JP4414191B2 - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents

Description

本発明は半導体装置用リードフレームに係り、更に詳細には半導体素子搭載部のパッドがインナーリードの先端の位置よりも下方にディプレスされているＴＳＯＰタイプの半導体装置用リードフレームに関する。
ここで、ＴＳＯＰ（Ｔｈｉｎ Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）タイプの半導体装置用リードフレームとは、高さ、端子間隔が共に１．２７ｍｍ以下で、２辺から端子がでている表面実装型ＩＣパッケージに使用するリードフレームを指す。

半導体装置の高集積化に伴い、半導体素子は、大型化し、厚みも増大する傾向にあるが、半導体装置自体はよりいっそうの小形化、薄型化が要求されている。このため、ＴＳＯＰタイプと呼ばれる半導体装置に使用されるリードフレームが一般的に使用されるようになっている。
ＴＳＯＰタイプのリードフレームでは、実装状態でパッド上に搭載される半導体素子の上面と各インナーリードの先端とが同一平面上に位置するようにするため、パッドを支えるサポートバーの一部を押し曲げて各インナーリードの先端に対してパッドを所定の距離だけ下方へ変位させるためのディプレスが行われている。
これによって、高集積化のため厚みの増した半導体素子を搭載した場合でも、パッケージの厚みの増加を最小限に抑えることができる。また、半導体素子の接続端子とリードフレームとをできる限り同一平面内でワイヤ接続することができるようになるため、半導体素子周縁にワイヤが接触する、いわゆるエッジショートなどの接続不良を防止することが可能になる。

ここで、半導体素子をリードフレームの半導体素子搭載部に搭載する際には、パッドの全面に接着剤を塗布しているが、半導体素子の形状が大型化すると接着面積も大きくなり、パッドに均一な厚みの接着剤層を形成するために、半導体素子の裏面全体が一様に接着剤で濡れるように、接着剤を広げなければならない。
そのため、接着剤の塗布作業では、接着剤をパッドのほぼ全面に広げるために、半導体素子１個当たり、例えば、１５〜２５秒という長い時間を要するという問題が生じていた。また、接着剤の使用量もそれだけ多くなるという問題があった。

そこで、図５に示すように、枠体８０内のパッド８１を第１の搭載部８２と第２の搭載部８３に分割して、枠体８０内の左右両側にそれぞれ形成されているインナーリード部８４に接近させ、サポートバー８５を介して枠体８０の前後のサイドバー８６に固定する構成のリードフレーム８７が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
このような構成とすることにより、従来のように半導体素子８８の裏面とほぼ同じ面積を有するパッドの全面にわたって接着剤を塗布する場合に比べて、パッド８１の接着剤塗布面積が極めて小さくなって、接着剤の塗布作業の時間短縮を行うと共に、接着剤の使用量を節減できる。なお、符号８９は、第１の搭載部８２と第２の搭載部８３にそれぞれ設けられている貫通孔である。

特開２００１−１４４２４７号公報

ここで、第１の搭載部８２と第２の搭載部８３のサイズは搭載する半導体素子８８のサイズに応じて決定され、半導体素子８８のサイズが大きくなると第１の搭載部８２と第２の搭載部８３のサイズも大きくしていた。
しかし、半導体素子８８のサイズが大きくなるのに応じてリードフレーム８７の枠体８０のサイズを大きくすることには限界があるので、サイズの大きな半導体素子８８では枠体８０のサイズと半導体素子８８のサイズとの間に生じる余裕が小さくなる。このため、枠体８０の各サイドバー８６に第１の搭載部８２及び第２の搭載部８３を固定するサポートバー８５の長さが短くなる。
その結果、サポートバー８５内にディプレスにより十分な長さの折り曲げ部を確保することができず、各インナーリード部８４の先端に対して第１の搭載部８２及び第２の搭載部８３を所定の距離だけ下方へ変位させることが困難になるという問題が生じる。

本発明はかかる事情に鑑みてなされたもので、サポートバーの長さを確保しディプレスにより十分な長さの折り曲げ部を形成して大きなサイズの半導体素子の搭載を可能にするＴＳＯＰタイプの半導体装置用リードフレームを提供することを目的とする。

前記目的に沿う請求項１記載の半導体装置用リードフレームは、枠体の一部であって前後一対のサイドレール間に配置され、それぞれ複数のインナーリードを有して左右に対向配置された一対のリード群と、該一対のリード群の間にあって、前後の前記サイドレールにそれぞれサポートバーによって連結される複数のパッドを備える半導体素子搭載部とを備えた半導体装置用リードフレームにおいて、
前記各サポートバーは、前記リード群と前記パッドの隙間の前後部にそれぞれ形成され、更に、前記複数のパッドを一体化する連結部が設けられており、
しかも、前記各サポートバーには折り曲げ部が設けられ、前記複数のパッドの表面が前記各インナーリードの表面に対して下位置にある。

請求項２記載の半導体装置用リードフレームは、請求項１記載の半導体装置用リードフレームにおいて、前記サポートバーは、Ｌ字状に形成され、前記サイドレールに接続される長片に前記折り曲げ部が形成されている。

請求項３記載の半導体装置用リードフレームは、請求項１及び２記載の半導体装置用リードフレームにおいて、前記連結部は、前記パッドの肉厚より薄くなって、しかも、該連結部の表面は前記パッドの表面より下位置にある。

請求項４記載の半導体装置用リードフレームは、請求項１〜３記載の半導体装置用リードフレームにおいて、前記半導体素子搭載部は、左右の前記リード群にそれぞれ接近して配置される２つの前記パッドを有し、前記連結部は前記パッドの中央部を連結している。

請求項５記載の半導体装置用リードフレームは、請求項１〜３記載の半導体装置用リードフレームにおいて、前記半導体素子搭載部は、左右の前記リード群にそれぞれ接近して配置される２つの前記パッドを有し、前記連結部は前記パッドの前後両側をそれぞれ連結している。

請求項６記載の半導体装置用リードフレームは、請求項１〜３記載の半導体装置用リードフレームにおいて、前記半導体素子搭載部は、左右の前記リード群にそれぞれ接近して配置される２つの前記パッドを有し、前記連結部はＸ字状に形成され、その端部がそれぞれ前記パッドの前後両側に連結している。

請求項７記載の半導体装置用リードフレームは、請求項１〜３記載の半導体装置用リードフレームにおいて、前記半導体素子搭載部は、左右の前記リード群及び前記前後のサイドレールにそれぞれ近接して配置される４つの前記パッドを有し、前記連結部はＸ字状に形成され、その端部がそれぞれ前記パッドに連結している。

請求項１〜７記載の半導体装置用リードフレームは、各サポートバーは、リード群とパッドの隙間の前後部にそれぞれ形成されているので、サポートバーの長さを大きくしてディプレスによって十分な折り曲げ部を形成することができ、大きなサイズの半導体素子の搭載が可能になる。
更に、複数のパッドを一体化する連結部が設けられているので、各パッドが変形しにくくなって、半導体素子を搭載する際のパッドの安定性を向上することが可能になる。

そして、各サポートバーに折り曲げ部が設けられ、複数のパッドの表面が各インナーリードの表面に対して下位置にあるので、半導体素子の接続端子とインナーリードの先端とをできる限り同一平面内でワイヤ接続することができるようになり、半導体素子の接続端子とインナーリードとのワイヤ接続を容易に行うことが可能になる。

請求項２記載の半導体装置用リードフレームは、サポートバーがＬ字状に形成され、サイドレールに接続される長片に折り曲げ部が形成されているので、十分な長さの折り曲げ部を形成することが可能になる。

請求項３記載の半導体装置用リードフレームは、連結部はパッドの肉厚より薄くなって、しかも、連結部の表面はパッドの表面より下位置にあるので、封止樹脂により半導体素子をモールドした際に連結部上面と半導体素子下面との間に封止樹脂が入り込み、封止樹脂と半導体素子及びリードフレームとのロック効果を維持することが可能になると共に、モールドとの安定性を確保することが可能になる。

請求項４記載の半導体装置用リードフレームは、各パッドを連結する連結部がパッドの中央部に設けられているので、各パッドを一体化して変形しにくくしながら半導体素子の裏面側で露出する面積を十分に確保することができ、半導体素子と封止樹脂との間の接着性を向上させることが可能になる。

請求項５記載の半導体装置用リードフレームは、各パッドを連結する連結部が各パッドの前後両側にそれぞれ設けられているので、半導体素子の裏面側で露出する面積を確保しながら各パッドを一体化してより変形しにくくすることができ、半導体素子を搭載する際の安定性をより向上することが可能になる。

請求項６記載の半導体装置用リードフレームは、各パッド連結する連結部がＸ字状に形成され、その端部がそれぞれパッドの前後両側に連結しているので、各パッドを強固に一体化して更に変形しにくくすることができ、半導体素子を搭載する際のパッドの安定性を更に向上することが可能になる。

請求項７記載の半導体装置用リードフレームは、半導体素子搭載部は、左右のリード群及び前後のサイドレールにそれぞれ近接して配置される４つのパッドを有しているので、半導体素子の裏面側で露出する面積を更に広くすることができ、半導体素子と封止樹脂との間の接着性をより向上させることが可能になる。
また、連結部はＸ字状に形成され、その端部がそれぞれパッドに連結しているので、分散配置された各パッドを一体化することができ、半導体素子を搭載する際のパッドの安定性を維持することが可能になる。

続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発明の理解に供する。
ここで、図１（Ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置用リードフレームの平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＰ−Ｐ矢視断面図、図２は本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置用リードフレームの平面図、図３は本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置用リードフレームの平面図、図４は本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置用リードフレームの平面図である。

図１に示すように、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置用リードフレーム１０は、枠体１１の一部であって前後一対のサイドレール１２、１３間に配置され、それぞれ複数のインナーリード１４を有して左右に対向配置された一対のリード群１５、１６を備えている。更に、半導体装置用リードフレーム１０は、一対のリード群１５、１６の間にあって、前後のサイドレール１２、１３にそれぞれサポートバー１７によって連結される２つのパッド１８、１９を備える半導体素子搭載部２０を備えている。以下、これらについて詳細に説明する。
ここで、左右とは、図１（Ａ）に示す半導体装置用リードフレーム１０を見た際の左右を指す。また、前後とは、図１（Ａ）に示す半導体装置用リードフレーム１０を見た際の上下を指す。

枠体１１は、例えば、厚みが０．１〜０．２ｍｍの銅合金から形成されており、左右両側にリード群１５、１６が配置され、このリード群１５、１６に対して実質的に垂直（例えば、８９°〜９１°、好ましくは８９．５°〜９０．５°の範囲）にサイドレール１２、１３が配置されて構成されている。そして、枠体１１の内側には、リード群１５、１６にそれぞれ接近して、枠体１１の中央部に空間部２１が形成されるように、例えば、厚みが０．１〜０．２ｍｍの銅合金から形成された各パッド１８、１９が配置されている。
このように、枠体１１の内側に空間部２１を形成することにより、空間部２１の一方側から半導体素子をモールドする封止樹脂を流入させることができ、これに伴って空間部２１内にあった空気や封止樹脂から排出される溶剤ガスを空間部２１の他方側から排出させることができる。その結果、封止樹脂のモールドの際に高温に加熱されても空気の熱膨張による亀裂などが発生することが防止できる。
また、半導体素子を固定する接着剤を塗布する面積は、従来例のように半導体素子の裏面の全面積に塗布する場合に比べて、例えば、１／３〜１／４程度にすることができ、塗布時間及び接着剤の量も１／３〜１／４程度にすることができる。更に、半導体素子の裏面側で露出する面積を十分に確保することができ、半導体素子と封止樹脂との間の接着性を向上させることができる。

各サポートバー１７は、例えば、厚みが０．１〜０．２ｍｍの銅合金を用いて、リード群１５とリード群１５に接近して配置されるパッド１８との間に形成される隙間２２の前後部、及びリード群１６とリード群１６に接近して配置されるパッド１９との間に形成される隙間２３の前後部にそれぞれ形成されている。ここで、サポートバー１７はＬ字状に形成され、その短片２４はパッド１８、１９に接続され、その長片２５はサイドレール１２、１３に接続されている。更に、長片２５には折り曲げ部２６が形成されている。
このように、Ｌ字状のサポートバー１７を用いて各パッド１８、１９をサイドレール１２、１３で支持するようにすると、各パッドのサイドレールに対向する辺とサイドレールとの間に各サポートバーを設ける従来の構成と比較して、サポートバー１７の長さを長くすることができ、特に、Ｌ字状のサポートバー１７の長片２５に折り曲げ部２６を設けるようにすると、十分な長さの折り曲げ部２６を確保することができる。
その結果、各インナーリード１４の表面に対して各パッド１８、１９の表面を必要とする距離だけ下方へ変位させることができる。そして、各パッド１８、１９のリード群１５、１６に対向する辺に短片２４を接続するようにしても、短片２４を各インナーリード１４の先端に対して下方へ変位させて、半導体素子の接続端子とインナーリード１４とのワイヤ接続を支障なく行うことができる。

各パッド１８、１９の相互に対向する辺の中央部には、例えば、銅合金から形成された連結部２７が１つ設けられている。これによって、各パッド１８、１９を連結部２７を介して一体化することができ、各パッド１８、１９の剛性を高めて変形し難くすることができる。その結果、半導体素子を各パッド１８、１９に搭載した際にパッド１８、１９の安定性を高めることができる。
ここで、連結部２７は、各パッド１８、１９の肉厚より薄くなって（例えば、３０〜５０％減じられて）、しかも、連結部２７の表面は各パッド１８、１９の表面より下位置にある。このようにすることにより、半導体素子を各パッド１８、１９に搭載した際に、半導体素子の裏面側と連結部２７の上表面との間に隙間を形成することができる。その結果、封止樹脂をこの隙間に入り込ませて、封止樹脂と半導体素子及び各パッド１８、１９とのロック効果を高めることができる。

次に、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置用リードフレーム１０の製造方法について詳細に説明する。
半導体装置用リードフレーム１０は、例えば、エッチング加工により製造することができる。ここで、エッチング加工は、例えば、前処理工程、コーティング工程、焼付け工程、現像工程、エッチング工程、及び剥膜工程を有している。
前処理工程は、例えば、厚みが０．１〜０．２ｍｍ、幅が３０〜８０ｍｍの銅合金の金属短冊の両面を、アルカリ（例えば、水酸化ナトリウム）を用いて洗浄し、表面に付着している油脂を除去するアルカリ脱脂処理と、酸（例えば、塩酸）及びアルカリ（例えば、水酸化ナトリウム）を用いて、金属短冊の表面に生成している酸化皮膜を除去する酸化膜除去処理を有している。これによって、金属短冊の両面は非常に活性化される。このため、コーティング工程における不良率を低下させることができる。なお、アルカリ脱脂処理の代りに、電解質溶液中で金属短冊を電極として電気分解を行う電解脱脂処理を行ってもよい。

コーティング工程は、金属短冊の両面にレジスト材（例えば、ケイ皮酸系や環化ゴム系等の有機レジスト、重クロム酸系やジアゾ系等の水溶性）を塗布する工程である。これによって、金属短冊の上下表面にレジスト皮膜を形成することができる。なお、塗布方法としては、浸漬法、回転法、スプレー法、ローラー法等が使用できる。
焼付け工程は、枠体１１の一部であって前後一対のサイドレール１２、１３間に配置され、それぞれ複数のインナーリード１４を有して左右に対向配置された一対のリード群１５、１６と、一対のリード群１５、１６の間にあって、前後のサイドレール１２、１３にそれぞれサポートバー１７によって連結される２つのパッド１８、１９を備える半導体素子搭載部２０と、各パッド１８、１９の中央部を連結する連結部２７を備えたワーキングパターンを、紫外線を用いて金属短冊の上下表面に形成された各レジスト皮膜に焼き付ける工程である。これによって、紫外線が露光した部分（焼き付けられた部分）のレジスト皮膜を硬化させることができる。
なお、連結部２７のパターンを焼き付ける際には、一面側には紫外線が当らないようにマスクを設けて露光を行う。

現像工程は、各レジスト皮膜を水により洗浄して、ワーキングパターンの焼付けによる未露光部分を金属短冊から除去する工程である。ここで、洗浄後、残ったレジスト皮膜の部分を、例えば加熱して更に硬化させる処理も併せて行う。なお、連結部２７の一面側のレジスト皮膜は硬化していないので、現像工程でレジスト皮膜は除去されて、金属帯の表面が露出している。
エッチング工程は、エッチング剤（例えば、塩化第２鉄）を金属短冊の両面と接触させて、金属表面が露出している部分（未露光部分）を腐食させて除去する工程である。これによって、金属短冊からワーキングパターンに相当する形状を形成することができる。
ここで、連結部２７は、一面側から腐食を受けるので、各パッド１８、１９に対してその厚みが、例えば、３０〜５０％減じられて形成される。なお、連結部２７の厚みは、例えば、エッチング剤の濃度や接触の状態等を調整することにより調整できる。
剥膜工程は、エッチング工程終了後の金属短冊を、例えば、アルカリ溶液中に浸漬して硬化したレジスト皮膜を除去する工程である。これによって、金属短冊から半導体装置用リードフレーム１０を取り出すことができる。

図２に示すように、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置用リードフレーム２８は、第１の実施の形態に係る半導体装置用リードフレーム１０と比較して、半導体素子搭載部２９は２つのパッド３０、３１を有し、各パッド３０、３１は２つの連結部３２、３３で連結されていることが特徴となっている。このため、これらの特徴部分についてのみ説明し、第１の実施の形態に係る半導体装置用リードフレーム１０と同一の構成部材には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
各パッド３０、３１は、例えば、厚みが０．１〜０．２ｍｍの銅合金から形成され、左右のリード群１５、１６にそれぞれ接近して配置されている。そして、各パッド３０、３１の前後両側にはそれぞれ連結部３２、３３が設けられている。ここで、前後とは、図２に示す半導体装置用リードフレーム２８を見た際の上下を指す。また、左右とは、図２に示す半導体装置用リードフレーム２８を見た際の左右を指す。
このため、各パッド３０、３１を更に強固に一体化することができ、各パッド３０、３１の剛性を更に高めて変形し難くすることができる。その結果、半導体素子を各パッド３０、３１に搭載した際に更に各パッド３０、３１安定性を高めることができる。

ここで、各連結部３２、３３は各パッド３０、３１に対してその厚みが、例えば、３０〜５０％減じられて形成されている。このようにすることにより、半導体素子を各パッド３０、３１に搭載した際に、半導体素子の裏面側と各連結部３２、３３の上表面との間に隙間を形成することができる。その結果、封止樹脂をこの隙間に入り込ませて、封止樹脂と半導体素子及び各パッド３０、３１とのロック効果を更に高めることができる。
また、半導体装置用リードフレーム２８は、半導体装置用リードフレーム１０と同様にエッチング加工により製造することができるので、半導体装置用リードフレーム２８の製造方法についての説明は省略する。

図３に示すように、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置用リードフレーム３４は、第１の実施の形態に係る半導体装置用リードフレーム１０と比較して、半導体素子搭載部３５が２つのパッド３６、３７を有し、連結部３８がＸ字状に形成されいることが特徴となっている。このため、これらの特徴部分についてのみ説明し、第１の実施の形態に係る半導体装置用リードフレーム１０と同一の構成部材には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
各パッド３６、３７は、例えば、厚みが０．１〜０．２ｍｍの銅合金から形成され、左右のリード群１５、１６にそれぞれ接近して配置されている。そして、連結部３８はＸ字状に形成されてその端部がそれぞれ各パッド３６、３７の前後両側に連結している。また、連結部３８は、その中央部と空間部２１の中央部とが一致するように配置されている。
ここで、前後とは、図３に示す半導体装置用リードフレーム３４を見た際の上下を指す。また、左右とは、図３に示す半導体装置用リードフレーム３４を見た際の左右を指す。
このため、各パッド３６、３７を更に強固に一体化することができ、各パッド３６、３７の剛性を更に高めて変形し難くすることができる。その結果、半導体素子を各パッド３６、３７に搭載した際に各パッド３６、３７の安定性を更に高めることができる。

ここで、連結部３８は各パッド３６、３７に対してその厚みが、例えば、３０〜５０％減じられて形成されている。このようにすることにより、半導体素子を各パッド３６、３７に搭載した際に、半導体素子の裏面側と連結部３８の上表面との間に隙間を形成することができる。その結果、封止樹脂をこの隙間に入り込ませて、封止樹脂と半導体素子及び各パッド３６、３７とのロック効果を更に高めることができる。
また、半導体装置用リードフレーム３４は、半導体装置用リードフレーム１０と同様にエッチング加工により製造することができるので、半導体装置用リードフレーム３４の製造方法についての説明は省略する。

図４に示すように、本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置用リードフレーム３９は、第１の実施の形態に係る半導体装置用リードフレーム１０と比較して、半導体素子搭載部４０は４つのパッド４１〜４４を有し、連結部４５がＸ字状に形成されてその端部がそれぞれ各パッド４１〜４４に連結していることが特徴となっている。このため、これらの特徴部分についてのみ説明し、第１の実施の形態に係る半導体装置用リードフレーム１０と同一の構成部材には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
各パッド４１〜４４は、例えば、厚みが０．１〜０．２ｍｍの銅合金から形成され、左右のリード群１５、１６及び前後のサイドレール１２、１３にそれぞれ近接して配置されている。そして、連結部４５がＸ字状に形成されてその端部がそれぞれ各パッド４１〜４４に連結している。また、連結部４５は、その中央部と空間部２１の中央部とが一致するように配置されている。ここで、前後とは、図４に示す半導体装置用リードフレーム３９を見た際の上下を指す。また、左右とは、図４に示す半導体装置用リードフレーム３９を見た際の左右を指す。
このため、分散配置された各パッド４１〜４４を強固に一体化することができ、各パッド４１〜４４の剛性を更に高めて変形し難くすることができる。その結果、半導体素子を各パッド４１〜４４に搭載した際に各パッド４１〜４４の安定性を高めることができる。

このような構成とすることにより、半導体素子を固定する接着剤を塗布する面積は、従来例のように半導体素子の裏面の全面積に塗布する場合に比べて、例えば、１／１０〜１／２０程度にすることができ、塗布時間及び接着剤の量も１／１０〜１／２０程度にすることができる。更に、半導体素子の裏面側で露出する面積を非常に広く確保することができ、半導体素子と封止樹脂との間の接着性をより向上させることができる。
また、連結部４５は各パッド４１〜４４に対してその厚みが、例えば、３０〜５０％減じられて形成されている。このようにすることにより、半導体素子を各パッド４１〜４４に搭載した際に、半導体素子の裏面側と連結部４５の上表面との間に隙間を形成することができる。その結果、封止樹脂をこの隙間に入り込ませて、封止樹脂と半導体素子及び各パッド４１〜４４とのロック効果を更に高めることができる。

以上、本発明の実施の形態を説明したが、本発明は、この実施の形態に限定されるものではなく、発明の要旨を変更しない範囲での変更は可能であり、前記したそれぞれの実施の形態や変形例の一部又は全部を組み合わせて本発明の半導体装置用リードフレームを構成する場合も本発明の権利範囲に含まれる。
例えば、各パッドの面積は、全て同一の面積としてもよいし、配置される位置によりそれぞれ面積を変えるようにしてもよい。
２つのパッドを左右のリード群にそれぞれ接近して配置した場合、連結部を各パッドの中央部に１つ、又は各パッドの前後両側にそれぞれ１つずつ設けたが、パッドの大きさに応じて隙間を開けて３つ以上設けるようにしてもよい。また、複数の連結部を設けた場合、隣り合う連結部同士を別の連結部で連結するようにしてもよい。これによって、各パッドの剛性を更に高めることができる。
左右のリード群及び前後のサイドレールにそれぞれ近接させて４つのパッドを配置する場合、隣り合う各パッド間にすべて連結部を設けてもよい。これによって、分散配置される各パッドの剛性をより高めることができる。

（Ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置用リードフレームの平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＰ−Ｐ矢視断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置用リードフレームの平面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置用リードフレームの平面図である。 本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置用リードフレームの平面図である。 従来例に係る半導体装置用リードフレームの平面図である。

１０：半導体装置用リードフレーム、１１：枠体、１２、１３：サイドレール、１４：インナーリード、１５、１６：リード群、１７：サポートバー、１８、１９：パッド、２０：半導体素子搭載部、２１：空間部、２２、２３：隙間、２４：短片、２５：長片、２６：折り曲げ部、２７：連結部、２８：半導体装置用リードフレーム、２９：半導体素子搭載部、３０、３１：パッド、３２、３３：連結部、３４：半導体装置用リードフレーム、３５：半導体素子搭載部、３６、３７：パッド、３８：連結部、３９：半導体装置用リードフレーム、４０：半導体素子搭載部、４１〜４４：パッド、４５：連結部

Claims (7)

1. 枠体の一部であって前後一対のサイドレール間に配置され、それぞれ複数のインナーリードを有して左右に対向配置された一対のリード群と、該一対のリード群の間にあって、前後の前記サイドレールにそれぞれサポートバーによって連結される複数のパッドを備える半導体素子搭載部とを備えた半導体装置用リードフレームにおいて、
   前記各サポートバーは、前記リード群と前記パッドの隙間の前後部にそれぞれ形成され、更に、前記複数のパッドを一体化する連結部が設けられており、
   しかも、前記各サポートバーには折り曲げ部が設けられ、前記複数のパッドの表面が前記各インナーリードの表面に対して下位置にあることを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
2. 請求項１記載の半導体装置用リードフレームにおいて、前記サポートバーは、Ｌ字状に形成され、前記サイドレールに接続される長片に前記折り曲げ部が形成されていることを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
3. 請求項１及び２のいずれか１項に記載の半導体装置用リードフレームにおいて、前記連結部は、前記パッドの肉厚より薄くなって、しかも、該連結部の表面は前記パッドの表面より下位置にあることを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
4. 請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置用リードフレームにおいて、前記半導体素子搭載部は、左右の前記リード群にそれぞれ接近して配置される２つの前記パッドを有し、前記連結部は前記パッドの中央部を連結していることを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
5. 請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置用リードフレームにおいて、前記半導体素子搭載部は、左右の前記リード群にそれぞれ接近して配置される２つの前記パッドを有し、前記連結部は前記パッドの前後両側をそれぞれ連結していることを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
6. 請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置用リードフレームにおいて、前記半導体素子搭載部は、左右の前記リード群にそれぞれ接近して配置される２つの前記パッドを有し、前記連結部はＸ字状に形成され、その端部がそれぞれ前記パッドの前後両側に連結していることを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
7. 請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置用リードフレームにおいて、前記半導体素子搭載部は、左右の前記リード群及び前記前後のサイドレールにそれぞれ近接して配置される４つの前記パッドを有し、前記連結部はＸ字状に形成され、その端部がそれぞれ前記パッドに連結していることを特徴とする半導体装置用リードフレーム。

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