JP4498374B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
前記センスアンプは、前記第1の論理データとは逆論理の第2の論理データを前記メモリセルに書き込むときに前記ビット線に前記第1の電圧とは逆極性の第3の電圧を印加し、
前記センスアンプは、前記リフレッシュ動作のときに、前記第3の電圧を前記ビット線に印加することによって、前記第2の論理データを格納していた前記メモリセルへ該第2の論理データを書き戻し、
前記リフレッシュ動作において或るワード線の活性化回数が所定値に達した場合に、前記センスアンプは、前記第1の論理データを格納していた前記メモリセルに該第1の論理データを書き戻すために前記ビット線に前記第1の電圧を印加し、かつ、前記第2の論理データを格納していた前記メモリセルへ該第2の論理データを書き戻すために前記第3の電圧を前記ビット線に印加し、
前記リフレッシュ動作において或るワード線の活性化回数が所定値未満である場合に、前記センスアンプは、前記第1の論理データを格納していた前記メモリセルに前記第2の電圧を印加し、前記第2の論理データを格納していた前記メモリセルへ該第2の論理データを書き戻すために前記第3の電圧を前記ビット線に印加することを特徴とする。
本発明に係る実施形態に従った半導体記憶装置は、電気的に浮遊状態のフローティングボディを含み、該フローティングボディ内の多数キャリアの数によって論理データを記憶するメモリセルと、前記メモリセルのゲートに接続されたワード線と、前記メモリセルに接続され、該メモリセルのデータを伝達するビット線と、前記ビット線に接続され、前記フローティングボディ内に多数キャリアが蓄積されている状態を示す第1の論理データを前記メモリセルに書き込むときに前記ビット線に第1の電圧を印加するセンスアンプであって、前記メモリセルからデータを一旦読出しかつ該データと同一論理データを該メモリセルへ書き戻すリフレッシュ動作のときに、前記第1の電圧よりも絶対値として低い第2の電圧を、前記第1の論理データを格納していた前記メモリセルに印加するセンスアンプと、前記リフレッシュ動作のときに前記ワード線の活性化回数をカウントするカウンタとを備え、
前記センスアンプは、前記第1の論理データとは逆論理の第2の論理データを前記メモリセルに書き込むときに前記ビット線に前記第1の電圧とは逆極性の第3の電圧を印加し、
前記センスアンプは、前記リフレッシュ動作のときに、前記第3の電圧を前記ビット線に印加することによって、前記第2の論理データを格納していた前記メモリセルへ該第2の論理データを書き戻し、
前記リフレッシュ動作において、活性化される前記ワード線のアドレスビットと前記活性化回数を示すカウンタビットとが所定の条件を満たした場合に、前記センスアンプは、前記第1の論理データを格納していた前記メモリセルに該第1の論理データを書き戻すために前記ビット線に前記第1の電圧を印加し、かつ、前記第2の論理データを格納していた前記メモリセルへ該第2の論理データを書き戻すために前記第3の電圧を前記ビット線に印加し、
前記リフレッシュ動作において、活性化される前記ワード線のアドレスビットと前記活性化回数を示すカウンタビットとが所定の条件を満たさない場合に、前記センスアンプは、前記第1の論理データを格納していた前記メモリセルに前記第2の電圧を印加し、前記第2の論理データを格納していた前記メモリセルへ該第2の論理データを書き戻すために前記第3の電圧を前記ビット線に印加することを特徴とする。
前記リフレッシュ動作において或るワード線の活性化回数が所定値未満である場合に、前記センスアンプは、前記フローティングボディ内に多数キャリアが蓄積されている状態を示す第1の論理データを格納していた前記メモリセルに該第1の論理データを書き戻すことなく、前記第1の論理データと逆論理の第2の論理データを格納していた前記メモリセルへ該第2の論理データを書き戻し、
前記リフレッシュ動作において或るワード線の活性化回数が所定値に達した場合に、前記センスアンプは、前記第1の論理データを格納していた前記メモリセルに該第1の論理データを書き戻し、尚且つ、前記第2の論理データを格納していた前記メモリセルへ該第2の論理データを書き戻す。
図1Aおよび図1Bは、本発明に係る第1の実施形態に従ったFBCメモリ装置の構成を示す図である。FBCメモリ装置は、メモリセルMCと、ダミーセルDC0、DC1と、ワード線WLLi、WLRi(iは整数)(以下、WLともいう)と、ダミーワード線DWLL,DWLR(以下、DWLともいう)と、ビット線BLLi、BLRi(以下、BLともいう)と、センスアンプS/Aと、イコライジング線EQLL,EQLR(以下、EQLともいう)と、イコライジングトランジスタTEQL、TEQR(以下、TEQともいう)と、ロウデコーダRDと、WLドライバWLDと、カラムデコーダCDと、CSLドライバCSLDと、ロウアドレスカウンタRACと、活性化カウンタ回路ACと、SAPドライバSARDとを備えている。さらに、図1Bに示すように、FBCメモリ装置は、ロウアドレスカウンタRACと、活性化カウンタ回路ACと、センスアンプドライバSADとを備えている。
図11は、第2の実施形態に従ったSAPドライバSAPDの一部を示す回路図である。第2の実施形態は、ロウアドレスカウンタのビットと活性化カウンタACのビットとの組合せが所定の組合せになったときに特定リフレッシュ動作を実行する。第2の実施形態のSAPドライバSAPD以外の構成は、第1の実施形態の構成と同様でよい。
第1および第2の実施形態は、図3に示す構成に代えて、図13〜図15に示す構成を採用してもよい。図13に示すセンスアンプS/Aは、ミラー回路を有さず、トランジスタTPSがセンスノードSNLとSNRとの間に接続されている。トランジスタTPSは、信号BSHORTに基づいて、センスノード対SNL、SNRを短絡させる。信号BSHORTは、プリチャージ時に低レベルに活性化される。図13に示す回路のその他の構成は、図3に示す回路の構成と同様でよい。図13に示すセンスアンプS/Aでは、ラッチ回路LC1またはLC2が電流負荷回路となり、メモリセルMCへ電流を流す役目を果たす。これにより、図13に示す回路は、上記実施形態と同様の動作を実行することができる。
図16は、本発明に係る第3の実施形態に従ったFBCメモリ装置の構成を示す図である。第3の実施形態は、いわゆる、ツインセル(Twin Cell)方式を第1の実施形態に適用した実施形態である。ツインセル方式は、2セル/ビット方式とも呼ばれている。この方式は、ペアを成す2つのメモリMCに逆論理のデータを格納し、これにより1ビットデータを記憶する方式である。センスアンプS/Aは、互いに逆論理のデータの一方を基準とし、他方のデータを検出する。従って、ツインセル方式では、ダミーセルDC、ダミーワード線DWL、平均化線VAVG、平均化トランジスタTAVGL,TAVGRが不要である。第3の実施形態では、データ“1”を格納するメモリセルMCとデータ“0”を格納するメモリセルMCとがセンスアンプS/Aの両側に設けられている。
MC…メモリセル
WL…ワード線
BL…ビット線
VBLH…第1の電圧
VBLHREF…第2の電圧
VBLL…第3の電圧
Claims (3)
- 電気的に浮遊状態のフローティングボディを含み、該フローティングボディ内の多数キャリアの数によって論理データを記憶するメモリセルと、
前記メモリセルのゲートに接続されたワード線と、
前記メモリセルに接続され、該メモリセルのデータを伝達するビット線と、
前記ビット線に接続され、前記フローティングボディ内に多数キャリアが蓄積されている状態を示す第1の論理データを前記メモリセルに書き込むときに前記ビット線に第1の電圧を印加するセンスアンプであって、前記メモリセルからデータを一旦読出しかつ該データと同一論理データを該メモリセルへ書き戻すリフレッシュ動作のときに、前記第1の電圧よりも絶対値として低い第2の電圧を、前記第1の論理データを格納していた前記メモリセルに印加するセンスアンプと、
前記リフレッシュ動作のときに前記ワード線の活性化回数をカウントするカウンタとを備え、
前記センスアンプは、前記第1の論理データとは逆論理の第2の論理データを前記メモリセルに書き込むときに前記ビット線に前記第1の電圧とは逆極性の第3の電圧を印加し、
前記センスアンプは、前記リフレッシュ動作のときに、前記第3の電圧を前記ビット線に印加することによって、前記第2の論理データを格納していた前記メモリセルへ該第2の論理データを書き戻し、
前記リフレッシュ動作において或るワード線の活性化回数が所定値に達した場合に、前記センスアンプは、前記第1の論理データを格納していた前記メモリセルに該第1の論理データを書き戻すために前記ビット線に前記第1の電圧を印加し、かつ、前記第2の論理データを格納していた前記メモリセルへ該第2の論理データを書き戻すために前記第3の電圧を前記ビット線に印加し、
前記リフレッシュ動作において或るワード線の活性化回数が所定値未満である場合に、前記センスアンプは、前記第1の論理データを格納していた前記メモリセルに前記第2の電圧を印加し、前記第2の論理データを格納していた前記メモリセルへ該第2の論理データを書き戻すために前記第3の電圧を前記ビット線に印加することを特徴とする半導体記憶装置。 - 電気的に浮遊状態のフローティングボディを含み、該フローティングボディ内の多数キャリアの数によって論理データを記憶するメモリセルと、
前記メモリセルのゲートに接続されたワード線と、
前記メモリセルに接続され、該メモリセルのデータを伝達するビット線と、
前記ビット線に接続され、前記フローティングボディ内に多数キャリアが蓄積されている状態を示す第1の論理データを前記メモリセルに書き込むときに前記ビット線に第1の電圧を印加するセンスアンプであって、前記メモリセルからデータを一旦読出しかつ該データと同一論理データを該メモリセルへ書き戻すリフレッシュ動作のときに、前記第1の電圧よりも絶対値として低い第2の電圧を、前記第1の論理データを格納していた前記メモリセルに印加するセンスアンプと、
前記リフレッシュ動作のときに前記ワード線の活性化回数をカウントするカウンタとを備え、
前記センスアンプは、前記第1の論理データとは逆論理の第2の論理データを前記メモリセルに書き込むときに前記ビット線に前記第1の電圧とは逆極性の第3の電圧を印加し、
前記センスアンプは、前記リフレッシュ動作のときに、前記第3の電圧を前記ビット線に印加することによって、前記第2の論理データを格納していた前記メモリセルへ該第2の論理データを書き戻し、
前記リフレッシュ動作において、活性化される前記ワード線のアドレスビットと前記活性化回数を示すカウンタビットとが所定の条件を満たした場合に、前記センスアンプは、前記第1の論理データを格納していた前記メモリセルに該第1の論理データを書き戻すために前記ビット線に前記第1の電圧を印加し、かつ、前記第2の論理データを格納していた前記メモリセルへ該第2の論理データを書き戻すために前記第3の電圧を前記ビット線に印加し、
前記リフレッシュ動作において、活性化される前記ワード線のアドレスビットと前記活性化回数を示すカウンタビットとが所定の条件を満たさない場合に、前記センスアンプは、前記第1の論理データを格納していた前記メモリセルに前記第2の電圧を印加し、前記第2の論理データを格納していた前記メモリセルへ該第2の論理データを書き戻すために前記第3の電圧を前記ビット線に印加することを特徴とする半導体記憶装置。 - 電気的に浮遊状態のフローティングボディを含み、該フローティングボディ内の多数キャリアの数によって論理データを記憶するメモリセルと、
前記メモリセルのゲートに接続されたワード線と、
前記メモリセルに接続され、該メモリセルのデータを伝達するビット線と、
前記ビット線に接続され、前記メモリセルからデータを読み出し、あるいは、前記メモリセルにデータを書き込むセンスアンプと、
前記メモリセルから前記センスアンプへデータを一旦読み出しかつ該データと同一論理データを該メモリセルへ書き戻すリフレッシュ動作のときに、前記ワード線の活性化回数をカウントするカウンタをさらに備え、
前記リフレッシュ動作において或るワード線の活性化回数が所定値未満である場合に、前記センスアンプは、前記フローティングボディ内に多数キャリアが蓄積されている状態を示す第1の論理データを格納していた前記メモリセルに該第1の論理データを書き戻すことなく、前記第1の論理データと逆論理の第2の論理データを格納していた前記メモリセルへ該第2の論理データを書き戻し、
前記リフレッシュ動作において或るワード線の活性化回数が所定値に達した場合に、前記センスアンプは、前記第1の論理データを格納していた前記メモリセルに該第1の論理データを書き戻し、尚且つ、前記第2の論理データを格納していた前記メモリセルへ該第2の論理データを書き戻すことを特徴とする半導体記憶装置。
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