JP4433311B2

JP4433311B2 - 半導体記憶装置、電子機器及びモード設定方法

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Description

本発明は半導体記憶装置、電子機器及びモード設定方法に関し、例えば半導体記憶装置が装着される電子機器により当該半導体記憶装置に対し動作時のモードを設定する場合に適用して好適なものである。

従来のデータ転送装置は、シリアル信号及びパラレル信号の双方を送受信していた（例えば、特許文献１参照）。そして近年、半導体記憶装置として普及しているカード型の形状に構成されたカード型半導体記憶装置においても、当該カード型半導体記憶装置が装着されるパーソナルコンピュータ等の電子機器との間でシリアル通信及びパラレル通信の双方を実現し得るものがある。
特開平７−１３１５０４号公報（第１頁、第１図）

ところでかかる構成のカード型半導体記憶装置としては、電子機器との間でシリアル通信して動作するときの最大消費電流値と、パラレル通信して動作するときの最大消費電流値とがそれぞれ予め一意に決められているものがある。このため、このようなカード型半導体記憶装置が装着される電子機器は、そのカード型半導体記憶装置とシリアル通信する場合、当該カード型半導体記憶装置に対し、シリアル通信に応じて一意に決められた最大消費電流値に見合う唯一の動作電流を供給する。これにより電子機器は、かかるカード型半導体記憶装置をその動作電流により動作させる。また電子機器は、カード型半導体記憶装置とパラレル通信する場合、当該カード型半導体記憶装置に対し、パラレル通信に応じて一意に決められた最大消費電流値に見合う唯一の動作電流を供給する。これにより電子機器は、かかるカード型半導体記憶装置をその動作電流により動作させる。

ところが、このようなカード型半導体記憶装置は、規格変更等に伴い、シリアル通信やパラレル通信に応じた最大消費電流値が変更されると、電子機器に対し装着可能でもその電子機器が変更前の最大消費電流値に見合う唯一の動作電流のみを供給可能であり、変更後の最大消費電流値に見合う唯一の動作電流の供給能力を有していなければ、動作することができない。従ってかかるカード型半導体記憶装置は、近年著しく普及してきてはいるものの、未だ利用し易いとは言い難いという問題があった。

本発明は以上の点を考慮してなされたもので、格段的に利用し易くし得る半導体記憶装置、当該半導体記憶装置を格段的に利用し易くし得る電子機器及びモード設定方法を提案しようとするものである。

かかる課題を解決するため本発明においては、最大消費電流値の異なる複数の動作モードで動作可能であり、かつ複数の通信モードでデータ通信可能な半導体記憶装置が装着された電子機器において、当該半導体記憶装置から送信された、複数の動作モード及び複数の通信モードを示す属性情報を受信し、当該受信した属性情報が示す複数の動作モード及び複数の通信モードの中から本機器の機器能力に応じて動作モード及び通信モードを任意に組み合せて選択し、半導体記憶装置を、その選択した動作モード及び通信モードに設定するように命令するモード設定命令を当該半導体記憶装置に送信し、当該モード設定命令を半導体記憶装置に送信した後、属性情報が示す複数の動作モード及び複数の通信モードの中から本機器による半導体記憶装置を利用した処理の処理負荷及び本機器固有の処理の処理負荷の変化に応じて新たに動作モード及び又は通信モードを選択し、半導体記憶装置を、その新たに選択した動作モード及び又は通信モードに設定変更するように命令するモード設定変更命令を当該半導体記憶装置に送信するようにした。

従って本発明では、半導体記憶装置が装着可能でも当該半導体記憶装置を動作させ得ない電子機器を大幅に低減させることができ、また電子機器が実際に半導体記憶装置を動作させる場合も、当該電子機器において半導体記憶装置を制御しきれずに当該半導体記憶装置を利用した処理が中断することを防止し得ると共に、半導体記憶装置を処理能力が比較的高いにもかかわらずに当該半導体記憶装置を十分に活用し得なくなることも防止することができる。

本発明は、最大消費電流値の異なる複数の動作モードで動作可能であり、かつ複数の通信モードでデータ通信可能な半導体記憶装置が装着された電子機器において、当該半導体記憶装置から送信された、複数の動作モード及び複数の通信モードを示す属性情報を受信し、当該受信した属性情報が示す複数の動作モード及び複数の通信モードの中から本機器の機器能力に応じて動作モード及び通信モードを任意に組み合せて選択し、半導体記憶装置を、その選択した動作モード及び通信モードに設定するように命令するモード設定命令を当該半導体記憶装置に送信し、当該モード設定命令を半導体記憶装置に送信した後、属性情報が示す複数の動作モード及び複数の通信モードの中から本機器による半導体記憶装置を利用した処理の処理負荷及び本機器固有の処理の処理負荷の変化に応じて新たに動作モード及び又は通信モードを選択し、半導体記憶装置を、その新たに選択した動作モード及び又は通信モードに設定変更するように命令するモード設定変更命令を当該半導体記憶装置に送信するようにしたことにより、半導体記憶装置が装着可能でも当該半導体記憶装置を動作させ得ない電子機器を大幅に低減させることができ、また電子機器が実際に半導体記憶装置を動作させる場合も、当該電子機器において半導体記憶装置を制御しきれずに当該半導体記憶装置を利用した処理が中断することを防止し得ると共に、半導体記憶装置を処理能力が比較的高いにもかかわらずに当該半導体記憶装置を十分に活用し得なくなることも防止することができ、かくして格段的に利用し易くし得る半導体記憶装置、当該半導体記憶装置を格段的に利用し易くし得る電子機器及びモード設定方法を実現することができる。

以下図面について、本発明の一実施の形態を詳述する。

図１において、１は全体として本発明を適用したデータ通信システムを示し、パーソナルコンピュータ等の電子機器２に対しカード型半導体記憶装置３が着脱可能に装着されて構成されている。この場合、電子機器２は、ＣＰＵ（Central Processing Unit ）５に対しバス６を介してＲＯＭ（Read Only Memory）７やＲＡＭ（Random Access Memory）８等の各種ハードウェアが接続されて構成されている。そしてＣＰＵ５は、ＲＯＭ７からこれに予め記憶している各種プログラムを読み出しＲＡＭ８で展開して実行することにより当該電子機器２全体を統括的に制御すると共に各種処理を行う。

これによりＣＰＵ５は、図示しない外部機器等から供給される各種データを、Ｉ／Ｏ（Input/Output）等の外部入出力部９を介して取りこみ、当該取り込んだ各種データをハードディスクドライブや半導体メモリ等のデータ蓄積部１０に記憶蓄積する。またＣＰＵ５は、データ蓄積部１０から各種データを読み出し外部入出力部９を介して外部機器等に出力することもできる。さらにＣＰＵ５は、電子機器２に対しカード型半導体記憶装置３が装着された場合、ホストインタフェース１１を介して当該カード型半導体記憶装置３に対し動作電流を供給しながら種々の命令（以下、これをコマンドと呼ぶ）を適宜送信して動作させる。これによりＣＰＵ５は、例えばデータ蓄積部１０に記憶蓄積している各種データを読み出しホストインタフェース１１を介してカード型半導体記憶装置３に送信して記憶させることができる。またＣＰＵ５は、カード型半導体記憶装置３に記憶されている各種データを、ホストインタフェース１１を介して取り込みデータ蓄積部１０に記憶蓄積することもできる。

一方、カード型半導体記憶装置３は、コントロール部１５に対しバス１６を介してフラッシュメモリ（Flash Memory）等の複数の半導体メモリＳＭ１乃至ＳＭｎが接続されている。そしてコントロール部１５は、電子機器２から与えられるコマンドに基づいて当該カード型半導体記憶装置３全体を制御する。これによりコントロール部１５は、電子機器２から送信される各種データを取り込んで半導体メモリＳＭ１乃至ＳＭｎに記憶することができる。またコントロール部１５は、導体メモリＳＭ１乃至ＳＭｎから各種データを読み出して電子機器２に送信することもできる。

ここで図２に示すように、カード型半導体記憶装置３は、複数の外部接続端子Ｔ１乃至Ｔ８を有し、電子機器２に装着された場合、当該電子機器２から供給される動作電流を電源取込用の外部接続端子Ｔ１を介して取り込み、当該取り込んだ動作電流により起動する。またカード型半導体記憶装置３は、着脱検出用の外部接続端子Ｔ２及びＴ３を介して電子機器２に対し、当該カード型半導体記憶装置３の着脱の有無を検出させることができる。さらにカード型半導体記憶装置３は、例えばＩＣ（Integrated Circuit）チップ構成のコントロール部１５内に発振回路２０が設けられると共に、当該コントロール部１５の外部に水晶発振子２１が設けられ、かかる発振回路２０及び水晶発振子２１により所定の発振周波数を発振させる。またコントロール部１５は、電子機器２から与えられるクロック信号をコントロール信号入出力用の外部接続端子Ｔ４及Ｔ５から外部インタフェース回路２２及びレジスタ２３を順次介してシーケンサ等の制御回路２５に取り込む。そして制御回路２５は、発振回路２０及び水晶発振子２１により発振させた発振周波数に基づき、かかるクロック信号に同期した動作クロックを生成し、その動作クロックに同期して各種処理を実行する。

これにより制御回路２５は、電子機器２から当該電子機器２との通信状態を確認するバスステートと呼ばれる信号等のような種々のコントロール信号が送信されると、そのコントロール信号を外部接続端子Ｔ４及びＴ５から外部インタフェース回路２２を介してレジスタ２３に取り込んで書き込む。そして制御回路２５は、レジスタ２３に書き込んだコントロール信号に応じた種々の信号をデータバッファ回路２６及び外部インタフェース回路２２を順次介して外部接続端子Ｔ４及びＴ５から電子機器２に送信する。このようにして制御回路２５は、電子機器２に対し例えばカード型半導体記憶装置３の種々の状態を通知することができる。

また制御回路２５は、電子機器２から書込コマンドや読出コマンド等の種々のコマンドが送信されると、そのコマンドをデータ入出力用の外部接続端子Ｔ６乃至Ｔ８から外部インタフェース回路２２を介してレジスタ２３に取り込んで書き込む。ここで制御回路２５は、レジスタ２３内のコマンドが書込コマンドの場合、当該書込コマンドと共に電子機器２から送信されたデータを外部接続端子Ｔ６乃至Ｔ８から外部インタフェース回路２２を介してデータバッファ回路２６に一旦取り込む。そして制御回路２５は、データバッファ回路２６からデータを、メモリインタフェース回路２７に取り込みながら当該データに対し誤り訂正回路２８により誤り訂正符号を付加して半導体メモリＳＭ１乃至ＳＭｎに送出する。

半導体メモリＳＭ１乃至ＳＭｎには、それぞれ冗長部ＥＤ１乃至ＥＤｎを有する複数のセルＳＤ１乃至ＳＤｎをデータ記録用としてまとめた記録ブロック３０と、冗長部ＥＢを有するバッファ用のセル（以下、これをバッファ用セルと呼ぶ）ＳＢとが設けられている。従って制御回路２５は、半導体メモリＳＭ１乃至ＳＭｎにおいて、データをバッファ用セルＳＢを介して記録ブロック３０内のセルＳＤ１乃至ＳＤｎに書き込む。

また制御回路２５は、レジスタ２３内のコマンドが読出コマンドの場合、半導体メモリＳＭ１乃至ＳＭｎにおいて記録ブロック３０内の各セルＳＤ１乃至ＳＤｎからデータを読み出すと共に、当該読み出したデータをバッファ用セルＳＢを介してメモリインタフェース回路２７に取り込む。そして制御回路２５は、メモリインタフェース回路２７において、そのデータに対し誤り訂正回路２８により誤り訂正処理を施し、その結果得られたデータをデータバッファ回路２６及び外部インタフェース回路２２を順次介して外部接続端子Ｔ６乃至Ｔ８から電子機器２に送信する。このようにして制御回路２５は、電子機器２との間でデータ通信することができる。

かかる構成に加えてカード型半導体記憶装置３は、電子機器２との間でデータ通信する際の通信モードが１〔ｂｉｔ〕シリアル通信や４〔ｂｉｔ〕パラレル通信、８〔ｂｉｔ〕パラレル通信等のように予め複数用意されている。そしてカード型半導体記憶装置３は、これら複数の通信モードの何れでもデータ通信可能なように構成されている。

また図３（Ａ）乃至（Ｃ）に示すように、カード型半導体記憶装置３は、データの書き込み及び読み出し用に動作させる半導体メモリＳＭ１乃至ＳＭｎの個数を変更し得るようにも構成されている。実際にカード型半導体記憶装置３は、例えば、１〔ｂｉｔ〕シリアル通信では１個の半導体メモリＳＭ１乃至ＳＭｎを動作させ、４〔ｂｉｔ〕パラレル通信では４個の半導体メモリＳＭ１乃至ＳＭｎを同時並行で動作させ、さらに８〔ｂｉｔ〕パラレル通信では４個又は４個よりも多い個数の半導体メモリＳＭ１乃至ＳＭｎを同時並行で動作させる等のように、データ通信時の通信モードに応じて、データの書き込み及び読み出し用に動作させる半導体メモリＳＭ１乃至ＳＭｎの個数を変更するように構成されている。

従ってカード型半導体記憶装置３は、通信モードに応じて単位時間当たりのデータ転送量が比較的少ないときには、これに応じてデータの書き込み及び読み出し用に動作させる半導体メモリＳＭ１乃至ＳＭｎの個数を減らすことで、当該半導体メモリＳＭ１乃至ＳＭｎが無駄に動作することを回避している。またカード型半導体記憶装置３は、通信モードに応じて単位時間当たりのデータ転送量が比較的多いときには、これに応じてデータの書き込み及び読み出し用に動作させる半導体メモリＳＭ１乃至ＳＭｎの個数を増やすことで、複数の半導体メモリＳＭ１乃至ＳＭｎに対しデータの書き込み及び読み出しを比較的高速に効率良く行うことができる。

ところでカード型半導体記憶装置３では、データの書き込み及び読み出し用に少ない個数の半導体メモリＳＭ１乃至ＳＭｎを動作させたときには、かかる動作に応じて当該カード型半導体記憶装置３で消費する消費電流値が比較的小さくなる。これに対してカード型半導体記憶装置３では、データの書き込み及び読み出し用に動作させる半導体メモリＳＭ１乃至ＳＭｎの個数を増やすと、かかる動作に応じて当該カード型半導体記憶装置３で消費する消費電流値が増加する。またカード型半導体記憶装置３では、電子機器２とのデータ通信や、同一個数の半導体メモリＳＭ１乃至ＳＭｎに対するデータの書き込み及び読み出しでのデータ処理速度を遅くすると、そのときの動作で消費する消費電流値は小さくなる傾向にある。これに対してカード型半導体記憶装置３では、データ処理速度を比較的速くすると、そのときの動作で消費する消費電流値は大きくなる傾向にある。

このためカード型半導体記憶装置３は、動作時に消費する最大消費電流値が65〔ｍＡ〕や 100〔ｍＡ〕、 150〔ｍＡ〕、 250〔ｍＡ〕等のように異なる値に選定された複数の動作モードが予め用意されている。そしてカード型半導体記憶装置３は、これら複数の動作モードではそれぞれ選定された最大消費電流値に見合う動作電流（すなわち、最大消費電流値に近い又はほぼ等しい電流値の動作電流）で動作するように構成されている。

このため図４に示すように、カード型半導体記憶装置３は、コントロール部１５内に設けられたＲＯＭ等の属性情報記憶部３１に対し、予め用意された複数の通信モードを示す通信モード情報３３と、同様に予め用意された複数の動作モードを示す動作モード情報３４とからなる属性情報３５を記憶している。因みに通信モード情報３３は、複数の通信モードとして１〔ｂｉｔ〕シリアル通信や４〔ｂｉｔ〕パラレル通信、８〔ｂｉｔ〕パラレル通信等を示している。ただし、かかる通信モード情報３３は、各通信モードのうち最も通信能力の低い例えば１〔ｂｉｔ〕シリアル通信を示す通信モードを、カード型半導体記憶装置３の起動時に自動的に初期設定するための初期通信モードとして示している。また動作モード情報３４は、複数の動作モードとして65〔ｍＡ〕や 100〔ｍＡ〕、 150〔ｍＡ〕、 250〔ｍＡ〕等の最大消費電流値を示している。ただし、かかる動作モード情報３４は、各動作モードのうち最も動作能力の低い例えば65〔ｍＡ〕の最大消費電流値を示す動作モードを、カード型半導体記憶装置３に対し起動時に自動的に初期設定するための初期動作モードとして示している。

そして制御回路２５は、カード型半導体記憶装置３が電子機器２に装着されたとき、当該電子機器２の要求に応じて属性情報記憶部３１から属性情報３５を読み出し、当該読み出した属性情報３５をデータバッファ回路２６及び外部インタフェース回路２２を順次介して例えば外部接続端子Ｔ６乃至Ｔ８から電子機器２に送信する。これにより電子機器２のＣＰＵ５は、かかる属性情報３５と、自己の電子機器２が有する通信能力及び動作電流の供給能力（以下、これら通信能力及び動作電流の供給能力をまとめて機器能力と呼ぶ）とに応じて、当該属性情報３５内の通信モード情報３３が示す複数の通信モードの中からカード型半導体記憶装置３を動作させる際の１つの通信モードを任意に選択すると共に、その属性情報３５内の動作モード情報３４が示す複数の動作モードの中からカード型半導体記憶装置３を動作させる際の１つの動作モードを任意に選択する。そしてＣＰＵ５は、カード型半導体記憶装置３に対し、その選択した通信モード及び動作モードで動作するように設定する。これにより電子機器２のＣＰＵ５は、カード型半導体記憶装置３に対しデータ通信処理やデータの書き込み及び読み出し処理等のデータ処理の環境（以下、これをデータ処理環境と呼ぶ）を設定することができる。

ただし電子機器２のＣＰＵ５は、属性情報３５内の通信モード情報３３が示す初期通信モードでカード型半導体記憶装置３と通信し得る通信能力を有している。またＣＰＵ５は、属性情報３５内の動作モード情報３４が示す所期動作モードの最大消費電流値に見合う動作電流をカード型半導体記憶装置３に供給し得る供給能力も有している。そしてＣＰＵ５は、電子機器２に対しカード型半導体記憶装置３が装着されたとき、自己を、当該カード型半導体記憶装置３に対し初期動作モードが示す最大消費電流値に見合う動作電流を供給するように設定すると共に、そのカード型半導体記憶装置３と初期通信モードで通信するように設定する。またカード型半導体記憶装置３の制御回路２５も、電子機器２に装着されたとき、自己のカード型半導体記憶装置３を初期動作モード及び初期通信モードでデータ処理するように自動的にデータ処理環境を初期設定する。これにより制御回路２５は、カード型半導体記憶装置３が電子機器２に装着されたとき、互いの能力を合わせて当該電子機器２から供給される動作電流で動作し得ると共に、電子機器２との間で滞りなく通信することができる。

実際上ＣＰＵ５は、電子機器２に対しカード型半導体記憶装置３が装着され互いの能力を合わせた状態で通信が確立すると、ＲＯＭ７に予め記憶しているモード設定プログラムに従い図５に示すモード設定処理における電子機器２側の処理手順ＲＴ１を開始する。因みに電子機器２のＣＰＵ５は、カード型半導体記憶装置３に対し主従関係の主体として機能する。そしてカード型半導体記憶装置３の制御回路２５は、電子機器２に対して従属的に機能する。従ってカード型半導体記憶装置３の制御回路２５は、当該カード型半導体記憶装置３が電子機器２に装着され互いの能力を合わせた状態で通信が確立すると、電子機器２のＣＰＵ５から送信されるコントロール信号やコマンドの受信を待ち受けつつ、当該コントロール信号やコマンドを受信したときに、これらコントロール信号やコマンドに従い処理を実行するようなカード型半導体記憶装置３側の処理手順ＲＴ２を開始している。

このような状態で電子機器２のＣＰＵ５は、当該電子機器２側の処理手順ＲＴ１を開始すると、ステップＳＰ１に移り、カード型半導体記憶装置３と連携して属性情報取得処理を実行する。このとき電子機器２のＣＰＵ５は、図６に示す属性情報取得処理の当該電子機器２側の処理手順ＲＴ１１を開始する。そしてＣＰＵ５は、かかる処理手順ＲＴ１１を開始すると、ステップＳＰ１０１に移り、属性情報要求コマンドを、ホストインタフェース１１を介してカード型半導体記憶装置３に送信して、次のステップＳＰ１０２に移る。このとき属性情報取得処理のカード型半導体記憶装置３側の処理手順ＲＴ２１を開始していた制御回路２５は、ステップＳＰ１１１において電子機器２から送信された属性情報要求コマンドを例えば外部接続端子Ｔ６乃至Ｔ８から外部インタフェース回路２２を介してレジスタ２３に取り込んで書き込む。そしてステップＳＰ１１２において制御回路２５は、そのレジスタ２３に書き込んだ属性情報要求コマンドに応じて属性情報記憶部３１から属性情報３５を読み出してデータバッファ回路２６に展開し、電子機器２により読出可能な状態にして、次のステップＳＰ１１３に移る。ステップＳＰ１１３において制御回路２５は、属性情報３５の読み出しが可能になったことを電子機器２に通知して、次のステップＳＰ１１４に移る。

このときステップＳＰ１０２においてＣＰＵ５は、カード型半導体記憶装置３から属性情報３５の読み出しが可能になったことが通知されることを待ち受けており、当該属性情報３５の読み出しが可能になったことが通知されると、次のステップＳＰ１０３に移る。ステップＳＰ１０３においてＣＰＵ５は、属性情報読出コマンドを、ホストインタフェース１１を介してカード型半導体記憶装置３に送信して、次のステップＳＰ１０４に移る。このときステップＳＰ１１４において制御回路２５は、電子機器２から送信された属性情報読出コマンドを例えば外部接続端子Ｔ６乃至Ｔ８から外部インタフェース回路２２を介してレジスタ２３に取り込んで書き込む。そしてステップＳＰ１１５において制御回路２５は、そのレジスタ２３に書き込んだ属性情報読出コマンドに応じてデータバッファ回路２６内の属性情報３５を、外部インタフェース回路２２を介して例えば外部接続端子Ｔ６乃至Ｔ８から電子機器２に送信した後、次のステップＳＰ１１６に移って、属性情報取得処理におけるカード型半導体記憶装置３側の処理手順ＲＴ２１を終了する。

またこのときステップＳＰ１０４においてＣＰＵ５は、カード型半導体記憶装置３から送信される属性情報３５の受信を待ち受けており、かかる属性情報３５を受信すると、例えば、その属性情報３５をＲＡＭ８に一旦格納して、次のステップＳＰ１０５に移る。これによりＣＰＵ５は、電子機器２側の処理手順ＲＴ１１を終了して属性情報取得処理から抜け、図５に示すモード設定処理における電子機器２側の処理手順ＲＴ１のステップＳＰ２に移る。

ステップＳＰ２においてＣＰＵ５は、カード型半導体記憶装置３から取得した属性情報３５と、機器能力とに基づいて、当該属性情報３５内の通信モード情報３３が示す複数の通信モードと、動作モード情報３４が示す複数の動作モードとの中から、カード型半導体記憶装置３を動作させる際の通信モード及び動作モードを任意に組み合せて選択して、次のステップＳＰ３に移る。そしてステップＳＰ３においてＣＰＵ５は、この時点にカード型半導体記憶装置３で初期設定されている初期通信モードを設定変更するか否かを判別する。このステップＳＰ３において肯定結果が得られると、このことは電子機器２が比較的高い通信能力を有しており、初期通信モードとは異なる通信モードでカード型半導体記憶装置３と通信し得ること（すなわち、ステップＳＰ２で初期通信モードとは異なる通信モードを選択したこと）を表している。従ってＣＰＵ５は、かかる肯定結果を得ると、次のステップＳＰ４に移り、カード型半導体記憶装置３と連携して通信モード設定処理を実行する。

このとき電子機器２のＣＰＵ５は、図７に示す通信モード設定処理の当該電子機器２側の処理手順ＲＴ１２を開始する。そしてＣＰＵ５は、かかる処理手順ＲＴ１２を開始すると、ステップＳＰ４０１に移り、自己の選択した通信モードを示す通信モード設定情報を、ホストインタフェース１１を介してカード型半導体記憶装置３に送信して、次のステップＳＰ４０２に移る。引き続きステップＳＰ４０２においてＣＰＵ５は、カード型半導体記憶装置３に対し通信モードを設定するように命令するための通信モード設定コマンドを、ホストインタフェース１１を介して当該カード型半導体記憶装置３に送信して、次のステップＳＰ４０３に移る。このとき通信モード設定処理のカード型半導体記憶装置３側の処理手順ＲＴ２２を開始していた制御回路２５は、ステップＳＰ４１１において電子機器２から送信された通信モード設定情報を例えば外部接続端子Ｔ６乃至Ｔ８から外部インタフェース回路２２を介してレジスタ２３に取り込んで書き込む。引き続きステップＳＰ４１２において制御回路２５は、電子機器２から送信された通信モード設定コマンドを例えば外部接続端子Ｔ６乃至Ｔ８から外部インタフェース回路２２を介してレジスタ２３に取り込んで書き込む。これによりステップＳＰ４１３において制御回路２５は、そのレジスタ２３に書き込んだ通信モード設定コマンドに応じて、当該レジスタ２３に書き込んでいた通信モード設定情報が示す通信モードでデータ通信するように設定する。

そしてステップＳＰ４１４において制御回路２５は、通信モードの設定が完了したことを電子機器２に通知した後、次のステップＳＰ４１５に移って、通信モード設定処理におけるカード型半導体記憶装置３側の処理手順ＲＴ２２を終了する。またこのときステップＳＰ４０３においてＣＰＵ５は、カード型半導体記憶装置３から通信モードの設定完了が通知されることを待ち受けており、当該通信モードの設定完了が通知されると、次のステップＳＰ４０４に移る。これによりＣＰＵ５は、電子機器２側の処理手順ＲＴ１２を終了して通信モード設定処理から抜け、図５に示すモード設定処理における電子機器２側の処理手順ＲＴ１のステップＳＰ５に移る。

ステップＳＰ５においてＣＰＵ５は、この時点にカード型半導体記憶装置３で初期設定されている初期動作モードを設定変更するか否かを判別する。このステップＳＰ５において肯定結果が得られると、このことは電子機器２が動作電流に対する比較的高い供給能力を有しており、初期動作モードとは異なる動作モードでカード型半導体記憶装置３を動作させ得ること（すなわち、ステップＳＰ２で初期動作モードとは異なる動作モードを選択したこと）を表している。従ってＣＰＵ５は、かかる肯定結果を得ると、次のステップＳＰ６に移り、カード型半導体記憶装置３と連携して動作モード設定処理を実行する。

このとき電子機器２のＣＰＵ５は、図８に示す動作モード設定処理の当該電子機器２側の処理手順ＲＴ１３を開始する。そしてＣＰＵ５は、かかる処理手順ＲＴ１３を開始すると、ステップＳＰ６０１に移り、自己の選択した動作モードを示す動作モード設定情報を、ホストインタフェース１１を介してカード型半導体記憶装置３に送信して、次のステップＳＰ６０２に移る。引き続きステップＳＰ６０２においてＣＰＵ５は、カード型半導体記憶装置３に対し動作モードを設定するように命令するための動作モード設定コマンドを、ホストインタフェース１１を介して当該カード型半導体記憶装置３に送信して、次のステップＳＰ６０３に移る。このとき動作モード設定処理のカード型半導体記憶装置３側の処理手順ＲＴ２３を開始していた制御回路２５は、ステップＳＰ６１１において電子機器２から送信された動作モード設定情報を例えば外部接続端子Ｔ６乃至Ｔ８から外部インタフェース回路２２を介してレジスタ２３に取り込んで書き込む。引き続きステップＳＰ６１２において制御回路２５は、電子機器２から送信された動作モード設定コマンドを例えば外部接続端子Ｔ６乃至Ｔ８から外部インタフェース回路２２を介してレジスタ２３に取り込んで書き込む。これによりステップＳＰ６１３において制御回路２５は、そのレジスタ２３に書き込んだ動作モード設定コマンドに応じて、当該レジスタ２３に書き込んでいた動作モード設定情報が示す動作モードでデータ通信するように設定する。

そしてステップＳＰ６１４において制御回路２５は、動作モードの設定が完了したことを電子機器２に通知した後、次のステップＳＰ６１５に移る。これにより制御回路２５は、動作モード設定処理におけるカード型半導体記憶装置３側の処理手順ＲＴ２３を終了した後、図５に示すモード設定処理におけるカード型半導体記憶装置３側の処理手順ＲＴ２のステップＳＰ７に移り、かかる処理手順ＲＴ２も終了する。またこのときステップＳＰ６０３においてＣＰＵ５は、カード型半導体記憶装置３から動作モードの設定完了が通知されることを待ち受けており、当該動作モードの設定完了が通知されると、次のステップＳＰ６０４に移る。これによりＣＰＵ５は、電子機器２側の処理手順ＲＴ１３を終了して動作モード設定処理から抜け、図５に示すモード設定処理における電子機器２側の処理手順ＲＴ１のステップＳＰ８に移り、かかる処理手順ＲＴ１も終了する。このようにして電子機器２のＣＰＵ５は、カード型半導体記憶装置３の制御回路２５と連携して当該カード型半導体記憶装置３に対するデータ処理環境を設定する。

因みに上述したステップＳＰ３において否定結果が得られると、このことは電子機器２の通信能力がもともと低いため、又は電子機器２におけるこの時点の処理負荷が比較的大きいために、初期通信モードのままカード型半導体記憶装置３とデータ通信すること（すなわち、ステップＳＰ２で初期通信モードを選択したこと）を表している。従ってＣＰＵ５は、かかる否定結果を得ると、このときにはステップＳＰ５に移る。また上述したステップＳＰ５において否定結果が得られると、このことは電子機器２の動作電流の供給能力がもともと低いため、又は電子機器２におけるこの時点の処理負荷が比較的大きい等のために、初期動作モードのままカード型半導体記憶装置３を動作させること（すなわち、ステップＳＰ２で初期動作モードを選択したこと）を表している。従ってＣＰＵ５は、かかる否定結果を得ると、このときにはステップＳＰ８に移る。

ところで電子機器２のＣＰＵ５は、当該電子機器２に対しカード型半導体記憶装置３が装着されたときに当該カード型半導体記憶装置３に対するデータ処理環境を設定すると、引き続きモード設定プログラムに従い図９に示すモード設定変更処理における電子機器２側の処理手順ＲＴ３を開始する。そしてＣＰＵ５は、電子機器２側の処理手順ＲＴ３を開始すると、ステップＳＰ１１に移り、カード型半導体記憶装置３に対して設定した通信モード及び動作モードの少なくとも一方を変更するか否かを判断する。

すなわちＣＰＵ５は、電子機器２にカード型半導体記憶装置３が装着されている間、当該カード型半導体記憶装置３と連携したデータ通信やデータの書き込み及び読み出し等の処理（以下、これを半導体記憶装置利用処理と呼ぶ）以外の電子機器２固有の処理（以下、これを機器固有処理と呼ぶ）を実行している場合がある。このためＣＰＵ５は、電子機器２にカード型半導体記憶装置３が装着されている間、半導体記憶装置利用処理の処理負荷と共に機器固有処理の処理負荷を監視している。そしてＣＰＵ５は、機器固有処理の処理負荷が著しく増加し、半導体記憶装置利用処理を維持し難いときには、カード型半導体記憶装置３に設定していた通信モードや動作モードの少なくとも一方を通信能力や動作能力の低い通信モードや動作モードに変更するように判断する。またＣＰＵ５は、機器固有処理の処理負荷が著しく大きいために、カード型半導体記憶装置３を通信能力や動作能力の低い通信モードや動作モードに設定していたものの、かかる機器固有処理の処理負荷が低減したときには、カード型半導体記憶装置３に設定していた通信モードや動作モードの少なくとも一方を通信能力や動作能力の高い通信モードや動作モードに変更するように判断する。

これに加えてＣＰＵ５は、例えば電子機器２がバッテリで駆動しているような場合、かかるバッテリの残量を監視している。そしてＣＰＵ５は、バッテリの残量が減り、カード型半導体記憶装置３に対し、それまで供給していた動作電流の電流値を維持し難くなる（すなわち、それまでとほぼ等しい電流値の動作電流の供給が困難になる）と、当該カード型半導体記憶装置３に設定していた通信モードや動作モードの少なくとも一方を通信能力や動作能力の低い通信モードや動作モードに変更するように判断する。これに対しＣＰＵ５は、例えばバッテリの残量が残り少ないためにカード型半導体記憶装置３を通信能力や動作能力の低い通信モードや動作モードに設定していたものの、バッテリが充電され残量が増えたときには、カード型半導体記憶装置３に設定していた通信モードや動作モードの少なくとも一方を通信能力や動作能力の高い通信モードや動作モードに変更するように判断する。

このようにしてステップＳＰ１１においてＣＰＵ５は、通信モード及び動作モードの少なくとも一方を変更するように判断すると、次のステップＳＰ１２に移る。そしてステップＳＰ１２においてＣＰＵ５は、ＲＡＭ８に一旦格納していた属性情報３５を読み出し、当該読み出した属性情報３５と、機器能力と、さらには、その時点の半導体記憶装置利用処理の処理負荷や機器固有処理の処理負荷、バッテリの残量等とを適宜用いて、当該属性情報３５内の通信モード情報３３が示す複数の通信モードと、動作モード情報３４が示す複数の動作モードとの中から、カード型半導体記憶装置３を動作させる際の通信モード及び動作モードの少なくとも一方を任意に選択し直して、次のステップＳＰ１３に移る。

そしてステップＳＰ１３においてＣＰＵ５は、この時点にカード型半導体記憶装置３で設定して通信モードを設定変更するか否かを判別する。このステップＳＰ１３において肯定結果が得られると、このことは電子機器２が新たな通信モードを選択し直したことを表している。従ってＣＰＵ５は、かかる肯定結果を得ると、次のステップＳＰ４に移り、上述と同様にカード型半導体記憶装置３と連携して通信モード設定処理を実行する。ただしＣＰＵ５は、このとき通信モード設定処理のステップＳＰ４０２では、通信モードの設定を変更するように命令する通信モード設定変更コマンドをカード型半導体記憶装置３に送信する。そしてＣＰＵ５は、かかる通信モード設定処理を抜けると、ステップＳＰ１４に移る。

そしてステップＳＰ１４においてＣＰＵ５は、この時点にカード型半導体記憶装置３で設定している動作モードを変更するか否かを判別する。このステップＳＰ１４において肯定結果が得られると、このことは電子機器２が新たな動作モードを選択し直したことを表している。従ってＣＰＵ５は、かかる肯定結果を得ると、次のステップＳＰ６に移り、上述と同様にカード型半導体記憶装置３と連携して動作モード設定処理を実行する。ただしＣＰＵ５は、このとき動作モード設定処理のステップＳＰ６０２では、動作モードの設定を変更するように命令する動作モード設定変更コマンドをカード型半導体記憶装置３に送信する。そしてＣＰＵ５は、かかる動作モード設定処理を抜けると、ステップＳＰ１５に移る。またこのときカード型半導体記憶装置３の制御回路２５も動作モード設定処理を抜けてステップＳＰ２１に移る。これによりＣＰＵ５は、制御回路２５と共にモード設定変更処理を終了する。

因みに上述したステップＳＰ１３において否定結果が得られると、このことは電子機器２が新たな通信モードを選択しなかったことを表している。従ってＣＰＵ５は、かかる否定結果を得ると、このときにはステップＳＰ１４に移る。また上述したステップＳＰ１４において否定結果が得られると、このことは電子機器２が新たな動作モードを選択しなかったことを表している。従ってＣＰＵ５は、かかる否定結果を得ると、このときにはステップＳＰ１５に移る。

このようにしてＣＰＵ５は、カード型半導体記憶装置３に対し通信モード及び動作モードを設定しても、これらを適宜変更して設定し直すことができる。すなわち図１０に示すように、カード型半導体記憶装置３の制御回路２５は、電子機器２に対し当該カード型半導体記憶装置３が装着されて起動したとき、初期通信モード及び初期動作モードに設定しこれらに応じてデータ処理するようにデータ処理環境を初期設定する。しかしながらＣＰＵ５は、機器能力や、半導体記憶装置利用処理及び機器固有処理の処理負荷、バッテリの残量等に応じてカード型半導体記憶装置３の通信モード及び又は動作モードを設定し直すことで、カード型半導体記憶装置３に対し初期設定していたデータ処理環境（以下、これを初期データ処理環境と呼ぶ）を、当該初期データ処理環境よりもデータ処理能力の高い第１のデータ処理環境やさらにデータ処理能力の高い第２のデータ処理環境に段階的又は直接遷移させることができる。またＣＰＵ５は、カード型半導体記憶装置３を一旦はデータ処理能力の高い第１又は第２のデータ処理環境に設定しても、かかる第１又は第２のデータ処理環境をデータ処理能力の低い初期データ処理環境又は第１のデータ処理環境に段階的又は直接遷移させることもできる。

以上の構成において、カード型半導体記憶装置３は、複数の通信モードでデータ通信可能に構成されると共に、最大消費電流値の異なる複数の動作モードで動作可能に構成され、これら複数の通信モード及び複数の動作モードを示す属性情報３５を予め属性情報記憶部３１に記憶している。そして電子機器２は、カード型半導体記憶装置３が装着され通信が確立されると、カード型半導体記憶装置３から属性情報記憶部３１内の属性情報３５を読み出し、当該読み出した属性情報３５が示す複数の通信モード及び複数の動作モードの中から、自己の機器能力に応じてそれぞれ１つの通信モード及び動作モードを任意に組み合せて選択する。そして電子機器２は、カード型半導体記憶装置３を、その選択した通信モード及び動作モードに設定するための通信モード設定コマンド及び動作モード設定コマンド(以下、これらをまとめてモード設定コマンドと呼ぶ)を当該カード型半導体記憶装置３に送信する。

その結果、カード型半導体記憶装置３は、電子機器２により任意に組み合せて選択された通信モード及び動作モードに設定する。これによりカード型半導体記憶装置３は、個々の通信モードと、当該個々の通信モードに対しそれぞれ一意的に対応付けられた動作モードとに応じてのみ動作するわけではなく、複数の通信モード及び複数の動作モードの中から任意に組み合せて選択された動作モード及び通信モードで動作する。

従ってカード型半導体記憶装置３は、データ通信可能な通信モードが一致し、かつ当該通信モードに応じた唯一の動作電流の供給能力を有する電子機器２に対してのみ装着されなければ動作し得ないわけではなく、複数の通信モードのうち少なくとも何れか１つの通信モードを有すると共に、複数の動作モードのうち少なくとも何れか１つの動作モードを有する電子機器２であれば、これに装着されたとき、何ら問題なく動作することができる。よってカード型半導体記憶装置３は、当該カード型半導体記憶装置３が装着可能でもこれを動作させ得ない電子機器２を大幅に低減させることができる。

以上の構成によれば、最大消費電流値の異なる複数の動作モードで動作可能であり、かつ複数の通信モードでデータ通信可能なカード型半導体記憶装置３が装着された電子機器２において、当該カード型半導体記憶装置３から複数の動作モード及び複数の通信モードを示す属性情報３５を受信し、当該受信した属性情報３５が示す複数の動作モード及び複数の通信モードの中から動作モード及び通信モードを任意に組み合せて選択し、カード型半導体記憶装置３を、その選択した動作モード及び通信モードに設定するためのモード設定コマンドを当該カード型半導体記憶装置３に送信するようにした。これにより電子機器２は、カード型半導体記憶装置３を、複数の通信モード及び複数の動作モードの中から任意に組み合せて選択した動作モード及び通信モードに設定して動作させることができる。その結果、カード型半導体記憶装置３は、当該カード型半導体記憶装置３が装着可能でもこれを動作させ得ない電子機器２を大幅に低減させることができる。よってカード型半導体記憶装置３は、電子機器２に対し格段的に利用し易くすることができる。

またカード型半導体記憶装置３は、設定した通信モードに応じて半導体メモリＳＭ１乃至ＳＭｎの動作個数を変更するようにした。そして電子機器２は、カード型半導体記憶装置３を自己が選択した動作モードに設定し得るようにしている。従って電子機器２は、カード型半導体記憶装置３において、任意に選択して設定する通信モードに対し、動作能力を極力高めるように動作モードを選択して設定して、当該カード型半導体記憶装置３のデータ処理能力を最大限、発揮させるように動作させることができる。

さらに電子機器２は、機器固有処理の処理負荷が著しく増大したときや、バッテリの残量が低下したときには、通信モード及び又は動作モードを選択し直し、カード型半導体記憶装置３を、その選択し直した通信モード及び又は動作モードに設定変更することができる。また電子機器２は、カード型半導体記憶装置３の通信モード及び又は動作モードを設定変更しても、その後、機器固有処理の処理負荷が低減したときや、バッテリが充電されて残量が増えたときには、再び通信モード及び又は動作モードを選択し直し、カード型半導体記憶装置３を、その選択し直した新たな通信モード及び又は動作モードに設定変更することもできる。すなわち電子機器２は、自己の状態の変化に応じて、カード型半導体記憶装置３のデータ処理環境を適宜変更することができる。従って電子機器２は、カード型半導体記憶装置３を制御しきれずに当該カード型半導体記憶装置３を用いたデータ処理が中断することを防止し得ると共に、カード型半導体記憶装置３を比較的高いデータ処理能力でデータ処理させることができるにもかかわらずに、比較的低いデータ処理能力でデータ処理させてカード型半導体記憶装置３を十分に活用しなくなることも防止することができる。

ところで従来のカード型半導体記憶装置に対する規格は、通信モードに対し最大消費電流値を一意に決めるようにして当該１つの通信モードと１つの動作モードのみとを対応させるようなものとされていた。このため従来のカード型半導体記憶装置に対する規格については、通信モードが同じでも、これに対応する動作モードが異なるだけで、互いに異なる規格として扱われていた。これに対して本実施の形態によるカード型半導体記憶装置３によれば、個々の通信モードと、複数の動作モードの何れをも自由に組み合せて設定し得るため、通信モードと組み合せ可能な新たな動作モードを用意するようなときでも、これら通信モードと新たな動作モードとを組み合せた全く新しい規格を作る必要はなく、すでに存在する規格に当該新たな動作モードを追加して当該規格を更新することで、これら通信モードと新たな動作モードとを組み合せた設定を用意に実現させることができる。従って本実施の形態によるカード型半導体記憶装置３の規格は、従来のカード型半導体記憶装置の規格に比べて、更新前と後とで互換性を有していることにより、規格の寿命に拡張性を持たせる（すなわち、かかる規格をより長く存続させる）ことができる。

なお上述した実施の形態においては、カード型半導体記憶装置３が電子機器２の要求に応じて属性情報３５を提供するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、カード型半導体記憶装置３が起動して電子機器２との通信が確立した時点に当該電子機器２に対し属性情報３５を自動的に提供するようにしても良い。

また上述した実施の形態においては、電子機器２がカード型半導体記憶装置３に対し通信モードを設定した後、動作モードを設定するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、動作モードを設定した後に通信モードを設定するようにしても良い。

さらに上述した実施の形態においては、本発明による半導体記憶装置を、図１乃至図１０について上述したカード型半導体記憶装置３に適用するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、電子機器に装着可能なものであれば、スティック型の半導体記憶装置等のように、この他種々の半導体記憶装置に広く適用することができる。

さらに上述した実施の形態においては、本発明による電子機器を、図１乃至図１０について上述したパーソナルコンピュータ等の電子機器２に適用するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、半導体記憶装置が装着されるものであれば、デジタルスチルカメラや携帯型音楽再生装置、電子辞書等のように、この他種々の電子機器に広く適用することができる。

さらに上述した実施の形態においては、複数の通信モードで外部とデータ通信可能なデータ通信部として、図１乃至図１０について上述したカード型半導体記憶装置３の外部インタフェース回路２２、レジスタ２３、データバッファ回路２６及び制御回路２５を適用するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、この他種々の構成のデータ通信部を広く適用することができる。

さらに上述した実施の形態においては、属性情報記憶部に記憶された属性情報が示す複数の動作モード及び複数の通信モードの中の動作モード及び通信モードに設定するモード設定部として、図１乃至図１０について上述したカード型半導体記憶装置３のシーケンサでなる制御回路２５を適用するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、ＣＰＵやマイクロプロセッサ等のように、この他種々のモード設定部を広く適用することができる。

さらに上述した実施の形態においては、半導体記憶装置から送信された、複数の動作モード及び複数の通信モードを示す属性情報を受信する受信部として、図１乃至図１０について上述した電子機器２のホストインタフェース１１を適用するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、この他種々の受信部を広く適用することができる。

さらに上述した実施の形態においては、受信部により受信された属性情報が示す複数の動作モード及び複数の通信モードの中から動作モード及び通信モードを任意に組み合せて選択するモード選択部として、図１乃至図１０について上述した電子機器２のＣＰＵ５を適用するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、ハードウェア回路構成のモード設定回路等のように、この他種々のモード設定部を広く適用することができる。

さらに上述した実施の形態においては、半導体記憶装置を、モード選択部により選択された動作モード及び通信モードに設定するように命令するモード設定命令を当該半導体記憶装置に送信する送信部として、図１乃至図１０について上述した電子機器２のホストインタフェース１１を適用するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、この他種々の送信部を広く適用することができる。

本発明は、カード型半導体記憶装置等の半導体記憶装置や当該半導体記憶装置が装着されるパーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ等の電子機器に利用することができる。

本発明によるデータ通信システムの回路構成の一実施の形態を示すブロック図である。カード型半導体記憶装置の回路構成を示すブロック図である。カード型半導体記憶装置における通信モードに応じた半導体メモリの動作個数の変更の説明に供する略線図である。属性情報の構成を示す略線図である。モード設定処理を示すフローチャートである。属性情報取得処理を示すフローチャートである。通信モード設定処理を示すフローチャートである。動作モード設定処理を示すフローチャートである。モード設定変更処理を示すフローチャートである。カード型半導体記憶装置におけるデータ処理環境の遷移の説明に供する略線図である。

符号の説明

２……電子機器、３……カード型半導体記憶装置、５……ＣＰＵ、１１……ホストインタフェース、１５……コントロール部、２２……外部インタフェース回路、２３……レジスタ、２５……制御回路、２６……データバッファ回路、３１……属性情報記憶部、３３……通信モード情報、３４……動作モード情報、３５……属性情報。

Claims

複数の通信モードで外部とデータ通信可能なデータ通信部と、
最大消費電流値の異なる複数の動作モードで動作可能な本装置の当該複数の上記動作モード、及び複数の上記通信モードを示す属性情報を記憶する属性情報記憶部と、
上記属性情報記憶部に記憶された上記属性情報が示す複数の上記動作モード及び複数の上記通信モードの中の上記動作モード及び上記通信モードに設定するモード設定部と
を具え、
上記データ通信部は、
上記本装置が装着された電子機器に対し、上記属性情報記憶部から読み出した上記属性情報を送信し、当該電子機器から、上記属性情報が示す複数の上記動作モード及び複数の上記通信モードの中から上記電子機器の機器能力に応じて上記動作モード及び上記通信モードを任意に組み合せて選択することにより送信された、当該選択された上記動作モード及び上記通信モードに設定するように命令するモード設定命令を受信し、
上記モード設定部は、
上記データ通信部により受信された上記モード設定命令に応じて、上記電子機器で選択された上記動作モード及び上記通信モードに設定し、
上記データ通信部は、
上記モード設定部により、上記電子機器で選択された上記動作モード及び上記通信モードに設定された後、当該電子機器から、上記属性情報が示す複数の上記動作モード及び複数の上記通信モードの中から上記電子機器による上記本装置を利用した処理の処理負荷及び上記電子機器固有の処理の処理負荷の変化に応じて新たに上記動作モード及び又は上記通信モードを選択することにより送信された、当該新たに選択された上記動作モード及び又は上記通信モードに設定変更するように命令するモード設定変更命令を受信し、
上記モード設定部は、
上記データ通信部により受信された上記モード設定変更命令に応じて、上記電子機器で新たに選択された上記動作モード及び又は上記通信モードに設定変更する
半導体記憶装置。
上記データ通信部は、
上記モード設定部により、上記電子機器で選択された上記動作モード及び上記通信モードに設定された後、当該電子機器から、上記属性情報が示す複数の上記動作モード及び複数の上記通信モードの中から上記電子機器による上記本装置を利用した処理の処理負荷及び上記電子機器固有の処理の処理負荷の変化と、上記電子機器駆動用のバッテリの残量とに応じて新たに上記動作モード及び又は上記通信モードを選択することにより送信された上記モード設定変更命令を受信し、
上記モード設定部は、
上記データ通信部により受信された上記モード設定変更命令に応じて、上記電子機器で新たに選択された上記動作モード及び又は上記通信モードに設定変更する
請求項１に記載の半導体記憶装置。
複数の半導体メモリと、
上記モード設定部により設定された上記通信モードに応じて、動作させる上記半導体メモリの個数を変更する個数変更部と
を具える請求項１に記載の半導体記憶装置。
本機器に装着された、最大消費電流値の異なる複数の動作モードで動作可能であり、かつ複数の通信モードでデータ通信可能な半導体記憶装置から送信された、複数の上記動作モード及び複数の上記通信モードを示す属性情報を受信する受信部と、
上記受信部により受信された上記属性情報が示す複数の上記動作モード及び複数の上記通信モードの中から上記本機器の機器能力に応じて上記動作モード及び上記通信モードを任意に組み合せて選択するモード選択部と、
上記半導体記憶装置を、上記モード選択部により選択された上記動作モード及び上記通信モードに設定するように命令するモード設定命令を当該半導体記憶装置に送信する送信部と
を具え、
上記モード選択部は、
上記送信部により上記モード設定命令が上記半導体記憶装置に送信された後、上記属性情報が示す複数の上記動作モード及び複数の上記通信モードの中から上記本機器による上記半導体記憶装置を利用した処理の処理負荷及び上記本機器固有の処理の処理負荷の変化に応じて新たに上記動作モード及び又は上記通信モードを選択し、
上記送信部は、
上記半導体記憶装置を、上記モード選択部により新たに選択された上記動作モード及び又は上記通信モードに設定変更するように命令するモード設定変更命令を当該半導体記憶装置に送信する
電子機器。
上記モード選択部は、
上記送信部により上記モード設定命令が上記半導体記憶装置に送信された後、上記属性情報が示す複数の上記動作モード及び複数の上記通信モードの中から上記本機器による上記半導体記憶装置を利用した処理の処理負荷及び上記本機器固有の処理の処理負荷の変化と、上記本機器駆動用のバッテリの残量とに応じて新たに上記動作モード及び又は上記通信モードを選択する
請求項４に記載の電子機器。
上記受信部は、
複数の半導体メモリを有し、設定した上記通信モードに応じて、動作させる上記半導体メモリの個数を変更する上記半導体記憶装置から送信された上記属性情報を受信する
請求項４に記載の電子機器。
本機器に装着された、最大消費電流値の異なる複数の動作モードで動作可能であり、かつ複数の通信モードでデータ通信可能な半導体記憶装置から送信された、複数の上記動作モード及び複数の上記通信モードを示す属性情報を受信する受信ステップと、
上記受信ステップで受信した上記属性情報が示す複数の上記動作モード及び複数の上記通信モードの中から上記本機器の機器能力に応じて上記動作モード及び上記通信モードを任意に組み合せて選択するモード選択ステップと、
上記半導体記憶装置を、上記モード選択ステップで選択した上記動作モード及び上記通信モードに設定するように命令するモード設定命令を当該半導体記憶装置に送信する送信ステップと、
上記送信ステップで上記モード設定命令を上記半導体記憶装置に送信した後、上記属性情報が示す複数の上記動作モード及び複数の上記通信モードの中から上記本機器による上記半導体記憶装置を利用した処理の処理負荷及び上記本機器固有の処理の処理負荷の変化に応じて新たに上記動作モード及び又は上記通信モードを選択するモード再選択ステップと、
上記半導体記憶装置を、上記モード再選択ステップで新たに選択した上記動作モード及び又は上記通信モードに設定変更するように命令するモード設定変更命令を当該半導体記憶装置に送信する再送信ステップと
を具えるモード設定方法。