JP4305199B2 - 半導体装置用基板の製造方法 - Google Patents
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ラツキによりボンディングが安定し難いという問題を有している。
ナーリードパターンと前記貫通孔上に形成するはんだボール用パッドのレジストパターンを形成する工程と、次に、エッチング液をスプレーで吹き付けることにより前記レジストパターンから露出した前記金属箔をエッチングし次に前記レジストパターンを剥離することで、先端に延伸部を有するインナーリードと前記貫通孔上のはんだボール用パッドとを形成する工程と、次に、前記延伸部を除去するための第2のレジストパターンを形成する工程と、次に、エッチング液をスプレーで吹き付けることにより前記第2のレジストパターンから露出した前記延伸部をエッチングし次に前記第2のレジストパターンを剥離することで、前記延伸部を除去するとともに、端の半導体素子接続端子の幅をリード幅と同一幅で形成し、前記半導体素子接続端子の先端部の2つの角を直角に形成したインナーリードを形成する工程と、次に、前記インナーリード上に前記半導体素子接続端子を除く領域にソルダーレジストパターンを形成する工程と、前記ソルダーレジストパターンをめっきマスクにしてめっきを施すことで、金、ニッケル、白金、パラジウム、ロジウム、銀及び錫からなる群から選ばれる少なくとも1種の金属層で前記半導体素子接続端子と、前記貫通孔の下から露出する前記はんだボール用パッドの面を覆う工程と、を有することを特徴とする半導体装置用基板の製造方法としたものである。
伸部25を有するインナーリード22を形成した(図5(e)参照)。
ン長さにしてある。
12……接着剤層
13……スプロケットホール
14……貫通孔
15……デバイスホール
21……銅箔
22、22a……インナーリード
22b……半導体素子接続端子
22b’、22b’’……金属層で覆われた半導体素子接続端子
23、23a……半田ボール用パッド
23a’……金属層で覆われた半田ボール用パッド
24……配線パターン
25……延伸部
31、32……レジストパターン
41……ソルダーレジストパターン
51……金属層
100、200……半導体装置用基板
Claims (1)
- 片面に接着剤層を有する絶縁性樹脂フィルムにはんだボール形成用貫通孔を形成する工程と、前記絶縁性樹脂の前記接着剤層に銅箔をラミネートする工程と、前記金属箔表面に、先端部に延伸部を見込んだパターン長さのインナーリードパターンと前記貫通孔上に形成するはんだボール用パッドのレジストパターンを形成する工程と、次に、エッチング液をスプレーで吹き付けることにより前記レジストパターンから露出した前記金属箔をエッチングし次に前記レジストパターンを剥離することで、先端に延伸部を有するインナーリードと前記貫通孔上のはんだボール用パッドとを形成する工程と、次に、前記延伸部を除去するための第2のレジストパターンを形成する工程と、次に、エッチング液をスプレーで吹き付けることにより前記第2のレジストパターンから露出した前記延伸部をエッチングし次に前記第2のレジストパターンを剥離することで、前記延伸部を除去するとともに、端の半導体素子接続端子の幅をリード幅と同一幅で形成し、前記半導体素子接続端子の先端部の2つの角を直角に形成したインナーリードを形成する工程と、次に、前記インナーリード上に前記半導体素子接続端子を除く領域にソルダーレジストパターンを形成する工程と、前記ソルダーレジストパターンをめっきマスクにしてめっきを施すことで、金、ニッケル、白金、パラジウム、ロジウム、銀及び錫からなる群から選ばれる少なくとも1種の金属層で前記半導体素子接続端子と、前記貫通孔の下から露出する前記はんだボール用パッドの面を覆う工程と、を有することを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。
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