JP4494785B2 - 異方導電性接着性フィルム、その製造方法、および半導体装置 - Google Patents

異方導電性接着性フィルム、その製造方法、および半導体装置 Download PDF

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Description

本発明は、異方導電性接着性フィルム、その製造方法、および半導体装置に関する。さらに詳しくは、本発明は、半導体チップ等の電子部品を配線板上に信頼性よく電気的に接続することのできる異方導電性接着性フィルムに関する。さらに、本発明は、このフィルムを製造するための効率的な方法に関する。さらに、本発明は、前述のフィルムにより配線板上に電気的に接続された半導体チップ等の電子部品を含む半導体装置であって、熱衝撃を受けた際、優れた応力緩和性を示し、信頼性のある半導体装置に関する。
半導体チップの小型化・多ピン化に伴い、半導体チップと配線板の接続はフリップチップ方式による接続が多用されている。この接続方法では、半導体チップと配線板との熱膨張係数の差により、熱衝撃を受けた際に熱応力が生じ、信頼性が低下するという問題があった。このため、半導体チップと配線板をはんだボールにより接続した半導体装置では、半導体チップと配線板の間にアンダーフィル材と呼ばれる樹脂を封入して熱応力を緩和する対策がとられている。しかし、この方法は実装工程が増え、コストアップとなるという問題があった。
このため、特開昭63−86322号公報や特開昭63−86536号公報では、電気絶縁性接着剤層中に柱状導電体が所定の配列で埋め込まれている異方導電性接着性フィルムが提案されている。これらの導電体は、圧着時に、層の厚み方向に導通し、層の面内方向に絶縁されるように埋め込まれている。しかし、このような異方導電性接着性フィルムを用いて半導体チップを配線板に接続しても、熱衝撃により接続信頼性が低下するという問題があった。
特開昭63−86322号公報 特開昭63−86536号公報
本発明の目的は、半導体チップ等の電子部品を配線板上に信頼性よく電気的に接続することのできる異方導電性接着性フィルムを提供することにある。本発明の付加的な目的は、このフィルムを製造するための効率的な方法を提供することにある。さらに、本発明の目的は、前述のフィルムにより半導体チップ等の電子部品が配線板上に電気的に接続され、熱衝撃を受けた際、優れた応力緩和性を示し、信頼性のある半導体装置を提供することにある。
本発明の異方導電性接着性フィルムは、接着性フィルムの厚み方向に貫通し、電気絶縁性エラストマーからなる接着性フィルムの面内方向に絶縁されている導電性エラストマーを有し、該導電性エラストマーと前記電気絶縁性エラストマーの両方が150℃において100MPa以下の弾性率を有することを特徴とする。
異方導電性接着性フィルムを製造するための本発明の方法は、
電気絶縁性エラストマーからなる接着性フィルムの厚み方向に貫通孔を形成し、
その後は、その貫通孔を導電性エラストマー組成物で充填し、
そして、その貫通孔を充填した後、導電性エラストマーを形成するために前記導電性エラストマー組成物を硬化することを特徴とする。
本発明の半導体装置は、上記の異方導電性接着性フィルムにより、半導体チップの電極と配線板の配線パッドを電気的に接続してなることを特徴とする。
本発明の異方導電性接着性フィルムにおいて、電気絶縁性エラストマーは、150℃において100MPa以下、特に好ましくは10MPa以下の弾性率を有する。150℃における電気絶縁性エラストマーの弾性率が100MPaを超えると、半導体チップの端子と配線板の配線パッドを電気的に確実に接続することができなくなる。この電気絶縁性エラストマーとしては、エポキシ樹脂エラストマー、アクリル樹脂エラストマー、ポリイミド樹脂エラストマー、シリコーンエラストマーが例示される。本発明の異方導電性接着性フィルムにおいて、電気絶縁性エラストマーからなる接着性フィルムとして、特開2000−357697号公報に開示されているエポキシ樹脂エラストマーフィルムとポリイミド樹脂エラストマーフィルムを用いることができる。また、本発明の異方導電性接着性フィルムにおいて、電気絶縁性エラストマーからなる接着性フィルムとして、特開平11−12546号公報や特開2001−19933号公報に開示されているシリコーンエラストマーフィルムを用いることができる。電気絶縁性エラストマーの抵抗率は、好ましくは1×106Ω・cm以上であり、特に好ましくは1×108Ω・cm以上である。その抵抗率が1×106Ω・cm未満であると、優れた異方導電性が得られない。特に、この接着性フィルムは、硬化性エラストマー組成物を架橋することにより得られ、架橋度によりゲル状やゴム状を呈するものである。シリコーンエラストマーは熱衝撃を受けた際に応力緩和性を示すことから、電気絶縁性エラストマーはシリコーンエラストマーであることが好ましい。一方、接着性フィルムの厚さは限定されないが、この接着性フィルムは、好ましくは1〜5000μm、さらに好ましくは5〜1000μm、特に好ましくは5〜500μmの範囲内の厚さを有する。
電気絶縁性エラストマーがシリコーンエラストマーである場合、接着性フィルムを製造する好ましい方法は、硬化性シリコーンエラストマー組成物を、その組成物の硬化物に対して剥離性を有し、かつこの硬化物よりも大きい誘電率を有する基材間で架橋させることからなる。これらの剥離性の基材としては、ポリエーテルサルホン樹脂、トリアセトキシセルロース、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド樹脂等の有機樹脂が例示される。これらの有機樹脂からなる基材としては、これらの有機樹脂のみからなる基材であってもよく、また、これらの有機樹脂を表面や内部に有する複合基材であってもよい。また、これらの基材の形状は限定されず、ブロック、板、フィルムが例示される。特に、基材がフィルムである場合には、接着性フィルムの保護フィルムとして用いることができる。この保護フィルムは半導体チップを配線板に貼り合わせる際に剥がす。また、この保護フィルムの代わりに、別の保護フィルムに貼り替えてもよい。この第2の保護フィルムの誘電率は特に限定されず、この第2の保護フィルムとしては、フッ素樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂等の有機樹脂フィルムが例示される。
この接着性フィルムは、例えば、東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製の商品名FA60、FA2000として入手可能である。
本発明の異方導電性接着性フィルムは、接着性フィルムの厚み方向に貫通し、電気絶縁性エラストマーからなる接着性フィルムの面内方向に絶縁されている導電性エラストマーを有する。本発明の異方導電性接着性フィルムにおいて、この導電性エラストマーは、150℃において100MPa以下、特に好ましくは10MPa以下の弾性率を有する。150℃における導電性エラストマーの弾性率が100MPaを超えると、半導体チップの端子と配線板の配線パッドを電気的に確実に接続することができなくなる。そして、導電性エラストマーの抵抗率は、好ましくは1Ω・cm以下、特に好ましくは1×10-2Ω・cm以下である。その抵抗率が1Ω・cmを超えると、優れた異方導電性が得られない。導電性エラストマーの高さは接着性フィルムの厚さと同じか、あるいは導電性エラストマーは凸状に吐出していてもよい。この導電性エラストマーの接続面の大きさは、半導体チップの電極や配線板の配線パッドの大きさとそれらの間隔に依存するので特に限定されない。この導電性エラストマーの形状も特に限定されないが、この導電性エラストマーとしては、円柱、角柱、円錐台、四角錐、紐、帯が例示され、好ましくは、円柱である。
導電性エラストマーとしては、導電性エポキシ樹脂エラストマー、導電性アクリル樹脂エラストマー、導電性ポリイミド樹脂エラストマー、導電性シリコーンエラストマーが例示される。半導体チップと配線板を接続する際に、半導体チップの電極と配線板の配線パッドに密着しやすくなったり、接着性フィルムが半導体チップおよび配線板に接着しやすくなることから、導電性シリコーンエラストマーが特に好ましい。この導電性シリコーンエラストマーとしては、導電性シリコーンゴム、導電性シリコーンゲルが例示される。
導電性エラストマーが導電性シリコーンエラストマーである場合、導電性シリコーンエラストマーは、例えば、特開平3−170581号公報に開示されている導電性シリコーンゴム組成物の硬化物により作製することができる。この導電性シリコーンゴム組成物は、金、銀、ニッケル、銅等の金属粉末、あるいはこれらの金属を蒸着もしくはメッキした微粉末を含有する硬化性シリコーンゴム組成物である。このようなタイプの導電性シリコーンゴム組成物としては、例えば、東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製の商品名DA6524、DA6525として入手可能である。
この導電性エラストマーは、電気絶縁性エラストマーからなる接着性フィルムの厚み方向に貫通するものの、この接着性フィルムの面内方向には絶縁されている。この導電性エラストマーの配置は半導体チップの電極や配線板の配線パッドの配置に対応して形成することが好ましい。
異方導電性接着性フィルムを製造するための本方法は、
電気絶縁性エラストマーからなる接着性フィルムの厚み方向に貫通孔を形成し、
その後は、その貫通孔を導電性エラストマー組成物で充填し、
そして、その貫通孔を充填した後、導電性エラストマーを形成するために前記導電性エラストマー組成物を硬化することを特徴とする。
この電気絶縁性エラストマーとしては、上記のようなエポキシ樹脂エラストマー、アクリル樹脂エラストマー、ポリイミド樹脂エラストマー、シリコーンエラストマーが例示される。熱衝撃を受けた際に応力緩和性を示すことから、電気絶縁性エラストマーはシリコーンエラストマーであることが好ましい。
本方法では、次いで、接着性フィルムの厚み方向に貫通孔を形成する。貫通孔を形成する方法としては、打抜き、レーザー加工、マイクロドリルによる穴あけ、ケミカルエッチングが例示される。打抜き、レーザー加工が特に好ましい。また、貫通孔を有する接着性フィルムは、予め貫通孔を形成するようにピンが設けられている金型を用いることにより製造することもできる。硬化性シリコーン組成物は、この硬化性シリコーン組成物により得られる硬化物に対して剥離性を有し、かつこの硬化物よりも大きな誘電率を有する基材を設けた金型中に注入され、硬化される。この貫通孔は、半導体チップの電極や配線板の配線パッドの配置に対応して形成することが好ましい。
接着性フィルムに形成された貫通孔には、その後、導電性エラストマー組成物が充填される。この導電性エラストマー組成物としては、導電性エポキシ樹脂エラストマー組成物、導電性アクリル樹脂エラストマー組成物、導電性ポリイミド樹脂エラストマー組成物、導電性シリコーンエラストマー組成物が例示される。半導体チップと配線板を接続する際に、半導体チップの電極と配線板の配線パッドに密着しやすくなったり、また、接着性フィルムが半導体チップおよび配線板に接着しやすくなるから、導電性シリコーンエラストマー組成物は特に好ましい。この導電性シリコーンエラストマー組成物としては、導電性シリコーンゴム組成物、導電性シリコーンゲル組成物が例示される。
接着性フィルムに形成された貫通孔に導電性エラストマー組成物を充填する方法としては、例えば、接着性フィルム上に導電性エラストマー組成物を塗布した後、スキージにより貫通孔に導電性エラストマー組成物を充填する方法が挙げられる。貫通孔に充填した導電性エラストマー組成物を硬化させる必要がある。この導電性組成物が加熱硬化性組成物である場合には、硬化は150℃以下の温度で数分加熱で行われる。
本方法を図面により説明する。図1は、電気絶縁性エラストマー1の両面に保護フィルム2が密着している接着性フィルムである。この接着性フィルムを打抜き、レーザー加工、マイクロドリルによる穴あけ、ケミカルエッチング等の方法により貫通孔3を形成することにより、図2で示される接着性フィルムを作製する。次いで、図3で示される接着性フィルムは、貫通孔3を有する接着性フィルム上に導電性エラストマー組成物を塗布した後、スキージにより貫通孔に充填することにより作製される。貫通孔に充填された導電性エラストマー組成物は、導電性エラストマーを形成するため硬化させる。図4は、保護フィルムを剥がした後の異方導電性接着性フィルムを示している。
本発明の半導体装置は、半導体チップの電極と配線板の配線パッドを上記の異方導電性接着性フィルムにより電気的に接続してなることを特徴とする。特に、本発明の半導体装置では、半導体チップの複数の電極(ボンディングパッド)と、電極に対応して配置した配線板の配線パッドが上記の異方導電性接着性フィルムの導電体により電気的に接続され、さらに、半導体チップと回路板が接着性フィルムにより接着されている。このため、得られる半導体装置が熱衝撃を受けても十分に応力を緩和することができるという特徴がある。
図5は、本発明の一例の半導体装置の断面図を示している。本発明の半導体装置において、半導体チップ6の電極7と配線板8の配線パッド9が異方導電性接着性フィルムの導電体5により電気的に接続されている。また、半導体チップ6と配線板8とは電気絶縁性エラストマー1からなる接着性フィルムにより接着されている。このような半導体装置としては、半導体チップを、エポキシ樹脂製配線板、ポリイミド樹脂製配線板、ガラス製配線板、BTレジン製配線板等の配線板に接続した、例えば、COXと呼ばれるベアチップ実装したもの、FC−BGAの半導体チップを配線板に接続したもの、ランドグリッドアレイ(LGA)等の電子部品と前記回路基板とを接続したもの、さらには前記エポキシ系プリント基板とポリイミド系フレキシブル回路基板を接続したものが例示される。
本発明の半導体装置を作製する方法は限定されないが、半導体チップに異方導電性接着性フィルムを貼り付けた後、これに回路板を貼り付けるか、または、この回路板に異方導電性接着性フィルムを貼り付けた後、これに半導体チップを貼り付け、次いで、これらを200℃以下にて加熱する方法が例示される。この際、上記の異方導電性接着性シートを挟んだ状態で半導体チップと配線板に圧着した状態で加熱することが好ましい。
以下の手順は半導体装置の作製、およびその信頼性の評価についてである。また、物性は25℃における値である。
[半導体装置の作製方法]
10個の半導体装置を次のようにして作製した。:半導体チップ(電極の数=100)とエポキシ樹脂製の配線板を異方導電性接着性フィルムを介して貼り合わせ、次いで1MPaの力で圧着させながら190℃で2秒間加熱し、その後、圧力を除いた状態にして170℃で1時間さらに加熱した。
[半導体装置の信頼性]
半導体装置10個を−55℃で30分間放置した後、直ちに125℃で30分間放置する工程を1サイクルとする熱衝撃試験を1000サイクル行った。
○外観:半導体装置の外観を顕微鏡により、クラックや剥離等の不良の有無を観察した。
○導通抵抗:半導体装置10個の各端子の導通抵抗を測定して、熱衝撃試験前に比べてその抵抗値が2倍以上となったものがあった場合を導通抵抗不良とした。
○耐湿性:半導体装置10個を135℃、相対湿度85%のHAST試験を500時間行った。その後、半導体装置の各端子の導通試験を行い、各端子間のリーク電流の有無を測定し、リーク電流が測定された場合を耐湿性不良とした。
[実施例1]
片面に厚さ50μmのポリエーテルサルフォン(以下、PES)フィルムを貼り合わせ、他方の片面に厚さ35μmのPESフィルムを貼り合せた、厚さ50μmの電気絶縁性シリコーンゴム接着性フィルム{東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製の商品名FA60;硬さ=50(JIS K 6253に規定のタイプAデュロメータによる);150℃における弾性率=1.8MPa;25℃における抵抗率=1×1015Ω・cm}を打抜きにより、直径100μmの貫通孔を200μmの間隔で形成した。次に、この接着性フィルム上に、シリコーンゴム{硬さ=83(JIS K 6253に規定のタイプAデュロメータによる);150℃における弾性率=4MPa;25℃における抵抗率=4×10-4Ω・cm}を形成する硬化性の導電性シリコーンゴム組成物(東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製のDA6524)を塗布した後、スキージにより貫通孔に充填した。その後、150℃で1分間加熱して異方導電性接着性フィルムを作製した。
この異方導電性接着性フィルムの両面に密着しているPESフィルムを剥がした後、半導体チップと配線板とを接着して半導体装置を作製した。この半導体装置の信頼性を表1に示した。
[実施例2]
片面に厚さ50μmのPESフィルムを貼り合わせ、他方の片面に厚さ35μmのPESフィルムを張り合せた、厚さ50μmの電気絶縁性シリコーンゴム接着性フィルム(東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製の商品名FA60;硬さ=50(JIS K 6253に規定のタイプAデュロメータによる);150℃における弾性率=1.8MPa;25℃における抵抗率=1×1015Ω・cm}を炭酸ガスレーザー(松下電器産業株式会社製の商品名YB−HCS01)により直径100μmの貫通孔を200μmの間隔で形成した。次に、この接着性フィルム上に、シリコーンゴム{硬さ=83(JIS K 6253に規定のタイプAデュロメータによる);150℃における弾性率=4MPa;25℃における抵抗率=4×10-4Ω・cm}を形成する硬化性の導電性シリコーンゴム組成物(東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製のDA6524)を塗布した後、スキージにより貫通孔に充填した。その後、150℃で1分間加熱して異方導電性接着性フィルムを作製した。
この異方導電性接着性フィルムの両面に密着しているPESフィルムを剥がした後、半導体チップと配線板とを接着して半導体装置を作製した。この半導体装置の信頼性を表1に示した。
[実施例3]
特開2000−357697号公報の実施例に基いて作製された、片面に厚さ50μmのポリエチレンテレフタレート(以下、PET)フィルムを貼り合わせ、他方の片面に厚さ50μmのPETフィルムを貼り合せた、厚さ50μmの電気絶縁性エポキシ樹脂接着性フィルム(150℃における弾性率=10MPa;25℃における抵抗率=1×1014Ω・cm)を打抜きにより、直径100μmの貫通孔を200μmの間隔で形成した。次に、この接着性フィルムに、特開平9−194813号公報の実施例に基いて作製された、硬化エポキシ樹脂{150℃における弾性率=30MPa;25℃における抵抗率=8×10-3Ω・cm}を形成する導電性エポキシ樹脂組成物を塗布した後、スキージにより貫通孔に充填した。その後、150℃で1分間加熱して異方導電性接着性フィルムを作製した。
この異方導電性接着性フィルムの両面に密着しているPETフィルムを剥がした後、半導体チップと配線板とを接着して半導体装置を作製した。この半導体装置の信頼性を表1に示した。
[比較例1]
実施例1において、実施例1で使用した異方導電性接着性フィルムの代わりに、特開昭63−86536号公報の実施例に基いて異方導電性接着性フィルムを作製した。このフィルムは絶縁接着剤としてポリアリレート樹脂(150℃における弾性率=2500MPa)とAu、Cu、Auの順にメッキした柱状導電体(150℃における弾性率=20000MPa)からなる。これを250℃、89g/ピン、5秒の条件で圧着して接続し、半導体装置を作製した。この半導体装置の信頼性を表1に示した。
Figure 0004494785
本発明の異方導電性接着性フィルムは、半導体チップ等の電子部品を配線板上に信頼性よく電気的に接続することができるという特徴がある。この異方導電性接着性フィルムを製造するための本発明の方法は、このフィルムを効率よく製造できるという特徴がある。本発明の半導体装置は、半導体チップ等の電子部品を配線板上に電気的に接続するためにこの発明のフィルムを使用しているので、信頼性が優れ、また、熱衝撃を受けた際の応力緩和性が優れるという特徴がある。
両面に保護フィルムが密着している電気絶縁性接着性フィルムの斜視図である。 貫通孔を形成した電気絶縁性接着性フィルムの斜視図である。 貫通孔を導電性エラストマー組成物で充填した後の異方導電性接着性フィルムの斜視図である。 両面に密着した保護フィルムを剥離した異方導電性接着性フィルムの斜視図である。 異方導電性接着性フィルムにより半導体チップと配線板を電気的に接続して作製した半導体装置の断面図である。
符号の説明
1 電気絶縁性エラストマー
2 保護フィルム
3 貫通孔
4 導電性エラストマー組成物
5 導電性エラストマー
6 半導体チップ
7 電極
8 配線板
9 配線パッド

Claims (5)

  1. 1×10 6 Ω・cm以上の抵抗率を有し、150℃において10MPa以下の弾性率を有する電気絶縁性シリコーンエラストマーからなる接着性フィルムの厚み方向に貫通し、該接着性フィルムの面内方向に絶縁されている、1Ω・cm以下の抵抗率を有し、150℃において10MPa以下の弾性率を有する導電性シリコーンエラストマーを有することを特徴とする異方導電性接着性フィルム。
  2. 1)電気絶縁性シリコーンエラストマーからなる接着性フィルムの厚み方向に貫通孔を形成し、
    2)その後は、その貫通孔を導電性シリコーンエラストマー組成物で充填し、そして、
    3)その貫通孔を充填した後、導電性シリコーンエラストマーを形成するために前記導電性シリコーンエラストマー組成物を硬化することを特徴とする、請求項1の異方導電性接着性フィルムを製造する方法。
  3. 貫通孔が打抜きにより形成されていることを特徴とする、異方導電性接着性フィルムを製造するための請求項の方法。
  4. 貫通孔がレーザー加工により形成されていることを特徴とする、異方導電性接着性フィルムを製造するための請求項の方法。
  5. 請求項1の異方導電性接着性フィルムにより、半導体チップの電極と配線板の配線パッドを電気的に接続してなることを特徴とする半導体装置。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200522293A (en) * 2003-10-01 2005-07-01 Koninkl Philips Electronics Nv Electrical shielding in stacked dies by using conductive die attach adhesive
EP1686655A4 (en) * 2003-11-17 2008-02-13 Jsr Corp ANISOTROPIC CONDUCTIVE SHEET, MANUFACTURING METHOD AND PRODUCT THEREFOR
US8802214B2 (en) * 2005-06-13 2014-08-12 Trillion Science, Inc. Non-random array anisotropic conductive film (ACF) and manufacturing processes
US20070131912A1 (en) * 2005-07-08 2007-06-14 Simone Davide L Electrically conductive adhesives
US7293995B2 (en) * 2005-11-08 2007-11-13 Che-Yu Li & Company, Llc Electrical contact and connector system
FR2908955A1 (fr) * 2006-11-17 2008-05-23 Novatec Sa Element ou interface d'interconnexion electrique et son procede de realisation
JP5590027B2 (ja) 2009-03-19 2014-09-17 富士通株式会社 半導体装置とその製造方法、電子装置、及び電子部品
FR2972595B1 (fr) * 2011-03-10 2014-03-14 Commissariat Energie Atomique Procede d'interconnexion par retournement d'un composant electronique
KR101271470B1 (ko) * 2011-08-08 2013-06-05 도레이첨단소재 주식회사 전자종이 디스플레이 소자용 유전 점착필름
US9475963B2 (en) 2011-09-15 2016-10-25 Trillion Science, Inc. Fixed array ACFs with multi-tier partially embedded particle morphology and their manufacturing processes
US9102851B2 (en) 2011-09-15 2015-08-11 Trillion Science, Inc. Microcavity carrier belt and method of manufacture
WO2013069919A1 (ko) * 2011-11-09 2013-05-16 제일모직 주식회사 디스플레이 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR101370119B1 (ko) * 2011-12-13 2014-03-04 엠파이어 테크놀로지 디벨롭먼트 엘엘씨 엘라스토머 접착
KR101557841B1 (ko) * 2012-12-07 2015-10-06 제일모직주식회사 이방 전도성 필름
US10727195B2 (en) * 2017-09-15 2020-07-28 Technetics Group Llc Bond materials with enhanced plasma resistant characteristics and associated methods
CN112521873A (zh) * 2020-12-01 2021-03-19 湖南省凯纳方科技有限公司 一种异方向性导电胶膜的制作方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4575580A (en) * 1984-04-06 1986-03-11 Astec International, Ltd. Data input device with a circuit responsive to stylus up/down position
JPS61225784A (ja) * 1985-03-29 1986-10-07 信越ポリマー株式会社 弾性電気回路部品の製造方法
JPS62188184A (ja) * 1986-02-14 1987-08-17 日立化成工業株式会社 異方導電性を有する回路接続用接着剤組成物および接着フイルム並びにこれらを用いた回路の接続方法
JPH0345629A (ja) * 1989-07-14 1991-02-27 Shin Etsu Chem Co Ltd ビス―シリルアルコキシアリーレン化合物
JP2974700B2 (ja) * 1989-11-30 1999-11-10 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 導電性接着剤
FR2655993B1 (fr) * 1989-12-19 1993-09-17 Rhone Poulenc Chimie Compositions durcissables sous u.v., utilisables notamment dans le domaine de l'antiadherence papier et des fibres optiques.
JPH06240044A (ja) * 1993-02-18 1994-08-30 Polytec Design:Kk 多孔質異方性導電エラストマー
JP3400051B2 (ja) * 1993-11-10 2003-04-28 ザ ウィタカー コーポレーション 異方性導電膜、その製造方法及びそれを使用するコネクタ
JPH08217882A (ja) * 1995-02-09 1996-08-27 Kao Corp オルガノポリシロキサン及びその製造方法
JPH11148068A (ja) * 1997-11-18 1999-06-02 Shinko Electric Ind Co Ltd 異方性応力緩衝体及びそれを用いた半導体装置
KR100352865B1 (ko) * 1998-04-07 2002-09-16 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 반도체 장치 및 그 제조방법
WO2000013190A1 (fr) * 1998-08-28 2000-03-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Colle electroconductrice, structure electroconductrice utilisant cette colle, piece electrique, module et carte a circuit, connexion electrique, fabrication de carte a circuit et de piece electronique ceramique
JP3900732B2 (ja) * 1999-02-17 2007-04-04 Jsr株式会社 異方導電性シートおよびその製造方法
JP2001067942A (ja) * 1999-08-31 2001-03-16 Jsr Corp 異方導電性シート
US6590159B2 (en) * 2001-02-05 2003-07-08 High Connection Density, Inc. Compact stacked electronic package
US6605525B2 (en) * 2001-05-01 2003-08-12 Industrial Technologies Research Institute Method for forming a wafer level package incorporating a multiplicity of elastomeric blocks and package formed

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