JP4439915B2 - ビスイミド化合物、これを用いた酸発生剤並びにレジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法 - Google Patents
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Description
【0001】
本発明は、半導体素子等の製造に於いて使用される化学増幅型レジスト組成物の酸発生剤や耐熱性高分子合成用原料として有用な新規なビスイミド化合物、これを用いた酸発生剤並びにレジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法、更にはビスイミド化合物の合成中間体、例えば耐熱性高分子、感光材料等の機能性化合物の中間体等として有用なビス(N−ヒドロキシ)フタルイミド化合物に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体素子の製造を一例とした場合、近年、半導体デバイスの高密度集積化に伴い、微細加工、中でもフォトリソグラフィに用いられる露光装置のエネルギー源は益々短波長化し、今では遠紫外線光(300nm以下)、KrFエキシマレーザ光(248nm)が実用化され、ArFエキシマレーザ光(193nm)も実用に近づきつつある。更に、100nm以下の超微細加工を目的として、F2レーザ光(157nm)、電子線、極紫外線(EUV:1〜30nm帯)等を利用した露光技術が検討されている。これらの用途として検討されているレジスト組成物には、種々の公知の酸発生剤が用いられているが、これら公知の酸発生剤を用いると種々の問題が生じる。
【0003】
例えば、酸発生剤が、現在使用されている脂肪族アルキル基を有するジアゾジスルホン化合物である場合は、例えば強酸を発生できない、酸発生効率が不良である等の問題点を有し、また、芳香族基を有するジアゾジスルホン化合物である場合は、例えば溶液安定性が不良である等の問題点を有している。また、酸発生剤がスルホニウム塩やヨードニウム塩である場合は、例えば溶解性が不良であるため、微粒子を発生し易い、溶液での安定性が不良であるため数週間の貯蔵ができない、そのカウンターアニオンがトリフルオロメタンスルホン酸由来のものはレジスト性能が変化(例えば寸法変動、感度変化、形状変化等。)し易い等の問題点を有しているため、実用上はまだ適当なものが見出されていない。
【0004】
更に、イミドスルホネート化合物を酸発生剤として用いた場合のレジスト組成物としては、例えばポリ(ヒドロキシスチレン/スチレン/アクリル酸 tert-ブチル)とN-トリフルオロメチルスルホニルオキシ-ビシクロ-[2.2.1]-ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミドとを組合せたもの(特許文献1等)、ポリ(p-ヒドロキシスチレン/アクリル酸 tert-ブチル)とN-カンファースルホニルオキシナフタルイミド又はN-トリフルオロメチルスルホニルオキシ-ビシクロ-[2.2.1]-ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミドを組合せたもの(非特許文献1、非特許文献2、特許文献2等)、N-ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシ-ビシクロ-[2.2.1]-ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミドを用いたもの(特許文献3等)、ポリ(スチレン/p-ヒドロキシスチレン/p-tert-ブトキシカルボニルメトキシスチレン)とN-ベンゼンスルホニルオキシスクシンイミドとを組合せたもの(特許文献4等)、N-ノルボルナンスルホニルオキシ-ビシクロ-[2.2.1]-ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミドを用いたもの(特許文献5)等が開示されている。しかしながら、これらN-イミドスルホネート化合物は、非対称構造であり反応性が高いため、レジスト組成物に使用すると水分等の影響を受け易く溶液安定性が不良となる、酸発生効率が低く高感度化ができない、カウンターアニオンがトリフルオロメタンスルホン酸由来のものは上記と同様にレジスト性能が変化し易い等の問題点を有している。
【0005】
本発明のビスイミド化合物の類似化合物として、例えば2,6-ビス(メタンスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン(非特許文献3、特許文献6等)が報告されている。しかし、これはポリイミド化合物の原料用途であり酸発生剤に関するものではなく、また、たとえ酸発生剤への利用を考えたとしてもレジスト溶媒に対する溶解性が極めて不良なため使用できない。更に、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(ブタンスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン(特許文献7等)も報告されている。しかし、これは化学増幅ネガ型レジスト組成物用架橋剤として使用されたものであり、酸発生剤に関するものではなく、またたとえこれを酸発生剤として用いたとしてもこれを含むレジスト組成物は、低感度、低解像性能及び形状不良であるため使用できない。
【0006】
また、本発明のビスイミド化合物の類似化合物として、例えば5,5'-オキシビス[2-トリフルオロメタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-トリフルオロメタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン](特許文献3、特許文献8、特許文献9等)や5,5'-オキシビス[2-(4-トルエンスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン](特許文献10等)が化学増幅型レジスト材料の酸発生剤として報告されている。しかし、これらの化合物は、通常使用されるレジスト溶媒に溶解しないため、実際にはレジスト組成物用として用いることはできない。
【0007】
このように実用化或いは検討されてきた既存の酸発生剤は、酸が弱い、酸の発生効率が不十分である、溶解性が不良なために微粒子が発生し易くレジスト組成物に使用した場合、溶液安定性が不良で貯蔵中に分解して感度変化やパターン形成不良を引き起こす、レジスト溶媒に溶解しないためレジスト組成物にならない等の多くの問題点を有しており、これらの問題点を改善した、放射線に感応して酸を発生する有用な化合物の開発が望まれている現状にある。
【先行技術文献】
【0008】
【特許文献】
【0009】
【特許文献1】
特開平7-209868号公報
【特許文献2】
特開平6-266112号公報
【特許文献3】
特開平3-206458号公報
【特許文献4】
特開平6-214395号公報
【特許文献5】
特開2001-199955号公報
【特許文献6】
ドイツ公開特許第19540107号公報
【特許文献7】
特開平11-258801号公報
【特許文献8】
特開平6-301200号公報
【特許文献9】
特開平8-501890号公報
【特許文献10】
特開平11-167199号公報
【非特許文献】
【0010】
【非特許文献1】
H. Ito等, ACS. Symp. Ser., 1995年, 614巻(Microelectronics Technology), 21〜34頁
【非特許文献2】
H. Ito等, J. Photopolym. Sci. Technol., 1996年, 9巻(4号), 557〜572頁
【非特許文献3】
Y. Imai等, J.Polym.Sci.,Polym.Chem.Ed., 1975年, 13巻(10号), 2391-96頁
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0011】
本発明は、上記した如き状況に鑑みなされたもので、放射線に感応して酸を効率よく発生する新規な化合物、これを用いた酸発生剤並びにレジスト組成物、該組成物を用いたパターン形成方法及び酸発生化合物の合成中間体を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【0012】
本発明は、上記課題を解決する目的でなされたものであり、
(1)一般式[5]
〔式中、2個のR 3 は夫々独立して、水素原子又は一般式[6]
(式中、R 4 は、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数3〜12のハロアルキル基、置換基としてハロゲン原子、アルキル基、ハロ低級アルキル基、アルコキシ基、ハロ低級アルコキシ基、低級アルケニル基、ニトロ基、N,N-ジメチルアミノ基及びアセトアミド基から選ばれるものを有していてもよい、アリール基、アラルキル基若しくは芳香族複素環基、カンファー基又はナフトキノンジアジド基を表す。)で示される基を表し、A 2 は、結合手、−O−基又は−C(CF 3 ) 2 −基を表す。但し、A 2 が−O−基である場合のR 4 で示される置換基を有していてもよいアリール基の置換基として挙げられるアルキル基は、炭素数2〜12のものである。〕で示されるビスフタルイミド化合物、
(2)上記ビスフタルイミド化合物のうち、R 3 が一般式[6]で示される基であるものを含んでなる化学増幅型レジスト用酸発生剤、
(3)上記ビスフタルイミド化合物のうち、R 3 が一般式[6]で示される基であるものを少なくとも1種以上含んでなるポジ型レジスト組成物、
(4)上記ビスフタルイミド化合物のうち、R 3 が一般式[6]で示される基であるものを少なくとも1種以上含んでなるネガ型レジスト組成物、
(5)上記(3)に記載のポジ型レジスト組成物をレジスト膜として基板上に形成する工程と、前記レジスト膜に任意のパターンの露光を行う工程と、現像によりポジ型のレジストパターンを形成する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法、及び
(6)上記(4)に記載のネガ型レジスト組成物をレジスト膜として基板上に形成する工程と、前記レジスト膜に任意のパターンの露光を行う工程と、現像によりネガ型のレジストパターンを形成する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法、の発明である。
【0013】
即ち、本発明者等は、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、上記一般式[1]に於けるRが一般式[2]で示される基であるビスイミド化合物が、例えば酸発生効率が高い、レジスト溶媒への溶解性が高い等の優れた効果を有する酸発生剤となり、また、例えばポリイミド等の耐熱性樹脂の原料及び架橋剤となること、更に、上記一般式[1]に於けるRが水素原子であるビス(N−ヒドロキシ)フタルイミド化合物が、上記酸発生剤等として有用なビスイミド化合物の合成中間体、例えばポリイミド等の耐熱性樹脂の原料並びに架橋剤、感光材料等の機能性化合物中間体等となることを見出し、本発明を完成するに至った。
【発明の効果】
【0014】
本発明に係る一般式[1]で示されるビスイミド化合物のうちRが一般式[2]で示されるものは化学増幅型レジスト組成物の酸発生剤として使用した場合、既存のスルホニウム塩等のイオン性化合物とは異なってレジスト溶媒への溶解性が高いため、酸発生を均質に且つ高感度化ができる、保存中の微粒子増加などの問題が起こり難い等の利点を有する。
【0015】
また、KrFエキシマレーザ光、ArFエキシマレーザ光、電子線等の各種エネルギー線に感応して容易に酸を発生するので、これを含有する化学増幅型レジスト組成物を使用した場合は高感度、高解像性能及び良好なパターン形状が得られる。
【0016】
更に、本発明の一般式[25]で示されるビス(N−ヒドロキシ)フタルイミド化合物は、本発明の一般式[26]で示されるビスフタルイミドスルホネート化合物を合成する場合の重要な中間体であるほか、例えばポリイミド樹脂用の架橋剤、感光性化合物の合成中間体等の各種機能性材料原料、ペプチド合成等の生化学分野での機能性材料等として有用である。
【0017】
また、本発明の一般式[1]で示されるビスイミド化合物は、微細加工用レジストの酸発生剤のほか、高感度化を目指した感光性ポリイミド材料の酸発生剤やポリイミド樹脂用の架橋剤としても有用である。
【図面の簡単な説明】
【0018】
【図1】本発明のレジスト組成物を用いたパターン形成方法(実施例67)の各工程を示す断面図である。
【図2】本発明のレジスト組成物を用いたパターン形成方法(実施例73)の各工程を示す断面図である。
【図3】既存のレジスト組成物を用いたパターン形成方法(比較例8)の各工程を示す断面図である。
【図4】既存のレジスト組成物を用いたパターン形成方法(比較例9)の各工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0019】
一般式[2]に於いて、R1で示される炭素数1〜12のアルキル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、好ましくは炭素数1〜10、より好ましくは炭素数6〜8のものが挙げられ、具体的には、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、sec-ペンチル基、tert-ペンチル基、ネオペンチル基、2-メチルブチル基、1-エチルプロピル基、n−ヘキシル基、イソヘキシル基、sec-ヘキシル基、tert-ヘキシル基、ネオヘキシル基、2-メチルペンチル基、1,2-ジメチルブチル基、1-エチルブチル基、n−へプチル基、イソヘプチル基、sec-ヘプチル基、tert-ヘプチル基、ネオヘプチル基、n−オクチル基、イソオクチル基、sec-オクチル基、tert-オクチル基、ネオオクチル基、n−ノニル基、イソノニル基、sec-ノニル基、tert-ノニル基、ネオノニル基、n−デシル基、イソデシル基、sec-デシル基、tert-デシル基、ネオデシル基、n−ウンデシル基、イソウンデシル基、sec-ウンデシル基、tert-ウンデシル基、ネオウンデシル基、n−ドデシル基、イソドデシル基、sec-ドデシル基、tert-ドデシル基、ネオドデシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、2-シクロヘキシルエチル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、シクロウンデシル基、シクロドデシル基等が挙げられ、中でも、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n−ペンチル基、sec-ペンチル基、tert-ペンチル基、n−ヘキシル基、sec-ヘキシル基、tert-ヘキシル基、n−ヘプチル基、sec-ヘプチル基、tert-ヘプチル基、n−オクチル基、sec-オクチル基、tert-オクチル基、n−ノニル基、sec-ノニル基、tert-ノニル基、n−デシル基、sec-デシル基、tert-デシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が好ましく、就中、例えばn−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基等がより好ましい。
【0020】
一般式[1]に於けるA1が炭素数7〜8の四価の有橋脂環式炭化水素基である場合の、一般式[2]に於けるR1で示される炭素数6〜12のアルキル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、好ましくは炭素数6〜8のものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される炭素数1〜12のアルキル基のうち炭素数6〜12のものの例示と同様のものが挙げられ、中でも、例えばn−ヘキシル基、sec-ヘキシル基、tert-ヘキシル基、n−ヘプチル基、sec-ヘプチル基、tert-ヘプチル基、n−オクチル基、sec-オクチル基、tert-オクチル基、シクロヘキシル基等が好ましく、就中、例えばn−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基等がより好ましい。
【0021】
一般式[1]に於けるA1が炭素数6〜14の四価の芳香族炭化水素基である場合の、一般式[2]に於けるR1で示される炭素数3〜12のアルキル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、好ましくは炭素数6〜8のものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される炭素数1〜12のアルキル基のうち炭素数3〜12のものの例示と同様のものが挙げられ、中でも、例えばn−ヘキシル基、sec-ヘキシル基、tert-ヘキシル基、n−へプチル基、sec-ヘプチル基、tert-ヘプチル基、n−オクチル基、sec-オクチル基、tert-オクチル基、シクロヘキシル基等が好ましく、就中、例えばn−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基等がより好ましい。
【0022】
R1で示される炭素数1〜12のハロアルキル基としては、上記一般式[2]に於けるR1で示される炭素数1〜12のアルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等。)で置換されたもの、好ましくは1〜17個、より好ましくは7〜17個の水素原子がハロゲン原子で置換されたものが挙げられ、好ましくは炭素数1〜8、より好ましくは炭素数3〜8のものが挙げられ、具体的には、例えばフルオロメチル基、クロロメチル基、ブロモメチル基、ヨードメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル基、トリヨードメチル基、トリフルオロエチル基、トリクロロエチル基、トリブロモエチル基、トリヨードエチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタクロロエチル基、ペンタブロモエチル基、ペンタヨードエチル基、トリフルオロプロピル基、ヘプタフルオロプロピル基、ヘプタクロロプロピル基、ヘプタブロモプロピル基、ヘプタヨードプロピル基、トリフルオロブチル基、ノナフルオロブチル基、ノナクロロブチル基、ノナブロモブチル基、ノナヨードブチル基、トリフルオロペンチル基、ウンデカフルオロペンチル基、ウンデカクロロペンチル基、ウンデカブロモペンチル基、ウンデカヨードペンチル基、トリフルオロヘキシル基、トリデカフルオロヘキシル基、トリデカクロロヘキシル基、トリデカブロモヘキシル基、トリデカヨードヘキシル基、トリフルオロヘプチル基、ペンタデカフルオロヘプチル基、ペンタデカクロロヘプチル基、ペンタデカブロモヘプチル基、ペンタデカヨードヘプチル基、トリフルオロオクチル基、ヘプタデカフルオロオクチル基、ヘプタデカクロロオクチル基、ヘプタデカブロモオクチル基、ヘプタデカヨードオクチル基、トリフルオロノニル基、ノナデカフルオロノニル基、ノナデカクロロノニル基、ノナデカブロモノニル基、ノナデカヨードノニル基、トリフルオロデシル基、パーフルオロデシル基、パークロロデシル基、パーブロモデシル基、パーヨードデシル基、パーフルオロウンデシル基、パークロロウンデシル基、パーブロモウンデシル基、パーヨードウンデシル基、パーフルオロドデシル基、パークロロドデシル基、パーブロモドデシル基、パーヨードドデシル基等が挙げられ、中でも、例えばトリフルオロメチル基、ノナフルオロブチル基、ヘプタデカフルオロオクチル基等が好ましく、就中、ノナフルオロブチル基がより好ましい。
【0023】
一般式[1]に於けるA1が一般式[3]で示される基である場合の、一般式[2]に於けるR1で示される炭素数3〜12のハロアルキル基としては、上記一般式[2]に於けるR1で示される炭素数1〜12のアルキル基のうち炭素数3〜12のものの水素原子の一部又は全部がハロゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等。)で置換されたもの、好ましくは1〜17個、より好ましくは7〜17個の水素原子がハロゲン原子で置換されたものが挙げられ、好ましくは炭素数3〜8のものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される炭素数1〜12のハロアルキル基のうち炭素数3〜12のものの例示と同様のものが挙げられ、中でも、例えばノナフルオロブチル基、ヘプタデカフルオロオクチル基等が好ましく、就中、ノナフルオロブチル基がより好ましい。
【0024】
R1で示される置換基を有していてもよいアリール基のアリール基としては、通常炭素数6〜16、好ましくは炭素数6〜10のものが挙げられ、具体的には、例えばフェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、アントリル基、ピレニル基等が挙げられ、中でもフェニル基、ナフチル基が好ましく、就中、フェニル基が好ましい。
【0025】
R1で示される置換基を有していてもよいアラルキル基のアラルキル基としては、通常炭素数7〜10、好ましくは炭素数7〜8のものが挙げられ、具体的には、例えばベンジル基、フェネチル基、1-フェニルエチル基、2-フェニルプロピル基、3-フェニルプロピル基、フェニルブチル基、1-メチル-3-フェニルプロピル基等が挙げられ、中でもベンジル基が好ましい。
【0026】
R1で示される置換基を有していてもよい芳香族複素環基の芳香族複素環基としては、例えば窒素原子、硫黄原子、酸素原子等のヘテロ原子を1つ以上、好ましくは1〜3個有するものが挙げられ、単環でも二環でもよく、具体的には、例えば2-チエニル基、8-キノリル基、5-イソキノリル基、3-ピリジル基、2-チアゾリル基、2-フルフリル基、2-イミダゾリル基等が挙げられ、中でも2-チエニル基が好ましい。
【0027】
R1で示される、置換基を有していてもよい、アリール基、アラルキル基及び芳香族複素環基の置換基としては、例えばハロゲン原子、アルキル基、ハロ低級アルキル基、アルコキシ基、ハロ低級アルコキシ基、低級アルケニル基、ニトロ基、N,N-ジメチルアミノ基、アセトアミド基等が挙げられる。
【0028】
置換基として挙げられるハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、中でも、例えばフッ素原子、塩素原子が好ましく、就中、フッ素原子がより好ましい。
【0029】
置換基として挙げられるアルキル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数1〜12、好ましくは炭素数1〜4のものが挙げられ、具体的には、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、sec-ペンチル基、tert-ペンチル基、ネオペンチル基、n−ヘキシル基、イソヘキシル基、sec-ヘキシル基、tert-ヘキシル基、ネオヘキシル基、2-メチルペンチル基、1,2-ジメチルブチル基、1-エチルブチル基、n−ヘプチル基、イソヘプチル基、sec-ヘプチル基、tert-ヘプチル基、ネオヘプチル基、n−オクチル基、イソオクチル基、sec-オクチル基、tert-オクチル基、ネオオクチル基、n−ノニル基、イソノニル基、sec-ノニル基、tert-ノニル基、ネオノニル基、n−デシル基、イソデシル基、sec-デシル基、tert-デシル基、ネオデシル基、n−ウンデシル基、イソウンデシル基、sec-ウンデシル基、tert-ウンデシル基、ネオウンデシル基、n−ドデシル基、イソドデシル基、sec-ドデシル基、tert-ドデシル基、ネオドデシル基、シクロヘキシル基等が挙げられ、中でも、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基等が好ましく、就中、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、tert-ブチル基等がより好ましい。
【0030】
置換基として挙げられるハロ低級アルキル基としては、通常炭素数1〜4、好ましくは炭素数1〜2の低級アルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等。)で置換されたものが挙げられ、具体的には、例えばフルオロメチル基、クロロメチル基、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル基、トリヨードメチル基、トリフルオロエチル基、トリクロロエチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタクロロエチル基、ペンタブロモエチル基、ペンタヨードエチル基、トリフルオロプロピル基、トリクロロプロピル基、ヘプタフルオロプロピル基、ヘプタクロロプロピル基、ヘプタブロモプロピル基、ヘプタヨードプロピル基、トリフルオロブチル基、トリクロロブチル基、ノナフルオロブチル基、ノナクロロブチル基、ノナブロモブチル基、ノナヨードブチル基等が挙げられ、中でも、例えばトリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基等が好ましく、就中、トリフルオロメチル基がより好ましい。
【0031】
置換基として挙げられるアルコキシ基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数1〜12、好ましくは炭素数1〜4のものが挙げられ、具体的には、例えばメトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、sec-ペンチルオキシ基、tert-ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、sec-ヘキシルオキシ基、tert-ヘキシルオキシ基、ネオヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、n−ヘプチルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、sec-ヘプチルオキシ基、tert-ヘプチルオキシ基、ネオヘプチルオキシ基、n−オクチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、sec-オクチルオキシ基、tert-オクチルオキシ基、ネオオクチルオキシ基、n−ノニルオキシ基、イソノニルオキシ基、sec-ノニルオキシ基、tert-ノニルオキシ基、ネオノニルオキシ基、n−デシルオキシ基、イソデシルオキシ基、sec-デシルオキシ基、tert-デシルオキシ基、ネオデシルオキシ基、n−ウンデシルオキシ基、イソウンデシルオキシ基、sec-ウンデシルオキシ基、tert-ウンデシルオキシ基、ネオウンデシルオキシ基、n−ドデシルオキシ基、イソドデシルオキシ基、sec-ドデシルオキシ基、tert-ドデシルオキシ基、ネオドデシルオキシ基等が挙げられ、中でも、例えばメトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基等が好ましく、就中、メトキシ基がより好ましい。
【0032】
置換基として挙げられるハロ低級アルコキシ基としては、通常炭素数1〜4、好ましくは炭素数1〜2のアルコキシ基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等。)で置換されたものが挙げられ、具体的には、例えばフルオロメトキシ基、クロロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基、トリクロロメトキシ基、トリブロモメトキシ基、トリヨードメトキシ基、トリフルオロエトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、ペンタクロロエトキシ基、ペンタブロモエトキシ基、ペンタヨードエトキシ基、トリフルオロプロポキシ基、ヘプタフルオロプロポキシ基、ヘプタクロロプロポキシ基、ヘプタブロモプロポキシ基、ヘプタヨードプロポキシ基、トリフルオロブトキシ基、ノナフルオロブトキシ基、ノナクロロブトキシ基、ノナブロモブトキシ基、ノナヨードブトキシ基等が挙げられ、中でも、トリフルオロメトキシ基が好ましい。
【0033】
置換基として挙げられる低級アルケニル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数2〜4、好ましくは炭素数2〜3のものが挙げられ、具体的には、例えばビニル基、アリル基、1-プロペニル基、イソプロペニル基、1-ブテニル基、2-ブテニル基、2-メチルアリル基等が挙げられ、中でも、例えばビニル基が好ましい。
【0034】
また、一般式[1]に於けるA1が一般式[3]で示される基であり、且つ上記一般式[3]に於けるA2が結合手又は−C(CF3)2−基である場合の、一般式[2]に於けるR1で示される置換基を有するアリール基の置換基として挙げられる炭素数1〜12のアルキル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、好ましくは炭素数3〜8のものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される炭素数1〜12のアルキル基の例示と同様のものが挙げられ、中でも、例えばn−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、sec-ペンチル基、tert-ペンチル基、n−ヘキシル基、sec-ヘキシル基、tert-ヘキシル基、n−ヘプチル基、sec-ヘプチル基、tert-ヘプチル基、n−オクチル基、sec-オクチル基、tert-オクチル基、シクロヘキシル基等が好ましく、就中、例えばn−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基等がより好ましい。
【0035】
更に、一般式[1]に於けるA1が一般式[3]で示される基であり、且つ上記一般式[3]に於けるA2が−O−基で示されるものである場合の、一般式[2]に於けるR1で示される置換基を有するアリール基の置換基として挙げられる炭素数2〜12のアルキル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、好ましくは炭素数3〜12、より好ましくは炭素数3〜8のものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される炭素数1〜12のアルキル基のうち炭素数2〜12のものの例示と同様のものが挙げられ、中でも、例えばn−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、sec-ペンチル基、tert-ペンチル基、n−ヘキシル基、sec-ヘキシル基、tert-ヘキシル基、n−ヘプチル基、sec-ヘプチル基、tert-ヘプチル基、n−オクチル基、sec-オクチル基、tert-オクチル基、シクロヘキシル基等が好ましく、就中、例えばn−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基等がより好ましい。
【0036】
更にまた、一般式[1]に於けるA1が一般式[3]で示される基である場合の、一般式[2]に於けるR1で示される置換基を有するアリール基の置換基として挙げられるアルコキシ基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数1〜12、好ましくは炭素数3〜6のものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される置換基を有していてもよい、アリール基、アラルキル基又は芳香族複素環基の置換基として挙げられる炭素数1〜12のアルコキシ基の例示と同様のものが挙げられ、中でも、例えばn−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、sec-ペンチルオキシ基、tert-ペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、sec-ヘキシルオキシ基、tert-ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が好ましく、就中、例えばn−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基等がより好ましい。
【0037】
これら置換基の中でも、例えばハロゲン原子、トリフルオロメチル基、ニトロ基等の電子吸引性基が好ましい。
【0038】
また、R1で示される置換基を有していてもよいアリール基としては、少なくとも1つはm-位に電子吸引性基を有しているものが好ましく、具体的には、例えばm-トリフルオロメチルフェニル基、3,5-ジトリフルオロメチルフェニル基、ペンタフルオロフェニル基等が挙げられる。
【0039】
これらR1の中でも、ハロアルキル基、置換基を有していてもよい、アリール基又は芳香族複素環基、カンファー基等が好ましく、更にはハロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、カンファー基がより好ましい。
【0040】
また、一般式[1]に於ける2つのR1は、同一のものが好ましいが、場合によっては異なっていてもよい。
【0041】
一般式[1]に於いて、A1で示される炭素数4〜10の四価の脂環式炭化水素基としては、例えば一般式[7]
【0042】
(式中、R5及びR6は夫々独立して結合手又は炭素数1〜3の低級アルキレン鎖を表す。)で示される基等が挙げられる。
【0043】
R5及びR6で示される炭素数1〜3の低級アルキレン鎖としては、好ましくは炭素数1〜2の直鎖状のアルキレン基が挙げられ、具体的には、例えばメチレン基、エチレン基、トリメチレン基が挙げられ、中でもメチレン基が好ましい。
【0044】
R5及びR6の組合せとしては、具体的には、例えば共に結合手のもの(4員環)、一方が結合手であり他方がメチレン基であるもの(5員環)、共にメチレン基であるもの(6員環)等が挙げられる。
【0045】
A1で示される炭素数7〜8の有橋脂環式炭化水素基としては、例えば一般式[16]
【0046】
(式中、R12はメチレン基、エチレン基又はビニレン基を表す。)で示される基が挙げられ、中でも式[8]
【0047】
で示される基(一般式[16]に於けるR11がビニレン基であるものに相当。)が好ましい。
【0048】
A1で示される炭素数6〜14の四価の芳香族炭化水素基としては、単環又は2〜3個の環が縮合した多環のものが挙げられ、具体的には、例えば式[9]
【0049】
で示される基、式[17]
【0050】
で示される基、式[18]
【0051】
で示される基等が挙げられ、中でも上記式[9]で示される基が好ましい。
【0052】
上記一般式[1]で示されるビスイミド化合物としては、例えば一般式[4]
【0053】
(式中、R2は炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のハロアルキル基、置換基としてハロゲン原子、アルキル基、ハロ低級アルキル基、アルコキシ基、ハロ低級アルコキシ基、低級アルケニル基、ニトロ基、N,N-ジメチルアミノ基及びアセトアミド基から選ばれるものを有していてもよい、アリール基、アラルキル基若しくは芳香族複素環基、カンファー基又はナフトキノンジアジド基を表し、A3は炭素数4〜10の四価の脂環式炭化水素基、炭素数7〜8の四価の有橋脂環式炭化水素基又は炭素数6〜14の四価の芳香族炭化水素基を表す。但し、R2で示されるアルキル基は、A3が炭素数7〜8の四価の有橋脂環式炭化水素基である場合は炭素数6〜12のものであり、A3が炭素数6〜14の四価の芳香族炭化水素基である場合は炭素数3〜12のものである。)で示されるビスイミドスルホネート化合物、一般式[5]
【0054】
〔式中、2個のR3は夫々独立して、水素原子又は一般式[6]
【0055】
(式中、R4は、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数3〜12のハロアルキル基、置換基としてハロゲン原子、アルキル基、ハロ低級アルキル基、アルコキシ基、ハロ低級アルコキシ基、低級アルケニル基、ニトロ基、N,N-ジメチルアミノ基及びアセトアミド基から選ばれるものを有していてもよい、アリール基、アラルキル基若しくは芳香族複素環基、カンファー基又はナフトキノンジアジド基を表す。)で示される基を表し、A2は、結合手、−O−基又は−C(CF3)2−基を表す。但し、A2が−O−基である場合のR4で示される置換基を有していてもよいアリール基の置換基として挙げられるアルキル基は、炭素数2〜12のものである。〕で示されるビスフタルイミド化合物が挙げられる。
【0056】
一般式[4]に於けるA3が炭素数4〜10の四価の脂環式炭化水素基である場合のR2で示される炭素数1〜12のアルキル基、及び一般式[5]に於けるR3が一般式[6]で示される基である場合のR4で示される炭素数1〜12のアルキル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、好ましくは炭素数1〜10、より好ましくは炭素数6〜8のものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される炭素数1〜12のアルキル基の例示と同様のものが挙げられ、中でも、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n−ペンチル基、sec-ペンチル基、tert-ペンチル基、n−ヘキシル基、sec-ヘキシル基、tert-ヘキシル基、n−ヘプチル基、sec-ヘプチル基、tert-ヘプチル基、n−オクチル基、sec-オクチル基、tert-オクチル基、n−ノニル基、sec-ノニル基、tert-ノニル基、n−デシル基、sec-デシル基、tert-デシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が好ましく、就中、例えばn−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基等がより好ましい。
【0057】
一般式[4]に於いて、A3が炭素数7〜8の四価の有橋脂環式炭化水素基である場合の、R2で示される炭素数6〜12のアルキル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、好ましくは炭素数6〜8のものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される炭素数1〜12のアルキル基のうち炭素数6〜12のものの例示と同様のものが挙げられ、中でも、例えばn−ヘキシル基、sec-ヘキシル基、tert-ヘキシル基、n−ヘプチル基、sec-ヘプチル基、tert-ヘプチル基、n−オクチル基、sec-オクチル基、tert-オクチル基、シクロヘキシル基等が好ましく、就中、例えばn−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基等がより好ましい。
【0058】
一般式[4]に於いて、A3が炭素数6〜14の四価の芳香族炭化水素基である場合の、R2で示される炭素数3〜12のアルキル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、好ましくは炭素数6〜8のものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される炭素数1〜12のアルキル基のうち炭素数3〜12ものの例示と同様のものが挙げられ、中でも、例えばn−ヘキシル基、sec-ヘキシル基、tert-ヘキシル基、n−へプチル基、sec-ヘプチル基、tert-ヘプチル基、n−オクチル基、sec-オクチル基、tert-オクチル基、シクロヘキシル基等が好ましく、就中、例えばn−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基等がより好ましい。
【0059】
一般式[4]に於いて、R2で示される炭素数1〜12のハロアルキル基としては、上記一般式[2]に於けるR1で示される炭素数1〜12のアルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等。)で置換されたもの、好ましくは1〜17個、より好ましくは7〜17個の水素原子がハロゲン原子で置換されたものが挙げられ、好ましくは炭素数1〜8、より好ましくは炭素数3〜8のものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される炭素数1〜12のハロアルキル基の例示と同様のものが挙げられ、中でも、例えばトリフルオロメチル基、ノナフルオロブチル基、ヘプタデカフルオロオクチル基等が好ましく、就中、ノナフルオロブチル基がより好ましい。
【0060】
一般式[6]に於いて、R4で示される炭素数3〜12のハロアルキル基としては、上記一般式[2]に於けるR1で示される炭素数1〜12のアルキル基のうちの炭素数3〜12のものの水素原子の一部又は全部がハロゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等。)で置換されたもの、好ましくは1〜17個、より好ましくは7〜17個の水素原子がハロゲン原子で置換されたものが挙げられ、好ましくは炭素数3〜8のものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される炭素数1〜12のハロアルキル基のうち炭素数3〜12のものの例示と同様のものが挙げられ、中でも、例えばノナフルオロブチル基、ヘプタデカフルオロオクチル基等が好ましく、就中、ノナフルオロブチル基がより好ましい。
【0061】
一般式[4]及び[6]に於いて、R2及びR4で示される置換基を有していてもよいアリール基のアリール基としては、通常炭素数6〜16、好ましくは炭素数6〜10のものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される置換基を有していてもよいアリール基のアリール基の例示と同様のものが挙げられ、中でも、例えばフェニル基、ナフチル基等が好ましく、就中、フェニル基がより好ましい。
【0062】
R2及びR4で示される置換基を有していてもよいアラルキル基のアラルキル基としては、通常炭素数7〜10、好ましくは炭素数7〜8のものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される置換基を有していてもよいアラルキル基のアラルキル基の例示と同様のものが挙げられ、中でもベンジル基が好ましい。
【0063】
R2及びR4で示される置換基を有していてもよい芳香族複素環基の芳香族複素環基としては、例えば窒素原子、硫黄原子、酸素原子等のヘテロ原子を1つ以上、好ましくは1〜3個有するものが挙げられ、単環でも二環でもよく、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される置換基を有していてもよい芳香族複素環基の芳香族複素環基の例示と同様のものが挙げられ、中でも、2-チエニル基が好ましい。
【0064】
R2及びR4で示される、置換基を有していてもよい、アリール基、アラルキル基又は芳香族複素環基の置換基としては、例えばハロゲン原子、アルキル基、ハロ低級アルキル基、アルコキシ基、ハロ低級アルコキシ基、低級アルケニル基、ニトロ基、N,N-ジメチルアミノ基、アセトアミド基等が挙げられる。
【0065】
置換基として挙げられるハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、中でも、例えばフッ素原子、塩素原子等が好ましく、就中、フッ素原子がより好ましい。
【0066】
置換基として挙げられるアルキル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数1〜12、好ましくは炭素数1〜4のものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される、炭素数1〜12のアルキル基の例示と同様のものが挙げられ、中でも、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基等が好ましく、就中、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、tert-ブチル基等がより好ましい。
【0067】
置換基として挙げられるハロ低級アルキル基としては、通常炭素数1〜4、好ましくは炭素数1〜2の低級アルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等。)で置換されたものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される、置換基を有していてもよい、アリール基、アラルキル基又は芳香族複素環基の置換基として挙げられるハロ低級アルキル基の例示と同様のものが挙げられ、中でも、例えばトリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基等が好ましく、就中、トリフルオロメチル基がより好ましい。
【0068】
置換基として挙げられるアルコキシ基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数1〜12、好ましくは炭素数1〜4のものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される、置換基を有していてもよい、アリール基、アラルキル基又は芳香族複素環基の置換基として挙げられるアルコキシ基の例示と同様のものが挙げられ、中でも、例えばメトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基等が好ましく、就中、メトキシ基がより好ましい。
【0069】
置換基として挙げられるハロ低級アルコキシ基としては、通常炭素数1〜4、好ましくは炭素数1〜2のアルコキシ基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等。)で置換されたものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される、置換基を有していてもよい、アリール基、アラルキル基又は芳香族複素環基の置換基として挙げられるハロ低級アルコキシ基の例示と同様のものが挙げられ、中でも、トリフルオロメトキシ基が好ましい。
【0070】
置換基として挙げられる低級アルケニル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数2〜4、好ましくは炭素数2〜3のものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される、置換基を有していてもよい、アリール基、アラルキル基又は芳香族複素環基の置換基として挙げられる低級アルケニル基の例示と同様のものが挙げられ、中でも、ビニル基が好ましい。
【0071】
また、一般式[5]に於けるR3が一般式[6]で示される基であり、且つA2が結合手又は−(CF3)2−基である場合の、一般式[6]に於けるR4で示される置換基を有するアリール基の置換基として挙げられる炭素数1〜12のアルキル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、好ましくは炭素数3〜8のものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される炭素数1〜12のアルキル基の例示と同様のものが挙げられ、中でも、例えばn−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、sec-ペンチル基、tert-ペンチル基、n−ヘキシル基、sec-ヘキシル基、tert-ヘキシル基、n−ヘプチル基、sec-ヘプチル基、tert-ヘプチル基、n−オクチル基、sec-オクチル基、tert-オクチル基、シクロヘキシル基等が好ましく、就中、例えばn−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基等がより好ましい。
【0072】
更に、一般式[5]に於けるR3が一般式[6]で示される基であり、且つA2が−O−基である場合の、一般式[6]に於けるR4で示される置換基を有するアリール基の置換基として挙げられる炭素数2〜12のアルキル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、好ましくは炭素数3〜12、より好ましくは炭素数3〜8のものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される炭素数1〜12のアルキル基の例示と同様のものが挙げられ、中でも、例えばn−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、sec-ペンチル基、tert-ペンチル基、n−ヘキシル基、sec-ヘキシル基、tert-ヘキシル基、n−ヘプチル基、sec-ヘプチル基、tert-ヘプチル基、n−オクチル基、sec-オクチル基、tert-オクチル基、シクロヘキシル基等が好ましく、就中、例えばn−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基等がより好ましい。
【0073】
更にまた、一般式[5]に於けるR3が一般式[6]で示される基である場合の、一般式[6]に於けるR4で示される置換基を有するアリール基の置換基として挙げられるアルコキシ基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数1〜12、好ましくは炭素数3〜6のものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される置換基を有していてもよい、アリール基、アラルキル基又は芳香族複素環基の置換基として挙げられる炭素数1〜12のアルコキシ基の例示と同様のものが挙げられ、中でも、例えばn−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、sec-ペンチルオキシ基、tert-ペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、sec-ヘキシルオキシ基、tert-ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が好ましく、就中、例えばn−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基等がより好ましい。
【0074】
一般式[4]に於いて、A3で示される炭素数4〜10の四価の脂環式炭化水素基としては、上記一般式[1]に於けるA1で示される炭素数4〜10の四価の脂環式炭化水素基の例示と同様のものが挙げられる。
【0075】
A3で示される炭素数7〜8の四価の有橋脂環式炭化水素基としては、上記一般式[1]に於けるA1で示される炭素数7〜8の四価の有橋脂環式炭化水素基の例示と同様のものが挙げられ、中でも、上記式[8]で示される基が好ましい。
【0076】
A3で示される炭素数6〜14の四価の芳香族炭化水素基としては、上記一般式[1]に於けるA1で示される炭素数6〜14の四価の芳香族炭化水素基の例示と同様のものが挙げられ、中でも上記式[9]で示される基が好ましい。
【0077】
上記一般式[4]で示されるビスイミドスルホネート化合物は、A1が炭素数4〜10の四価の脂環式炭化水素基である場合は、好ましくは、一般式[10]
【0078】
(式中、R7は夫々独立して、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のハロアルキル基、置換基としてハロゲン原子、アルキル基、ハロ低級アルキル基、アルコキシ基、ハロ低級アルコキシ基、低級アルケニル基、ニトロ基、N,N-ジメチルアミノ基及びアセトアミド基から選ばれるものを有していてもよい、アリール基、アラルキル基若しくは芳香族複素環基、カンファー基又はナフトキノンジアジド基を表し、R5及びR6は前記と同じ。)で示されるもの等が挙げられ、また、A1が炭素数7〜8の四価の有橋脂環式炭化水素基である場合は、好ましくは、一般式[11]
【0079】
(式中、R8は炭素数6〜12のアルキル基、炭素数1〜12のハロアルキル基、置換基としてハロゲン原子、アルキル基、ハロ低級アルキル基、アルコキシ基、ハロ低級アルコキシ基、低級アルケニル基、ニトロ基、N,N-ジメチルアミノ基及びアセトアミド基から選ばれるものを有していてもよい、アリール基、アラルキル基若しくは芳香族複素環基、カンファー基又はナフトキノンジアジド基を表す。)で示されるもの等が挙げられ、更に、A1が四価の芳香族炭化水素基である場合は、好ましくは、一般式[12]
【0080】
(式中、R9は炭素数3〜12のアルキル基、炭素数1〜12のハロアルキル基、置換基としてハロゲン原子、アルキル基、ハロ低級アルキル基、アルコキシ基、ハロ低級アルコキシ基、低級アルケニル基、ニトロ基、N,N-ジメチルアミノ基及びアセトアミド基から選ばれるものを有していてもよい、アリール基、アラルキル基若しくは芳香族複素環基、カンファー基又はナフトキノンジアジド基を表す。)で示されるもの等が挙げられる。
【0081】
一般式[10]に於いて、R7で示される炭素数1〜12のアルキル基としては、直鎖状、分子状或いは環状の何れでもよく、好ましくは炭素数1〜10、より好ましくは炭素数6〜8のものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される炭素数1〜12のアルキル基の例示と同様のものが挙げられ、中でも、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n−ペンチル基、sec-ペンチル基、tert-ペンチル基、n−ヘキシル基、sec-ヘキシル基、tert-ヘキシル基、n−ヘプチル基、sec-ヘプチル基、tert-ヘプチル基、n−オクチル基、sec-オクチル基、tert-オクチル基、n−ノニル基、sec-ノニル基、tert-ノニル基、n−デシル基、sec-デシル基、tert-デシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が好ましく、就中、例えばn−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基等がより好ましい。
【0082】
一般式[11]に於いて、R8で示される炭素数6〜12のアルキル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、好ましくは炭素数6〜8のものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される炭素数1〜12のアルキル基のうちの炭素数6〜12のものの例示と同様のものが挙げられ、中でも、例えばn−ヘキシル基、sec-ヘキシル基、tert-ヘキシル基、n−ヘプチル基、sec-へプチル基、tert-ヘプチル基、n−オクチル基、sec-オクチル基、tert-オクチル基、シクロヘキシル基等が好ましく、就中、例えばn−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基等がより好ましい。
【0083】
一般式[12]に於いて、R9で示される炭素数3〜12のアルキル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、好ましくは炭素数6〜8のものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される炭素数1〜12のアルキル基のうちの炭素数3〜12のものの例示と同様のものが挙げられ、中でも、例えばn−ヘキシル基、sec-ヘキシル基、tert-ヘキシル基、n−ヘプチル基、sec-ヘプチル基、tert-ヘプチル基、n−オクチル基、sec-オクチル基、tert-オクチル基、シクロヘキシル基等が好ましく、就中、例えばn−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基等がより好ましい。
【0084】
一般式[10]〜[12]に於いて、R7〜R9で示される炭素数1〜12のハロアルキル基としては、上記一般式[2]に於けるR1で示される炭素数1〜12のアルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等。)で置換されたもの、好ましくは1〜17個、より好ましくは7〜17個の水素原子がハロゲン原子で置換されたものが挙げられ、好ましくは炭素数1〜8、より好ましくは炭素数3〜8のものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される炭素数1〜12のハロアルキル基の例示と同様のものが挙げられ、中でも、例えばトリフルオロメチル基、ノナフルオロブチル基、ヘプタデカフルオロオクチル基等が好ましく、就中、ノナフルオロブチル基がより好ましい。
【0085】
R7〜R9で示される置換基を有していてもよいアリール基のアリール基としては、通常炭素数6〜16、好ましくは炭素数6〜10のものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される置換基を有していてもよいアリール基のアリール基の例示と同様のものが挙げられ、中でも、例えばフェニル基、ナフチル基等が好ましく、就中、フェニル基がより好ましい。
【0086】
R7〜R9で示される置換基を有していてもよいアラルキル基のアラルキル基としては、通常炭素数7〜10、好ましくは炭素数7〜8のものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される置換基を有していてもよいアラルキル基のアラルキル基の例示と同様のものが挙げられ、中でもベンジル基が好ましい。
【0087】
R7〜R9で示される、置換基を有していてもよい芳香族複素環基の芳香族複素環基としては、例えば窒素原子、硫黄原子、酸素原子等のヘテロ原子を1つ以上、好ましくは1〜3個有するものが挙げられ、単環でも二環でもよく、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される、置換基を有していてもよい芳香族複素環基の芳香族複素環基の例示と同様のものが挙げられ、中でも2-チエニル基が好ましい。
【0088】
R7〜R9で示される、置換基を有していてもよい、アリール基、アラルキル基又は芳香族複素環基の置換基としては、例えばハロゲン原子、アルキル基、ハロ低級アルキル基、アルコキシ基、ハロ低級アルコキシ基、低級アルケニル基、ニトロ基、N,N-ジメチルアミノ基、アセトアミド基等が挙げられる。
【0089】
置換基として挙げられるハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、中でもフッ素原子、塩素原子等が好ましく、就中、フッ素原子がより好ましい。
【0090】
置換基として挙げられるアルキル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数1〜12、好ましくは炭素数1〜4のものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される、置換基を有していてもよい、アリール基、アラルキル基又は芳香族複素環基の置換基として挙げられるアルキル基と同様のものが挙げられ、中でも、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基等が好ましく、就中、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、tert-ブチル基等がより好ましい。
【0091】
置換基として挙げられるハロ低級アルキル基としては、通常炭素数1〜4、好ましくは炭素数1〜2の低級アルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等。)で置換されたものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される、置換基を有していてもよい、アリール基、アラルキル基又は芳香族複素環基の置換基として挙げられるハロ低級アルキル基の例示と同様のものが挙げられ、中でも、例えばトリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基等が好ましく、就中、トリフルオロメチル基がより好ましい。
【0092】
置換基として挙げられるアルコキシ基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数1〜12、好ましくは炭素数1〜4のものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される、置換基を有していてもよい、アリール基、アラルキル基又は芳香族複素環基の置換基として挙げられるアルコキシ基の例示と同様のものが挙げられ、中でも、例えばメトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基等が好ましく、就中、メトキシ基がより好ましい。
【0093】
置換基として挙げられるハロ低級アルコキシ基としては、通常炭素数1〜4、好ましくは炭素数1〜2のアルコキシ基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等。)で置換されたものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される、置換基を有していてもよい、アリール基、アラルキル基又は芳香族複素環基の置換基として挙げられるハロ低級アルコキシ基の例示と同様のものが挙げられ、中でも、トリフルオロメトキシ基が好ましい。
【0094】
置換基として挙げられる低級アルケニル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数2〜4、好ましくは炭素数2〜3のものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される、置換基を有していてもよい、アリール基、アラルキル基又は芳香族複素環基の置換基として挙げられる低級アルケニル基の例示と同様のものが挙げられ、中でも、ビニル基が好ましい。
【0095】
また、一般式[10]〜[12]に於ける2つのR7〜R9は、同一のものが好ましいが、場合によっては異なっていてもよい。
【0096】
これらR7〜R9の中でも、ハロアルキル基、置換基を有していてもよい、アリール基又は芳香族複素環基、カンファー基等が好ましく、更にはハロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、カンファー基がより好ましい。
【0097】
一般式[10]に於いて、R5とR6を含んでなる脂肪族環としては、例えばシクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環等が挙げられ、中でもシクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環が好ましく、就中、シクロブタン環、シクロペンタン環がより好ましい。
【0098】
上記一般式[5]で示されるビスフタルイミド化合物は、R3が水素原子である場合は、好ましくは、一般式[25]
【0099】
(式中、A2は前記に同じ。)で示されるビス(N−ヒドロキシ)フタルイミド化合物等が挙げられ、また、R3が一般式[6]で示される基である場合は、好ましくは、一般式[26]
【0100】
(式中、R4、A2及びその他の定義は前記に同じ。)で示されるビスフタルイミドスルホネート化合物等が挙げられる。
【0101】
上記一般式[26]で示されるビスフタルイミドスルホネート化合物は、A2が−O−基である場合は、一般式[13]
【0102】
(式中、R10は夫々独立して、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数3〜12のハロアルキル基、置換基としてハロゲン原子、炭素数2〜12のアルキル基、ハロ低級アルキル基、アルコキシ基、ハロ低級アルコキシ基、低級アルケニル基、ニトロ基、N,N-ジメチルアミノ基及びアセトアミド基から選ばれるものを有していてもよいアリール基、置換基としてハロゲン原子、アルキル基、ハロ低級アルキル基、アルコキシ基、ハロ低級アルコキシ基、低級アルケニル基、ニトロ基、N,N-ジメチルアミノ基及びアセトアミド基から選ばれるものを有していてもよい、アラルキル基若しくは芳香族複素環基、カンファー基又はナフトキノンジアジド基を表す。)で示されるものであり、また、A2が−C(CF3)2−基である場合は、一般式[14]
【0103】
(式中、R11は夫々独立して、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数3〜12のハロアルキル基、置換基としてハロゲン原子、アルキル基、ハロ低級アルキル基、アルコキシ基、ハロ低級アルコキシ基、低級アルケニル基、ニトロ基、N,N-ジメチルアミノ基及びアセトアミド基から選ばれるものを有していてもよい、アリール基、アラルキル基若しくは芳香族複素環基、カンファー基又はナフトキノンジアジド基を表す。)で示されるものであり、更に、A2が結合手である場合は、一般式[15]
【0104】
(式中、R11は前記に同じ。)で示されるものである。
【0105】
一般式[13]〜[15]に於いて、R10及びR11で示される炭素数1〜12のアルキル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、好ましくは炭素数1〜10、より好ましくは炭素数6〜8のものが挙げられ、具体的には、例えば一般式[2]に於けるR1で示される炭素数1〜12のアルキル基の例示と同様のものが挙げられ、中でも、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n−ペンチル基、sec-ペンチル基、tert-ペンチル基、n−ヘキシル基、sec-ヘキシル基、tert-ヘキシル基、n−ヘプチル基、sec-ヘプチル基、tert-ヘプチル基、n−オクチル基、sec-オクチル基、tert-オクチル基、n−ノニル基、sec-ノニル基、tert-ノニル基、n−デシル基、sec-デシル基、tert-デシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が好ましく、就中、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基等がより好ましい。
【0106】
一般式[13]〜[15]に於いて、R10及びR11で示される炭素数3〜12のハロアルキル基としては、上記一般式[2]に於けるR1で示される炭素数1〜12のアルキル基のうちの炭素数3〜12のものの水素原子の一部又は全部がハロゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等。)で置換されたもの、好ましくは1〜17個、より好ましくは7〜17個の水素原子がハロゲン原子で置換されたものが挙げられ、好ましくは炭素数3〜8のものが挙げられ、具体的には、例えば一般式[2]に於けるR1で示される炭素数1〜12のハロアルキル基のうち炭素数3〜12のものの例示と同様のものが挙げられ、中でも、例えばノナフルオロブチル基、ヘプタデカフルオロオクチル基等が好ましく、就中、ノナフルオロブチル基がより好ましい。
【0107】
R10及びR11で示される、置換基を有していてもよいアリール基のアリール基としては、通常炭素数6〜16、好ましくは炭素数6〜10のものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される置換基を有していてもよいアリール基のアリール基の例示と同様のものが挙げられ、中でもフェニル基、ナフチル基が好ましく、就中、フェニル基がより好ましい。
【0108】
R10及びR11で示される、置換基を有していてもよいアラルキル基のアラルキル基としては、通常炭素数7〜10、好ましくは炭素数7〜8のものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される置換基を有していてもよいアラルキル基のアラルキル基の例示と同様のものが挙げられ、中でもベンジル基好ましい。
【0109】
R10及びR11で示される、置換基を有していてもよい芳香族複素環基の芳香族複素環基としては、例えば窒素原子、硫黄原子、酸素原子等のヘテロ環を1つ以上、好ましくは1〜3個有するものが挙げられ、単環でも二環でもよく、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される置換基を有していてもよい芳香族複素環基の芳香族複素環基の例示と同様のものが挙げられ、中でも2-チエニル基が好ましい。
【0110】
R10及びR11で示される置換基を有していてもよい、アリール基、アラルキル基又は芳香族複素環基の置換基としては、例えばハロゲン原子、アルキル基、ハロ低級アルキル基、アルコキシ基、ハロ低級アルコキシ基、低級アルケニル基、ニトロ基、N,N-ジメチルアミノ基、アセトアミド基等が挙げられる。
【0111】
置換基として挙げられるハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、中でもフッ素原子、塩素原子が好ましく、就中、フッ素原子がより好ましい。
【0112】
R10で示される置換基を有していてもよいアリール基の置換基として挙げられる炭素数2〜12のアルキル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、溶媒に対する溶解性が高ければ特に限定されないが、好ましくは炭素数3〜12、より好ましくは3〜8のものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される炭素数1〜12のアルキル基の炭素数2〜12のものの例示と同様のものが挙げられ、中でも、例えばn−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、sec-ペンチル基、tert-ペンチル基、n−ヘキシル基、sec-ヘキシル基、tert-ヘキシル基、n−ヘプチル基、sec-ヘプチル基、tert-ヘプチル基、n−オクチル基、sec-オクチル基、tert-オクチル基、シクロヘキシル基等が好ましく、就中、例えばn−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基等がより好ましい。
【0113】
R11で示される置換基を有していてもよいアリール基及びR10若しくはR11で示される置換基を有していてもよいアラルキル基若しくは芳香族複素環基の置換基として挙げられるアルキル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数1〜12、好ましくは3〜8のものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される炭素数1〜12のアルキル基の例示と同様のものが挙げられ、中でも、例えばn−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、sec-ペンチル基、tert-ペンチル基、n−ヘキシル基、sec-ヘキシル基、tert-ヘキシル基、シクロヘキシル基、n−ヘプチル基、sec-ヘプチル基、tert-ヘプチル基、n−オクチル基、sec-オクチル基、tert-オクチル基等が好ましく、就中、例えばn−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基等がより好ましい。
【0114】
R10及びR11で示される置換基を有していてもよいアリール基、アラルキル基又は芳香族複素環基の置換基として挙げられるハロ低級アルキル基としては、通常炭素数1〜4、好ましくは炭素数1〜2の低級アルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等。)で置換されたものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される置換基を有していてもよいアリール基の置換基として挙げられるハロ低級アルキル基の例示と同様のものが挙げられ、中でも、例えばトリフルオロメチル基が好ましい。
【0115】
R10及びR11で示される置換基を有していてもよいアリール基、アラルキル基又は芳香族複素環基の置換基として挙げられるアルコキシ基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数1〜12、好ましくは炭素数3〜6のものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される置換基を有していてもよいアリール基の置換基として挙げられるアルコキシ基の例示と同様のものが挙げられ、中でも、例えばn−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基等が好ましい。
【0116】
R10及びR11で示される置換基を有していてもよいアリール基、アラルキル基又は芳香族複素環基の置換基として挙げられるハロ低級アルコキシ基としては、通常炭素数1〜4、好ましくは炭素数1〜2のアルコキシ基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等。)で置換されたものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される置換基を有していてもよいアリール基の置換基として挙げられるハロ低級アルコキシ基の例示と同様のものが挙げられ、中でも、トリフルオロメトキシ基が好ましい。
【0117】
R10及びR11で示される置換基を有していてもよいアリール基、アラルキル基又は芳香族複素環基の置換基として挙げられる低級アルケニル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数2〜4、好ましくは炭素数2〜3のものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式[2]に於けるR1で示される置換基を有していてもよいアリール基の置換基として挙げられる低級アルケニル基の例示と同様のものが挙げられ、中でも、ビニル基が好ましい。
【0118】
これらの置換基の中でも例えばハロゲン原子、トリフルオロメチル基、ニトロ基等の電子吸引性基が好ましい。
【0119】
また、R10及びR11で示される置換基を有していてもよいアリール基としては、少なくとも1つはm-位又はp-位に電子吸引性基を有しているものが好ましく、中でもm-位に電子吸引性基を有しているものがより好ましい。これらの具体例としては、例えばm-トリフルオロメチルフェニル基、p-トリフルオロメチルフェニル基、3,5-ジトリフルオロメチルフェニル基、ペンタフルオロフェニル基等が挙げられる。
【0120】
これらR10及びR11の中でも、ハロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい芳香族複素環基、カンファー基等が好ましく、更には、ハロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、カンファー基がより好ましい。
【0121】
また、一般式[13]〜[15]に於ける2つのR10及びR11は、同一のものが好ましいが、場合によっては異なっていてもよい。
【0122】
一般式[10]で示される化合物の中、脂肪族環がシクロブタン環である場合の好ましい具体例としては、例えばテトラヒドロ-2,5-ビス(メタンスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(エタンスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(n−プロパンスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(イソプロピルスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(n−ブタンスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(n−オクタンスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(シクロヘキシルスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(デカンスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(トリクロロメタンスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(2,2,2-トリフルオロエタンスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(ノナフルオロブタンスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(ヘプタデカフルオロオクタンスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(10-カンファースルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(2-チオフェンスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(ベンジルスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(フェニルスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(4-メチルフェニルスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(4-エチルフェニルスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(2,5-ジメチルフェニルスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(2,4,6-トリメチルフェニルスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(4-エテニルフェニルスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(4-メトキシフェニルスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(4-ドデシルベンゼンスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(3,4-ジメトキシフェニルスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(2,4,6-トリメトキシフェニルスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(4-トリフルオロメトキシフェニルスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(4-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(3-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(3,5-ジ-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(4-クロルフェニルスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(4-ブロモフェニルスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(4-ヨードフェニルスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(4-フルオロフェニルスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(2,5-ジクロロフェニルスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(2,4,5-トリクロロフェニルスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(4-ニトロフェニルスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(4-アセトアミドフェニルスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(1-ナフタレンスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(2-ナフタレンスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(2,1-ナフトキノンジアジド-4-スルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(2,1-ナフトキノンジアジド-5-スルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(4-N,N-ジメチルアミノナフタレン-5-スルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(キノリン-8-スルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン等が挙げられ、より好ましい具体例としては、例えばテトラヒドロ-2,5-ビス(ノナフルオロブタンスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(ヘプタデカフルオロオクタンスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(10-カンファースルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(4-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(3-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(3,5-ジ-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン、テトラヒドロ-2,5-ビス(ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン等が挙げられる。
【0123】
一般式[10]で示される化合物の中、脂肪族環がシクロペンタン環である場合の好ましい具体例としては、例えばヘキサヒドロ-2,6-ビス(メタンスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(エタンスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(イソプロピルスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(n−ブタンスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(n−オクタンスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(シクロヘキシルスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(デカンスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(トリクロロメタンスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(2,2,2-トリフルオロエタンスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(ノナフルオロブタンスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(ヘプタデカフルオロオクタンスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(10-カンファースルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(2-チオフェンスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(ベンジルスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(フェニルスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(4-メチルフェニルスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7 (2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(4-エチルフェニルスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(2,5-ジメチルフェニルスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(2,4,6-トリメチルフェニスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(4-エテニルフェニルスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(4-メトキシフェニルスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(4-ドデシルベンゼンスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(3,4-ジメトキシフェニルスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(2,4,6-トリメトキシフェニルスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(4-トリフルオロメトキシフェニルスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(4-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(3-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(3,5-ジ-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(4-クロルフェニルスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(4-ブロモフェニルスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(4-ヨードフェニルスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(4-フルオロフェニルスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(2,5-ジクロロフェニルスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(2,4,5-トリクロロフェニルスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(4-ニトロフェニルスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(4-アセトアミドフェニルスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(1-ナフタレンスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(2-ナフタレンスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(2,1-ナフトキノンジアジド-4-スルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(2,1-ナフトキノンジアジド-5-スルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(4-N,N-ジメチルアミノナフタレン-5-スルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(キノリン-8-スルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン等が挙げられ、より好ましい具体例としては、例えばヘキサヒドロ-2,6-ビス(ノナフルオロブタンスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(ヘプタデカフルオロオクタンスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(10-カンファースルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(4-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(3-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(3,5-ジ-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、ヘキサヒドロ-2,6-ビス(ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシ)シクロペンタ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン等が挙げられる。
【0124】
一般式[10]で示される化合物の中、脂肪族環がシクロヘキサン環である場合の好ましい具体例としては、例えばオクタヒドロ-2,6-ビス(メタンスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(エタンスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(イソプロピルスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(n−ブタンスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(n−オクタンスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(シクロヘキシルスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(デカンスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(トリクロロメタンスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(2,2,2-トリフルオロエタンスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(ノナフルオロブタンスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(ヘプタデカフルオロオクタンスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(10-カンファースルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(2-チオフェンスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(ベンジルスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(フェニルスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(4-メチルフェニルスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(4-エチルフェニルスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(2,5-ジメチルフェニルスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(2,4,6-トリメチルフェニスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(4-エテニルフェニルスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(4-メトキシフェニルスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(4-ドデシルベンゼンスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(3,4-ジメトキシフェニルスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(2,4,6-トリメトキシフェニルスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(4-トリフルオロメトキシフェニルスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(4-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(3-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(3,5-ジ-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(4-クロルフェニルスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(4-ブロモフェニルスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(4-ヨードフェニルスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(4-フルオロフェニルスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(2,5-ジクロロフェニルスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(2,4,5-トリクロロフェニルスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(4-ニトロフェニルスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(4-アセトアミドフェニルスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(1-ナフタレンスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(2-ナフタレンスルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(2,1-ナフトキノンジアジド-4-スルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(2,1-ナフトキノンジアジド-5-スルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(4-N,N-ジメチルアミノナフタレン-5-スルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、オクタヒドロ-2,6-ビス(キノリン-8-スルホニルオキシ)シクロヘキサ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン等が挙げられる。
【0125】
一般式[11]で示される化合物の好ましい具体例としては、例えば3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(n−ヘキサンスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(n−オクタンスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(シクロヘキシルスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(デカンスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(トリクロロメタンスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(2,2,2-トリフルオロエタンスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(ノナフルオロブタンスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(ヘプタデカフルオロオクタンスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(10-カンファースルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(2-チオフェンスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(ベンジルスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(フェニルスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(4-メチルフェニルスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(4-エチルフェニルスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(2,5-ジメチルフェニルスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(2,4,6-トリメチルフェニスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(4-エテニルフェニルスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(4-メトキシフェニルスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(4-ドデシルベンゼンスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(3,4-ジメトキシフェニルスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(2,4,6-トリメトキシフェニルスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(4-トリフルオロメトキシフェニルスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(4-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(3-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(3,5-ジ-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(4-クロルフェニルスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(4-ブロモフェニルスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(4-ヨードフェニルスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(4-フルオロフェニルスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(2,5-ジクロロフェニルスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(2,4,5-トリクロロフェニルスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(4-ニトロフェニルスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(4-アセトアミドフェニルスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(1-ナフタレンスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(2-ナフタレンスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(2,1-ナフトキノンジアジド-4-スルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(2,1-ナフトキノンジアジド-5-スルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(4-N,N-ジメチルアミノナフタレン-5-スルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(キノリン-8-スルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン等が挙げられ、より好ましい具体例としては、例えば3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(ノナフルオロブタンスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(ヘプタデカフルオロオクタンスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(10-カンファースルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(4-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(3-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(3,5-ジ-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン等が挙げられる。
【0126】
一般式[12]で示される化合物の好ましい具体例としては、例えば2,6-ビス(イソプロピルスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(n−ブタンスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(n−オクタンスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(シクロヘキシルスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(デカンスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(トリクロロメタンスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(2,2,2-トリフルオロエタンスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(ノナフルオロブタンスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(ヘプタデカフルオロオクタンスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(10-カンファースルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(2-チオフェンスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(ベンジルスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(フェニルスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(4-メチルフェニルスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(4-エチルフェニルスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(2,5-ジメチルフェニルスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(2,4,6-トリメチルフェニスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(4-エテニルフェニルスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(4-メトキシフェニルスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(4-ドデシルベンゼンスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(3,4-ジメトキシフェニルスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(2,4,6-トリメトキシフェニルスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(4-トリフルオロメトキシフェニルスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(4-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(3-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(3,5-ジ-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(4-クロルフェニルスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(4-ブロモフェニルスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(4-ヨードフェニルスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(4-フルオロフェニルスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(2,5-ジクロロフェニルスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(2,4,5-トリクロロフェニルスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(4-ニトロフェニルスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(4-アセトアミドフェニルスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(1-ナフタレンスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(2-ナフタレンスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(2,1-ナフトキノンジアジド-4-スルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(2,1-ナフトキノンジアジド-5-スルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(4-N,N-ジメチルアミノナフタレン-5-スルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(キノリン-8-スルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン等が挙げられ、より好ましい具体例としては、例えば2,6-ビス(ノナフルオロブタンスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(ヘプタデカフルオロオクタンスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(10-カンファースルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(4-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(3-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(3,5-ジ-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン、2,6-ビス(ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン等が挙げられる。
【0127】
一般式[25]で示される化合物の好ましい具体例としては、例えば5,5'-オキシビス[2-ヒドロキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]が挙げられる。
【0128】
一般式[13]で示される化合物の好ましい具体例としては、例えば5,5'-オキシビス[2-メタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-エタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-n-プロパンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-イソプロピルスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-n-ブタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-n-ヘキサンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-n-オクタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-シクロヘキシルスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-デカンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-ノナフルオロブタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-ヘプタデカフルオロオクタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(10-カンファー)スルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-ベンジルスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-フェニルスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(4-エチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(2,5-ジメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(2,4,6-トリメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(4-エテニルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3 (2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(4-メトキシフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(4-ドデシルベンゼンスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(3,4-ジメトキシフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(2,4,6-トリメトキシフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(4-トリフルオロメトキシフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(4-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(3-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(2-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(3,5-ジ-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(4-クロルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(4-ブロモフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(4-ヨードフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(4-フルオロフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(2,5-ジクロロフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(2,4,5-トリクロロフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(ペンタフルオロベンゼンスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(4-ニトロフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(4-アセトアミドフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3 (2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(1-ナフタレンスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(2-ナフタレンスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(2-チエニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(2,1-ナフトキノンジアジド-4-スルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(2,1-ナフトキノンジアジド-5-スルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(4-N,N-ジメチルアミノナフタレン-5-スルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(キノリン-8-スルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]等が挙げられ、中でも、例えば5,5'-オキシビス[2-ノナフルオロブタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-ヘプタデカフルオロオクタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(10-カンファー)スルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(4-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(3-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(3,5-ジ-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(ペンタフルオロベンゼンスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]等が好ましい。
【0129】
一般式[14]で示される化合物の好ましい具体例としては、例えば5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-メタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-エタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-n-プロパンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-イソプロピルスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-n-ブタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-n-ヘキサンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-n-オクタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-シクロヘキシルスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-デカンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-ノナフルオロブタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-ヘプタデカフルオロオクタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(10-カンファースルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-ベンジルスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-フェニルスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(4-トルエンスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(4-エチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(2,5-ジメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(2,4,6-トリメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(4-エテニルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(4-ドデシルベンゼンスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(4-メトキシフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(3,4-ジメトキシフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(2,4,6-トリメトキシフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(4-トリフルオロメトキシフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(4-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(3-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(2-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(3,5-ジ-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(4-クロルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(4-ブロモフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(4-ヨードフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(4-フルオロフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(2,5-ジクロロフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(2,4,5-トリクロロフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(ペンタフルオロベンゼンスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(4-ニトロフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(4-アセトアミドフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3 (2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(1-ナフタレンスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(2-ナフタレンスルホニル]オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(2-チエニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(2,1-ナフトキノンジアジド-4-スルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(2,1-ナフトキノンジアジド-5-スルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(4-N,N-ジメチルアミノナフタレン-5-スルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(キノリン-8-スルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]等が挙げられ、中でも、例えば5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-ノナフルオロブタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-ヘプタデカフルオロオクタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(10-カンファースルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(4-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(3-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(3,5-ジ-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(ペンタフルオロベンゼンスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]等が好ましい。
【0130】
一般式[15]で示される化合物の好ましい具体例としては、例えば5,5'-ビス[2-メタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-エタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-n-プロパンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-イソプロピルスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-n-ブタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-n-ヘキサンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-n-オクタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-スルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-シクロヘキシルスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-デカンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-ノナフルオロブタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-ヘプタデカフルオロオクタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(10-カンファースルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-ベンジルスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-フェニルスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(4-トルエンスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(4-エチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(2,5-ジメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3 (2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(2,4,6-トリメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(4-エテニルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(4-メトキシフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2- (4-ドデシルベンゼンスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(3,4-ジメトキシフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(2,4,6-トリメトキシフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(4-トリフルオロメトキシフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(4-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(3-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(2-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(3,5-ジ-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(4-クロルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(4-ブロモフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(4-ヨードフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(4-フルオロフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(2,5-ジクロロフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(2,4,5-トリクロロフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(ペンタフルオロベンゼンスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(4-ニトロフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(4-アセトアミドフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(1-ナフタレンスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(2-ナフタレンスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(2-チエニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(2,1-ナフトキノンジアジド-4-スルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(2,1-ナフトキノンジアジド-5-スルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(4-N,N-ジメチルアミノナフタレン-5-スルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(キノリン-8-スルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]等が挙げられ、中でも、例えば5,5'-ビス[2-ノナフルオロブタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-ヘプタデカフルオロオクタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(10-カンファースルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(4-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(3-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(3,5-ジ-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(ペンタフルオロベンゼンスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]等が好ましい。
【0131】
本発明の化合物である一般式[4]で示されるビスイミドスルホネート化合物は、レジスト組成物の酸発生剤として有用であるが、中でも、これをレジスト組成物の酸発生剤として使用した場合は、放射線に感応して酸発生効率が高く、高感度化が期待できる一般式[11]及び[12]で示される化合物が好ましい。
【0132】
また、本発明の化合物である一般式[26]で示されるビスフタルイミドスルホネート化合物は、レジスト組成物の酸発生剤として有用であるが、中でも、これをレジスト組成物の酸発生剤として使用した場合は、放射線に感応して酸発生効率が高く、高感度化が期待でき、且つ溶媒に対する溶解性が高い一般式[13]及び[14]で示される化合物が好ましい。
【0133】
一般式[4]で示されるビスイミドスルホネート化合物は、例えば下記[A]、[B]、[C]、[D]法等によって合成し得る。
【0134】
即ち、[A]法では、下記一般式[16]
【0135】
(式中、A3は前記に同じ。)で示される酸無水物1モル及びこれの1〜5倍モルのヒドロキシルアミン又はその塩(例えば塩酸塩、硫酸塩等。)を例えばピリジン、トリエチルアミン、トリブチルアミン等の塩基性化合物存在下、例えばトルエン、アセトン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド等の溶媒に溶解し、0〜100℃で0.5〜10時間攪拌反応させた後、常法に従って処理することにより、下記一般式[17]
【0136】
(式中、A3は前記に同じ。)で示されるビス(N-ヒドロキシイミド)化合物が得られる。次いで、得られたビス(N-ヒドロキシイミド)化合物1モル及びこれの1〜5倍モルの下記一般式[18]
【0137】
〔式中、X1はハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等。)を表し、R2は前記に同じ。〕で示されるスルホニルハライド化合物を例えばピリジン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリオクチルアミン、4-N,N-ジメチルアミノピリジン等の塩基性化合物存在下、適当な溶媒(例えばシクロヘキサン等の炭化水素類、例えば塩化メチレン、クロロホルム、ジクロルエタン等のハロゲン化炭化水素類、例えばベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、例えばエチルエーテル、ジメトキシエタン、1,4-ジオキサン等のエーテル類、例えばN,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド等のアミド類等。)中に溶解し、−10〜120℃で0.5〜10時間攪拌反応させた後、次いで常法に従って処理することにより、一般式[4]で示される化合物が得られる。
【0138】
[B]法では、上記一般式[16]で示される酸無水物1モル及びこれの2〜6倍モルのアンモニア(アンモニア水)を例えば水、メタノール、エタノール等の溶媒中で混合し、50〜150℃で0.5〜10時間攪拌反応させた後、常法に従って処理することにより、下記一般式[19]
【0139】
(式中、A3は前記に同じ。)で示されるビスイミド化合物が得られる。次いで、得られたビスイミド化合物1モル及びこれの2〜5倍モルのハロゲン化剤(例えば塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン、例えばN-クロルコハク酸イミド、N-ブロモコハク酸イミド、N-ヨードコハク酸イミド等のイミド類等。)を、適当な溶媒(例えば塩化メチレン、クロロホルム、ジクロルエタン等のハロゲン化炭化水素類、例えばジメトキシエタン、エチルエーテル等のエーテル類、例えば酢酸エチル等のエステル類等。)中に混合し、−10〜75℃で、0.5〜10時間攪拌反応させた後、常法に従って処理することにより、下記一般式[20]
【0140】
〔式中、Yはハロゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等。)を表し、A3は前記に同じ。〕で示されるビスハロイミド化合物が得られる。更に、得られたビスハロイミド化合物1モル及びこれの1〜5倍モルの下記一般式[21]
【0141】
〔式中、M1は金属原子(例えばナトリウム原子、カリウム原子、リチウム原子、カルシウム原子、バリウム原子、マグネシウム原子、銅原子、銀原子、亜鉛原子等。)を表し、nは1〜2の整数を表し、R2は前記に同じ。〕で示されるスルホン酸塩を、適当な溶媒(例えばメタノール、エタノール等のアルコール類、例えば塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素類、例えばベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類、アセトン、酢酸エチル、シクロヘキサン、水等。)中に混合し、0〜100℃で、0.5〜10時間攪拌反応させた後、常法に従って処理することにより、一般式[4]で示される化合物が得られる。
【0142】
[C]法では、上記[A]法によって得られた一般式[17]で示されるビス(N-ヒドロキシイミド)化合物1モル、これの1〜5倍モルの下記一般式[22]
【0143】
(式中、R2は前記に同じ。)で示されるスルホン酸及び1〜5倍モルのジシクロヘクシルカルボジイミド(DCC)とを適当な溶媒(例えば塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素類、例えば酢酸エチル、酢酸メチル、酢酸ブチル等のエステル類、例えばエチルエーテル、イソプロピルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、例えばアセトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類等。)中に混合し、0〜100℃で0.5〜10時間攪拌反応した後、常法に従って処理することにより一般式[4]で示される化合物が得られる。
【0144】
[D]法では、上記[A]法によって得られた一般式[17]で示されるビス(N-ヒドロキシイミド)化合物1モル、及びこれの1〜5倍モルの下記一般式[23]
【0145】
(式中、R2は前記に同じ。)で示されるスルホニルフルオライド化合物或いは下記一般式[24]
【0146】
(式中、R2は前記に同じ。)で示されるスルホン酸無水物とを、1〜10倍モルの塩基性化合物(例えばナトリウムメトキシド、カリウム tert-ブトキシド等の金属アルコキシド類、例えば水素化ナトリウム等の金属水素化物、トリエチルアミン、トリ-n−ブチルアミン、トリ-n−オクチルアミン等のアミン類、ピリジン、2,6-ルチジン等。)存在下、適当な溶媒(例えばシクロヘキサン等の炭化水素類、例えばベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類、例えばエチルエーテル、1,2-ジメトキシエタン等のエーテル類等。)中、−10〜100℃、0.5〜15時間攪拌反応させた後、常法に従って処理することにより一般式[4]で示される化合物が得られる。
【0147】
また、一般式[26]で示されるビスフタルイミドスルホネート化合物は、例えば下記[E]、[F]、[G]、[H]法等によって合成し得る。
【0148】
即ち、[E]法では、下記一般式[27]
【0149】
(式中、A2は前記に同じ。)で示される酸無水物1モル及びこれの1〜5倍モルのヒドロキシルアミン又はその塩(例えば塩酸塩、硫酸塩等。)を、例えばピリジン、トリエチルアミン、トリブチルアミン等の塩基性化合物存在下、例えばトルエン、アセトン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド等の溶媒に溶解し、0〜100℃で0.5〜10時間攪拌反応させた後、常法に従って処理することにより、下記一般式[25]
【0150】
(式中、A2は前記に同じ。)で示されるビス(N−ヒドロキシ)フタルイミド化合物が得られる。尚、上記反応は、塩基性化合物を溶媒として用いることも可能である。次いで、得られたビス(N−ヒドロキシ)フタルイミド化合物1モル及びこれの1〜5倍モルの下記一般式[28]
【0151】
(式中、R4及びX1は前記に同じ。)で示されるスルホニルハライド化合物を適当な溶媒(例えばシクロヘキサン等の炭化水素類、例えば塩化メチレン、クロロホルム、ジクロルエタン等のハロゲン化炭化水素類、例えばベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、例えばエチルエーテル、ジメトキシエタン、1,4-ジオキサン等のエーテル類、例えばN,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド等のアミド類等。)中に溶解し、例えばピリジン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリオクチルアミン、4-N,N-ジメチルアミノピリジン等の塩基性化合物存在下、−10〜120℃で0.5〜10時間攪拌反応させた後、次いで常法に従って処理することにより、一般式[26]で示される化合物が得られる。
【0152】
[F]法では、上記一般式[27]で示される酸無水物1モル、または下記一般式[29]
【0153】
(式中、A2は前記と同じ。)で示されるテトラカルボン酸(例えばJ.Am.Chem.Soc., 80, 1196(1958).等に記載の方法によりo-キシレンから合成し得る。)1モル及びこれの2〜6倍モルのアンモニア(アンモニア水)を、例えば水、メタノール、エタノール等の溶媒中で混合し、50〜300℃で0.5〜10時間攪拌反応させた後、又は上記一般式[27]で示される酸無水物1モル及びこれの2〜20倍モルのホルムアミドとを無溶媒又はトルエン、キシレン等の炭化水素溶媒中、50〜150℃で0.5〜10時間攪拌反応させた後、常法に従って処理することにより、下記一般式[30]
【0154】
(式中、A2は前記に同じ。)で示されるビスフタルイミド化合物が得られる。次いで、得られたビスフタルイミド化合物1モル及びこれの2〜5倍モルのハロゲン化剤(例えば塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン、例えばN-クロルコハク酸イミド、N-ブロモコハク酸イミド、N-ヨードコハク酸イミド等のイミド類等。)を、適当な溶媒(例えば塩化メチレン、クロロホルム、ジクロルエタン、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、例えばジメトキシエタン、エチルエーテル等のエーテル類、例えば酢酸エチル等のエステル類、水等。)及び、必要に応じて、使用される塩基化合物(例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、トリエチルアミン、ジエチルアミン、2,6-ルチジン、p-N,N-ジメチルアニリン等。)中に混合し、−10〜75℃で、0.01〜10時間攪拌反応させた後、常法に従って処理することにより、下記一般式[31]
【0155】
〔式中、X2はハロゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等。)を表し、A2は前記に同じ。〕で示されるビスハロフタルイミド化合物が得られる。更に、得られたビスハロフタルイミド化合物1モル及びこれの1〜5倍モルの下記一般式[32]
【0156】
(式中、R4、M1及びnは前記に同じ。)で示されるスルホン酸塩を、適当な溶媒(例えばメタノール、エタノール等のアルコール類、例えば塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素類、例えばベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類、アセトン、酢酸エチル、シクロヘキサン、水等。)中で混合し、0〜100℃で、0.5〜10時間攪拌反応させた後、常法に従って処理することにより、一般式[26]で示される化合物が得られる。
【0157】
[G]法では、上記[E]法によって得られた一般式[25]で示されるビス(N−ヒドロキシ)フタルイミド化合物1モル、これの1〜5倍モルの下記一般式[33]
【0158】
(式中、R4は前記に同じ。)で示されるスルホン酸及び1〜5倍モルのジシクロヘクシルカルボジイミド(DCC)とを適当な溶媒(例えば塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素類、例えば酢酸エチル、酢酸メチル、酢酸ブチル等のエステル類、例えばエチルエーテル、イソプロピルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、例えばアセトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類等。)中で混合し、0〜100℃で0.5〜10時間攪拌反応した後、常法に従って処理することにより一般式[26]で示される化合物が得られる。
【0159】
[H]法では、上記[E]法によって得られた一般式[25]で示されるビス(N−ヒドロキシ)フタルイミド化合物1モル、及びこれの1〜5倍モルの下記一般式[34]
【0160】
(式中、R4は前記に同じ。)で示されるスルホニルフルオライド化合物或いは下記一般式[35]
【0161】
(式中、R4は前記に同じ。)で示されるスルホン酸無水物を適当な溶媒(例えばペンタン、シクロヘキサン等の炭化水素類、例えばベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類、例えばエチルエーテル、1,2-ジメトキシエタン等のエーテル類等。)中で、1〜10倍モルの塩基性化合物(例えばナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウム tert-ブトキシド等の金属アルコキシド類、例えば水素化ナトリウム等の金属水素化物、n−ブチルリチウム、sec-ブチルリチウム等のアルキル金属類、トリエチルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-オクチルアミン等のアミン類、ピリジン、2,6-ルチジン等。)存在下、−10〜100℃、0.5〜15時間攪拌反応させた後、常法に従って処理することにより一般式[26]で示される化合物が得られる。
【0162】
本発明の一般式[1]で示されるビスイミド化合物、即ち、一般式[4]で示されるビスイミドスルホネート化合物及び一般式[26]で示されるビスフタルイミドスルホネート化合物は、ポリイミド化合物の原料や架橋剤として有用であるほか、化学増幅型レジスト組成物の酸発生剤としても優れた効果を奏する。
【0163】
本発明のビスイミド化合物を酸発生剤として利用した化学増幅型レジスト組成物は、例えば(1)アルカリ可溶性樹脂1種以上、酸の存在下で化学変化してアルカリ可溶性となる溶解阻害性樹脂或いは溶解阻害性化合物1種以上及び酸発生剤を主たる固形成分とするポジ型、(2)酸の存在下で化学変化してアルカリ可溶性となる樹脂1種以上及び酸発生剤を主たる固形成分とするポジ型、及び(3)アルカリ可溶性樹脂1種以上、酸の存在下加熱により化学変化して前記樹脂をアルカリ難溶性とする架橋性化合物1種以上及び酸発生剤を主たる固形成分とするネガ型に大別される。
【0164】
一般式[1]で示されるビスイミド化合物の使用量は、前記アルカリ可溶性樹脂、酸の存在下で化学変化してアルカリ可溶性となる溶解阻害性樹脂等のベースポリマーに対して通常1〜20重量%、好ましくは3〜20重量%である。
【0165】
アルカリ可溶性樹脂としては、例えば下記一般式[36]
【0166】
(式中、R13は夫々独立して水素原子又はメチル基を表し、R14はアルキル基を表し、R15は酸不安定基を表し、l、m及びpは0又は自然数を表し、kは自然数を表す。但し、1≧k≧0.8であり、0.2≧l≧0であり、0.2≧m≧0であり、0.2≧p≧0であり、且つk+l+m+p=1である。)で示されるもの、下記一般式[37]
【0167】
(式中、m’は0又は自然数を表し、k’及びl’は自然数を表す。但し、0.9≧k’≧0.1であり、0.9≧l’≧0.1であり、且つ0.9≧m’≧0であり、且つk’+l’+m’=1である。R13は前記に同じ。)で示されるもの等が挙げられる。
【0168】
一般式[36]に於いて、R14で示されるアルキル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、中でも直鎖状又は分枝状のものが好ましく、通常炭素数1〜6のものが挙げられ、具体的には、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、sec-ペンチル基、tert-ペンチル基、ネオペンチル基、n−ヘキシル基、イソヘキシル基、sec-ヘキシル基、tert-ヘキシル基、ネオヘキシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
【0169】
R15で示される酸不安定基としては、例えばtert-ブチル基、1-メチルシクロヘキシル基、1-エトキシエチル基、1-シクロヘキシルオキシエチル基、tert-ブトキシカルボニル基、テトラヒドロピラニル基、トリメチルシリル基、tert-ブトキシカルボニルメチル基等が挙げられる。
【0170】
一般式[36]で示される樹脂の具体例としては、例えばポリ(p-ヒドロキシスチレン)、ポリ(p-ヒドロキシスチレン/スチレン)、ポリ(p-ヒドロキシスチレン/スチレン/アクリル酸)、ポリ(p-ヒドロキシスチレン/スチレン/メタクリル酸)、ポリ(p-ヒドロキシスチレン/アクリル酸)、ポリ(p-ヒドロキシスチレン/メタクリル酸)、ポリ(p-tert-ブトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン)[構成比率:20↓/80↑]、ポリ(p-tert-ブトキシカルボニルオキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン)[構成比率:20↓/80↑]、ポリ(p-テトラヒドロピラニルオキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン)[構成比率:20↓/80↑]、ポリ(p-トリメチルシリルオキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン)[構成比率:20↓/80↑]、ポリ(p-tert-ブトキシカルボニルメトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン)[構成比率:20↓/80↑]、ポリ(p-イソプロポキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン)[構成比率:20↓/80↑]、ポリ(p-1-エトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン)[構成比率:20↓/80↑]等が挙げられる。
【0171】
一般式[37]で示される樹脂の具体例としては、例えばポリ(5-ノルボルネン-2-カルボン酸/無水マレイン酸/アクリル酸)、ポリ(5-ノルボルネン-2-カルボン酸/無水マレイン酸/メタクリル酸)等が挙げられる。
【0172】
アルカリ可溶性樹脂の重量平均分子量は(Mw)は、通常2,000〜50,000、好ましくは2,000〜25,000であり、分散度(Mw/Mn)は、通常1.0〜3.0、好ましくは1.0〜2.0である。
【0173】
酸の存在下で化学変化してアルカリ可溶性となる溶解阻害性樹脂としては、例えば下記一般式[38]
【0174】
(式中、R16は酸不安定基を表し、k”、l”、m”及びp”は0又は自然数を表す。但し、0.8≧k”≧0であり、0.5≧l”≧0であり、1≧m”≧0であり、1≧p”≧0であり、且つk”+l”+m”+p”=1である。R13、R14及びR15は前記に同じ。)で示されるもの、下記一般式[39]
【0175】
〔式中、R17及びR18は夫々独立して水素原子又はアルキル基を表し(但し、R17及びR18が共に水素原子の場合を除く。)、R19はアルキル基、ハロアルキル基又はアラルキル基を表し、R20は酸不安定基を表し、k'''及びm'''は0又は自然数を表し、l'''は自然数を表す。但し、0.8≧k'''≧0であり、1≧l'''≧0.2であり、0.5≧m'''≧0.01であり、且つk'''+l'''+m'''=1である。R13は前記に同じ。〕で示されるもの、下記一般式[40]
【0176】
(式中、R21は水素原子又はアルコキシカルボニル基を表し、k''''、l''''及びp''''は0又は自然数を表し、m''''は自然数を表す。但し、0.9≧k''''≧0であり、0.9≧l''''≧0であり、0.9≧m''''≧0.1であり、0.9≧p''''≧0であり、且つk''''+l''''+m''''+p''''=1である。R13及びR16は前記に同じ。)で示されるもの、ポリ[p-1-エトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/p-1-(アルキレン鎖、シクロアルカン又は芳香環で架橋された)オキシエトキシスチレン]{具体的には、例えば一般式[41]
【0177】
〔式中、R22は、下記式
【0178】
で示される基を表し、R23は下記式[42]
【0179】
(式中、酸素原子はR22と結合しているものである。)で示される基を有するポリマー由来の基を表し、q、r及びsは自然数を表す。但し、0.4≧q>0であり、0.9≧r≧0.4であり、0.6≧s>0である。〕等が挙げられる。}等が挙げられる。
【0180】
一般式[38]及び[40]に於いて、R16で示される酸不安定基としては、例えばtert-ブチル基、1-メチルシクロヘキシル基、2-メチル-2-アダマンチル基、メバロニックラクトニル基、1-アダマンチル基等が挙げられる。
【0181】
一般式[39]に於いてR17及びR18で示されるアルキル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数1〜6のものが挙げられ、具体的には、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、sec-ペンチル基、tert-ペンチル基、ネオペンチル基、n−ヘキシル基、イソヘキシル基、sec-ヘキシル基、tert-ヘキシル基、ネオヘキシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
【0182】
R19で示されるアルキル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数1〜10のものが挙げられ、具体的には、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、sec-ペンチル基、tert-ペンチル基、ネオペンチル基、2-メチルブチル基、1-エチルプロピル基、n−ヘキシル基、イソヘキシル基、sec-ヘキシル基、tert-ヘキシル基、ネオヘキシル基、2-メチルペンチル基、1,2-ジメチルブチル基、1-エチルブチル基、n−へプチル基、イソヘプチル基、sec-ヘプチル基、tert-ヘプチル基、ネオヘプチル基、n−オクチル基、イソオクチル基、sec-オクチル基、tert-オクチル基、ネオオクチル基、n−ノニル基、イソノニル基、sec-ノニル基、tert-ノニル基、ネオノニル基、n−デシル基、イソデシル基、sec-デシル基、tert-デシル基、ネオデシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、2-シクロヘキシルエチル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基等が挙げられる。
【0183】
R19で示されるハロアルキル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数1〜6のアルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等。)で置換されたものが挙げられ、具体的には、フルオロメチル基、クロロメチル基、ブロモメチル基、ヨードメチル基、ジフルオロメチル基、ジクロロメチル基、ジブロモメチル基、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、トリヨードメチル基、テトラフルオロエチル基、テトラクロロエチル基、テトラブロモエチル基、テトラヨードエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、ヘプタクロロプロピル基、ヘプタブロモプロピル基、ヘプタヨードプロピル基、ノナフルオロブチル基、ノナクロロブチル基、ノナブロモブチル基、ノナヨードブチル基、パーフルオロペンチル基、パークロロペンチル基、パーブロモペンチル基、パーヨードペンチル基、パーフルオロヘキシル基、パークロロヘキシル基、パーブロモヘキシル基、パーヨードヘキシル基、ペンタフルオロシクロヘキシル基、ペンタクロロシクロヘキシル基、ペンタブロモシクロヘキシル基、ペンタヨードシクロヘキシル基等が挙げられる。
【0184】
R19で示されるアラルキル基としては、通常炭素数7〜12のものが挙げられ、具体的には、例えばベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、フェニルブチル基、フェニルペンチル基、フェニルヘキシル基、1-ナフチルエチル基等が挙げられる。
【0185】
R20で示される酸不安定基としては、例えばtert-ブチル基、1-メチルシクロヘキシル基、tert-ブトキシカルボニル基、テトラヒドロピラニル基、トリメチルシリル基、tert-ブトキシカルボニルメチル基等が挙げられる。
【0186】
一般式[40]に於いて、R21で示されるアルコキシカルボニル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数2〜7のものが挙げられ、具体的には、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、sec-ブトキシカルボニル基、tert-ブトキシカルボニル基、n−ペンチルオキシカルボニル基、イソペンチルオキシカルボニル基、sec-ペンチルオキシカルボニル基、tert-ペンチルオキシカルボニル基、ネオペンチルオキシカルボニル基、n−ヘキシルオキシカルボニル基、イソヘキシルオキシカルボニル基、sec-ヘキシルオキシカルボニル基、tert-ヘキシルオキシカルボニル基、ネオヘキシルオキシカルボニル基、シクロプロピルオキシカルボニル基、シクロブトキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基等が挙げられる。
【0187】
一般式[41]に於いて、R23で示されるポリマー由来の基としては、例えば共存する酸の作用により架橋部分が切断されアルカリ可溶性となるものが挙げられ、具体的には、例えば一般式[38]及び[39]で示される溶解阻害性樹脂由来のものが挙げられる。
【0188】
一般式[38]で示される溶解阻害性樹脂の具体例としては、例えばポリ(p-ヒドロキシスチレン/スチレン/アクリル酸 tert-ブチル)、ポリ(p-ヒドロキシスチレン/スチレン/アクリル酸 1-メチルシクロヘキシル)、ポリ(p-ヒドロキシスチレン/スチレン/アクリル酸 2-メチル-2-アダマンチル)、ポリ(p-ヒドロキシスチレン/スチレン/メタクリル酸 tert-ブチル)、ポリ(アクリル酸 2-メチル-2-アダマンチル/アクリル酸メバロニックラクトン)、ポリ(メタクリル酸 2-メチル-2-アダマンチル/メタクリル酸メバロニックラクトン)、ポリ(p-ヒドロキシスチレン/アクリル酸 2-メチル-2-アダマンチル)、ポリ(p-tert-ブトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン)[構成比率:20↑/80↓]、ポリ(p-tert-ブトキシカルボニルオキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン)[構成比率:20↑/80↓]、ポリ(p-テトラヒドロピラニルオキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン)[構成比率:20↑/80↓]、ポリ(p-トリメチルシリルオキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン)[構成比率:20↑/80↓]、ポリ(p-tert-ブトキシカルボニルメトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン)[構成比率:20↑/80↓]、ポリ(p-1-エトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン)[構成比率:20↑/80↓]、ポリ(p-1-シクロヘキシルオキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン)[構成比率:20↑/80↓]、ポリ[p-1-(2-シクロヘキシルエトキシ)エトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン][構成比率:20↑/80↓]、ポリ(p-1-メトキシ-1-エトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン)[構成比率:20↑/80↓]、ポリ(p-1-エトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/メタクリル酸 tert-ブチル)、ポリ(p-1-エトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/アクリル酸 1-メチルシクロヘキシル)、ポリ(p-1-エトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/アクリル酸 2-メチル-2-アダマンチル)、ポリ(p-1-エトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/アクリル酸 1-アダマンチル)、ポリ(p-1-エトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/スチレン)、ポリ(p-1-エトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/p-メチルスチレン)、ポリ(p-1-シクロヘキシルオキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/アクリル酸 tert-ブチル)、ポリ(p-1-シクロヘキシルオキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/メタクリル酸 tert-ブチル)、ポリ(p-1-シクロヘキシルオキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/アクリル酸 1-メチルシクロヘキシル)、ポリ(p-1-シクロヘキシルオキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/アクリル酸 2-メチル-2-アダマンチル)、ポリ(p-1-シクロヘキシルオキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/アクリル酸 1-アダマンチル)、ポリ(p-1-シクロヘキシルオキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/スチレン)、ポリ(p-1-シクロヘキシルオキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/p-メチルスチレン)、ポリ(p-1-メトキシ-1-エトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/アクリル酸 tert-ブチル)、ポリ(p-1-メトキシ-1-エトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/メタクリル酸 tert-ブチル)、ポリ(p-1-メトキシ-1-エトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/アクリル酸 1-メチルシクロヘキシル)、ポリ(p-1-メトキシ-1-エトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/アクリル酸 2-メチル-2-アダマンチル)、ポリ(p-1-メトキシ-1-エトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/アクリル酸 1-アダマンチル)、ポリ(p-1-メトキシ-1-エトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/スチレン)、ポリ(p-1-メトキシ-1-エトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/p-メチルスチレン)、ポリ(スチレン/p-ヒドロキシスチレン/p-トリメチルシリルオキシスチレン)、ポリ(スチレン/p-ヒドロキシスチレン/アクリル酸 tert-ブチル)、ポリ(スチレン/p-ヒドロキシスチレン/p-tert-ブトキシカルボニルメトキシスチレン)、ポリ(p-tert-ブトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/メタクリル酸 tert-ブチル)、ポリ(p-tert-ブトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/アクリル酸 1-メチルシクロヘキシル)、ポリ(p-tert-ブトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/アクリル酸 2-メチル-2-アダマンチル)、ポリ(p-tert-ブトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/アクリル酸 1-アダマンチル)、ポリ(p-tert-ブトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/スチレン)、ポリ(p-tert-ブトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/p-メチルスチレン)、ポリ(p-tert-ブトキシカルボニルオキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/メタクリル酸 tert-ブチル)、ポリ(p-tert-ブトキシカルボニルオキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/アクリル酸 1-メチルシクロヘキシル)、ポリ(p-tert-ブトキシカルボニルオキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/アクリル酸 2-メチル-2-アダマンチル)、ポリ(p-tert-ブトキシカルボニルオキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/アクリル酸 1-アダマンチル)、ポリ(p-tert-ブトキシカルボニルオキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/スチレン)、ポリ(p-tert-ブトキシカルボニルオキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/p-メチルスチレン)、ポリ(p-テトラヒドロピラニルオキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/メタクリル酸 tert-ブチル)、ポリ(p-テトラヒドロピラニルオキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/アクリル酸 1-メチルシクロヘキシル)、ポリ(p-テトラヒドロピラニルオキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/アクリル酸 2-メチル-2-アダマンチル)、ポリ(p-テトラヒドロピラニルオキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/アクリル酸 1-アダマンチル)、ポリ(p-テトラヒドロピラニルオキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/スチレン)、ポリ(p-テトラヒドロピラニルオキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/p-メチルスチレン)、ポリ(p-tert-ブトキシカルボニルメトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/メタクリル酸 tert-ブチル)、ポリ(p-tert-ブトキシカルボニルメトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/アクリル酸 1-メチルシクロヘキシル)、ポリ(p-tert-ブトキシカルボニルメトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/アクリル酸 2-メチル-2-アダマンチル)、ポリ(p-tert-ブトキシカルボニルメトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/アクリル酸 1-アダマンチル)、ポリ(p-tert-ブトキシカルボニルメトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/スチレン)、ポリ(p-tert-ブトキシカルボニルメトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/p-メチルスチレン)等が挙げられる。
【0189】
一般式[39]で示される溶解阻害性樹脂の具体例としては、例えばポリ(p-1-エトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/p-tert-ブトキシスチレン)、ポリ(p-1-エトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/p-tert-ブトキシカルボニルオキシスチレン)、ポリ(p-1-エトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/p-テトラヒドロピラニルオキシスチレン)、ポリ(p-1-エトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/p-トリメチルシリルオキシスチレン)、ポリ(p-1-エトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/アクリル酸 tert-ブチル)、ポリ(p-1-エトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/p-tert-ブトキシカルボニルメトキシスチレン)、ポリ(p-1-シクロヘキシルオキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/p-tert-ブトキシスチレン)、ポリ(p-1-シクロヘキシルオキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/p-tert-ブトキシカルボニルオキシスチレン)、ポリ(p-1-シクロヘキシルオキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/p-テトラヒドロピラニルオキシスチレン)、ポリ(p-1-シクロヘキシルオキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/p-トリメチルシリルオキシスチレン)、ポリ(p-1-シクロヘキシルオキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/p-tert-ブトキシカルボニルメトキシスチレン)、ポリ(p-1-メトキシ-1-エトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/p-tert-ブトキシスチレン)、ポリ(p-1-メトキシ-1-エトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/p-tert-ブトキシカルボニルオキシスチレン)、ポリ(p-1-メトキシ-1-エトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/p-テトラヒドロピラニルオキシスチレン)、ポリ(p-1-メトキシ-1-エトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/p-トリメチルシリルオキシスチレン)、ポリ(p-1-メトキシ-1-エトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/p-tert-ブトキシカルボニルメトキシスチレン)、ポリ(p-1-メトキシ-1-エトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/p-イソプロポキシスチレン)、ポリ(p-1-メトキシ-1-エトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/p-ピバロイルオキシスチレン)等が挙げられる。
【0190】
一般式[40]で示される溶解阻害性樹脂の具体例としては、例えばポリ(5-ノルボルネン-2-カルボン酸tert-ブチル/無水マレイン酸/アクリル酸シクロヘキシル)、ポリ(1,2,3,4,4a,5,8,8a-オクタヒドロ-1,4:5,8-ジメタノナフタレン-2-カルボン酸tert-ブチル/無水マレイン酸)、ポリ(1,2,3,4,4a,5,8,8a-オクタヒドロ-1,4:5,8-ジメタノナフタレン-2-カルボン酸tert-ブチル/無水マレイン酸/アクリル酸メチル)、ポリ(1,2,3,4,4a,5,8,8a-オクタヒドロ-1,4:5,8-ジメタノナフタレン-2-カルボン酸tert-ブチル/無水マレイン酸/5-ノルボルネン-2-カルボニトリル)、ポリ(1,2,3,4,4a,5,8,8a-オクタヒドロ-1,4:5,8-ジメタノナフタレン-2-カルボン酸tert-ブチル/無水マレイン酸/5-ノルボルネン-2-カルボン酸メチル)等が挙げられる。
【0191】
酸の存在下で化学変化してアルカリ可溶性となる溶解阻害性樹脂の重量平均分子量は(Mw)は、通常3,000〜50,000、好ましくは5,000〜25,000であり、分散度(Mw/Mn)は、通常1.0〜3.0、好ましくは1.0〜2.0である。
【0192】
酸の存在下で化学変化してアルカリ可溶性となる溶解阻害性化合物としては、例えば2,2'-ビス(4-tert-ブトキシフェニル)プロパン、2,2'-ビス(4-tert-ブトキシカルボニルオキシフェニル)プロパン、2,2'-ビス(4-テトラヒドロピラニルオキシフェニル)プロパン、2,2'-ビス[4-(1-エトキシエトキシ)フェニル]プロパン、2,2'-ビス(4-tert-ブトキシカルボニルメトキシフェニル)プロパン、4,4',4''-トリス(4-tert-ブトキシフェニル)メタン、4,4',4''-トリス(4-tert-ブトキシカルボニルオキシフェニル)メタン、4,4',4''-トリス(4-テトラヒドロピラニルオキシフェニル)メタン、4,4',4''-トリス[4-(1-エトキシエトキシ)フェニル]メタン、4,4',4''-トリス(4-tert-ブトキシカルボニルメトキシフェニル)メタン、α,α,α'-トリス(4-tert-ブトキシフェニル)-1-エチル-4-イソプロピルベンゼン、α,α,α'-トリス(4-tert-ブトキシカルボニルオキシフェニル)-1-エチル-4-イソプロピルベンゼン、α,α,α'-トリス(4-テトラヒドロピラニルオキシフェニル)-1-エチル-4-イソプロピルベンゼン、α,α,α'-トリス[4-(1-エトキシエトキシ)フェニル]-1-エチル-4-イソプロピルベンゼン、α,α,α'-トリス(4-tert-ブトキシカルボニルメトキシフェニル)-1-エチル-4-イソプロピルベンゼン、1,1,1-トリス(4-tert-ブトキシフェニル)エタン、1,1,1-トリス(4-tert-ブトキシカルボニルオキシフェニル)エタン、1,1,1-トリス(4-テトラヒドロピラニルオキシフェニル)エタン、1,1,1-トリス[4-(1-エトキシエトキシ)フェニル]エタン、1,1,1-トリス(4-tert-ブトキシカルボニルメトキシフェニル)エタン、1,1,1-トリス(4-トリメチルシリルオキシフェニル)エタン、3,4-ジヒドロ-4-[2,4-ジ-(4-tert-ブトキシフェニル)]-7-(4-tert-ブトキシフェニル)-2,2,4-トリメチル-2H-ベンゾ-1-ピラン、3,4-ジヒドロ-4-[2,4-ジ-(4-tert-ブトキシカルボニルオキシフェニル)]-7-(4-tert-ブトキシカルボニルオキシフェニル)-2,2,4-トリメチル-2H-ベンゾ-1-ピラン、3,4-ジヒドロ-4-[2,4-ジ-(4-テトラヒドロピラニルオキシフェニル)]-7-(4-テトラヒドロピラニルオキシフェニル)-2,2,4-トリメチル-2H-ベンゾ-1-ピラン、3,4-ジヒドロ-4-[2,4-ジ-[4-(1-エトキシエトキシ)フェニル]]-7-[4-(1-エトキシエトキシ)フェニル]-2,2,4-トリメチル-2H-ベンゾ-1-ピラン、3,4-ジヒドロ-4-[2,4-ジ-(4-tert-ブトキシカルボニルメトキシフェニル)]-7-(4-tert-ブトキシカルボニルメトキシフェニル)-2,2,4-トリメチル-2H-ベンゾ-1-ピラン、3,4-ジヒドロ-4-[2,4-ジ-(4-トリメチルシリルオキシフェニル)]-7-(4-トリメチルシリルオキシフェニル)-2,2,4-トリメチル-2H-ベンゾ-1-ピラン、2,2-ビス(4-tert-ブトキシフェニル)ペンタン酸tert-ブチル、2,2-ビス(4-tert-ブトキシカルボニルオキシフェニル)ペンタン酸tert-ブチル、2,2-ビス(4-テトラヒドロピラニルオキシフェニル)ペンタン酸tert-ブチル、2,2-ビス[4-(1-エトキシエトキシ)フェニル]ペンタン酸tert-ブチル、2,2-ビス(4-tert-ブトキシカルボニルメトキシフェニル)ペンタン酸tert-ブチル等が挙げられる。これらは単独で用いても、2種以上適宜組合せて用いてもよい。
【0193】
これらの化合物の使用量は、ベースポリマーに対して通常0.1〜30重量%、好ましくは0.5〜20重量%である。
【0194】
酸の存在下加熱により化学変化して樹脂をアルカリ難溶性とする架橋性化合物としては、例えば2,4,6-トリス(メトキシメチル)アミノ-1,3,5-s-トリアジン、2,4,6-トリス(エトキシメチル)アミノ-1,3,5-s-トリアジン、テトラメトキシメチルグリコール尿素、テトラメトキシメチル尿素、1,3,5-トリス(メトキシメトキシ)ベンゼン、1,3,5-トリス(イソプロポキシメトキシ)ベンゼン、α,α,α'-トリス(イソプロポキシメトキシフェニル)-1-エチル-4-イソプロピルベンゼン、α,α,α'-トリス(メトキシメトキシフェニル)-1-エチル-4-イソプロピルベンゼン、CY-179(チバガイギー(株)商品名)等が挙げられる。これらは単独で用いても、2種以上適宜組合せて用いてもよい。
【0195】
これら架橋性化合物の使用量は、ベースポリマーに対して通常5〜50重量%、好ましくは10〜35重量%である。
【0196】
一般式[1]で示されるビスイミド化合物は、酸発生剤として当該化合物1種以上で使用するほか、既存の例えば各種ジアゾジスルホン化合物、各種スルホニウム塩、各種ヨードニウム塩、各種ピロガロールトリスルホネート化合物等の酸発生剤1種以上と併用してもよい。
【0197】
化学増幅型レジスト組成物は上記固形成分(樹脂、一般式[1]で示されるビスイミド化合物、溶解阻害剤及び架橋剤)の他に溶剤、塩基化合物が使用され、必要に応じて界面活性剤、紫外線吸収剤、有機カルボン酸を含む酸性化合物等の添加物が使用される。
【0198】
溶剤の具体例としては、例えばメチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、酢酸 2-エトキシエチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、3-メトキシプロビオン酸メチル、3-メトキシプロビオン酸エチル、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、2-ヘプタノン、β-プロピオラクトン、β-ブチロラクトン、γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、δ-バレロラクトン、1,4-ジオキサン、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、N-メチル-2-ピロリドン等が挙げられる。これらは単独で用いても、2種以上適宜組み合わせて用いてもよい。
【0199】
これら溶剤の使用量は、如何なるレジストに於いても全固形分の重量に対して通常3〜25倍重量、好ましくは3〜20倍重量である。
【0200】
塩基性化合物は感度調整等の目的で使用されるが、具体的には、例えばピリジン、ピコリン、トリエチルアミン、トリ n−ブチルアミン、トリ n−オクチルアミン、ジオクチルメチルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、N-メチルピロリジン、N-メチルピペリジン、4-N,N-ジメチルアミノピリジン、トリエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジメチルドデシルアミン、ジメチルヘキサデシルアミン、トリベンジルアミン、トリス[2-(2-メトキシエトキシ)エチル]アミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ-n−ブチルアンモニウムヒドロキシド、ポリビニルピリジン、ポリ(ビニルピリジン/メタクリル酸メチル)等が挙げられる。これらは単独で用いても、2種以上適宜組み合わせて用いてもよい。
【0201】
必要に応じて使用される界面活性剤の具体例としては、例えばフロラード(住友スリーエム(株)商品名)、サーフロン(旭硝子(株)商品名)、ユニダイン(ダイキン工業(株)商品名)、メガファック(大日本インキ(株)商品名)、エフトップ(トーケムプロダクツ(株)商品名)等のフッ素含有ノニオン系界面活性剤、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリオキシエチレンセチルエーテル等が挙げられる。これらは単独で用いても、2種以上を適宜組合せて用いてもよい。
【0202】
必要に応じて使用される紫外線吸収剤としては、例えば9-ジアゾフルオレノン、9-(2-メトキシエトキシメチル)アントラセン、9-(2-エトキシエトキシメチル)アントラセン、9-フルオレノン、2-ヒドロキシカルバゾール、o-ナフトキノンジアジド誘導体、4-ジアゾ-1,7-ジフェニルペンタン-3,5-ジオン等が挙げられる。これらは単独で用いても、2種以上を適宜組合せて用いてもよい。
【0203】
必要に応じて使用される有機カルボン酸を含む酸性化合物としては、例えばサリチル酸、m-ヒドロキシ安息香酸、p-ヒドロキシ安息香酸、o-アセチル安息香酸、ジフェノール酸、フタル酸、コハク酸、マロン酸、サリチルアルデヒド、コハク酸イミド、フタル酸イミド、サッカリン、アスコルビン酸等が挙げられる。これらは単独で用いても、2種以上を適宜組合せて用いてもよい。
【0204】
塩基性化合物、必要に応じて使用される界面活性剤、紫外線吸収剤及び有機カルボン酸を含む酸性化合物の使用量は、何れのレジスト組成物に於いてもベースポリマーに対して、夫々通常0.000001〜1重量%、好ましくは0.00001〜1重量%である。
【0205】
一般式[1]で示されるビスイミド化合物を酸発生剤として含有する化学増幅型レジスト組成物を用いてパターン形成を行うには、例えば以下の如く行えばよい。
【0206】
即ち、本発明に係るレジスト組成物を、回転塗布等によってシリコンウエハー等の半導体基板上に塗布した後、ホットプレート上で70〜150℃、60〜120秒間加熱処理(プレベーク)して膜厚0.1〜1.0μmのレジスト膜を形成する。次いで、目的のパターンを形成させるため該レジスト膜に放射線を照射する。照射後、ホットプレート上で70〜150℃、60〜120秒間加熱処理(PEB)を行った後、アルカリ現像液を用いて30〜120秒間、例えばスプレー法、パドル法、ディップ法等により現像、水洗して所定のレジストパターンを形成させる。
【0207】
アルカリ現像液としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア等の無機アルカリ類、例えばトリエタノールアミン、コリン、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド等の有機アルカリ類のアルカリ性化合物1種以上を、通常0.01〜20重量%、好ましくは1〜5%の濃度となるように水に溶解したものが挙げられ、中でも、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドの水溶液が好ましい。
【0208】
また、当該アルカリ性水溶液からなる現像液には、例えば、メタノール、エタノール等の水溶性有機溶剤や界面活性剤等を適宜添加してもよい。
【0209】
本発明の化合物である一般式[4]で示されるビスイミドスルホネート化合物及び一般式[26]で示されるビスフタルイミドスルホネート化合物を酸発生剤として含有する化学増幅型レジスト組成物は、放射線照射部位では下記[式1]及び[式2]に従って酸が発生する。
【0210】
(式中、R2及びA3は前記に同じ。)
【0211】
(式中、R4及びA2は前記に同じ。)
ポジ型レジスト組成物を用いた場合は、例えば発生した酸の存在下、必要に応じて加熱することにより、下記[式3]の如き化学変化が生じて露光部分がアルカリ現像液に可溶となり、ポジ型のレジストパターンが形成される。(酸不安定基の脱離反応)
【0212】
また、ネガ型レジスト組成物を用いた場合は、例えば発生した酸の存在下、加熱することにより、下記[式4]の如き化学変化が生じてアルカリ現像液に難溶性となり、ネガ型のレジストパターンが形成される。(樹脂の架橋反応)
【0213】
本発明に係る一般式[1]で示されるビスイミド化合物は、レジスト溶媒への溶解性が高いため、これを化学増幅型レジスト組成物の酸発生剤として使用すれば、既存のスルホニウム塩等の酸発生剤が有していた、例えば溶媒溶解性が低いため微粒子を発生しやすい等の問題を生じさせることなく、酸発生を均質且つ高感度化できる。
【0214】
また、例えばi線(365nm)、KrFエキシマレーザ(248nm)、ArFエキシマレーザ(193nm)、F2レーザ(157nm)、EUV(1〜30nm帯)、電子線、X線等の各種放射線に感応して容易に酸を発生するため、本発明に係るビスイミド化合物を含む化学増幅型レジスト組成物は高感度、高解像性能及び良好なパターン形状が得られる。
【0215】
更に、本発明のビスイミド化合物は、上記レジスト組成物のほか、感光性ポリイミド樹脂を使用したi線用化学増幅型レジスト組成物として有用である。
【0216】
更にまた、本発明の一般式[25]で示されるビス(N-ヒドロキシ)フタルイミド化合物は、本発明の一般式[26]で示されるビスフタルイミドスルホネート化合物合成中間体として有用であるほか、例えばポリイミド樹脂用の架橋剤等の耐熱性高分子合成用原料、例えば感光性化合物の合成中間体等の機能性有機材料、ペプチド合成等の生化学分野での機能性材料等としても有用である。
【0217】
以下に実施例、参考例及び比較例を挙げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらにより限定されるものではない
【実施例】
【0218】
参考例1 テトラヒドロ-2,5-ジヒドロキシシクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロンの合成
例えば特開昭59-212495号公報等記載の方法に従って無水マレイン酸から光反応で得られたシクロブタン-1,2,3,4-テトラカルボン酸ジ無水物 19.6g(0.10モル)を塩酸ヒドロキシルアミン 15.3g(0.22モル)のピリジン 210ml溶液中に室温で添加した後、90℃で15分間攪拌反応させた。反応終了後、得られた反応液を減圧濃縮し、得られた残渣に6%酢酸水溶液 210mlを注入し、析出した粗晶物を濾過、水洗、減圧乾燥してテトラヒドロ-2,5-ジヒドロキシシクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン 17.0gを無色粉末晶として得た。
1HNMR(DMSO-d6) δppm:3.38〜3.40(4H, d, CH×4), 11.09(2H, s, OH×2)
【0219】
参考例2 3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ジヒドロキシ-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロンの合成
参考例1でシクロブタン-1,2,3,4-テトラカルボン酸ジ無水物の代わりにビシクロ[2,2,2]オクト-7-エン-2,3,5,6-テトラカルボン酸ジ無水物 24.8g(0.10モル)を用いた以外は参考例1と同様の操作を行い、3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ジヒドロキシ-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン 16.5gを無色粉末晶として得た。
1HNMR(DMSO-d6) δppm:3.31〜3.37(6H, m, CH×6), 6.08〜6.09(2H, d, -CH=×2), 10.76(2H, s, OH×2)
【0220】
参考例3 2,6-ジヒドロキシベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロンの合成
参考例1で用いたシクロブタン-1,2,3,4-テトラカルボン酸ジ無水物の代わりにピロメリット酸無水物 21.8g(0.10モル)を用いた以外は、参考例1と同様の操作を行い、2,6-ジヒドロキシベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン 24.0gを橙色粉末晶として得た。
1HNMR(DMSO-d6) δppm:8.13(2H, s, ピロメリット環水素×2), 11.16(2H, s, OH×2)
【0221】
参考例4 N-10-カンファースルホニルオキシ-5-ノルボルネン-2,3-ジカルボキシイミドの合成
N-ヒドロキシ-5-ノルボルネン-2,3-ジカルボキシイミド 1.25g(0.007モル)及び10-カンファースルホニルクロライド 2.01g(0.008モル)をアセトン 20ml中に懸濁させ、これにトリエチルアミン 0.81g(0.008モル)を室温で滴下し、2時間攪拌反応させた。反応終了後、得られた反応液を水 100ml中に注入、晶析させ、得られた析出晶を濾取、水洗、乾燥して粗結晶を得た。次いで、粗結晶を酢酸エチル/エチルエーテル混合溶媒から再結晶してN-10-カンファースルホニルオキシ-5-ノルボルネン-2,3-ジカルボキシイミド 1.8gを無色プリズム晶として得た。
Mp.:163-165℃
1HNMR(CDCl3) δppm:0.90(3H, s, CH3), 1.11(3H, s, CH3), 1.46〜1.54(2H, m, H-C-H及び有橋脂環水素), 1.77〜1.79(2H, m, H-C-H及び有橋脂環水素), 1.93〜1.98(1H, d, 有橋脂環水素), 2.07〜2.13(2H, m, 有橋脂環水素×2), 2.30〜2.42(2H, m, 有橋脂環水素×2), 3.32(2H, bs, 有橋脂環水素×2), 3.46(2H, bs, 有橋脂環水素×2), 3.54〜3.58(1H, d, H-C-H-SO3-), 3.91〜3.95(1H, d, H-C-H-SO3-), 6.17〜6.20(2H, d, -CH=×2)
【0222】
参考例5 N-ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシ-5-ノルボルネン-2,3-ジカルボキシイミドの合成
N-ヒドロキシ-5-ノルボルネン-2,3-ジカルボキシイミド 0.63g(0.0035モル)及びペンタフルオロベンゼンスルホニルクロライド 1.07g(0.004モル)をアセトン 10ml中に溶解させ、これにトリエチルアミン 0.40g(0.004モル)を室温で滴下し、2時間攪拌反応させた。反応終了後、得られた反応液を水 50ml中に注入、晶析させ、得られた析出晶を濾取、水洗、乾燥して粗結晶を得た。次いで、粗結晶を酢酸エチル/エチルエーテル混合溶媒から再結晶してN-ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシ-5-ノルボルネン-2,3-ジカルボキシイミド 0.8gを無色プリズム晶として得た。
Mp.:153-155℃
1HNMR(CDCl3) δppm:1.49〜1.51(1H, d, H-C-H), 1.78〜1.81(1H, d, H-C-H), 3.29〜3.30(2H, d, 有橋脂環水素×2), 3.45(2H, s, 有橋脂環水素×2), 6.16(2H, s, -CH=×2)
【0223】
参考例6 2,6-ビス(メタンスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロンの合成
参考例3で得た2,6-ジヒドロキシベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン 1.00g(0.004モル)をピリジン 1.5ml及びN,N-ジメチルアセトアミド 10ml中に懸濁し、これにメタンスルホニルクロライド 2.94g(0.012モル)を室温で滴下した後、1時間攪拌反応させた。反応終了後、得られた反応液を水 150ml中に注入、晶析させ、析出晶を濾取、水洗、乾燥して粗結晶を得た。次いで、得られた粗結晶をN,N-ジメチルアセトアミドから再結晶して2,6-ビス(メタンスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン 1.1gを無色粉末晶として得た。
Mp.:300℃以上
1HNMR(DMSO-d6) δppm:8.47(2H, s, ピロメリット環水素×2)
【0224】
参考例7 3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(n−ブタンスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロンの合成
参考例2で得た3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ジヒドロキシ-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン 1.11g(0.004モル)をピリジン 1.5ml及びN,N-ジメチルアセトアミド 10ml中に溶解し、これにn−ブタンスルホニルクロライド 2.94g(0.012モル)を室温で滴下した後、1時間攪拌反応させた。反応終了後、得られた反応液を水 150ml中に注入、晶析させ、析出晶を濾取、水洗、乾燥して粗結晶を得た。次いで、得られた粗晶を酢酸エチルから再結晶して3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(n−ブタンスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン 1.1gを無色鱗片状晶として得た。
Mp.:239-241℃
1HNMR(DMSO-d6) δppm:0.88〜0.92(6H, t, CH3×2), 1.38〜1.44(4H, q, CH2×2), 1.79〜1.83(4H, m, CH2×2), 3.43(6H, s, CH×6), 3.61〜3.65(4H, m, CH2×2), 6.18(2H, s, -CH=×2)
【0225】
実施例1 テトラヒドロ-2,5-ビス(3-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロンの合成
参考例1で得たテトラヒドロ-2,5-ジヒドロキシシクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン 0.90g(0.004モル)をピリジン 1.5ml及びN,N-ジメチルアセトアミド 10ml中に懸濁し、これに3-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルクロライド 2.94g(0.012モル)を室温で滴下した後、1時間攪拌反応させた。反応終了後、得られた反応液を水 150ml中に注入、晶析させ、析出晶を濾取、水洗、乾燥して粗結晶を得た。次いで、得られた粗結晶を塩化メチレン/アセトン混合溶媒から再結晶してテトラヒドロ-2,5-ビス(3-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン 1.5gを無色プリズム晶として得た。(収率:58.4%)
Mp.:245-247℃
1HNMR(DMSO-d6) δppm:3.58(4H, s, CH×4), 7.92〜8.01(2H, t, 芳香環水素×2), 8.31〜8.34(2H, d, 芳香環水素×2), 8.39〜8.43(4H, t, 芳香環水素×4)
IR(KBr-Disk) νcm-1:3076, 3017, 1765(C=O), 1327(SO2O), 1196(SO2O)
MS(m/z):641(M+)
【0226】
実施例2〜5 一般式[10]で示される化合物(四価の脂環式炭化水素基がシクロブタン環由来のもの)の合成
実施例1で用いた3-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルクロライドの代わりに各種スルホニルクロライドを用いた以外は実施例1と同様の操作を行い、目的とするビスイミドスルホネート化合物を得た。その結果を表1に示す。
【0227】
【表1】
※MeCN:アセトニトリル、DMAc:N,N-ジメチルアセトアミド、EtOAc:酢酸エチル
【0228】
実施例6 3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(3-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロンの合成
参考例2で得た3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ジヒドロキシ-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン 1.11g(0.004モル)をピリジン 1.5ml及びN,N-ジメチルアセトアミド 10ml中に溶解し、これに3-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルクロライド 2.94g(0.012モル)を室温で滴下した後、室温で1時間攪拌反応させた。反応終了後、得られた反応液を水 150ml中に注入、晶析させ、析出晶を濾取、水洗、乾燥して粗結晶を得た。次いで、得られた粗結晶を酢酸エチル/メタノール混合溶媒から再結晶して3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(3-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン 1.8gを無色鱗片状晶として得た。(収率:64.8%)
Mp.:226℃
1HNMR(DMSO-d6) δppm:3.25〜3.29(2H, d, CH×2), 3.31〜3.36(4H, m, CH×4), 6.17〜6.19(2H, t, -CH=×2), 7.98〜8.02(2H, t, 芳香環水素×2), 8.23(2H, s, 芳香環水素×2), 8.31〜8.33(4H, d, 芳香環水素×4)
IR(KBr-Disk) νcm-1:3088, 2951, 1750(C=O), 1327(SO2O), 1200(SO2O)
MS(m/z):694(M+)
【0229】
実施例7〜9 一般式[11]の化合物の合成
実施例6で用いた3-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルクロライドの代わりに各種スルホニルクロライドを用いた以外は実施例6と同様の操作を行い、目的とするビスイミドスルホネート化合物を得た。その結果を表2に示す。
【0230】
【表2】
※DMAc:N,N-ジメチルアセトアミド、Me2CO:アセトン、Et2O:エチルエーテル、MeCN:アセトニトリル、EtOAc:酢酸エチル
【0231】
実施例10 2,6-ビス(3-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロンの合成
参考例3で得た2,6-ジヒドロキシベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン 1.00g(0.004モル)をピリジン 1.5ml及びN,N-ジメチルアセトアミド 10ml中に懸濁し、これに3-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルクロライド 2.94g(0.012モル)を室温で滴下した後、室温で1時間攪拌反応させた。反応終了後、得られた反応液を水 150ml中に注入し、析出した油状物を塩化メチレン 20mlで3回抽出し、有機層を水洗(50ml×4)した後、減圧濃縮した。次いで、残渣の粗結晶を塩化メチレン/アセトン混合溶媒から再結晶して2,6-ビス(3-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン 1.7gを微黄色鱗片状晶として得た。(収率:64.0%)
Mp.:226-228℃
1HNMR(DMSO-d6) δppm:7.96〜8.00(2H, t, 芳香環水素×2), 8.32〜8.34(2H, d, 芳香環水素×2), 8.37(2H, s, ピロメリット環水素×2), 8.41〜8.45(4H, t, 芳香環水素×4)
IR(KBr-Disk) νcm-1:3100, 3036, 1798(C=O), 1759(C=O), 1392(SO2O), 1194(SO2O)
MS(m/z):664(M+)
【0232】
実施例11〜21 一般式[12]の化合物の合成
実施例10で用いた3-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルクロライドの代わりに各種スルホニルクロライドを用いた以外は実施例10と同様の操作を行い、目的とするビスイミドスルホネート化合物を得た。その結果を表3〜5に示す。
【0233】
【表3】
※MeCN:アセトニトリル、Me2CO:アセトン、DMAc:N,N-ジメチルアセトアミド
【0234】
【表4】
※DMAc:N,N-ジメチルアセトアミド、MeOH:メタノール、MeCN:アセトニトリル
【0235】
【表5】
※Et2O:ジエチルエーテル、MeCN:アセトニトリル、DMAc:N,N-ジメチルアセトアミド
【0236】
実施例22 2,6-ビス(ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロンの合成
参考例3で得た2,6-ジヒドロキシベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン 1.00g(0.004モル)、ペンタフルオロベンゼンスルホニルクロライド 2.67g(0.01モル)をアセトン 20mlに溶解し、これにトリエチルアミン 1.01g(0.01モル)を室温で滴下し、2時間攪拌反応させた。反応終了後、得られた反応液を水 150ml中に注入し、析出した油状物をクロロホルム 50mlで4回抽出し、有機層を水洗(50ml×4した後、減圧濃縮した。次いで、残渣の粗結晶を塩化メチレン/酢酸エチル混合溶媒から再結晶して2,6-ビス(ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン 1.8gを微黄色プリズム晶として得た。(収率:63.5%)
Mp.:299℃
1HNMR(DMSO-d6) δppm:8.44(2H, s, ピロメリット環水素×2)
IR(KBr-Disk) νcm-1:3108, 3042, 1784(C=O), 1289(SO2O), 1120(SO2O)
MS(m/z):708(M+)
【0237】
実施例23 2,6-ビス(3,5-ジ-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロンの合成
実施例22で用いたペンタフルオロベンゼンスルホニルクロライドの代わりに3,5-ジ-トリフルオロメチルフェニルスルホニルクロライドを用いた以外は実施例22と同様の反応を行い、得られた反応液を水 150ml中に注入、晶析させ、析出晶を濾取、水洗、乾燥して粗結晶を得た。次いで、得られた粗結晶をエチルエーテル/アセトニトリル混合溶媒から再結晶して2,6-ビス(3,5-ジ-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン 2.0gを微黄色鱗片状晶として得た。(収率:62.5%)
Mp.:210-212℃
1HNMR(DMSO-d6) δppm:8.31(2H, s, ピロメリット環水素×2), 8.74(6H, s, 芳香環水素×6)
IR(KBr-Disk) νcm-1:3098, 3042, 1802(C=O), 1757(C=O), 1284(SO2O), 1196(SO2O)
MS(m/z):800(M+)
【0238】
実施例24 2,6-ビス(ノナフルオロブタンスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロンの合成
参考例3で得た2,6-ジヒドロキシベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン 1.00g(0.004モル)を2,6-ルチジン 1.5ml及びN,N-ジメチルアセトアミド 10ml中に懸濁し、これにノナフルオロブタンスルホニルフルオライド 3.62g(0.012モル)を室温で滴下した後、30分攪拌反応させた。反応終了後、得られた反応液を水 150ml中に注入、晶析させ、析出晶を濾取、水洗、乾燥して粗結晶を得た。次いで、粗結晶をアセトニトリルから再結晶して2,6-ビス(ノナフルオロブタンスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン 1.1gを微黄色粉末晶として得た。(収率:39.9%)
Mp.:300℃以上
1HNMR(DMSO-d6) δppm:8.12(2H, s, ピロメリット環水素×2)
【0239】
実施例25 2,6-ビス(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロンの合成
参考例3で得た2,6-ジヒドロキシベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン 1.00g(0.004モル)、トリフルオロメタンスルホン酸 1.20g(0.008モル)を塩化メチレン 20ml中に懸濁し、これにジシクロヘキシルカルボジイミド 1.65g(0.008モル)を塩化メチレン 10mlに溶解した液を室温で滴下した後、8時間攪拌反応させた。反応終了後、得られた反応液を濾過した後、濾液を水洗、乾燥し、濃縮して粗結晶 2.3gを得た。次いで、得られた粗晶をメタノールから再結晶して2,6-ビス(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン 0.6gを無色プリズム晶として得た。(収率:29.3%)
Mp.:231-233℃
1HNMR(DMSO-d6) δppm:8.12(2H, s, ピロメリット環水素×2)
【0240】
実施例26 3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロンの合成
参考例2で得た3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ジヒドロキシ-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン 1.11g(0.004モル)、ペンタフルオロベンゼンスルホニルクロライド 2.67g(0.01モル)をアセトン 20ml中に溶解し、これにトリエチルアミン 1.01g(0.01モル)を室温で滴下した後、2時間攪拌反応させた。反応終了後、得られた反応液を水 150ml中に注入して晶析させ、析出晶を濾取、水洗、乾燥して粗結晶を得た。次いで、得られた粗結晶をアセトニトリル/メタノール混合溶媒から再結晶して3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン 1.7gを無色鱗片状晶として得た。(収率:57.6%)
Mp.:300℃以上
1HNMR(DMSO-d6) δppm:3.32〜3.36(6H, m, CH×4), 5.95(2H, bs, -CH=×2)
IR(KBr-Disk) νcm-1:2961,1815(C=O), 1759(C=O), 1313(SO2O), 1109(SO2O)
MS(m/z):736(M+-2H)
【0241】
実施例27
下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。
ポリ(p-ヒドロキシスチレン/スチレン/アクリル酸 tert-ブチル)
[構成比率:7/2/1、重量平均分子量(Mw)=10,000、分散度(Mw/Mn)=1.9] 6.0g
2,6-ビス(3-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン[実施例10の化合物] 0.3g
ジシクロヘキシルメチルアミン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 60.0g
上記のレジスト組成物を使用して以下のようにパターンを形成した。
即ち、レジスト組成物を0.1μmのメンブランフィルターで濾過し、シリコン基板上にスピンコートした後、130℃、90秒ホットプレート上でプレベークし、膜厚 0.3μmのレジスト膜を得た。ついでEB直描機(加速電圧 50keV)でパターンを描画した。次いで、120℃、60秒ホットプレート上でベークした後、2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像を行い、水洗してポジ型のレジストパターンを形成した。得られたレジストパターンは4.0μC/cm2の感度で100nm L&S(0.1μm L&S)のポジ型パターンを解像した。パターン形状もほぼ矩形であった。
【0242】
実施例28
実施例27に於けるEB直描機の代わりにKrFエキシマレーザステッパー(NA 0.55)を用いて露光した以外は実施例27と同様にしてパターン形成を行った。その結果、5mJ/cm2の感度で0.15μm L&Sのポジ型パターンを解像した。パターン形状もほぼ矩形であった。
【0243】
実施例29
下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。
ポリ(p-1-エトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/p-tert-ブトキシスチレン)[構成比率:26/64/10、Mw:10,000、Mw/Mn:1.02] 6.0g
2,6-ビス(3-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン[実施例10の化合物] 0.3g
トリス[2-(2-メトキシエトキシ)エチル]アミン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 60.0g
上記のレジスト組成物を0.1μmのメンブランフィルターで濾過し、シリコン基板上にスピンコートした後、130℃、90秒ホットプレート上でプレベークし、膜厚0.3μmのレジスト膜を得た。次いで、EB直描機(加速電圧 50keV)でパターンを描画した。105℃、60秒ホットプレート上でベークした後、2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像を行い、水洗してポジ型のレジストパターンを形成した。得られたレジストパターンは2.8μC/cm2の感度で100nm L&S(0.1μm L&S) のポジ型パターンを解像した。パターン形状もほぼ矩形であった。
【0244】
実施例30
実施例29に於けるEB直描機の代わりにKrFエキシマレーザステッパーを用いて露光した以外は実施例29と同様にしてパターン形成を行った。その結果、3mJ/cm2の感度で0.15μm L&Sのポジ型パターンを解像した。パターン形状もほぼ矩形であった。
【0245】
実施例31
下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。
ポリ(p-tert-ブトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン)
[構成比率:33/67、Mw:10,000、Mw/Mn:1.02] 6.0g
2,6-ビス(3-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン[実施例10の化合物] 0.3g
ジシクロヘキシルメチルアミン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 60.0g
上記のレジスト組成物を用いて実施例27と同様にしてパターン形成を行った。その結果、3.0μC/cm2の感度で100nm L&S(0.1μm L&S) のポジ型パターンを解像した。パターン形状もほぼ矩形であった。
【0246】
実施例32
実施例31に於けるEB直描機の代わりにKrFエキシマレーザステッパーを用いて露光した以外は実施例27と同様にしてパターン形成を行った。その結果、3mJ/cm2の感度で0.15μm L&Sのポジ型パターンを解像した。パターン形状もほぼ矩形であった。
【0247】
実施例33
下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。
ポリ(p-tert-ブトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン)
[構成比率:1/9、Mw:2,500、Mw/Mn:1.02] 6.0g
2,6-ビス(ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン[実施例22の化合物] 0.3g
2,4,6-トリス(メトキシメチル)アミノ-1,3,5-s-トリアジン 2.0g
ジシクロヘキシルメチルアミン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 58.0g
上記のレジスト組成物を用いて実施例27と同様にしてパターン形成を行った。その結果、7.0μC/cm2の感度で100nm L&S(0.1μm L&S)のネガ型パターンを解像した。パターン形状もほぼ矩形であった。
【0248】
実施例34
下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。
ポリ(p-tert-ブトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン)
[構成比率:2/8、Mw:8,500、Mw/Mn:1.05] 6.0g
2,6-ビス(ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン[実施例22の化合物] 0.3g
4,4',4''-トリス(4-tert-ブトキシカルボニルメトキシフェニル)メタン 1.5g
ジシクロヘキシルメチルアミン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 58.0g
上記のレジスト組成物を用いて実施例27と同様にしてパターン形成を行った。その結果、4.0μC/cm2の感度で100nm L&S(0.1μm L&S)のポジ型パターンを解像した。パターン形状もほぼ矩形であった。
【0249】
実施例35
下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。
ポリ(p-tert-ブトキシカルボニルメトキシスチレン/スチレン/p-ヒドロキシスチレン)[構成比率:25/10/65、Mw:10,000、Mw/Mn:1.85] 6.0g
2,6-ビス(ノナフルオロブタンスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン[実施例24の化合物] 0.3g
ジシクロヘキシルメチルアミン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
乳酸エチル 30.0g
3-エトキシプロピオン酸エチル 30.0g
上記のレジスト組成物を用いて実施例27と同様にしてパターン形成を行った。その結果、4.0μC/cm2の感度で100nm L&S(0.1μm L&S)のポジ型パターンを解像した。パターン形状もほぼ矩形であった。
【0250】
実施例36
下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。
ポリ(p-ヒドロキシスチレン/スチレン/アクリル酸 tert-ブチル)
[構成比率:7/2/1、重量平均分子量(Mw)=10,000、分散度(Mw/Mn)=1.9] 6.0g
2,6-ビス(3,5-ジ-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン[実施例23の化合物] 0.3g
ジシクロヘキシルメチルアミン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 60.0g
上記のレジスト組成物を用いて実施例27と同様にしてパターン形成を行った。その結果、4.0μC/cm2の感度で100nm L&S(0.1μm L&S)のポジ型パターンを解像した。パターン形状もほぼ矩形であった。
【0251】
実施例37
下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。
ポリ(p-tert-ブトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン)
[構成比率:33/67、Mw:10,000、Mw/Mn:1.02] 6.0g
2,6-ビス(10-カンファースルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン[実施例20の化合物] 0.3g
4-N,N-ジメチルアミノピリジン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 60.0g
上記のレジスト組成物を用いて実施例27と同様にしてパターン形成を行った。その結果、5.0μC/cm2の感度で100nm L&S(0.1μm L&S)のポジ型パターンを解像した。パターン形状もほぼ矩形であった。
【0252】
実施例38
下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。
ポリ(p-1-エトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/p-tert-ブトキシスチレン)[構成比率:26/64/10、Mw:10,000、Mw/Mn:1.02] 6.0g
テトラヒドロ-2,5-ビス(10-カンファースルホニルオキシ)シクロブタ[1,2-c:3,4-c']ジピロール-1,3,4,6(2H,5H)-テトロン[実施例5の化合物] 0.3g
トリオクチルアミン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 60.0g
上記のレジスト組成物を用いて実施例30と同様にしてパターン形成を行った。その結果、4mJ/cm2の感度で0.15μm L&Sのポジ型パターンを解像した。パターン形状もほぼ矩形であった。
【0253】
実施例39
下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。
ポリ(p-tert-ブトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン)
[構成比率:33/67、Mw:10,000、Mw/Mn:1.02] 6.0g
3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(3-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン
[実施例6の化合物] 0.3g
ジシクロヘキシルメチルアミン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
乳酸エチル 60.0g
上記のレジスト組成物を用いて実施例27と同様にしてパターン形成を行った。その結果、4.0μC/cm2の感度で100nm L&S(0.1μm L&S)のポジ型パターンを解像した。パターン形状もほぼ矩形であった。
【0254】
実施例40
下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。
ポリ(p-tert-ブトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン)
[構成比率:33/67、Mw:10,000、Mw/Mn:1.02] 6.0g
3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(10-カンファースルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン
[実施例9の化合物] 0.3g
ジシクロヘキシルメチルアミン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 30.0g
3-エトキシプロピオン酸エチル 30.0g
上記のレジスト組成物を用いて実施例28と同様にしてパターン形成を行った。その結果、5mJ/cm2の感度で0.15μm L&Sのポジ型パターンを解像した。パターン形状もほぼ矩形であった。
【0255】
実施例41
下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。
ポリ(p-tert-ブトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン)
[構成比率:33/67、Mw:10,000、Mw/Mn:1.02] 6.0g
3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン
[実施例26の化合物] 0.3g
ジシクロヘキシルメチルアミン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 60.0g
上記のレジスト組成物を用いて実施例27と同様にしてパターン形成を行った。その結果、4.0μC/cm2の感度で100nm L&S(0.1μm L&S)のポジ型パターンを解像した。パターン形状もほぼ矩形であった。
【0256】
比較例1
下記の組成から成るレジスト組成物の調製を行った。
ポリ(p-ヒドロキシスチレン/スチレン/アクリル酸 tert-ブチル)
[構成比率:7/2/1、重量平均分子量(Mw)=10,000、分散度(Mw/Mn)=1.9] 6.0g
2,6-ビス(メタンスルホニルオキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン[参考例6の化合物] 0.3g
ジシクロヘキシルメチルアミン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 60.0g
上記組成の調製を行ったところ酸発生剤が全く溶解せず、レジスト組成物は調製出来なかった。
【0257】
比較例2
下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。
ポリ(p-tert-ブトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン)
[構成比率:33/67、Mw:10,000、Mw/Mn:1.02] 6.0g
N-10-カンファースルホニルオキシ-5-ノルボルネン-2,3-ジカルボキシイミド
[参考例4の化合物] 0.3g
ジシクロヘキシルメチルアミン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 60.0g
上記のレジスト組成物を用いて実施例28と同様にしてパターン形成を行った。その結果、10mJ/cm2の感度で0.18μm L&Sのポジ型パターンを解像したが0.15μm L&Sは解像できなかった。また、パターン形状はテーパーで不良であった。
【0258】
比較例3
下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。
ポリ(p-tert-ブトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン)
[構成比率:33/67、Mw:10,000、Mw/Mn:1.02] 6.0g
N-ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシ-5-ノルボルネン-2,3-ジカルボキシイミド
[参考例5の化合物] 0.3g
ジシクロヘキシルメチルアミン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 60.0g
上記のレジスト組成物を用いて実施例27と同様にしてパターン形成を行った。その結果、8.0μC/cm2の感度で110nm L&S(0.11μm L&S)のポジ型パターンを解像したが100nm L&Sは解像できなかった。また、パターン形状は逆テーパーで不良であった。
【0259】
比較例4
下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。
ポリ(p-tert-ブトキシカルボニルメトキシスチレン/スチレン/p-ヒドロキシスチレン)[構成比率:25/10/65、Mw:10,000、Mw/Mn:1.85] 6.0g
3a,4,4a,7a,8,8a-ヘキサヒドロ-2,6-ビス(n−ブタンスルホニルオキシ)-4,8-エテノベンゾ[1,2-c:4,5-c']ジピロール-1,3,5,7(2H,6H)-テトロン[参考例7の化合物] 0.3g
ジシクロヘキシルメチルアミン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 60.0g
上記のレジスト組成物を用いて実施例27と同様にしてパターン形成を行った。その結果、10μC/cm2の感度で120nm L&S(0.12μm L&S)のポジ型パターンを解像したが100nm L&Sは解像できなかった。また、パターン形状はテーパーで不良であった。
【0260】
比較例5
下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。
ポリ(p-ヒドロキシスチレン/スチレン/アクリル酸 tert-ブチル)
[構成比率:7/2/1、重量平均分子量(Mw)=10,000、分散度(Mw/Mn)=1.9] 6.0g
N-10-カンファースルホニルオキシ-5-ノルボルネン-2,3-ジカルボキシイミド
[参考例5の化合物] 0.3g
ジシクロヘキシルメチルアミン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 60.0g
上記のレジスト組成物を用いて実施例27と同様にしてパターン形成を行った。その結果、12μC/cm2の感度で120nm L&S(0.12μm L&S)のポジ型パターンを解像したが100nm L&Sは解像できなかった。また、パターン形状はテーパーで不良であった。
【0261】
各実施例の結果から明らかなように、本発明の化合物のうち一般式[4]で示されるビスイミドスルホネート化合物は化学増幅型レジスト組成物の酸発生剤として極めて有効である。それに対して、一般式[4]で示される化合物に極めて類似した既存の化合物は、比較例1の結果から溶解性が不良のためレジスト調製ができない、或いは、比較例4と、実施例35との対比から低感度、低解像性能及び形状不良であるため使用困難であることが分かった。
【0262】
更に、一般式[4]で示される化合物に類似した既存の化合物は実施例27〜32、実施例35〜41と比較例2、比較例3及び比較例5との対比から低感度、低解像性能及び形状不良であることが確認された。
【0263】
実施例42 5,5'-オキシビス[2-ヒドロキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]の合成
4,4'-オキシジフタル酸無水物 24.1g(0.078モル)を塩酸ヒドロキシルアミン 11.9g(0.17モル)のピリジン 150ml溶液中に室温で添加した後、90℃で15分間攪拌反応させた。反応終了後、得られた反応液を減圧濃縮し、残渣に6%酢酸水溶液 150mlを注入し、析出結晶を濾過、水洗後、エタノールから再結晶して目的物 24.6gを微黄色粉末晶として得た。
Mp.:286-287℃
1HNMR(DMSO-d6) δppm:7.49〜7.51(4H, m, フタルイミド環水素×4),7.88〜7.90(2H, d, フタルイミド環水素×2),10.85(2H, s, OH×2)
IR(KBr-Disk)νcm-1:3175, 1786(C=O), 1716(C=O)
【0264】
実施例43 5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-ヒドロキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]の合成
4,4'-(ヘキサフルオロイソプロピリデン)ジフタル酸無水物 20.0g(0.045モル)及び塩酸ヒドロキシルアミン 6.9g(0.099モル)を用いて実施例42と同様の反応、処理を行った。得られた析出油状物を分取し酢酸エチルから結晶化させた。得られた析出結晶を濾過、水洗後、減圧乾燥し、目的物 19.8gを橙黄色粉末晶として得た。
Mp.:102〜110℃
1HNMR(DMSO-d6) δppm:7.62(2H, s, フタルイミド環水素×2),7.82〜7.84(2H, d, フタルイミド環水素×2),7.97〜7.99(2H, d, フタルイミド環水素×2),11.01(2H, s, OH×2)
IR(KBr-Disk)νcm-1:3275, 1792(C=O), 1717(C=O)
【0265】
実施例44 5,5'-ビス[2-ヒドロキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]の合成
4,4'-ビフタル酸無水物 25.0g(0.085モル)及び塩酸ヒドロキシルアミン 13.0g(0.187モル)を用いて実施例42と同様の反応、処理を行い、目的物 27.4gを黄色粉末晶として得た。
Mp.:300℃以上
1HNMR(DMSO-d6) δppm:7.93〜7.95(2H, d, フタルイミド環水素×2),8.23(2H, s, フタルイミド環水素×2),8.23〜8.26(2H, d, フタルイミド環水素×2),10.89(2H, s, OH×2)
IR(KBr-Disk)νcm-1:3212, 1782(C=O), 1725(C=O)
【0266】
実施例45 5,5'-オキシビス[2-(3-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]の合成
実施例42で得られた5,5'-オキシビス[2-ヒドロキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン] 1.36g(0.004モル)をピリジン 1.5ml及びN,N-ジメチルアセトアミド 10mlに溶解し、これに3-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルクロライド 2.94g(0.012モル)を室温下で滴下し、室温で3時間攪拌反応させた。反応終了後、得られた反応液を水 150ml中に注入し晶析させ、得られた析出晶を濾取、水洗し、次いでメタノール洗浄した後、アセトニトリルから再結晶させ目的物 1.9gを微黄色鱗片状晶として得た。
Mp.:189-192℃
1HNMR(DMSO-d6) δppm:7.60〜7.62(4H, m, フタルイミド環水素×4),7.98〜8.01(4H, dd, フタルイミド環水素×2及び芳香環水素×2),8.31〜8.33(2H, d, 芳香環水素×2),8.37(2H, s, 芳香環水素×2),8.40〜8.42(2H, d, 芳香環水素×2)
IR(KBr-Disk)νcm-1:3112, 1793(C=O), 1761(C=O), 1329(SO2), 1194(SO2)
【0267】
実施例46 5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(3-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]の合成
実施例43で得られた5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-ヒドロキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン] 1.90g(0.004モル) と3-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルクロライド 2.94g(0.012モル)とを用いて実施例45と同様の反応、後処理を行い、得られた粗晶をn-ヘキサン/エチルエーテルから再結晶させ、目的物 2.54gを微黄色鱗片状晶として得た。
1HNMR(DMSO-d6) δppm:7.66(2H, s, 芳香環水素×2), 7.91〜7.93(2H, d, 芳香環水素×2),7.96〜8.00(2H, t, 芳香環水素×2),8.08〜8.10(2H, d, 芳香環水素×2),8.31〜8.32(2H, d, 芳香環水素×2), 8.40(2H, s, 芳香環水素×2),8.42〜8.45(2H, d, 芳香環水素×2)
【0268】
実施例47 5,5'-ビス[2-(3-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]の合成
実施例44で得られた5,5'-ビス[2-ヒドロキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン] 0.68g(0.002モル)と3-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルクロライド 1.55g(0.006モル)とを用いて実施例45と同様の反応、後処理を行い、得られた粗晶をアセトニトリルから再結晶させ、目的物 0.5gを微黄色粉末晶として得た。
Mp.:235-236℃
1HNMR(DMSO-d6) δppm:7.97〜8.04(4H, m, フタルイミド環水素×2及び芳香環水素×2),8.32〜8.45(10H, m, フタルイミド環水素×4及び芳香環水素×6)
IR(KBr-Disk)νcm-1:3092, 1792(C=O), 1755(C=O), 1329(SO2), 1198(SO2)
【0269】
実施例48 5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(4-トルエンスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]の合成
実施例43で得られた5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-ヒドロキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン] 1.90g(0.004モル) とp-トルエンスルホニルクロライド 2.29g(0.012モル)とを用いて実施例45と同様の反応、後処理を行い、得られた粗晶をメタノールから再結晶させ、目的物 1.25gを微黄色粉末晶として得た。
Mp.:122-131℃
1HNMR(DMSO-d6) δppm:2.50(6H, s, CH3×2),7.52〜7.54(4H, d, 芳香環水素×4),7.70(2H, s, フタルイミド環水素×2),7.93〜7.95(2H, d, フタルイミド環水素×2),7.97(4H, d, 芳香環水素×4),8.07〜8.10(2H, d, フタルイミド環水素×2)
IR(KBr-Disk)νcm-1:3073, 1806(C=O), 1759(C=O), 1400(SO2), 1196(SO2)
【0270】
実施例49 5,5'-オキシビス[2-(10-カンファースルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]の合成
実施例42で得られた5,5'-オキシビス[2-ヒドロキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン] 1.36g(0.004モル)をピリジン 1.5ml及びN,N-ジメチルアセトアミド 10mlに溶解し、これに10-カンファースルホニルクロライド 3.01g (0.012モル)を室温下で滴下し、室温で1時間攪拌反応させた。反応終了後、得られた反応液を水 150ml中に注入し晶析させ、得られた白色油状物を塩化メチレン抽出(50ml×3)し、有機層を水洗(100ml×3)した後減圧濃縮して微黄色粘稠油状物 2.3gを得た。次いで、得られた油状物をカラムクロマト分離[ワコーゲル C-200、溶離液:塩化メチレン/メタノール=16/1(v/v)]した後、n-ヘキサン/酢酸エチルから結晶化させ、目的物 1.2gを無色短針状晶として得た。
Mp.:169-174℃
1HNMR(DMSO-d6) δppm:0.83(6H, s, CH3×2), 1.04(6H, s, CH3×2), 1.46〜1.48(2H, m, 有橋脂環水素×2), 1.68(2H, m, 有橋脂環水素×2), 1.95〜2.00(4H, m, 有橋脂環水素×4), 2.11(2H, t, 有橋脂環水素×2), 2.21〜2.24(2H, m, 有橋脂環水素×2), 2.36〜2.40(2H, m, 有橋脂環水素×2), 3.87〜3.98(4H, q, CH2×2), 7.65〜7.66(2H, d, フタルイミド環水素×2),7.70(2H, s, フタルイミド環水素×2),8.08〜8.10(2H, d, フタルイミド環水素×2)
IR(KBr-Disk)νcm-1:3102, 2969, 1798(C=O), 1750(C=O), 1399(SO2), 1186(SO2)
UV(MeCN)λmax:318nm(ε 5760)
【0271】
実施例50 5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(10-カンファースルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]の合成
実施例43で得られた5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-ヒドロキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン] 1.90g(0.004モル)と10-カンファースルホニルクロライド 3.01g(0.012モル)とを用いて実施例49と同様の反応を行った後、得られた反応液を水 150ml中に注入し晶析させ、得られた結晶を濾取、水洗、乾燥して粗晶3.8gを得た。次いで、粗晶をメタノールから再結晶させ、目的物 0.5gを無色プリズム晶として得た。
Mp.:140-145℃
1HNMR(DMSO-d6) δppm:0.83(6H, s, CH3×2), 1.04(6H, s, CH3×2), 1.46〜1.48(2H, m, 有橋脂環水素×2), 1.67(2H, m, 有橋脂環水素×2), 1.95〜2.00(4H, m, 有橋脂環水素×4), 2.11(2H, t, 有橋脂環水素×2), 2.22〜2.25(2H, m, 有橋脂環水素×2), 2.36〜2.41(2H, m, 有橋脂環水素×2), 3.87〜3.98(4H, q, CH2×2), 7.74(2H, s, フタルイミド環水素×2),7.98〜8.00(2H, d, フタルイミド環水素×2),8.18〜8.20(2H, d, フタルイミド環水素×2)
IR(KBr-Disk)νcm-1:3113, 2969, 1802(C=O), 1757(C=O), 1391(SO2), 1188(SO2)
【0272】
実施例51 5,5'-オキシビス[2-(ペンタフルオロベンゼンスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]の合成
実施例42で得られた5,5'-オキシビス[2-ヒドロキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン] 1.36g(0.004モル)及びペンタフルオロベンゼンスルホニルクロライド 2.67g(0.01モル)をアセトン 25mlに懸濁させ、これにトリエチルアミン 1.01g(0.01モル)を18〜25℃で滴下し、次いで室温下2時間攪拌反応させた。反応液を水 150ml中に注入し、析出した粘稠油状物を塩化メチレン抽出(50ml×3)し、有機層を水洗(100ml×3)した後減圧濃縮して微黄色粗結晶 2.5gを得た。次いで塩化メチレン/アセトニトリルから再結晶させ、目的物 0.8gを微黄色粉末晶として得た。
Mp.:224-229℃
1HNMR(DMSO-d6) δppm:7.61〜7.64(4H, m, フタルイミド環水素×4),8.02〜8.04(2H, d, フタルイミド環水素×2)
IR(KBr-Disk)νcm-1:3108, 1848(C=O), 1765(C=O), 1429(SO2), 1203(SO2)
UV(MeCN)λmax:313nm(ε 7800), 275nm(ε 11910)
MS(m/z):800[M-H]-
【0273】
実施例52 5,5'-ビス[2-n-ブタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]の合成
実施例44で得られた5,5'-ビス[2-ヒドロキシ-1H-イソインドール-1,3 (2H)-ジオン] 1.30g(0.04モル)とn-ブタンスルホニルクロライド 1.88g(0.012モル)とを用いて実施例45と同様の反応、後処理を行い、得られた微黄色粗結晶 5.0gをアセトン/メタノールから再結晶させ、目的物 1.5gを無色鱗片状晶として得た。
Mp.:213-214℃
1HNMR(DMSO-d6) δppm:0.92〜0.95 (6H, t, CH3×2), 1.43〜1.49(4H, q, CH2×2), 1.90〜1.94(4H, m, CH2×2), 3.79〜3.83(4H, m, CH2×2), 8.09〜8.11(2H, d, フタルイミド環水素×2),8.39〜8.41(2H, d, フタルイミド環水素×2),8.46(2H, s, フタルイミド環水素×2)
IR(KBr-Disk)νcm-1:2969, 1790(C=O), 1744(C=O), 1387(SO2), 1173(SO2)
【0274】
実施例53 5,5'-オキシビス[2-(3,5-ジ-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]の合成
実施例42で得られた5,5'-オキシビス[2-ヒドロキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン] 1.36g(0.004モル) と3,5-ジ-トリフルオロメチルフェニルスルホニルクロライド 3.13g(0.01モル)とを用いて実施例45と同様の反応、後処理を行い、微黄色粗結晶 3.1gを得た。次いで、得られた粗晶をイソプロピルエーテル/アセトニトリルから再結晶させ、目的物 1.5gを無色プリズム晶として得た。
Mp.:179-183℃
1HNMR(DMSO-d6) δppm:7.56〜7.61(4H, m, フタルイミド環水素×4),7.99〜8.01(2H, d, フタルイミド環水素×2),8.73(4H, s, 芳香環水素×4), 8.75(2H, s, 芳香環水素×2)
IR(KBr-Disk)νcm-1:3092, 1796(C=O), 1746(C=O), 1410(SO2), 1202(SO2)
【0275】
実施例54 5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(ペンタフルオロベンゼンスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]の合成
実施例43で得られた5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-ヒドロキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン] 1.90g(0.004モル)とペンタフルオロベンゼンスルホニルクロライド 2.67g(0.01モル)とを用いて実施例46と同様の反応、後処理を行い、微黄色粗結晶 3.6gを得た。次いで、得られた粗晶を塩化メチレン/アセトニトリルから再結晶させ、目的物 2.0gを微黄色プリズム晶として得た。
Mp.:227-230℃
1HNMR(DMSO-d6) δppm:7.67(2H, s, フタルイミド環水素×2),7.91〜7.93(2H, d, フタルイミド環水素×2),8.11〜8.13(2H, d, フタルイミド環水素×2)
IR(KBr-Disk)νcm-1:3108, 1811(C=O), 1765(C=O), 1426(SO2), 1200(SO2)
MS(m/z):933[M-H]-
【0276】
実施例55 5,5'-ビス[2-(4-トルエンスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]の合成
上記実施例44で得られた5,5'-ビス[2-ヒドロキシ-1H-イソインドール-1,3 (2H)-ジオン]1.30g(0.04モル)とp-トルエンスルホニルクロライド2.29g(0.012モル)とを用いて実施例45と同様に反応、後処理し得られた微黄色粗結晶4.1gをアセトニトリルから再結晶して5,5'-ビス[2-(4-トルエンスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]1.4gを微黄色短針状晶として得た。
Mp.:287-288℃
1HNMR(DMSO-d6) δppm:2.50(6H, s, CH3×2),7.53〜7.55(4H, d, 芳香環水素×4),7.95〜7.97(4H, d, 芳香環水素×4),8.02〜8.04(2H, d, フタルイド環水素×2),8.34〜8.36(2H, d, フタルイミド環水素×2), 8.39(2H, s, フタルイミド環水素×2)
IR(KBr-Disk)νcm-1:3069, 1790(C=O), 1755(C=O), 1395(SO2), 1196(SO2)
【0277】
実施例56〜65 一般式[13]の化合物の合成
実施例51のペンタフルオロベンゼンスルホニルクロライドを各種スルホニルクロライドに代えて実施例51と同様に反応、後処理し、得られた粗晶を精製して対応するビスイミドスルホネート化合物を得た。結果を表6〜9に示す。
【0278】
【表6】
※MeCN:アセトニトリル
【0279】
【表7】
※MeCN:アセトニトリル、Me2CO:ジメチルケトン、EtOH:エタノール
【0280】
【表8】
※DMAc:N,N-ジメチルアセトアミド、MeCN:アセトニトリル
【0281】
【表9】
※MeCN:アセトニトリル、MeOH:メタノール
【0282】
実施例66 5,5'-オキシビス[2-ノナフルオロブタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]の合成
実施例42で得られた5,5'-オキシビス[2-ヒドロキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン] 1.50g(0.0044モル)をピリジン 2ml及びN,N-ジメチルアセトアミド 10ml中に懸濁させ、0〜5℃でノナフルオロブタンスルホニルフルオライド 3.63g(0.012モル)を滴下し、同温度で1時間次いで室温で3時間攪拌反応させた。反応後、反応液を水 150ml中に注入し、析出晶を濾取、水50mlで2回、メタノール50mlで1回洗浄、減圧乾燥して微黄色粗結晶 2.9gを得た。次いでN,N-ジメチルアセトアミド/アセトニトリルから再結晶して5,5'-オキシビス[2-ノナフルオロブタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン] 1.5gを微黄色粉末晶として得た。
1HNMR(DMSO-d6) δppm:7.53〜7.57(4H, m, フタルイミド環水素×4),7.95〜7.97(2H, d, フタルイミド環水素×2)
IR(KBr-Disk)νcm-1:3088, 1808(C=O), 1754(C=O), 1348(SO2), 1213(SO2)
【0283】
参考例8 5,5'-オキシビス[2-(4-トルエンスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]の合成
実施例42で得られた5,5'-オキシビス[2-ヒドロキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン] 1.36g(0.004モル)とp-トルエンスルホニルクロライド 2.29g(0.012モル)とを用いて実施例45と同様の反応、後処理を行った。得られた粗晶をアセトニトリルから再結晶させ、目的物 0.8gを無色針状晶として得た。
Mp.:250-251℃
1HNMR(DMSO-d6) δppm:2.50(6H, s, CH3×2),7.52〜7.54(4H, d, 芳香環水素×4),7.60〜7.62(4H, m, フタルイミド環水素×4),7.93〜7.95(4H, d, 芳香環水素×4),7.98〜8.00(2H, d, フタルイミド環水素×2)
IR(KBr-Disk)νcm-1:3077, 1790(C=O), 1750(C=O), 1385(SO2), 1196(SO2)
【0284】
参考例9 5,5'-オキシビス[2-トリフルオロメタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]の合成
実施例42で得られた5,5'-オキシビス[2-ヒドロキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン] 1.36g(0.004モル)とトリフルオロメタンスルホニルクロライド 1.69g(0.01モル)とを用いて実施例51と同様の反応、後処理を行った。得られた粗晶 1gをアセトニトリル/エチルエーテル混液から再結晶させ、目的物 0.3gを微黄色粉末晶として得た。
Mp.:300℃以上
1HNMR(DMSO-d6) δppm:7.46〜7.47(2H, bs, フタルイミド環水素×2), 7.51〜7.54(2H, d, フタルイミド環水素×2), 7.89〜7.91(2H, d, フタルイミド環水素×2)
IR(KBr-Disk)νcm-1:3073, 1771(C=O), 1717(C=O), 1364(SO2), 1229(SO2)
【0285】
実施例67
下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。
ポリ(p-ヒドロキシスチレン/スチレン/アクリル酸 tert-ブチル)
[構成比率:7/2/1、重量平均分子量(Mw)=10,000、分散度(Mw/Mn)=1.9] 6.0g
5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(3-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]
[実施例46の化合物] 0.3g
ジシクロヘキシルメチルアミン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 60.0g
上記のレジスト組成物を使用してパターンを形成した。その各工程を図1に示す。
即ち、レジスト組成物を0.1μmのメンブランフィルターで濾過し、シリコン基板1上にスピンコートした後、130℃、90秒ホットプレート上でプレベークし、膜厚 0.3μmのレジスト膜2を得た(図1(a))。ついでEB直描機(加速電圧50keV)でEB描画3を行った(図1(b))。次いで、120℃、60秒ホットプレート上でベーク4した(図1(c))後、2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像を行い、水洗してポジ型のレジストパターン2aを形成した(図1(d))。得られたレジストパターンは4.0μC/cm2の感度で100nmライン・アンド・スペース(0.1μm L&S)のポジ型パターンを解像した。パターン形状も矩形であった。
【0286】
尚、図1に於いて、各数字は夫々以下のものを示す。
1 :シリコン基板
2 :本発明に係るレジスト膜
3 :EB描画
4 :ベーク
2a:パターン
【0287】
実施例68
実施例67に於けるEB直描機の代わりにKrFエキシマレーザステッパー(NA 0.55)を用いて露光した以外は実施例67と同様にしてパターン形成を行った。その結果、5mJ/cm2の感度で0.15μm L&Sのポジ型パターンを解像した。パターン形状もほぼ矩形であった。
【0288】
実施例69
下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。
ポリ(p-1-エトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/p-tert-ブトキシスチレン)[構成比率:26/64/10、Mw:10,000、Mw/Mn:1.02] 6.0g
5,5'-オキシビス[2-(10-カンファースルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン][実施例49の化合物] 0.3g
トリス[2-(2-メトキシエトキシ)エチル]アミン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 60.0g
上記のレジスト組成物を0.1μmのメンブランフィルターで濾過し、シリコン基板上にスピンコートした後、130℃、90秒ホットプレート上でプレベークし、膜厚0.3μmのレジスト膜を得た。次いで、EB直描機(加速電圧50keV)で照射しパターンを転写した。105℃、60秒ホットプレート上でベークした後、2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像を行い、水洗してポジ型のレジストパターンを形成した。得られたレジストパターンは2.8μC/cm2の感度で100nm L&S(0.1μm L&S) のポジ型パターンを解像した。パターン形状もほぼ矩形であった。
【0289】
実施例70
実施例69に於けるEB直描機の代わりにKrFエキシマレーザステッパーを用いて露光した以外は実施例69と同様にしてパターン形成を行った。その結果、3mJ/cm2の感度で0.15μm L&Sのポジ型パターンを解像した。パターン形状もほぼ矩形であった。
【0290】
実施例71
下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。
ポリ(p-tert-ブトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン)
[構成比率:33/67、Mw:10,000、Mw/Mn:1.02] 6.0g
5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(4-トルエンスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン][実施例48の化合物]0.3g
ジシクロヘキシルメチルアミン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 60.0g
上記のレジスト組成物を用いて実施例67と同様にしてパターン形成を行った。その結果、3.0μC/cm2の感度で100nm L&S(0.1μm L&S) のポジ型パターンを解像した。パターン形状もほぼ矩形であった。
【0291】
実施例72
実施例71に於けるEB直描機の代わりにKrFエキシマレーザステッパーを用いて露光した以外は実施例67と同様にしてパターン形成を行った。その結果、3mJ/cm2の感度で0.15μm L&Sのポジ型パターンを解像した。パターン形状もほぼ矩形であった。
【0292】
実施例73
下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。
ポリ(p-tert-ブトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン)
[構成比率:1/9、Mw:2,500、Mw/Mn:1.02] 6.0g
5,5'-オキシビス[2-(ペンタフルオロベンゼンスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン][実施例51の化合物] 0.3g
2,4,6-トリス(メトキシメチル)アミノ-1,3,5-s-トリアジン 2.0g
ジシクロヘキシルメチルアミン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 58.0g
上記のレジスト組成物を使用してパターンを形成した。その各工程を図2に示す。
即ち、レジスト組成物を0.1μmのメンブランフィルターで濾過し、シリコン基板1上にスピンコートした後、130℃、90秒ホットプレート上でプレベークし、膜厚 0.3μmのレジスト膜5を得た(図2(a))。ついでEB直描機(加速電圧50keV)でEB描画6を行った(図2(b))。次いで、130℃、60秒ホットプレート上でベーク7した(図2(c))後、2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像を行い、水洗してネガ型のレジストパターン5aを形成した(図2(d))。得られたレジストパターンは4.5μC/cm2の感度で100nm L&S(0.1μm L&S)のネガ型パターンを解像した。パターン形状も矩形であった。
【0293】
尚、図2に於いて、各数字は夫々以下のものを示す。
1 :シリコン基板
5 :本発明に係るレジスト膜
6 :EB描画
7 :ベーク
5a:パターン
【0294】
実施例74
下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。
ポリ(p-tert-ブトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン)
[構成比率:2/8、Mw:8,500、Mw/Mn:1.05] 6.0g
5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(ペンタフルオロベンゼンスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3 (2H)-ジオン]
[実施例54の化合物] 0.3g
4,4',4''-トリス(4-tert-ブトキシカルボニルメトキシフェニル)メタン 1.5g
ジシクロヘキシルメチルアミン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 58.0g
上記のレジスト組成物を用いて実施例67と同様にしてパターン形成を行った。その結果、4.0μC/cm2の感度で100nm L&S(0.1μm L&S)のポジ型パターンを解像した。パターン形状もほぼ矩形であった。
【0295】
実施例75
下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。
ポリ(p-tert-ブトキシカルボニルメトキシスチレン/スチレン/p-ヒドロキシスチレン)[構成比率:25/10/65、Mw:10,000、Mw/Mn:1.85] 6.0g
5,5'-オキシビス[4-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン][実施例60の化合物] 0.3g
ジシクロヘキシルメチルアミン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
乳酸エチル 30.0g
3-エトキシプロピオン酸エチル 30.0g
上記のレジスト組成物を用いて実施例67と同様にしてパターン形成を行った。その結果、4.0μC/cm2の感度で100nm L&S(0.1μm L&S)のポジ型パターンを解像した。パターン形状もほぼ矩形であった。
【0296】
実施例76
下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。
ポリ(p-ヒドロキシスチレン/スチレン/アクリル酸 tert-ブチル)
[構成比率:7/2/1、重量平均分子量(Mw)=10,000、分散度(Mw/Mn)=1.9] 6.0g
5,5'-オキシビス[2-(3,5-ジ-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン][実施例53の化合物] 0.3g
ジシクロヘキシルメチルアミン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 60.0g
上記のレジスト組成物を用いて実施例67と同様にしてパターン形成を行った。その結果、4.0μC/cm2の感度で100nm L&S(0.1μm L&S)のポジ型パターンを解像した。パターン形状もほぼ矩形であった。
【0297】
実施例77
下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。
ポリ(p-tert-ブトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン)
[構成比率:33/67、Mw:10,000、Mw/Mn:1.02] 6.0g
5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(10-カンファースルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]
[実施例50の化合物] 0.3g
4-N,N-ジメチルアミノピリジン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 60.0g
上記のレジスト組成物を用いて実施例67と同様にしてパターン形成を行った。その結果、5.0μC/cm2の感度で100nm L&S(0.1μm L&S)のポジ型パターンを解像した。パターン形状もほぼ矩形であった。
【0298】
実施例78
下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。
ポリ(p-1-エトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/p-tert-ブトキシスチレン)[構成比率:26/64/10、Mw:10,000、Mw/Mn:1.02] 6.0g
5,5'-ビス[2-n-ブタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]
[実施例52の化合物] 0.3g
トリオクチルアミン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 60.0g
上記のレジスト組成物を用いて実施例70と同様にしてパターン形成を行った。その結果、4mJ/cm2の感度で0.15μm L&Sのポジ型パターンを解像した。パターン形状もほぼ矩形であった。
【0299】
実施例79
下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。
ポリ(p-tert-ブトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン)
[構成比率:30/70、Mw:8,000、Mw/Mn:1.01] 6.0g
5,5'-オキシビス[2-(3-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン][実施例45の化合物] 0.3g
ジシクロヘキシルメチルアミン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
乳酸エチル 60.0g
上記のレジスト組成物を用いて実施例67と同様にしてパターン形成を行った。その結果、4.0μC/cm2の感度で100nm L&S(0.1μm L&S)のポジ型パターンを解像した。パターン形状もほぼ矩形であった。
【0300】
実施例80
下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。
ポリ(p-tert-ブトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン)
[構成比率:30/70、Mw:8,000、Mw/Mn:1.01] 6.0g
5,5'-オキシビス[2-(3-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン][実施例45の化合物] 0.3g
ジシクロヘキシルメチルアミン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
乳酸エチル 50.0g
γ-ブチロラクトン 10.0g
上記のレジスト組成物を用いて実施例68と同様にしてパターン形成を行った。その結果、5mJ/cm2の感度で0.15μm L&Sのポジ型パターンを解像した。パターン形状もほぼ矩形であった。
【0301】
実施例81
下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。
ポリ(p-ヒドロキシスチレン/スチレン/アクリル酸 tert-ブチル)
[構成比率:7/2/1、重量平均分子量(Mw)=10,000、分散度(Mw/Mn)=1.9] 5.0g
ポリ(p-tert-ブトキシカルボニルオキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン)
[構成比率:35/65、Mw:10,000、Mw/Mn:1.02] 1.0g
5,5'-オキシビス[2-(3,5-ジトリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン][実施例53の化合物] 0.2g
2,4,6-トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム ペンタフルオロベンゼンスルホネート 0.1g
ジシクロヘキシルメチルアミン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 60.0g
上記のレジスト組成物を用いて実施例67と同様にしてパターン形成を行った。その結果、4.0μC/cm2の感度で100nm L&S(0.1μm L&S)のポジ型パターンを解像した。パターン形状もほぼ矩形であった。
【0302】
実施例82
下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。
ポリ(p-ヒドロキシスチレン/スチレン/アクリル酸 tert-ブチル)
[構成比率:7/2/1、重量平均分子量(Mw)=10,000、分散度(Mw/Mn)=1.9] 5.0g
ポリ(p-tert-ブトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン)
[構成比率:30/70、Mw:8,000、Mw/Mn:1.01] 1.0g
5,5'-オキシビス[2-(3-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン][実施例45の化合物] 0.2g
トリフェニルスルホニウム ペンタフルオロベンゼンスルホネート 0.1g
ジシクロヘキシルメチルアミン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
乳酸エチル 60.0g
上記のレジスト組成物を用いて実施例67と同様にしてパターン形成を行った。その結果、4.0μC/cm2の感度で100nm L&S(0.1μm L&S)のポジ型パターンを解像した。パターン形状もほぼ矩形であった。
【0303】
実施例83
下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。
ポリ(p-ヒドロキシスチレン/スチレン/アクリル酸 tert-ブチル)
[構成比率:7/2/1、重量平均分子量(Mw)=10,000、分散度(Mw/Mn)=1.9] 5.0g
ポリ(p-tert-ブトキシカルボニルオキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン)
[構成比率:35/65、Mw:10,000、Mw/Mn:1.02] 1.0g
5,5'-オキシビス[2-(ペンタフルオロベンゼンスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン][実施例51の化合物] 0.2g
ビス(4-トリル)ヨードニウム ノナフルオロブタンスルホネート 0.1g
シクロヘキシルメチルアミン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 40.0g
乳酸エチル 20.0g
上記のレジスト組成物を用いて実施例67と同様にしてパターン形成を行った。その結果、4.0μC/cm2の感度で100nm L&S(0.1μm L&S)のポジ型パターンを解像した。パターン形状もほぼ矩形であった。
【0304】
実施例84
下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。
ポリ(p-1-エトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/p-tert-ブトキシスチレン)[構成比率:25/65/10、Mw:15,000、Mw/Mn:1.85] 4.5g
ポリ(p-1-イソブトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン)
[構成比率:30/70、Mw:10,000、Mw/Mn:1.02] 1.5g
5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(10-カンファースルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン][実施例50の化合物]0.2g
4-トリルジフェニルスルホニウム 4-トルエンスルホネート 0.1g
トリス[2-(2-メトキシエトキシ)エチル]アミン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 60.0g
上記のレジスト組成物を用いて実施例69と同様にしてパターン形成を行った。その結果、4.0μC/cm2の感度で100nmのコンタクトホールパターンを解像した。パターン形状もほぼ垂直であった。
【0305】
実施例85
下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。
ポリ(p-tert-ブトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン)
[構成比率:33/67、Mw:10,000、Mw/Mn:1.02] 6.0g
5,5'-オキシビス[2-(4-n−プロピルベンゼンスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン][実施例64の化合物] 0.3g
ジシクロヘキシルメチルアミン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
乳酸エチル 60.0g
上記のレジスト組成物を用いて実施例67と同様にしてパターン形成を行った。その結果、4.0μC/cm2の感度で100nm L&S(0.1μm L&S)のポジ型パターンを解像した。パターン形状もほぼ矩形であった。
【0306】
実施例86
下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。
ポリ(p-ヒドロキシスチレン/スチレン/アクリル酸 tert-ブチル)
[構成比率:7/2/1、重量平均分子量(Mw)=10,000、分散度(Mw/Mn)=1.9] 6.0g
5,5'-オキシビス[2-(3-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン][実施例45の化合物] 0.3g
ジシクロヘキシルメチルアミン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 60.0g
上記のレジスト組成物を用いて実施例67と同様にしてパターン形成を行った。その結果、4.4μC/cm2の感度で100nm L&S(0.1μm L&S)のポジ型パターンを解像した。パターン形状もほぼ矩形であった。
【0307】
実施例87
下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。
ポリ(p-ヒドロキシスチレン/スチレン/アクリル酸 tert-ブチル)
[構成比率:7/2/1、重量平均分子量(Mw)=10,000、分散度(Mw/Mn)=1.9] 6.0g
5,5'-オキシビス[2-(4-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン][実施例60の化合物] 0.3g
ジシクロヘキシルメチルアミン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 60.0g
上記のレジスト組成物を用いて実施例67と同様にしてパターン形成を行った。その結果、4.6μC/cm2の感度で100nm L&S(0.1μm L&S)のポジ型パターンを解像した。パターン形状もほぼ矩形であった。
【0308】
比較例6
下記の組成から成るレジスト組成物の調製を行った。
ポリ(p-ヒドロキシスチレン/スチレン/アクリル酸 tert-ブチル)
[構成比率:7/2/1、重量平均分子量(Mw)=10,000、分散度(Mw/Mn)=1.9] 6.0g
5,5'-オキシビス[2-(4-トルエンスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン][参考例8の化合物] 0.3g
ジシクロヘキシルメチルアミン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 60.0g
上記組成の調製を行ったところ酸発生剤が全く溶解せず、レジスト組成物は調製出来なかった。
【0309】
比較例7
下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。
ポリ(p-tert-ブトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン)
[構成比率:33/67、Mw:10,000、Mw/Mn:1.02] 6.0g
5,5'-オキシビス[2-(4-トルエンスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン][参考例8の化合物] 0.3g
ジシクロヘキシルメチルアミン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
乳酸エチル 60.0g
上記組成の調製を行ったところ酸発生剤が全く溶解せず、レジスト組成物は調製出来なかった。
【0310】
比較例8
下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。
ポリ(p-tert-ブトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン)
[構成比率:33/67、Mw:10,000、Mw/Mn:1.02] 6.0g
5,5'-オキシビス[2-トリフルオロメタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン][参考例9の化合物] 0.3g
ジシクロヘキシルメチルアミン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 60.0g
上記のレジスト組成物を用いて実施例67と同様にして以下のようにパターン形成を行った。その各工程を図3に示す。
即ち、レジスト組成物を0.1μmのメンブランフィルターで濾過し、シリコン基板1上にスピンコートした後、130℃、90秒ホットプレート上でプレベークし、膜厚 0.3μmのレジスト膜8を得た(図3(a))。ついでEB直描機(加速電圧50keV)でEB描画3を行った(図3(b))。次いで、120℃、60秒ホットプレート上でベーク4した(図3(c))後、2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像を行い、水洗してポジ型のレジストパターン8aを形成した(図3(d))。その結果、8.0μC/cm2の感度で110nm L&S(0.11μm L&S)のポジ型パターン8aを解像したが100nm L&Sは解像できなかった。また、パターン8aの形状は逆テーパーで不良であった。
【0311】
尚、図3に於いて、各数字は夫々以下のものを示す。
1 :シリコン基板
3 :EB描画
4 :ベーク
8 :比較例のレジスト膜
8a:パターン
【0312】
比較例9
下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。
ポリ(p-ヒドロキシスチレン)
[重量平均分子量(Mw)=10,000、分散度(Mw/Mn)=1.9] 6.0g
5,5'-オキシビス[2-トリフルオロメタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン][参考例9の化合物] 0.3g
2,4,6-トリス(メトキシメチル)アミノ-1,3,5-s-トリアジン 0.12g
ジシクロヘキシルメチルアミン 0.01g
フッ素含有ノニオン系界面活性剤[市販品] 0.1g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 60.0g
上記のレジスト組成物を用いて実施例85と同様にして以下のようにパターン形成を行った。その各工程を図4に示す。
即ち、レジスト組成物を0.1μmのメンブランフィルターで濾過し、シリコン基板1上にスピンコートした後、130℃、90秒ホットプレート上でプレベークし、膜厚 0.3μmのレジスト膜9を得た(図4(a))。ついでEB直描機(加速電圧50keV)でEB描画6を行った(図4(b))。次いで、130℃、60秒ホットプレート上でベーク7した(図4(c))後、2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像を行い、水洗してネガ型のレジストパターン9aを形成した(図4(d))。その結果、9.5μC/cm2の感度で120nm L&S(0.12μm L&S)のネガ型パターン9aを解像したが110nm L&Sは解像できなかった。また、パターン9aの形状は不良であった。
【0313】
尚、図4に於いて、各数字は夫々以下のものを示す。
1 :シリコン基板
6 :EB描画
7 :ベーク
9 :比較例のレジスト膜
9a:パターン
【0314】
各実施例の結果から明らかなように、本発明の化合物である一般式[26]で示されるビスフタルイミドスルホネート化合物は化学増幅型レジスト組成物の酸発生剤として極めて有効であることが分かった。それに対して、一般式[26]で示される化合物に極めて類似した既存の化合物は、比較例6及び7の結果から溶解性が不良のためレジスト調製ができないか、或いは、比較例8及び9との対比から低感度、低解像性能及び形状不良であるため、酸発生剤として使用困難であることが確認された。
【符号の説明】
【0315】
図1に於いて、各数字は夫々以下のものを示す。
1 :シリコン基板
2 :本発明に係るレジスト膜
3 :EB描画
4 :ベーク
2a:パターン
【0316】
図2に於いて、各数字は夫々以下のものを示す。
1 :シリコン基板
5 :本発明に係るレジスト膜
6 :EB描画
7 :ベーク
5a:パターン
【0317】
図3に於いて、各数字は夫々以下のものを示す。
1 :シリコン基板
3 :EB描画
4 :ベーク
8 :比較例のレジスト膜
8a:パターン
【0318】
図4に於いて、各数字は夫々以下のものを示す。
1 :シリコン基板
6 :EB描画
7 :ベーク
9 :比較例のレジスト膜
9a:パターン
Claims (14)
- 一般式[5]
〔式中、2個のR3は夫々独立して、水素原子又は一般式[6]
(式中、R4は、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数3〜12のハロアルキル基、置換基としてハロゲン原子、アルキル基、ハロ低級アルキル基、アルコキシ基、ハロ低級アルコキシ基、低級アルケニル基、ニトロ基、N,N-ジメチルアミノ基及びアセトアミド基から選ばれるものを有していてもよい、アリール基、アラルキル基若しくは芳香族複素環基、カンファー基又はナフトキノンジアジド基を表す。)で示される基を表し、A2は、結合手、−O−基又は−C(CF3)2−基を表す。但し、A2が−O−基である場合のR4で示される置換基を有していてもよいアリール基の置換基として挙げられるアルキル基は、炭素数2〜12のものである。〕で示されるビスフタルイミド化合物。 - R3が水素原子である、請求項1に記載の化合物。
- R3が、一般式[6]で示される基である、請求項1に記載の化合物。
- 一般式[5]で示される化合物が、一般式[13]
(式中、R10は夫々独立して、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数3〜12のハロアルキル基、置換基としてハロゲン原子、炭素数2〜12のアルキル基、ハロ低級アルキル基、アルコキシ基、ハロ低級アルコキシ基、低級アルケニル基、ニトロ基、N,N-ジメチルアミノ基及びアセトアミド基から選ばれるものを有していてもよいアリール基、置換基としてハロゲン原子、アルキル基、ハロ低級アルキル基、アルコキシ基、ハロ低級アルコキシ基、低級アルケニル基、ニトロ基、N,N-ジメチルアミノ基及びアセトアミド基から選ばれるものを有していてもよい、アラルキル基若しくは芳香族複素環基、カンファー基又はナフトキノンジアジド基を表す。)で示されるものである、請求項3に記載の化合物。 - 一般式[13]で示される化合物が、5,5'-オキシビス[2-ノナフルオロブタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-ヘプタデカフルオロオクタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(10-カンファースルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(4-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(3-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-オキシビス[2-(3,5-ジ-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]又は5,5'-オキシビス[2-(ペンタフルオロベンゼンスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3 (2H)-ジオン]である、請求項4に記載の化合物。
- 一般式[14]で示される化合物が、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-ノナフルオロブタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-ヘプタデカフルオロオクタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(10-カンファースルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(4-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(3-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(3,5-ジ-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]又は5,5'-[2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス[2-(ペンタフルオロベンゼンスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]である、請求項6に記載の化合物。
- 一般式[15]で示される化合物が、5,5'-ビス[2-ノナフルオロブタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-ヘプタデカフルオロオクタンスルホニルオキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(10-カンファースルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(4-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(3-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]、5,5'-ビス[2-(3,5-ジ-トリフルオロメチルフェニルスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]又は5,5'-ビス[2-(ペンタフルオロベンゼンスルホニル)オキシ-1H-イソインドール-1,3(2H)-ジオン]である、請求項8に記載の化合物。
- 請求項3に記載のビスフタルイミド化合物を含んでなる化学増幅型レジスト用酸発生剤。
- 請求項3に記載のビスフタルイミド化合物を少なくとも1種以上含んでなるポジ型レジスト組成物。
- 請求項3に記載のビスフタルイミド化合物を少なくとも1種以上含んでなるネガ型レジスト組成物。
- 請求項11に記載のポジ型レジスト組成物をレジスト膜として基板上に形成する工程と、前記レジスト膜に任意のパターンの露光を行う工程と、現像によりポジ型のレジストパターンを形成する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
- 請求項12に記載のネガ型レジスト組成物をレジスト膜として基板上に形成する工程と、前記レジスト膜に任意のパターンの露光を行う工程と、現像によりネガ型のレジストパターンを形成する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
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