JP4405126B2 - 固体コンデンサおよび固体コンデンサを製造する方法 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 148
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 89
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 14
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 11
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 7
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 4
- 230000003796 beauty Effects 0.000 claims 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 21
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- RRZKHZBOZDIQJG-UHFFFAOYSA-N azane;manganese Chemical compound N.[Mn] RRZKHZBOZDIQJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910000978 Pb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000007962 solid dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/15—Solid electrolytic capacitors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
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- Ceramic Capacitors (AREA)
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Description
本発明は、固体コンデンサの分野に関する。本発明は、特に、粉末成形された弁作用金属がコンデンサの高度に多孔性のアノード・ボディ部分即ち陽極体部分を形成し、電気的に絶縁する誘電体層がそのアノード・ボディの多孔性の構造体を通して形成され、導電カソード層即ち導電陰極層が誘電体層に形成され、その層が次にカソード端子即ち陰極端子に電気的に接続され、アノード・ボディがアノード端子に電気的に接続されている型のコンデンサに関する。
【0002】
米国特許明細書第5,357,399号(Salisbury)は、タンタルの基板に焼結された多孔性のタンタル層から複数の上記コンデンサを同時に製造するための方法を記述している。上記層は、機械加工されて各コンデンサのアノード・ボディ部分を形成する。処理後、処理されたアノード・ボディの上端にトップ・プレート(基板リッド即ち基板ふた)が結合される。プレートはリッド即ちふたを形成し、それは基板/アノード・ボディ/プレートのサンドイッチの機械加工の後、各コンデンサのカソード端子となる。英国特許出願第982444.9号は、Salisburyの方法の修正技術に関し、各コンデンサのカソード端子として基板リッドの必要性を取り除くことによって、作られるコンデンサの容積効率が最適化され、それにより、比容量性体積を増加させている。
【0003】
上記方法によって、非常に小さいが非常に効率の良いコンデンサを製造することができる。しかし、部品の小型化に向けての電子回路基板設計および該基板を組み立て易くすることへの絶えざる圧力が、回路基板上の体積効率の改善されたコンデンサおよび縮小された部品ウィンドウ(すなわち、フートプリント)のコンデンサに対する絶えざる需要を維持している。特に、回路基板でのプロファイルの低い、場合によっては1mm未満の厚さのコンデンサを製造する方法に対する要求がある。
【0004】
本発明の目的は、改善されたコンデンサおよびこのようなコンデンサの製造についての改善された方法を提供することである。
【0005】
本発明1つの観点によれば、固体コンデンサを製造する方法が提供される。該方法は、導電基板を提供する段階と、基板の表面に弁作用金属を含み、上面がそれぞれ基板に対して遠位側にある複数の多孔性のボディ即ち体部を形成する段階と、ボディに電気的絶縁層を形成する段階と、ボディに塗布された絶縁層に導電カソード層を形成する段階と、基板を各部分がボディおよび基板の一部分を含むコンデンサ部分に分割する段階とを含み、基板から遠位にある各ボディ部分の端の領域がその端の領域の他のものに対して局所的に持ち上げられているプラットホームを備え、そのプラットホームが最終のコンデンサにおけるカソード端子部分を提供し、基板部分がアノード部分を提供する。
【0006】
プラットホームはそのボディ即ち体部が作られている多孔性の弁作用材料を含むか、あるいはそれから構成することができる。この場合、そのプラットホームはボディをプラットホームと一体に焼結前または焼結後に形成することによって形成することができる。プラットホームはボディの圧粉体成形によって形成されることが好ましい。
【0007】
他の方法としては、プラットホームは焼結されたボディの機械加工によって形成することができる。さらにもう1つの方法においては、プラットホームは予備成形されたボディにプラットホームを圧粉体成形することによって形成される。
【0008】
本発明のもう1つの見地によれば、プラットホームは固体の導電性材料を含む。この場合、プラットホームは、ボディの上端領域に平坦なフレームまたは格子として塗布されることができ、そのフレームまたは格子は引き続いてそれぞれのボディに対する個々のプラットホームに形成される。
【0009】
さらにもう1つの見地によれば、プラットホームは、そのプラットホームを形成するために凝固させるコーティング即ち被覆またはペーストとして塗布された導電性材料から形成される。
【0010】
本発明の方法は、ほとんど常に各コンデンサのボディ部分をさらに保護絶縁材料で封止し、基板の外側の表面部分およびプラットホームの外側の表面部分を露出させたままに残すことになる。
【0011】
アノードおよびカソードの極をコンデンサの共通の面または共通の側面に備えたコンデンサを形成することが望ましい場合がある。したがって、本発明のさらにもう1つの見地においては、導電ブリッジが各コンデンサに塗布され、アノード端子サイト即ちアノード端子部分を、少なくとも封止層の一部分に延在させる。導電ブリッジが塗布される封止層の部分は、カソード・サイト即ちカソード部分のプラットホームに隣接している領域を含むことが好ましく、それにより、そのコンデンサと接触するアノードおよびカソードの電極端子を、そのプラットホームおよび封止された領域に対応している端子において各コンデンサの共通側に作ることができる。導電ブリッジは、エンド・キャップをそのコンデンサの基板側およびそのコンデンサのプラットホーム側の封止された部分に重なっているコンデンサ部分の側壁に塗布することによって形成することができる。1つの好ましい構造においては、導電ブリッジは向かい合っている側壁に塗布された2つのエンド・キヤップを含み、それにより、2つのアノード端子接点を形成し、1つはコンデンサの側にあって、そのコンデンサのプラットホーム側と重なっている。
【0012】
通常、プラットホームは直線、円形、または楕円形のタブまたは段の形状を取り、普通は、そのプラットホームが各ボディの基板‐遠位端において一般に中央に置かれている。1つの実施例においては、そのプラットホームは各ボディの基板‐遠位端の1つの側の領域に置かれる。
【0013】
本発明のもう1つの見地においては、2つ以上の局所的に高くされたプラットホームが各アノード・ボディの遠位端に形成され、それにより、各ボディに2つ以上のカソード端子を形成する。
【0014】
一般に、ボディは行と列のアレイ即ち配列で基板に配置され、その分割は、当業者なら従来どおりであるように行および列に沿っての切断を含む。
【0015】
最後の処理段階は普通は端末プロセスである。これは各プラットホームのカソード端子サイト即ちカソード端子部分およびカソード端子サイト即ちカソード端子部分に、はんだ付けに適合するコーティング即ち被覆を行う。端末プロセスは導電性ペーストによる各端子接触面の液体コーティングを含むことができ、そのコーティングを凝固させることができる。さらに、あるいは代わりに、終端処理はそれぞれの端子サイトに金属あるいは複数の金属層を形成するための金属のメッキを含む。
【0016】
また、本発明の目的は、本発明の方法に従って製造することができる構造的に新しく発明性のあるコンデンサを提供することでもある。
【0017】
したがって、さらにもう1つの見地によれば、本発明は、固体コンデンサを提供する。該コンデンサは、導電基板部材と、基板部材の表面に設けられた弁作用金属を含む多孔性のボディ即ち体部と、カソードおよびアノードの自由表面に形成された電気的絶縁層と、アノード・ボディとカソード・ボディにある電気的絶縁層に形成された導電カソード層とを含み、ボディは基板に対して遠位側の上面を有し、基板の表面がボディの隣接している上面に対して局所的に高くされたプラットホームで形成され、局所的に高くされた部分がカソード端子サイトを提供し、基板がアノード端子サイトを提供する。
【0018】
ボディは保護絶縁材料のスリーブによって封止され、基板の外側の面の部分をアノード側として残し、プラットホームの外側の面の一部分をカソード側として残すことが好ましい。
【0019】
導電ブリッジをアノード・サイトからボディの封止された面の部分までの間に延長することができ、それにより、封止されたボディ部分にアノード端子の延長接点を形成することができる。アノード端子接点が形成される封止された表面部分は、プラットホームに対応しているカソード側に隣接して置かれていることが好ましく、それにより、プリント基板に対するアノードおよびカソードの端子接点の両方をそのコンデンサの共通の側に作ることができる。
【0020】
導電ブリッジは各コンデンサの1つの側に塗布される1つまたはそれ以上の導電エンド・キャップを含むことができる。そのキャップを液体の導電性ペーストのコーティングとして、例えば、浸せきによって塗布することができる。
【0021】
高くされたプラットホームの部分を基板に多孔性のボディのモールディング即ち成形によって形成することができる。そのモールディングは雌のダイ即ち金型とパンチの構成によるプレスを含むことができる。他の方法としては、あるいは追加として、高くされた部分をプリフォームされた即ち予備成形されたボディの機械加工によって形成することができる。
【0022】
1つの好適な実施例においては、各ボディは一般に平坦な上面を有し、高くされた部分はその表面上の段の形状を取る。その段を上面のほぼ中央に置くことができる。他の方法としては、その段を上面の1つの側の領域に置くことができる。
【0023】
この方法は、露出されたアノードおよびカソードの端子接点に対する終端処理を提供する段階をさらに含み、その処理によって電気回路とのそのコンデンサのはんだ付けによる電気接続を容易にすることができる。
【0024】
通常、ボディは基板に行および列のアレイ即ち配列で配置され、その分割は行および列に沿っての切断を含む。
【0025】
終端処理は、導電性ペーストによる各端子接点面の液体コーティングを含むことができ、それにより、コーティングを凝固させることができる。終端処理は各凝固されたコーティングへの電解メッキ、スパッタ・コーティングまたは気相蒸着をさらに含み、それぞれの端子の金属材料の層を形成する。
【0026】
上記方法はコンデンサの端子部分に終端手段を提供する段階を含むことができ、それにより、電気回路に対するアノードおよびカソードのボディの電気接続を容易化することができる。
【0027】
アノードのボディは行および列の形式で基板に配置することができ、分割はコンデンサを分離するために行および列に沿っての切断を含むことができる。その切断は基板の面に対して垂直であるか、あるいは実質的に垂直である面または複数の面によって実行されることが好ましい。切断は、例えば、研削砥石による研削を含むことができる。
【0028】
コンデンサのボディを基板に塗布された多孔性の弁作用材料のプリフォーム層即ち予備成形層からそれぞれ形成することができる。プリフォーム層を機械加工してボディを形成することができる。
【0029】
分割の前に、ボディの側壁を封止するためにボディ間に浸透する保護絶縁材料で基板を処理することが好ましい。分割のプロセスは保護材料で充填されたチャネルに沿っての切断を含み、それにより、各アノードおよび各カソード部分のカソード・ボディの回りの保護材料の側壁を残す。また、絶縁材料は高くされた部分以外に、ボディの上面もカバーすることが好ましい。他の方法としては、封止材料によってボディを完全にカバーすることができる。この場合、封止材料のトップ層が除去され(例えば、機械加工によって)、プラットホームのカソード側を露出させる。
【0030】
保護材料は液体として浸透し、後で凝固させることができる樹脂材料であってよい。1つの適切な材料はエポキシ樹脂である。
【0031】
終端コーティングはキャリヤ・マトリックスの内部に導電性粒子の固体散布を含む材料の層を含むことができる。終端コーティングはニッケルや錫などの金属メッキ層をさらに含むことができる。
【0032】
好適には、共通のサイド端子を有するコンデンサのそれぞれの露出された端子サイトは、一般に同一平面にあり、したがって、平坦な面に接触しているカソード端子およびアノード端子によって平坦面にコンデンサを立てて置くことができる。これによってコンデンサは回路基板に配置するか、あるいは取り付けるために非常によく適合することができる。
【0033】
アノード端子ボディおよびアノード・ボディはそれぞれ基板に塗布された多孔性の弁作用材料のプリフォーム層から形成することができる。そのプリフォームは基板に弁作用金属粉末およびバインダ/潤滑剤の焼結されていない混合物を置くことによって塗布することができる。未燒結混合物を次に焼結させて粉末を溶融させて固体の高度に多孔性のプリフォームにし、結合材/潤滑剤が焼結前のボディから、バインダを洗浄/分解することによって、除去される。
【0034】
プリフォーム層を機械加工してアノード端子ボディおよびアノード・ボディを形成することができる。通常、研削切断の径路に対応している「ストリート」によって隔てられている基板上のアノードおよびカソードの直線的なボディの網目構造を作り出すために、長手方向および横方向の研削切断を採用することができる。もちろん、必要に応じて、従来の機械加工技法により、より複雑な形状を作り出すことができる。
【0035】
絶縁層は、例えば、必要な厚さおよび完全性の酸化物を徐々にビルドアップ即ち積層するための、従来の陽極酸化技法によって塗布された弁作用金属の酸化物の誘電体層であってよい。弁作用層がタンタルである1つの例においては、五酸化タンタルの層がボディにビルドアップされる。
【0036】
カソード層はアノードおよびカソードのボディを先駆物質溶液、例えば、窒化マンガン溶液の中に浸せきすることによって塗布することができる。ボディに形成された窒化マンガンの層を加熱して、窒化物を酸化して二酸化マンガンにすることができる。最適のカソード層をビルドアップするために浸せき段階を繰り返す必要があり得る。
【0037】
分離切断は、通常、各コンデンサのアノードおよびカソードの端子の部分をブリッジしているすべてのカソード層材料を除去するために実行される。これはカソード層を通って、不可避的に絶縁層も通って延在している個々のボディを分離しているチャネルに沿っての機械加工の切断によって、基板上でコンデンサが分割されないように都合よく行うことができる。切断のプロセスを回避するために、カソード層が塗布される前にアノードとカソードのボディの間の基板の領域にマスキングのレジスト層を置くことができる。そのマスキング・レジストを後で除去する際、望ましくない過剰なカソード層材料も除去される。
【0038】
通常、端末プロセスは導電性カーボン・ペーストの第1の層の塗布を含み、それは次に硬化される。次に、導電性銀ペーストの第2の層が塗布され、硬化される。金属メッキの層を、例えば、電着によってさらに塗布することができる。通常、ニッケルおよび錫の層;錫/鉛合金の層;または金の層が塗布される。これは電気接続のためのはんだ付けに適合する表面を提供する。
【0039】
基板の分割は機械加工によって、例えば、研削切断によって行うことができる。必要な場合、剛性の裏打ちサポートを基板に対して設け、コンデンサに損傷を与えずに切断することができるように必要な構造的剛性を設けることができる。
【0040】
コンデンサが作られる材料は、通常、弁作用金属、特にタンタルである。しかし、他の弁作用材料が本発明から除外されるということではなく、これらは本発明における使用に適しているとして当業者が認める金属酸化物材料または他の材料を含むことができる。
【0041】
本発明を有効に実施する方法についての添付の図面を参照しながら以下に記述するが、これは単なる例示としてのものにすぎない。
【0042】
(第1の実施例)
固体の基板、例えば、厚さ0.25mmのタンタルのウェハ10が図1に示されている。基板の上面9は粒状のタンタル(図示せず)でカバーされている。粒状のタンタルは焼結によって溶融されてタンタルのウェハとなり、それにより、シード層(図示せず)を形成する。タンタルの粉末と結合材即ちバインダ/潤滑剤との従来の混合物がシード層にプレスされる。シード層は機械的なキーを提供し、(未焼結の)圧粉体と基板との間の結合を強化する。次に、圧粉体混合物が焼結されて、溶融されたタンタル粉末粒子の高度に多孔性のマトリックスの相互接続を形成する。バインダは焼結プロセスの間に焼き払われる。これによって固体のウェハ上に多孔性のタンタルの一様な層が残る。
【0043】
多孔性の層の混合物が行11および列(図示せず)の中のチャネルの直交パターンを形成するために機械加工される。この効果は基板に直立している直線的なボディ15のアレイ即ち配列を作ることである。ボディ15は最終のコンデンサにおける容量性のバルクを形成することになり、したがって、以下においてはアノード・ボディと記載する。ボディは各ボディの上面の領域16に段17を形成するためにさらに機械加工される。その段は作られる各コンデンサにおけるカソード端子を形成することになる細長い1つの特徴部分である。その段は他の方法、例えば、未燒結の流動性のプリフォームのプレス/モールドなどによって作ることができるが、この実施例では機械加工が説明される。
【0044】
基板および直立しているボディ15のアレイ即ち配列が次に従来の陽極酸化処理を受け、それにより、基板のタンタルの上および粉末成形されたボディの多孔性の網目構造を通じて五酸化タンタルの薄い誘電体層(図示せず)が形成される。陽極酸化は必要な深さと完全性の誘電体層をビルドアップ即ち積層するために数回繰り返される場合がある。誘電体層は最終デバイスにおけるコンデンサを提供するために電気的絶縁層を形成する。
【0045】
次に、基板10およびボディ15は窒化マンガンのカソード層形成溶液で被覆される。その溶液は多孔性の網目構造の中に入り込み、絶縁層の上に窒化マンガンの層を形成する。窒化マンガンは酸素を含む雰囲気の中で加熱され、それが窒化マンガンを酸化し、二酸化マンガンを形成する。必要な厚さおよび完全性の導電層をビルドアップさせるために、コーティングおよび加熱のプロセスを繰り返すことができる。二酸化マンガンの層は導電性であり、最終のコンデンサの中のカソード端子との電気的接触を提供する層を提供する。
【0046】
カーボンおよび銀のペースト(図3において38として示されている)のそれぞれの層が一般的に段17の露出された上端およびボディに塗布される。これらの層は、最終コンデンサ上にカソード端子を形成するための良好な電気的接触を設ける。
【0047】
エポキシ樹脂の液体が行および列の中に浸透し、基板上のボディ間の空間を占める。段の上端の下に樹脂を拘束するために、段17に並置されているボディの上端にリッド(図示せず)が置かれる。樹脂は各ボディの上面16に流れることができるが、段17をカバーする即ち被覆することは阻止される。樹脂は固まることができ、リッド層が除去されて、図1Bに示されている構造体が作られ、その中で樹脂が18として示されている。
【0048】
ここで基板が図2に示されているように分割され、複数の個々のコンデンサ部分が提供される。その分割は細かい研削砥石20の線形アレイの手段によって行われる。各切断は各行11の中心線に沿って行われる。ただし、平面に対して垂直の面は基板によって占められる。各列の切断は同様に列の中心線に従う。
【0049】
切断が完了すると、複数の未完成のコンデンサ・ボディが残され、そのうちの1つ34が図3に示されている。図3Aは、未完成のコンデンサの上面図であり、コンデンサの切断された基板の部分35を単純に示している。図3Bは、線A―A’に沿った断面の側面図である。カソード・ボディ15は樹脂材料37のスリーブによって囲まれている。各ボディは銀およびカーボンのペースト層38と一緒に示されている。
【0050】
コンデンサ34の1つの端面36が液体の銀ペーストの中に浸せきされ、図4Aおよび4Bに示されているように、エンド・キャップ39が付いたコンデンサの表面および局所的な領域がコート即ち被覆される。このコーティングが基板35とコンデンサの底面40との間の導電ブリッジを提供する。
【0051】
コンデンサを完成するために、それぞれのアノードおよびカソードのボディの露出された表面39、41に金属メッキ層が塗布される。これは電着およびスパッタ・コーティングの既知の方法によって塗布することができる。1つの好ましい構造においては、ニッケルの層が塗布され、それに続いて錫‐鉛の層が塗布される。メッキ層はプリント基板に対する部品のはんだ付けを可能にするはんだ付け適合面を提供する。図5は最終のコンデンサを示している。
【0052】
(第2の実施例)
図6は、本発明による代わりのコンデンサ100を示している。各コンデンサは2つのアノード端子101、102を伴って形成される。これらの2つのアノード端子間にカソード端子103がある。プロセスに対する変更はボディの上面104の中央領域に段を形成することを含むことが理解される。さらに、コンデンサの端を銀のペーストの中に浸せきすることによってコンデンサの各端に2つのエンドキャップが形成され、そしてまた最終の(Ni/Sn)金属メッキを施してはんだ付け可能な接点を形成することが好ましい。
【0053】
この設計の構成の1つの利点はコンデンサが中央の下側のカソード端子接点を有し、各端の領域にアノード端子接点を有することである。このことは両方の端の領域が同じ極性を有しているので、コンデンサが間違った方向にPCB(プリント回路板)上に置かれる可能性がないことを意味する。これによって、部品が実質的に極性に無関係であるので、PCBに対するコンデンサの自動取付けがより単純になる。
【0054】
この実施例の製造に含まれる段階が図7A−図7Cに示されている。図7Aはタンタル基板109の平面図である。アレイが例1の場合と同じ方法で、焼結された多孔性タンタルの層を伴って形成される。ふたたび、これがボディ105のアレイに機械加工される。この場合、アレイは線形の直立しているボディ105の4×4のマトリックスである。各ボディがさらに機械加工されてボディの直立している各端の2つの側面の領域107から物質が除去され、それにより、各ボディの端に長方形の中央プラットホーム106が残される。次に、基板およびそのボディのアレイが陽極酸化によって処理されて誘電体層が形成され、次にカソードの導電層を形成するために磁化が続き、分離切断、誘電体の再形成、そしてボディの端の領域のカーボンおよび銀のコーティング(例1と同様な)が行われる。これは図7Bに示されているようなコートされた即ち被覆されたアレイ即ち配列を残す。次に、リッド層(図示せず)がボディの上端に塗布され、そしてその位置にクランプされる。基板とリッドとの間にサンドイッチされたボディ間の空間が次に液体の樹脂110(エポキシ)で充填され、次にその樹脂を凝固させることができる。凝固の後、リッドが除去され、封止されたボディのアレイが残り、各ボディに対して2つの側面領域107が封止材料の膜で覆われ、中央のプラットホームが封止されずに残される。
【0055】
次に、基板が個々のコンデンサ・ユニットに分割され、そのうちの1つが図8の断面図に示されている。各ユニットは端末処理が施され、端子がアノードおよびカソードの部分に塗布されて、はんだ付け可能な接点が形成される。露出された基板面15がNiおよびSnの層でスパッタ・コートされて保護コートを提供する。各端111および112において接着性ペースト(例えば、銀ペースト)のエンド・キャップ113が塗布される。エンド・キャップはタンタル基板109と、コンデンサ・デバイスの下側116との間の導電ブリッジを提供し、したがって、アノード端子117がカソード端子103と共通の側に形成される。エンド・キャップおよびプラットホーム106は、それぞれニッケル/錫の層でコートされてPCBに対する接続を容易化するためのはんだ付け可能な接点が形成される。
【0056】
(第3の実施例)
図9A以下の図に示されている第3の実施例は、カソードのプラットホーム・特徴部を形成する代わりの1つの方法である。実施例1および2の場合と同様に、例えば、0.25mmの厚さのタンタルのウェハ310の固体基板が上面309を有しており、その面が粒状のタンタルの散布(図示せず)で覆われている。その粒状のタンタルが焼結によって溶融されてタンタルのウェハとなり、それにより、シード層(図示せず)が形成される。タンタルの粉末およびバインダ/潤滑剤の通常の混合物が次にシード層上にプレスされる。シード層は機械的なキー(keying)を提供し、(焼結されていない)圧粉体と基板との間の結合を強化する。次に、圧粉体の混合物が焼結されて溶融されたタンタルの粉末粒子の相互接続用の高度に多孔性のマトリックスが形成される。バインダは焼結プロセスの前に例えば、発明者のPCT出願GB98/00023号(発明者イワン(Ian)ビショップ(Bishop))に記述されている洗浄/分解プロセスによって除去される。これは固体のウェハ上に高度に多孔性のタンタル313の一様な層を残す。
【0057】
多孔性の層の混合物が機械加工されて図10Aに示されているように行312と列311のチャネルの直交パターンが形成される。この結果、基板に直立している線形のボディ315のアレイが作られる。ボディ315は最終のコンデンサにおける容量性のバルクを形成し、これは以下でアノード・ボディと呼ばれる。
【0058】
次に、図1および図2の場合と同様に、基板およびその直立しているボディの315のアレイが通常の陽極酸化の処理を受け、基板のタンタルに且つ粉末成形されたボディの多孔性の網目構造を通して五酸化タンタルの薄い誘電体層(図示せず)が形成される。必要な深さおよび完全性の誘電体層をビルドアップする即ち積層するために陽極酸化を数回繰り返すことができる。誘電体層は最終のデバイスにおける容量を提供するための電気的絶縁層を形成する。
【0059】
次に、基板310およびボディ315が窒化マンガンのカソード層形成溶液でコートされる。その溶液は多孔性の網目構造の中に浸透して誘電体層上に窒化マンガンの層を形成する。窒化マンガンは酸素を含む雰囲気の中で加熱され、それにより、窒化マンガンが酸化されて二酸化マンガンが形成される。必要な厚さおよび完全性の導電層をビルドアップするためにコーティングおよび加熱のプロセスを繰り返すことができる。二酸化マンガンの層は導電性であり、最終コンデンサにおけるカソード端子との電気的接触を提供する層を提供する。マンガン化の層を塗布した後、アノード・ボディ間のチャネルのボディに沿って通常の分離の切断が行われ、(例えば、浅いソーイング即ちのこ引き/研削による)この切断が、アノード・ボディとタンタル基板との間の標遊二酸化マンガンのブリッジを除去する。残っていた場合、これらは最終のコンデンサにおける短絡の原因となり、それらを使いものにならなくする。また、切断は不可避的に下地の絶縁の誘電体層を除去し、したがって、「再形成」プロセスが実行されて、その分離切断の領域における五酸化タンタルの層が除去される。
【0060】
カーボンおよび銀のペーストのそれぞれのキャップ層(図10Bにおいて338として示されている)が、ボディの上端の露出された領域に塗布される(例えば、浸せきによって)。これらの層は最終コンデンサ上のカソード端子の形成のための良好な電気的接触を提供する。
【0061】
この実施例においては、実施例1および2の場合のように段17(図1B)またはプラットホーム106(図7A)を各ボディの上面に形成するためにボディを機械加工するのではなく、段317が上面に対する平坦な合金フレーム320の取付けによって全体的に形成される。そのフレームは、例えば、合金42(ニッケル/鉄)から作ることができる。フレームは4つの横方向の部分321および2つの直交エッジ部分322から作られている。各横方向部分の1つの表面が、その長さに沿って銀の接着性ペースト323によってコートされる。この接着面が次に図10Cに示されているようにアノード・ボディの上端に並べて置かれる。横方向の部分はこの図に示されているように各ボディの上端の中央領域の上に位置合わせされる。その接着剤は固めることができ、フレームをアノード・ボディに接着する。次に、リッド層(図示せず)が塗布されて合金フレームにクランプされる。次に、エポキシ樹脂の封止用樹脂がボディ間に浸透し、各アノード・ボディの露出された上面をコートする。リッド層の除去において、フレーム320は図10Dに示されているように、樹脂でコートされないままになる唯一の部分である。
【0062】
次に、基板が個々のコンデンサンスに分割され、合金フレームの部分321が図11に示されているようにカソードのプラットホームを形成する。例3のように端末プロセスが完了され、外面的に同一構成のコンデンサが作られる。
【0063】
コンデンサを仕上げるために、金属メッキ層がそれぞれのアノードおよびカソードの部分の露出された表面に塗布される。これは電着およびスパッタ・コーティングなどの既知の方法によって塗布することができる。1つの好適な実施例においては、ニッケルの層が塗布され、その後に錫‐鉛の層が塗布される。金属メッキ層は、はんだ付けに適合する表面を提供し、その部品をプリント基板にはんだ付けすることができる。
【0064】
最終の構造が図12に示されている。
【0065】
(第4の実施例)
カソードのプラットホームを形成するための1つの代わりのプロセスは、アレイの各アノード・ボディに導電性ペーストの層をビルドアップすることを含む。そのプロセスはフレームがボディのアレイに塗布されるまで、例3の場合と同様に進行する。この点において、接着性の銀のペーストの導電パッドが各アノードの端面の中央部分にステンシルによる貼付けで塗布される。所望の高さのカソード・プラットホームを形成するために接着剤のいくつかの層を塗布することができる。パッドが硬化されると、プロセスは例3の場合と同様に継続し、導電性ペーストのパッドが例3の合金のプラットホームを置き換える。図13は、接着剤のパッドが401として示されているコンデンサ400を示している。
【0066】
図14は、プリント回路板PCB500の1つのセクションに置かれている実施例2−4の何れかによって作られたコンデンサ501の斜視図である。そのPCBはU字型の正のレール502と、細長い負のレール503を有している。U字型のレールはコンデンサ504、505の端のアノード領域のそれぞれに接触する。細長いレール503はコンデンサのカソード・プラットホームの接触面(隠されている)に接触する。
【0067】
(第5の実施例)
上記実施例は、単独のカソード端子と1つまたは2つのアノード端子をそれぞれ備えているコンデンサの製造方法を示していた。上記特定の記述において説明されたような同じ方法を準用することによってアノード・ボディに複数のプラットホームを形成することにより、カソード端子のアレイを備えているコンデンサを提供することは本発明の範囲内にある。図15は、従来の技術の固体タンタル・アノード・コンデンサ551の隣にコンデンサ550などが取り付けられているPCB 549を示している。そのコンデンサは2つのアノード端子552、553を、その向かい合った側に備えている。これらはPCB上の対応しているPCBのアノード・トラック554、555と接触する。このコンデンサの下側に形成されている4つのカソード端子556がある。これらの各端子は上記実施例1−4、すなわち、アノード・ボディの機械加工、アノード・ボディに対する固体の金属メッキの塗布、導電性ペースト・タブの塗布のうちのどれかの方法によって形成することができる。これらの端子はPCB上の別々の4つのカソード端子のトラック557と位置合わせされる。
【0068】
ここで記述された本発明は、コンデンサの共通面に配置することができる端子を備えているプロファイルの低い(薄い)コンデンサを作り出すために特に有用な方法を提供する。
【図面の簡単な説明】
【図1A】 本発明による基板の一部分の側面図である。
【図1B】 封止後の基板の一部分の側面図である。
【図2】 図1に示されている基板の部分の小さい領域の斜視図である。
【図3】 図3Aおよび図3Bは本発明によって作られた未完成のコンデンサおよび完成したコンデンサを示す。
【図4】 図4Aおよび図4Bは本発明によって作られた未完成のコンデンサおよび完成したコンデンサを示す。
【図5】 A、B、C、Dは、本発明の1つの実施例による完成したコンデンサの底面、上面、側面および断面をそれぞれ示す。
【図6】 A、B、C、Dは、本発明のもう1つの実施例による完成したコンデンサの底面、上面、側面および断面をそれぞれ示す。
【図7】 A、B、Cは、本発明の第2の実施例による処理中の基板の平面図である。
【図8】 図7の方法によって形成されたコンデンサの断面図である。
【図9】 AおよびBは、本発明の第3の実施例による処理が進行中の基板の1つの側面からの断面図である。
【図10】 A、B、C、Dは、処理シーケンスの間の図9の基板の平面図である。
【図11】 本発明の第3の実施例に従って作られたコンデンサの断面図である。
【図12】 図11のコンデンサの平面図、側面図およびA―A’での断面図を示す。
【図13】 本発明の第4の実施例に従って作られたコンデンサの断面図である。
【図14】 プリント基板に取り付けられた本発明によるコンデンサの斜視図である。
【図15】 従来の技術のコンデンサおよび本発明の第5の実施例によるコンデンサが取り付けられているPCBの平面図である。
Claims (29)
- 固体コンデンサを製造する方法において、
導電基板を提供する段階と、
前記導電基板の表面に弁作用材料を含む複数の多孔質の本体を形成する段階であって、前記多孔質の本体の各々が前記基板に対して遠位の上面を有する、複数の多孔質の本体を形成する段階と、
前記多孔質の本体に電気的絶縁層を形成する段階と、
前記電気的絶縁層に導電カソード層を形成する段階と、
前記基板を、本体部分及び基板部分を含むコンデンサ部分に分割する段階であって、前記基板部分は前記導電基板を含み、前記本体部分は前記電気的絶縁層及び前記導電カソード層を含む、コンデンサ部分に分割する段階と
を含み、
前記基板から遠位にある各本体部分の端部領域が、前記端部領域の他の部分に対して局所的に高くされているプラットホームを備え、前記プラットホームが最終のコンデンサにおけるカソード端子サイトを提供し、前記基板部分がアノード端子サイトを提供することを特徴とする、固体コンデンサを製造する方法。 - 前記プラットホームが、前記本体の形成されている多孔質の弁作用材料を含む請求項1に記載の固体コンデンサを製造する方法。
- 前記プラットホームが、前記本体の圧粉体成形あるいは焼結後の成形によって形成される請求項2に記載の固体コンデンサを製造する方法。
- 前記プラットホームが、前記本体の圧粉体の成形によって形成される請求項3に記載の固体コンデンサを製造する方法。
- 前記プラットホームが焼結された本体の機械加工によって形成される請求項3または請求項4に記載の固体コンデンサを製造する方法。
- 前記プラットホームが前記プラットホームを予備成形された本体上に圧粉体を成形することによって形成される請求項3から請求項5までの何れか1項に記載の固体コンデンサを製造する方法。
- 前記プラットホームが固体の導電性材料を含む請求項1に記載の固体コンデンサを製造する方法。
- 前記プラットホームが前記基板上の前記本体の上側の端の領域に塗布された平坦なフレームまたは格子であり、前記フレームまたは格子が引き続いて個々のプラットホームに形成される請求項4に記載の固体コンデンサを製造する方法。
- 前記フレームまたは格子が固体の金属または金属合金の平坦なシートを含む請求項8に記載の固体コンデンサを製造する方法。
- 前記プラットホームが、固まって前記プラットホームを形成するコーティングまたはペーストとして塗布される導電性材料から形成される請求項1に記載の固体コンデンサを製造する方法。
- 前記本体部分および基板部分の一部を保護絶縁材料で封止する封止層を形成する段階をさらに含み、前記封止層は、基板の少なくとも一部および各プラットホームの外側表面の少なくとも一部を露出したままに残す請求項1から10までのいずれか一項に記載の固体コンデンサを製造する方法。
- 前記アノード端子サイトから延在している前記封止層の一部分に配置されたアノード端子サイトの拡張を形成する導電ブリッジが、各コンデンサ部分に塗布される請求項11に記載の固体コンデンサを製造する方法。
- 前記導電ブリッジが塗布される前記封止層の前記一部分が、前記カソード端子サイトに隣接した領域を含み、それにより、アノードおよびカソードの端子の電気的接点を、各コンデンサの共通の側に作ることができる請求項12に記載の固体コンデンサを製造する方法。
- 前記導電ブリッジが前記コンデンサ部分の側壁に塗布された導電エンド・キャップによって形成され、前記エンド・キャップがアノード端子サイトおよびカソード端子サイトに隣接した領域の封止部分に重なっている請求項12または請求項13に記載の固体コンデンサを製造する方法。
- 前記導電ブリッジが反対側の壁に塗布された2つのエンド・キャップを含み、それにより、前記コンデンサのプラットホーム側に2つのアノード端子接点を形成する請求項14に記載の固体コンデンサを製造する方法。
- 前記プラットホームが直線、円形または卵形のタブまたは段の形状である請求項1〜15の何れか一項に記載の固体コンデンサを製造する方法。
- 前記プラットホームが、前記基板部分から遠位の各本体部分の領域の概ね中央に置かれている請求項1〜16の何れか一項に記載の固体コンデンサを製造する方法。
- 前記プラットホームが、各本体部分の基板から遠位の端の1つの側の領域に置かれている請求項1〜16の何れか一項に記載の固体コンデンサを製造する方法。
- 前記本体が行と列の配列で前記基板に配置されていて、分割の段階が前記行および列に沿って切断する段階を含む請求項1〜18の何れか一項に記載の固体コンデンサを製造する方法。
- 端末プロセスとして、はんだ付けに適合するコーティングを前記アノード端子サイトおよび前記カソード端子サイトに塗布する請求項1〜19の何れか一項に記載の固体コンデンサを製造する方法。
- 前記端末プロセスが前記端子の接触面に導電ペーストを液体でコーティングして、前記コーティングを凝固させる段階を含む請求項20に記載の固体コンデンサを製造する方法。
- 前記端末プロセスが、前記それぞれの端子サイト上に金属または複数の金属の層を形成するための金属コーティングを施す段階を含む請求項20または請求項21に記載の固体コンデンサを製造する方法。
- 2つ以上の局所的に高くされたプラットホームが各本体の遠位端に形成され、それにより、2つ以上のカソード端子サイトを各多孔質の本体に形成する請求項1〜22の何れか一項に記載の固体コンデンサを製造する方法。
- 固体コンデンサにおいて、該固体コンデンサが、
導電基板部材と、
前記基板の表面に設けられた弁作用金属を含む多孔質の本体と、
前記本体の外側面に形成された電気的絶縁層と、
前記電気的絶縁層に形成された導電カソード層とを含み、
前記多孔質の本体が前記基板に対して遠位の上面を有していて、前記上面がプラットホームおよび低位領域を含み、前記低位領域が前記プラットホーム領域に隣接し、前記プラットホーム領域が前記低位領域に対して局所的に高くされ、前記プラットホーム領域がカソード端子サイトを提供し、前記基板がアノード端子サイトを提供する、固体コンデンサ。 - 導電基板の露出面および前記多孔質の本体の露出面の少なくとも一部が、保護絶縁材料によって封止され、前記アノード端子サイトおよび前記カソード端子サイトが露出したままになっている請求項24に記載の固体コンデンサ。
- 前記アノード端子サイトから前記低位領域の封止された表面部分まで導電ブリッジが延在し、それにより、前記コンデンサのプラットホーム側にアノード端子サイトが形成されている請求項25に記載の固体コンデンサ。
- 前記アノード端子サイトが、前記カソード端子サイトに隣接して置かれ、それにより、プリント基板に対するアノードおよびカソードの端子接点の両方を前記コンデンサの共通の側に作ることができる請求項25または請求項26に記載の固体コンデンサ。
- 前記導電ブリッジが前記コンデンサの1つの側に塗布された導電エンド・キャップを含む請求項26または請求項27に記載の固体コンデンサ。
- 前記導電ブリッジが前記コンデンサの反対側に塗布される2つ以上のエンド・キャップを含む請求項28に記載の固体コンデンサ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GBGB9926975.5A GB9926975D0 (en) | 1999-11-15 | 1999-11-15 | Solid state capacitors and methods of manufacturing them |
GB9926975.5 | 1999-11-15 | ||
PCT/GB2000/004355 WO2001037296A1 (en) | 1999-11-15 | 2000-11-15 | Solid state capacitors and methods of manufacturing them |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003514385A JP2003514385A (ja) | 2003-04-15 |
JP4405126B2 true JP4405126B2 (ja) | 2010-01-27 |
Family
ID=10864534
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001537754A Expired - Fee Related JP4405126B2 (ja) | 1999-11-15 | 2000-11-15 | 固体コンデンサおよび固体コンデンサを製造する方法 |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6813140B1 (ja) |
EP (1) | EP1230656B1 (ja) |
JP (1) | JP4405126B2 (ja) |
KR (1) | KR100675958B1 (ja) |
CN (1) | CN1272816C (ja) |
AT (1) | ATE266247T1 (ja) |
AU (1) | AU1402801A (ja) |
DE (1) | DE60010505T2 (ja) |
GB (1) | GB9926975D0 (ja) |
IL (1) | IL149541A0 (ja) |
WO (1) | WO2001037296A1 (ja) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9824442D0 (en) * | 1998-11-06 | 1999-01-06 | Avx Ltd | Manufacture of solid state capacitors |
US6950300B2 (en) * | 2003-05-06 | 2005-09-27 | Marvell World Trade Ltd. | Ultra low inductance multi layer ceramic capacitor |
US7016180B2 (en) * | 2003-12-26 | 2006-03-21 | Tdk Corporation | Capacitor |
US6870728B1 (en) * | 2004-01-29 | 2005-03-22 | Tdk Corporation | Electrolytic capacitor |
US8257463B2 (en) * | 2006-01-23 | 2012-09-04 | Avx Corporation | Capacitor anode formed from flake powder |
JP2007273710A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Nichicon Corp | 固体電解コンデンサ用素子の製造方法 |
JP4626556B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2011-02-09 | Tdk株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
WO2007130483A2 (en) * | 2006-05-05 | 2007-11-15 | Cabot Corporation | Tantalum powder with smooth surface and methods of manufacturing same |
US20080123251A1 (en) * | 2006-11-28 | 2008-05-29 | Randall Michael S | Capacitor device |
JP4915856B2 (ja) * | 2007-03-06 | 2012-04-11 | Necトーキン株式会社 | 固体電解コンデンサ |
JP5104380B2 (ja) * | 2008-02-15 | 2012-12-19 | 日本ケミコン株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
US8430944B2 (en) * | 2008-12-22 | 2013-04-30 | Global Advanced Metals, Usa, Inc. | Fine particle recovery methods for valve metal powders |
US8441777B2 (en) | 2009-05-29 | 2013-05-14 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with facedown terminations |
US8199461B2 (en) | 2009-05-29 | 2012-06-12 | Avx Corporation | Refractory metal paste for solid electrolytic capacitors |
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WO2021202646A1 (en) | 2020-03-31 | 2021-10-07 | Avx Corporation | Screening method for electrolytic capacitors that maintains individual capacitor unit identity |
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-
1999
- 1999-11-15 GB GBGB9926975.5A patent/GB9926975D0/en not_active Ceased
-
2000
- 2000-11-15 AT AT00976143T patent/ATE266247T1/de not_active IP Right Cessation
- 2000-11-15 DE DE60010505T patent/DE60010505T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-11-15 WO PCT/GB2000/004355 patent/WO2001037296A1/en active IP Right Grant
- 2000-11-15 IL IL14954100A patent/IL149541A0/xx not_active IP Right Cessation
- 2000-11-15 EP EP00976143A patent/EP1230656B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-11-15 CN CNB008183899A patent/CN1272816C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-11-15 JP JP2001537754A patent/JP4405126B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-11-15 AU AU14028/01A patent/AU1402801A/en not_active Abandoned
- 2000-11-15 KR KR1020027006235A patent/KR100675958B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-11-15 US US10/130,096 patent/US6813140B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU1402801A (en) | 2001-05-30 |
EP1230656B1 (en) | 2004-05-06 |
CN1423821A (zh) | 2003-06-11 |
US6813140B1 (en) | 2004-11-02 |
GB9926975D0 (en) | 2000-01-12 |
KR100675958B1 (ko) | 2007-02-01 |
KR20020079733A (ko) | 2002-10-19 |
IL149541A0 (en) | 2002-11-10 |
ATE266247T1 (de) | 2004-05-15 |
CN1272816C (zh) | 2006-08-30 |
JP2003514385A (ja) | 2003-04-15 |
EP1230656A1 (en) | 2002-08-14 |
DE60010505D1 (de) | 2004-06-09 |
DE60010505T2 (de) | 2005-04-07 |
WO2001037296A1 (en) | 2001-05-25 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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A601 | Written request for extension of time |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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