JP4403362B2 - 光散乱型液晶デバイス - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光散乱型の液晶デバイスに関し、更に詳しくは、幅広い温度範囲において低電圧駆動が可能で電気光学特性に優れる液晶デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】
情報化社会の進展に伴い、情報通信材料の需要がますます高まっている。特に、光散乱型の液晶デバイスは、偏光板が不要なことや視野角依存性が少ないことから、広告板、装飾表示板、時計、コンピューター、プロジェクション、デジタルペーパー、携帯用情報端末、光シャッター、などの液晶表示素子又は光学素子として大きく期待されている。
【０００３】
光散乱型液晶デバイスとして、ラジカル重合性組成物と液晶組成物とからなる調光層形成材料に光照射又は加熱して、ラジカル重合性組成物と液晶組成物とを相分離させた状態でラジカル重合性組成物を硬化させ、ポリマーマトリックスと液晶組成物とからなる調光層を有する液晶デバイスが知られている。
該デバイスには、使用する液晶化合物の種類には左右されず、幅広い温度範囲（例えば０℃〜７０℃位の温度範囲）において駆動電圧が安定であること、且つ、駆動電圧の絶対値は５Ｖｒｍｓ程度であることが求められている。また、ＴＦＴ駆動できることや、ペーパーライクディスプレイなどの表示媒体に用いる場合には白色度の高い液晶デバイスが望まれている。
【０００４】
白色度の高い光散乱型液晶デバイスとして、（１）温度上昇に伴い駆動電圧が低下する光散乱型液晶デバイスの調光層を構成するポリマーマトリックスを形成する重合性化合物と、（２）温度上昇に伴い駆動電圧が上昇する光散乱型液晶デバイスの調光層を構成するポリマーマトリックスを形成する重合性化合物とを含有する重合性組成物の重合体からなるポリマーマトリックスと液晶組成物とからなる調光層を有する液晶デバイスが知られている。（例えば、特許文献１参照。）
【０００５】
（１）の重合性化合物として具体的には、２−オクチルデシルアクリレートや２−ヘプチルノニルアクリレート等の分岐アルキル基を有する単官能（メタ）アクリレートを使用し、（２）の重合性化合物として具体的には、炭素原子数７〜１２の直鎖アルキル基を有する単官能（メタ）アクリレートを使用し、これらを組み合わせることで、液晶と接しているポリマーマトリックス表面のアルキル側鎖の密度・長さ等を制御することができ、ポリマーマトリックス表面と液晶との親和性を調整することができる。この方法により、誘電率異方性が７〜９程度の液晶組成物を使用し、白色度が高く、１５〜４０℃の温度範囲において駆動電圧約４〜１０Ｖｒｍｓを達成している。
【０００６】
しかし、単官能（メタ）アクリレートはゲル化率が低く、そのため調光層内に未反応（メタ）アクリレートが残存してしまい、得られた液晶デバイスは光、熱等により劣化が生じ、経時的に駆動電圧が変化してしまうといった問題点があった。
【０００７】
これに対し、一分子内に炭素原子数４〜２０の直鎖又は分岐アルキル基を有する側鎖型多官能（メタ）アクリレートの重合体からなるポリマーマトリックスと液晶組成物とからなる調光層を有する液晶デバイスが知られている。（例えば、特許文献２参照。）単官能（メタ）アクリレートよりもゲル化率の高い多官能（メタ）アクリレートを使用しており、具体的には、誘電率異方性が２７．８であり極性の高いシアノ系液晶組成物と、長鎖の直鎖アルキル基を有する多官能（メタ）アクリレートのみを使用した液晶デバイスで、０〜５０℃の範囲において駆動電圧約７Ｖｒｍｓを達成した。
【０００８】
しかしシアノ系液晶組成物は、光散乱型液晶デバイスをＴＦＴ駆動させて使用した場合、液晶の抵抗が低く電荷が保持できなくなり画像表示が不可能になるおそれがある。フッ素系液晶組成物を使用すればそのような不具合は生じないが、フッ素系液晶組成物は一般に誘電率異方性が１０以下と低いので、液晶組成物のしきい値電圧が１．７Ｖｒｍｓ程度以上と高くなる傾向にある。特に、誘電率異方性が６程度のフッ素系液晶組成物を使用すると、しきい値電圧が２Ｖｒｍｓを越えてしまうことがあった。従って、上記長鎖の直鎖アルキル基を有する多官能（メタ）アクリレートのみを使用した液晶デバイスは、フッ素系液晶組成物を使用すると、室温以上では駆動電圧７Ｖｒｍｓ前後を達成できるが、室温以下では、温度の低下に伴い急激に上昇する傾向があり、特に０℃近辺では１０Ｖｒｍｓを大きく越える傾向があった。
【０００９】
また、長鎖の分岐アルキル基を有する多官能（メタ）アクリレートのみを使用した液晶デバイスは、直鎖アルキル基と比較して温度変化は小さく、０℃の近辺でも駆動電圧が急激に変化することがないが、駆動電圧の絶対値は１０Ｖｒｍｓ以上と高くなる傾向があった。
【００１０】
一方、１分子中に、側鎖として炭素原子数４〜２５の直鎖アルキル基と炭素原子数４〜２６の分岐アルキル基の両方を有する多官能（メタ）アクリレートとの重合体からなるポリマーマトリックスと液晶組成物とからなる調光層を有する液晶デバイスが知られている。（例えば、特許文献３参照。）ポリマーマトリックス中に、直鎖アルキル基と分岐アルキル基の両方を、ある一定の範囲の割合で組み込めるので、誘電率異方性が２９．６の液晶組成物を使用して駆動電圧５Ｖｒｍｓを達成できる。またモノマーが残存しにくいので、光、熱等による劣化を防ぐことができる。
【００１１】
しかし、分子に組み込める直鎖アルキル基と分岐アルキル基の比率が限られるので、ポリマーマトリックス中に組み込める直鎖アルキル基と分岐アルキル基の比率が限られ、駆動電圧の温度変化の調整に限界があった。
また、側鎖として炭素原子数４〜２５の直鎖アルキル基と炭素原子数４〜２６の分岐アルキル基の両方を有する多官能（メタ）アクリレートの合成行程が多いために、製造コストが高いといった欠点があった。
【００１２】
従って、ＴＦＴ駆動可能な、誘電率異方性及び極性の低いフッ素系液晶化合物を使用しても、駆動電圧５Ｖｒｍｓ以下の低電圧駆動が可能で、且つ、電気光学特性に優れ、幅広い温度範囲においてその特性が変化せず、白色度の高い液晶デバイスの開発が望まれていた。
【００１３】
【特許文献１】
特開平９−３２９７８１号公報
【特許文献２】
特開平１１−２９５２７号公報
【特許文献３】
特開２００２−２９３８２７号公報
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決しようとする課題は、ＴＦＴ駆動可能な、誘電率異方性の低い液晶組成物、特に誘電率異方性が１１以下の低極性のフッ素系液晶組成物を使用しても、０℃〜７０℃の幅広い温度範囲において５Ｖｒｍｓ程度の低電圧駆動が可能で、且つ駆動電圧が安定であり、経時変化等の生じない、ポリマーマトリックスと液晶組成物からなる白色度の高い調光層を有する光散乱型液晶デバイスを提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、低温域で駆動電圧が上昇する傾向を有する長鎖の直鎖アルキル基を有する多官能（メタ）アクリレートに、特定の割合で長鎖の分岐アルキル基を有する多官能（メタ）アクリレートを特定量配合したラジカル重合性組成物をポリマーマトリックスの原料として使用し、ポリマーマトリックス表面に直鎖アルキル基とかさ高い分岐アルキル基とを適当に分布させることで、ポリマーマトリックス表面と液晶との親和性を調整することができ、上記課題を解決した。直鎖アルキル基と分岐アルキル基の分布は、上記モノマーの配合比率を変えることで簡単に調整することができる。
【００１６】
即ち、本発明は、透明電極層を有し少なくとも片方が透明であり、該透明電極層を対向させた状態で一定間隔を保った２枚の基板間に、ポリマーマトリックス及び液晶組成物からなる調光層を挟持させてなる光散乱型液晶デバイスにおいて、ポリマーマトリックスが、一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物を９５〜５０質量％、及び一般式（２）で表されるラジカル重合性化合物を５〜５０質量％含有するラジカル重合性組成物の重合体からなり、且つ、液晶組成物が、実質的にシアノ系液晶化合物を含まない、１１以下の正の誘電率異方性を有する液晶組成物である光散乱型液晶デバイスを提供する。
【００１７】
【化３】

一般式（１）
【００１８】
【化４】

一般式（２）
【００１９】
（式中、Ｘ_１及びＹ_１は、各々独立して、−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ_２−、−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−、−Ｏ−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−を表し、Ｒ_１及びＲ_５は、置換基を有していてもよく、各々独立して、炭素数２〜３０のアルキレン基、炭素数２〜３０のアルキルトリイル基、炭素数２〜３０のアルキルテトライル基（但し、これらの基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、場合によりそれぞれ相互に独立して、酸素原子が相互に直接に結合しないものとして、−Ｏ−で置き換えられていても良い）、アリーレン基、シクロアルキレン基、２個以上の芳香環又脂環が、単結合又はアルキレン基（但し、アルキレン基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、場合によりそれぞれ相互に独立して、酸素原子が相互に直接に結合しないものとして、−Ｏ−で置き換えられていても良い）で連結された基を表す。Ｒ_２は、炭素数４〜３０の直鎖アルキル基を表し（但し、直鎖アルキル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、場合によりそれぞれ相互に独立して、酸素原子が相互に直接に結合しないものとして、−Ｏ−又はアリーレン基で置き換えられていても良い）、Ｒ_６は、炭素数４〜３０の分岐アルキル基を表し（但し、分岐アルキル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、場合によりそれぞれ相互に独立して、酸素原子が相互に直接に結合しないものとして、−Ｏ−又はアリーレン基で置き換えられていても良い）、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_７、及びＲ_８は、各々独立して、水素又はメチル基を表し、Ｘ_２及びＹ_２は、各々独立してメチレン基、エーテル結合又はエステル結合を表し、Ｘ_３及びＹ_３は、各々独立して単結合、メチレン基、エーテル結合又はエステル結合を表し、ｍ及びｎは、各々独立して２〜４の整数を表し、ａ、ｂ、ｃ、及びｄは、０又は１を表す。）
【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明で使用する、前記一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物及び（２）で表されるラジカル重合性化合物において、Ｘ_１及びＹ_１は、−Ｏ−ＣＨ_２−、−Ｏ−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−、−Ｏ−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−が特に好ましい。
【００２１】
Ｒ_１及びＲ_５は、炭素数２〜３０のアルキレン基、炭素数２〜３０のアルキルトリイル基、炭素数２〜３０のアルキルテトライル基（但し、これらの基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、場合によりそれぞれ相互に独立して、酸素原子が相互に直接に結合しないものとして、−Ｏ−で置き換えられていても良い）が特に好ましい。Ｒ_１及びＲ_５は置換基を有していても良く、例えば、ハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アシルオキシ基、アルカノイル基等が挙げられる。
Ｒ_１及びＲ_５の具体的な例としては、ブチレン基、ヘキシレン基、７，１２−ジメチルオクタデシレン基、７−エチルヘキサデシレン基、２，２’−ジメチル−プロピレン基、繰り返し数が２〜１０のポリオキシエチレン基、ポリオキシプロピレン基、ポリオキシブチレン基、ポリオキシテトラメチレン基、シクロヘキシレン基、６−フェニルドデシレン基、ビフェニレンジイル基等が挙げられる。
【００２２】
Ｒ_２は、炭素数４〜３０の直鎖アルキル基を表す。但し、直鎖アルキル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、場合によりそれぞれ相互に独立して、酸素原子が相互に直接に結合しないものとして、−Ｏ−又はアリーレン基で置き換えられていても良い。具体的には、ノルマルヘキシル基、ノルマルオクチル基、ウンデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、オクタデシル基、ブトキシエチル基、ヘキシロキシエチル基、ノルマルブトキシエトキシメチル基、シクロヘキシル基、ポリエチレングリコール基、４−ノニルフェニレン基、４−オクチルシクロヘキシル基等があげられる。中でも、ノルマルヘキシル基、ノルマルオクチル基等の炭素数６〜２５の直鎖アルキル基が、より低電圧で駆動可能な液晶デバイスを得ることができ、好ましい。
【００２３】
Ｒ_６は、具体的には、２−エチルヘキシル基、イソオクチル基、２−ｎ−ヘプチルウンデシル基、３，３，５−トリメチル−１−ヘキシル基、２−ドデシルテトラデシル基、３−ノニルドデシル基、３−ヘプチルデシル基、（２−エチルヘキシル）エトキシエチル基、２−ｎ−ヘプチルウンデシルオキシエチル基、４−ブチル−３−プロピルフェニル基、ターシャリーブチルフェニル基、ポリブチレングリコール基等が挙げられる。中でも、イソオクチル基、２−ｎ−ヘプチルウンデシル基等の炭素数６〜２５の分岐アルキル基がより好ましい。またＲ_６は、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルカノイル基等の置換基を有していても良い。
【００２４】
Ｒ_３およびＲ_７は、水素原子であることが反応性が高いことや合成のしやすさから特に好ましい。ｍ及びｎは、合成のしやすさから、２の整数が好ましい。
【００２５】
前記一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物は、丹羽らによる「テトラヘドロン・レターズ（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ）３０巻、４９８５頁、１９８９年」に開示されているような公知の方法で合成することができる。具体的には、エポキシ基を複数有する化合物と、エポキシ基と反応し得る活性水素を有するラジカル重合性化合物とを反応させ、水酸基を有するラジカル重合性化合物を合成し、次に、Ｒ_２で表される基、及び水酸基と反応し得る基を有する化合物とを反応させることにより得ることができる。
【００２６】
例えば、一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物が、ａが０、ｂが１、ｍが２、Ｘ_２がエステル結合、Ｘ_１が−Ｏ−ＣＨ_２−、Ｘ_３がエーテル結合、Ｒ_１がヘキサメチレン基、Ｒ_２がヘプチル基、Ｒ_３及びＲ_４が水素原子であるラジカル重合性化合物である場合は、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテルとアクリル酸とを、トリフェニルフォスフィンやＮ，Ｎ−ジメチルベンジルアミンの存在下、８０〜１２０℃で反応させて、水酸基を有するラジカル重合性化合物を合成し、次に、水酸基を有するラジカル重合性化合物とカプロン酸をエステル化反応させて得ることができる。
【００２７】
前記一般式（２）で表されるラジカル重合性化合物は、前記一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物と同様の方法で合成できるほか、複数のエポキシ基を有する化合物と、Ｒ_６で表される基、及びエポキシ基と反応し得る基を有する化合物とを反応させ、水酸基を有する化合物を合成し、次に、Ｒ_６で表される基、及び水酸基と反応し得る基を有するラジカル重合性化合物とを反応させることにより得ることができる。
【００２８】
例えば、一般式（２）で表されるラジカル重合性化合物が、ｃが１、ｄが１、ｎが２、Ｙ_２がエステル結合、Ｙ_１が−Ｏ−、Ｙ_３がエーテル結合、Ｒ_５がヘキサメチレン基、Ｒ_６が２−デシルドデシル基、Ｒ_７及びＲ_８が水素原子であるラジカル重合性化合物である場合は、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテルと２−デシルドデカン酸とをトリフェニルフォスフィンやＮ，Ｎ−ジメチルベンジルアミンの存在下８０〜１２０℃で反応させて、水酸基を有するラジカル重合性化合物を合成し、次に、アクリル酸塩化物をトリエチルアミンの存在下で反応させることにより得ることができる。
【００２９】
前記複数のエポキシ基を有する化合物は、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル以外に、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、トリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、グリセリングリシジルエーテル、１，２，７，８−ジエポキシオクタン、ダイマー酸ジオールジグリシジルエーテル等を使用することができる。
【００３０】
前記エポキシ基と反応し得る活性水素を有するラジカル重合性化合物としては、アクリル酸やアクリル酸塩化物以外に、例えば、メタクリル酸、アクリル酸ダイマー、メタクリル酸ダイマー、メタクリル酸塩化物、アクリル酸ダイマー及びメタクリル酸ダイマーの酸塩化物等を使用することができる。
【００３１】
前記Ｒ_２で表される基、及び水酸基と反応し得る基を有する化合物としては、カプロン酸以外に、カプリル酸、ラウリル酸、ステアリン酸、シクロヘキサンカルボン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ノルマルブチル安息香酸、ラウリル酸クロリド、ミリスチン酸クロリド、塩化ラウリロイル、塩化カプリロイル等を使用することができる。
【００３２】
前記Ｒ_６で表される基、及び水酸基と反応し得る基を有する化合物としては、２−デシルドデカン酸以外に、イソミリスチル酸、イソステアリン酸、２−エチルヘキサン酸、２−ドデシルテトラデカン酸、３−ペンチルオクタン酸、ジエチレングリコールモノ２−エチルヘキシルエーテル等を使用することができる。
【００３３】
一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物が有する直鎖アルキル基と、（２）で表されるラジカル重合性化合物が有する分岐アルキル基との組み合わせとしては、例えば、炭素数１１〜１３の直鎖アルキル基と炭素数１３〜１８の分岐アルキル基との組み合わせが好ましく、更に、炭素数１１〜１３の直鎖アルキル基と炭素数１３の分岐アルキル基との組み合わせや、炭素数１１〜１３の直鎖アルキル基と炭素数１８の分岐アルキル基がより好ましい。
【００３４】
一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物の特に好ましい態様として、下記構造の化合物があげられる。
【００３５】
【化５】

【００３６】
【化６】

【００３７】
また、一般式（２）で表されるラジカル重合性化合物の特に好ましい態様として、下記構造の化合物があげられる。
【００３８】
【化７】

【００３９】
【化８】

【００４０】
本発明で使用するラジカル重合性組成物は、前記一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物、及び一般式（２）で表されるラジカル重合性化合物を含有する以外は特に限定されず、公知慣用のラジカル重合性化合物や重合開始剤を含有することができる。
ラジカル重合性化合物としては、例えば、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、イソミリスチル（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ウレタンアクリレート、ポリテトラエチレングリコールジマレイミド等が挙げられる。これらのラジカル重合性化合物の配合率としては、一般式（１）及び一般式（２）のラジカル重合性化合物の合計量に対して、１〜３０％が好ましく、５〜２０％が最も好ましい。
【００４１】
また、重合開始剤としては、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジメチルケタール、２−イソプロピルチオキサントン等の光重合開始剤や、ベンゾイルパーオキサイド、Ｎ−Ｎ’−アゾビスイソブチロニトリル等の熱重合開始剤が挙げられる。これらの重合開始剤の添加率はラジカル重合性組成物に対し０．０１〜１０％が好ましく、１〜５％がより好ましい。
【００４２】
その他、必要に応じて酸化防止剤、紫外線吸収剤、非反応性のオリゴマーや無機充填剤、有機充填剤、重合禁止剤、消泡剤、レベリング剤、可塑剤、シランカップリング剤等を適宜、添加しても良い。
【００４３】
本発明で使用する液晶組成物は、実質的にシアノ系液晶化合物を含まない、１１以下の正の誘電率異方性を有する液晶組成物である。（なお、本発明において、実質的にシアノ系液晶化合物を含まない液晶組成物とは、シアノ系液晶化合物が１０質量％以下しか含まれない液晶組成物を言う。）
１１以下の正の誘電率異方性を有する液晶組成物に特に限定はなく、公知慣用の液晶組成物を使用することができる。中でも、正の誘電率異方性を有するフッ素系液晶化合物を含有する液晶組成物が好ましい。本発明で使用する好適なフッ素系液晶化合物としては、例えば、一般式（３）で表される化合物を挙げることができる。
【００４４】
【化９】

（３）
【００４５】
（式中、Ｒ_９は、フッ素置換されていても良い炭素原子数１〜１６のアルキル基、炭素原子数１〜１６のアルコキシル基、炭素原子数２〜１６のアルケニル基又は炭素原子数３〜１６のアルケニルオキシ基を表し、Ａ_１及びＡ_２は、それぞれ独立して１，４−フェニレン基、２又は３−フルオロ−１，４−フェニレン基、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、２又は３−クロロ−１，４−フェニレン基、２，３−ジクロロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジクロロ−１，４−フェニレン基、２−メチル−１，４−フェニレン基、３−メチル−１，４−フェニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、フェナントレン−２，７−ジイル基、フルオレン−２，７−ジイル基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、ジヒドロフェナトレン基、トランス−１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ピラジン−２，５−ジイル基またはピリダジン−２，５−ジイル基を表し、これらの基は更に１〜３のフッ素原子又は重水素原子により置換されていてもよく、ｍは０、１又は２を表し、Ｚ_１及びＺ_２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−を表し、Ｂはフッ素原子、トリフルオロメトキシ基、トリフルオロメチル基、ジフルオロメトキシ基、または３，３，３−トリフルオロエトキシ基を表し、Ｒ_１０、Ｒ_１１は水素原子、フッ素原子または塩素原子を表す。但し、ｍが２の場合、２個のＺ_１及びＡ_２は、それぞれ独立に同じであっても良く、異なっていても良い。）
【００４６】
一般式（３）で表される化合物としては、Ａ_１及びＡ_２が１，４−フェニレン基またはトランス−１，４−シクロヘキシレン基であることが好ましい。Ｒ_９は、炭素原子数１〜５のアルキル基が好ましい。Ｚ_１及びＺ_２は単結合または−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−Ｃ≡Ｃ−が好ましい。単結合及び−ＣＨ_２ＣＨ_２−は、化学的安定性に優れるため、添加により液晶材料の化学安定性を損ない難い。また、液晶のΔｎを高くする場合は−Ｃ≡Ｃ−を用いることが好ましい。Ｒ_１０、Ｒ_１１は少なくとも一方はフッ素原子であることが好ましく、両方がフッ素原子である、３，４，５−トリフェニルベンゼンを有する化合物が更に好ましい。Ｂはフッ素原子が好ましい。
一般式（３）で表される化合物から選んだ液晶化合物を使用し、本発明に使用する誘電率異方性が１１以下の液晶組成物を作製することができる。本発明においては、全液晶組成物中にフッ素系液晶化合物が５０質量％以上の割合で含まれた組成物を使用するのが好ましい。
【００４７】
フッ素系液晶化合物以外の化合物としては、例えば、一般式（４）で表される誘電率異方性が小さい化合物を上げることができる。
【００４８】
【化１０】

（４）
【００４９】
（式中、Ｒ_１２及びＲ_１３は、それぞれ独立してフッ素置換されていても良い炭素原子数１〜１６のアルキル基、炭素原子数１〜１６のアルコキシル基、炭素原子数２〜１６のアルケニル基又は炭素原子数３〜１６のアルケニルオキシ基を表し、Ａ_３〜Ａ_５は、それぞれ独立して１，４−フェニレン基、２又は３−フルオロ−１，４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、２又は３−クロロ−１，４−フェニレン基、２，３−ジクロロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジクロロ−１，４−フェニレン基、２−メチル−１，４−フェニレン基、３−メチル−１，４−フェニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、フェナントレン−２，７−ジイル基、フルオレン−２，７−ジイル基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、トランス−１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ピラジン−２，５−ジイル基またはピリダジン−２，５−ジイル基を表し、これらの基は更に１〜３のフッ素原子又はメチル基により置換されていてもよく、ｎは０〜２を表し、Ｚ_３及びＺ_４はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−を表す。但し、ｎが２の場合、２個のＺ_４及びＡ_５は、それぞれ独立に同じであっても良く、異なっていても良い。）
【００５０】
一般式（４）で表される化合物としては、Ａ_３〜Ａ_５が１，４−フェニレン基またはトランス−１，４−シクロヘキシレン基であることが好ましい。Ｒ_１２及びＲ_１３は、炭素原子数１〜５のアルキル基が好ましい。Ｚ_３及びＺ_４は単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、または−ＣＯＯ−が好ましい。単結合は、化学的安定性に優れるため、添加により液晶材料の化学安定性を損ない難い。
【００５１】
本発明で使用する液晶組成物は、その他、光学活性化合物や染料などを含んでいてもよい。その場合は、誘電率異方性が１１を越えないように配合する。
【００５２】
前記液晶組成物とラジカル重合性組成物との配合比は、所望の電気光学特性に応じて調整することができ、５０：５０〜９７：３の範囲が好ましく、６０：４０〜８５：１５の範囲がより好ましい。
【００５３】
光散乱型液晶デバイスにおいて、駆動電圧は、ポリマーマトリックスが有する側鎖と液晶分子との分子間相互作用力と密接に関係していると考えられる。従って、ポリマーマトリックスの弾性率、ガラス転移点、表面エネルギー、あるいは液晶組成物との親和性等が直接影響するものと考えられ、次のように推定している。
たとえば側鎖が直鎖アルキル基の場合は、温度がポリマーのガラス転移点以上に高くなると、直鎖アルキル基は熱による揺らぎが大きくなり、自由に動くようになる。そして、液晶分子に対して排除体積効果が大きくなるので、液晶分子は、直鎖アルキル基からの分子間相互作用を受けなくなり、液晶分子は界面に平行に向く。更に、排除体積効果の影響で液晶分子はポリマーマトリックスの主鎖（以下、「主鎖」と略す）に束縛されず、結果として駆動電圧が低くなる。
一方温度が低くなると、直鎖アルキル基の熱の揺らぎは小さくなるので、液晶分子に対する排除体積効果が小さくなる。従って、液晶分子は、主鎖からの分子間相互作用と直鎖アルキル基からの分子間相互作用の影響を受けることになり、駆動電圧が高くなる。
【００５４】
温度が駆動電圧に及ぼす影響は、直鎖アルキル基の長さを変えることである程度制御できることが確認されている。
図１に、液晶として誘電率異方性の低いフッ素系液晶組成物を使用し、炭素原子数が１０、１２、及び１４の長鎖の直鎖アルキル基を側鎖に有するラジカル重合性化合物を使用した液晶デバイスの、駆動電圧と温度との関係を示す。
側鎖が炭素原子数１０のラジカル重合性化合物を使用した液晶デバイスは、０〜４０℃の範囲における駆動電圧の温度依存性は小さいが、駆動電圧の絶対値は１５Ｖｒｍｓ以上と高い。これは、直鎖アルキル基の長さが短くなると側鎖基の効果が小さくなり、炭素原子数１０の直鎖アルキル基では液晶分子に対する体積排除効果は小さいので、液晶分子は主鎖からの影響が大きくなる結果、駆動電圧の絶対値は高いものと推定される。
【００５５】
一方、炭素原子数１４のラジカル重合性化合物を使用した液晶デバイスは、直鎖アルキル基が長いので、熱の揺らぎが大きく排除体積効果が強く、高温域において液晶分子との分子間相互作用力が弱まる。従って、４０℃の高温側では、駆動電圧６Ｖｒｍｓを達成できる。しかし、低温域では熱の揺らぎが減少するので、液晶分子は主鎖と直鎖アルキル基の両方から分子間相互作用を強く受け、駆動電圧は増加し、１０℃以下では約１５Ｖｒｍｓを越えてしまう。
炭素原子数が１０と１４の間である１２のラジカル重合性化合物を使用することで、主鎖、及び側鎖からの分子間相互作用のバランスや、側鎖の熱の揺らぎに伴う排除体積効果の度合いの相乗効果で駆動電圧の温度依存性が小さく、且つ駆動電圧の絶対値が１０Ｖｒｍｓ前後の液晶デバイスを得ることができる。
【００５６】
この様に、長鎖の直鎖アルキル基の炭素原子数を変えるだけで、駆動電圧の温度依存性と駆動電圧の絶対値を、ある程度制御することができる。しかしこの方法では、０℃近辺の駆動電圧を１０Ｖｒｍｓより低い値に、好ましくは５Ｖｒｍｓ前後より低い値に維持することが困難である。
【００５７】
本発明では、Ｒ_３で表される長鎖の直鎖アルキル基を側鎖に有する一般式（１）で表される化合物に、Ｒ_８で表される長鎖の分岐アルキル基を側鎖に有する一般式（２）で表される化合物を、全重合性化合物量の５０質量％を超えない範囲で特定の割合で添加したラジカル重合性組成物を使用し、直鎖アルキル基にかさ高い分岐アルキル基を適当に分布させたポリマーマトリックスを得ることができる。この方法により、直鎖アルキル基の結晶性を低下させ、更にポリマーマトリックスの表面エネルギーや弾性率等の物性を変化させることができ、液晶との親和性を調整することができる。
【００５８】
従って、前記一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物を９５〜５０質量％、及び前記一般式（２）で表されるラジカル重合性化合物を５〜５０質量％含有する（以下、本発明において％は全て質量換算とする）ラジカル重合性組成物の重合体からなるポリマーマトリックスを有することで、室温以上で３〜６Ｖｒｍｓ程度の低い駆動電圧を示し、０℃〜７０℃の幅広い温度範囲において駆動電圧の温度依存性が小さく、白色度の高い光散乱型液晶デバイスが得られる。
【００５９】
図２に、液晶組成物として、誘電率異方性が６．７の低極性のフッ素系液晶組成物を使用し、一般式（１）で表される化合物として、式「ＭＣ−１」で表される化合物を使用した液晶デバイスの駆動電圧と温度との関係を示す。
【００６０】
【化１１】

（ＭＣ−１）
【００６１】
一般式（２）で表される化合物として、式「ＭＢ−３」で表される化合物を使用したときの、光散乱型液晶デバイスの駆動電圧と温度と関係の一例を示す。
【００６２】
【化１２】

（ＭＢ−３）
【００６３】
式「ＭＣ−１」で表される化合物を１００％使用した液晶デバイスは、温度４０℃以上では駆動電圧が３Ｖｒｍｓ以下であるが、温度が下がるに伴い駆動電圧は単調に増加し、０℃で駆動電圧が２０Ｖｒｍｓにも達する。一方「ＭＢ−３」で表される化合物を１００％使用した液晶デバイスは、温度依存性は小さいが駆動電圧の絶対値は高く、６０℃において１２．５Ｖｒｍｓである。
これに対し、「ＭＣ−１」で表される化合物と「ＭＢ−３」で表される化合物の比８０：２０の組成物を使用した液晶デバイスは、０℃〜６０℃の範囲において１０Ｖｒｍｓ以下、平均５〜６Ｖｒｍｓと安定した駆動電圧を示す。
このように本発明の一般式（１）直鎖アルキル側鎖を有するラジカル重合性化合物と一般式（２）分岐アルキル側鎖を有するラジカル重合性化合物を組み合わせ一般式（１）と（２）の配合比を調整することにより駆動電圧の温度依存性を小さくして実用的な駆動特性が得られる。
【００６４】
ポリマーマトリックスが有する長鎖の分岐アルキル基の数が多すぎると、該ポリマーマトリックスと液晶との分子間力が大きすぎて、駆動電圧が上昇するおそれがある。そのため、前記一般式（２）で表されるラジカル重合性化合物は５０％を超えない範囲で添加する。一方、前記一般式（２）で表される化合物が少なすぎると、低温域における駆動電圧を下げる効果が十分ではないため、５％以上含有することが望ましい。中でも、前記一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物を９０〜６０％、及び前記一般式（２）で表されるラジカル重合性化合物を１０〜４０％含有することが好ましく、前記一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物を８５〜７０％、及び前記一般式（２）で表されるラジカル重合性化合物を１５〜３０％含有することが最も好ましい。
【００６５】
一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物は、側鎖骨格の分子量を主鎖骨格の分子量で除した値（以下、側鎖比率と定義する。）が１以上で、且つ、側鎖の炭素数が主鎖よりも長いと、より駆動電圧が低くなる傾向にある。
【００６６】
一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物と、一般式（２）で表されるラジカル重合性化合物とを含有するラジカル重合性組成物と、前記液晶組成物との混合物（以下、調光層形成材料と略す。）を、透明電極層を有し少なくとも片方が透明であり、該透明電極層を対向させた状態でスペーサー等を使用して一定間隔を保った２枚の基板間に挟持させ、光照射又は加熱することで、本発明の光散乱型液晶デバイスを得ることができる。
【００６７】
透明電極層を有する透明基板は、例えば、ガラス板等の透明基板上にインジウムチンオキシド（ＩＴＯ）をスパッタリングすることにより得ることができる。また、低波長分散の透明性基板を用いることにより本発明のデバイスの光散乱能が高まり反射率やコントラストが向上してより好ましい。低波長分散の透明性基板としては、ホウケイ酸硝子や、ポリエチレンテレフタレートまたはポリカーボネート等のプラスチック透明フィルム、１／４λの光干渉条件を使用した誘電体多層膜をコートした透明性基板が挙げられる。
また、該基板上には、必要に応じて、高分子膜や、配向膜やカラーフィルターを配置することもできる。配向膜としては、例えば、ポリイミド配向膜、光配向膜等が使用できる。配向膜の形成方法としては、例えばポリイミド配向膜の場合、ポリイミド樹脂組成物を該透明基板上に塗布し、１８０℃以上の温度で熱硬化させ、更に綿布やレーヨン布でラビング処理することで得ることができる。また、ラビング処理を施していないポリイミド膜等の高分子膜も用いることもできる。
【００６８】
カラーフィルターは、例えば、顔料分散法、印刷法、電着法、又は、染色法等によって作成することができる。顔料分散法によるカラーフィルターの作成方法を一例に説明すると、カラーフィルター用の硬化性着色組成物を、該透明基板上に塗布し、パターニング処理を施し、そして加熱又は光照射により硬化させる。この工程を、赤、緑、青の３色についてそれぞれ行うことで、カラーフィルター用の画素部を作成することができる。その他、該基板上に、ＴＦＴ、薄膜ダイオード、金属絶縁体金属比抵抗素子等の能動素子を設けた画素電極を設置してもよい。
本発明の光散乱型液晶デバイスとして、前記基板上の個々の画素の印加電圧を切り替えるための集積非線形素子を有する光散乱型液晶デバイスが特に好ましい。
【００６９】
前記基板を、透明電極層が内側となるように対向させる。その際、スペーサーを介して、基板の間隔を調整してもよい。このときは、得られる調光層の厚さが５〜１００μｍ、中でも６〜５０μｍとなるように、該基板の間隔を調整することが好ましい。スペーサーとしては、例えば、ガラス粒子、プラスチック粒子、アルミナ粒子、フォトレジスト材料等が挙げられる。その後、エポキシ系熱硬化性組成物等のシール剤を、液晶注入口を設けた形で該基板にスクリーン印刷し、該基板同士を貼り合わせ、加熱しシール剤を熱硬化させる。
【００７０】
得られた液晶セルに前記調光層形成材料を封入し、調光層形成材料中の液晶組成物を等方性液体状態に保持した状態で光照射又は加熱することで、本発明の光散乱型液晶デバイスを作成することができる。光照射又は加熱の方法としては特に限定はなく、紫外線、可視光線、高周波等のエネルギー線を利用することができる。中でも紫外線は、液晶組成物を等方性液体状態に保持した状態で瞬間的にラジカル重合性組成物の重合を進行させるので、調光層内の平均空隙間隔を均一な大きさにでき、且つ３次元ネットワーク状のポリマーマトリックスを得ることができるので、より好ましい。該ポリマーマトリックスが３次元ネットワーク状となることで、得られる液晶デバイスの電気光学特性がより向上する。
【００７１】
また、本発明の液晶デバイスの裏面側に光吸収層を配置することもでき、反射率とコントラストの高い反射型光散乱型液晶デバイスが得られる。また、シアン・マゼンタ・イエロー等の光吸収波長の異なる光吸収層を各色別に分割した画素電極の位置に一致するように配置すると、カラー表示が可能である。
【００７２】
本発明の光散乱型液晶デバイスは低電圧駆動が可能であり、０℃〜７０℃の幅広い温度範囲において駆動電圧の変動が小さい。駆動電圧の変動値は、０℃におけるＶｒ９０と７０℃におけるＶｒ９０の差の絶対値（以下、ΔＶと略す）で表され、１Ｖｒｍｓ以下であることが好ましいが、本発明の光散乱型液晶デバイスはこれを満たす。また電気光学特性に優れる。
【００７３】
本発明の光散乱型液晶デバイスは、駆動回路として低価格のＩＣドライバーを使用することができ、屋外で使用するような建築物の窓やショーウィンドウ等の視野遮断のスクリーン、採光コントロールのカーテン、文字や図形を表示し高速応答性で電気的に表示を切り換える広告板や装飾表示板として特に有用である。勿論、時計、コンピューター末端等の表示素子やデジタルペーパー、ＩＣカードの情報表示、電子ブックやＰＤＡなどの携帯情報端末やプロジェクション等の表示装置、光シャッターなどの光学素子としても有用である。また、低極性のフッ素系液晶化合物を使用すれば、ＴＦＴ駆動が可能であるので、光散乱型の直視・反射型ペーパーライクディスプレイにも使用することができる。
【００７４】
【実施例】
以下に、本発明の実施例を示し、本発明を更に具体的に説明する。しかしながら、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の実施例において「％」は特に断りのない限り「％」を表す。
実施例は、電気光学特性として表１に示した内容について評価した。
【００７５】
【表１】
［表１ 電気光学特性］

【００７６】
［合成例１］
撹拌装置、窒素導入管、冷却管及び温度計を備えた反応容器に、ナガセ化成工業社製のネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル「ＥＸ−２１１」１００ｇ（０．４６ｍｏｌ）、アクリル酸９０ｇ（１．２ｍｏｌ）、ｐ−メトキシフェノール２００ｍｇ、及び触媒としてＮ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン１ｇを入れ、８０℃で撹拌した。次いで反応液を１００℃に昇温し、温度を保ちながら５時間撹拌した後反応を終了した。次にトルエン３００ｍｌを加え、５％水酸化ナトリウム溶液３００ｍｌ、飽和食塩水の順で洗浄し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、有機溶媒を減圧留去して、淡褐色透明液状の化合物Ａ１７０ｇを得た。
【００７７】
次に、撹拌装置、窒素導入管、冷却管及び温度計を備えた反応容器に、塩化メチレン３００ｍｌ、ラウリン酸５５ｇ（０．２７ｍｏｌ）、ｐ−メトキシフェノール２０ｍｇ、同仁化学社製の１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩「ドータイトＷＳＣ」５３ｇ（０．２７ｍｏｌ）、及び触媒として４−ジメチルアミノピリジン３．３ｇを入れ、５℃に保ちながら、前記化合物Ａ５０ｇを溶解させた塩化メチレン溶液５０ｍｌ溶液を１時間かけてゆっくり滴下した。滴下終了後、室温で１０時間撹拌した後反応を終了した。１／１０Ｎの塩酸溶液、飽和食塩水の順で洗浄し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。有機層の溶媒を減圧留去した後、濃縮液をシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、側鎖としてドデカノイルオキシ基（ａが０、Ｘ_１がエステル結合であり、炭素数が１１である）を２こ有するラジカル重合性化合物「ＭＣ−１」を約６０ｇ得た。
【００７８】
【化１３】

【００７９】
（物性値）
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：６．４５（２Ｈ），６．１７（２Ｈ），５．８７（２Ｈ），５．２８（２Ｈ），４．４１（２Ｈ），４．３７（２Ｈ），３．６（４Ｈ），３．２（４Ｈ），２．３４（４Ｈ），１．６（４Ｈ），１．２５（１６Ｈ），０．８７（１２Ｈ）
^１３Ｃ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：１７３．０，１６５．６，１３１．１，１２８．０，６９．９，６９．５，６３．１，３６．４，３４．３，３１．８，２９．５−２９．０，２４．９，２２．６，２１．８，１４．０
赤外吸収スペクトル（ＩＲ）（ＫＢｒ）ｃＭＣ−１：２９３０，２８６１，１７４４，１６５２−１６２２，１１７６，８０７．５
元素分析：Ｃ＝６７．５％（６７．９），Ｈ＝９．８％（１０．０）
【００８０】
［合成例２］
撹拌装置、窒素導入管、冷却管及び温度計を備えた反応容器に、塩化メチレン３００ｍｌ、イソミリスチン酸７６ｇ（０．３３ｍｏｌ）、ｐ−メトキシフェノール２０ｍｇ、「ドータイトＷＳＣ」６４ｇ（０．３３ｍｏｌ）及び触媒として４−ジメチルアミノピリジン４．０ｇを加え、５℃に保ちながら、前記化合物Ａ６０ｇを溶解させた塩化メチレン溶液５０ｍｌ溶液を１時間かけてゆっくり滴下した。滴下終了後、室温で１０時間撹拌した後反応を終了した。１／１０Ｎの塩酸溶液、飽和食塩水の順で洗浄し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。有機層の溶媒を減圧留去した後、濃縮液をシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、２−（３−メチル）ブチル−７−メチル−オクタノイルオキシ基（ｃが０、Ｙ_１がエステル結合であり、炭素数が１３である）を２こ有するラジカル重合性化合物「ＭＢ−１」を約４０ｇ得た。
【００８１】
【化１４】

ＭＢ−１
【００８２】
（物性値）
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：６．４５（２Ｈ），６．１７（２Ｈ），５．８７（２Ｈ），５．２８（２Ｈ），４．４１（２Ｈ），４．３７（２Ｈ），３．６（４Ｈ），３．２（４Ｈ），２．３０（２Ｈ），１．５−１．０（１４Ｈ），０．８７（１２Ｈ）
^１３Ｃ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：１７３．０，１６５．６，１３１．１，１２８．２，１２８．０，６９．９，６９．７，６３．３，４６．３，３９．０−１９．４，１４．３
赤外吸収スペクトル（ＩＲ）（ＫＢｒ）ｃＭＣ−１：２９３０，２８６１，１７４４，１６５２−１６２２，１１７６，８０７．５
元素分析：Ｃ＝６９．１％（６９．２），Ｈ＝１０．２％（１０．３）
【００８３】
［合成例３］
撹拌装置、窒素導入管、冷却管及び温度計を備えた反応容器に共栄社製の１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル「エポライト１６００」６０ｇ（０．２６ｍｏｌ）、アクリル酸４１ｇ（０．５７ｍｏｌ）、ｐ−メトキシフェノール２００ｍｇ、及び触媒としてＮ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン０．５ｇを入れ、８０℃で撹拌した。次いで反応液を１００℃に昇温し、５時間撹拌した後反応を終了した。次いでトルエン５００ｍｌ加え、５％水酸化ナトリウム溶液３００ｍｌ、飽和食塩水の順で洗浄し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、有機溶媒を減圧留去して淡褐色透明液状の化合物Ｂ８０ｇ得た。
【００８４】
次に、撹拌装置、窒素導入管、冷却管及び温度計を備えた反応容器に、塩化メチレン３００ｍｌ、ミリスチン酸５１ｇ（０．２３ｍｏｌ）、ｐ−メトキシフェノール２０ｍｇ、「ドータイトＷＳＣ」４３ｇ（０．２３ｍｏｌ）及び触媒として４−ジメチルアミノピリジン２．７ｇを加え、５℃に保ちながら、前記化合物Ｂ４０ｇを溶解させた塩化メチレン溶液５０ｍｌ溶液を１時間かけてゆっくり滴下した。滴下終了後、室温で１０時間撹拌した後反応を終了した。１／１０Ｎの塩酸溶液、飽和食塩水の順で洗浄し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。有機層の溶媒を減圧留去した後、濃縮液をシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、テトラデカノイルオキシ基（ａが０、Ｘ_１がエステル結合であり、炭素数が１３である）を２こ有するラジカル重合性化合物「ＭＣ−２」を約６７ｇ得た。
【００８５】
【化１５】

ＭＣ−２
【００８６】
（物性値）
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：６．４５（２Ｈ），６．１７（２Ｈ），５．８７（２Ｈ），５．２８（２Ｈ），４．４１（２Ｈ），４．３７（２Ｈ），３．６（４Ｈ），３．４（４Ｈ），２．３２（４Ｈ），１．７−１．５５（８Ｈ），１．２５（４４Ｈ），０．８８（６Ｈ）
^１３Ｃ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：１７３．０，１６５．６，１３１．１，１２８．０，１２８．０，７１．５，７０．５，６９９，６８．９，６３．０，６２．６，３４．３，３４．０，３１．８，２９．６−２９．０，２４．９，２２．６，２１．８，１４．０
赤外吸収スペクトル（ＩＲ）（ＫＢｒ）ｃＭＣ−１：２９３０，２８６１，１７４４，１６５２−１６２２，１１７６，８０７．５
元素分析：Ｃ＝６９．６％（６９．５），Ｈ＝１０．５％（１０．４）
【００８７】
［合成例４］
撹拌装置、窒素導入管、冷却管及び温度計を備えた反応容器に、塩化メチレン３００ｍｌ、イソミリスチン酸２９ｇ（０．１３ｍｏｌ）、ｐ−メトキシフェノール１０ｍｇ、「ドータイトＷＳＣ」２４ｇ（０．１３ｍｏｌ）及び触媒として４−ジメチルアミノピリジン４．０ｇを加え、５℃に保ちながら、前記化合物Ｂ２０ｇを溶解させた塩化メチレン溶液５０ｍｌ溶液を１時間かけてゆっくり滴下した。滴下終了後、室温で１０時間撹拌した後反応を終了した。１／１０Ｎの塩酸溶液、飽和食塩水の順で洗浄し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。有機層の溶媒を減圧留去した後、濃縮液をシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、２−（３−メチル）ブチル−７−メチル−オクタノイルオキシ基（ｃが０、Ｙ_１がエステル結合であり、炭素数が１３である）を２こ有するラジカル重合性化合物「ＭＢ−２」を約１８ｇ得た。
【００８８】
【化１６】

ＭＢ−２
【００８９】
（物性値）
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：６．４５（２Ｈ），６．１７（２Ｈ），５．８７（２Ｈ），５．２８（２Ｈ），４．４−４．２（４Ｈ），３．６（４Ｈ），３．４（４Ｈ），２．３０（２Ｈ），１．５−１．０（１４Ｈ），０．８７（１２Ｈ）
^１３Ｃ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：１７３．０，１６５．６，１３１．１，１２８．２，１２８．０，７１．６，７０．６，６９．７，６９．０，６８．９，６３．３，４６．３，３９．０−１９．４，１４．３
赤外吸収スペクトル（ＩＲ）（ＫＢｒ）ｃＭＣ−１：２９３０，２８６１，１７４４，１６５２−１６２２，１１７６，８０７．５
元素分析：Ｃ＝６９．７％（６９．５），Ｈ＝１０．６％（１０．４）
【００９０】
［合成例５］
撹拌装置、窒素導入管、冷却管及び温度計を備えた反応容器に、塩化メチレン３００ｍｌ、ステアリン酸４０ｇ（０．１４ｍｏｌ）、ｐ−メトキシフェノール２０ｍｇ、「ドータイトＷＳＣ」２７ｇ（０．１４ｍｏｌ）及び触媒として４−ジメチルアミノピリジン１．７ｇを加え、５℃に保ちながら、岡村製油社製の長鎖二塩基酸のエポキシアクリレート「ＩＰＳ−２２ＧＡ」４３．８ｇを溶解させた塩化メチレン溶液５０ｍｌ溶液を１時間かけてゆっくり滴下した。滴下終了後、室温で１０時間撹拌した後反応を終了した。１／１０Ｎの塩酸溶液、飽和食塩水の順で洗浄し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。有機層の溶媒を減圧留去した後、濃縮液をシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、オクタデカノイルオキシ基（ａが０、Ｘ_１がエステル結合であり、炭素数が１７である）を２こ有するラジカル重合性化合物「ＭＣ−３」を約４１ｇ得た。
【００９１】
【化１７】

ＭＣ−３
【００９２】
（物性値）
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：６．４５（２Ｈ），６．１７（２Ｈ），５．６７（２Ｈ），５．３０（２Ｈ），４．３３（２Ｈ），４．２５（２Ｈ），４．２１（４Ｈ），２．３４（４Ｈ），２．３２（４Ｈ），１．７−１．５５（８Ｈ），１．５３（２Ｈ），１．２５（８０Ｈ），０．８８（１２Ｈ）
^１３Ｃ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：１７３．５，１７３．２，１６５．９，１３１．５，１２８．４，１２８．０，７１．６，６９．９，６８．９，６８．８，６３．０，６２．６，４２．４，３４．９，３４．０，３１．８，２９．６−２９．０，２４．９，２２．６，２１．８，１４．０
赤外吸収スペクトル（ＩＲ）（ＫＢｒ）ｃＭＣ−１：２９３０，２８６１，１７４４，１６５２−１６２２，１１７６，８０７．５
元素分析：Ｃ＝７２．０％（７２．５），Ｈ＝１０．５％（１０．９）
【００９３】
［合成例６］
撹拌装置、窒素導入管、冷却管及び温度計を備えた反応容器に「エポライト１６００」１５ｇ（６５ｍｍｏｌ）、２−ｎヘプチルウンデカン酸５４ｇ（１９１ｍｍｏｌ）、ｐ−メトキシフェノール２００ｍｇ、及び触媒としてＮ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン０．５ｇを入れ、８０℃で撹拌した。次いで反応液を１００℃に昇温させ温度を保ち、５時間撹拌した後反応を終了した。次いでトルエン３００ｍｌ加え、５％水酸化ナトリウム溶液３００ｍｌ、飽和食塩水の順で洗浄し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、有機溶媒を減圧留去して、淡褐色透明液状の化合物Ｃを４６ｇ得た。
【００９４】
次に、撹拌装置、窒素導入管、冷却管及び温度計を備えた反応容器に前記化合物Ｃ４０ｇ（０．０５ｍｏｌ）、ｐ−メトキシフェノール１０ｍｇ、トリエチルアミン１１ｇ（０．１１ｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２００ｍｌを入れ、５℃に保ちながら、アクリル酸クロライド１０ｇ（０．１１ｍｌ）を溶解させたＴＨＦ溶液１０ｍｌ溶液を１時間かけてゆっくり滴下した。滴下終了後、５０℃で４時間撹拌し反応を終了した。反応液を濾過し、濾液にトルエン５００ｍｌ加えた後、飽和食塩水で洗浄し有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。有機層の溶媒を減圧留去して、濃縮液をシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、２−ｎ−ヘプチルウンデカノイルオキシ基（ｃが１、Ｙ_１がエステル結合であり、炭素数が１７である）を２こ有するラジカル重合性化合物「ＭＢ−３」を約４７ｇ得た。
【００９５】
【化１８】

ＭＢ−３
【００９６】
（物性値）
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：６．４５（２Ｈ），６．１４（２Ｈ），５．８７（２Ｈ），５．３０（２Ｈ），４．３７（２Ｈ），４．２７（２Ｈ），３．６（４Ｈ），３．４（４Ｈ），２．３５（２Ｈ），１．５６−１．２４（６４Ｈ），０．８７（１２Ｈ）
^１３Ｃ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：１７３．５，１６５．９，１３１．５３，１３１．３，
１２８．２，１２８．０，７１．６，７０．６，６８．９，６２．５，４５．７，３２．４，３１．８，２９．６−２９．１，２７．４，２５．８，２２．６，１４．１，１４．０
赤外吸収スペクトル（ＩＲ）（ＫＢｒ）ｃＭＣ−１：２９３０，２８６１，１７４４，１６５２−１６２２，１１７６，８０７．５
元素分析：Ｃ＝７１．３％（７１．５），Ｈ＝１０．５％（１０．９）
【００９７】
［合成例７］
撹拌装置、窒素導入管、冷却管及び温度計を備えた反応容器に「エポライト１６００」６０ｇ（０．２６ｍｏｌ）、アクリル酸４１ｇ（０．５７ｍｏｌ）、ｐ−メトキシフェノール２００ｍｇ、及び触媒としてＮ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン０．５ｇを入れ、８０℃で撹拌した。次いで反応液を１００℃に昇温させ、温度を保ちながら５時間撹拌した後反応を終了した。次いでトルエン５００ｍｌ加え、５％水酸化ナトリウム溶液３００ｍｌ、飽和食塩水の順に洗浄し。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、有機溶媒を減圧留去して、淡褐色透明液状の化合物Ｄを８０ｇ得た。
【００９８】
次に、撹拌装置、窒素導入管、冷却管及び温度計を備えた反応容器に、塩化メチレン３００ｍｌ、２−エトキシブトキシ酢酸４１ｇ（０．２３ｍｏｌ）、ｐ−メトキシフェノール２０ｍｇ、「ドータイトＷＳＣ」４３ｇ（０．２３ｍｏｌ）及び触媒として４−ジメチルアミノピリジン２．７ｇを加え、５℃に保ちながら、前記化合物Ｄ４０ｇを溶解させた塩化メチレン溶液５０ｍｌ溶液を１時間かけてゆっくり滴下した。滴下終了後、室温で１０時間撹拌した後反応を終了した。１／１０Ｎの塩酸溶液、飽和食塩水の順で洗浄し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。有機層の溶媒を減圧留去した後、濃縮液をシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、２−エトキシブトキシアセチルオキシ基を２こ有するラジカル重合性化合物「ＭＣ−４」を約５１ｇ得た。
【００９９】
【化１９】

ＭＣ−４
【０１００】
（物性値）
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：６．４５（２Ｈ），６．１７（２Ｈ），５．８７（２Ｈ），５．３３（２Ｈ），４．４７（２Ｈ），４．４０（２Ｈ），４．１６（４Ｈ），３．７７４Ｈ），３．７１（８Ｈ），３．４６（８Ｈ），１．６３−１．５２（８Ｈ），１．４２−１．３２（８Ｈ），０．８８（６Ｈ）
^１３Ｃ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：１７３．０，１６５．６，１３１．１，１２７．９，７１．６，７１．３，７０．９，７０．７，７０．１，６８．８，６８．５，６２．９，３１．７，２９．５，２５．８，１９．３，１３．９
赤外吸収スペクトル（ＩＲ）（ＫＢｒ）ｃＭＣ−１：２９３０，２８６１，１７４４，１６５２−１６２２，１１７６，８０７．５
元素分析：Ｃ＝５９．７％（５９．１），Ｈ＝８．８％（８．５）
【０１０１】
［実施例１］
フッ素系液晶化合物からなる液晶組成物Ａ（誘電率異方性：７．７）を７２％と、合成例１で合成した化合物「ＭＣ−１」１９．０％、合成例２で合成した化合物「ＭＢ−１」８．２％、（ＭＣ−１：ＭＢ−１＝７０：３０）、チバスペシャリティーケミカルズ社製の光重合開始剤「イルガキュアー６５１」０．８％からなるラジカル重合性組成物とを、１１．０μｍのガラスファイバー製スペーサーが塗布された２枚のＩＴＯ電極ガラス基板に挟み込み、均一な溶液状態に保つように基板全体を温度コントロールし、４０ｍＷ／ｃｍ^２の紫外線を６０秒照射し厚さ約１１μｍの光散乱型液晶デバイスを得た。得られたデバイスの電気光学特性を評価し、結果を表２に示した。
【０１０２】
【化２０】

【０１０３】
【化２１】

液晶組成物Ａ
【０１０４】
［実施例２］
液晶組成物Ａ７０％と、合成例３で合成した化合物「ＭＣ−２」２０．４％、合成例３で合成した化合物「ＭＢ−２」８．７％、（ＭＣ−２：ＭＢ−２＝７０：３０）、「イルガキュアー６５１」０．９％からなるラジカル重合性組成物とを用いて、実施例１と同様にして厚さ１１μｍの光散乱型液晶デバイスを作製し、電気光学特性を評価した。評価結果を表２に示した。
【０１０５】
［実施例３］
液晶組成物Ａ７０％と、合成例３で合成した化合物「ＭＣ−２」２３．３％、合成例２で合成した化合物「ＭＢ−１」５．８％、（ＭＣ−２：ＭＢ−１＝８０：２０）、「イルガキュアー６５１」０．９％からなるラジカル重合性組成物とを用いて、実施例１と同様にして厚さ１１μｍの光散乱型液晶デバイスを作製し、電気光学特性を評価した。評価結果を表２に示した。
【０１０６】
［実施例４］
液晶組成物Ａ６８％と、合成例５で合成した化合物「ＭＣ−３」２１．７％、合成例４で合成した化合物「ＭＢ−２」９．３％、（ＭＣ−３：ＭＢ−２＝７０：３０）、「イルガキュアー６５１」１％からなるラジカル重合性組成物とを用いて、実施例１と同様にして厚さ１１μｍの光散乱型液晶デバイスを作製し、電気光学特性を評価した。評価結果を表２に示した。
【０１０７】
［実施例５］
液晶組成物Ａ７０％と、合成例３で合成した化合物「ＭＣ−２」２０．４％、合成例６で合成した化合物「ＭＢ−３」８．７％、（ＭＣ−２：ＭＢ−３＝７０：３０）、「イルガキュアー６５１」０．９％からなるラジカル重合性組成物とを用いて、実施例１と同様にして厚さ１１μｍの光散乱型液晶デバイスを作製し、電気光学特性を評価した。評価結果を表２に示した。
【０１０８】
［実施例６］
液晶組成物Ａ７４％と、合成例１で合成した化合物「ＭＣ−１」２１．４％、合成例４で合成した化合物「ＭＢ−２」３．８％、（ＭＣ−１：ＭＢ−２＝８５：１５）、「イルガキュアー６５１」０．８％からなるラジカル重合性組成物とを用いて、実施例１と同様にして厚さ１１μｍの光散乱型液晶デバイスを作製し、電気光学特性を評価した。評価結果を表２に示した。
【０１０９】
［実施例７］
液晶組成物Ａ７０％と、合成例１で合成した化合物「ＭＣ−１」２３．３％、合成例６で合成した化合物「ＭＢ−３」５．８％、（ＭＣ−１：ＭＢ−３＝８０：２０）、「イルガキュアー６５１」０．９％からなるラジカル重合性組成物とを用いて、実施例１と同様にして厚さ１１μｍの光散乱型液晶デバイスを作製し、電気光学特性を評価した。評価結果を表２に示した。
【０１１０】
［比較例１］
液晶組成物Ａ８０％と、ラジカル重合性化合物として、日本化薬社製の１，６−ヘキサンジオールジアクリレート「ＨＤＤＡ」１９．４％、「イルガキュアー６５１」０．６％からなるラジカル重合性組成物とを用いて、実施例１と同様にして厚さ１１μｍの光散乱型液晶デバイスを作製し、電気光学特性を評価した。評価結果を表２に示した。
【０１１１】
［比較例２］
液晶組成物Ａ７０％と、合成例１で合成した化合物「ＭＣ−１」２９．１％、「イルガキュアー６５１」０．９％からなるラジカル重合性組成物とを用いて、実施例１と同様にして厚さ１１μｍの光散乱型液晶デバイスを作製し、電気光学特性を評価した。評価結果を表２に示した。
【０１１２】
［比較例３］
液晶組成物Ａ７０％と、合成例３で合成した化合物「ＭＣ−２」２９．１％、「イルガキュアー６５１」０．９％からなるラジカル重合性組成物とを用いて、実施例１と同様にして厚さ１１μｍの光散乱型液晶デバイスを作製し、電気光学特性を評価した。評価結果を表２に示した。
【０１１３】
［比較例４］
液晶組成物Ａ７０％と、合成例６で合成した化合物「ＭＢ−３」２９．１％、「イルガキュアー６５１」０．９％からなるラジカル重合性組成物とを用いて、実施例１と同様にして厚さ１１μｍの光散乱型液晶デバイスを作製し、電気光学特性を評価した。評価結果を表２に示した。
【０１１４】
［比較例５］
液晶組成物Ａ７０％と、合成例３で合成した化合物「ＭＣ−２」８．８％、合成例４で合成した化合物「ＭＢ−２」２０．３％、（ＭＣ−２：ＭＢ−２＝３０：７０）、「イルガキュアー６５１」０．９％からなるラジカル重合性組成物とを用いて、実施例１と同様にして厚さ１１μｍの光散乱型液晶デバイスを作製し、電気光学特性を評価した。評価結果を表２に示した。
【０１１５】
［比較例６］
液晶組成物Ａ７０％と、合成例１で合成した化合物「ＭＣ−１」２８．２％、合成例６で合成した化合物「ＭＢ−３」０．９％、（ＭＣ−１：ＭＢ−３＝９７：３）、「イルガキュアー６５１」０．９％からなるラジカル重合性組成物とを用いて、実施例１と同様にして厚さ１１μｍの光散乱型液晶デバイスを作製し、電気光学特性を評価した。評価結果を表２に示した。
【０１１６】
［比較例７］
シアノ系液晶化合物からなる液晶組成物Ｂ（誘電率異方性：１３）８０％、合成例７で合成した化合物「ＭＣ−４」１６．５％、合成例４で合成した化合物「ＭＢ−２」２．９％、（ＭＣ−４：ＭＢ−２＝８５：１５）、「イルガキュアー６５１」０．６％からなるラジカル重合性組成物を用いて、実施例１と同様にして厚さ１１μｍの光散乱型液晶デバイスを作製して、電気光学特性を評価した。評価結果を表２に示した。
【０１１７】
【化２２】

液晶組成物Ｂ
【０１１８】
【表２】
［表２ 電気光学特性結果 フッ素系液晶組成物を使用］

【０１１９】
表２の結果より、実施例１〜７の光散乱型液晶デバイスは、０℃においても駆動電圧は１０Ｖｒｍｓ以下であり、０〜７０℃の温度範囲において安定した駆動電圧を示した。これに対し、比較例で得られた光散乱型液晶デバイスは、０℃における駆動電圧は全て１０Ｖｒｍｓ以上の高い値を示し、０〜７０℃の温度範囲における駆動電圧は不安定であった。比較例１は測定温度域における飽和電圧が５０Ｖｒｍｓ以上であり、ΔＶは７Ｖｒｍｓ以上であった。比較例２、３の、ポリマーマトリックス中に直鎖アルキル基のみを有する液晶デバイスは、特に０℃における飽和電圧が高くなり、ΔＶは７Ｖｒｍｓ以上であった。比較例４のポリマーマトリックス中に分岐アルキル基のみを有する液晶デバイスは、測定温度域における飽和電圧が全て１０Ｖｒｍｓ以上と高く、特に０℃では２０Ｖｒｍｓを越えていた。ΔＶは約１１Ｖｒｍｓであった。比較例５は、ポリマーマトリックス中の分岐アルキル基が多すぎる例である。ΔＶは１Ｖｒｍｓ以下と、０〜７０℃の温度範囲において安定した駆動電圧を示したが、駆動電圧の絶対値は全て１５Ｖｒｍｓを越えていた。比較例６は、ポリマーマトリックス中の分岐アルキル基が少なすぎる例であるが、分岐アルキル基の０℃での飽和電圧を下げる効果がみられず、０℃での飽和電圧は２０Ｖｒｍｓを越えていた。ΔＶは１０Ｖｒｍｓ以上であった。比較例７は液晶組成物として、シアノ系液晶組成物を使用した例である。ΔＶは約３Ｖｒｍｓと、０〜７０℃の温度範囲において安定した駆動電圧を示したが、駆動電圧の絶対値は全て１５Ｖｒｍｓを越えていた。
【０１２０】
（実施例８）
実施例７で得た光散乱型液晶デバイス（ＭＣ−１：ＭＢ−３＝８０：２０）、実施例７における「ＭＣ−１」と「ＭＢ−３」の割合を８５：１５とした光散乱型液晶デバイス、及び、実施例７における「ＭＣ−１」と「ＭＢ−３」の割合を７５：２５とした光散乱型液晶デバイスの、駆動電圧と温度との関係を、図３に示した。
【０１２１】
「ＭＢ−３」を１５％添加すると、０℃で６Ｖｒｍｓであるが２０℃で約３Ｖｒｍｓと駆動電圧が最小になる。温度の増加とともに電圧は５Ｖｒｍｓ程度に増加するが４０℃以上６０℃以下では変動が殆ど見られなくなる。「ＭＢ−３」を２０％に増やすと０℃の低温度でも駆動電圧は３．８Ｖｒｍｓと低くなり１０℃で駆動電圧が３Ｖｒｍｓと最小になる。ここから駆動電圧は増加するが４０℃で５Ｖｒｍｓ程度になり６０℃までは平衡を保っている。「ＭＢ−３」を２５％に増やすと０℃では４．５Ｖｒｍｓと低駆動電圧であるが温度上昇と伴に単調に増加し４０℃で６Ｖｒｍｓに達する６０℃になると逆に駆動電圧が４Ｖｒｍｓまで下がる。このように、「ＭＢ−３」の含有量で温度特性を調整することができる。
【０１２２】
【発明の効果】
本発明の光散乱型液晶デバイスはＴＦＴ駆動が可能であり、また、０℃〜７０℃の幅広い温度範囲において駆動電圧が大きく変化せず、低電圧駆動が可能である。
本発明の光散乱型液晶デバイスは、駆動回路として低価格のＩＣドライバーを使用することができ、屋外で使用するような建築物の窓やショーウィンドウ等の視野遮断のスクリーン、採光コントロールのカーテン、文字や図形を表示し高速応答性で電気的に表示を切り換える広告板や装飾表示板として特に有用である。勿論、時計、コンピューター末端等の表示素子やデジタルペーパー、プロジェクション等の表示装置、光シャッターなどの光学素子、光散乱型の直視・反射型ペーパーライクディスプレイにも使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】液晶組成物として誘電率異方性の低いフッ素系液晶組成物を使用し、炭素原子数が１０、１２、及び１４の長鎖の直鎖アルキル基を側鎖に有するラジカル重合性化合物を使用した液晶デバイスの、駆動電圧と温度との関係を示すグラフである。
【図２】液晶組成物として誘電率異方性が６．７の低極性のフッ素系液晶組成物を使用し、一般式（１）で表される化合物として、式「ＭＣ−１」で表される化合物を使用した液晶デバイスの駆動電圧と温度との関係を示すグラフである。
【図３】実施例７で得た光散乱型液晶デバイス（ＭＣ−１：ＭＢ−３＝８０：２０）、実施例７における「ＭＣ−１」と「ＭＢ−３」の割合を８５：１５とした光散乱型液晶デバイス、及び、実施例７における「ＭＣ−１」と「ＭＢ−３」の割合を７５：２５とした液晶デバイスの、駆動電圧と温度との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１ 炭素原子数が１０の直鎖アルキル基を側鎖に有するラジカル重合性化合物を使用した液晶デバイスの、駆動電圧と温度との関係を表すグラフ
２ 炭素原子数が１２の直鎖アルキル基を側鎖に有するラジカル重合性化合物を使用した液晶デバイスの、駆動電圧と温度との関係を表すグラフ
３ 炭素原子数が１４の直鎖アルキル基を側鎖に有するラジカル重合性化合物を使用した液晶デバイスの、駆動電圧と温度との関係を表すグラフ
４ 式「ＭＣ−１」で表される化合物を１００％使用した液晶デバイスの駆動電圧と温度との関係を表すグラフ
５ 「ＭＣ−１」で表される化合物と「ＭＢ−３」で表される化合物の比が８０：２０の組成物を使用した液晶デバイスの駆動電圧と温度との関係を表すグラフ
６ 「ＭＢ−３」で表される化合物を１００％使用した液晶デバイスの駆動電圧と温度との関係を表すグラフ
７ 実施例７（「ＭＣ−１」と「ＭＢ−３」の割合が８０：２０）の液晶デバイスの駆動電圧と温度との関係を表すグラフ
８ 実施例７における「ＭＣ−１」と「ＭＢ−３」の割合を８５：１５とした液晶デバイスの駆動電圧と温度との関係を表すグラフ
９ 実施例７における「ＭＣ−１」と「ＭＢ−３」の割合を７５：２５とした液晶デバイスの駆動電圧と温度との関係を表すグラフ

Claims (3)

1. 透明電極層を有し少なくとも片方が透明であり、該透明電極層を対向させた状態で一定間隔を保った２枚の基板間に、ポリマーマトリックス及び液晶組成物からなる調光層を挟持させてなる光散乱型液晶デバイスにおいて、ポリマーマトリックスが、一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物を９５〜５０質量％、及び一般式（２）で表されるラジカル重合性化合物を５〜５０質量％含有するラジカル重合性組成物の重合体からなり、且つ、液晶組成物が、シアノ系液晶化合物を含まない、１１以下の正の誘電率異方性を有する液晶組成物であることを特徴とする光散乱型液晶デバイス。
   

   

   一般式（１）
   

   

   一般式（２）
   （式中、Ｘ_１及びＹ_１は、各々独立して、−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ_２−、−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−、−Ｏ−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−を表し、Ｒ_１及びＲ_５は、置換基を有していてもよく、各々独立して、炭素数２〜３０のアルキレン基、炭素数２〜３０のアルキルトリイル基、炭素数２〜３０のアルキルテトライル基（但し、これらの基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、場合によりそれぞれ相互に独立して、酸素原子が相互に直接に結合しないものとして、−Ｏ−で置き換えられていても良い）、アリーレン基、又はシクロアルキレン基を表す。Ｒ_２は、炭素数４〜３０の直鎖アルキル基を表し（但し、直鎖アルキル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、場合によりそれぞれ相互に独立して、酸素原子が相互に直接に結合しないものとして、−Ｏ−又はアリーレン基で置き換えられていても良い）、Ｒ_６は、炭素数４〜３０の分岐アルキル基を表し（但し、分岐アルキル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、場合によりそれぞれ相互に独立して、酸素原子が相互に直接に結合しないものとして、−Ｏ−又はアリーレン基で置き換えられていても良い）、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_７、及びＲ_８は、各々独立して、水素又はメチル基を表し、Ｘ_２及びＹ_２は、各々独立してメチレン基、エーテル結合又はエステル結合を表し、Ｘ_３及びＹ_３は、各々独立して単結合、メチレン基、エーテル結合又はエステル結合を表し、ｍ及びｎは、各々独立して２〜４の整数を表し、ａ、ｂ、ｃ、及びｄは、０又は１を表す。）
2. 前記一般式（１）のＲ_２が炭素数４〜３０の直鎖アルキル基であり、一般式（２）のＲ_６が炭素数４〜３０の分岐アルキル基である請求項１に記載の光散乱型液晶デバイス。
3. 前記調光層が液晶組成物の連続層中に三次元網目状の透明性高分子からなる請求項１又は２記載の光散乱型液晶デバイス。

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