JP4537789B2 - セルロースアシレート組成物、セルロースアシレートフイルム、および安息香酸フェニルエステル化合物 - Google Patents

Description

本発明は、新規な安息香酸フェニルエステル化合物、及びそれらを含有するセルロースアシレート組成物、フイルムに関するものである。

セルロースフイルム中でも、セルロースアセテートフイルムは、他のポリマーフイルムと比較して、光学的等方性が高い（レターデーション値が低い）との特徴がある。従って、光学的等方性が要求される用途、例えば偏光板には、セルロースアセテートフイルムを用いることが普通である。一方、液晶表示装置等の光学補償シート（位相差フイルム）には、逆に光学的異方性（高いレターデーション値）が要求される。従って、光学補償シートとしては、ポリカーボネートフイルムやポリスルホンフイルムのようなレターデーション値が高い合成ポリマーフイルムを用いることが普通であった。

以上のように光学材料の技術分野では、ポリマーフイルムに光学的異方性（高いレターデーション値）が要求される場合には合成ポリマーフイルムを使用し、光学的等方性（低いレターデーション値）が要求される場合にはセルロースアセテートフイルムを使用することが一般的であった。

しかし最近になって光学的異方性が要求される用途にも使用できる高いレターデーション値を有するセルロースアセテートフイルムが要求されそれに対応した技術が提案されている（例えば特許文献１）。該公開発明ではセルローストリアセテートで高いレターデーション値を実現するために、少なくとも２つの芳香環を有する芳香族化合物、中でも１，３，５−トリアジン環を有する化合物を添加し、延伸処理を行っている。
一般にセルローストリアセテートは延伸しにくい高分子素材であり、複屈折率を大きくすることは困難であることが知られているが、上記特許文献１では添加剤を延伸処理で同時に配向させることにより複屈折率を大きくすることを可能にし、高いレターデーション値を実現している。

近年、液晶表示装置の軽量化、製造コスト低減のために液晶セルの薄膜化が必須となっている。そのために光学補償シートに必要とされる光学性能は、１，３，５−トリアジン環を有する化合物で実現できる光学異方性（Ｒｅレターデーション値、Ｒｔｈレターデーション値）に対して、さらにより高いＲｅとより低いＲｔｈが要求されるようになってきた。
しかしながら、本発明者が特許文献１で開示された方法で鋭意検討した結果、該手法では、前述のＲｅレターデーション値とＲｔｈレターデーション値を任意に組み合わせることができないという問題があることが判明した。そこで、新たな光学性能制御技術の開発が必要となってきた。
一方で安息香酸フェニルエステルは液晶性化合物としてはよく知られているが（例えば非特許文献１）、安息香酸の２，４位両方にアルコキシ基を有する安息香酸フェニルエステル化合物とその性質については知られていなかった。

欧州特許出願公開０９１１６５６Ａ２号明細書 「液晶便覧」 液晶便覧編集委員会編 第２７２頁 丸善株式会社

本発明の第１の目的は光学性能に優れたフィルムを形成できるセルロース体組成物を提供することにある。
本発明の第２の目的は、安定性に優れた新規な安息香酸フェニルエステル化合物を提供することにある。
本発明の第３の目的は、光学特性に優れた延伸フィルムを提供することにある。

本発明の目的は、下記手段により達成された。

［１］セルロースアシレートと、下記一般式（２）で表される化合物を少なくとも１種含有することを特徴とするセルロースアシレート組成物。
一般式（２）

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４ およびＲ ^５ はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基または水酸基を表し、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＲ^５のうち少なくとも１つは電子供与性基としてアルキル基またはアルコキシ基を表す。Ｒ ^６ 、Ｒ ^７ 、Ｒ ^９ およびＲ ^１０ はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^８は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、カルボニル基、シアノ基またはハロゲン原子を表す。）
［２］上記一般式（２）のＲ ^１ 、Ｒ ^２ 、Ｒ ^３ 、Ｒ ^４ およびＲ ^５ がそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはアミノ基を表し、Ｒ ^１ 、Ｒ ^２ 、Ｒ ^３ 、Ｒ ^４ およびＲ ^５ のうち少なくとも１つは電子供与性基としてアルキル基またはアルコキシ基を表す［１］に記載のセルロースアシレート組成物。
［３］上記一般式（２）のＲ ^１ 、Ｒ ^２ 、Ｒ ^３ 、Ｒ ^４ およびＲ ^５ がそれぞれ独立に水素原子、メチル基、シクロヘキシル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ヘキシオキシ基または水酸基を表し、Ｒ ^１ 、Ｒ ^２ 、Ｒ ^３ 、Ｒ ^４ およびＲ ^５ のうち少なくとも１つは電子供与性基としてアルキル基またはアルコキシ基を表す［１］に記載のセルロースアシレート組成物。
［４］上記一般式（２）の電子供与性基がアルコキシ基であることを特徴とする［１］〜［３］のいずれか１項に記載のセルロースアシレート組成物。
［５］上記一般式（２）で表される化合物が下記一般式（２−Ｄ）で表される化合物であることを特徴とする［１］記載のセルロースアシレート組成物。
一般式（２−Ｄ）

（式中、Ｒ^２ およびＲ ^５ はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基または水酸基を表し、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^１１は炭素数１〜１２のアルキル基を表す。Ｒ^１２は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｒ^１４は炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｒ^８は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、カルボニル基、シアノ基またはハロゲン原子を表す。）
［６］［１］〜［５］のいずれか１項に記載のセルロースアシレート組成物より形成されたことを特徴とするセルロースアシレートフィルム。
［７］［１］〜［５］のいずれか１項に記載のセルロースアシレート組成物より形成されたことを特徴とするセルロースアシレート延伸フィルム。
［８］上記一般式（２−Ｄ）で表される化合物。
［９］下記一般式（２−Ｅ）で表される化合物。
一般式（２−Ｅ）

（式中、Ｒ^８は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、カルボニル基、シアノ基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^１１は炭素数１〜１２のアルキル基を表す。Ｒ^１２は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｒ^１４は炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｒ^２０は水素原子、メチル基、メトキシ基またはハロゲン原子を表す。）
［１０］下記一般式（３）で表される化合物。
一般式（３）

（式中、Ｒ^２、Ｒ^４およびＲ^５はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基または水酸基を表す。Ｒ^１１は炭素数１〜１２のアルキル基を表す。Ｒ^１２は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｘは炭素数２〜７のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数２〜６のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜７のアシルアミノ基、シアノ基を表す。）

本発明のセルロースアシレート組成物は個々に指定されたＲｅレターデーション値とＲｔｈレターデーション値とを同時に満足した光学性能に優れたフィルムを形成するのに有用である。したがってこれより得られたセルロースアシレートフイルムは光学性能に優れる。
また本発明の安息香酸フェニルエステル化合物は安定性が優れ、取扱い性に優れるので、上記の光学性能の優れるフィルムの構成成分として用いることができる。

［安息香酸フェニルエステル化合物］
まず、本発明に用いられる一般式（２）で表される化合物に関して詳細に説明する。
一般式（２）

（式中、Ｒ ^１ 、Ｒ ^２ 、Ｒ ^３ 、Ｒ ^４ およびＲ ^５ はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基または水酸基を表し、Ｒ ^１ 、Ｒ ^２ 、Ｒ ^３ 、Ｒ ^４ およびＲ ^５ のうち少なくとも１つは電子供与性基としてアルキル基またはアルコキシ基を表す。Ｒ ^６ 、Ｒ ^７ 、Ｒ ^９ およびＲ ^１０ はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基またはハロゲン原子を表す。Ｒ ^８ は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、カルボニル基、シアノ基またはハロゲン原子を表す。）

一般式（２）中、Ｒ ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＲ^５のうち少なくとも１つは電子供与性基を表す。好ましくはＲ^１、Ｒ^３またはＲ^５のうちの１つが電子供与性基であり、Ｒ^３が電子供与性基であることがより好ましい。
電子供与性基としてはアルキル基、アルコキシ基であり、より好ましくはアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６特に好ましくは炭素数１〜４である。）である。

Ｒ^１として好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、更に好ましくは、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、水酸基であり、特に好ましくはアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）であり、最も好ましくはメトキシ基である。

Ｒ^２として好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基であり、更に好ましくは水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜４、より好ましくはメチル基である。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）である。特に好ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ^３として好ましくは、アルキル基、アルコキシ基であり、特に好ましくはアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）である。最も好ましくはｎ−プロポキシ基、エトキシ基、メトキシ基である。

Ｒ^４として好ましくは、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）であり、特に好ましくは水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基であり、最も好ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基である。

Ｒ^５として好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基であり、更に好ましくは水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜４より好ましくはメチル基である。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６特に好ましくは炭素数１〜４）である。特に好ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基である。最も好ましくは水素原子である。

Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^９およびＲ^１０として好ましくは水素原子、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子である。

Ｒ^８は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜１２のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、シアノ基、カルボニル基またはハロゲン原子を表し、可能な場合には置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。また、置換基が更に置換してもよい。
Ｒ^８として好ましくは炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜１２のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、シアノ基であり、より好ましくは、炭素数２〜１２のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、シアノ基であり、更に好ましくは、炭素数２〜７のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数２〜６のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜７のアシルアミノ基、シアノ基であり、特に好ましくは、フェニルエチニル基、フェニル基、ｐ−シアノフェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、ベンゾイルアミノ基、ｎ−プロポキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、シアノ基である。

一般式（２）のうちより好ましくは下記一般式（２−Ａ）である。
一般式（２−Ａ）

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^４ およびＲ^５ はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基または水酸基を表し、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^８は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜１２のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、シアノ基、カルボニル基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^１１は炭素数１〜１２のアルキル基を表す。）
一般式（２−Ａ）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれ一般式（２）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。

一般式（２−Ａ）中、Ｒ^１１は炭素数１〜１２のアルキル基を表し、Ｒ^１１で表されるアルキル基は直鎖でも分岐があってもよく、また更に置換基を有してもよいが、好ましくは炭素数１〜１２のアルキル基、より好ましくは炭素数１〜８アルキル基、更に好ましくは炭素数１〜６アルキル基、特に好ましくは炭素数１〜４のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基などが挙げられる。）である。

一般式（２）のうちより好ましくは下記一般式（２−Ｂ）である。
一般式（２−Ｂ）

（式中、Ｒ^２、Ｒ^４ およびＲ^５ はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基または水酸基を表し、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^８は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜１２のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、シアノ基、カルボニル基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^１１は炭素数１〜１２のアルキル基を表す。Ｒ^１２は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表す。）

一般式（２−Ｂ）中、Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^１０およびＲ^１１は一般式（２−Ａ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
一般式（２−Ｂ）中、Ｒ^１２は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表し、好ましくは水素原子または炭素数１〜３のアルキル基であり、より好ましくは、水素原子、メチル基、エチル基であり、更に好ましくは水素原子またはメチル基であり、特に好ましくはメチル基である。

一般式（２−Ｂ）のうち好ましくは下記一般式（３）または（２−Ｃ）である。
一般式（３）

（式中、Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^１１およびＲ^１２は一般式（２−Ｂ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｘは炭素数２〜７のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数２〜６のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜７のアシルアミノ基、シアノ基を表す。）

一般式（３）中、Ｘは炭素数２〜７のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数２〜６のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜７のアシルアミノ基、シアノ基を表し、好ましくは、フェニルエニチル基、フェニル基、ｐ−シアノフェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、ベンゾイルアミノ基、炭素数２〜４のアルコキシカルボニル基、シアノ基であり、より好ましくは、フェニル基、ｐ−シアノフェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、炭素数２〜４のアルコキシカルボニル基、シアノ基である。

以下一般式（２−Ｃ）に関して説明する。
一般式（２−Ｃ）

（式中、Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^５、は一般式（２−Ｂ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様だが、いずれか１つは−ＯＲ^１３で表される基である（Ｒ^１３は炭素数１〜４のアルキル基である。）。Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０ _、Ｒ^１１およびＲ^１２は一般式（２−Ｂ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。）

一般式（２−Ｃ）中、Ｒ^２、Ｒ^４およびＲ^５は一般式（２−Ｂ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様だが、いずれか１つは−ＯＲ^１３で表される基であり（Ｒ^１３は炭素数１〜４のアルキル基である。）、好ましくはＲ^４、Ｒ^５が−ＯＲ^１３で表される基であり、より好ましくはＲ^４が−ＯＲ^１３で表される基である。
Ｒ^１３は炭素数１〜４のアルキル基を表し、好ましくは炭素数１〜３のアルキル基であり、より好ましくはエチル基、メチル基であり、更に好ましくはメチル基である。

一般式（２-Ｃ）のうち更に好ましくは一般式（２−Ｄ）である。
一般式（２−Ｄ）

（式中、Ｒ^２、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０ _、Ｒ^１１およびＲ^１２は一般式（２−Ｃ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｒ^１４は炭素数１〜４のアルキル基を表す。）
Ｒ^１４は炭素数１〜４のアルキル基を表し、好ましくは炭素数１〜３のアルキル基であり、より好ましくはエチル基、メチル基であり、更に好ましくはメチル基である。

一般式（２−Ｄ）のうち好ましくは下記一般式（２−Ｅ）である。
一般式（２−Ｅ）

（式中、Ｒ^８ _、Ｒ^１１、Ｒ^１２およびＲ^１４は一般式（２−Ｄ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｒ^２０は水素原子、メチル基、メトキシ基またはハロゲン原子を表す。）
Ｒ^２０ は直接連結したベンゼン環のどの位置に置換してもよいが、Ｒ^２０が複数存在することはない。Ｒ^２０として特に好ましくは水素原子である。

以下に前述の置換基Ｔについて説明する。
置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）、置換又は未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、

アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、

スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。

また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

以下に一般式（２）で表される化合物に関して具体例をあげて詳細に説明するが、本発明は以下の具体例によって何ら限定されることはない。

本発明における一般式（２）で表される化合物は置換安息香酸とフェノール誘導体の一般的なエステル反応によって合成でき、エステル結合形成反応であればどのような反応を用いてもよい。例えば、置換安息香酸を酸ハロゲン化物に官能基変換した後、フェノールと縮合する方法、縮合剤あるいは触媒を用いて置換安息香酸とフェノール誘導体を脱水縮合する方法などがあげられる。
製造プロセス等を考慮すると置換安息香酸を酸ハロゲン化物に官能基変換した後、フェノールと縮合する方法が好ましい。

反応溶媒として炭化水素系溶媒（好ましくはトルエン、キシレンが挙げられる。）、エーテル系溶媒（好ましくはジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどが挙げられる）、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどを用いることができる。これらの溶媒は単独でも数種を混合して用いてもよく、反応溶媒として好ましくはトルエン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドである。

反応温度としては、好ましくは０〜１５０℃、より好ましくは０〜１００℃、更に好ましくは０〜９０℃であり、特に好ましくは２０℃〜９０℃である。
本反応には塩基を用いないのが好ましく、塩基を用いる場合には有機塩基、無機塩基のどちらでもよく、好ましくは有機塩基であり、ピリジン、3級アルキルアミン（好ましくはトリエチルアミン、エチルジイソプルピルアミンなどが挙げられる）である。

以下に本発明の化合物の合成法に関して具体的に記載するが、本発明は以下の具体例によって何ら限定されることはない。

［合成例１：例示化合物Ａ−1の合成］
３，４，５−トリメトキシ安息香酸２４．６ｇ（０．１１６モル）、トルエン１００ｍＬ、Ｎ−Ｎ−ジメチルホルムアミド１ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１５．２ｇ（０．１２７モル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱した。その後、あらかじめ４−シアノフェノール１５．１ｇ（０．１２７モル）をアセトニトリル５０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、６０℃で３時間加熱攪拌した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチル、水で分液操作を行い、得られた有機相を硫酸ナトリウムで水分を除去した後、溶媒を減圧留去し、得られた固形物に、アセトニトリル１００ｍＬを加え、再結晶操作を行った。アセトニトリル溶液を室温まで冷却し、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を１１．０ｇ（収率１１％）得た。なお、化合物の同定は^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルで行った。

¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ３．５０（br，９Ｈ），７．３７（ｄ，２Ｈ），７．４５（ｓ，２Ｈ），７．７７（ｓ，２Ｈ）、
マススペクトル：ｍ／ｚ ３１４（Ｍ＋Ｈ）^＋、
得られた化合物の融点は１７２〜１７３℃であった。

［合成例２：例示化合物Ａ−２の合成］
２，４，５−トリメトキシ安息香酸１０６．１ｇ（０．５モル）、トルエン３４０ｍＬ、ジメチルホルムアミド１ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル６５．４ｇ（０．５５モル）をゆっくりと滴下し、２時間６５〜７０℃で加熱した。その後、あらかじめ４−シアノフェノール７１．５ｇ（０．６モル）をアセトニトリル１５０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、８０〜８５℃で２時間加熱攪拌した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチル（１Ｌ）、水で分液操作を行い、得られた有機相を硫酸マグネシウムで水分を除去した後、約５００ｍＬの溶媒を減圧留去し、メタノール１Ｌを加え、再結晶操作を行った。析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を１２５．４ｇ（収率８０％）得た。なお、化合物の同定は^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルで行った。

¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ３．９１（ｓ，３Ｈ），３．９３（ｓ，３Ｈ），３．９８（ｓ，３Ｈ），６．５９（ｓ，１Ｈ），７．３５（ｄ，２Ｈ），７．５８（ｓ，１Ｈ），７．７４（ｄ，２Ｈ）、
マススペクトル：ｍ／ｚ ３１４（Ｍ＋Ｈ）^＋、
得られた化合物の融点は１１６℃であった。

［合成例３：例示化合物Ａ−３の合成］
２，３，４−トリメトキシ安息香酸１０．１ｇ（４７．５ミリモル）、トルエン４０ｍＬ、ジメチルホルムアミド０．５ｍＬを８０℃に加熱した後、塩化チオニル６．２２ｇ（５２．３ミリモル）をゆっくりと滴下し、８０℃で２時間加熱攪拌した。その後、あらかじめ４−シアノフェノール６．２ｇ（５２．３ミリモル）をアセトニトリル２０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、８０〜８５℃で２時間加熱攪拌した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチル、水で分液操作を行い、得られた有機相を硫酸ナトリウムで水分を除去した後、溶媒を減圧留去し、メタノール５０ｍＬを加え、再結晶操作を行った。析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を１１．９ｇ（収率８０％）得た。なお、化合物の同定は^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルで行った。

¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ３．５０（br，９Ｈ），７．３７（ｄ，２Ｈ），７．４５（ｓ，２Ｈ），７．７７（ｓ，２Ｈ）、
マススペクトル：ｍ／ｚ ３１４（Ｍ＋Ｈ）^＋、
得られた化合物の融点は１０２〜１０３℃であった。

［合成例４：例示化合物Ａ−４の合成］
２，４，６−トリメトキシ安息香酸２５．０ｇ（１１８ミリモル）、トルエン１００ｍＬ、ジメチルホルムアミド１ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１５．４ｇ（１２９ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱攪拌した。その後、あらかじめ４−シアノフェノール１５．４ｇ（１２９ミリモル）をアセトニトリル５０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、８０〜８５℃で４．５時間加熱攪拌した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチル、水で分液操作を行い、得られた有機相を硫酸ナトリウムで水分を除去した後、溶媒を減圧留去し、メタノール５００ｍＬ、アセトニトリル１００ｍＬを加え、再結晶操作を行った。析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を１０．０ｇ（収率２７％）得た。なお、化合物の同定はマススペクトルで行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ ３１４（Ｍ＋Ｈ）^＋、
得られた化合物の融点は１７２〜１７３℃であった。

［合成例５：例示化合物Ａ−５の合成］
２，３−ジメトキシ安息香酸１５．０ｇ（８２．３ミリモル）、トルエン６０ｍＬ、ジメチルホルムアミド０．５ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１０．７（９０．５ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱攪拌した。その後、あらかじめ４−シアノフェノール１０．８ｇ（９０．５ミリモル）をアセトニトリル３０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、７０〜８０℃で７時間加熱攪拌した。反応液を室温まで冷却した後、イソプロピルアルコール９０ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を１２．３ｇ（収率５３％）得た。なお、化合物の同定はマススペクトルで行った。

マススペクトル：ｍ／ｚ ２８４（Ｍ＋Ｈ）^＋、
得られた化合物の融点は１０４℃であった。

［合成例６：例示化合物Ａ−６の合成］
合成例５における２，３−ジメトキシ安息香酸を２，４−ジメトキシ安息香酸に変更する以外は同様の方法で合成した。また化合物の同定はマススペクトルで行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ ２８４（Ｍ＋Ｈ）^＋、
得られた化合物の融点は１３４〜１３６℃であった。

［合成例７：例示化合物Ａ−７の合成］
２，５−ジメトキシ安息香酸２５．０ｇ（１３７ミリモル）、トルエン１００ｍＬ、ジメチルホルムアミド１．０ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１８．０（１５１ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱攪拌した。その後、あらかじめ４−シアノフェノール１８．０ｇ（１５１ミリモル）をアセトニトリル５０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、７０〜８０℃で７．５時間加熱攪拌した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチル、飽和食塩水で分液操作を行い、得られた有機相を硫酸ナトリウムで水分を除去した後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン−酢酸エチル（９／１、Ｖ／Ｖ））で精製操作を行い、白色の結晶として目的化合物を１８．８ｇ（収率４８％）得た。また化合物の同定はマススペクトルで行った。

マススペクトル：ｍ／ｚ ２８４（Ｍ＋Ｈ）^＋、
得られた化合物の融点は７９〜８０℃であった。

［合成例８：例示化合物Ａ−８の合成］
合成例５における２，３−ジメトキシ安息香酸を２，６−ジメトキシ安息香酸に変更する以外は同様の方法で合成した。また化合物の同定はマススペクトルで行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ ２８４（Ｍ＋Ｈ）^＋、
得られた化合物の融点は１３０〜１３１℃であった。

［合成例９：例示化合物Ａ−１１の合成］
合成例２における４−シアノフェノール７１．５ｇを４−クロロフェノール７６．９ｇに変更する以外は同様の方法で目的化合物を得た。また化合物の同定は^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルで行った。

¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ３．９０（ｓ，３Ｈ），３．９４（ｓ，３Ｈ），３．９９（ｓ，３Ｈ），６．５８（ｓ，１Ｈ），７．１５（ｄ，２Ｈ），７．３７（ｄ，２Ｈ），７．５６（ｓ，１Ｈ）、
マススペクトル：ｍ／ｚ ３２３（Ｍ＋Ｈ）^＋、
得られた化合物の融点は１２７〜１２９℃であった。

［合成例１０：例示化合物Ａ−１２の合成］
２，４，５−トリメトキシ安息香酸４５．０ｇ（２１２ミリモル）、トルエン１８０ｍＬ、ジメチルホルムアミド１．８ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル２７．８ｇ（２３３ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２．５時間加熱攪拌した。その後、あらかじめ４−ヒドロキシ安息香酸メチル３５．４ｇ（２３３ミリモル）をジメチルホルムアミド２７ｍＬに溶解させた液をゆっくりと添加し、８０℃で３時間加熱攪拌した後、反応液を室温まで冷却し、メタノール２７０ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を６４．５ｇ（収率８８％）得た。また化合物の同定は^１Ｈ―ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。

¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ３．９５（ｍ，９Ｈ），３．９９（ｓ，３Ｈ），６．５７（ｓ，１Ｈ），７．２８（ｄ，２Ｈ），７．５７（ｓ，１Ｈ）８．１１（ｄ，２Ｈ）、
マススペクトル：ｍ／ｚ ３４７（Ｍ＋Ｈ）^＋、
得られた化合物の融点は１２１〜１２３℃であった。

［合成例１１：例示化合物Ａ−１３の合成］
２，４，５−トリメトキシ安息香酸２０．０ｇ（９４．３ミリモル）、トルエン１００ｍＬ、ジメチルホルムアミド１ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１２．３ｇ（１０４ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で３．５時間加熱攪拌した。その後、あらかじめ４−フェニルフェノール１７．７ｇ（１０４ミリモル）をトルエン１５０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと添加し、８０℃で３時間加熱攪拌した後、反応液を室温まで冷却し、メタノール２５０ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を２１．２ｇ（収率６２％）得た。また化合物の同定は^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。

¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ３．９３（ｓ，３Ｈ），３．９６（ｓ，３Ｈ），３．９９（ｓ，３Ｈ），６．５９（ｓ，１Ｈ），７．２６−７．７５（ｍ，１０Ｈ）、
マススペクトル：ｍ／ｚ ３６５（Ｍ＋Ｈ）^＋、
得られた化合物の融点は１３１〜１３２℃であった。

［合成例１２：例示化合物Ａ−１４の合成］
２，４，５−トリメトキシ安息香酸１２.９ｇ（６１ミリモル）、トルエン５０ｍL、ジメチルホルムアミド０．６ｍLを６０℃に加熱した後、塩化チオニル８．０ｇ（６７ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で３．５時間加熱攪拌した。その後、あらかじめ４−フェノキシフェノール１７．７ｇ（１０４ミリモル）をアセトニトリル２５ｍLに溶解させた液をゆっくりと添加し、８０℃で３時間加熱攪拌した後、反応液を室温まで冷却し、メタノール１００ｍLを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を２１．６ｇ（収率９３％）得た。なお、化合物の同定はマススペクトルにより行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ ３８１（Ｍ＋Ｈ）^＋、
得られた化合物の融点は９１〜９２℃であった。

［合成例１３：例示化合物Ａ−１５の合成］
合成例２における４−シアノフェノール７１．５ｇをフェノール５６．４ｇに変更する以外は同様の方法で目的化合物を得た。なお、化合物の同定は¹Ｈ−ＮＭＲおよびマススペクトルにより行った。

¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ３．９１（ｓ，３Ｈ），３．９３（ｓ，３Ｈ），３．９９（ｓ，３Ｈ），６．５８（ｓ，１Ｈ），７．１９−７．２７（ｍ，３Ｈ），７．４２（ｍ，２Ｈ），７．５８（ｓ，１Ｈ）、
マススペクトル：ｍ／ｚ ２８９（Ｍ＋Ｈ）^＋、
得られた化合物の融点は１０５〜１０８℃であった。

［合成例１４：例示化合物Ａ−１６の合成］
合成例２における４−シアノフェノール７１．５ｇを４−メトキシフェノール７４．４ｇに変更する以外は同様の方法で目的化合物を得ることができる。なお、化合物の同定は¹Ｈ−ＮＭＲおよびマススペクトルにより行った。

¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ３．８４（ｓ，３Ｈ），３．９２（ｓ，３Ｈ），３．９３（ｓ，３Ｈ），３．９９（ｓ，３Ｈ），６．５８（ｓ，１Ｈ），６．９２（ｄ，２Ｈ），７．１２（ｄ，２Ｈ），７．４２（ｍ，２Ｈ），７．５８（ｓ，１Ｈ）、
マススペクトル：ｍ／ｚ ３１９（Ｍ＋Ｈ）^＋、
得られた化合物の融点は１０２〜１０３℃であった。

［合成例１５：例示化合物Ａ−１７の合成］
合成例２における４−シアノフェノール７１．５ｇを４−エチルフェノール７３．３ｇに変更する以外は同様の方法で目的化合物を得た。なお、化合物の同定は^１Ｈ―ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ ３１７（Ｍ＋Ｈ）^＋、
得られた化合物の融点は７０〜７１℃であった。

［合成例１６：例示化合物Ａ−２４の合成］
４―エトキシ安息香酸２７．３ｇ（１６４ミリモル）、トルエン１０８ｍＬ、ジメチルホルムアミド１ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル２１．５ｇ（１８１ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱攪拌した。その後、あらかじめ４−エトキシフェノール２５．０ｇ（１８１ミリモル）をアセトニトリル５０ｍＬに溶解させた溶液をゆっくり添加し、８０℃で４時間加熱攪拌した後、反応液を室温まで冷却した後、メタノール１００ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を３０．６ｇ（収率６５％）得た。なお、化合物の同定は^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。

¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ１．４８−１．５９（ｍ，６Ｈ），４．０５（ｑ，２Ｈ），４．１０（ｑ，２Ｈ），６．８９−７．００（ｍ，４Ｈ），７．１０（ｄ，２Ｈ），８．１２（ｄ，２Ｈ）、
マススペクトル：ｍ／ｚ ２８７（Ｍ＋Ｈ）^＋、
得られた化合物の融点は１１３〜１１４℃であった。

［合成例１７：例示化合物Ａ−２５の合成］
４−エトキシ安息香酸２４．７ｇ（１４９ミリモル）、トルエン１００ｍＬ、ジメチルホルムアミド１ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１９．５ｇ（１６４ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱攪拌した。その後、あらかじめ４−プロポキシフェノール２５．０ｇ（１６５ミリモル）をアセトニトリル５０ｍＬに溶解させた溶液をゆっくり添加し、８０℃で４時間加熱攪拌した後、反応液を室温まで冷却した後、メタノール１００ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、得られた固体にメタノール１００ｍＬを加え再結晶操作を行い、得られた結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を３３．９ｇ（収率７６％）得た。なお、化合物の同定は^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。

¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ１．０４（ｔ，３Ｈ），１．４５（ｔ，３Ｈ），１．８２（ｑ，２Ｈ），３．９３（ｑ，２Ｈ），４．０４（ｑ，２Ｈ），６．８９−７．００（ｍ，４Ｈ），７．１０（ｄ，２Ｈ），８．１２（ｄ，２Ｈ）、
マススペクトル：ｍ／ｚ ３０１（Ｍ＋Ｈ）^＋、
得られた化合物の融点は１０７℃であった。

［合成例１８：例示化合物Ａ−２７の合成］
合成例１６（Ａ−２４の合成）における４−エトキシ安息香酸２７．３ｇを４−プロポキシ安息香酸２９．５ｇに変更する以外は同様の方法で合成した。なお、化合物の同定はマススペクトルにより行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ ３０１（Ｍ＋Ｈ）^＋、
得られた化合物の融点は８８〜８９℃であった。

［合成例１９：例示化合物Ａ−２８の合成］
合成例１７（Ａ−２５の合成）における４−エトキシ安息香酸２４．７ｇを４−プロポキシ安息香酸２６．８ｇに変更する以外は同様の方法で合成した。なお、化合物の同定はマススペクトルにより行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ ３１５（Ｍ＋Ｈ）^＋、
得られた化合物の融点は９２℃であった。

［合成例２０：例示化合物Ａ−４０の合成］
２，４−ジメトキシ安息香酸２０．０ｇ（１０９ミリモル）、トルエン８０ｍL、ジメチルホルムアミド０．８ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１４．４ｇ（１２１ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で３．５時間加熱攪拌した。その後、あらかじめ４−フェニルフェノール２０．５ｇ（１２１ミリモル）をジメチルホルムアミド５０ｍＬに溶解させた溶液をゆっくり添加し、８０℃で６時間加熱攪拌した後、反応液を室温まで冷却した後、メタノール１００ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を３１．７ｇ（収率８６％）得た。なお、化合物の同定はマススペクトルにより行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ ３３５（Ｍ＋Ｈ）^＋、
得られた化合物の融点は１６１〜１６２℃であった。

［合成例２１：例示化合物Ａ−４２の合成］
２，４−ジメトキシ安息香酸３０．０ｇ（１６５ミリモル）、トルエン１２０ｍL、ジメチルホルムアミド１．２ｍLを６０℃に加熱した後、塩化チオニル２１．６ｇ（１８１ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱攪拌した。その後、あらかじめ４−ヒドロキシ安息香酸メチル２７．６ｇ（１８１ミリモル）をジメチルホルムアミド４０ｍLに溶解させた溶液をゆっくり添加し、８０℃で６時間加熱攪拌した後、反応液を室温まで冷却した後、メタノール１４０ｍLを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を２４．４ｇ（収率４７％）得た。なお、化合物の同定は^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。
¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ３．９２（ｍ，９Ｈ），６．５６（ｍ，２Ｈ），７．２７（ｍ，２Ｈ），８．０９（ｍ，３Ｈ）、
マススペクトル：ｍ／ｚ ３１７（Ｍ＋Ｈ）^＋、
得られた化合物の融点は１２２〜１２３℃であった。

［合成例２２：例示化合物Ａ−５１の合成］
２，４，５−トリメトキシ安息香酸 ４−ヨードフェニル２０．７ｇ（５０ミリモル）、エチニルベンゼン５．６１ｇ（５５ミルモル）、トリエチルアミン２７．８ｍＬ（２００ミルモル）、テトラヒドロフラン４０ｍＬを窒素雰囲気下、室温で攪拌し、塩化第一銅 １１４ｍｇ（０．６ミリモル）、トリフェニルホスフィン６５５ｍｇ（２．５ミリモル）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムジクロリド３５１ｍｇ（０．５ミリモル）を添加し、６０℃で６時間加熱攪拌した。その後反応液を室温まで冷却し、水４００ｍＬを添加した。得られた結晶を濾過し、メタノール１６０ｍＬで再結晶操作を行い、黄白色の結晶として目的化合物を１７．２ｇ（収率８９％）得た。
なお、化合物の同定は^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。
¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ３．９２（ｓ，３Ｈ），３．９５（ｓ，３Ｈ）４．００（ｓ，３Ｈ）６．５８（ｓ，１Ｈ），７．２２（ｍ，２Ｈ），７．３２（ｍ，３Ｈ）,７．５３−７．６２（ｍ，５Ｈ）、
マススペクトル：ｍ／ｚ ３８９（Ｍ＋Ｈ）^＋、
得られた化合物の融点は１２９〜１３０℃であった。

［合成例２３：例示化合物Ａ−５２の合成］
２，４，５−トリメトキシ安息香酸４２．４ｇ（０．２モル）、４−ヒドロキシベンスアルデヒド２６．８ｇ（０．２２モル）、トルエン１７０ｍＬ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１．７ｍＬを８０℃に加熱した後、塩化チオニル２６．０ｇ（０．２２モル）をゆっくりと滴下し、８０℃で６時間加熱した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチル、水、飽和食塩水で分液操作を行い、得られた有機相を硫酸ナトリウムで水分を除去した後、溶媒を減圧留去し、得られた固形物に、イソプロピルアルコール２４０ｍＬを加え、再結晶操作を行った。溶液を室温まで冷却し、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を４０．８ｇ（収率６５％）得た。なお、化合物の同定は^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルで行った。
¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ３．９２（ｓ，３Ｈ），３．９５（ｓ，３Ｈ）４．００（ｓ，３Ｈ），６．５８（ｓ，１Ｈ），７．３４（ｄ，２Ｈ），７．５９（ｓ，１Ｈ）,８．１７（ｄ，２Ｈ）、
マススペクトル：ｍ／ｚ ３１７（Ｍ＋Ｈ）^＋、
得られた化合物の融点は１０３〜１０５℃であった。

［合成例２４：例示化合物Ａ−５３の合成］
２，４，５−トリメトキシ安息香酸４−ホルミルフェニル４０ｇ（１２６ミリモル）、アセトニトリル４００ｍL中にリン酸二水素ナトリウム３．９３ｇ（２５．２ミリモル）を水５ｍLに溶解させた液を滴下した後、３５％過酸化水素水１８．３ｇを２０分間で滴下した後、和光純薬製純度８０％亜塩素酸ナトリウム１４．１ｇ（１２６ミリモル）を水４３ｍLに溶解させた液を２０分間で滴下した後、４．５時間室温で攪拌した。その後、水１００ｍLを添加し１０℃まで冷却した。得られた結晶をろ別し、メタノール５００ｍLで再結晶操作を行い、白色の結晶として目的化合物を２５．４ｇ（収率６０％）得た。
¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ３．９２（ｓ，３Ｈ），３．９５（ｓ，３Ｈ）４．００（ｓ，３Ｈ），６．５９（ｓ，１Ｈ），７．４０（ｄ，２Ｈ），７．５７（ｓ，１Ｈ）,７．９６（ｄ，２Ｈ），１０．０（ｓ，１Ｈ）、
マススペクトル：ｍ／ｚ ３３３（Ｍ＋Ｈ）^＋、
得られた化合物の融点は１８８〜１８９℃であった。

［合成例２５：例示化合物Ａ−５４の合成］
２，４，５−トリメトキシ安息香酸５．００ｇ（２３．５ミリモル）、安息香酸（４−ヒドロキシ）アニリド５．５２ｇ（２３．５ミリモル）、アセトニトリル５０ｍＬ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１．０ｍＬを７０℃に加熱した後、塩化チオニル３．４ｇ（２８．５ミルモル）をゆっくりと滴下し、７０℃で３時間加熱した。反応液を室温まで冷却した後、メタノール５０ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を８．１ｇ（収率８４％）得た。なお、化合物の同定は^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルで行った。
¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ３．９２（ｓ，３Ｈ），３．９５（ｓ，３Ｈ）４．００（ｓ，３Ｈ），６．６０（ｓ，１Ｈ），７．１２−８．１０（ｍ，１０Ｈ）、
マススペクトル：ｍ／ｚ ４０８（Ｍ＋Ｈ）^＋、
得られた化合物の融点は１８９〜１９０℃であった。

［合成例２６：例示化合物Ａ−５６の合成］
２−ヒドロキシ−４，５−ジメトキシ安息香酸８．５０ｇ（４２．８ミリモル）、４−シアノフェノール５．６２ｇ（４２．８ミルモル）トルエン４５ｍＬ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド０．５ｍＬを７０℃に加熱した後、塩化チオニル５．６ｇ（４７．１ミルモル）をゆっくりと滴下し、８０℃で３時間加熱した。反応液を室温まで冷却した後、メタノール５０ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を５．８ｇ（収率４５％）得た。なお、化合物の同定は^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）で行った。
¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ３．９２（ｓ，３Ｈ），３．９７（ｓ，３Ｈ），６．６７（ｓ，１Ｈ），７．３８（ｍ，３Ｈ）, ７．７７（ｄ，２Ｈ）,１０．２８（ｓ,１Ｈ）、
得られた化合物の融点は１４５〜１４６℃であった。

［合成例２７：例示化合物Ａ−５７の合成］
２−ヒドロキシ−４，５−ジメトキシ安息香酸８．５０ｇ（４２．８ミリモル）、４−ヒドロキシ安息香酸メチル７．１７ｇ（４２．８ミルモル）トルエン４５ｍＬ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド０．５ｍＬを７０℃に加熱した後、塩化チオニル６．１ｇ（５１．２ミルモル）をゆっくりと滴下し、８０℃で３時間加熱した。反応液を室温まで冷却した後、メタノール５０ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を６．９ｇ（収率４９％）得た。なお、化合物の同定は^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）で行った。
¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ３．９２（ｓ，３Ｈ），３．９７（ｓ，６Ｈ），６．５５（ｓ，１Ｈ），７．３１（ｄ，２Ｈ）, ７．４１（ｓ，１Ｈ）, ８．１６（ｄ，２Ｈ）,１０．４１（ｓ,１Ｈ）、
得られた化合物の融点は１２８℃であった。

［合成例２８：例示化合物Ａ−５８の合成］
合成例２と同様の方法でシアノフェノールの代わりにバニリン酸を用いることにより合成した。
得られた化合物の融点は２０１〜２０３℃であった。

［合成例２９：例示化合物Ａ−６２の合成］
合成例１０と同様の方法で２，４，５−トリメトキシ安息香酸の代わりに４−エトキシ−２−メトキシ安息香酸を用いることにより合成した。
得られた化合物の融点は８８〜８９℃であった。
［合成例３０：例示化合物Ａ−６３の合成］
合成例１０と同様の方法で２，４，５−トリメトキシ安息香酸の代わりに４−ヒドロキシ−２−メトキシ安息香酸を用いることにより合成した。
得られた化合物の融点は１０８〜１１３℃であった。
［合成例３１：例示化合物Ａ−６５の合成］
合成例２と同様の方法で２，４−ジメトキシ安息香酸の代わりに４−ヒドロキシ−２−メトキシ安息香酸を用いることにより合成した。
得られた化合物の融点は１４２〜１４４℃であった。

本発明における一般式（２）、（２−Ａ）〜（２−Ｅ）、（３）で表されるいずれかの化合物は少なくとも１種をセルロースアシレートに対して０．１〜２０質量％添加することが好ましく、より好ましくは０．５〜１６質量％、更に好ましくは１〜１２質量％、特に好ましくは２〜８質量％である。最も好ましくは３〜７質量％である。

［延伸フイルム］
本発明の延伸フイルムは製膜直後より、延伸手段によりフイルムの膜面が５％以上延伸されているフイルムであり、フイルムの素材はセルロースアシレートである。延伸倍率として好ましくは５〜５００％、より好ましくは５〜３００％、更に好ましくは５〜１００％、特に好ましくは１０〜４０％である。

［セルロースアシレート組成物］
本発明のセルロースアシレート組成物はセルロースアシレート（セルローストリアシレート、セルロースアシレートプロピオネート等が挙げられる。）と前記一般式（２）、（２−Ａ）〜（２−Ｅ）、（３）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種を含む組成物である。また、本発明においては異なる２種類以上のセルロースアシレートを混合して用いても良い。

好ましいセルロースアシレートは以下の素材を挙げることができる。すなわち、セルロースアシレートが、セルロースの水酸基への置換度が下記式（Ｉ）〜（III）の全てを満足するセルロースアシレートである。
（Ｉ） １．０≦ＳＡ＋ＳＢ≦３．０
（II） ０．５≦ＳＡ≦３．０
（III） ０≦ＳＢ≦１．５

ここで、式中ＳＡ及びＳＢはセルロースの水酸基に置換されているアシル基の置換基を表し、ＳＡはアセチル基の置換度、またＳＢは炭素原子数３〜２２のアシル基の置換度である。セルロースを構成するβ−１，４結合しているグルコース単位は、２位、３位および６位に遊離の水酸基を有している。セルロースアシレートは、これらの水酸基の一部または全部をアシル基によりエステル化した重合体（ポリマー）である。アシル置換度は、２位、３位および６位のそれぞれについて、セルロースがエステル化している割合（１００％のエステル化は置換度１）を意味する。本発明では、水酸基のＳＡとＳＢの置換度の総和は、より好ましくは１．５０〜２．９６であり、特に好ましくは２．００〜２．９５である。また、ＳＢの置換度は０〜１．５であり、特には０〜１．０である。さらにＳＢは好ましくはその２８％以上が６位水酸基の置換基部分であるが、より好ましくは３０％以上が６位水酸基の置換基であり、３５％以上がさらに好ましく、特には４０％以上が６位水酸基の置換基のものであることも好ましい。また更に、セルロースアシレートの６位のＳＡとＳＢの置換度の総和が０．８以上であり、さらには０．８５以上であり特には０．９０以上であるセルロースアシレートフイルムもあげることができる。

本発明においてセルロースアシレートの上記のＳＢを示す炭素数３〜２２のアシル基としては、脂肪族アシル基でも芳香族アシル基でもよく特に限定されない。それらは、例えばセルロースのアルキルカルボニルエステル、アルケニルカルボニルエステルあるいは芳香族カルボニルエステル、芳香族アルキルカルボニルエステルなどであり、それぞれさらに置換された基を有していてもよい。これらの好ましいＳＢを示す置換基としては、プロピオニル、ブタノイル、ヘプタノイル、ヘキサノイル、オクタノイル、デカノイル、ドデカノイル、トリデカノイル、テトラデカノイル、ヘキサデカノイル、オクタデカノイル、ｉｓｏ−ブタノイル、ピバロイル、シクロヘキサンカルボニル、オレイル、ベンゾイル、ナフチルカルボニル、シンナモイル基などを挙げることが出来る。これらの中でも、プロピオニル、ブタノイル、ドデカノイル、オクタデカノイル、ピバロイル、オレオイル、ベンゾイル、ナフチルカルボニル、シンナモイルなどである。

セルロースアシレートの合成方法の基本的な原理は、右田他、木材化学１８０〜１９０頁（共立出版、１９６８年）に記載されている。代表的な合成方法は、カルボン酸無水物−酢酸−硫酸触媒による液相酢化法である。具体的には、綿花リンタや木材パルプ等のセルロース原料を適当量の酢酸で前処理した後、予め冷却したカルボン酸化混液に投入してエステル化し、完全セルロースアシレート（２位、３位および６位のアシル置換度の合計が、ほぼ３．００）を合成する。上記カルボン酸化混液は、一般に溶媒としての酢酸、エステル化剤としての無水カルボン酸および触媒としての硫酸を含む。

無水カルボン酸は、これと反応するセルロースおよび系内に存在する水分の合計よりも、化学量論的に過剰量で使用することが普通である。アシル化反応終了後に、系内に残存している過剰の無水カルボン酸の加水分解およびエステル化触媒の一部の中和のために、中和剤（例えば、カルシウム、マグネシウム、鉄、アルミニウムまたは亜鉛の炭酸塩、酢酸塩または酸化物）の水溶液を添加する。次に、得られた完全セルロースアシレートを少量の酢化反応触媒（一般には、残存する硫酸）の存在下で、５０〜９０℃に保つことによりケン化熟成し、所望のアシル置換度および重合度を有するセルロースアシレートまで変化させる。所望のセルロースアシレートが得られた時点で、系内に残存している触媒を前記のような中和剤を用いて完全に中和するか、あるいは中和することなく水または希硫酸中にセルロースアシレート溶液を投入（あるいは、セルロースアシレート溶液中に、水または希硫酸を投入）してセルロースアシレートを分離し、洗浄および安定化処理によりセルロースアシレートを得る。

本発明のセルロースアシレートフイルムは、フイルムを構成するポリマー成分が実質的に上記の定義を有するセルロースアシレートからなることが好ましい。『実質的に』とは、ポリマー成分の５５質量％以上（好ましくは７０質量％以上、さらに好ましくは８０質量％以上）を意味する。残部は可塑剤、紫外線吸収剤などである。フイルム製造の原料としてセルロースアシレート組成物などを調製する際、セルロースアシレートの粒子を使用することが好ましい。使用する粒子の９０質量％以上は、０．５〜５ｍｍの粒子径を有することが好ましい。また、使用する粒子の５０質量％以上が１〜４ｍｍの粒子径を有することが好ましい。セルロースアシレート粒子は、なるべく球形に近い形状を有することが好ましい。

本発明で好ましく用いられるセルロースアシレートの重合度は、粘度平均重合度２００〜７００、好ましくは２５０〜５５０、更に好ましくは２５０〜４００であり、特に好ましくは粘度平均重合度２５０〜３５０である。平均重合度は、宇田らの極限粘度法（宇田和夫、斉藤秀夫、繊維学会誌、第１８巻第１号、１０５〜１２０頁、１９６２年）により測定できる。更に特開平９−９５５３８号公報に詳細に記載されている。

低分子成分が除去されると、平均分子量（重合度）が高くなるが、粘度は通常のセルロースアシレートよりも低くなるため有用である。低分子成分の少ないセルロースアシレートは、通常の方法で合成したセルロースアシレートから低分子成分を除去することにより得ることができる。低分子成分の除去は、セルロースアシレートを適当な有機溶媒で洗浄することにより実施できる。

なお、低分子成分の少ないセルロースアシレートを製造する場合、酢化反応における硫酸触媒量を、セルロース１００質量に対して０．５〜２５質量部に調整することが好ましい。硫酸触媒の量を上記範囲にすると、分子量分布の点でも好ましい（分子量分布の均一な）セルロースアシレートを合成することができる。本発明のセルロースアシレートの製造時に使用される際には、その含水率は２質量％以下であることが好ましく、さらに好ましくは１質量％以下であり、特には０．７質量％以下の含水率を有するセルロースアシレートである。一般に、セルロースアシレートは、水を含有しており２．５〜５質量％が知られている。本発明でセルロースアシレートの含水率を小さくにするためには、乾燥が必要であり、その方法は目的とする含水率（例えば２質量％以下）にできれば特に限定されない。

本発明のこれらのセルロースアシレートは、その原料綿や合成方法は発明協会公開技報（公技番号 ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて７頁〜１２頁に詳細に記載されている。

本発明のセルロースアシレートフイルムには、各調製工程において用途に応じた種々の添加剤（例えば、可塑剤、紫外線防止剤、劣化防止剤、光学異方性コントロール剤、微粒子、剥離剤、赤外吸収剤、など）を加えることができ、それらは固体でもよく油状物でもよい。すなわち、その融点や沸点において特に限定されるものではない。例えば２０℃以下と２０℃以上の紫外線吸収材料の混合や、同様に可塑剤の混合などであり、例えば特開平２００１−１５１９０１号などに記載されている。さらにまた、赤外吸収染料としては例えば特開平２００１−１９４５２２号に記載されている。またその添加する時期はドープ作製工程において何れで添加しても良いが、ドープ調製工程の最後の調製工程に添加剤を添加し調製する工程を加えて行ってもよい。

更にまた、各素材の添加量は機能が発現する限りにおいて特に限定されない。また、セルロースアシレートフイルムが多層から形成される場合、各層の添加物の種類や添加量が異なってもよい。例えば特開平２００１−１５１９０２号などに記載されているが、これらは従来から知られている技術である。

さらにこれらの詳細は、発明協会公開技報（公技番号 ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて１６頁〜２２頁に詳細に記載されている素材が好ましく用いられる。

本発明のセルロースアシレートが溶解される有機溶媒について記述する。
まず、本発明のセルロースアシレートの溶液を作製するに際して好ましく用いられる非塩素系有機溶媒について記載する。本発明においては、セルロースアシレートが溶解し流延，製膜できる範囲において、その目的が達成できる限りは非塩素系有機溶媒は特に限定されない。本発明で用いられる非塩素系有機溶媒は、炭素原子数が３〜１２のエステル、ケトン、エーテルから選ばれる溶媒が好ましい。

エステル、ケトンおよび、エーテルは、環状構造を有していてもよい。エステル、ケトンおよびエーテルの官能基（すなわち、−Ｏ−、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−）のいずれかを２つ以上有する化合物も、主溶媒として用いることができ、たとえばアルコール性水酸基のような他の官能基を有していてもよい。２種類以上の官能基を有する主溶媒の場合、その炭素原子数はいずれかの官能基を有する化合物の規定範囲内であればよい。

炭素原子数が３〜１２のエステル類の例には、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテートおよびペンチルアセテートが挙げられる。炭素原子数が３〜１２のケトン類の例には、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンおよびメチルシクロヘキサノンが挙げられる。炭素原子数が３〜１２のエーテル類の例には、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、テトラヒドロフラン、アニソールおよびフェネトールが挙げられる。二種類以上の官能基を有する有機溶媒の例には、２−エトキシエチルアセテート、２−メトキシエタノールおよび２−ブトキシエタノールが挙げられる。

以上のセルロースアシレートに用いられる非塩素系有機溶媒については、前述のいろいろな観点から選定されるが、好ましくは以下のとおりである。すなわち、本発明のセルロースアシレートの好ましい溶媒は、互いに異なる３種類以上の混合溶媒であって、第１の溶媒が酢酸メチル、酢酸エチル、蟻酸メチル、蟻酸エチル、アセトン、ジオキソラン、ジオキサンから選ばれる少なくとも一種あるいは或いはそれらの混合液であり、第２の溶媒が炭素原子数が４〜７のケトン類またはアセト酢酸エステルから選ばれ、第３の溶媒として炭素数が１〜１０のアルコールまたは炭化水素から選ばれ、より好ましくは炭素数１〜８のアルコールである。

なお第１の溶媒が、２種以上の溶媒の混合液である場合は、第２の溶媒がなくてもよい。第１の溶媒は、さらに好ましくは酢酸メチル、アセトン、蟻酸メチル、蟻酸エチルあるいはこれらの混合物であり、第２の溶媒は、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、アセチル酢酸メチルが好ましく、これらの混合液であってもよい。

第３の溶媒であるアルコールの好ましくは、直鎖であっても分枝を有していても環状であってもよく、その中でも飽和脂肪族炭化水素であることが好ましい。アルコールの水酸基は、第一級〜第三級のいずれであってもよい。アルコールの例には、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、ｔ−ブタノール、１−ペンタノール、２−メチル−２−ブタノールおよびシクロヘキサノールが含まれる。なおアルコールとしては、フッ素系アルコールも用いられる。例えば、２−フルオロエタノール、２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノールなども挙げられる。

さらに炭化水素は、直鎖であっても分岐を有していても環状であってもよい。芳香族炭化水素と脂肪族炭化水素のいずれも用いることができる。脂肪族炭化水素は、飽和であっても不飽和であってもよい。炭化水素の例には、シクロヘキサン、ヘキサン、ベンゼン、トルエンおよびキシレンが含まれる。これらの第３の溶媒であるアルコールおよび炭化水素は単独でもよいし２種類以上の混合物でもよく特に限定されない。第３の溶媒としては、好ましい具体的化合物は、アルコールとしてはメタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、およびシクロヘキサノール、シクロヘキサン、ヘキサンを挙げることができ、特にはメタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノールである。

以上の３種類の混合溶媒は、第１の溶媒が２０〜９５質量％、第２の溶媒が２〜６０質量％さらに第３の溶媒が２〜３０質量％の比率で含まれることが好ましく、さらに第１の溶媒が３０〜９０質量％であり、第２の溶媒が３〜５０質量％、さらに第３のアルコールが３〜２５質量％含まれることが好ましい。また特に第１の溶媒が３０〜９０質量％であり、第２の溶媒が３〜３０質量％、第３の溶媒がアルコールであり３〜１５質量％含まれることが好ましい。

なお、第１の溶媒が混合液で第２の溶媒を用いない場合は、第１の溶媒が２０〜９０質量％、第３の溶媒が５〜３０質量％の比率で含まれることが好ましく、さらに第１の溶媒が３０〜８６質量％であり、さらに第３の溶媒が７〜２５質量％含まれることが好ましい。以上の本発明で用いられる非塩素系有機溶媒は、さらに詳細には発明協会公開技報（公技番号 ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて１２頁〜１６頁に詳細に記載されている。本発明の好ましい非塩素系有機溶媒の組合せは以下挙げることができるが、これらに限定されるものではない。

・酢酸メチル／アセトン／メタノール／エタノール／ブタノール（７５／１０／５／５／５、質量部）、
・酢酸メチル／アセトン／メタノール／エタノール／プロパノール（７５／１０／５／５／５、質量部）、
・酢酸メチル／アセトン／メタノール／ブタノール／シクロヘキサン（７５／１０／５／５／５、質量部）、
・酢酸メチル／アセトン／エタノール／ブタノール（８１／８／７／４、質量部）
・酢酸メチル／アセトン／エタノール／ブタノール（８２／１０／４／４、質量部）
・酢酸メチル／アセトン／エタノール／ブタノール（８０／１０／４／６、質量部）
・酢酸メチル／メチルエチルケトン／メタノール／ブタノール（８０／１０／５／５、質量部）、
・酢酸メチル／アセトン／メチルエチルケトン／エタノール／イソプロパノール（７５／１０／１０／５／７、質量部）、
・酢酸メチル／シクロペンタノン／メタノール／イソプロパノール（８０／１０／５／８、質量部）、
・酢酸メチル／アセトン／ブタノール（８５／５／５、質量部）、
・酢酸メチル／シクロペンタノン／アセトン／メタノール／ブタノール（６０／１５／１５／５／６、質量部）、
・酢酸メチル／シクロヘキサノン／メタノール／ヘキサン（７０／２０／５／５、質量部）、
・酢酸メチル／メチルエチルケトン／アセトン／メタノール／エタノール （５０／２０／２０／５／５、質量部）、
・酢酸メチル／１、３ジオキソラン／メタノール／エタノール （７０／２０／５／５、質量部）、
・酢酸メチル／ジオキサン／アセトン／メタノール／エタノール （６０／２０／１０／５／５、質量部）、
・酢酸メチル／アセトン／シクロペンタノン／エタノール／イソブタノール／シクロヘキサン （６５／１０／１０／５／５／５、質量部）、

・ギ酸メチル／メチルエチルケトン／アセトン／メタノール／エタノール （５０／２０／２０／５／５、質量部）、
・ギ酸メチル／アセトン／酢酸エチル／エタノール／ブタノール／ヘキサン （６５／１０／１０／５／５／５、質量部）、
・アセトン／アセト酢酸メチル／メタノール／エタノール （６５／２０／１０／５、質量部）、
・アセトン／シクロペンタノン／エタノール／ブタノール （６５／２０／１０／５、質量部）、
・アセトン／１，３ジオキソラン／エタノール／ブタノール （６５／２０／１０／５、質量部）、
・１、３ジオキソラン／シクロヘキサノン／メチルエチルケトン／メタノール／ブタノール （５５／２０／１０／５／５／５、質量部）
などをあげることができる。

更に下記の方法でセルロースアシレート溶液を用いることもできる。
本技術に用いるドープには、上記本技術の非塩素系有機溶媒以外に、ジクロロメタンを全有機溶媒量の１０質量％以下含有させてもよい。

また、本発明のセルロースアシレートの溶液（組成液）を作製するに際しては、場合により主溶媒として塩素系有機溶媒も用いられ以下に記載する。本発明においては、セルロースアシレートが溶解し流延，製膜できる範囲において、その目的が達成できる限りはその塩素系有機溶媒は特に限定されない。これらの塩素系有機溶媒は、好ましくはジクロロメタン、クロロホルムである。特にジクロロメタンが好ましい。

また、塩素系有機溶媒以外の有機溶媒を混合することも特に問題ない。その場合は、ジクロロメタンは少なくとも５０質量％使用することが必要である。本発明の併用される非塩素系有機溶媒について以下に記す。すなわち、好ましい非塩素系有機溶媒としては、炭素原子数が３〜１２のエステル、ケトン、エーテル、アルコール、炭化水素などから選ばれる溶媒が好ましい。エステル、ケトン、エーテルおよびアルコールは、環状構造を有していてもよい。エステル、ケトンおよびエーテルの官能基（すなわち、−Ｏ−、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−）のいずれかを二つ以上有する化合物も溶媒として用いることができ、たとえばアルコール性水酸基のような他の官能基を同時に有していてもよい。二種類以上の官能基を有する溶媒の場合、その炭素原子数はいずれかの官能基を有する化合物の規定範囲内であればよい。炭素原子数が３〜１２のエステル類の例には、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテートおよびペンチルアセテートが挙げられる。

炭素原子数が３〜１２のケトン類の例には、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンおよびメチルシクロヘキサノンが挙げられる。炭素原子数が３〜１２のエーテル類の例には、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、テトラヒドロフラン、アニソールおよびフェネトールが挙げられる。二種類以上の官能基を有する有機溶媒の例には、２−エトキシエチルアセテート、２−メトキシエタノールおよび２−ブトキシエタノールが挙げられる。

また塩素系有機溶媒と併用されるアルコールとしては、好ましくは直鎖であっても分枝を有していても環状であってもよく、その中でも飽和脂肪族炭化水素であることが好ましい。アルコールの水酸基は、第一級〜第三級のいずれであってもよい。アルコールの例には、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、ｔ−ブタノール、１−ペンタノール、２−メチル−２−ブタノールおよびシクロヘキサノールが含まれる。なおアルコールとしては、フッ素系アルコールも用いられる。例えば、２−フルオロエタノール、２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノールなども挙げられる。

さらに炭化水素は、直鎖であっても分岐を有していても環状であってもよい。芳香族炭化水素と脂肪族炭化水素のいずれも用いることができる。脂肪族炭化水素は、飽和であっても不飽和であってもよい。炭化水素の例には、シクロヘキサン、ヘキサン、ベンゼン、トルエンおよびキシレンが含まれる。

以上のセルロースアシレートに対して用いられる主溶媒である塩素系有機溶媒と併用される非塩素系有機溶媒については、特に限定されないが、酢酸メチル、酢酸エチル、蟻酸メチル、蟻酸エチル、アセトン、ジオキソラン、ジオキサン、炭素原子数が４〜７のケトン類またはアセト酢酸エステル、炭素数が１〜１０のアルコールまたは炭化水素から選ばれる。なお好ましい併用される非塩素系有機溶媒は、酢酸メチル、アセトン、蟻酸メチル、蟻酸エチル、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、アセチル酢酸メチル、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、およびシクロヘキサノール、シクロヘキサン、ヘキサンを挙げることができる。本発明の好ましい主溶媒である塩素系有機溶媒の組合せとしては以下を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。

・ジクロロメタン／メタノール／エタノール／ブタノール（７５／１０／５／５、質量部）、
・ジクロロメタン／アセトン／メタノール／プロパノール（８０／１０／５／５、質量部）、
・ジクロロメタン／メタノール／ブタノール／シクロヘキサン（７５／１０／５／５、質量部）、
・ジクロロメタン／メチルエチルケトン／メタノール／ブタノール（８０／１０／５／５、質量部）、
・ジクロロメタン／アセトン／メチルエチルケトン／エタノール／イソプロパノール（７５／１０／１０／５／７、質量部）、
・ジクロロメタン／シクロペンタノン／メタノール／イソプロパノール（８０／１０／５／８、質量部）、
・ジクロロメタン／酢酸メチル／ブタノール（８０／１０／１０、質量部）、
・ジクロロメタン／シクロヘキサノン／メタノール／ヘキサン（７０／２０／５／５、質量部）、
・ジクロロメタン／メチルエチルケトン／アセトン／メタノール／エタノール （５０／２０／２０／５／５、質量部）、
・ジクロロメタン／１、３ジオキソラン／メタノール／エタノール （７０／２０／５／５、質量部）、
・ジクロロメタン／ジオキサン／アセトン／メタノール／エタノール （６０／２０／１０／５／５、質量部）、
・ジクロロメタン／アセトン／シクロペンタノン／エタノール／イソブタノール／シクロヘキサン （６５／１０／１０／５／５／５、質量部）、
・ジクロロメタン／メチルエチルケトン／アセトン／メタノール／エタノール （７０／１０／１０／５／５、質量部）、
・ジクロロメタン／アセトン／酢酸エチル／エタノール／ブタノール／ヘキサン （６５／１０／１０／５／５／５、質量部）、
・ジクロロメタン／アセト酢酸メチル／メタノール／エタノール （６５／２０／１０／５、質量部）、
・ジクロロメタン／シクロペンタノン／エタノール／ブタノール （６５／２０／１０／５、質量部）、
などをあげることができる。

本発明のセルロースアシレートは、有機溶媒に濃度１０〜３０質量％で溶解していることが好ましいが、より好ましくは濃度１３〜２７質量％であり、特に濃度１５〜２５質量％溶解しているセルロースアシレート溶液であることが好ましい。これらの濃度にセルロースアシレートを実施する方法は、溶解する段階で所定の濃度になるように実施してもよく、また予め低濃度溶液（例えば９〜１４質量％）として作製した後に後述する濃縮工程で所定の高濃度溶液に調整してもよい。さらに、予め高濃度のセルロースアシレート溶液として後に、種々の添加物を添加することで所定の低濃度のセルロースアシレート溶液としてもよく、いずれの方法で本発明のセルロースアシレート溶液濃度になるように実施されれば特に問題ない。

本発明ではセルロースアシレート溶液を同一組成の有機溶媒で０．１〜５質量％にした希釈溶液のセルロースアシレートの会合体分子量が１５万〜１５００万であることが好ましい。さらに好ましくは、会合分子量が１８万〜９００万である。この会合分子量は静的光散乱法で求めることができる。その際に同時に求められる慣性自乗半径は１０〜２００ｎｍになるように溶解することが好ましい。さらに好ましい慣性自乗半径は２０〜２００ｎｍである。更にまた、第２ビリアル係数が−２×１０⁻⁴〜４×１０⁻⁴となるように溶解することが好ましく、より好ましくは第２ビリアル係数が−２×１０⁻⁴〜２×１０⁻⁴である。ここで、本発明での会合分子量、さらに慣性自乗半径および第２ビリアル係数の定義について述べる。

これらは下記方法に従って、静的光散乱法を用いて測定した。測定は装置の都合上希薄領域で測定したが、これらの測定値は本発明の高濃度域でのドープの挙動を反映するものである。まず、セルロースアシレートをドープに使用する溶剤に溶かし、０．１質量%、０．２質量%、０．３質量%、０．４質量%の溶液を調製した。なお、秤量は吸湿を防ぐためセルロースアシレートは１２０℃で２時間乾燥したものを用い、２５℃，１０％ＲＨで行った。溶解方法は、ドープ溶解時に採用した方法(常温溶解法、冷却溶解法、高温溶解法)に従って実施した。

続いてこれらの溶液、および溶剤を０．２μmのテフロン（登録商標）製フィルターで濾過した。そして、ろ過した溶液を静的光散乱を、光散乱測定装置（大塚電子（株）製ＤＬＳ−７００）を用い、２５℃に於いて３０度から１４０度まで１０度間隔で測定した。得られたデータをＢＥＲＲＹプロット法にて解析した。なお、この解析に必要な屈折率はアッベ屈折系で求めた溶剤の値を用い、屈折率の濃度勾配（ｄｎ／ｄｃ）は、示差屈折計（大塚電子（株）製ＤＲＭ−１０２１）を用い、光散乱測定に用いた溶剤、溶液を用いて測定した。

次に本発明のセルロースアシレート溶液（ドープ）の調製については、その溶解方法は特に限定されず、室温でもよくさらには冷却溶解法あるいは高温溶解方法、さらにはこれらの組み合わせで実施される。これらに関しては、例えば特開平５−１６３３０１、特開昭６１−１０６６２８、特開昭５８−１２７７３７、特開平９−９５５４４、特開平１０−９５８５４、特開平１０−４５９５０、特開２０００−５３７８４、特開平１１−３２２９４６、さらに特開平１１−３２２９４７、特開平２−２７６８３０、特開２０００−２７３２３９、特開平１１−７１４６３、特開平０４−２５９５１１、特開２０００−２７３１８４、特開平１１−３２３０１７、特開平１１−３０２３８８などの各号公報にセルロースアシレート溶液の調製法、が記載されている。以上記載したこれらのセルロースアシレートの有機溶媒への溶解方法は、本発明においても適宜本発明の範囲であればこれらの技術を適用できるものである。

これらの詳細は、特に非塩素系溶媒系については発明協会公開技報（公技番号 ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて２２頁〜２５頁に詳細に記載されている方法で実施される。さらに本発明のセルロースアシレートのドープ溶液は、溶液濃縮，ろ過が通常実施され、同様に発明協会公開技報（公技番号 ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて２５頁に詳細に記載されている。なお、高温度で溶解する場合は、使用する有機溶媒の沸点以上の場合がほとんどであり、その場合は加圧状態で用いられる。

本発明のセルロースアシレート溶液は、その溶液の粘度と動的貯蔵弾性率がある範囲であることが好ましい。試料溶液１ｍＬをレオメーター（ＣＬＳ ５００）に直径 ４ｃｍ／２°のＳｔｅｅｌ Ｃｏｎｅ（共にＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｎｔｓ社製）を用いて測定した。測定条件はＯｓｃｉｌｌａｔｉｏｎ Ｓｔｅｐ／Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｒａｍｐで ４０℃〜−１０℃の範囲を２℃／分で可変して測定し、４０℃の静的非ニュートン粘度 ｎ^＊（Ｐａ・ｓ）および−５℃の貯蔵弾性率Ｇ’（Ｐａ）を求めた。尚、試料溶液は予め測定開始温度にて液温一定となるまで保温した後に測定を開始した。本発明では、４０℃での粘度が１〜４００Ｐａ・ｓであり、１５℃での動的貯蔵弾性率が５００Ｐａ以上が好ましく、より好ましくは４０℃での粘度が１０〜２００Ｐａ・ｓであり、１５℃での動的貯蔵弾性率が１００〜１００万が好ましい。さらには低温での動的貯蔵弾性率が大きいほど好ましく、例えば流延支持体が−５℃の場合は動的貯蔵弾性率が−５℃で１万〜１００万Ｐａであることが好ましく、支持体が−５０℃の場合は−５０℃での動的貯蔵弾性率が１万〜５００万Ｐａが好ましい。

［セルロースアシレートフイルム］
次に、本発明の一般式（２）又は（２−Ａ）〜（２−Ｅ）のいずれかの化合物を少なくとも１種を含有するフィルムに関して説明する。フイルムの素材はセルロースアシレートである。

次に、本発明のセルロースアシレートフィルムの製造方法について述べる。

本発明のセルロースアシレートフイルムを製造する方法及び設備は、従来セルローストリアセテートフイルム製造に供する溶液流延製膜方法及び溶液流延製膜装置が用いられる。溶解機（釜）から調製されたドープ（セルロースアシレート溶液）を貯蔵釜で一旦貯蔵し、ドープに含まれている泡を脱泡して最終調製をする。ドープをドープ排出口から、例えば回転数によって高精度に定量送液できる加圧型定量ギヤポンプを通して加圧型ダイに送り、ドープを加圧型ダイの口金（スリット）からエンドレスに走行している流延部の金属支持体の上に均一に流延され、金属支持体がほぼ一周した剥離点で、生乾きのドープ膜（ウェブとも呼ぶ）を金属支持体から剥離する。

得られるウェブの両端をクリップで挟み、幅保持しながらテンターで搬送して乾燥し、続いて乾燥装置のロール群で搬送し乾燥を終了して巻き取り機で所定の長さに巻き取る。テンターとロール群の乾燥装置との組み合わせはその目的により変わる。ハロゲン化銀写真感光材料や電子ディスプレイ用機能性保護膜に用いる溶液流延製膜方法においては、溶液流延製膜装置の他に、下引層、帯電防止層、ハレーション防止層、保護層等のフイルムへの表面加工のために、塗布装置が付加されることが多い。これらの各製造工程については、発明協会公開技報（公技番号 ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて２５頁〜３０頁に詳細に記載され、流延（共流延を含む），金属支持体，乾燥，剥離，延伸などに分類される。

ここで、本発明においては流延部の空間温度は特に限定されないが、−５０〜５０℃であることが好ましい。更には−３０〜４０℃であることが好ましく、特には−２０〜３０℃であることが好ましい。特に低温での空間温度により流延されたセルロースアシレート溶液は、支持体の上で瞬時に冷却されゲル強度アップすることでその有機溶媒を含んだフイルムを保持することができる。これにより、セルロースアシレートから有機溶媒を蒸発させることなく、支持体から短時間で剥ぎ取りことが可能となり、高速流延が達成できるものである。なお、空間を冷却する手段としては通常の空気でもよいし窒素やアルゴン、ヘリウムなどでもよく特に限定されない。またその場合の湿度は０〜７０％ＲＨが好ましく、さらには０〜５０％ＲＨが好ましい。また、本発明ではセルロースアシレート溶液を流延する流延部の支持体の温度が−５０〜１３０℃であり、好ましくは−３０〜２５℃であり、更には−２０〜１５℃である。流延部を本発明の温度に保つためには、流延部に冷却した気体を導入して達成してもよく、あるいは冷却装置を流延部に配置して空間を冷却してもよい。この時、水が付着しないように注意することが重要であり、乾燥した気体を利用するなどの方法で実施できる。

本発明においてその各層の内容と流延については、特に以下の構成が好ましい。すなわち、セルロースアシレート溶液が２５℃において、少なくとも一種の液体又は固体の可塑剤をセルロースアシレートに対して０．１〜２０質量％含有しているセルロースアシレート溶液であること、及び／又は少なくとも一種の液体又は固体の紫外線吸収剤をセルロースアシレートに対して０．００１〜５質量％含有しているセルロースアシレート溶液であること、及び／又は少なくとも一種の固体でその平均粒径が５〜３０００ｎｍである微粒子粉体をセルロースアシレートに対して０．００１〜５質量％含有しているセルロースアシレート溶液であること、及び／又は少なくとも一種のフッ素系界面活性剤をセルロースアシレートに対して０．００１〜２質量％含有しているセルロースアシレート溶液であること、及び／又は少なくとも一種の剥離剤をセルロースアシレートに対して０．０００１〜２質量％含有しているセルロースアシレート溶液であること、及び／又は少なくとも一種の劣化防止剤をセルロースアシレートに対して０．０００１〜２質量％含有しているセルロースアシレート溶液であること、及び／又は少なくとも一種の光学異方性コントロール剤をセルロースアシレートに対して０．１〜１５質量％含有していること、及び／又は少なくとも一種の赤外吸収剤をセルロースアシレートに対して０．１〜５質量％含有しているセルロースアシレート溶液であること、を特徴とするセルロースアシレート溶液およびそれから作製されるセルロースアシレートフイルムが好ましい。

流延工程では１種類のセルロースアシレート溶液を単層流延してもよいし、２種類以上のセルロースアシレート溶液を同時及び又は逐次共流延しても良い。２層以上からなる流延工程を有する場合は、作製されるセルロースアシレート溶液及びセルロースアシレートフイルムにおいて、各層の塩素系溶媒の組成が同一であるか異なる組成のどちらか一方であること、各層の添加剤が一種類であるかあるいは２種類以上の混合物のどちらか一方であること、各層への添加剤の添加位置が同一層であるか異なる層のどちらか一方であること、添加剤の溶液中の濃度が各層とも同一濃度であるかあるいは異なる濃度のどちらか一方であること、各層の会合体分子量が同一であるかあるいは異なる会合体分子量のどちらか一方であること、各層の溶液の温度が同一であるか異なる温度のどちらか一方であること、また各層の塗布量が同一か異なる塗布量のどちらか一方であること、各層の粘度が同一であるか異なる粘度のどちらか一方であること、各層の乾燥後の膜厚が同一であるか異なる厚さのどちらか一方であること、さらに各層に存在する素材が同一状態あるいは分布であるか異なる状態あるいは分布であること、各層の物性が同一であるかあるいは異なる物性のどちらか一方であること、各層の物性が均一であるか異なる物性の分布のどちらか一方であること、を特徴とするセルロースアシレート溶液及びその溶液から作製されるセルロースアシレートフイルムであることも好ましい。

ここで、物性とは発明協会公開技報（公技番号 ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）の６頁〜７頁に詳細に記載されている物性を含むものであり、例えばヘイズ、透過率、分光特性、レターゼーションＲｅ、同Ｒｔｈ、分子配向軸、軸ズレ、引裂強度、耐折強度、引張強度、巻き内外Ｒｔ差、キシミ、動摩擦、アルカリ加水分解、カール値、含水率、残留溶剤量、熱収縮率、高湿寸度評価、透湿度、ベースの平面性、寸法安定性、熱収縮開始温度、弾性率、及び輝点異物の測定などであり、さらにはベースの 評価に用いられるインピーダンス、面状も含まれるものである。
また、発明協会公開技報（公技番号 ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて１１頁に詳細に記載されているセルロースアシレートのイエローインデックス、透明度、熱物性（Ｔｇ、結晶化熱）なども挙げることが出来る。

セルロースアシレートフイルムは、場合により表面処理を行うことによって、セルロースアシレートフイルムと各機能層（例えば、下塗層およびバック層）との接着の向上を達成することができる。例えばグロー放電処理、紫外線照射処理、コロナ処理、火炎処理、酸またはアルカリ処理を用いることができる。ここでいうグロー放電処理とは、１０^−３〜２０Ｔｏｒｒの低圧ガス下でおこる低温プラズマでもよく、更にまた大気圧下でのプラズマ処理も好ましい。

プラズマ励起性気体とは上記のような条件においてプラズマ励起される気体をいい、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン、窒素、二酸化炭素、テトラフルオロメタンの様なフロン類及びそれらの混合物などがあげられる。これらについては、詳細が発明協会公開技報（公技番号 ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて３０頁〜３２頁に詳細に記載されている。なお、近年注目されている大気圧でのプラズマ処理は、例えば１０〜１０００Ｋｅｖ下で２０〜５００Ｋｇｙの照射エネルギーが用いられ、より好ましくは３０〜５００Ｋｅｖ下で２０〜３００Ｋｇｙの照射エネルギーが用いられる。これらの中でも特に好ましくは、アルカリ鹸化処理でありセルロースアシレートフイルムの表面処理としては極めて有効である。

アルカリ鹸化処理は、鹸化液を塗布することで行う。塗布方法としては、ディップコーティング法、カーテンコーティング法、エクストルージョンコーティング法、バーコーティング法およびＥ型塗布法を挙げることができる。アルカリ鹸化処理塗布液の溶媒は、鹸化液の透明支持体に対して塗布するために濡れ性が良く、また鹸化液溶媒によって透明支持体表面に凹凸を形成させずに、面状を良好なまま保つ溶媒を選択することが好ましい。具体的には、アルコール系溶媒が好ましく、イソプロピルアルコールが特に好ましい。

また、界面活性剤の水溶液を溶媒として使用することもできる。アルカリ鹸化塗布液のアルカリは、上記溶媒に溶解するアルカリが好ましく、ＫＯＨ、ＮａＯＨがさらに好ましい。鹸化塗布液のｐＨは１０以上が好ましく、１２以上がさらに好ましい。アルカリ鹸化時の反応条件は、室温で１秒以上５分以下が好ましく、５秒以上５分以下がさらに好ましく、２０秒以上３分以下が特に好ましい。アルカリ鹸化反応後、鹸化液塗布面を水洗あるいは酸で洗浄したあと水洗することが好ましい。
また、塗布式鹸化処理と後述の配向膜解塗設を、連続して行うことができ、工程数を減少できる。

フイルムと乳剤層との接着を達成するために、表面活性化処理をしたのち、直接セルロースアシレートフイルム上に機能層を塗布して接着力を得る方法と、一旦何がしかの表面処理をした後、あるいは表面処理なしで、下塗層（接着層）を設けこの上に機能層を塗布する方法とがある。これらの下塗層についての詳細は、発明協会公開技報（公技番号 ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて３２頁に記載されている。また本発明のセルロースアシレートフイルムの機能性層についても各種の機能層が発明協会公開技報（公技番号 ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて３２頁〜４５頁に詳細に記載されている。

本発明のセルロースアシレートフイルムの光学性能に関して説明する。エリプソメーター（ＡＥＰ−１００、島津製作所（株）製）を用いて、波長６３２．８ｎｍで測定した面内の縦横の屈折率差にフイルム膜厚を乗じた値として、下記式に従って求める。
Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ
Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ
ｎｘ：遅相軸方向（屈折率が最大となる方向）の屈折率
ｎｙ：遅相軸に直交する方向の屈折率
ｎｚ：厚さ方向の屈折率
ｄ ：フイルムの厚さ（単位：ｎｍ）

本発明で作製されたセルロースアシレートの用途についてまず簡単に述べる。本発明の光学フイルムは特に偏光板保護フイルム用、液晶表示装置の光学補償シート、反射型液晶表示装置の光学補償シート、ハロゲン化銀写真感光材料用支持体として有用である。
したがって本発明のフィルムの厚さはこれらの用途によって定まり、特に制限はないが、好ましくは３０μｍ以上、より好ましくは３０〜２００μｍである。

偏光板保護フイルムとして用いる場合、偏光板の作製方法は特に限定されず、一般的な方法で作製することができる。得られたセルロースアシレートフイルムをアルカリ処理し、ポリビニルアルコールフイルムを沃素溶液中に浸漬延伸して作製した偏光子の両面に完全ケン化ポリビニルアルコール水溶液を用いて貼り合わせる方法がある。アルカリ処理の代わりに特開平６−９４９１５号、特開平６−１１８２３２号に記載されているような易接着加工を施してもよい。保護フイルム処理面と偏光子を貼り合わせるのに使用される接着剤としては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルコール系接着剤や、ブチルアクリレート等のビニル系ラテックス等が挙げられる。偏光板は偏光子及びその両面を保護する保護フイルムで構成されており、更に該偏光板の一方の面にプロテクトフイルムを、反対面にセパレートフイルムを貼合して構成される。プロテクトフイルム及びセパレートフイルムは偏光板出荷時、製品検査時等において偏光板を保護する目的で用いられる。

この場合、プロテクトフイルムは、偏光板の表面を保護する目的で貼合され、偏光板を液晶板へ貼合する面の反対面側に用いられる。又、セパレートフイルムは液晶板へ貼合する接着層をカバーする目的で用いられ、偏光板を液晶板へ貼合する面側に用いられる。液晶表示装置には通常２枚の偏光板の間に液晶を含む基板が配置されているが、本発明の光学フイルムを適用した偏光板保護フイルムはどの部位に配置しても優れた表示性が得られる。特に液晶表示装置の表示側最表面の偏光板保護フイルムには透明ハードコート層、防眩層、反射防止層等が設けられるため、該偏光板保護フイルムをこの部分に用いることが特に好ましい。

本発明のセルロースアシレートフイルムは、様々な用途で用いることができ、液晶表示装置の光学補償シートとして用いると特に効果がある。本発明のセルロースアシレートフイルムは、様々な表示モードの液晶セルに用いることができる。ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）、ＡＦＬＣ（Ａｎｔｉ−ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｏｒｙ Ｂｅｎｄ）、ＳＴＮ（Ｓｕｐｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ Ａｌｉｇｎｅｄ）およびＨＡＮ（Ｈｙｂｒｉｄ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）のような様々な表示モードが提案されている。また、上記表示モードを配向分割した表示モードも提案されている。

セルロースアシレートフイルムは、いずれの表示モードの液晶表示装置においても有効である。また、透過型、反射型、半透過型のいずれの液晶表示装置においても有効である。本発明のセルロースアシレートフイルムを、ＴＮモードの液晶セルを有するＴＮ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体として用いてもよい。本発明のセルロースアシレートフイルムを、ＳＴＮモードの液晶セルを有するＳＴＮ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体として用いてもよい。

一般的にＳＴＮ型液晶表示装置では、液晶セル中の棒状液晶性分子が９０〜３６０度の範囲にねじられており、棒状液晶性分子の屈折率異方性（△ｎ）とセルギャップ（ｄ）との積（△ｎｄ）が３００〜１５００ｎｍの範囲にある。ＳＴＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、特開２０００−１０５３１６号公報に記載がある。本発明のセルロースアシレートフイルムは、ＶＡモードの液晶セルを有するＶＡ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体として特に有利に用いられる。本発明のセルロースアシレートフイルムは、ＯＣＢモードの液晶セルを有するＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮモードの液晶セルを有するＨＡＮ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体としても有利に用いられる。

本発明のセルロースアシレートフイルムは、ＴＮ型、ＳＴＮ型、ＨＡＮ型、ＧＨ（Ｇｕｅｓｔ−Ｈｏｓｔ）型の反射型液晶表示装置の光学補償シートとしても有利に用いられる。これらの表示モードは古くから良く知られている。ＴＮ型反射型液晶表示装置については、特開平１０−１２３４７８号、ＷＯ９８４８３２０号、特許第３０２２４７７号の各公報に記載がある。反射型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、ＷＯ００−６５３８４号に記載がある。本発明のセルロースアシレートフイルムは、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏｃｅｌｌ ）モードの液晶セルを有するＡＳＭ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体としても有利に用いられる。ＡＳＭモードの液晶セルは、セルの厚さが位置調整可能な樹脂スペーサーにより維持されているとの特徴がある。

その他の性質は、ＴＮモードの液晶セルと同様である。ＡＳＭモードの液晶セルとＡＳＭ型液晶表示装置については、クメ（Ｋｕｍｅ）他の論文（Ｋｕｍｅ ｅｔ ａｌ．， ＳＩＤ ９８ Ｄｉｇｅｓｔ １０８９ （１９９８））に記載がある。以上述べてきたこれらの詳細なセルロースアシレートフイルムの用途は発明協会公開技報（公技番号 ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて４５頁〜５９頁に詳細に記載されている。

次に、本発明を実施例に基づき、更に詳細に説明するが、本発明は下記実施例によって何ら限定されることはない。
［実施例１］
下記のセルロースアセテート溶液組成の各成分をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液を調製した。

（セルロースアセテート溶液組成）
酢化度６０．９％のセルロースアセテート １００質量部
トリフェニルホスフェート（可塑剤） ７．８質量部
ビフェニルジフェニルホスフェート（可塑剤） ３．９質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ３１８質量部
メタノール（第２溶媒） ４７質量部

別のミキシングタンクに、本発明の化合物、または比較化合物１６質量部、メチレンクロライド８７質量部およびメタノール１３質量部を投入し、加熱しながら攪拌して、レターデーション制御剤溶液を調製した。
セルロースアセテート溶液４７４質量部にレターデーション制御（上昇）剤溶液３６質量部を混合し、充分に攪拌してドープを調製した。レターデーション調整剤の添加量は、セルロースアセテート１００質量部に対して、５．０質量部であった（４．８質量％）。

得られたドープを、バンド流延機を用いて流延した。残留溶剤量が１５質量％のフイルムを、１３０℃の条件で、テンターを用いて２６％の延伸倍率で横延伸して、セルロースアセテートフイルム（厚さ：８０μｍ）を製造した。作製したセルロースアセテートフイルム（光学補償シート）について、エリプソメーター（Ｍ−１５０、日本分光（株）製）を用いて、波長６３３ｎｍにおけるＲｅレターデーション値およびＲｔｈレターデーション値を測定した。結果を表１に示す。

＜Ｒｔｈ、Ｒｅの測定＞
エリプソメーター（ＡＥＰ−１００、島津製作所（株）製）を用いて、波長６３２．８ｎｍで測定した面内の縦横の屈折率差にフイルム膜厚を乗じた値として、下記式に従って求めた。
Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ
Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ
ｎｘ：遅相軸方向（屈折率が最大となる方向）の屈折率
ｎｙ：遅相軸に直交する方向の屈折率
ｎｚ：厚さ方向の屈折率
ｄ ：フイルムの厚さ（単位：ｎｍ）

表１で、添加剤１）において、Ｎｏ６とＮｏ１２はレターデーション調整剤液の量を調整し、それぞれＮｏ．７とＮｏ１１と添加量の異なるサンプルを調整したものである。
また、光学性能評価２）における各記号は、○は光学性能良好であることを示し（Re/Rth０．３０〜０．３５）、△は光学性能改良効果が見られることを示し（Re/Rth０．２５〜０．２９）、×は光学性能不足であることを示す（Re/Rth０．２０〜０．２４）。

比較化合物１

表１の結果から分かるように、本発明の化合物を添加することにより、公知の円盤状化合物（比較化合物１）では実現できなかった大きなＲｅ／Ｒｔｈ比を有する新規なセルロースフィルムの作製が可能になった。また、本発明の化合物と化合物と、比較化合物１の併用により任意のＲｅ／Ｒｔｈ比を有するセルロースフィルムの作製が可能になる。

［実施例２］
本発明の化合物の安定性評価を行った。安定性試験は本発明の化合物の５ｍｍｏｌ／Ｌメタノール溶液を作製し、該メタノール溶液を密栓し５０℃で３日間放置した後、本発明の化合物の残存率をＨＰＬＣ（検出波長２５４ｎｍ）にて定量した。結果を表２に示す。

なお、表２において、安定性評価の欄における△、○、◎の各記号は以下の意味を示す。
残存率８０％以下 △ 溶液調液時注意が必要
残存率８０％〜９０％ ○ 問題なし
残存率９０％〜１００％ ◎ まったく問題なし

表２に示すように、本発明の一般式（２−Ｄ）及び（３）で表される化合物はメタノール中での安定性が公知化合物Ａ−１と比較して特に優れることがわかる。

Claims (10)

1. セルロースアシレートと、下記一般式（２）で表される化合物を少なくとも１種含有することを特徴とするセルロースアシレート組成物。
   一般式（２）
   

   

   （式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４ およびＲ ^５ はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基または水酸基を表し、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＲ^５のうち少なくとも１つは電子供与性基としてアルキル基またはアルコキシ基を表す。Ｒ ^６ 、Ｒ ^７ 、Ｒ ^９ およびＲ ^１０ はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^８は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、カルボニル基、シアノ基またはハロゲン原子を表す。）
2. 上記一般式（２）のＲ ^１ 、Ｒ ^２ 、Ｒ ^３ 、Ｒ ^４ およびＲ ^５ がそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはアミノ基を表し、Ｒ ^１ 、Ｒ ^２ 、Ｒ ^３ 、Ｒ ^４ およびＲ ^５ のうち少なくとも１つは電子供与性基としてアルキル基またはアルコキシ基を表す請求項１に記載のセルロースアシレート組成物。
3. 上記一般式（２）のＲ ^１ 、Ｒ ^２ 、Ｒ ^３ 、Ｒ ^４ およびＲ ^５ がそれぞれ独立に水素原子、メチル基、シクロヘキシル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ヘキシオキシ基または水酸基を表し、Ｒ ^１ 、Ｒ ^２ 、Ｒ ^３ 、Ｒ ^４ およびＲ ^５ のうち少なくとも１つは電子供与性基としてアルキル基またはアルコキシ基を表す請求項１に記載のセルロースアシレート組成物。
4. 上記一般式（２）の電子供与性基がアルコキシ基であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のセルロースアシレート組成物。
5. 上記一般式（２）で表される化合物が下記一般式（２−Ｄ）で表される化合物であることを特徴とする請求項１記載のセルロースアシレート組成物。
   一般式（２−Ｄ）
   

   

   （式中、Ｒ^２ およびＲ ^５ はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基または水酸基を表し、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^１１は炭素数１〜１２のアルキル基を表す。Ｒ^１２は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｒ^１４は炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｒ^８は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、カルボニル基、シアノ基またはハロゲン原子を表す。）
6. 請求項１〜５のいずれか１項に記載のセルロースアシレート組成物より形成されたことを特徴とするセルロースアシレートフィルム。
7. 請求項１〜５のいずれか１項に記載のセルロースアシレート組成物より形成されたことを特徴とするセルロースアシレート延伸フィルム。
8. 下記一般式（２−Ｄ）で表される化合物。
   一般式（２−Ｄ）
   

   

   （式中、Ｒ^２ およびＲ ^５ はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基または水酸基を表し、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^１１は炭素数１〜１２のアルキル基を表す。Ｒ^１２は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｒ^１４は炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｒ^８は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、カルボニル基、シアノ基またはハロゲン原子を表す。）
9. 下記一般式（２−Ｅ）で表される化合物。
   一般式（２−Ｅ）
   

   

   （式中、Ｒ^８は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数1〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、カルボニル基、シアノ基またはハロゲン原子を表す。R^１１は炭素数1〜１２のアルキル基を表す。Ｒ^１２は水素原子または炭素数1〜４のアルキル基を表す。Ｒ^１４は炭素数1〜４のアルキル基を表す。Ｒ²⁰は水素原子、メチル基、メトキシ基またはハロゲン原子を表す。）
10. 下記一般式（３）で表される化合物。
    一般式（３）
    

    

    （式中、Ｒ^２、Ｒ^４およびＲ^５はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基または水酸基を表す。Ｒ^１１は炭素数１〜１２のアルキル基を表す。Ｒ^１２は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｘは炭素数２〜７のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数２〜６のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜７のアシルアミノ基、シアノ基を表す。）