JP4558846B1 - 窒化物系半導体素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図3
Description
12 基板の表面(m面)
20 半導体積層構造
22 AluGavInwN層
24 活性層
26 AldGaeN層
30 p型電極
32 Mg合金層
34 金属層(Pt層)
40 n型電極
42 凹部
100 窒化物系半導体発光素子
200 樹脂層
220 支持部材
240 反射部材
Claims (19)
- 表面がm面であるp型半導体領域を有する窒化物系半導体積層構造と、
前記p型半導体領域上に設けられた電極と
を備え、
前記p型半導体領域は、AlxInyGazN(x+y+z=1,x≧0,y≧0,z≧0)半導体から形成され、前記電極は、前記p型半導体領域の前記表面に接触し、Pt、MoおよびPdからなる群から選択される金属とMgとから構成されるMg合金層を含む、窒化物系半導体素子。 - 前記電極は、前記Mg合金層と、前記Mg合金層の上に形成された金属層とを含み、
前記金属層は、Pt、MoおよびPdのうち前記Mg合金層に含まれる金属から形成されている、請求項1に記載の窒化物系半導体素子。 - 前記半導体積層構造は、
AlaInbGacN層(a+b+c=1,a≧0,b≧0,c≧0)を含む活性層を有し、前記活性層は光を発する、請求項1に記載の窒化物系半導体素子。 - 前記p型半導体領域はp型コンタクト層である、請求項1に記載の窒化物系半導体素子。
- 前記Mg合金層の厚さは0.1nm以上5nm以下である、請求項1から4の何れか一つに記載の窒化物系半導体素子。
- 前記Mg合金層の厚さは前記金属層の厚さ以下である、請求項2に記載の窒化物系半導体素子。
- 前記Mg合金層中のN濃度はGa濃度よりも低い、請求項1に記載の窒化物系半導体素子。
- 前記半導体積層構造を支持する半導体基板を有している、請求項1に記載の窒化物系半導体素子。
- 窒化物系半導体発光素子と、
前記窒化物系半導体発光素子から放射された光の波長を変換する蛍光物質を含む波長変換部と
を備える光源であって、
前記窒化物系半導体発光素子は、
表面がm面であるp型半導体領域を有する窒化物系半導体積層構造と、
前記p型半導体領域上に設けられた電極とを備え、
前記p型半導体領域は、AlxInyGazN(x+y+z=1,x≧0,y≧0,z≧0)半導体からなり、
前記電極は、前記p型半導体領域の前記表面に接触し、Pt、MoおよびPdからなる群から選択される金属とMgとから構成されるMg合金層を含む、光源。 - 基板を用意する工程(a)と、
表面がm面であるp型半導体領域を有する窒化物系半導体積層構造を前記基板上に形成する工程(b)と、
前記半導体積層構造の前記p型半導体領域の前記表面上に電極を形成する工程(c)とを含み、
前記工程(c)は、
前記p型半導体領域の前記表面上に、Pt、MoおよびPdからなる群から選択される金属とMgとから構成されるMg合金層を形成する工程を含む、窒化物系半導体素子の製造方法。 - 前記Mg合金層を形成する工程は、
前記p型半導体領域の前記表面上に、Mg層を形成する工程と、
前記Mg層の上に、Pt、MoおよびPdからなる群から選択される導電層を形成する工程と、
加熱処理を行なうことにより、前記Mg層と前記導電層の少なくとも一部とを合金化する工程とを含む、請求項10に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。 - 前記加熱処理は、500℃以上700℃以下の温度で実行される、請求項11に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
- 前記加熱処理は、550℃以上650℃以下の温度で実行される、請求項12に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
- 前記Mg層を形成する工程は、パルス的に電子ビームを照射することによってMgを前記p型半導体領域の前記表面の上に蒸着させることを実行する、請求項11から13の何れか一つに記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
- 前記Mg層は0.1nm以上5nm以下の厚さで前記半導体積層構造の上に堆積される、請求項11から14の何れか一つに記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
- 前記工程(b)を実行した後において、前記基板を除去する工程を含む、請求項10から15の何れか一つに記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
- 前記Mg合金層を形成する工程は、
Mgと、Pt、MoおよびPdからなる群から選択される金属との混合物または化合物を、前記p型半導体領域の前記表面上に蒸着する工程と、
加熱処理を行なう工程とを含む、請求項10に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。 - 表面がm面であるp型半導体領域を有する窒化物系半導体積層構造と、
前記p型半導体領域上に設けられた電極と
を備え、
前記p型半導体領域は、AlxInyGazN(x+y+z=1,x≧0,y≧0,z≧0)半導体から形成され、
前記電極は、前記p型半導体領域の前記表面上に形成されたアイランド状Mg合金を含み、前記アイランド状Mg合金は、Pt、MoおよびPdからなる群から選択される金属とMgとから構成される、窒化物系半導体素子。 - 前記電極は、前記アイランド状Mg合金と、前記アイランド状Mg合金の上に形成された金属層とを含み、
前記金属層は、Pt、MoおよびPdのうち前記アイランド状Mg合金に含まれる金属から形成されている、請求項18に記載の窒化物系半導体素子。
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