JPH0218573B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

［技術分野］ 本発明はLSIチツプ実装モジユールのためのセ
ラミツク・キヤパシタに関するものであり、更に
具体的に言えばそのようなキヤパシタのための端
子に関するものである。 ［先行技術］ 従来、個々のキヤパシタ電極は半田ボールによ
つてチツプキヤリアにボンドされた。キヤパシタ
電極を形成する方法は種々考えられた。 IBM社の米国特許第3852877号は金属と、焼成
中に金属に変換する化合物とを含む金属化媒質か
らバイヤ（VIA）を形成する方法を開示してい
る。複数のシートを位置合わせして積重ね、モノ
リシツク構造に積層し、セラミツクを焼結して稠
密体にするため還元性雰囲気中で加熱し、それと
同時に金属化媒質を焼成して稠密体中に粘性金属
を毛細管現象で侵入させる。高導電性で低融点の
導体が毛細管を充填し、それにより、多レベル・
セラミツク構造体中に高導電性の回路部材を形成
する。 金属化媒質はペーストの形のものでもよい。米
国特許第4030004号等は構造体内に回路パターン
を限定するためのペーストを使用した。ペースト
は焼成中に揮発して構造中に孔（ボイド）を残
す。これらの孔に溶融した金属が充填されて基板
内に導体が形成された。 上述の形式のキヤパシタの場合には、各キヤパ
シタは各端部が多唯１つのリードで終端された。
それらのリードは半田ボールによりLSIチツプキ
ヤリアへ接続された。（本発明では各キヤパシタ
極板に複数の接続手段を与え、それらを半田バー
列によつて接続する。） 冶金学会誌（Metallurgical Transactions）第
２巻、第733−740頁（1971年３月）に掲載された
D.A.Chanceらの論文“Capillary−Infiltrated
Conductors in Ceramics”は高導電性液体金属
を浸透させてセラミツク構造中に部分的に金属化
した毛細管を形成して、セラミツク構造中に高導
電性の線を作ることを示している。これは酸素等
の存在しない状態で処理することにより、予め付
着された金属の酸化が回避されなければならな
い。 要約するとこれまで数多くの多層セラミツク技
術が開発され、MLCキヤパシタは縁端接続及び
低インダクタンス接続と共に開発されてきた。
MLCチツプキヤリアには浸透プロセスにより製
造しうるバイヤ及び線が設けられた。それに加え
て従来のキヤパシタでは液体金属でセラミツク構
造体を含浸することにより製造された。従来技術
を上廻る本発明の改良点は低インダクタンスのバ
ー・コンタクト（接点）構造、含浸によるキヤパ
シタ極板及び接続の製造、及びこれらの目的を達
成するための簡単化された処理手順を提供する点
である。 ［本発明の要約］ 低インダクタンスの個別的キヤパシタの製造に
は問題があり、所望の構造を与えるには微小化す
る必要がある。本発明の目的は低インダクタンス
のコンタクト（接点）を有する金属含浸個別的キ
ヤパシタを製造するための構造及びプロセスを用
いることにより、大規模集積実装回路を提供する
ことである。積層された形状の多層セラミツク
（MLC）金属及びセラミツク・キヤパシタの製造
は、通常金属及びセラミツク材料を一緒に焼成す
ることにより達成される。問題とは、セラミツク
は一般に酸化金属成分を持つことであり、金属は
焼成環境に於て酸化せず且つ焼成温度で溶融せ
ず、しかもセラミツクと適合するように金属電極
を選ぶ点で妥協していることである。具体的に
は、通常チタン酸塩化合物で作られる高誘電率の
材料は1000℃を越える温度の非還元性環境下で製
造される必要がある。このことは通常Ag−Ad合
金のように貴金属と一緒に焼成される金属用に使
う金属の選択を制限する。 大電流でしかも高速のスイツチンク回路用に必
要とされるような低インダクタンス電源装置を与
えるには、キヤパシタ内とキヤパシタから集積回
路チツプへの相互接続部との両者に低インダクタ
ンス電流通路を必要とする。本発明は多数の隣接
電流通路に反対方向へ流れる電流を与えることに
よりインダクタンスを低下する低インダクタンス
電流通路を提供する。インダクタンスは２つの端
子を両端に有する代表的なMLCキヤパシタの半
分程度の大きさに減少される。 チツプキヤリヤ実装体のための或る種のデザイ
ンでは多重コンタクト半田ボール・ジヨイントが
接続の目的で使用された。その形式のコンタクト
構造の問題点はフオトリソグラフイ・マスキング
方法を用いる際に、関連する技術がセラミツク・
キヤパシタに対して簡単に適用できないことであ
る。その適用困難性は、広い許容誤差の寸法的特
徴を有する製品を作り出す積層工程及び焼成工程
によつてもたらされる。許容誤差は結果がやや予
測困難な工程によつてもたらされる。即ち焼成は
一定でないセラミツク材料を生じさせ、緻密化及
び収縮は製造工程につきものである。はつきり言
うと、コンタクトの冶金学的半田ダム及び半田ボ
ールの構成のためには特別な処理工程を用いるこ
とが必要である。 チツプキヤリヤ基板又はキヤパシタのような
MLC構造の製造に際してMo、Cu、Pd、Ag、等
を含む金属ペーストが従来技術に従つてグリー
ン・セラミツク・シート上にスクリーン印刷され
る。これらのシートが積重ねられ、積層され、且
つ焼成される。積層ペーストは、周囲の誘電体材
料により相互に絶縁された個々の導電性セグメン
ト及び線の３次元導体回路網となるように焼結さ
れる。焼成工程での１つの難問は、所望の電気抵
抗及び誘電率を保つのに十分なだけ「金属を還元
するがセラミツクを酸化する」雰囲気に於て
MLC構造内の全ての材料を一緒に焼成する必要
があることである。他の難問は金属ペーストと誘
電体材料の焼結温度間の相異である。唯１つの材
料が焼結された後、第２の材料の焼結に伴う次の
収縮がストレスの発生を招来し、冷却により後で
歪を生じる。バイヤのふくらみはそのような歪み
の１例である。その上更に冷却によりMLC材料
間の膨脹が追加のストレスを発生する。例えばこ
れはバイヤの間隔に制限を課する。何故ならばバ
イヤの間隔が近すぎると熱膨脹により構造体のひ
び割れが生じるからである。これらの問題のすべ
ては、所望の導体構造を与えるため構造体中に液
体金属の含浸を採用した後焼成金属化工程により
改善（減少又は排除）される。 要約すると、積層構造中へ金属を導入（圧入）
することにより極板及びタブが形成され、半田バ
ーのチツプから遠い表面は丸められた外形を持
つ。基板は長さの方向沿いに半田バーにボンドさ
れる細長いパツドの組を持つ。半田バーはグリー
ン・セラミツク材料に溝を押型することにより形
成される。少なくとも１つの半田バーが積層キヤ
パシタの窪みに形成されることにより強い機械的
構造が与えられる。本発明の他の態様では、予定
のパターンが選ばれた領域にスクリーン印刷され
た層上にタブ及び／又はキヤパシタ極板を形成す
るため、(a)金属材料を有するグリーン・セラミツ
ク材料の個々の層をパンチし、(b)スタツク（積重
ね）を形成するためグリーン・セラミツク材料の
層を次々と積重ね且つそのスタツクを焼結し、(c)
スタツクの縁端にバーを形成することから成る積
層キヤパシタ形成方法が提供される。スタツクの
縁端にバーを形成する方法は、(a)タブ及び／又は
キヤパシタ極板の形成に適した開口中に液体金属
を導入するため金属膜に開口を残してシートの端
部を金属膜で被覆し、(b)金属膜で被覆された縁端
にバー部分を形成するため金属膜の種々の部分を
切除することによりキヤパシタ上にバーのパター
ンを限定し、又は焼成に先立つて表面上に押型さ
れたパターンを形成し、(c)予定の設計パラメータ
に従つて随意に、タブ及びキヤパシタ極板を形成
するためタブ開口中に溶融した金属を含浸させる
ことを含む。本発明に従つて、スタツクの縁端に
マスクを掛け且つバー・パターンを形成するマス
クの溝を通して縁端へ金属を被覆することによ
り、スタツクの縁端に複数のバーが形成される。
バーは溝中に金属を蒸着することにより形成され
るのが望ましい。金属は粘着金属、半田で濡れう
る金属、及び半田より成り、溝中に順次蒸着され
た。スタツクのタブ及び／又は極板及びバーは、
上述の方法の１つの結果物を排気された室内で半
田の融点まで加熱し、室内に不活性ガスを充満さ
せてスタツクのタブ及び／又は極板中へ半田を圧
入し、スタツクの端部に配置したマスタの溝から
タブ及び／又は極板中へ液体状の金属半田を含浸
させる事により形成させるのが望ましい。 半田バーは、含浸チツプに続いて半田バーを装
着パツドへ接合するのに十分な半田を含むのが望
ましい。本発明の他の態様でセラミツクシートの
積層スタツクからキヤパシタを形成する下記の方
法が与えられる。即ち(a)(1)金属化パターン又は(2)
代案としてシートの表面に形成された可燃の揮発
性成分を主に含んだペーストのスクリーン印刷さ
れた層のパターン、を有するセラミツク・グリー
ンシートのスタツクを形成し、(b)グリーンシート
のスタツクの縁端に溝の列を押型し、(c)部分的に
完成されたキヤパシタを作るためスタツクを焼成
し、(d)スタツクの押型された縁端に金属膜を被覆
し、(e)金属膜を溝の窪み内にのみ納まつた幾つか
のセグメントに分離するために、溝から突出して
いる金属膜の末端部分を除去するようにスタツク
の縁端をマシニングし、(f)ステツプ(2)に於で可燃
の揮発性ペーストが使われたために若しも電極空
洞が充満されていないならば、溶融した半田で濡
れうる金属で金属被覆された溝を含浸するステツ
プを後続させ、(g)半田で濡れうる金属上に半田を
蒸着する。 上述のプロセスの１つの結果物は半田バーに丸
みをつけた外形にする為リフローされるのが望ま
しい。それは転倒されて、金属化された基板に接
合される。溝及びキヤパシタ極板は充填の準備が
されるのが望ましく、金属化材料はセラミツク粒
子及び有機材料を含む予備的金属化代替物より成
り、そして上述の(a)の如き構造体を焼成後、その
構造体は真空処理室中に置かれ、真空処理室が排
気され、(b)構造体は液体金属浴中に浸漬され、(c)
液体金属を構造体の開口中へ送り込んで構造体内
の空洞部を充填しキヤパシタ極板、バイヤ及び／
又はタブを形成するように室が加圧される。 望ましくは固体金属が溝に与えられ、加熱さ
れ、金属溶融体が加圧されて空洞中に圧入される
ことにより、空洞の金属化を生じさせる。 ［実施例］ 第１は基板１０の表面上に支持されたバー・コ
ンタクト１１及至１９の列を有する基板１０を示
す。基板１０は導電性回路線及びバイヤを組込ん
だセラミツク・モジユールより成る。 基板１０上に、本発明に従つて最少のインダク
タンスを持つように設計された個別的なキヤパシ
タ・チツプ３８が示されている。キヤパシタ３８
は極板３０のような垂直な導体面又はキヤパシタ
極板の積層された積重ねより成り、極板３０はそ
の縁を越えて伸びる誘電体層４１によつて離隔さ
れている。極板３０の下端には、負（基準電圧）
の横断状半田バー２０，２２，２４，２６，２８
へ電気的に接続する目的で設けられたタブ３１乃
至３５が示されている。正の横断状半田バー２
１，２３，２５，２７は極板３０から絶縁されて
いるが極板３０の隣（紙面下方）の極板へ接続さ
れている。 図示構造の利点はキヤパシタ極板が沢山の電気
的接続領域（即ち極板３０のタブ３１乃至３５、
及び極板３０の隣（紙面下方）にあり共通電圧を
持つように相互接続された極板のタブ）を持つこ
とである。 基準電圧に関して幾つかの異つた電圧で動作す
る幾組かの極板を設けてもよいことを承知させた
い。この実施例では図を簡単にするため２組の電
極しか示されていない。同様に異つた電圧を有す
る電極にも類似のタブがあり、それらのタブはキ
ヤパシタ極板３０等から、VLSI実装システムに
従つて電力分配面が埋設されている基板１０の表
面下から立ち上るバイヤからのバー・コンタクト
１１乃至１９への短かい電気的径路を与えるよう
になつている。この構成の利点は、バイヤ３９の
ような複数のバイヤから極板３０及びそれと並行
した基準電位極板のような複数のキヤパシタ極板
への短い電気的径路が、極板及びバイヤ間の径路
に最少量のインダクタンスしか与えないことであ
る。そのインダクタンスは、電流径路が分散され
ておりしかも隣り合つた径路は反対方向に電流を
流すのでインダクタンスが打消されると言う理由
で最少化される。 第２．１図乃至第２．３図はタブ３１乃至３５
を有する極板３０と、タブ４１乃至４４を有する
極板４０とを示す。それらは半田バー２０乃至２
８を介して適当な電圧を有する電源へ接続され
る。極板３０，４０及びそれらに関連したタブは
機械的に離隔され且つ誘電体分離シート３６によ
つて電気的に絶縁されている。 第１図及び第２．１図乃至第２．３図に示され
た構造はバー・コンタクト冶金学（BCM）的方
法を用いており、本発明に従つて製造された素子
として低インダクタンス・キヤパシタ３８を製造
するときは製造工程を著しく簡単化するため半田
含浸工程を用いてもよい。それに加えて焼成中の
周囲環境の性質は高信頼性のため及びセラミツク
材料の誘電体性質のため最適化される。キヤパシ
タ３８の半田づけされたコンタクトは低インダク
タンスの個別的なキヤパシタ３８の同極性且つ同
列のタブ接続するシヨート・バー２０乃至２８を
用いる。キヤパシタのバー２０乃至２８は、基板
１０上の相手方の金属バー１１乃至１９上に半田
づけされ且つリフロされる。 バー・コンタクト及び含浸金属を用いて個別的
キヤパシタを製造する利点は、簡単化されたプロ
セス及び改善された信頼性に基づく。 ［プロセス］ (A) 第３図に示すように個々のスクリーン印刷さ
れた層を打抜くことにより個別的な個々のキヤ
パシタとして複数のキヤパシタが製造される。
第３図はパンチ５１及び積層ダイ５０と、グリ
ーンシート５３の打抜かれた部分５２とダイ５
０の開口５４を示す。グリーンシート５３はパ
ンチ素子５５を有するパンチ５１によつて打抜
かれる。各部分はパンチ素子５５によつて開口
５４中へ力Ｆによつて押下げられる。パンチさ
れた領域５７が後に残り、部分５２は打抜かれ
て開口５４中へ押下げられる。パンチに先立つ
てグリーンシート５３に金属化ペースト５６又
は可燃性ペースト（含浸に適するもの）で第３
図の左側に示されたタブ３１乃至３５（又は第
２．１図乃至第２．３図のタブ４１乃至４４）
と共に印刷される。このプロセスは現在のキヤ
パシタ製造業者によつて使用されているが、パ
ンチに先立つてシート位置に対し最善の制御を
施すことが必要とされる。 含浸キヤパシタを示す第４図では、通常用い
られる金属ペーストは粒子（例えばカーボン又
はテレフタル酸）を含んだペーストと交換され
る。その粒子は焼成中に完全に揮発し、誘電体
層８４の間に平らたい空洞８３を形成する。粗
いセラミツク粉末がペースト中に含まれてもよ
く、その粉末は焼成後、誘電体８４の面を隔離
する粒子を有する多孔性空洞８３を残す。 (B) 焼成後キヤパシタは積重ねられ、縁端の表面
が粘着性金属（Cr、Ti、Ｖ等約100nｍ厚）及
び半田で濡れうる金属（Cu、Ni、Au等約500n
ｍ厚）の層で被覆される。金属化合物５８の厚
さは、合金化又は分解によつて消耗されないが
各多孔性空洞８３のタブ開孔５９を詰らせるに
は不十分な厚さで溶融半田と長い距離にわたつ
て接触するように設計される。相対的な寸法が
第４図に示される。 (C) キヤパシタのバー・パターンを限定するため
に鋸を用いて金属化ブランケツト５８の種々の
部分、かくてタブ列６１の間のキヤパシタ部分
を取除く。代案として、第６．１図乃至第６．
５図と関連して後述されるように構造が押型さ
れる。 (D) 溶融半田の含浸は、真空にし、キヤパシタを
溶融半田に浸漬し、半田を含浸させるため反復
加圧し、キヤパシタを半田から引揚ることによ
つて達成される。冷却すると第１図に示すよう
なキヤパシタの完成品が得られる。 含浸の代案プロセスは半田のデカル（写し
絵）転写である。デカル上の十分な半田が真空
中で溶融することによりタブに転写される。ま
だ溶融している間に加圧すると、半田はキヤパ
シタ中に送り込まれ、第７図に示されているよ
うに連結するためタブ上に過剰な半田を残す。 ［プロセス］ 第５図は精巧な整合マスク６７及びキヤパシ
タ・チツプ３８を所定位置に保つためのキヤリア
治具（積層され且つろう付れされた整合板６９よ
り成る）を用いる代案の後焼結プロセスを示す。
マスク６７は整合板６９にろう付けされる。蒸着
マスクとして働らくマスク６７及び治具６９が第
５図に示される。粘着金属、半田で濡れうる金属
及び半田がスロツト６８を介してタブ上に順次蒸
着される。半田の融点より上まで加熱すると同時
に、領域８３に液体の金属半田を含浸するため不
活性ガスを後充填して冷却すると、コンタクト冶
金学的プロセスが完成される。この場合は、バー
領域を鋸で切ることは不必要である。 電極空洞を充填し且つ半田バー・コンタクトの
ため十分な半田を与えるには２重蒸着／含浸プロ
セスが必要なことがありうる。その順序は排気、
蒸気、加熱及び含浸、冷却、排気、蒸着及び加熱
及び含浸、及び冷却である。 キヤパシタの適切な許容誤差は半田バーに対し
て垂直に約0.025mm及び半田バーに対して平行に
約0.05mmである。バーの位置はキヤパシタ・チツ
プの縁端から約0.125mmである。 ［疲労抵抗の改善］ 第６．１図乃至第６．５図は電極（又は第５図
に示されるような平らな空洞８３であつて金属で
充填されるもの）を含んだキヤパシタ・チツプ６
０を示す。これはキヤパシタ電極と基板との間の
接続としてＣ−４半田ボール・ジヨイントではな
くバー・コンタクト（第１図の２０乃至２８）を
組込むことによりキヤパシタの製造を簡単化して
いる。この方法の採用の結果、出来上つたジヨイ
ントは改善された疲労抵抗を有する。 ステツプＡ 第６．１図はセラミツクの積層された層のグリ
ーンスタツク６０と、積層構造の上側表面に示さ
れたキヤパシタ極板のタブ６１を有する金属層と
より成るキヤパシタを示す。タブ６１は極板（第
２．１図乃至第２．３図の３０，４０）に設ける
ことにより、又は平らな空洞８３を作つてそれに
金属を充填することにより形成される。空洞は第
７図と関連して後述されるプロセスによつて形成
される。 ステツプＢ 第６．２図のグリーン・キヤパシタ・スタツク
６０は、図示のような所望の溝パターンを有する
押型工具６３によつて紙面の厚さ方向に延びる列
６２が押型された後のものである。出来上つた構
造は、タブ６１の列５９と整合した１組の平行な
溝６２の列をキヤパシタ６０の上側表面上に持
つ。列５９は本発明により後述のように半田バ
ー・バス線により相互接続されるべきものであ
る。第６．１図は積層プロセスが完了した後のキ
ヤパシタ・スチツク積層体を示す。第６．２図の
半田バー溝の押型を含む積層プロセスを積層プロ
セス中に溝付押型工具で加工される積層体上面
（側面でもよい）に対するプロセスと一体的なも
のに組合わせることも出来る。 ステツプＣ キヤパシタ・スタツク６０は部分的に完成され
たキヤパシタ・チツプ３８を作るため焼成され
る。 ステツプＤ 第６．３図に於てキヤパシタ６０の押型された
表面は金属膜６４のブランケツト層で被覆され、
金属膜６４で部分的に充填されて溝６２を掩い且
つ溝６２の壁面を金属膜６４で被覆して浅く且つ
狭い溝６５を残す。金属膜６４の付着は、このブ
ロセスではシルクスクリーンを介して金属をスク
リーン印刷するような方法が適しているけれど
も、蒸着により付着されてもよい。 ステツプＥ 第６．４図に於て、キヤパシタ・チツプ３８の
押型された表面がラツプされ、それによりチツプ
３８の上側表面が取除かれて溝６５，６２の間に
再びキヤパシタ６０の表面６６を露出させる。表
面６６はセラミツク材料を幾らか除去する形でラ
ツプされた裸のセラミツク表面である。金属膜６
４はラツピングによつて幾つかの区域に分離さ
れ、表面６６は金属学的に被覆された溝６５を電
気的に分離するために露出される。裸のセラミツ
ク表面６６はタブ６１の列５９を掩う列６５の間
に位置するバー・パターンの形を呈する。 ステツプＦ このステツプでは、若しもキヤパシタ・チツプ
３８が未充填の電極・空洞８３を含むならば、そ
れは溶融半田で濡れうる金属で含浸される。 ステツプＧ 押型された領域を覆うブランケツト領域として
又はマスクされたパターンとして、第６．４図の
押型された表面６６上に半田が蒸着される。 ステツプＨ 第６．５図に於て、積層キヤパシタ６０から形
成され半田上げさせたキヤパシタ・チツプ３８は
リフロされて、ステツプＧに於て付着された半田
６７がキヤパシタ６０の上面で丸みをつれた外形
６７を形成するようにされる。 ステツプＩ 最終ステツプに於て、キヤパシタ・チツプ３８
は転倒されて、第７．１図に見られるように金属
化された基体７０と接合される。この接合構造の
利点は、疲労ひび割れ（従来技術のＣ−４半田ボ
ール接合７２で見られる）が第７．２図に示され
たように沿つて伝播する面７１に対して並行でな
い改善された半田／セラミツク境面によつて、疲
労抵抗が改善されることである。この領域７１は
リフロ後に、平坦化されたパンケーキ状の粒状体
を含むことが観察される。その粒状体はＣ−４半
田ボール接合を介して疲労ひび割れを急速に伝播
させる原因と考えられる。そのような粒状体を含
むマイクロ構造は窪んだ７７半田／セラミツク境
面を有する第７．１図の半田バー接合７５では起
きそうにない。半田バーは窪み７７中にアンカー
止めされる。その疲労ひび割れ７６が半田／セラ
ミツク境面に沿つて走ることはない。押型処理に
より窪みが設けられなかつたとしても、半田バー
接合それ自身も又Ｃ−４半田ボール接合７２と較
べて改善された疲労抵抗を持つている。 後焼成金属含浸 本発明の後焼成金属含浸プロセスの第１のステ
ツプはグリーン・セラミツク材料のグリーン・セ
ラミツクMLC構造を形成することであつて、金
属ペーストがセラミツク粒子及び有機バインダの
混合物で置換される。然る後その構造は焼成さ
れ、低密度の粒子が存在する場合には第５図の空
洞８３が第２．１図乃至第２．３図の誘電体シー
ト３６の間に形成される（第９図参照）。焼成後
MLC構造体は真空処理室に入れられ、その室が
真空にされる。その後MLC構造は液体金属（例
えばPd、Sn、Zn、Al及びAl−54Mg、半田、
Cu、Cu合金等）の浴に浸漬され、そして液体金
属をバイヤ中へ含浸させるため及び空洞８３を充
填するために不活性ガスで室が加圧される。供給
圧力は所望のセラミツクの濡れの程度によつて決
められる（後述の計算を参照されたい）。 上述の金属浴使用の代案はバイヤ開孔に供給さ
れた固体金属の小片又はボールを用い、加熱及び
加圧により液体金属が空洞中へ圧入されるプロセ
スである。他の変形は、MLC構造の１部分のみ
が含浸され、導電性回路網の残りの部分が従来の
ペースト処理によつて作られるプロセスである。 このやり方は例えばバイヤ間に狭い間隔を必要
とする領域に対して適する。 セラミツク空洞中へ液体金属を含浸させるため
に必要な圧力は、最悪の場合即ち下記に列挙され
た液体間では若干の濡れが生じるとしても液体金
属によつては濡れずそれによつて必要な圧力が減
少される場合について想定されている。第８図は
液体金属が入れられるべき空洞８１と共に焼成セ
ラミツク材料８０を示す。空洞８１はｈなる高さ
を有する。 圧力は式^*Ｐ＝2gLV／ｈ によつて計算される。ここでgLVは（液体金属
の）蒸気にさらされた液体金属の表面張力であ
り、ｈは空洞の高さである。

【表】 若しもｈが円形バイヤの直径であるならＰ＝
4gLV／ｈである。 第９図は重合体材料を有する金属化セラミツ
ク・ペーストの薄膜９２と共に並置してスタツク
されサンドウイツチ状にした１組のセラミツク・
シート９０及び９１を示す。サンドウイツチが焼
成されるとき、揮発性の重合体材料が抜けて後に
アルミナ９３又は類似物の粒子を残し、シート９
０及び９１の間に開放空間を保つ。そこに板体を
形成し且つ孔５９にタブを形成するため液体金属
が入れられる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のキヤパシタ・チツプとその下
にありチツプ上の半田バー接続子を受取るための
ランドを有するチツプキヤリアとを示す斜視図、
第２．１図は本発明に従う第１図の積層キヤパシ
タの電極板の１つを示す図、第２．２図は第１図
の積層キヤパシタの誘電体層を示す図、第２．３
図は第２．１図のキヤパシタ極板と対をなす第２
の極板を示す図、第３図は本発明に従つて印刷さ
れキヤパシタ金属化したグリーンシートを処理す
るパンチ及びダイの傾斜図、第４図は液体金属を
含浸するため用意されたキヤパシタ組立体のタブ
表面を示す図、第５図は本発明に従う１組のキヤ
パシタ・チツプを示す傾斜図、第６．１図乃至第
６．５図は本発明に従つてキヤパシタ・チツプを
作るための一連の処理ステツプを示す図、第７．
１図は本発明のバー接点によつて基体上に支持さ
れる本発明のキヤパシタ・チツプを示す図、第
７．２図はチツプを従来技術の基板に接続する従
来の半田ボールを示す図、第８図は本発明に従う
タブ及び極板の液体金属含浸用の空洞を示す図、
第９図は間にペースト層（重合体材料を含む）を
有する１対のグリーンシートを示す図である。 １０……基板、１１〜１９……バー・コンタク
ト、２０〜２８……半田バー、３０……極板、３
１〜３５……タブ、３６……誘電体分離シート、
３８……キヤパシタ、３９……バイヤ、４１〜４
４……タブ、６７……丸みをつけた外形を有する
半田、７６……疲労ひび割れ、７７……窪み。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 回路チツプキヤリヤに搭載される積層キヤパ
   シタであつて、該積層キヤパシタは複数のキヤパ
   シタ極板を有し、各極板は複数の接続タブを有
   し、各接続タブを半田バーの列にボンドすること
   により上記各キヤパシタ極板が複数のタブにより
   上記半田バーの列に接続されるようにし、上記半
   田バーの列を回路チツプキヤリアに対する接続手
   段としたことを特徴とする積層キヤパシタ。 ２ 上記極板及びタブは積層構造中へ金属を導入
   することにより形成された特許請求の範囲第１項
   記載の積層キヤパシタ。 ３ グリーン・セラミツク材料の層上の選ばれた
   領域に予定パターンのキヤパシタ極板及びタブを
   形成するため金属材料を載置したグリーン・セラ
   ミツク材料の個々の層を打抜き、該打抜かれたグ
   リーン・セラミツク材料の層を相互に積重ねてス
   タツクを形成し、該スタツクを焼結し、該焼結さ
   れたスタツクの縁に上記タブと接続された半田バ
   ーを形成することにより成る積層キヤパシタの製
   造方法。