JP2006201878A - マイクロコンピュータ - Google Patents

マイクロコンピュータ Download PDF

Info

Publication number
JP2006201878A
JP2006201878A JP2005010753A JP2005010753A JP2006201878A JP 2006201878 A JP2006201878 A JP 2006201878A JP 2005010753 A JP2005010753 A JP 2005010753A JP 2005010753 A JP2005010753 A JP 2005010753A JP 2006201878 A JP2006201878 A JP 2006201878A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
flash memory
data
microcomputer
serial communication
rewriting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2005010753A
Other languages
English (en)
Inventor
Akihiko Ukibe
昭彦 浮辺
Takanori Saito
貴紀 斉藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2005010753A priority Critical patent/JP2006201878A/ja
Publication of JP2006201878A publication Critical patent/JP2006201878A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Stored Programmes (AREA)
  • Microcomputers (AREA)
  • Information Transfer Systems (AREA)
  • Memory System (AREA)

Abstract

【課題】簡略なインターフェイスにより、マイクロコンピュータに内蔵されるフラッシュメモリの書換え処理時間を短縮する。
【解決手段】マイクロコンピュータ101に接続された書換え装置113からデータを受け取るシリアル通信部103と、シリアル通信部103が受け取ったデータを格納するRAM104と、RAM104から転送されるデータにより内容が更新されるバッファメモリ105とを備え、バッファメモリ105に格納されたデータを用いてフラッシュメモリ102の書換えを実行し、フラッシュメモリ102の書換え実行中でないときにのみバッファメモリ105の内容を更新するように制御することで、シリアル通信とフラッシュメモリ書換えを並列に処理する。
【選択図】 図1

Description

本発明は内蔵されるフラッシュメモリの書換え技術に関し、特に、フラッシュメモリの書換え処理時間を短縮することができるマイクロコンピュータに関するものである。
フラッシュメモリを内蔵するマイクロコンピュータにおいては、マイクロコンピュータおよびフラッシュメモリの使用形態に応じてフラッシュメモリの記憶内容の消去および書込みが必要となる。従来、その際の様々な形態に応じた技術的な工夫がなされている(例えば、特許文献1および特許文献2参照)。
図6は、従来のフラッシュメモリ内蔵マイクロコンピュータにおけるフラッシュメモリの書換え方法を説明する図である。図6において、601はマイクロコンピュータ、602はフラッシュメモリ、603はシリアル通信回路、604はバッファメモリ、605はユーザ回路、614は書換え装置、612は書換え装置614のシリアル通信回路、613は書換え装置614に内蔵されるフラッシュメモリ書換え用データである。
マイクロコンピュータ601と書換え装置614は、フラッシュメモリ書換えデータを通信するシリアル通信信号606、電源レベルを合わせるための電源信号607および接地(GND)信号610、モード設定信号608および609、リセット信号611により接続される。
モード設定信号608、609を規定の電圧に設定し、リセット信号611によりマイクロコンピュータ601にリセットをかけると、フラッシュメモリ602が書換え可能な状態になる。
書換え装置614から同期式または調歩同期式シリアル通信信号606で送信されたデータは、シリアル通信回路603で受信され、バッファメモリ604に転送される。バッファメモリ604に容量分のデータ受信が完了すると、フラッシュメモリ602のデータの書換えが行われる。
図7は上記構成におけるフラッシュメモリ書換え処理のタイミングチャートである。図7において、701はシリアル通信処理、702はバッファメモリ604からフラッシュメモリ602への書換え処理である。
フラッシュメモリへのデータの記憶は、フローティングゲートに高電圧を印可することでソースからドメインに流れる電荷がフローティングゲートに引き上げられて蓄えられることにより行われる。そのため、フラッシュメモリ書換え処理702の間はバッファメモリ604のデータを書換えることができず、フラッシュメモリ602の書換え処理時間はシリアル通信処理701に律束される。
特開平11−282761号公報 特開2003−150574号公報
上述したように、従来のフラッシュメモリ書換え処理においては、フラッシュメモリの書換え中はバッファメモリのデータを書換えることができないため、シリアル通信処理分の時間がフラッシュメモリの書換え処理時間として必ず発生し、書換え処理時間が長くなるという問題がある。また、フラッシュメモリの書換えモードを設定するモード設定端子が必要であるため、ユーザ回路が複雑となるという問題がある。
このような問題を解決するために、シリアル通信速度の高速化や調歩同期式シリアル通信を使うなど対策を行っているが、マイクロコンピュータの動作周波数以上の高速化はできず、シリアル通信処理分の時間が発生する点には変わりがない。
本発明の目的は、複雑な回路を必要とせずに、マイクロコンピュータに内蔵されるフラッシュメモリの書換え処理時間を短縮することにある。
本発明は、内蔵されるフラッシュメモリの書換え機能を備えるマイクロコンピュータであって、前記マイクロコンピュータの外部からデータを受け取るシリアル通信部と、前記シリアル通信部が受け取ったデータを格納するRAMと、前記RAMから転送されるデータにより内容が更新されるバッファメモリと、前記バッファメモリに格納されたデータを用いて前記フラッシュメモリの書換えを実行し、前記フラッシュメモリの書換え実行中でないときにのみ前記バッファメモリの内容を更新する制御手段とを備える。
本発明において、前記シリアル通信部が外部からデータとして受け取る制御情報により前記フラッシュメモリが書換えモードに設定され、リセット動作により前記フラッシュメモリの書換え実行が起動される。
本発明において、前記制御部は、前記シリアル通信部が外部からデータを受け取り前記RAMに格納する動作と、前記フラッシュメモリの書換えとを並行して実行させる。
上記構成によれば、シリアル通信とフラッシュメモリ書換えが並列に実行されるため、複雑な回路を必要とせずに、マイクロコンピュータに内蔵されるフラッシュメモリの書換え処理時間を短縮することができる。また、シリアルデータを用いた制御を可能にすることでフラッシュメモリ書換えに係るインターフェイスを簡略にすることができる。
本発明において、前記シリアル通信部が外部から受け取るデータを伸張する伸張処理手段を備え、前記制御部は、前記シリアル通信部が外部から受け取るデータが圧縮処理されたデータである場合に、前記伸張処理機能を用いて伸張したデータを前記RAMに格納させる。
上記構成によれば、ハードウェアあるいはソフトウェアによるシリアルデータの圧縮と伸張処理によりシリアル通信処理時間を短縮することができるため、フラッシュメモリの書換え処理時間を一層短縮することができるとともに、フラッシュメモリ書換え処理全体のタイミングに余裕が生じることでタイミングエラーなどが発生する可能性を減らすことができる。
本発明によれば、シリアル通信とフラッシュメモリ書換えが並列に実行されるため、マイクロコンピュータに内蔵されるフラッシュメモリの書換え処理時間を短縮することができ、簡略なインターフェイスによりユーザ回路を簡素化することができる。
(第一の実施形態)
図1は本発明の第一の実施形態に係るフラッシュメモリ書換え制御装置を用いたマイクロコンピュータに内蔵されるフラッシュメモリ書換え方法を示すブロック図である。図1において、101はマイクロコンピュータ、107はユーザ回路、113は書換え装置である。マイクロコンピュータ101において、102はフラッシュメモリ、103はシリアル通信回路、104はシリアル通信データを格納するRAM、105はバッファメモリ、106は制御部である。また、書換え装置113において、111は書換え装置113のシリアル通信回路、112は書換え装置113に内蔵されるフラッシュメモリ書換え用データである。マイクロコンピュータ101と書換え装置113は、フラッシュメモリ書換えデータを通信するシリアル通信信号108と、電源レベルを合わせるための電源信号109と、接地(GND)信号110により接続される。
図2は上記構成におけるフラッシュメモリ書換え処理の手順を示すフローチャートであり、図3は上記構成におけるフラッシュメモリ書換え処理のタイミングチャートである。 以下、図1〜図3を参照して本実施形態のフラッシュメモリ書換え処理の詳細な説明を行う。
図2において、S201は書換え装置113から送信されるコマンドを判断し書換えデータをシリアル受信する処理、S202はマイクロコンピュータの動作モードをフラッシュメモリ書換えモードに移行させる処理、S203はシリアル通信で受信したデータをRAM104へ格納する処理、S204はRAM104のデータをバッファメモリ105へ転送する処理、S205はバッファメモリ105のデータによるフラッシュメモリ102への書換え処理である。
図3においては、301は規定コマンドの受信タイミング、302はフラッシュメモリ書換えデータの受信とRAM104への格納タイミング、303はRAM104からバッファメモリ105へデータ転送タイミングである。
フラッシュメモリ書換え処理においては、書換え装置113からのコマンドをシリアル通信回路103でデータとして受信し、受信データの確認処理S201を行い、これがフラッシュメモリ書換えモード移行要求コマンドであると、マイクロコンピュータ101はフラッシュメモリ書換えモードへの移行処理S202を行う。
書換えモード移行処理S202では、マイクロコンピュータ101の動作モードをフラッシュメモリ書換えプログラムが動作するブートモードに設定し、内部状態のリセットを実行し、フラッシュメモリ書換えモードに移行する。その後、書換え装置113とマイクロコンピュータ101の間でデータを送受信することでフラッシュメモリ102の書換えを行う。
詳細には、制御部106により通信回路103から書換え装置113にシリアル通信要求を送信し、シリアル通信回路111から受信したデータはRAM104に格納され、直前のデータによるフラッシュメモリ書換えが終了したタイミングで制御部106によりRAM104からバッファメモリ105に転送され、今回のデータによるフラッシュメモリ102の書換えが実行される。
この方法によりシリアル通信信号108、電源信号109、GND信号110と少ない配線によりフラッシュメモリの書換えが可能となる。また、図3に示すように、フラッシュメモリ書換え処理304の実行中にシリアル通信処理302を実行することで、両者が並行して実行されるため、フラッシュメモリ書換えの時間短縮が実現される。
(第二の実施形態)
図4は本発明の第二の実施形態に係るフラッシュメモリ書換え制御装置を用いたマイクロコンピュータに内蔵されるフラッシュメモリ書換え方法を示すブロック図である。図4においては、図1に示した第一の実施形態の構成に対して、マイクロコンピュータ101にシリアル受信データの伸張回路401が追加され、書換え装置113にシリアル送信データの圧縮回路402が追加されている。ここで用いるデータ圧縮方式は予め決定しておく。
本実施形態においては、1ブロック分のフラッシュメモリ書換え用データ112を圧縮回路402で圧縮して送信する。マイクロコンピュータ101ではシリアル通信回路103で1ブロック分のデータを受信すると、伸張回路401でデータを復元してRAM104に格納する。このようにシリアルデータの圧縮伸張を行う点を除いては、第一の実施形態と同様にしてフラッシュメモリ書換え処理を行う。
このように、シリアル送信データの圧縮を行ってシリアル通信処理時間を短縮することによりタイミングに余裕が生ずるため、フラッシュメモリ書換えモード時にRAM104のアドレスバスが占有されるなどの制約でRAM104が使用できない状態が発生してもエラーを発生させずに対処することができる。
(第三の実施形態)
第二の実施形態のシリアル受信データの伸張回路401はソフトウェアで実現することも可能である。この場合は、マイクロコンピュータ101側の構成は第一の実施形態と同じにしてデータ伸張回路401に相当する処理をソフトウェアで行う。その際の書換え装置113側の構成は、第二の実施形態と同じでも、あるいは圧縮回路402に相当する処理をソフトウェアで行ってもよい。
図5は本発明の第三の実施形態に係るフラッシュメモリ書換え制御装置を用いたマイクロコンピュータに内蔵されるフラッシュメモリ書換え方法を示すフローチャートである。 図5においては、図2に示した第一の実施形態のフローチャートに対して、データ伸張回路401に相当する処理をソフトウェアで行うS501が追加されている。
このようにデータの圧縮伸張処理をソフトウェアで実現することで、装置構成における汎用性が増すとともに、マイクロコンピュータに伸張回路を内蔵することが不要になり、より安価な構成でフラッシュメモリ書換え機能を実現することができる。
本発明のマイクロコンピュータは、シリアル通信とフラッシュメモリ書換えが並列に実行されるため、マイクロコンピュータに内蔵されるフラッシュメモリの書換え処理時間を短縮することができ、簡略なインターフェイスによりユーザ回路を簡素化することができるという効果を有し、内蔵されるフラッシュメモリの書換え技術等として有用である。
本発明の第一の実施形態に係るフラッシュメモリ書換え制御装置を用いたマイクロコンピュータ内蔵フラッシュメモリの書換え方法を示すブロック図。 本発明の第一の実施形態に係るフラッシュメモリ書換え制御装置を用いたフラッシュメモリ書換え処理の手順を示すフローチャート。 本発明の第一の実施形態に係るフラッシュメモリ書換え制御装置を用いたフラッシュメモリ書換え処理のタイミングチャート。 本発明の第二の実施形態に係るフラッシュメモリ書換え制御装置を用いたマイクロコンピュータ内蔵フラッシュメモリの書換え方法を示すブロック図。 本発明の第三の実施形態に係るフラッシュメモリ書換え制御装置を用いたマイクロコンピュータ内蔵フラッシュメモリ書換え処理のタイミングチャート。 従来のフラッシュメモリ内蔵マイクロコンピュータにおけるフラッシュメモリの書換え方法を説明する図。 従来のフラッシュメモリ内蔵マイクロコンピュータにおけるフラッシュメモリ書換え処理のタイミングチャート
符号の説明
101、601 マイクロコントローラ
102、602 フラッシュメモリ
103、603 シリアル通信回路
104 RAM
105、604 バッファメモリ
106 制御部
107、605 ユーザ回路
108、606 シリアル通信信号
109、607 電源信号
110、610 接地(GND)信号
111、612 書換え装置のシリアル通信回路
112、613 フラッシュメモリ書換え用データ
113、614 書換え装置
301 規定コマンドの受信タイミング
302、701 フラッシュメモリ書換えデータの受信タイミング
303 RAMからバッファメモリへデータ転送タイミング
304、702 フラッシュメモリ書換え処理タイミング
401 シリアル受信データの伸張回路
402 シリアル送信データの圧縮回路
608、609 モード設定信号
611 リセット信号
S201〜S205、S501 処理ステップ

Claims (5)

  1. 内蔵されるフラッシュメモリの書換え機能を備えるマイクロコンピュータであって、前記マイクロコンピュータの外部からデータを受け取るシリアル通信部と、前記シリアル通信部が受け取ったデータを格納するRAMと、前記RAMから転送されるデータにより内容が更新されるバッファメモリと、前記バッファメモリに格納されたデータを用いて前記フラッシュメモリの書換えを実行し、前記フラッシュメモリの書換え実行中でないときにのみ前記バッファメモリの内容を更新する制御手段とを備えるマイクロコンピュータ。
  2. 前記シリアル通信部が外部からデータとして受け取る制御情報により前記フラッシュメモリが書換えモードに設定され、リセット動作により前記フラッシュメモリの書換え実行が起動される請求項1記載のマイクロコンピュータ。
  3. 前記制御部は、前記シリアル通信部が外部からデータを受け取り前記RAMに格納する動作と、前記フラッシュメモリの書換えとを並行して実行させる請求項1記載のマイクロコンピュータ。
  4. 前記シリアル通信部が外部から受け取るデータを伸張する伸張処理手段を備え、前記制御部は、前記シリアル通信部が外部から受け取るデータが圧縮処理されたデータである場合に、前記伸張処理機能を用いて伸張したデータを前記RAMに格納させる請求項1記載のマイクロコンピュータ。
  5. 請求項1から4のいずれかに記載のマイクロコンピュータを搭載した半導体装置。
JP2005010753A 2005-01-18 2005-01-18 マイクロコンピュータ Withdrawn JP2006201878A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005010753A JP2006201878A (ja) 2005-01-18 2005-01-18 マイクロコンピュータ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005010753A JP2006201878A (ja) 2005-01-18 2005-01-18 マイクロコンピュータ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006201878A true JP2006201878A (ja) 2006-08-03

Family

ID=36959845

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005010753A Withdrawn JP2006201878A (ja) 2005-01-18 2005-01-18 マイクロコンピュータ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006201878A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101023013B1 (ko) * 2009-03-19 2011-03-24 주식회사 에이텍 낸드 플래시 메모리 기반 파일시스템에서 데이터 저장방법
WO2020129324A1 (ja) * 2018-12-20 2020-06-25 Nttエレクトロニクス株式会社 モジュール及びこれを備える情報処理装置、並びにモジュールのプログラムデータを更新するプログラムデータ更新方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101023013B1 (ko) * 2009-03-19 2011-03-24 주식회사 에이텍 낸드 플래시 메모리 기반 파일시스템에서 데이터 저장방법
WO2020129324A1 (ja) * 2018-12-20 2020-06-25 Nttエレクトロニクス株式会社 モジュール及びこれを備える情報処理装置、並びにモジュールのプログラムデータを更新するプログラムデータ更新方法
JP2020101889A (ja) * 2018-12-20 2020-07-02 Nttエレクトロニクス株式会社 モジュール及びこれを備える情報処理装置、並びにモジュールのプログラムデータを更新するプログラムデータ更新方法
JP7281275B2 (ja) 2018-12-20 2023-05-25 Nttエレクトロニクス株式会社 モジュール及びこれを備える情報処理装置、並びにモジュールのプログラムデータを更新するプログラムデータ更新方法
US11853736B2 (en) 2018-12-20 2023-12-26 Ntt Electronics Corporation Module, information processing device equipped with same, and method for updating program data to update program data in module

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3252605B1 (en) Vehicle-mounted control device, program writing device, program generating device and program
EP3358465B1 (en) In-vehicle control device, program update system, and program update software
TWI715926B (zh) 在一儲存備份記憶體封裝中之韌體更新
US7007116B2 (en) Electronic apparatus and startup control method of storage device
JP4452690B2 (ja) 電子装置、その制御方法、ホスト装置及びその制御方法
JP2006004079A (ja) 記憶装置
US9449660B2 (en) Sampling circuit module, memory control circuit unit, and method for sampling data
KR100823175B1 (ko) 프로그램 성능을 향상시킬 수 있는 플래시 메모리 장치 및그것을 포함한 메모리 시스템
JP4791696B2 (ja) データ転送メモリ及びモジュール
US20080034151A1 (en) Programmable system-on-chip apparatus and method for updating firmware
US20170269870A1 (en) Memory controller, nonvolatile storage device, nonvolatile storage system, and memory control method
KR20160144734A (ko) 메모리 시스템 및 이의 동작 방법
JP2006190132A (ja) 制御プログラムダウンロード装置
JP4433311B2 (ja) 半導体記憶装置、電子機器及びモード設定方法
US20090037647A1 (en) Semiconductor memory card, method for controlling the same, and semiconductor memory system
JP2006201878A (ja) マイクロコンピュータ
US20080091902A1 (en) Memory card and method of updating memory card program
KR102114539B1 (ko) 반도체 기억장치 및 데이터 세팅 방법
KR20080100003A (ko) 비휘발성 반도체 메모리 장치 및 상기 비휘발성 반도체메모리 장치의 쓰기 방법
JP2007052558A (ja) フラッシュメモリ書換え装置、フラッシュメモリ書換え方法及びフラッシュメモリ書換えプログラム
US8537624B2 (en) Semiconductor memory device and method of operating the same
KR101249251B1 (ko) 플래시 메모리 컨트롤러
CN110383232B (zh) 具有序列处理单元的存储器控制系统
US9323516B2 (en) Electronic device system and electronic device
US8108663B2 (en) Micro controller and method of updating the same

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20080401