、離散時間のネガティブフェードバックシステムとして働く。コモンモード差電圧ΔVcmoutのコモンモード積分出力電圧Vcmrに対する伝達関数H(z)は、積分器のフィードバック容量をC2とすると次式で表される。
Figure 0004564558
コモンモードの電圧変動は直流的なのでωT≪π、C1=C2とすると、伝達関数H(jωT)は次式で表される。
Figure 0004564558
実施形態のまとめ.
本実施形態の構成の特徴は以下の通りである。
(1)図8に示すように、カスコード段のMOSトランジスタMN1及びMP1のゲートが、カップリングキャパシタCp,Cnを介して増幅器の入力端子51,52と容量的に結合した構造がシンプルである非スルーイング増幅器40が提供される。サンプリングフェーズでは、Hレベルのタイミング信号φabに応答してスイッチSW31,SW32がオンし、MOSトランジスタMN1及びMP1のゲートは、所定の適切な参照電圧にバイアスされ、同時に増幅器の入力端子51,52はコモンモード電圧にセットされている。ホールドフェーズではLレベルのタイミング信号φabに応答してスイッチSW31,SW32はオフし、MOSトランジスタMN1及びMP1は参照電圧から切り離され入力信号に追従するようになる。ここで、カップリングキャパシタCp,Cnは入力信号のレベルシフタとして働き、当該増幅器40はプッシュプル動作をするため、gm駆動領域のみで定電流駆動(スルーイング)領域は存在しない。
(2)外部からの大きな入力振幅±0.8Vr(3.2Vpp)を扱いつつ、回路内部では、小さな信号振幅±0.5VrでA/D変換を行う振幅を制限した(出力振幅が制限された)1.5bit/stageの伝達特性(図10)により、高いSNRの確保と、トランジスタ性能の高いコアデバイスが使用できる。この構成は、基本的にはサブA/D変換器13のコンパレータの判断基準をずらしただけなので付加的なサンプリング容量、コンパレータはいらず、1.5bit/stage入出力特性の3つの判断領域(D=−1,0,1の領域)で応答特性が比較的似るという特徴を有し、誤差線形補正を容易にしている。
(3)出力振幅が制限された1.5bit/stageの伝達特性により、デジタル出力コードYはフルスケールの80%に制限されるが、図19に示すように、YとYの2ビットシフトの単純な加算によりデジタルでのフルスケール変換ができる。
(4)図12に示すように、パイプライン段でホールドフェーズの初期に行うリセット動作により、差動演算増幅器40からの差動出力電圧を短時間ショートする。若干のホールド時間が犠牲になるものの、次段サンプリング容量の履歴による初期電位の変動を0にリセットすることで、誤差補正を線形にする効果がある。
(5)図14に示すように、電源変動やコモンモード電圧の変動に弱い非スルーイング差動演算増幅器40のコモンモードを制御するため、コモンモードレギュレータ(CMR)41を用いている。
従って、本実施形態によれば、以下の特有の作用効果を有する。
(I)セットリング誤差を線形に補正することにより、デジタル領域での補正回路を容易にするだけでなく、要求されるセットリング誤差の精度を大幅に緩和できる。本発明者らのシミュレーション結果によると、セットリング時間が半分に短縮できるので、消費電力が従来に比べ約半分まで削減できる。その理由は、セットリング誤差は、通常、誤差を小さくしようとすると、差動演算増幅器のバイアス電流が増加し、電力が増大してしまう。セットリング誤差そのものをデジタル補正できるのであれば、セットリング誤差を少なくするための増幅器のバイアス電流を増やす必要がなくなるため、アナログ回路の要求精度を緩和するためである。
(II)非スルーイング増幅器は、スタティックな電力は少ないが、増幅器が容量を充放電する場合に大きな駆動能力を持つ。従来型増幅器のgm駆動領域でほぼ2倍以上の出力駆動電流が得られ、スルーイング領域ではそれ以上の出力駆動電流を得られ、しかも、スタティックな電力は単位バイアス電流ラインが2本であるため折り返しカスコード増幅器の半分ですむため、電力効率が非常に高い。その理由は、定電流駆動ではなく、プッシュプル動作(AB級動作)であるためである。
変形例.
以上の実施形態においては、利得増強のために補助差動演算増幅器31,32を挿入しているが、利得増強の必要がないときは省略してもよい。
以上詳述したように、本発明に係るパイプライン型A/D変換装置のための差動演算増幅回路によれば、セットリング誤差を線形に補正することにより、デジタル領域での補正回路を容易にするだけでなく、要求されるセットリング誤差の精度を大幅に緩和できる。本発明者らのシミュレーション結果によると、セットリング時間が半分に短縮できるので、消費電力が従来に比べ約半分まで削減できる。その理由は、セットリング誤差は、通常、誤差を小さくしようとすると、差動演算増幅器のバイアス電流が増加し、電力が増大してしまう。セットリング誤差そのものをデジタル補正できるのであれば、セットリング誤差を少なくするための増幅器のバイアス電流を増やす必要がなくなるため、アナログ回路の要求精度を緩和するためである。
本発明に係る非スルーイング差動演算増幅器は、スタティックな電力は少ないが、増幅器が容量を充放電する場合に大きな駆動能力を持つ。従来型増幅器のgm駆動領域でほぼ2倍以上の出力駆動電流が得られ、スルーイング領域ではそれ以上の出力駆動電流を得られ、しかも、スタティックな電力は単位バイアス電流ラインが2本であるため折り返しカスコード増幅器の半分ですむため、電力効率が非常に高い。その理由は、定電流駆動ではなく、プッシュプル動作(AB級動作)であるためである。
本発明の一実施形態に係るパイプライン型A/D変換装置の構成を示すブロック図である。 図1の演算回路部2内の各A/D変換回路部10−1〜10−kにおける従来技術に係る入出力伝達特性を示す図である。 図1のサンプルホールド回路1からA/D変換回路部10−2までの回路図(差動回路のうち非反転信号処理回路側のみを示し、反転信号処理回路側を省略する。)である。 図3の回路の動作を示すタイミングチャートである。 図3のA/D変換回路部10−1〜10−kの差動演算増幅器15を従来技術に係るA級差動演算増幅器で構成したときの当該A級差動演算増幅器の入出力駆動特性を示す図である。 図5のA級差動演算増幅器の過渡応答特性を示す図である。 本発明者らによるシミュレーション結果であって、従来技術に係るA級差動演算増幅器のセットリング誤差特性を示す図である。 図3のA/D変換回路部10−1〜10−kの差動演算増幅器15の具体例である、本発明の実施形態に係る容量結合利得増強カスコード型非スルーイング差動演算増幅器40の構成を示す回路図である。 本発明者らによるシミュレーション結果であって、従来技術に係るA級差動演算増幅器及び本実施形態に係る図8の容量結合利得増強カスコード型非スルーイング差動演算増幅器40の入力電圧Vinに対する出力電流Ioutを示す図である。 図3のA/D変換回路部10−1における、出力振幅制限をしない従来技術と、出力振幅制限をした実施形態の1.5bit/stageの伝達特性を示す図である。 図1の偶数段のA/D変換回路部(MDAC)10の詳細構成を示す回路図である。 (a)は図1の奇数段のA/D変換回路部(MDAC)10の動作を示すタイミングチャートであり、(b)は図1及び図11の偶数段のA/D変換回路部(MDAC)10の動作を示すタイミングチャートである。 本実施形態及び比較例に係る非スルーイング差動演算増幅器の入力電圧Vinに対するセットリング誤差estを示す図である。 図11のコモンモードレギュレータ41の詳細構成を示す回路図である。 図11のサンプリングフェーズのときの動作を示す回路図である。 図11のホールドフェーズのときの動作を示す回路図である。 図15及び図16の回路における差動演算増幅器40から出力されるコモンモード差電圧ΔVcmount及び積分用差動演算増幅器50から出力されるコモンモード積分出力電圧Vcmrの時間応答波形を示す図である。 図1のフルスケール変換器20の構成の一例を示すブロック図である。 従来技術に係るテレスコピックカスコード差動演算増幅器40Aの構成を示すブロック図である。
符号の説明
1…サンプルホールド回路、
2…演算回路部、
10−1〜10−k…A/D変換回路部、
11…サンプルホールド回路、
12…減算器、
13…サブA/D変換器、
14…D/A変換器、
15…残差利得増幅器、
20−1〜10−k…フルスケール変換器、
31,32…補助差動演算増幅器、
40,50…差動演算増幅器、
51,52…入力端子、
53,54…出力端子、
61…2ビットシフト回路、
62…加算器、
70…リセット回路、
Cc,Cc1,Cp,Cn…カップリングキャパシタ、
Cs…サンプリングキャパシタ、
C1…入力キャパシタ、
C2…帰還キャパシタ、
MP1,MP2…PチャンネルMOSトランジスタ、
MN1,MN2,MN3…NチャンネルMOSトランジスタ、
SW1〜SW54…スイッチ。

Claims (4)

  1. カスコード接続された第1乃至第4のトランジスタからそれぞれなる2組のカスコード回路に2個の補助差動増幅器が接続されたテレスコピック差動演算増幅回路において、
    上記各カスコード回路において、上記第1のトランジスタのゲートと、上記第2のトランジスタのゲートとをそれぞれ第1及び第2のカップリングキャパシタを介して接続された当該差動演算増幅回路の入力端子と、
    上記各カスコード回路において、カスコード接続された第3のトランジスタと第4のトランジスタの接続点に接続された当該差動演算増幅回路の出力端子と、
    上記各カスコード回路において、第1のトランジスタのゲートと上記第1のカップリングキャパシタとの接続点に接続された第1のスイッチと、
    上記各カスコード回路において、第4のトランジスタのゲートと上記第2のカップリングキャパシタとの接続点に接続された第2のスイッチとを備え、サンプリングフェーズとホールドフェーズで動作するパイプライン型A/D変換装置のための差動演算増幅回路であって、
    サンプリングフェーズにおいて、第1のスイッチ及び第2のスイッチがオンされて、第1のトランジスタ及び第4のトランジスタの各ゲートには所定のバイアス電圧が印加され、当該差動演算増幅回路の入力端子はコモンモード電圧に設定され、
    ホールドフェーズにおいて、第1のスイッチ及び第2のスイッチがオフされて、第1のトランジスタ及び第4のトランジスタの各ゲート電圧は入力端子を介して入力された入力信号に追随して変化し、上記カップリングキャパシタは入力信号のレベルシフタとして動作して、これにより当該差動演算増幅回路はプッシュプル動作することにより、トランスコンダクタンス駆動領域のみで動作し、スルーイング領域で動作することを防止することを特徴とする差動演算増幅回路。
  2. 入力信号をサンプルホールドするサンプルホールド回路と、
    上記サンプルホールドされた信号を順次A/D変換する複数段のA/D変換回路部とを備えたパイプライン型A/D変換装置において、
    上記各A/D変換回路部は、
    当該A/D変換回路部に入力される信号をサンプルホールドする別のサンプルホールド回路と、
    当該A/D変換回路部に入力される信号をデジタル出力コードにA/D変換するサブAD変換器と、
    上記デジタル出力コードをA/D変換するD/A変換器と、
    上記別のサンプルホールド回路によりサンプルホールドされた信号と、上記A/D変換された信号との残差を求めて増幅する残差増幅手段とを備え、
    上記残差増幅手段は、請求項1記載の差動演算増幅回路により構成され、
    上記サブA/D変換器は、入力電圧を所定の参照電圧範囲より狭い第1の参照電圧範囲で制限しかつ出力電圧を上記参照電圧範囲よりも狭い第2の参照電圧範囲で制限する1.5bit/stageの伝達特性で、入力電圧をA/D変換することを特徴とするパイプライン型A/D変換装置。
  3. 上記サブA/D変換器から出力されるデジタル出力コードをフルスケール変換するフルスケール変換器をさらに備え、
    上記フルスケール変換器は、上記デジタル出力コードと、当該デジタル出力コードを2ビットシフトしたコードとを単純加算することによりフルスケール変換することを特徴とする請求項2記載のパイプライン型A/D変換装置。
  4. 上記各A/D変換回路部のホールドフェーズの初期において、上記残差増幅手段の差動演算増幅回路の出力端子を短絡するようにリセットするリセット回路をさらに備えたことを特徴とする請求項2又は3記載のパイプライン型A/D変換装置。
JP2008241120A 2008-09-19 2008-09-19 差動演算増幅回路とそれを用いたパイプライン型a/d変換装置 Expired - Fee Related JP4564558B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008241120A JP4564558B2 (ja) 2008-09-19 2008-09-19 差動演算増幅回路とそれを用いたパイプライン型a/d変換装置
US12/562,664 US7898449B2 (en) 2008-09-19 2009-09-18 Differential operational amplifier circuit correcting settling error for use in pipelined A/D converter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008241120A JP4564558B2 (ja) 2008-09-19 2008-09-19 差動演算増幅回路とそれを用いたパイプライン型a/d変換装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010074636A JP2010074636A (ja) 2010-04-02
JP4564558B2 true JP4564558B2 (ja) 2010-10-20

Family

ID=42037080

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008241120A Expired - Fee Related JP4564558B2 (ja) 2008-09-19 2008-09-19 差動演算増幅回路とそれを用いたパイプライン型a/d変換装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7898449B2 (ja)
JP (1) JP4564558B2 (ja)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4977115B2 (ja) * 2008-12-02 2012-07-18 旭化成エレクトロニクス株式会社 パイプライン型a/dコンバータ
US8436760B1 (en) * 2009-09-25 2013-05-07 Marvell International Ltd. Low power current-voltage mixed ADC architecture
JP2012065266A (ja) * 2010-09-17 2012-03-29 Panasonic Corp デルタシグマ変調器
US8648913B2 (en) 2011-04-15 2014-02-11 Omnivision Technologies, Inc. Missing code redistribution in pipeline analog to digital converter
US8390487B2 (en) 2011-06-14 2013-03-05 Analog Devices, Inc. System and method of analog-to-digital converters
CN102594351B (zh) * 2012-02-27 2014-08-20 张禹瑄 模拟数字转换装置
US8686888B2 (en) * 2012-07-06 2014-04-01 Broadcom Corporation Complementary switched capacitor amplifier for pipelined ADCs and other applications
CN105027433A (zh) * 2013-01-15 2015-11-04 美商楼氏电子有限公司 具有转换速率控制的缩放运算放大器
JP6160444B2 (ja) * 2013-10-30 2017-07-12 株式会社ソシオネクスト アナログデジタル変換回路、アナログデジタル変換回路の制御方法
US9461595B2 (en) * 2014-03-14 2016-10-04 Qualcomm Incoporated Integrator for class D audio amplifier
US9160357B1 (en) 2014-04-30 2015-10-13 Qualcomm Incorporated Residual error sampling and correction circuits in INL DAC calibrations
KR20150141340A (ko) 2014-06-10 2015-12-18 삼성전자주식회사 채널 버퍼 블록을 포함하는 장치들
CN104617898B (zh) * 2015-01-19 2017-06-06 上海华虹宏力半导体制造有限公司 运算放大器
JP6478896B2 (ja) * 2015-10-28 2019-03-06 株式会社東芝 増幅回路、パイプラインadc、及び無線通信装置
EP3258597B1 (en) 2016-06-13 2020-07-29 Intel IP Corporation Amplification circuit, apparatus for amplifying, low noise amplifier, radio receiver, mobile terminal, base station, and method for amplifying
US9998131B1 (en) * 2016-12-14 2018-06-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Hybrid analog-to-digital converter
CN108306620B (zh) * 2017-01-11 2021-03-16 瑞昱半导体股份有限公司 电荷引导式放大电路及其控制方法
CN108649959B (zh) * 2018-08-07 2023-10-27 上海艾为电子技术股份有限公司 一种数字模拟转换器及数字功放子系统
US10862443B2 (en) * 2018-08-20 2020-12-08 Texas Instruments Incorporated Offset addition circuits for sense transistors
CN110350880A (zh) * 2019-06-28 2019-10-18 西安电子科技大学 一种新型超宽带运算放大器
CN111010186B (zh) * 2019-12-15 2023-03-07 复旦大学 具有高线性度的电压时间转换器
JP7243647B2 (ja) * 2020-01-21 2023-03-22 株式会社デンソー 容量式物理量センサの検出回路および容量式物理量検出装置
CN112751537B (zh) * 2020-05-26 2024-04-19 上海韬润半导体有限公司 线性放大电路和包含该电路的模数转换装置
CN111884657B (zh) * 2020-08-04 2024-03-12 中国电子科技集团公司第二十四研究所 一种采样保持电路及方法
CN112152627B (zh) * 2020-08-25 2023-02-24 西安电子科技大学 应用于GS/s流水线ADC推挽输出级驱动的MDAC
TWI819537B (zh) * 2022-03-22 2023-10-21 瑞昱半導體股份有限公司 以比較器為核心的切換電容式電路
US11750160B1 (en) * 2022-04-09 2023-09-05 Caelus Technologies Limited Gain-boosted class-AB differential residue amplifier in a pipelined Analog-to-Digital Converter (ADC) using switched-capacitor common-mode feedback to eliminate tail current sources

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5748040A (en) * 1995-07-17 1998-05-05 Crystal Semiconductor Corporation Fully differential high gain cascode amplifier
JP2003198368A (ja) * 2001-12-26 2003-07-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd A/d変換器、a/d変換方法および信号処理装置
JP3597812B2 (ja) * 2001-11-21 2004-12-08 株式会社半導体理工学研究センター 擬似差動増幅回路及び擬似差動増幅回路を使用したa/d変換器
JP2005210635A (ja) * 2004-01-26 2005-08-04 Nec Electronics Corp 演算増幅回路
JP2006025399A (ja) * 2004-06-11 2006-01-26 Sharp Corp 電子回路装置
JP2006074549A (ja) * 2004-09-03 2006-03-16 Olympus Corp パイプライン型a/d変換器
JP2007274631A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Sharp Corp 差動増幅回路
JP2009239703A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Seiko Epson Corp パイプライン型a/d変換器

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5442318A (en) * 1993-10-15 1995-08-15 Hewlett Packard Corporation Gain enhancement technique for operational amplifiers
US5838199A (en) * 1996-05-28 1998-11-17 Analog Devices, Inc. Multi-stage high-performance amplifier
US5847607A (en) * 1996-12-19 1998-12-08 National Semiconductor Corporation High speed fully differential operational amplifier with fast settling time for switched capacitor applications
US6259313B1 (en) * 1999-04-19 2001-07-10 National Semiconductor Corporation Chopper-stabilized telescopic differential amplifier
US6486820B1 (en) * 2001-03-19 2002-11-26 Cisco Systems Wireless Networking (Australia) Pty Limited Pipeline analog-to-digital converter with common mode following reference generator
US6972706B2 (en) * 2001-08-10 2005-12-06 Walter Jan Maria Snoeijs Current folding cell and circuit comprising at least one folding cell
US6462695B1 (en) * 2001-08-31 2002-10-08 Exar Corporation Dynamic biasing techniques for low power pipeline analog to digital converters
JP4219341B2 (ja) * 2004-06-01 2009-02-04 三洋電機株式会社 アナログデジタル変換器、それを用いた信号処理システム、および撮像装置
US7113039B2 (en) * 2004-08-04 2006-09-26 Texas Instruments Incorporated Gain-boosted opamp with capacitor bridge connection
JP4529007B2 (ja) * 2004-09-02 2010-08-25 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置
US7265621B1 (en) * 2005-07-13 2007-09-04 National Semiconductor Corporation Fully differential operational amplifier with fast settling time
US7397306B2 (en) * 2005-11-02 2008-07-08 Marvell World Trade Ltd. High-bandwidth high-gain amplifier

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5748040A (en) * 1995-07-17 1998-05-05 Crystal Semiconductor Corporation Fully differential high gain cascode amplifier
JP3597812B2 (ja) * 2001-11-21 2004-12-08 株式会社半導体理工学研究センター 擬似差動増幅回路及び擬似差動増幅回路を使用したa/d変換器
JP2003198368A (ja) * 2001-12-26 2003-07-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd A/d変換器、a/d変換方法および信号処理装置
JP2005210635A (ja) * 2004-01-26 2005-08-04 Nec Electronics Corp 演算増幅回路
JP2006025399A (ja) * 2004-06-11 2006-01-26 Sharp Corp 電子回路装置
JP2006074549A (ja) * 2004-09-03 2006-03-16 Olympus Corp パイプライン型a/d変換器
JP2007274631A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Sharp Corp 差動増幅回路
JP2009239703A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Seiko Epson Corp パイプライン型a/d変換器

Also Published As

Publication number Publication date
US7898449B2 (en) 2011-03-01
JP2010074636A (ja) 2010-04-02
US20100073214A1 (en) 2010-03-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4564558B2 (ja) 差動演算増幅回路とそれを用いたパイプライン型a/d変換装置
US9954549B2 (en) Charge-sharing and charge-redistribution DAC and method for successive approximation analog-to-digital converters
US6879277B1 (en) Differential pipelined analog to digital converter with successive approximation register subconverter stages
US7821433B2 (en) Pipeline-type analog-to-digital converter
Lee et al. A low-power incremental delta–sigma ADC for CMOS image sensors
US8957803B2 (en) Capacitive voltage divider
Van Der Ploeg et al. A 3.3-V, 10-b, 25-MSample/s two-step ADC in 0.35-/spl mu/m CMOS
JP2006115003A (ja) サンプルホールド回路およびそれを用いたパイプラインad変換器
JP2002074976A (ja) サンプルホールド増幅回路とそれを用いたパイプライン型ad変換器およびパイプライン型da変換器
Petschacher et al. A 10-b 75-MSPS subranging A/D converter with integrated sample and hold
US10804920B2 (en) A/D converter
US6954169B1 (en) 1/f noise, offset-voltage charge injection induced error cancelled op-amp sharing technique
US6756928B2 (en) Pseudo-differential amplifier and analog-to-digital converter using the same
US20120112939A1 (en) Pipeline ad converter and method of correcting output from the converter
JP5439590B2 (ja) 比較器、差動アンプ回路、及びアナログデジタル変換器
JP2009027281A (ja) サンプルホールド回路およびパイプラインad変換器
JP2009027282A (ja) サンプルホールド回路およびパイプラインad変換器
Mulder et al. A 21mW 8b 125MS/s ADC occupying 0.09 mm/sup 2/in 0.13/spl mu/m CMOS
KR101122734B1 (ko) 캐패시터의 직렬연결을 이용한 멀티플라잉 디지털 아날로그 변환기와 이를 포함하는 파이프라인 아날로그 디지털 변환기
Cho A 2.24-mW, 61.8-dB SNDR, 20-MS/s pipelined ADC with charge-pump-based dynamic biasing for power reduction in op amp sharing
Kim et al. A 10-b 120-MS/s 45ánm CMOS ADC using a re-configurable three-stage switched amplifier
Rao et al. Optimizing the Stage Resolution of a 10-Bit, 50 Ms/Sec Pipelined A/D Converter & Its Impact on Speed, Power, Area, and Linearity
Elkafrawy et al. Design of a current steering DAC for a high speed current mode SAR ADC
JP5926388B2 (ja) サンプルホールド回路、a/d変換器およびサンプルホールド回路のキャリブレーション方法
Waltari et al. An 8-bit low-voltage pipelined ADC utilizing switched-opamp technique

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100709

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100720

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100730

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130806

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees