JP2009070508A - 半導体記憶装置およびその駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】書込み用フィードバックトランジスタを簡略化した半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、“1”および“0”に基づく第1および第2の電位レベルをセンスノードにラッチするラッチ回路と、“1”書き用電圧源と第1のビット線との間に接続され、ゲートが第1のセンスノードに接続された第1のフィードバックトランジスタと、第1の電源と第2のビット線との間に接続され、ゲートが第2のセンスノードに接続された第2のフィードバックトランジスタとを備え、第1の電位レベルは、第1のビット線を第1の電圧源に接続するように第1のフィードバックトランジスタを制御する電位レベルであり、第2の電位レベルは、データの読出し時に前記ビット線に印加する読出し電位と第1の電圧源の電位との間の書込み電位を第2のビット線に印加するように第2のフィードバックトランジスタを制御する電位レベルである。
【選択図】図3
【解決手段】半導体記憶装置は、“1”および“0”に基づく第1および第2の電位レベルをセンスノードにラッチするラッチ回路と、“1”書き用電圧源と第1のビット線との間に接続され、ゲートが第1のセンスノードに接続された第1のフィードバックトランジスタと、第1の電源と第2のビット線との間に接続され、ゲートが第2のセンスノードに接続された第2のフィードバックトランジスタとを備え、第1の電位レベルは、第1のビット線を第1の電圧源に接続するように第1のフィードバックトランジスタを制御する電位レベルであり、第2の電位レベルは、データの読出し時に前記ビット線に印加する読出し電位と第1の電圧源の電位との間の書込み電位を第2のビット線に印加するように第2のフィードバックトランジスタを制御する電位レベルである。
【選択図】図3
Description
本発明は、半導体記憶装置およびその駆動方法に係り、例えば、フローティングボディに格納された多数キャリアの数によってデータを記憶する半導体記憶装置およびその駆動方法に関する。
近年、DRAMに代わるメモリと期待されている半導体記憶装置として、FBC(Floating Body Cell)メモリがある。FBCメモリは、フローティングボディ(以下、ボディともいう)を備えたN型MOSトランジスタを有する。FBCメモリは、このボディに蓄積されているホール数によってデータ“1”またはデータ“0”を記憶する。
例えば、ボディ領域内のホール数が多い状態をデータ“1”とし、ホール数が少ない状態をデータ“0”とする。この場合、データ“1”を格納するメモリセル(以下、“1”セルともいう)の閾値電圧は、データ“0”を格納するメモリセル(以下、“0”セルともいう)の閾値電圧よりも低くなる。従って、メモリセルからデータを読み出すときに、“1”セルに接続されたビット線の電位は、“0”セルに接続されたビット線の電位よりも低くなる。従って、読出しデータと同一データをメモリセルへ書き戻す場合、センスアンプは、読み出したデータを論理反転したデータに対応する電位をメモリセルへ印加する必要がある。そのため、従来のFBCメモリにおいて、センスアンプは、読出しデータをセンスノードに保持するためのラッチ回路の他に、読出し時に接続されたビット線とは異なるビット線にセンスノードを接続するために書込み用フィードバックトランジスタを具備する必要があった。
従来、書込み用フィードバックトランジスタは、互いに逆極性のデータを伝達するビット線対のそれぞれに対してN型FETおよびP型FETの両方が必要であった。これは、ビット線対の各ビット線に対してデータ“1”を書き込む電位およびデータ“0”を書き込む電位を接続可能に構成する必要があるからである。このように、書込み用フィードバックトランジスタとしてN型FETおよびP型FETの両方を設けることは、センスアンプの回路規模を大きくすることを意味する。センスアンプはビット線対ごとに設けられているので、その回路規模が大きいことは、FBCメモリ装置全体を大きくさせる原因となる。
特開2005−302234号公報
書込み用フィードバックトランジスタを簡略化し、回路規模の小さい半導体記憶装置を提供する。
本発明に係る実施形態に従った半導体記憶装置は、電気的に浮遊状態のフローティングボディを含み、該フローティングボディ内の多数キャリアの数によってデータを記憶する複数のメモリセルと、前記メモリセルのゲートに接続されたワード線と、第1の論理データを記憶する前記メモリセルに接続された第1のビット線と、第2の論理データを記憶する前記メモリセルに接続された第2のビット線と、前記第1および第2のビット線にそれぞれ接続された第1のセンスノードおよび第2のセンスノードと、前記第1のビット線と前記第1のセンスノードとの間、および、前記第2のビット線と前記第2のセンスノードとの間のそれぞれに接続された複数のトランスファゲートと、前記第1の論理データに基づく第1の電位レベルを前記第1のセンスノードにラッチし、前記第2の論理データに基づく第2の電位レベルを前記第2のセンスノードにラッチするラッチ回路と、前記第1の論理データを書き込むために用いられる第1の電圧源FBLと前記第1のビット線との間に接続され、ゲートが前記第1のセンスノードに接続された第1のフィードバックトランジスタと、前記第1の電圧源と前記第2のビット線との間に接続され、ゲートが前記第2のセンスノードに接続された第2のフィードバックトランジスタとを備え、前記第1の電位レベルは、前記第1のビット線を前記第1の電圧源に接続するように前記第1のフィードバックトランジスタを制御する電位レベルであり、前記第2の電位レベルは、データの読出し時に前記ビット線に印加する読出し電位と前記第1の電圧源の電位との間の書込み電位を前記第2のビット線に印加するように前記第2のフィードバックトランジスタを制御する電位レベルである。
本発明に係る実施形態に従った半導体記憶装置の駆動方法は、電気的に浮遊状態のフローティングボディを含み、該フローティングボディ内の多数キャリアの数によってデータを記憶する複数のメモリセルと、前記メモリセルのゲートに接続されたワード線と、第1の論理データを記憶する前記メモリセルに接続された第1のビット線と、第2の論理データを記憶する前記メモリセルに接続された第2のビット線と、前記第1および第2のビット線にそれぞれ接続された第1のセンスノードおよび第2のセンスノードと、前記第1のビット線と前記第1のセンスノードとの間、および、前記第2のビット線と前記第2のセンスノードとの間のそれぞれに接続された複数のトランスファゲートと、前記第1の論理データに基づく第1の電位レベルを前記第1のセンスノードにラッチし、前記第2の論理データに基づく第2の電位レベルを前記第2のセンスノードにラッチするラッチ回路と、前記第1の論理データを書き込むために用いられる第1の電圧源と前記第1のビット線との間に接続され、ゲートが前記第1のセンスノードに接続された第1のフィードバックトランジスタと、前記第1の電圧源と前記第2のビット線との間に接続され、ゲートが前記第2のセンスノードに接続された第2のフィードバックトランジスタとを備えた半導体記憶装置の駆動方法であって、
データの書込みまたはデータの書戻し時に、前記第1のビット線を前記第1の電圧源に接続するために、前記第1の電位レベルによって前記第1のフィードバックトランジスタを導通させ、かつ、データの読出し時に前記ビット線に印加する読出し電位と前記第1の電圧源の電位との間の書込み電位を前記第2のビット線に印加するように、前記第2の電位レベルによって前記第2のフィードバックトランジスタを制御する。
データの書込みまたはデータの書戻し時に、前記第1のビット線を前記第1の電圧源に接続するために、前記第1の電位レベルによって前記第1のフィードバックトランジスタを導通させ、かつ、データの読出し時に前記ビット線に印加する読出し電位と前記第1の電圧源の電位との間の書込み電位を前記第2のビット線に印加するように、前記第2の電位レベルによって前記第2のフィードバックトランジスタを制御する。
本発明による半導体記憶装置は、書込み用フィードバックトランジスタを簡略化し、回路規模を小さくすることができる。
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。
(第1の実施形態)
図1は、本発明に係る第1の実施形態に従ったFBCメモリの構成の一例を示す回路図である。FBCメモリは、メモリセルMCと、センスアンプS/Ai(iは整数)(以下、S/Aともいう)と、ワード線WLLi、WLRi(以下、WLL、WLRともいう)と、ビット線BLLi、BLRi(以下、BLL、BLRともいう)と、ビット線bBLLi、bBLRi(以下、bBLL、bBLRともいう)と、イコライジング線EQLと、イコライジングトランジスタTEQL、TEQR(以下、TEQともいう)とを備えている。
図1は、本発明に係る第1の実施形態に従ったFBCメモリの構成の一例を示す回路図である。FBCメモリは、メモリセルMCと、センスアンプS/Ai(iは整数)(以下、S/Aともいう)と、ワード線WLLi、WLRi(以下、WLL、WLRともいう)と、ビット線BLLi、BLRi(以下、BLL、BLRともいう)と、ビット線bBLLi、bBLRi(以下、bBLL、bBLRともいう)と、イコライジング線EQLと、イコライジングトランジスタTEQL、TEQR(以下、TEQともいう)とを備えている。
本実施形態によるFBCメモリは、2セル/ビット方式を採用している。2セル/ビット方式とは、ビット線対BLL、bBLLまたはビット線対BLR、bBLRに接続され、同一ワード線上で隣り合う2つのメモリセルMCに逆極性のデータを書き込むことによって1ビットデータを格納する方式である。逆極性のデータとは、データ“0”とデータ“1”との関係のように相補の関係を有するデータである。データの読出しでは、逆極性のデータの一方のデータを他方のデータの基準とし、かつ、他方のデータを一方のデータの基準とする。従って、ビット線対BLL、bBLLまたはビット線対BLR、bBLRは、互いに逆極性のデータを伝達する。これにより、センスアンプS/Aは、センスノードSN、bSNに流れる電流差によって、データ“1”とデータ“0”とを検出している。
メモリセルMCは、マトリクス状に配列され、メモリセルアレイMCAL、MCAR(以下、MCAともいう)を構成している。ワード線WLL、WLRは、ロウ(row)方向に延伸し、メモリセルMCのゲートに接続されている。本実施形態において、ワード線WL、WLRは、センスアンプS/Aの左右に256本ずつ設けられており、図1では、WLL0〜WLL255およびWLR0〜WLR255で示されている。ビット線BLL、BLRは、カラム方向に延伸し、メモリセルMCのソースまたはドレインに接続されている。ビット線BLL、BLRは、センスアンプS/Aの左右に512本ずつ設けられている。図1では、BLL0〜BLL511およびBLR0〜BLR511で示されている。ワード線とビット線とは、互いに直交しており、その各交点にメモリセルMCが設けられている。尚、ロウ方向とカラム方向とは互いに入れ替えても差し支えない。
イコライジング線EQLは、イコライジングトランジスタTEQのゲートに接続されている。イコライジングトランジスタTEQは、ビット線BLL、BLRとグランドとの間に接続されている。イコライジングでは、ビット線BLL、BLRをグランドに接続することによって各ビット線BLL、BLRの電位を接地電位に等しくする。
図2は、メモリセルMCの構造の一例を示す断面図である。メモリセルMCは、支持基板10、BOX層20およびSOI層30を含むSOI基板上に設けられている。SOI層30内に、ソース60およびドレイン40が設けられている。フローティングボディ50は、ソース60とドレイン40との間のSOI層30に形成される。フローティングボディ50は、ソース60およびドレイン40とは逆導電型の半導体である。フローティングボディ50は、ソース60、ドレイン40、BOX層20、ゲート絶縁膜70およびSTI(Shallow Trench Isolation)(図示せず)によって囲まれることによって電気的に浮遊状態である。FBCメモリは、フローティングボディ50内の多数キャリアの数によってデータを記憶することができる。
本実施形態では、メモリセルMCはN型MISFETである。ボディ50に蓄積されたホールが多い状態をデータ“1”とし、ホールが少ない状態をデータ“0”と定義する。
データ“1”をメモリセルMCに書き込むためには、メモリセルMCを飽和状態で動作させる。例えば、ワード線WLを1.5Vにバイアスし、ビット線BLを1.5Vにバイアスする。ソースはグランドGND(0V)である。これにより、ドレイン近傍においてインパクトイオン化が生じ、電子−ホール対が大量に発生する。インパクトイオン化により生じた電子は、ドレインに流れ、ホールはポテンシャルの低いボディに蓄えられる。インパクトイオン化でホールが発生するときに流れる電流と、ボディ−ソース間のpn接合におけるフォワード電流が釣り合ったときに、ボディ電圧は平衡状態に達する。このボディ電圧は、約0.7Vである。
データ“0”を書き込むときには、ワード線WLを高レベル電位(例えば、1.5V)に立ち上げる。さらに、メモリセルMCが五極管動作を行わない程度にビット線BLの電位を“0”書込み電位に立ち上げる。この“0”書込み電位は、読出し時にビット線に印加される読出し電位よりも高く、かつ、データ“1”の書込み時にビット線に印加される“1”書込み電位よりも低い電位である。このとき、ビット線電位は、例えば、0.7Vである。
後述のように、データ読出し動作においても、ビット線電位は、メモリセルMCが五極管動作を行わない程度に低く設定される。しかし、読出しでは、“1”セルのデータを破壊しないように、即ち、“1”セルに蓄積されたホールを排除しないように、ビット線の読出し電位は、比較的接地電位に近い電位(例えば、0.2V)に設定される。これに対し、“0”書込み電位は、“1”セルに蓄積されたホールをソース側へ押し出すように読出し時のビット線電位よりも高い電位(例えば、0.7V)に設定される。
この“0”書込み電位をビット線に印加すると、ボディ−ゲート間の容量結合及びボディ−ドレイン間の容量結合により、ボディ50の電位が上昇する。これにより、ボディ50内のホールがソース60側へ押し出される。その結果、データ“0”がメモリセルMCに記憶される。
データの読出し動作では、ワード線WLをデータ書込み時と同様に活性にするが、ビット線BLをデータ“1”およびデータ“0”の書込み時と比べて低く設定する。例えば、ワード線WLを1.5Vとし、ビット線BLを0.2Vにする。メモリセルMCを線形領域で動作させる。データ“0”を記憶するメモリセルMCとデータ“1”を記憶するメモリセルMCとは、ボディ50に蓄積されたホール数の違いにより、メモリセルMCの閾値電圧において相違する。この閾値電圧の差を検知することによって、データ“1”とデータ“0”とを識別する。
図3は、本実施形態によるセンスアンプS/Aの構成の一例を示す回路図である。センスアンプS/Aは、左右に設けられたビット線対BLL、bBLLおよびビット線対BLR、bBLRに接続されており、2つのビット線対に対応して設けられている。実際のデータ読出し/書込み動作では、センスアンプS/Aは、いずれか一方のビット線対からデータを受け取り、あるいは、そのビット線対へデータを送る。このとき、他方のビット線対は、トランスファゲートによってセンスノード対から切断されている。
センスアンプS/Aは、一対のセンスノードSN、bSNを含む。センスノードSNは、トランスファゲートTGL1を介してビット線BLLに接続され、トランスファゲートTGR1を介してビット線BLRに接続されている。センスノードbSNは、トランスファゲートTGL2を介してビット線bBLLに接続され、トランスファゲートTGR2を介してビット線bBLRに接続されている。トランスファゲートTGL1、TGL2、TGR2およびTGR2はN型FETで構成されている。トランスファゲートTGL1、TGL2、TGR2およびTGR2は、データの読出し時に活性化される。
トランスファゲートTGL1およびTGL2は、それぞれセンスノードSNとビット線BLLとの間、センスノードbSNとビット線bBLLとの間に接続されており、信号ΦtLによってオン/オフ制御される。トランスファゲートTGR1およびTGR2は、それぞれセンスノードSNとビット線BLRとの間、センスノードbSNとビット線bBLRとの間に接続されており、ΦtRによってオン/オフ制御される。読出し/書込み動作時において、信号ΦtLまたはΦtRのいずれか一方のみが活性化され、他方は不活性である。
ここで、活性化とは素子または回路をオンまたは駆動させることを意味し、不活性化とは素子または回路をオフまたは停止させることを意味する。従って、HIGH(高電位レベル)の信号が活性信号である場合もあり、LOW(低電位レベル)の信号が活性信号である場合もあることに注意されたい。例えば、NMOSトランジスタは、ゲートをHIGHにすることによって活性化する。一方、PMOSトランジスタは、ゲートをLOWにすることによって活性化する。
センスアンプS/Aは、クロスカップル型ダイナミックラッチ回路(以下、ラッチ回路という)LC1およびLC2を含む。ラッチ回路LC1は、センスノードSNLとSNRとの間に直列に接続された2つのp型トランジスタTP1およびTP2からなる。トランジスタTP1のゲートはセンスノードbSNに接続され、トランジスタTP2のゲートはセンスノードSNに接続されている。即ち、トランジスタTP1およびTP2の各ゲートは、センスノードSNおよびbSNに対してクロスカップリングされている。ラッチ回路LC2は、センスノードSNとbSNとの間に直列に接続された2つのn型トランジスタTN1およびTN2からなる。トランジスタTN1のゲートはセンスノードbSNに接続され、トランジスタTN2のゲートはセンスノードSNに接続されている。即ち、トランジスタTN1およびTN2の各ゲートも、センスノードSNおよびbSNに対してクロスカップリングされている。ラッチ回路LC1およびLC2は、信号SAPおよびbSANの活性化によってそれぞれ駆動される。ラッチ回路LC1およびLC2は、センスノード対SAとbSNとの電位差を増幅し、ラッチする。
短絡スイッチとしてのp型トランジスタTP3は、センスノードSNとbSNとの間に接続されており、信号SHORTによって制御される。トランジスタTP3は、読出し/書込み動作前にセンスノードSNとbSNとを短絡することによってセンスノードSNとbSNとをイコライジングする。
n型トランジスタTN4は、DQ線とセンスノードSNとの間に接続され、n型トランジスタTN5はbDQ線とセンスノードbSNとの間に接続されている。トランジスタTN4およびTN5の各ゲートは、カラム選択線CSLに接続されている。DQ線およびbDQ線は、DQバッファ(図示せず)に接続されている。DQバッファは、データの読出し時にはメモリセルMCからのデータを外部へ出力するために一時的に格納し、また、データの書込み時には外部からのデータをセンスアンプS/Aへ伝達するために一時的に格納する。従って、カラム選択線CSLは、外部へデータを読み出し、あるいは、外部からデータを書き込むときに活性化され、センスノードSNおよびbSNがDQバッファに接続することを可能とする。
センスアンプS/Aは、メモリセルMCへのデータ書込み時に活性化されるフィードバック信号線FBL、FBRと、書込み用フィードバックトランジスタTP4〜TP7とを備えている。第1の電圧源としてのフィードバック信号線FBL、FBRは、メモリセルMCへデータ“1”を書き込む際に、ハイレベル電位VBLHをビット線に供給する電源線である。ハイレベル電位VBLHをメモリセルMCに印加することによって、そのメモリセルMCにデータ“1”を書き込むことができる。尚、データ“0”を書き込むための低レベル電源は、本実施形態では設けられていない。
書込み用フィードバックトランジスタTP4〜TP7は、それぞれ同じ構成のp型FETで構成されている。書込み用フィードバックトランジスタTP4は、信号線FBLとビット線BLLとの間に接続されている。書込み用フィードバックトランジスタTP5は、信号線FBLとビット線bBLLとの間に接続されている。書込み用フィードバックトランジスタTP6は、信号線FBRとビット線BLRとの間に接続されている。書込み用フィードバックトランジスタTP7は、信号線FBRとビット線bBLRとの間に接続されている。書込み用フィードバックトランジスタTP4、TP5の各ゲートは、それぞれセンスノードSN、bSNに接続されている。書込み用フィードバックトランジスタTP6、TP7の各ゲートは、それぞれセンスノードSN、bSNに接続されている。
データの書込み時あるいはデータの書戻し時に、書込み用フィードバックトランジスタTP4、TP5の一方は、データ“1”をメモリセルMCに書き込むために強いオン状態となり、その他方は、データ“0”を書き込むために弱いオン状態となる。強いオン状態は、データ“1”をメモリセルMCへ書き込むために、高レベル電位VBLHをビット線に充分に低い抵抗で接続する状態である。弱いオン状態は、データ“0”をメモリセルMCへ書き込むために、高レベル電位VBLHをビット線に高抵抗で接続する状態である。
トランジスタTP5を弱いオン状態とすることによって、ビット線bBLLの電位を上述の“0”書込み電位VBLLに設定する。
例えば、ビット線BLLに接続されたメモリセルMCにデータ“1”を書き込み、ビット線bBLLに接続されたメモリセルMCにデータ“0”を書き込むとする。この場合、センスノードSNの電位は、第1の電位レベルとしての低レベル電位VSSとなっており、センスノードbSNの電位は、低レベル電位VSSよりも大きく、かつ、データ“1”を書き込むときの高レベル電位VBLHよりも小さい第2の電位レベルVSAPとなっている。
第1の電位レベルVSSは、ビット線BLLを電圧源FBLに低抵抗で接続するようにフィードバックトランジスタTP4を制御する電位である。
第2の電位レベルVSAPは、データの読出し時にビット線bBLLに印加する読出し電位と電圧源FBLの電位(VBLH)との間のいずれかの書込み電位をビット線bBLLに印加するようにフィードバックトランジスタTP5を制御する電位である。より詳細には、第2の電位レベルVSAPは、データを読み出すときにビット線に印加されるセンスノードSNにラッチされる第1の電位レベルVSSよりも大きく、かつ、“1”書込み電位VBLHからトランジスタTP5の閾値電位の絶対値|Vthp|を減じた値よりも小さい電位である。即ち、第2の電位レベルVSAPは、式1を満たす電位である。
VSS<VSAP<VBLH−|Vthp| (式1)
VSS<VSAP<VBLH−|Vthp| (式1)
フィードバックトランジスタTP5は、式1を満たす第2の電位レベルVSAPを受け、信号線FBLとビット線bBLLとの間を弱いオン状態にする。これにより、ビット線bBLLは、“0”書込み用の電位VBLLに設定される。電位VBLLは、データ“0”をメモリセルMCに書き込むときにビット線に印加する電圧である。その結果、ビット線bBLLに接続されたメモリセルMCにデータ“0”が書き込まれる(書き戻される)。
図4は、第2の電位レベルVSAPを生成するVSAP生成回路の構成の一例を示す回路図である。VSAP生成回路は、レプリカメモリセルMCrepと、レプリカフィードバックトランジスタTPrepと、増幅器AMPと、VSAP出力回路とを含む。
レプリカメモリセルMCrepは、通常のデータを格納するメモリセルMCと同じ構成を有するN型FETである。レプリカメモリセルMCrepは、メモリセルMCと同時に製造される。従って、レプリカメモリセルMCrepの電気的特性は、メモリセルMCのそれとほぼ同じである。レプリカフィードバックトランジスタTPrepは、フィードバックトランジスタTP4〜TP7と同じ構成を有するP型FETである。レプリカフィードバックトランジスタTPrepは、フィードバックトランジスタTP4〜TP7と同時に製造される。従って、レプリカフィードバックトランジスタTPrepの電気的特性は、フィードバックトランジスタTP4〜TP7のそれとほぼ同じである。レプリカメモリセルMCrepおよびレプリカフィードバックトランジスタTPrepは、高レベル電位VBLHとグランドVSSとの間に直列に接続されている。レプリカメモリセルMCrepのゲートは、読出し/書込み時に選択されたワード線に印加される高レベル電位VWLに設定されている。上記の具体例では、電位VWLは、1.5Vである。
増幅器AMPの非反転入力は、レプリカメモリセルMCrepとレプリカフィードバックトランジスタTPrepとの間のノードNrepに接続されており、増幅器AMPの反転入力は、“0”書込み電位VBLLに接続される。さらに、増幅器AMPの出力は、レプリカメモリセルMCrepのゲートおよびVSAP出力回路に接続されている。VSAP出力回路は、増幅器AMPの出力VSAP_REFを適切なタイミングでVSAPとしてセンスアンプS/Aへ出力する。
VSAP生成回路の動作を説明する。レプリカメモリセルMCrepおよびレプリカフィードバックトランジスタTPrepは、それぞれメモリセルMCおよびフィードバックトランスファゲートTP4〜TP7と同じ状況にある。よって、ノードNrepは、ビット線と同じ状況にある。増幅器AMPは、ノードNrepの電位が“0”書込み電位VBLLになるようにレプリカメモリセルMCrepのゲート電圧を調節する役目を果たす。より詳細には、増幅器AMPは、ノードNrepの電位と電位VBLLとの差を増幅してレプリカフィードバックトランジスタTPrepのゲートに出力する。もし、Nrepの電位がVBLLよりも高い場合、増幅器AMPは、正電圧を出力し、レプリカメモリセルMCrepを不活性状態側へ移行させる。レプリカメモリセルMCrepが閉じようとすると、Nrepの電位は低下する。もし、Nrepの電位がVBLLよりも低い場合、増幅器AMPは、負電圧を出力し、レプリカメモリセルMCrepを活性状態側へ移行させる。レプリカメモリセルMCrepが開こうとすると、Nrepの電位は上昇する。このような動作を繰り返すことにより、ノードNrepの電位は、VBLLで定常状態となる。このときのレプリカメモリセルMCrepのゲート電位が、ビット線の電位を“0”書込み電位VBLLにする第2の電位レベルVSAPとなる。尚、VSAP_REF=VSAPである。VSAP出力回路がVSAP_REFを第2の電位レベルVSAPとして出力する。
このように、VSAP生成回路は、“0”書込みのためにビット線bBLLに印加すべきVBLLを外部から受け、第2の電位レベルVSAPをセンスノードへ出力することができる。センスアンプS/Aは、第2の電位レベルVSAPをセンスノードで受け、ビット線へ“0”書き用の電位VBLLを印加する。即ち、VSAP生成回路は、ビット線へ伝達すべき“0”書き用の電位VBLLを入力すれば、この電位VBLLを適切なセンスノード電位(VSAP)へ変換することができる。適切なセンスノード電位は、電位VBLLをビット線bBLLへ印加するためにトランジスタTP5に印加すべきゲート電位である。
次に、本実施形態によるFBCメモリの全体のリフレッシュ動作を説明する。本実施形態では、センスアンプS/Aは、ビット線BLLを介して“1”セルをリフレッシュし、ビット線bBLLを介して“0”セルをリフレッシュするものとする。
図5(A)から図5(E)は、データ読出し動作およびリフレッシュ動作におけるデータの書戻し(リストア)動作を示すタイミング図である。リフレッシュ動作とは、一旦、読み出したデータをセンスノード対SA、bSAにラッチし、これと同一論理データをメモリセルMCへ書き戻す(リストアする)動作である。リフレッシュ動作は、チャージポンピング現象でデータ“1”が“0”に変化してしまうこと、並びに、リーク電流やGIDLによってデータ“0”が“1”に変化してしまうことを抑制する。
チャージポンピング現象とは以下の通りである。メモリセルをオン状態にしたときに反転層内の電子の一部がゲート酸化膜とボディ領域との界面にある界面準位にトラップされる。ボディ領域に蓄積されていた正孔はこの電子と再結合して消滅する。通常、ワード線が活性化された場合、非選択のメモリセルにはデータは書き戻されない。よって、選択メモリセルのデータの読出し/書込み時に非選択メモリセルのオン/オフが繰り返されると、データ“1”を記憶する非選択メモリセルのボディ領域に蓄積されていた正孔が徐々に減少してしまう。その結果、非選択メモリセルのデータ“1”の状態はデータ “0”に変化してしまう。この現象をチャージポンピング現象という。
[読出し動作]
図5(D)に示すように、t1において、信号EQLをロウレベルにすることによって、図1に示すイコライジングトランジスタTEQL、TEQRを閉じる。これにより、グランドに短絡していたビット線BLLおよびBLRを全て高インピーダンス状態にする。これと同時に、信号bSHORTをハイレベルにすることによってセンスノード対SNとbSNとの間を切断する。これにより、メモリセルアレイMCAL内のビット線BLLが相互に分離される。
図5(D)に示すように、t1において、信号EQLをロウレベルにすることによって、図1に示すイコライジングトランジスタTEQL、TEQRを閉じる。これにより、グランドに短絡していたビット線BLLおよびBLRを全て高インピーダンス状態にする。これと同時に、信号bSHORTをハイレベルにすることによってセンスノード対SNとbSNとの間を切断する。これにより、メモリセルアレイMCAL内のビット線BLLが相互に分離される。
当初、信号ΦTL、ΦTRは、ともに不活性(ロウレベル)であり、トランスファゲートTGL1、TGL2、TGR1、TGR2は、センスノード対とビット線対との間を切断している。t1において、信号ΦTRを不活性状態にしたまま、図5(E)に示すように信号ΦTLをハイレベルに活性化させる。これにより、トランスファゲートTGL1、TGL2が、ビット線対BLL、bBLLをセンスノード対SN、bSNにそれぞれ接続する。
t1の直後に、図5(D)に示すようにワード線WLLが選択的に活性化される。これにより、選択ワード線に接続されたメモリセルMCが選択される。このとき、図5(C)に示すように、信号bSANおよびSAPはともにハイレベル(VBLH=1.7V)である。信号bSANはハイレベルにおいて不活性状態であり、信号SAPはハイレベルにおいて活性状態である。つまり、ラッチ回路LC2は信号bSANにより駆動されないが、ラッチ回路LC1は信号SAPにより駆動される。これにより、ラッチ回路LC1が電流負荷回路として機能し、ビット線対BLL、bBLLを介してメモリセルMCへ電流を供給する。
ビット線対BLL、bBLLに接続された2つのメモリセルMCは、互いに逆極性のデータを格納する。従って、図5(A)に示すように、センスノード対SN、bSNに逆極性の信号が発展する。本実施形態では、センスノードSNがデータ“1”をセンスし、センスノードbSNがデータ“0”をセンスしている。
センスノード対SN,bSNに充分な信号差(電位差)が生じた時点(t2)で、図5(E)に示すように信号ΦTLを低レベル(VSS=0)に不活性にし、センスノード対SN、bSNをビット線対BLL,bBLLから切断する。その直後に、図5(C)に示すように、信号bSANを低レベル(VSS)に活性化する。これと同時に、信号SAPは、ハイレベルVBLHよりも少し低い電位VSAP(例えば、1.2V)に低下する。この電位VSAPは、図4を参照して説明したように、ビット線bBLLに“0”書込み電位VBLLを印加するために、トランジスタTP5のゲートに印加されるべき電位である。
信号bSANによりラッチ回路LC2が活性化され、かつ、信号SAPによりラッチ回路LC1が活性化される。これにより、図5(A)に示すように、センスノードSNとbSNとの間の信号差が増幅される。本実施形態では、センスノードSNの電位は第1の電位レベルVSS(0V)まで低下し、センスノードbSNの電位は第2の電位レベルVSAP(例えば、1.2V)まで上昇する。ラッチ回路LC1、LC2は、センスノードSNに、“1”セルに基づく第1の電位レベルVSSをラッチし、尚且つ、センスノードbSNに、“0”セルに基づく第2の電位レベルVSAPをラッチする。
[リストア動作]
次に、データのリストアを実行する。t3において、図5(E)に示すように、信号線FBLがハイレベル(VBLH)に活性化される。このとき、トランジスタTP4のゲート電位は、ロウレベル(VSS)である。よって、トランジスタTP4はオンになる。信号線FBLは、ノードN1を介してビット線BLLに接続される。これにより、ビット線BLLに接続されたメモリセルMCにデータ“1”がリストアされる。トランジスタTP5のゲート電位は、ハイレベルVBLHよりも少し低いVSAPである。よって、トランジスタTP5は弱いオン状態となっている。トランジスタTP5は、電位VSAPを受け、ビット線bBLLを“0”書込み電位VBLLにするように信号FBLをビット線bBLLへ接続する。これにより、ビット線BLLおよび選択ワード線に接続されたメモリセルMCには、データ“1”がリストアされ、ビット線bBLLおよび選択ワード線に接続されたメモリセルMCには、データ“0”がリストアされる。
次に、データのリストアを実行する。t3において、図5(E)に示すように、信号線FBLがハイレベル(VBLH)に活性化される。このとき、トランジスタTP4のゲート電位は、ロウレベル(VSS)である。よって、トランジスタTP4はオンになる。信号線FBLは、ノードN1を介してビット線BLLに接続される。これにより、ビット線BLLに接続されたメモリセルMCにデータ“1”がリストアされる。トランジスタTP5のゲート電位は、ハイレベルVBLHよりも少し低いVSAPである。よって、トランジスタTP5は弱いオン状態となっている。トランジスタTP5は、電位VSAPを受け、ビット線bBLLを“0”書込み電位VBLLにするように信号FBLをビット線bBLLへ接続する。これにより、ビット線BLLおよび選択ワード線に接続されたメモリセルMCには、データ“1”がリストアされ、ビット線bBLLおよび選択ワード線に接続されたメモリセルMCには、データ“0”がリストアされる。
以上、ビット線対BLL、bBLLに接続されたメモリセルMCのリフレッシュ動作について説明したが、ビット線対BLR、bBLRに接続されたメモリセルMCのリフレッシュ動作についても同様のことが言える。
また、データをセンスアンプS/Aの外部へ読み出す動作では、カラム選択線CSLを活性化し、DQ線を駆動させる。この動作は、“0”をリストアする動作と同時に実行しても、ラッチ回路LC2に過大な電流は流れない。尚、このデータ読出し動作では、カラム選択線CSLを活性化する動作が含まれる点でリフレッシュ動作と異なる。データ読出し動作のその他の動作は、リフレッシュ動作と同様でよい。
本実施形態において、一般的には、センスアンプS/Aは、メモリセルMCと同様に、SOI基板上に形成される。この場合、図3に示すトランジスタTN1〜TN5、TP1〜TP7、トランスファゲートTGL1、TGL2、TGR1、TGR2の各ボディは、フローティング状態となる。ここで、データ検出(初期センス)に関わるトランジスタTP1、TP2、TN1、TN2、TGL1、TGL2、TGR1、TGR2の閾値電圧は等しいことが好ましい。よって、これらのトランジスタおよびトランスファゲートでは、ボディコンタクト(図示せず)を形成し、ボディを所定の電位に固定することによって、その閾値電圧を安定させることが好ましい。一方、データ検出に関係しないトランジスタTP4〜TP7、TN4、TN5は、閾値電圧に多少ばらつきがあっても差し支えない。従って、トランジスタTP4〜TP7、TN4、TN5については、電流駆動能力の向上およびチップ面積の削減の観点から、ボディコンタクトを設けないことが好ましい。これにより、センスアンプS/Aは、高速かつ正確にデータを検出することができ、かつ、実装面積を小さくすることができる。
上記実施形態のセンスアンプS/Aを構成するトランジスタおよびトランスファゲートの導電型は論理的に逆であってもよい。即ち、センスアンプS/A内のP型トランジスタTP1〜TP7に代えてN型トランジスタを採用し、かつ、N型トランジスタTN1〜TN5、TGL1、TGL2、TGR1、TGR2に代えてP型トランジスタを採用してもよい。この場合、これらのトランジスタおよびトランスファゲートの制御信号の電位レベルも論理的に逆にする。
また、メモリセルは、NMOSに代えてPMOSであってもよい。この場合、電源の電位レベル(VBLH、VSS)は、論理的に反転させる必要がある。
本実施形態によるFBCメモリは、書込み(リストア)用のフィードバックトランジスタとして、各ビット線に対して1つのトランジスタを備えているだけである。従って、センスアンプS/Aの回路規模を小さくすることができる。センスアンプS/Aは、通常、ビット線対ごとに設けられているので、センスアンプS/Aの回路規模を小さくすることは、メモリ全体の回路規模を小さくすることにつながる。
図5(C)に示すように、本実施形態では、信号SAPは、初期センスまで(〜t2)、ハイレベルVBLH(1.7V)であり、その後、VSAP(1.2V)となる。これにより、初期センス時の信号差が大きくなる。しかし、信号SAPは、常時、VSAP(1.2V)であってもよい。この場合、初期センス時の信号差が幾分小さくなるが、信号SAPの電位を一定に固定した状態でリフレッシュ動作を実行することができる。
尚、データ保持時のソース線電位VSLは、接地電位(0V)であってもよい。しかし、図5(E)に示すように、データ保持時のソース線電位VSLは、接地電位と高レベル電位VBLHとの間の中間電位(例えば、1V)であってもよい。データ保持時のソース線電位VSLをこの中間電位にすれば、データ保持時におけるワード線電位VWLを浅くする(絶対値として小さくする)ことができる。データ保持時のソース線電位VSLを中間電位にすることによって、ワード線電位VWLの振幅を低減させるのに有効である。特に、BOX層20が厚くボディ−ゲート間容量が大きい場合にデータ保持時のソース線電位VSLを中間電位にすることは有効である。データ読出し/書込み時には、ソース線電位VSLは接地電位になる。従って、データ保持時のソース線電位VSLが中間電位であっても、上記実施形態の動作には差し支えない。
(第2の実施形態)
第2の実施形態では、ラッチ回路LC1、LC2を構成するトランジスタTP1、TP2、TN1およびTN2のゲート絶縁膜の膜厚は、フィードバックトランジスタTP4およびTP5のゲート絶縁膜の膜厚よりも薄い。より詳細には、トランスファゲートTGL1、TGL2、TGR1、TGR2よりもセンスノードSN、bSNの側に接続されたトランジスタTP1〜TP3、TN1〜TN5のゲート絶縁膜の膜厚は、ビット線BL、bBL側に接続されたトランジスタTP4〜TP7、TGL1、TGL2、TGR1、TGR2のゲート絶縁膜の膜厚よりも薄く形成されている。
第2の実施形態では、ラッチ回路LC1、LC2を構成するトランジスタTP1、TP2、TN1およびTN2のゲート絶縁膜の膜厚は、フィードバックトランジスタTP4およびTP5のゲート絶縁膜の膜厚よりも薄い。より詳細には、トランスファゲートTGL1、TGL2、TGR1、TGR2よりもセンスノードSN、bSNの側に接続されたトランジスタTP1〜TP3、TN1〜TN5のゲート絶縁膜の膜厚は、ビット線BL、bBL側に接続されたトランジスタTP4〜TP7、TGL1、TGL2、TGR1、TGR2のゲート絶縁膜の膜厚よりも薄く形成されている。
センスノードSN、bSNの側に接続されたトランジスタTP1〜TP3、TN1〜TN5は、リストア時にトランスファゲートTGL1、TGL2、TGR1、TGR2によってビット線から切断されている。このためセンスノードSN、bSNの側に接続されたトランジスタTP1〜TP3、TN1〜TN5には、“1”書き用の高電圧VBLH(信号FBL)が印加されない。従って、トランスファゲートTGL1、TGL2、TGR1、TGR2よりもセンスノードSN、bSNの側に接続されたトランジスタTP1〜TP3、TN1〜TN5のゲート絶縁膜の膜厚は、ビット線BL、bBL側に接続されたトランジスタTP4〜TP7、TGL1、TGL2、TGR1、TGR2のゲート絶縁膜の膜厚よりも薄くてよい。
近年のLOGICプロセスを用いた場合、アクセススピードを優先するために標準ロジック部にはゲート絶縁膜が薄く、高速動作可能なトランジスタを使用し、一方、アナログ回路、メモリの一部の回路およびI/O回路には、ゲート絶縁膜の厚い高耐圧トランジスタを使用する。このようなプロセスを採用する場合、ラッチ回路LC1、LC2を構成するトランジスタ(TP1、TP2、TN1、TN2)、CSLゲートを構成するトランジスタ(TN4、TN5)、および、センスノードSN、bSNをイコライジングするトランジスタ(TP3)には、アクセススピードを優先するためにゲート絶縁膜の薄いトランジスタを採用する。一方、センスアンプS/A中のそれ以外のトランジスタには、高耐圧を確保するためにゲート絶縁膜の厚いトランジスタを採用する。
センスノードSN、bSNの側に接続されたトランジスタのゲート絶縁膜を薄くすることによって、これらのトランジスタをさらに小型化することができる。よって、第2の実施形態は、FBCメモリの性能を維持しつつ、FBCメモリを小型化することができる。
(第3の実施形態)
図6は、本発明に係る第3の実施形態に従ったセンスアンプS/Aの回路図である。第3の実施形態では、第2の電位レベル(中間電位レベル)は、信号bSANから印加される。第2の電位レベルVbSANは、低レベル電位VSSよりも大きく、かつ、高レベル電位VBLHよりも小さい。このとき、第1の電位レベルVSAPは、高電位レベルVBLHとなっている。第1の電位レベルVBLHは、データ“1”書きの電位であり、上記実施形態と同様に、例えば、1.7Vである。第2の電位レベルVbSANは、メモリセルMCへデータ“0”を書き込む際にビット線に印加される電圧(VBLL)であり、例えば、0.7Vである。
図6は、本発明に係る第3の実施形態に従ったセンスアンプS/Aの回路図である。第3の実施形態では、第2の電位レベル(中間電位レベル)は、信号bSANから印加される。第2の電位レベルVbSANは、低レベル電位VSSよりも大きく、かつ、高レベル電位VBLHよりも小さい。このとき、第1の電位レベルVSAPは、高電位レベルVBLHとなっている。第1の電位レベルVBLHは、データ“1”書きの電位であり、上記実施形態と同様に、例えば、1.7Vである。第2の電位レベルVbSANは、メモリセルMCへデータ“0”を書き込む際にビット線に印加される電圧(VBLL)であり、例えば、0.7Vである。
第3の実施形態によるセンスアンプS/Aは、n型トランジスタTN6〜TN9をさらに備えている。トランジスタTN6は、ビット線bBLLとセンスノードSNとの間に接続されており、そのゲートは、フィードバック信号線FBLに接続されている。トランジスタTN7は、ビット線BLLとセンスノードbSNとの間に接続されており、そのゲートは、フィードバック信号線FBLに接続されている。トランジスタTN8は、ビット線BLRとセンスノードbSNとの間に接続されており、そのゲートは、フィードバック信号線FBRに接続されている。トランジスタTN9は、ビット線bBLRとセンスノードSNとの間に接続されており、そのゲートは、フィードバック信号線FBRに接続されている。トランジスタTN6〜TN9は、データをメモリセルMCへ書き戻す際にフィードバック信号線FBL、FBRの活性化によってオンする。しかし、データ“1”書きは、トランジスタTP4〜TP7のいずれかが高レベル電位VBLHをビット線へ接続することによって実行される。従って、トランジスタTN6〜TN9は、データ“0”書きの際に電位VbSAN(VBLL)をビット線に印加するために用いられる。
電位VbSANの生成回路は、図4に示すVSAP生成回路を応用すれば当業界の当業者であれば容易に推測することができるので、ここでは説明を省略する。第3の実施形態のその他の構成は、第1または第2の実施形態の構成と同様でよい。
図7(A)〜図7(E)は、第3の実施形態によるセンスアンプS/Aの動作を示すタイミング図である。図7(A)〜図7(E)は、それぞれ図5(A)〜図5(E)に相当する。図7(A)および図7(C)が図5(A)および図5(C)と異なる。
第1の実施形態と同様に、第3の実施形態でも、例えば、ビット線BLLに接続されたメモリセルMCにデータ“1”を書き戻し、ビット線bBLLに接続されたメモリセルMCにデータ“0”を書き戻すものとする。
図7(C)に示すように、t2までは、信号bSANおよびSAPはともにハイレベル(VBLH=1.7V)である。信号bSANはハイレベルにおいて不活性状態であり、信号SAPはハイレベルにおいて活性状態である。これにより、ラッチ回路LC1が電流負荷回路として機能し、ビット線対BLL、bBLLを介してメモリセルMCへ電流を供給する。
[読出し動作]
t2において、信号SAPの電位が高電位レベル(第1の電位レベル)VBLHに維持された状態で、信号bSANの電位は、高レベル電位VBLHから第2の電位レベルVbSAN(VAA<VbSAN<VBLH)に低下する。第2の電位レベルVbSANは、“0”書き電位VBLLに等しい。これにより、ラッチ回路LC1およびラッチ回路LC2がともに活性化され、図5(A)に示すように、センスノードSNとbSNとの間の信号差が増幅される。センスノードbSNは、データ“0”を読み出しており、その電位は高レベル電位VBLHである。センスノードSNは、データ“1”を読み出しており、その電位は第2の電位レベルVbSAN(VBLL)である。
t2において、信号SAPの電位が高電位レベル(第1の電位レベル)VBLHに維持された状態で、信号bSANの電位は、高レベル電位VBLHから第2の電位レベルVbSAN(VAA<VbSAN<VBLH)に低下する。第2の電位レベルVbSANは、“0”書き電位VBLLに等しい。これにより、ラッチ回路LC1およびラッチ回路LC2がともに活性化され、図5(A)に示すように、センスノードSNとbSNとの間の信号差が増幅される。センスノードbSNは、データ“0”を読み出しており、その電位は高レベル電位VBLHである。センスノードSNは、データ“1”を読み出しており、その電位は第2の電位レベルVbSAN(VBLL)である。
[リストア動作]
次に、データのリストアを実行する。t3において、信号線FBLがハイレベル(VBLH)に活性化される。このとき、トランジスタTP4のゲート電位は、第2の電位レベルVbSAN(VBLL)である。よって、トランジスタTP4はオン状態になる。これにより、フィードバック信号線FBLがビット線BLLに接続され、ビット線BLLに接続されたメモリセルMCにデータ“1”がリストアされる。一方、トランジスタTP5のゲート電位は、高電位レベルVBLHである。よって、トランジスタTP5はオフ状態である。
次に、データのリストアを実行する。t3において、信号線FBLがハイレベル(VBLH)に活性化される。このとき、トランジスタTP4のゲート電位は、第2の電位レベルVbSAN(VBLL)である。よって、トランジスタTP4はオン状態になる。これにより、フィードバック信号線FBLがビット線BLLに接続され、ビット線BLLに接続されたメモリセルMCにデータ“1”がリストアされる。一方、トランジスタTP5のゲート電位は、高電位レベルVBLHである。よって、トランジスタTP5はオフ状態である。
トランジスタTN6、TN7がオンする。これにより、高レベル電位VBLHのセンスノードbSNがビット線BLLに接続されるとともに、第2の電位レベルVbSAN(VBLL)のセンスノードSNがビット線bBLLに接続される。ビット線BLLには、トランジスタTP4を介して高レベル電位VBLHが既に印加される。
一方、ビット線bBLLには、トランジスタTN6を介して第2の電位レベルVbSAN(VBLL)が印加される。これにより、ビット線bBLLに接続されたメモリセルMCにデータ“0”がリストアされる。即ち、第3の実施形態では、データ“1”書きは、トランジスタTP4〜TP7のいずれかを介して行われるが、データ“0”書きは、トランジスタTN6〜TN9のいずれかを介して行われる。このように、トランジスタTN6〜TN9は、データ“0”をメモリセルMCに書き込むために設けられたトランジスタである。第3の実施形態のその他の動作は、第1または第2の実施形態と同様でよい。
信号bSANを第2の電位レベルVbSAN(VBLL)とし、信号SAPを高電位レベルVBLHとしても、センスアンプS/AがトランジスタTN6〜TN9をさらに備えることによって、第3の実施形態は、第1または第2の実施形態と同様の効果を得ることができる。
MC…メモリセル
S/A…センスアンプ
WL…ワード線
BLL、bBLL…ビット線
SN、bSN…センスノード
TGL1、TGL2、TGR2、TGR2…トランスファゲート
LC1、LC2…ラッチ回路
FBL、FBR…フィードバック信号線
TP4〜TP7…フィードバックトランジスタ
MCrep…レプリカメモリセル
TPrep…レプリカフィードバックトランジスタ
AMP…増幅器
S/A…センスアンプ
WL…ワード線
BLL、bBLL…ビット線
SN、bSN…センスノード
TGL1、TGL2、TGR2、TGR2…トランスファゲート
LC1、LC2…ラッチ回路
FBL、FBR…フィードバック信号線
TP4〜TP7…フィードバックトランジスタ
MCrep…レプリカメモリセル
TPrep…レプリカフィードバックトランジスタ
AMP…増幅器
Claims (5)
- 電気的に浮遊状態のフローティングボディを含み、該フローティングボディ内の多数キャリアの数によってデータを記憶する複数のメモリセルと、
前記メモリセルのゲートに接続されたワード線と、
第1の論理データを記憶する前記メモリセルに接続された第1のビット線と、
第2の論理データを記憶する前記メモリセルに接続された第2のビット線と、
前記第1および第2のビット線にそれぞれ接続された第1のセンスノードおよび第2のセンスノードと、
前記第1のビット線と前記第1のセンスノードとの間、および、前記第2のビット線と前記第2のセンスノードとの間のそれぞれに接続された複数のトランスファゲートと、
前記第1の論理データに基づく第1の電位レベルを前記第1のセンスノードにラッチし、前記第2の論理データに基づく第2の電位レベルを前記第2のセンスノードにラッチするラッチ回路と、
前記第1の論理データを書き込むために用いられる第1の電圧源FBLと前記第1のビット線との間に接続され、ゲートが前記第1のセンスノードに接続された第1のフィードバックトランジスタと、
前記第1の電圧源と前記第2のビット線との間に接続され、ゲートが前記第2のセンスノードに接続された第2のフィードバックトランジスタとを備え、
前記第1の電位レベルは、前記第1のビット線を前記第1の電圧源に接続するように前記第1のフィードバックトランジスタを制御する電位レベルであり、
前記第2の電位レベルは、データの読出し時に前記ビット線に印加する読出し電位と前記第1の電圧源の電位との間の書込み電位を前記第2のビット線に印加するように前記第2のフィードバックトランジスタを制御する電位レベルであることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記メモリセルと同じ構成を有するレプリカセルと、
前記第2のフィードバックトランジスタと同じ構成を有するレプリカフィードバックトランジスタと、
前記レプリカセルと前記レプリカフィードバックトランジスタとの間のノード電位と前記第2の論理データを書き込むときの前記第2のビット線の書込み電位との差を前記レプリカフィードバックトランジスタのゲートに出力する増幅器と、
前記増幅器の出力を前記第2の電位レベルとして出力する出力部とを含む第2の電位生成回路をさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。 - データ保持時における前記メモリセルのソース電位は、接地電位と前記第1の電圧源の電位との間の電位であることを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載の半導体記憶装置。
- 電気的に浮遊状態のフローティングボディを含み、該フローティングボディ内の多数キャリアの数によってデータを記憶する複数のメモリセルと、前記メモリセルのゲートに接続されたワード線と、第1の論理データを記憶する前記メモリセルに接続された第1のビット線と、第2の論理データを記憶する前記メモリセルに接続された第2のビット線と、前記第1および第2のビット線にそれぞれ接続された第1のセンスノードおよび第2のセンスノードと、前記第1のビット線と前記第1のセンスノードとの間、および、前記第2のビット線と前記第2のセンスノードとの間のそれぞれに接続された複数のトランスファゲートと、前記第1の論理データに基づく第1の電位レベルを前記第1のセンスノードにラッチし、前記第2の論理データに基づく第2の電位レベルを前記第2のセンスノードにラッチするラッチ回路と、前記第1の論理データを書き込むために用いられる第1の電圧源と前記第1のビット線との間に接続され、ゲートが前記第1のセンスノードに接続された第1のフィードバックトランジスタと、前記第1の電圧源と前記第2のビット線との間に接続され、ゲートが前記第2のセンスノードに接続された第2のフィードバックトランジスタとを備えた半導体記憶装置の駆動方法であって、
データの書込みまたはデータの書戻し時に、前記第1のビット線を前記第1の電圧源に接続するために、前記第1の電位レベルによって前記第1のフィードバックトランジスタを導通させ、かつ、データの読出し時に前記ビット線に印加する読出し電位と前記第1の電圧源の電位との間の書込み電位を前記第2のビット線に印加するように、前記第2の電位レベルによって前記第2のフィードバックトランジスタを制御することを具備した半導体記憶装置の駆動方法。 - 前記半導体記憶装置は、前記第2の論理データを記憶する前記メモリセルと同じ構成を有するレプリカセルと、前記第2のフィードバックトランジスタと同じ構成を有するレプリカフィードバックトランジスタと、前記レプリカセルと前記レプリカフィードバックトランジスタとの間のノード電位と前記第2の論理データを書き込むときの書込み電位との差を前記第2のビット線の電位と前記レプリカフィードバックトランジスタのゲートに出力する増幅器とを備え、
前記第2の電位レベルは、前記増幅器の出力電位であることを特徴とする請求項4に記載の半導体記憶装置の駆動方法。
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