JP4002900B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 claims description 11
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 6
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
- G11C8/08—Word line control circuits, e.g. drivers, boosters, pull-up circuits, pull-down circuits, precharging circuits, for word lines
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- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
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- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/408—Address circuits
- G11C11/4085—Word line control circuits, e.g. word line drivers, - boosters, - pull-up, - pull-down, - precharge
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- G11C2211/00—Indexing scheme relating to digital stores characterized by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
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Description
S.Okhonin et.al.による"Principles of Transients Charge Pumping on Partially Depleted SOI MOSFETs(部分空乏型SOI MOSFETにおける過渡的チャージポンピング現象)" IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,VOL.23,NO.5,MAY 2002
図1は、本発明に係る第1の実施形態に従った半導体記憶装置としてFBCメモリ装置100を示したブロック図である。FBCメモリ装置100は、アレイブロックAB0〜AB7を備えている。アレイブロックAB0〜AB7は、それぞれメモリセルアレイMCA、カウンタセルアレイCCA、カラムデコーダ30およびロウデコーダ40を含む。メモリセルアレイMCAは、メモリセルMCと、ビット線セレクタ10、12と、センスアンプ20、22とを備えている。メモリセルMCはマトリクス状に配置されており、その各々は、ボディ領域(図示せず)を有し、このボディ領域に電荷を蓄積することによってデータを記憶することができる。
図6は、本発明に係る第2の実施形態に従った半導体記憶装置としてFBCメモリ装置200を示したブロック図である。FBCメモリ装置200は、アレイブロックAB10を備えている。アレイブロックAB10は、メモリセルアレイMCA、カウンタセルアレイCCAおよびロウデコーダ40を有する。
図7は、本発明に係る第3の実施形態に従った半導体記憶装置としてFBCメモリ装置300を示したブロック図である。FBCメモリ装置300は、アレイブロックAB10を備えている。アレイブロックAB10の構成は、第2の実施形態と同様でよい。即ち、メモリセルアレイMCAおよびカウンタセルアレイCCAは、オープンビット型に構成されている。
80 加算回路
90 アドレスラッチ回路
MCA メモリセルアレイ
CCA カウンタセルアレイ
MC メモリセル
CC カウンタセル
WL ワード線
BL ビット線
Claims (2)
- フローティングボディ領域を含み、該フローティングボディ領域に電荷を蓄積または放出することによってデータを記憶するメモリセルと、
マトリクス状に配置された前記メモリセルを含むメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイの各行の前記メモリセルに接続された複数のワード線と、
前記ワード線の各々に対応して設けられたカウンタセルを含み、前記メモリセルのデータを読み出すごとに前記ワード線を活性化させた回数を記憶するカウンタセルアレイと、
前記メモリセルアレイおよび前記カウンタセルアレイを含む複数のアレイブロックと、
前記複数のアレイブロックのそれぞれにおいて活性化された或る行のワード線に接続された前記カウンタセルのデータを、前記複数のアレイブロックのそれぞれから獲得し、前記複数のアレイブロックからのデータを組み合わせたデジタル値を前記行のワード線が活性化される毎に増加させる加算回路と、
前記デジタル値が一巡した場合に、前記行のアドレスを記憶するアドレスラッチ回路と、を備えた半導体記憶装置。 - 或る行のアドレスのワード線を活性化するロウデコーダと、
前記メモリセルのリフレッシュ時にリフレッシュ対象である行のアドレスを前記ロウデコーダへ送信するロウアドレスカウンタとをさらに備え、
前記メモリセルのリフレッシュ時に前記デジタル値が一巡した行がある場合には、前記ロウアドレスカウンタに代えて、前記アドレスラッチ回路が、該アドレスラッチ回路内に記憶されているアドレスを前記ロウデコーダへ送信することを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004057703A JP4002900B2 (ja) | 2004-03-02 | 2004-03-02 | 半導体記憶装置 |
US10/864,632 US7139216B2 (en) | 2004-03-02 | 2004-06-10 | Semiconductor storage device having a counter cell array to store occurrence of activation of word lines |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004057703A JP4002900B2 (ja) | 2004-03-02 | 2004-03-02 | 半導体記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005251256A JP2005251256A (ja) | 2005-09-15 |
JP4002900B2 true JP4002900B2 (ja) | 2007-11-07 |
Family
ID=34909052
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004057703A Expired - Fee Related JP4002900B2 (ja) | 2004-03-02 | 2004-03-02 | 半導体記憶装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7139216B2 (ja) |
JP (1) | JP4002900B2 (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4002900B2 (ja) | 2004-03-02 | 2007-11-07 | 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体記憶装置 |
JP4008907B2 (ja) * | 2004-08-24 | 2007-11-14 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
JP2007012173A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2007157296A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
US7675771B2 (en) | 2006-11-24 | 2010-03-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Capacitor-less DRAM circuit and method of operating the same |
KR20080058798A (ko) | 2006-12-22 | 2008-06-26 | 삼성전자주식회사 | 커패시터리스 동적 반도체 메모리 장치 및 이 장치의 동작방법 |
JP4498374B2 (ja) | 2007-03-22 | 2010-07-07 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
JP2009032384A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-02-12 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置の駆動方法および半導体記憶装置 |
JP2009205724A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP4843655B2 (ja) * | 2008-09-24 | 2011-12-21 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
US11024352B2 (en) | 2012-04-10 | 2021-06-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory system for access concentration decrease management and access concentration decrease method |
US9257169B2 (en) * | 2012-05-14 | 2016-02-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device, memory system, and operating methods thereof |
US20140085995A1 (en) * | 2012-09-25 | 2014-03-27 | Zvika Greenfield | Method, apparatus and system for determining a count of accesses to a row of memory |
US9190131B2 (en) * | 2012-12-20 | 2015-11-17 | SK Hynix Inc. | Memory and memory system including the same |
WO2014125937A1 (ja) * | 2013-02-12 | 2014-08-21 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル | 半導体装置 |
WO2014126182A1 (ja) * | 2013-02-18 | 2014-08-21 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル | アクセス履歴を記憶するメモリセルアレイのリセット回路 |
KR20140139849A (ko) * | 2013-05-28 | 2014-12-08 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 및 이를 포함 하는 메모리 시스템 |
KR102193993B1 (ko) | 2014-02-21 | 2020-12-22 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템 |
KR20160069213A (ko) | 2014-12-08 | 2016-06-16 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치 |
KR102534631B1 (ko) * | 2018-05-11 | 2023-05-19 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 카운팅 회로 블록을 포함하는 반도체 시스템 |
US10831446B2 (en) * | 2018-09-28 | 2020-11-10 | Intel Corporation | Digital bit-serial multi-multiply-and-accumulate compute in memory |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5251177A (en) * | 1989-01-23 | 1993-10-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor memory device having an improved refresh operation |
JPH11265995A (ja) * | 1998-03-17 | 1999-09-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
US6567340B1 (en) * | 1999-09-23 | 2003-05-20 | Netlogic Microsystems, Inc. | Memory storage cell based array of counters |
JP2002230984A (ja) * | 2001-02-05 | 2002-08-16 | Fujitsu Ltd | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP4216483B2 (ja) | 2001-02-15 | 2009-01-28 | 株式会社東芝 | 半導体メモリ装置 |
US6373758B1 (en) * | 2001-02-23 | 2002-04-16 | Hewlett-Packard Company | System and method of operating a programmable column fail counter for redundancy allocation |
JP2003031693A (ja) | 2001-07-19 | 2003-01-31 | Toshiba Corp | 半導体メモリ装置 |
EP1288955A3 (en) | 2001-08-17 | 2004-09-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
JP4002900B2 (ja) | 2004-03-02 | 2007-11-07 | 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体記憶装置 |
-
2004
- 2004-03-02 JP JP2004057703A patent/JP4002900B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-10 US US10/864,632 patent/US7139216B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7139216B2 (en) | 2006-11-21 |
US20050195680A1 (en) | 2005-09-08 |
JP2005251256A (ja) | 2005-09-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070608 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070615 |
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|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070820 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100824 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100824 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110824 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110824 Year of fee payment: 4 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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