JP4345173B2 - 発光サイリスタアレイの駆動回路 - Google Patents

発光サイリスタアレイの駆動回路 Download PDF

Info

Publication number
JP4345173B2
JP4345173B2 JP2000021458A JP2000021458A JP4345173B2 JP 4345173 B2 JP4345173 B2 JP 4345173B2 JP 2000021458 A JP2000021458 A JP 2000021458A JP 2000021458 A JP2000021458 A JP 2000021458A JP 4345173 B2 JP4345173 B2 JP 4345173B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
gate
emitting thyristor
light
thyristor array
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2000021458A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2001217460A (ja
JP2001217460A5 (ja
Inventor
誠治 大野
幸久 楠田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Business Innovation Corp
Original Assignee
Fuji Xerox Co Ltd
Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Xerox Co Ltd, Fujifilm Business Innovation Corp filed Critical Fuji Xerox Co Ltd
Priority to JP2000021458A priority Critical patent/JP4345173B2/ja
Priority to TW090101756A priority patent/TW476167B/zh
Priority to CA002368988A priority patent/CA2368988A1/en
Priority to CNB018000185A priority patent/CN1196206C/zh
Priority to US09/937,194 priority patent/US6717183B2/en
Priority to EP01902672A priority patent/EP1168462A1/en
Priority to PCT/JP2001/000623 priority patent/WO2001057935A1/ja
Priority to KR1020017012311A priority patent/KR100740444B1/ko
Publication of JP2001217460A publication Critical patent/JP2001217460A/ja
Publication of JP2001217460A5 publication Critical patent/JP2001217460A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4345173B2 publication Critical patent/JP4345173B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41JTYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/435Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
    • B41J2/447Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources
    • B41J2/45Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources using light-emitting diode [LED] or laser arrays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05554Shape in top view being square
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/05599Material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399Material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01015Phosphorus [P]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01022Titanium [Ti]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01023Vanadium [V]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01045Rhodium [Rh]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01058Cerium [Ce]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01074Tungsten [W]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301Thyristor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
  • Facsimile Heads (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光サイリスタアレイ、特に、チップ面積を小さくできる発光サイリスタアレイおよびその駆動回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
光プリンタの書込みヘッドに用いられる発光素子アレイは、基本的に発光素子の数と同じだけの配線を発光素子から取り出す必要がある。この配線の取り出しには、通常、ワイヤボンディングが使われる。このため、発光点の密度が大きくなるにつれて、次のような問題を生じさせる。
(1)発光素子チップ上のワイヤボンディングパッド面積の増大、すなわちチップ面積の増大によりコストが増大する。
(2)ワイヤボンディング本数が増えるため、実装コストが増大する。
(3)ワイヤボンディングのピッチが狭くなるため、実装が困難になる。
(4)通常、駆動回路も発光点数だけ必要なため、コストが増大する。
【0003】
特に、通常、ボンディングパッド1個の面積は発光点1個の面積に比べて数倍以上あるので、発光点密度の増加はそのままチップ面積の増加につながる。
【0004】
これらの問題点を回避するために、シフトレジスタを内蔵した発光素子、発光ダイオード(LED)マトリクスアレイ、発光サイリスタ・マトリクスアレイなどが提案されている。
【0005】
図1に、発光サイリスタアレイの一例を示す。発光サイリスタは、4個ずつのグループに分けられ、各グループのゲートは共通の4本のゲート配線G1 〜G4 にそれぞれ接続され、各グループのアノードは共通の4個のアノード端子A1 〜A4 にそれぞれ接続されている。全発光サイリスタのカソードは、1本のカソードラインに共通に接続されている。
【0006】
このアレイによれば、ゲート配線G1 〜G4 、アノード端子A1 〜A4 の組み合わせによって、発光サイリスタT1 〜T16の点灯状態が決まる。カソードコモン型であるので、カソード端子KをLレベルとし、ゲート配線のうちの1本のゲート配線Gi をLに、他のゲート配線をHにした状態で、アノード端子Aj をHとすると、発光サイリスタTi+4(j-1)が点灯する。
【0007】
N個の発光素子を制御するために、従来はN本の制御端子を取り出す必要があったが、M本のゲート配線をもつ発光サイリスタアレイでは、(N/M+M)個の制御端子数となる。同時に発光できる発光点数は、アノード端子の数に等しい。また、発光デューティは、1/ゲート配線数である。
【0008】
この構成で、N=128とすると、ゲート配線数は4であるからアノード端子数は32となる。
【0009】
この発光サイリスタアレイを用いることで、発光素子チップ上のワイヤボンディングパッドの数を減らすこともできる。もっともボンディングパッドの数を減らす構成は、発光点数Nの場合、N1/2 に近い整数であり、かつN/Mが整数となるようなゲート配線の数Mを選ぶ場合である。たとえば、N=128のとき、M=8およびM=16を選んだときボンディングパッドの数は24個で最小となる。したがって、チップ面積を小さくすることが可能となり、チップのコストを減らすことができる。
【0010】
なお、発光サイリスタを用いたこの回路は、本出願人の提案に係るものであり、既に特許されている(特許第2807910号)。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
前述のように、ボンディングパッドの数を最小にすることができたが、この場合にチップ面積が最小となるとは限らない。一般的に発光素子アレイチップは、ウエハから平行四辺形(通常、長方形)に切り出される。この四角形の長辺と平行に発光点が一列または複数列に配置され、かつボンディングパッドも長辺と平行に一列または複数列に配置される。チップの長辺の長さは発光素子のピッチと数との積で決まり、短辺の長さは主に、発光素子と配線とボンディングパッドとの幅の和で決まる。必要なボンディングパッドの面積は、ワイヤボンダーの性能などで決まっているため、ボンディングパッドの列数が変わらない限り、ボンディングパッドの数を減らしてもチップ面積は減らない。
【0012】
本発明の第1の目的は、ボンディングパッドをチップの長辺と平行に一列に配列させることにより、3端子発光サイリスタアレイのチップの短辺長を小さくし、チップ面積の小さな発光サイリスタチップを提供することにある。
【0013】
長辺に平行に一列に配列されたボンディングパッドを有する発光サイリスタアレイチップには、駆動ICが隣接して配置され、発光サイリスタアレイチップと駆動ICのそれぞれの端子間が直接ワイヤボンディングで接続される。
【0014】
このような発光素子アレイチップと駆動ICが直接ワイヤボンディングによって接続される構造では、発光素子チップ側のボンディングパッドのピッチと、駆動IC側のボンディングパッドのピッチとを、ほぼ同じにしなければならない。このため、発光素子側の解像度が変わるたびに、別の駆動ICを準備する必要がある。このため、多くの品種の駆動ICが必要となり、コスト上昇を招くことになる。
【0015】
したがって、本発明の第2の目的は、長辺に平行に一列に配列されたボンディングパッドを有する発光サイリスタアレイであって、解像度の異なる3端子発光サイリスタアレイ、たとえば、600dpi/128発光点、900dpi/192発光点、1200dpi/256発光点の3種類の発光サイリスタアレイを共通に駆動できる駆動回路を提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】
本発明の第1の目的を達成するためには、以下の手段をとる。すなわち、チップ面積を最小とするには、ボンディングパッドをチップ長辺と平行に一列に配置する必要がある。ゲート配線数Mを増やすことによって、ボンディングパッドの数を減らし一列に配置できるようになる。しかし、ゲート配線は、チップ長辺と平行にチップの端から端まで置かれるので、ゲート配線が増えると、チップの短辺長が増えてしまう。そこで、ボンディングパッドが一列に配置でき、かつゲート配線の数ができるだけ少ないように、ゲート配線数を決める。
【0017】
すなわち、N個(Nは2以上の整数)の3端子発光サイリスタが一列に配列された発光サイリスタアレイにおいて、N個の3端子発光サイリスタのカソードまたはアノードを共通電極とし、M本(Mは2以上の整数)のゲート配線を有し、k番目の発光サイリスタのゲートをi={(k−1) MOD M}+1番目のゲート配線に接続し(ここで、関数 aMODbは、aのbに関する剰余系を示す)、共通電極ではないアノードまたはカソードを、j={(k−i)/M}+1番目のアノード端子Aj またはカソード端子Kj に接続する。
【0018】
この場合に、Lをチップ長辺長、pをボンディングパッドピッチ限界値であるとしたとき、
L/((N/M)+M)>p
を満たすようにMの値を選ぶ。このとき、pの値は、高精度の機械を使えば小さくできるが、あまり小さい値だと作業時間が大きくなるため、実用的には75μm程度と考えられる。
【0019】
本発明は、ゲートを選択線として用いているが、アノードまたはカソードを選択線として用いる構成であっても、全く同様の効果が得られる。この場合には、N個の3端子発光サイリスタのカソードまたはアノードを共通電極とし、M本(Mは2以上の整数)のアノード配線またはカソード配線を有し、k番目の発光サイリスタのアノードまたはカソードをi={(k−1) MOD M}+1番目のアノード配線Ai またはカソード配線Ki に接続し、ゲートをj={(k−i)/M}+1番目のゲート端子Gj に接続した構成となる。
【0020】
本発明の第2の目的を達成するためには、次の手段をとる。3端子発光サイリスタアレイの場合、前述したように、ゲート配線の数を選ぶことによって、発光素子上のボンディングパッドの数を減らし、一列に配置可能なピッチにすることができる。このため、ある解像度でゲート配線の数を決めたとき、アノード側ボンディングパッドの数が決まり、もし、解像度を2倍にしたいときは、ゲート配線の数のみ倍にした発光サイリスタアレイチップを準備すればよい。したがって、大電流を扱わなければならないアノード系の駆動回路の数は変化せず、電圧信号を与えればよいだけのゲート配線の駆動回路を余計にもっておくことで、異なる解像度の発光サイリスタアレイを共通の駆動回路で駆動することができる。このことにより、駆動回路の品種が減りコストダウンになる。また、発光サイリスタアレイチップを変えるだけで解像度を上げることが可能となるため、用途によって最適な解像度を選ぶことができる。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を、図面を参照して説明する。
【0022】
【実施例1】
図2に、発光サイリスタアレイの一実施例を示す。図3は、このアレイに用いられる発光サイリスタの構造を示す。
【0023】
まず、発光サイリスタの構造を、図3を参照して説明する。(a)は平面図、(b)は断面図である。発光サイリスタ20は、n型基板21上に、n型半導体層22,p型半導体層23,n型半導体層24,p型半導体層25が順次積層され、p型半導体層25上にはアノード電極26、n型半導体層24上にはゲート電極27が形成されている。図示しないが、n型基板21の裏面にはカソード電極が設けられている。
【0024】
このような発光サイリスタ20が一列に配列された図2の発光サイリスタアレイは、600dpi,128発光点をもち、ボンディングパッド10のピッチは、ワイヤボンダーの精度から75μm以上のピッチが必要である。ボンディングパッド10は1列あたり150μmの幅(図2では、縦方向の長さ)、ゲート配線30は1本あたり15μmずつチップの短辺方向の長さを増加させる。チップ短辺方向の長さは、発光部や切断のマージンなどを全部併せて70μmとなった。このような構成で、ゲート配線の数Mを変化させた場合のチップの短辺長を計算した。結果を図4に示す。Mは128が割り切れる整数であるから、L=1,2,4,8,16,32,64,128の中から選ばれる。ゲート配線数M=2でチップ短辺長が最小となる。しかしM=2では、ボンディングピッチが約80μmと、p値ぎりぎりであり、精度の高いボンディングが必要となる可能性がある。M=4,8を選べばボンディングピッチが緩くなり、アノード配線数がへるため駆動ICの構成が簡単になるメリットがある。
【0025】
【実施例2】
600dpi,192発光点をもつ発光サイリスタアレイについて考える。実施例1と同様の検討結果を図5に示す。192=26 ×3と、3の素因数を持つため割り切れるゲート配線数Mの数が増えてM=1,2,3,4,6,8,12,16,24,32,48,64,96,192の中から選ばれる。最小値はM=2であるが、実施例1と同様の理由で、Mの値が大きくなると駆動回路が簡単となるというメリットがあるため、選考の対象を実施例1と同じM≦8まで広げる。すなわち、ゲート配線数Mは、3,4,6,8の中から選べばよいことがわかる。
【0026】
【実施例3】
1200dpi,256発光点をもつ発光サイリスタアレイについて考える。実施例1と同様の検討結果を図6に示す。最小値はL=4であるので、M=4,8,16のいずれかから選べばよいことがわかる。
【0027】
【実施例4】
2400dpi,512発光点をもつ発光サイリスタアレイについて考える。実施例1と同様の検討結果を図7に示す。最小値はL=8であるので、L=8,16,32のいずれかから選べばよいことがわかる。
【0028】
【実施例5】
600dpi/128発光点/4ゲート配線、900dpi/192発光点/6ゲート配線、1200dpi/256発光点/8ゲート配線の3種類の発光サイリスタアレイチップに共通の駆動回路を構成した。4ゲート配線の発光サイリスタアレイについては、図1に示した構造である。
【0029】
これら発光サイリスタチップに共通の駆動ICのブロック図を、図8に示す。
【0030】
32×n発光点(n=1,2,3,4,5,6,7,8)駆動用の駆動回路を考える。駆動回路は、ゲート配線駆動回路40とアノード駆動回路50からなる。ゲート配線駆動回路40は、8ビットのシリアル入力シフトレジスタ100からなっている。131〜138はゲート選択出力端子であり、発光サイリスタアレイのゲート配線G1 〜Gn に接続される。
【0031】
リセット端子102によって、シフトレジスタ100の内容をリセット(全ビットH)とした後、入力端子101をLとし、クロック103を与えて、このLの状態を順次シフトさせ、順次出力端子131〜138をLレベルとする。図1において発光サイリスタアレイのi番目のゲート配線Gi がLとなっているとき、ゲート配線Gi に接続されているサイリスタが点灯可能となる。さて、発光点数が32×n個の発光点をもつサイリスタアレイではゲート配線はn本なので、ゲート配線Gn をLにした後、次は再びゲート配線G1 をLとしたい。このため、ゲート配線Gn をLにした次のタイミングで再び入力端子101をLとし、クロック103を与えてゲート配線G1 をLとする。このときGn+1 も同時にLとなるが、(n+1)番目の出力端子にはなにも接続されていないので問題ない。もちろん、一度にリセットをかけて最初からやり直してもかまわない。
【0032】
アノード駆動回路50は、32個の発光点を同時に駆動できる。出力は電流駆動回路400の電流源420で、電流値データ入力端子422への電流値データ(6ビット)入力に応じて電流値を調整でき、電流出力許可端子421の状態に応じて電流が出力端子501〜532から出力される。
【0033】
電流値データは、リセット端子202およびクロック端子203を有するシフトレジスタ200によって、データ入力端子201に入力されたシリアル信号から6ビットデータ32組に切り分けられ、ラッチ端子231を有するラッチ230によって保持され、電流値データ入力端子422に入力される。シフトレジスタ200にはデータ出力端子210があり、この出力をカスケードに隣の駆動ICのデータ入力端子201に接続することができる。このことにより、光書き込みヘッド内の電流データ線の数を減らすことができる。
【0034】
画像データは、リセット端子302およびクロック端子303を有するシフトレジスタ300によって、データ入力端子301に入力されたシリアル信号から1ビットデータ32組に切り分けられ、ラッチ端子331を有するラッチ330によって保持され、ANDゲート410の入力端子に入力される。ANDゲート410のもう一方の入力は発光許可端子430に接続され、この2つのデータ論理積により、電流の出力の有無が決まる。リセット端子302およびクロック端子303を有するシフトレジスタ300にはデータ出力端子310があり、この出力をカスケードに隣の駆動ICのデータ入力端子301に接続することができる。このことにより、光書き込みヘッド内の画像データ線の数を減らすことができる。
【0035】
この駆動回路を集積化して、発光サイリスタアレイのボンディングパッドとほぼ1対1で対応する駆動ICを作製した。
【0036】
600dpi/128発光点/4ゲート配線の発光サイリスタアレイ700と駆動IC600のボンディングワイヤによる接続例を図9に示す。IC側のゲート選択端子135〜138が無接続となっている。
【0037】
【実施例6】
600dpi/128発光点/4ゲート配線、900dpi/192発光点/6ゲート配線、1200dpi/256発光点/8ゲート配線の3種類の発光サイリスタアレイチップに共通の駆動回路の他の例を構成した。回路のブロック図を図10に示す。
【0038】
32×n発光点(n=1,2,3,4,5,6,7,8)駆動用の駆動回路を考える。駆動回路は、アノード駆動回路60からなり、ゲート駆動回路はICの外から直接与える。図1の発光サイリスタアレイのi番目のゲート配線Gi がLとなっているとき、ゲート配線Gi に接続されているサイリスタが点灯可能となる。さて、発光点数が32×n個の発光点をもつサイリスタアレイではゲート選択線はn本なので、ゲート配線Gn をLにした後、次は再びゲート配線G1 をLとする。
【0039】
アノード駆動回路60は、32個の発光点を同時に駆動できる。出力は電流駆動回路400の電流源420で、電流値データ(6ビット)入力に応じて電流値を調整でき、電流出力許可端子421の状態に応じて電流が出力される。
【0040】
電流値データはシフトレジスタ200によって、データ入力端子201に入力されたシリアル信号から6ビットデータ32組に切り分けられ、ラッチ230によって保持され、電流値データ入力端子421に入力される。シフトレジスタ200にはデータ出力端子210があり、この出力をカスケードに隣の駆動ICのデータ入力端子201に接続することができる。このことにより、光書き込みヘッド内の電流データ線の数を減らすことができる。
【0041】
なお図10において、610は駆動用IC駆動信号入力端子および電源端子を示し、図8と同一の参照番号は、図8と同一の構成要素を示している。
【0042】
この駆動回路を集積化して、発光サイリスタアレイのボンディングパッドとほぼ1対1で対応する駆動ICを作製した。
【0043】
600dpi/128発光点/4ゲート配線の発光サイリスタアレイ730と駆動IC601のボンディングワイヤによる接続例を図11に示す。図において、731は発光サイリスタアレイのアノード端子、732はゲート選択端子、610は駆動用IC駆動信号入力端子および電源端子、630は出力端子である。また、800はIC用制御線、810はゲート選択信号線(4本)、900はボンディングワイヤである。
【0044】
図12は、図11の発光サイリスタアレイ730および駆動IC601を示している。
【0045】
【実施例7】
実施例6では、発光素子アレイ730のゲート選択端子732を、直接プリント配線上のゲート選択バスラインのボンディングパッドに接続した。この場合、発光素子からのワイヤボンディングの行き先が駆動IC601上か、プリント配線かによって高さが変わるため、実装が難しい。そこで、図13に示すように、IC602上に、ゲート配線をそのまま通過させるライン740を設けた。なお図13において、図11と同一の構成要素には、同一の参照番号を付して示してある。
【0046】
図14は、図13の発光サイリスタアレイ730および駆動IC602を示している。
【0047】
【実施例8】
900dpi/192発光点/6ゲート選択線の発光サイリスタアレイ710と駆動IC600の接続例を図15に示す。IC側のゲート選択端子137,138が無接続となっている。図9と同じ駆動ICで動作させることができる。
【0048】
【実施例9】
1200dpi/256発光点/8ゲート選択線の発光サイリスタアレイ720と駆動IC600の接続例を図16に示す。IC側のゲート選択端子131〜138が全て接続されている。図9と同じ駆動ICで動作させることができる。
【0049】
【実施例10】
図17に、発光サイリスタアレイの図1に対応する他の実施例を示す。図1では、ゲートを選択線として用いているが、アノードを選択線としても、同様の効果が得られる。
【0050】
この発光サイリスタアレイでは、カソード端子KをLレベルとし、ゲート端子のうちの1個のゲート端子Gi をLに、他をHにした状態で、アノード配線Aj をHとすると、発光サイリスタTj+4(i-1)が点灯する。
【0051】
この構成で、N=128を考えると、アノード端子数は4個、ゲート端子数は32個となる。図1の構成に比べると、アノード端子数が減るので、電流容量の大きなバッファ回路が減り、駆動回路が簡単になる。一方、発光デューティが減るので、露光量が小さくなる。
【0052】
なお、この構成の発光サイリスタアレイは、前述した実施例1〜9にも適用できることは明らかである。
【0053】
以上のすべての実施例では、発光サイリスタのカソードをコモンとしたが、アノードをコモンとした構成とすることも可能である。
【0054】
【発明の効果】
本発明によれば、面積の小さな発光サイリスタアレイチップを実現でき、このような発光サイリスタアレイチップを解像度が異なっても共通に駆動できる駆動回路を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 発光サイリスタアレイの一例を示す図である。
【図2】 本発明の発光サイリスタアレイの一実施例を示す図である。
【図3】 図2の発光サイリスタの構造を示す図である。
【図4】 600dpi,128発光点をもつ発光サイリスタアレイにおいて、ゲート配線の数
Mを変化させた場合のチップの短辺長を計算した結果を示す図である。
【図5】 600dpi,192発光点をもつ発光サイリスタアレイにおいて、ゲート配線の数
Mを変化させた場合のチップの短辺長を計算した結果を示す図である。
【図6】 1200dpi,256発光点をもつ発光サイリスタアレイにおいて、ゲート配線の
数Mを変化させた場合のチップの短辺長を計算した結果を示す図である。
【図7】 2400dpi,512発光点をもつ発光サイリスタアレイにおいて、ゲート配線の
数Mを変化させた場合のチップの短辺長を計算した結果を示す図である。
【図8】 駆動ICの回路の一例を示す図である。
【図9】 600dpi/128発光点/4ゲート配線の発光サイリスタアレイと駆動I
Cのボンディングワイヤによる接続例を示す図である。
【図10】 駆動ICの回路の他の例を示す図である。
【図11】 600dpi/128発光点/4ゲート配線の発光サイリスタアレイと駆動I
Cのボンディングワイヤによる接続例を示す図である。
【図12】 図11の発光サイリスタアレイおよび駆動ICを示す図である。
【図13】 600dpi/128発光点/4ゲート配線の発光サイリスタアレイと駆動I
Cのボンディングワイヤによる接続例を示す図である。
【図14】 図13の発光サイリスタアレイおよび駆動ICを示す図である。
【図15】 900dpi/192発光点/6ゲート配線の発光サイリスタアレイと駆動I
Cのボンディングワイヤによる接続例を示す図である。
【図16】 1200dpi/256発光点/8ゲート配線の発光サイリスタアレイと駆動
ICのボンディングワイヤによる接続例を示す図である。
【図17】 発光サイリスタアレイの図1に対応する他の実施例を示す図である。
【符号の説明】
10 ボンディングパッド
20 発光サイリスタ
21 n型基板
22 n型半導体層
23 p型半導体層
24 n型半導体層
25 p型半導体層
26 アノード電極
27 ゲート電極
30 ゲート配線
40 ゲート配線駆動回路
50 アノード駆動回路
60 アノード駆動回路
600,601,602 駆動IC
700,730 発光サイリスタアレイ

Claims (4)

  1. N個(Nは2以上の整数)の3端子発光サイリスタが一列に配列された発光サイリスタアレイの駆動回路であって、
    前記発光サイリスタアレイは、ボンディングパッドがチップの長辺と平行に一列に並び、
    前記N個の3端子発光サイリスタのカソードまたはアノードを共通電極とし、M本(Mは2以上の整数)のゲート配線を有し、k番目の発光サイリスタのゲートをi={(k−1) MOD M}+1番目のゲート配線に接続し、
    共通電極ではないアノードまたはカソードを、j={(k−1)/M}+1番目のアノード端子Aまたはカソード端子Kに接続し、
    前記ゲート配線数Mが、
    L/((N/M)+M)>75μm(L:チップ長辺長)
    を満足するとともに、
    前記駆動回路は、4、6、8個のゲート選択信号端子をもつことを特徴とする発光サイリスタアレイの駆動回路。
  2. 4、6、8個のゲート選択信号端子を有し、前記ゲート選択信号端子のうち1個の端子に「選択」信号を、他の端子に「非選択」信号を出力し、前記「選択」信号を出力する端子を順次切り替え回路を持つことを特徴とする請求項1記載の発光サイリスタアレイの駆動回路。
  3. 前記順次切り替える回路状態を外部信号により、初期化できることを特徴とする請求項2記載の発光サイリスタアレイの駆動回路。
  4. 前記順次切り替える回路にシリアル入力パラレル出力のシフトレジスタを用いることを特徴とする請求項2または3に記載の発光サイリスタアレイの駆動回路。
JP2000021458A 2000-01-31 2000-01-31 発光サイリスタアレイの駆動回路 Expired - Fee Related JP4345173B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000021458A JP4345173B2 (ja) 2000-01-31 2000-01-31 発光サイリスタアレイの駆動回路
TW090101756A TW476167B (en) 2000-01-31 2001-01-30 Light-emitting thyristor array and its drive circuit
CNB018000185A CN1196206C (zh) 2000-01-31 2001-01-31 发光闸流晶体管矩阵阵列
US09/937,194 US6717183B2 (en) 2000-01-31 2001-01-31 Light-emitting thyristor matrix array and driver circuit
CA002368988A CA2368988A1 (en) 2000-01-31 2001-01-31 Light-emitting thyristor matrix array and driver circuit for the array
EP01902672A EP1168462A1 (en) 2000-01-31 2001-01-31 Light-emitting thyristor matrix array and driver circuit
PCT/JP2001/000623 WO2001057935A1 (en) 2000-01-31 2001-01-31 Light-emitting thyristor matrix array and driver circuit
KR1020017012311A KR100740444B1 (ko) 2000-01-31 2001-01-31 발광 사이리스터 매트릭스 어레이 및 그 구동 회로

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000021458A JP4345173B2 (ja) 2000-01-31 2000-01-31 発光サイリスタアレイの駆動回路

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2001217460A JP2001217460A (ja) 2001-08-10
JP2001217460A5 JP2001217460A5 (ja) 2006-10-26
JP4345173B2 true JP4345173B2 (ja) 2009-10-14

Family

ID=18547865

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000021458A Expired - Fee Related JP4345173B2 (ja) 2000-01-31 2000-01-31 発光サイリスタアレイの駆動回路

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6717183B2 (ja)
EP (1) EP1168462A1 (ja)
JP (1) JP4345173B2 (ja)
KR (1) KR100740444B1 (ja)
CN (1) CN1196206C (ja)
CA (1) CA2368988A1 (ja)
TW (1) TW476167B (ja)
WO (1) WO2001057935A1 (ja)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9153168B2 (en) * 2002-07-09 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for deciding duty factor in driving light-emitting device and driving method using the duty factor
JP3901151B2 (ja) * 2003-12-25 2007-04-04 セイコーエプソン株式会社 ドライバic並びにドライバic及び出力装置の検査方法
JP4607696B2 (ja) * 2005-07-28 2011-01-05 京セラ株式会社 発光装置および画像記録装置
JP5225592B2 (ja) * 2006-02-20 2013-07-03 京セラ株式会社 発光素子アレイ、発光装置および画像形成装置
JP4885760B2 (ja) * 2006-02-20 2012-02-29 京セラ株式会社 発光素子アレイ、発光装置および画像形成装置
US8494415B2 (en) 2006-02-20 2013-07-23 Kyocera Corporation Light emitting element array, light emitting device, and image forming apparatus
JP5343311B2 (ja) * 2006-10-24 2013-11-13 富士ゼロックス株式会社 露光装置および画像形成装置
JP4758921B2 (ja) * 2007-01-29 2011-08-31 株式会社日立製作所 線状光源装置、及びバックライト装置
JP5086345B2 (ja) * 2007-06-25 2012-11-28 京セラ株式会社 発光素子アレイ、発光装置および画像形成装置
JP4682231B2 (ja) * 2008-08-01 2011-05-11 株式会社沖データ 光プリントヘッドおよび画像形成装置
JP5366511B2 (ja) * 2008-11-14 2013-12-11 株式会社沖データ 駆動回路、光プリントヘッド及び画像形成装置
JP5428591B2 (ja) * 2009-01-28 2014-02-26 富士ゼロックス株式会社 Led基板装置、ledプリントヘッドおよび画像形成装置
JP4871978B2 (ja) * 2009-07-10 2012-02-08 株式会社沖データ 半導体装置、及び光プリントヘッド
JP5582771B2 (ja) 2009-12-04 2014-09-03 株式会社沖データ 駆動装置及び画像形成装置
KR102139681B1 (ko) 2014-01-29 2020-07-30 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피. 발광소자 어레이 모듈 및 발광소자 어레이 칩들을 제어하는 방법
JP2020120018A (ja) * 2019-01-25 2020-08-06 富士ゼロックス株式会社 発光装置、光学装置、光計測装置及び画像形成装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4394653A (en) * 1980-11-24 1983-07-19 General Instrument Corporation Bi-directional drive multiplexed display system
JP2807910B2 (ja) 1989-12-22 1998-10-08 日本板硝子株式会社 発光素子アレイ
US5324958A (en) * 1991-02-19 1994-06-28 Synaptics, Incorporated Integrating imaging systgem having wide dynamic range with sample/hold circuits
JP4068172B2 (ja) * 1996-04-12 2008-03-26 富士ゼロックス株式会社 面発光サイリスタおよび自己走査型発光装置
JPH09150543A (ja) * 1995-11-29 1997-06-10 Canon Inc 画像形成装置
JP2854556B2 (ja) * 1996-05-31 1999-02-03 日本板硝子株式会社 自己走査形発光素子アレイおよびその駆動方法
EP0884781A3 (en) * 1997-06-12 1999-06-30 Hitachi, Ltd. Power semiconductor module

Also Published As

Publication number Publication date
EP1168462A1 (en) 2002-01-02
CA2368988A1 (en) 2001-08-09
CN1196206C (zh) 2005-04-06
US20030071274A1 (en) 2003-04-17
WO2001057935A1 (en) 2001-08-09
KR20020004984A (ko) 2002-01-16
KR100740444B1 (ko) 2007-07-19
JP2001217460A (ja) 2001-08-10
TW476167B (en) 2002-02-11
US6717183B2 (en) 2004-04-06
CN1419714A (zh) 2003-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4345173B2 (ja) 発光サイリスタアレイの駆動回路
JP4411723B2 (ja) 自己走査型発光素子アレイ
JP4649701B2 (ja) 自己走査型発光装置
US6747940B2 (en) Optical writing head comprising self-scanning light-emitting element array
US6853396B1 (en) Driving ic and optical print head
JP4461552B2 (ja) 自己走査型発光素子アレイ
US6608642B1 (en) Driver IC and optical print head
JP4457437B2 (ja) 自己走査型発光装置
JP4627923B2 (ja) 発光素子アレイ、その発光素子アレイを用いた光プリンタヘッド及び光プリンタヘッドの駆動方法
JP3357810B2 (ja) 光プリントヘッド
JP2001284653A (ja) 発光素子アレイ
KR940009023B1 (ko) 발광다이오드 프린트 헤드
JP2003069078A (ja) 発光素子および光プリントヘッド
JP3604474B2 (ja) 自己走査型発光装置
JP2001353902A (ja) 自己走査型2次元発光素子アレイ
JP3717807B2 (ja) 光プリントヘッド
JP2001077422A (ja) Ledアレイチップおよびledアレイチップと併用したプリント基板
JP4196586B2 (ja) 発光素子アレイチップ、光書き込みヘッドおよび光書き込みヘッドの駆動方法
JP3609799B6 (ja) 光プリントヘッド
JP3609799B2 (ja) 光プリントヘッド
JP3609798B2 (ja) 光プリントヘッド
EP1215050A1 (en) Driving ic and optical print head
JP3609798B6 (ja) 光プリントヘッド
JP2001353903A (ja) 光プリントヘッド
JP2003063067A (ja) 光プリントヘッド

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060907

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060907

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20070409

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20070409

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20070410

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081014

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081210

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090317

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090514

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090623

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090706

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120724

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120724

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130724

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees