JPH0389509A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は固体電解コンデンサに関する。
(従来の技術)
タンタル等のチップ型の固体電解コンデンサは、例えば
、m9図に示す通りの構造を有し、プリント配線板の表
面に半田付けされて用いられている。
、m9図に示す通りの構造を有し、プリント配線板の表
面に半田付けされて用いられている。
ところで、プリント配線板の実装密度を向上するために
、固体電解コンデンサも、小型化が要求されている。
、固体電解コンデンサも、小型化が要求されている。
固体電解コンデンサ50を小型化するには、外装51を
薄<シたり、コンデンサ索子52から引き出されている
リード[153や外部に引き出されている端子54を短
かくしている。
薄<シたり、コンデンサ索子52から引き出されている
リード[153や外部に引き出されている端子54を短
かくしている。
(発明が解決しようとする課題)
しかし、外@51を薄くしたり、リード1153ヤ喘子
54を短かくすると、固体電解コンデンサ50をプリン
ト配線板にリフロー法やデイツプ法で半田付けする際に
加熱するが、その熱が外装51の内部やコンデンサ索子
52に伝達され易くなる。そのために、外@51やコン
デンサ素子52が加熱収縮する際の歪によって劣化した
り、コンデンサ素子52が直接熱によって劣化したりし
て、漏れ電流(以下しCという)が増加したり tan
δが増加したりする欠点がある。
54を短かくすると、固体電解コンデンサ50をプリン
ト配線板にリフロー法やデイツプ法で半田付けする際に
加熱するが、その熱が外装51の内部やコンデンサ索子
52に伝達され易くなる。そのために、外@51やコン
デンサ素子52が加熱収縮する際の歪によって劣化した
り、コンデンサ素子52が直接熱によって劣化したりし
て、漏れ電流(以下しCという)が増加したり tan
δが増加したりする欠点がある。
本発明は、以上の欠点を改良し、LCIi性等を向上し
つる固体電解コンデンサを提供することを0的とするも
のである。
つる固体電解コンデンサを提供することを0的とするも
のである。
(課題を解決するための手段)
本発明は、上記の目的を達成するために、外装の一部に
、弾性率が0.6×104Kg/mm2以上、熱伝導率
が0.0025ca110− s−’C以上の絶縁基板
を設置プることを特徴とする固体電解コンデンサを提供
するものである。
、弾性率が0.6×104Kg/mm2以上、熱伝導率
が0.0025ca110− s−’C以上の絶縁基板
を設置プることを特徴とする固体電解コンデンサを提供
するものである。
(作用〉
弾性率が0.6X104Ni?/−以上、熱伝導率が0
.0025cal/c*−s−’C以上の絶縁基板を外
装の一部とすると、加熱収縮の際に外装及びコンデンサ
素子に生じる歪をこの絶縁基板が吸収することができ、
また、熱も吸収し速やかに均一に分散する。そのため、
コンデンサ素子の機械的な劣化や熱劣化を軽減できる。
.0025cal/c*−s−’C以上の絶縁基板を外
装の一部とすると、加熱収縮の際に外装及びコンデンサ
素子に生じる歪をこの絶縁基板が吸収することができ、
また、熱も吸収し速やかに均一に分散する。そのため、
コンデンサ素子の機械的な劣化や熱劣化を軽減できる。
(実施例)
以下、本発明を図示の実施例に基づいて説明する。
第1図に示す通り、1はガラスや石英等の絶縁基板であ
る。2はこの絶縁基板1の表面に載置されたタンタルの
コンデンサ素子である。3はコンデンサ素子2の一端か
ら引き出されているr9J極リード線である。4は陽極
リードs!3の根本に設けられたフッ素樹脂シートであ
る。5は、一端が陽極リード3に溶接され、他端が絶縁
基板1の端部を挟んでいるリードフレーム状の陽極端子
である。
る。2はこの絶縁基板1の表面に載置されたタンタルの
コンデンサ素子である。3はコンデンサ素子2の一端か
ら引き出されているr9J極リード線である。4は陽極
リードs!3の根本に設けられたフッ素樹脂シートであ
る。5は、一端が陽極リード3に溶接され、他端が絶縁
基板1の端部を挟んでいるリードフレーム状の陽極端子
である。
6は、一端がコンデンサ索子2の側面に銀ペーストで接
続され、他端が絶縁基板1の端部を挟んでいるリードフ
レーム状の陰極端子である。7はコンデンサ素子2を被
覆するエポキシIf!Jl17かうなる外装である。
続され、他端が絶縁基板1の端部を挟んでいるリードフ
レーム状の陰極端子である。7はコンデンサ素子2を被
覆するエポキシIf!Jl17かうなる外装である。
また、第2図〜第8図は、本発明の他の実施例をボす。
第2図の実施例は、2枚の絶縁基板8及び9によりコン
テン1ノ素子10を挟んでいる以外は、第1図と同じと
する。
テン1ノ素子10を挟んでいる以外は、第1図と同じと
する。
第3図の実施例は、4!A脂外装置1をコンデンサ索子
12の陽極リード13が引き出されている側にのみ設け
る以外は、第1図とほぼ同じとする。
12の陽極リード13が引き出されている側にのみ設け
る以外は、第1図とほぼ同じとする。
4#l脂外装置1が少なく熱収縮時に与える影響を軽減
できる。
できる。
第4図の実施例は、絶縁基板14の両端の厚さを厚くす
る以外は第3図の実施例と同じとする。
る以外は第3図の実施例と同じとする。
コンデンサ素子15の位置決めを容易に行なえる。
第5図の実施例は、コンデンサ素子16の一端から陽極
リード17を引き出し、これに陽極端子18を溶接し、
先端に半田層19を設けるとともに、コンデンサ素子1
6の他端及びその近傍の周面に半田層20をFIQGブ
て陰極とする。そして半田層19と半田層20の一部を
露出して、コンデンサ素子16を樹脂外[21で被覆し
、この樹脂外¥&21の表面に絶縁基板22を設けてい
る。
リード17を引き出し、これに陽極端子18を溶接し、
先端に半田層19を設けるとともに、コンデンサ素子1
6の他端及びその近傍の周面に半田層20をFIQGブ
て陰極とする。そして半田層19と半田層20の一部を
露出して、コンデンサ素子16を樹脂外[21で被覆し
、この樹脂外¥&21の表面に絶縁基板22を設けてい
る。
第6図の実施例は、コンデンサ素子23の一端から陽極
リード24を引き出しこれにリードフレーム状の陽極端
子25を溶接し、その先端で絶縁基板26の一端を挟む
。そしてコンデンサ素子23の側面に銀ペーストを介し
てリードフレーム状の陰極端子27を接続し、この陰極
端子27を絶縁基板26に接続し、先端で端を挟んでい
る。樹脂外@28はコンデンサ素子23全体を被覆して
いる。この場合には、コンデンサ索子23と陰極端子2
7の接合部の特性劣化や欠陥の発生を軽減できる。なお
、陽極端子及び陰極端子の絶縁基板に接触している部分
は電気めっき法や無電解めっき法等の厚膜法で形成して
もよい。
リード24を引き出しこれにリードフレーム状の陽極端
子25を溶接し、その先端で絶縁基板26の一端を挟む
。そしてコンデンサ素子23の側面に銀ペーストを介し
てリードフレーム状の陰極端子27を接続し、この陰極
端子27を絶縁基板26に接続し、先端で端を挟んでい
る。樹脂外@28はコンデンサ素子23全体を被覆して
いる。この場合には、コンデンサ索子23と陰極端子2
7の接合部の特性劣化や欠陥の発生を軽減できる。なお
、陽極端子及び陰極端子の絶縁基板に接触している部分
は電気めっき法や無電解めっき法等の厚膜法で形成して
もよい。
第7図の実施例は、1717勺素子29をその側面を絶
縁基板30に接触して戟1ffi L/、陽極端子31
と陰極端子32とを互いに反対方向から絶縁基板30と
平行に引き出し、84脂外装33でコンデンサ索子29
を被覆づる。
縁基板30に接触して戟1ffi L/、陽極端子31
と陰極端子32とを互いに反対方向から絶縁基板30と
平行に引き出し、84脂外装33でコンデンサ索子29
を被覆づる。
第8図の実施例は、絶縁基板34にスルーホール35及
び36を設け、このスルーホール35及び36により接
続されるめっき層37及び38を絶縁基板34の両面に
設ける。そしてコンデンサ索子39の側面を半田40を
介してめっき図37に接続し、コンデンサ索子39の一
端面から引き出された陽極リード41にリードフレーム
状の陽極端子42を溶接し、陽極端子42の端を十E)
I 43を介してめっき層37に接続する。樹脂外装4
4は陽極リード41の根本部分のみを被覆する。
び36を設け、このスルーホール35及び36により接
続されるめっき層37及び38を絶縁基板34の両面に
設ける。そしてコンデンサ索子39の側面を半田40を
介してめっき図37に接続し、コンデンサ索子39の一
端面から引き出された陽極リード41にリードフレーム
状の陽極端子42を溶接し、陽極端子42の端を十E)
I 43を介してめっき層37に接続する。樹脂外装4
4は陽極リード41の根本部分のみを被覆する。
この実施例では、絶縁基板の側面に端子ガ引き出されて
いないために、プリント基板に実装した場合のマンハッ
タン現像を防止できる。
いないために、プリント基板に実装した場合のマンハッ
タン現像を防止できる。
次に、上記各実施例、比較例及び従来例について、8i
a度260℃の半田液中に10秒間浸漬して取り出す処
理を3回繰り返し、漏れ電流及びtanδを測定した。
a度260℃の半田液中に10秒間浸漬して取り出す処
理を3回繰り返し、漏れ電流及びtanδを測定した。
試料は、第1図〜第9図の@造の定格35V11.5μ
Fのタンタル固体電解コンデンサを各々1000ケ用い
る。
Fのタンタル固体電解コンデンサを各々1000ケ用い
る。
1idll外84;Ltシンク0.14 X 10’
Kg/dr、熱伝導率は0.0016cal/α・S・
℃とする。
Kg/dr、熱伝導率は0.0016cal/α・S・
℃とする。
また、絶縁基板の大きさは、第2図〜第4図の構造の実
施例が幅3.2sv長さ2.6a、tf15図の実施例
が幅2.6M、長さ2.6m+、第6図の実施例が幅2
.8朋、長さ2.6a*、第7図の実施例が幅3.21
1#I、長さ1.8u+を第8図の実施例が幅2.4順
、長さ2.4閣とする。絶縁基板の44質、弾性率及び
熱伝導率は表1の通りとする。
施例が幅3.2sv長さ2.6a、tf15図の実施例
が幅2.6M、長さ2.6m+、第6図の実施例が幅2
.8朋、長さ2.6a*、第7図の実施例が幅3.21
1#I、長さ1.8u+を第8図の実施例が幅2.4順
、長さ2.4閣とする。絶縁基板の44質、弾性率及び
熱伝導率は表1の通りとする。
以下余白。
表1
なお、各実施例、比較例及び従来例とも、しC及びta
nδの初期値は各々0.005〜0.1μA10.9〜
1.3%とする。測定結果は表2に示した。
nδの初期値は各々0.005〜0.1μA10.9〜
1.3%とする。測定結果は表2に示した。
以下余白。
表2
表2から明らかな通り、本発明によれば、従来例に比べ
てLCは最小値が5/7、最大値が375となり、ta
nbは最小値が9710、最大値が7/8となり、いず
れも減少している。また1本発明を比較例と比べると、
前者の方がLC及びtanbとも改良されている。従っ
て、絶縁基板は、ガラス程度以上の弾性率及び熱伝導率
を有するものである必要がある。
てLCは最小値が5/7、最大値が375となり、ta
nbは最小値が9710、最大値が7/8となり、いず
れも減少している。また1本発明を比較例と比べると、
前者の方がLC及びtanbとも改良されている。従っ
て、絶縁基板は、ガラス程度以上の弾性率及び熱伝導率
を有するものである必要がある。
また、本発明によれば、第8図に示す構造の実施例36
〜実施例42が他の実施例に比べてLG及びtanbと
もより特性が向上Vる。
〜実施例42が他の実施例に比べてLG及びtanbと
もより特性が向上Vる。
(発明の効果)
以−ヒの通り、本発明によれば、加熱収縮の際の樹脂外
装及びコンデンサ素子に生じる歪を絶縁基板により吸収
し、均一に分散できるために、LCやtanbの劣化を
軽減し、特性を向上しつる固体電解コンデンサが得られ
る。
装及びコンデンサ素子に生じる歪を絶縁基板により吸収
し、均一に分散できるために、LCやtanbの劣化を
軽減し、特性を向上しつる固体電解コンデンサが得られ
る。
第1図は本発明の実施例の断面図、第2図〜第8図は本
発明の他の実施例の断面図、第9図は従来の固体電解コ
ンデンサの断面図を示す。 1.8,9.14.22,26.30,34・・・絶縁
基板、 2,10,12,15.16,23゜29.3
9・・・コンデンサ素子、 7,11,21゜28.
33.44・・・樹脂外装。
発明の他の実施例の断面図、第9図は従来の固体電解コ
ンデンサの断面図を示す。 1.8,9.14.22,26.30,34・・・絶縁
基板、 2,10,12,15.16,23゜29.3
9・・・コンデンサ素子、 7,11,21゜28.
33.44・・・樹脂外装。
Claims (1)
- (1)外装の一部に、弾性率が0.6×10^4Kg/
mm^2以上、熱伝導率が0.0025cal/cm・
s・℃以上の絶縁基板を設けることを特徴とする固体電
解コンデンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22580089A JPH0389509A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22580089A JPH0389509A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 固体電解コンデンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0389509A true JPH0389509A (ja) | 1991-04-15 |
Family
ID=16834983
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22580089A Pending JPH0389509A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0389509A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002367862A (ja) * | 2001-04-05 | 2002-12-20 | Rohm Co Ltd | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
US6625009B2 (en) * | 2001-04-05 | 2003-09-23 | Rohm Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and method of making the same |
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CN101847521A (zh) * | 2009-03-23 | 2010-09-29 | 三洋电机株式会社 | 固体电解电容器 |
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Citations (2)
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---|---|---|---|---|
JPS5634341B2 (ja) * | 1976-02-19 | 1981-08-10 | ||
JPS5934130U (ja) * | 1982-08-30 | 1984-03-02 | 株式会社小松製作所 | 湿式多板ブレ−キ |
-
1989
- 1989-08-31 JP JP22580089A patent/JPH0389509A/ja active Pending
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