TW476167B - Light-emitting thyristor array and its drive circuit - Google Patents

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TW476167B
TW476167B TW090101756A TW90101756A TW476167B TW 476167 B TW476167 B TW 476167B TW 090101756 A TW090101756 A TW 090101756A TW 90101756 A TW90101756 A TW 90101756A TW 476167 B TW476167 B TW 476167B
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gate
emitting
fluid
terminal
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Seiji Ohno
Yukihisa Kusuda
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Nippon Sheet Glass Co Ltd
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Description

"+/010/ 五、發明說明（1) 直t發明係關於形成於晶片上的發光閘流體矩陣陣列，尤 ^ =關於可減少晶片面積之發光閘流體矩陣陣列及其驅動 ^ 2用光學式印表機的寫入頭的發光元件陣列，基本上有 從毛光元件取出與發光元件數相同的布線的必要。對於該 布線的取出’ 一般使用打線接合法。因此，隨著發光元件 的密度增加，會產生如下的問題。 (1) Ik著务光元件陣列晶片上的搭接銲墊面積的增大， 即晶片面積的增大，而使製造成本增加。 、 (2) 由於搭接線條數的增加，而使製造成本增加。 (3) 由於搭接線間隔的變窄，而造成製造困難。 μ 一般，由於要有與發光元件數相同的驅動電路，而 使製造成本增加。 =其是、’一般，由於丨個搭接銲墊面積與丨個發光元件的 日，相比為數倍以上，目此，發光元件密度的增大與造成 曰曰片面積的增加相關。 為避免此等之問題，提出有内藏移位暫存器的發光元 件、發光二極體（LED)矩陣陣列、路水p日+ 1 ^ ^ ^ _ ^ 干平夕j魯光閘流體矩陣陣列等 方案。 圖1為顯示發光閘流體矩陣陣列的一 α ^ . 干|平幻的例。根據該矩陣陣 列，直線狀地配列有複數個發光閘流體乃、τ 、τ 、…。 f、、且 各君爷組的發光閘流體 476167 五、發明說明（2) 的陽極分別與陽極端子A]、A2、、…共通 組的發光閘流體的各閘極分別與閘極選擇線G〜/群 連接，各發光閘流體的陰極與陰極線κ共通地4、怎土 藉由閘極選擇線Gl〜G4的電壓位準與陽極端子。 3、…的電壓位準的組合，來決定發光閘流體1了 2 、…的亮燈狀態。該矩陣陣列，由於係為陰極 ，線K為L位準，閉極選擇線中的 ：门:而在 其他為Η位準的狀態下，若使陽極端⑽丰而 發光閘流體wn亮燈。 ，巧位丰的活，則 杜ί習i口配歹,J _箱為2以上的整數）發光元件的發光元 件陣列中’為控個發光元件，有取出請/先兀 ^，但是’在具有Μ條閘極選擇線的發光閘流體矩^的/
:，則構，/Μ + Μ)個控制端子。在發光 U :，可同時發光的發光間流體數，與陽極端子數相陣陣列 有，發光係數比為1/Μ。在圖1之構成中，若ν=128 由於閘極選擇線為4條，故陽極端子數為32個。5 ， 丄=該發光閑流體矩陣陣歹1卜可減少矩陣陣列晶片 上的格接鋅墊數。在可減少搭接銲墊數兮 =線數Μ係依照如下被選擇。即，在發光閘數= ;Γ 近Γ的整數，且’使Ν/Μ構成-整數地予： 數共侧為最小。因此，使擇】； 可減少晶片之成本。 曰曰片面積之縮小成為可能， 又，使用發光閘流體之如圖1之電路構成，係由本案申 \\326\2d-\90-04\9010l756.ptd $ 5頁 476167 五、發明說明（3) 請人所提出，已獲得專利（日本專利第2 § 〇 7 9丨〇號）。又， 該專利之内容係包含於本案之内容内者。 如上述，雖可使搭接銲墊數為最少，但是，並不一定限 疋為對於S亥情形時的晶片面積為最小。一般的矩陣陣列晶 片，係為由晶圓切出之平行四邊形（一般為長方形）。晶片 長邊的長度係由發光閘流體的配列間隙與數量的乘積來決 定，短邊的長度主要係由發光閘流體與布線及搭接銲墊的 寬度的和來決定。1個搭接銲墊所必要的面積，由於係由 搭接線機的性能等決定，因此，只要搭接銲墊的列數不減 少，、晶片短邊的長度不會縮短，即使搭接銲墊數減少也不 會減少晶片面積。 發明之_六 舻i ί:,目的在於提供一種可減少晶片面積的發光閘流 體矩陣陣列。 1於要減 > 晶片面積，有必要將搭接銲墊配置成與晶
Jim;列狀，且使晶片短邊的長度減少。藉由將閉 二線數Μ 4加，及使搭接銲墊數減少，可將搭接銲墊 真、秦工—列狀。但是，由於閘極選擇線的數量Μ與晶片的 從晶片的一端至另-端為止地配置，當增加閑 的短邊長度會就此增加。“，搭接二 以決定^ 2置，且有可盡量使閘極選擇線數111減少 /开又閘極遠擇線數的必要。 將N個（N為2以上的敕机、η 0 ^ 列之發光門a辦陆、數）的3端子叙光閘流體呈一列狀配 "甲々丨匕-車列中，將Ν個發光閘流體的陰極或陽極
4/010/ 五、發明說明（4) Μ⑴]的閑極體的間極與第1條[i = “k-” _ 以Μ時的餘值)將線第^在此^ 陽極或陰極鱼第·個「.务光閑流體的不連接共通端子的 端子“:、,]個[j = “k-1)/M} + 1]的陽極端子〜或陰極 間值：定[為晶片之長邊長，。為搭接銲墊的配列 L/((N/M)+M) >p 使滿足上式來選擇Μ。此日宑，C7 @ ^ m ^ _ 機即可減少Ρ值，但e ，Α、—，、要使用鬲精度的搭接線 疋 由於该值太小的話會使作章日年門 增大，在實用上可考慮為75⑽左右。 使作業時間 康t 土月即使為將陽極或陰極與選擇線連接的；^ $ =端ΐ::形，個3端子發光閘流體 將;二連二 3 擇 條[1 = Kk —1)M°D ΜΗ1]二陽= 極遠擇線Ki連接，將閘極盥 伴良/飞k 端子Gj連接之構成。 j {(k 1)/Μ} + 1]的閘極 在具有與晶片的長邊平行地 j閘流體矩陣陣列晶片，使驅動“接;1 矩陣陣列…驅動-的各端:=由;:： 在利用直接之搭接線連接如此之發光閘流體矩陣陣列晶 第7頁 90101756.ptd 476167 五、發明說明（5) 片與驅動I C的構造中，一定要使晶片側的搭接銲墊的配列 間隙與驅動IC側的搭接銲墊的配列間隙幾乎相同。因此， 在發光閘流體矩陣陣列的解析度變化之過程中，有必要準 備另外的驅動IC。目此，多種的驅㈣成為必I，而造成 成本之上升。 =此，本發明之其他目的在於相_解析度*同之發光 閘肌體矩陣陣列，提供一種可共用之驅動〗c。 在3端子發光閘流體矩陣陣列的情形，如 擇閉，選擇線的數量。咸少發光元件上的 错由，可 一列地配置搭接銲墊。因此，相 坚歎 極選的數量時，、決定陽極端子的數量。 為」倍時，只要準備為閘極選擇旦 又 流體矩陣陣列晶片即可。因、此，、、、不、需變置更、Λ數要的發光閘 流的陽極端子驅動電路的數量 X提供大電 IC來驅動不同解析度的發光間流體ί:陣同：驅動 __之最佳實施形熊L種’從而降低成本。 以下，參照圖式說明太瘀日日4 α ^ 施例。 χ 5光閘流體矩陣陣列的實 (實施例1 ) 圖2為發光閘流體矩陳鱼 ^ 圖。圖3Α及圖3Β為用於兮、一貫施例的晶片的示意 示意圖。 5亥矩陣陣列之發光閑流體的構造的 90101756.ptd 第8頁 470167 五、發明說明（6) 首先，參照圖3 Α及圖3Β說明發光閘流體的構造。圖3 Α為 俯視圖，圖3Β為沿圖3Α的X-X，線的剖面圖。發光閘流體2〇 係在η型半導體基板21上，依序積層有η型半導體層22、ρ 型半‘體層23、η型半導體層24及ρ型半導體層25，在ρ型 半導體層25上形成有陽極26，在11型半導體層以上形成有 閘極27。雖未有圖示，在η型半導體基板21的背面設有陰 極〇 如圖2所示之發光閘流體矩陣陣列晶 ，問流㈣共128個，_Gdpi(㈤s pe/=h)呈$ '呈I = :1列’ &將複數條的閘㈣擇線與發光閘流體陣列 呈千仃地予以配置所構成。 丨 二接上銲的塾Γ:Γ、列間隙.，由於搭接線機的精度有為75 度為150二。’:：右必要一。搭接銲墊10的晶片短邊方向的寬 βm 0 。還有’-條之閘極選擇線3 0的寬度為1 5 的ί = ’計算出使問極選擇線數M變化 Π二:邊長。在圖4之圖線上顯示出計算社 Μ = 2構成之晶片短邊長為二之。圖由，選擇線數 的配列間隙為糊㈣，以及_ = 2時’搭接銲塾< 處於限度值，而有井声“接#塾配列間隙的界限值P AA ^ 有精度南之搭接線之必要。芒、ϋ山Μ / 的活，由於與Μ = 2的情形相比較 右1出Μ = 4、8 可增大搭接銲塾的配列間隙。因此間極Τ擇塾绩數篇因而 丨甲j u适擇線數Μ以從4
90101756.ptd 第9頁 476167 五、發明說明（7) ' " 或8中選出為較佳。 (實施例2) =對具有60 0dpi、1 92發光點的發光閘流體矩陣陣列予 =^慮。與實施例丨相同，在圖5之圖線上顯示出使閘極選 、、數Μ變化的情形時的晶片短邊長的計算結果。在該矩 ϋ列中，由於192 = 26χ 3，由於具有質因數3而使可被 ^除之值Μ的數量增加，μ為可從1、2、3、4、6、8、 2 a 16 ' 24 ' 32、48 ' 64、96、192 中選出。雖然Μ = 2 構成 # :片短邊長為最小，但是，與實施例1的理由相同，若Μ 增大的話由於具有可增大搭接銲墊的配列間隙的有利 點，與實施例1相同將Μ的選擇對象擴大至Μ$8為止。換言 之」可知閘極選擇線數Μ以從3、4、6、8中選出為較佳。 (實施例3 ) 、針對具有1 20 0dpi、25 6發光點的發光閘流體矩陣陣列予 以考慮。與實施例1相同，在圖6之圖線上顯示出使閘極選 擇線數Μ變化的情形時的晶片短邊長的計算結果。可知從 圖^之圖線中選出Μ為4、8、1 6中任一條即可。 (實施例4) 、針對具有2 4 0 0 dp i、5 1 2發光點的發光閘流體矩陣陣列予 以考慮。與實施例1相同，在圖7之圖線上顯示出使閘極選· 擇線數Μ變化的情形時的晶片短邊長的計算結果。可知從 圖7之圖線中選出Μ為8、1 6、3 2中任一條即可。 (實施例5) 針對具有3 2 X η (η = 4、6、8 )發光點的矩陣陣列用的驅動
476167 五、發明說明（8) 電路（1C)予以考慮。圖8顯 閘極選擇線、192發光點/⑽⑸了/、用128發先點/6〇〇dPi/4 點/12_1/8問極選= 極選擇線、256發光 晶片的驅動IC。 、種類的鲞光閘流體矩陣陣列 驅動1C係由閘極選擇線 5〇所構成。問極選擇線驅動極端子驅動電路 並行輪屮^路0係由8位元的串列輸入/ 亚仃輸出之移位暫存器1〇〇所構 信號輸出端子，其盥發弁n Λ為閘極遥擇 線G】〜Gn…接銲塾連接陣陣列晶片雜選擇 準過Λ設於端子山 102 ’使移位暫存器100重設（全位元為Η位 _ 别入知子1(Η為[位準，將脈衝供給端子1〇3 ,使 ，位準嫌員序移位，再使輸出端子ΐ3ι〜} 38 :序：： f發先閘流體矩陣陣列的第土條的閑成 ::連接間極選擇線以發光閉流體則可亮燈。藉此成： >鳊子1 3 1〜1 38為選擇1條之閘極選擇線，輸出「選擇」‘ =i1。個的輸出端子’輸出「非選擇」信號至其他的輸 點數具有32Χ η (n = 4、6、8)發光點的發光閘流 體矩陣陣列中，由於閘極選擇線為續，在使閘極選擇線 Gn為L位準後，接著再使閘極選擇線匕為[位準。因此，在 使閘極選擇線Gn 位準後之下—時間點，再次使輸入端 子101為L位準，將脈衝供給端子1〇3，從而使閘極 G!為乙位準。 陽極端子驅動電路50，可同時驅動32個發光點。發光閘 ΪΙ \\326\2d-\90-04\90101756.ptd 第11頁 476167 五、發明說明（9) ml體的光輸出’係由電流驅動電路4 〇 〇的電流源4 2 〇所調 整。依照流向電流值資料輸入端子422的電流值資料（6位 元）輸入’可调整電流源4 2 0的電流值，依照電流輸出許可 端子421的狀態，電流由輸出端子5 〇ι〜532輸出。 藉由具重设端子202與脈衝端子203的移位暫存器2〇〇， 來自輸入到資料輸入端子201的串列信號被切割為32組的6 位元資料，生成電流值資料，由具閂鎖端子231的閂鎖器 2^30所保持，並輸入至電流值資料輸入端子422。移位暫存 器2 0 0具有資料輸出端子21〇，並可將該輸出端子連接至相 鄰之驅動1C的資料輸入端子201。藉此，可減少光寫入頭 内的電流資料線的數量。
藉由具重設端子3 02與脈衝端子3 03的移位暫存器3〇〇， 來自，入到資料輸入端子301的串列信號被切割為32組的工 位π貝料，生成晝像資料，由具閂鎖端子331的閂鎖器“Ο 所保持，並輸入至AND(與）閘極41〇的輸入端 D 另-側之輸人端子與發光許可端子連接。八= 暫/Ϊ L構成上述電流輸出許可端子421。在移位 暫存^§ 300具有貧料輪出 ^ ^ _ 而子310，並可將該輸出連接至相 钟之驅動I C的資料輪入總尽q π 1 ^
J貝竹铷入鳊子3〇1。藉此，可減少光寫入M
I 内的畫像資料線的數量。 尤馬入頭 圖9顯示經由搭接線將佑昭卜 19Q ^ L /ΡΛΛ &村佤妝上述所構成的驅動IC60 0，盥 128發光點/6〇〇dpi/4閘極馮摆妗AA a , 上 兴 y 7ΛΛ ^ ^ y阑役遥擇線的發光閘流體矩陣陣列晶 片7 0 0連接之例。驅動j c 6⑽的 千幻日日 ^ . ,Π1 ,πο 勒1 LbU〇的除極端子驅動電路50的輪出 端子501、5 0 2、…、w m m I由格接線45分別與矩陣陣列
476167 五、發明說明（10) 晶片7 0 0的陽極端子Αι、a2.....A32連接，驅動I C6 0 0的閘 極選擇線驅動電路4 〇的輸出端子1 3 1、1 3 2、1 3 3、1 3 4，經 由搭接線5 5分別與矩陣陣列晶片7 〇 〇的閘極選擇端子a、 G2、G3、G4 連接。 圖1 0顯示經由搭接線將驅動IC6〇〇，與丨92發光點 / 9 0 0 dp i / 6閘極選擇線的發光閘流體矩陣陣列晶片7 1 〇連接 之例。驅動IC60 0的輸出端子5〇1、5〇 2 ..... 5 3 2，經由搭 接線45分別與矩陣陣列晶片71 〇的陽極端子\、..... 連接，驅動IC600 的輸出端子13ι、132、133、134、135、32 136，經由搭接線55分別與矩陣陣列晶片71〇的閘極選擇端 子 Gi、G2、G3、G4、G5、G6 連接。 圖11顯示經由搭接線將驅動IC 6 0 0 5與256發光點 / 1 20 0dpi/8閘極選擇線的發光閘流體矩陣陣^晶片72〇連 接之例。驅動IC60 0的輸出端子501、5 02 ..... 532，經由 搭接線45分別與矩陣陣列晶片72〇的陽極端子\..... A32連接，驅動IC60 0的輸出端子131、132、133、lh、 135、136、137、138，經由搭接線55分別與矩陣陣列晶片 72—〇的閘極選擇端子Gi、&、G3、&、G5、n 接。 (實施例6 ) 針對具有32 x η (nM、6、8)發光點的矩陣陣列用的驅❿ 動ic的另一例予以考慮。圖12顯示可共用128發光點 /6〇〇dPi/4閘極選擇線、192發光點/ 9 0 0dpi/6 ^極選擇 線、256發光點/ 1 2 0 0dpi/8閘極選擇線的3種類的終、弁門、、古 體矩陣陣列晶片的驅㈣。驅動IC係由陽極端子
90101756.ptd 第13頁 476167 五、發明說明（11) 60: 士丄閘極遥擇線驅動電路設於驅動IC的外部。 1%極端子驅動雷β η 流體的光輸出，係由電、、:;區：時驅動32個發光點。發光閘 整。依昭沒f a f "動電路40〇的電流源42〇所調 :)子，二::整電流糊的電流值，依照電流 而“ 、&，電流由輸出端子501〜532輸出。 具重設端子202與脈衝端 3 2;:到Π輸入端子2。1的串列信號被切^ 230所保持，並輸入至電流值資料輸入 具有資料輸出端子210，並可將該輸出端子 的資料輸，端子2〇1。藉此，可減少光寫入頭 内的電>，IL負料線的數1。 藉由具重設端子302與脈衝端子3 〇3的移位暫存器3〇〇， 來自輸人_資料輸入端子301白勺_列信號被切割⑽組的ι ==料’生成畫像資料’由具閃鎖端子331的閃鎖器33〇 所保持，並輸入至AND閘極41〇的輸入端子。MD閘極41〇的 另一側之輸入端子與發光許可端子43〇連接。AND閘極41 〇 的輸出端子，構成上述電流輸出許可端子421。在移位暫 存器300具有資料輸出端子310，並可將該輸出連接至相鄰 之驅動1C的資料輸入端子301。藉此，可減少光寫入頭内 的畫像資料線的數量。 圖1 3顯示經由搭接線將依照上述所構成的驅動丨c 6 〇 1， 與128發光點/60 Odp 1/4閘極選擇線的發光閘流體矩陣陣列
476167 五、發明說明（12)
f片730連接之例。驅動IC6 0 0的陽極端子驅動電 ^ 子⑻、502、…、532, M G G片、7Γ的Λ極端子Αι、A2、…、‘連接。閑極選擇端子 搭接^塾3、車技4經由格接線直接與印刷電路板（未圖示）上的 (實施1列7) 又，圖中620顯示圖12所示之電路部分。 乂實、，例6;，發光間流體矩陣陣列晶片730的間極選擇 :丄:3、G4 ’與印刷電路板上的搭接銲墊連接，陽 / 2.....、，與驅動IC6(U上的搭接銲墊連接。 在此h形，由於印刷電路板的高度 而使搭接銲墊組裝困難。 ]同度不冋，< 在此，在本實施例中，如圖14所示，在驅動IC6 有:吏:甲1極選擇線通過的線74〇。開極選擇端子A 、G 口又、 G4與線7 4 0由搭接線7 5連接。 3 (實施例8 ) 用:1以所上干之者貫施:列1〜7中’作為發光閘流體矩陣陣列，使 光閘Ή的門/=之發光閑流體矩陣陣列中，雖有將發 光閘級脰的閘極與選擇線連接，但也可使之 ΐ ί m構造。圖15顯示將陽極與選擇線連接的發；閘 流體矩陣陣列。 ％ 1文w 乂尤Γ甲1 口 _二、的1、光閘流體的閘極，分別與閘極端子、G 、 4椹蜱；通广f接’各群組的發光閘流體的陽極，與4極 遠擇線\〜a2分別對應地連接， 厂丨每位 陰極線κ共通地連接。接Μ先閘·體的陰極’與
第15頁 \\326\2d-\90-04\90101756.ptd 476167 五、發明說明（13) 及 若 在該發光閘流體矩陣陣列中’使陰極端 使1個的閘極端子Gi為1^位準，其他制位準之狀能日士 使T極選擇線〜為11位準的話，發光閘 二才燈 使 電流容量大的缓衝電流數減少，驅動電路成為簡單。 f以上之所有的實施例令，雖有將發光閘流體的陰極丘 通地連接，但也可使之為將陽極共通地連接地構成。八 I業上之利用可能性 根據t發明’可實現面積小的發光閘流體矩陣陣列晶 片’可貫現可共通地適用於解析度不同的複數發光閘流體 矩陣陣列的驅動電路。 i件編號之說明 Τ!、T2 Λ τ3 >··· 發光閘流體 A1、八2 ' α3 …·· 陽極端子 Gi 〜G4 閘極選擇線 K 陰極線 Μ 閘極選擇綠數 8 發光閘流體矩陣 10 搭接銲墊 20 發光閘流體 21 η型半導體基板 22 η型半導體層 23 ρ型半導體層 24 η型半導體層
90101756.ptd
第16頁 476167 五、發明說明（14) 25 P型半導體層 26 陽 極 27 閘 極 40 閘 極 選 擇 線 驅 動 電 路 45 搭 接 線 50 陽 極 端 子 驅 動 電 路 55 搭 接 線 60 陽 極 端 子 驅 動 電 路 75 搭 接 線 100 移 位 暫 存 器 101 入 端 子 102 重 設 端 子 103 端 子 131 〜138 閘 極 選 擇 信 號 輸 出 端子 200 移 位 暫 存 器 201 資 料 入 端 子 202 重 設 端 子 203 脈 衝 端 子 210 資 料 輸 出 端 子 230 閂 鎖 器 231 閂 鎖 端 子 300 移 位 暫 存 器 301 資 料 物 入 端 子 3 02 重 設 端 子
90101756.ptd 第17頁 476167
五、發明說明（15) 303 脈 衝 端 子 310 資 料 Ψη'] 出 端 子 330 閂 鎖 器 331 閂 鎖 端 子 400 電 流 驅 動 電 路 410AND(與） 閘 極 420 電 流 源 421 電 流 m 出 許 可 端 子 422 電 流 值 資 料 m 入 端 子 430 發 光 許 可 端 子 501 〜532 電 流 由 輸 出 端 子 600 驅 動1C 601 馬^ 動1C 700 發 光 閘 流 體 矩 陣 陣 列 晶 片 710 發 光 閘 流 體 矩 陣 陣 列 晶 片 730 發 光 閘 流 體 矩 陣 陣 列 晶 片 740 線 90101756.ptd 第18頁 476167 圖式簡單說明 圖1為發光閘流體矩陣陣列的一例的示意圖。 圖2為本發明之發光閘流體矩陣陣列的一實施例的晶片 的示意圖。 圖3 A及圖3 B為圖2之發光閘流體的構造的示意圖。 圖4為在具有6 0 0dpi、128發光點的發光閘流體矩陣陣列 中，顯不計算出使閘極選擇線地數量M變化的情形的晶片 的短邊長的結果的圖。 圖5為在具有6 0 0dpi、192發光點的發光閘流體矩陣陣列 中，顯示計算出使閘極選擇線地數量M變化的情形的晶片 的短邊長的結果的圖。 圖6為在具有1 2 0 0dpi、25 6發光點的發光閘流體矩陣陣® 列中，顯示計异出使閘極選擇線地數量Μ變化的情形的晶 片的短邊長的結果的圖。 30 圖7為在具有2400dpi、512發光點的發光閘流體矩陣陣 列中，顯示計算出使閘極選擇線地數量Μ變化的情形的晶 片的短邊長的結果的圖。 / 郎 圖8為驅動I c電路的一例的示意圖。 圖9為顯示由1 92發光點/9 0 0dpi/6閉極配線的發光閘流 體矩陣陣列與驅動I c的搭接線的連接例的圖。 圖10為顯示由128發光點/ 6 0 0dpi/4閘極i線的發光閘流» 體矩陣陣列與驅動I C的搭接線的連接例的圖。 圖11為顯示由256發光點/ 1 2 0 0dpi/8閘極配線的發光閘 流體矩陣陣列與驅動I C的搭接線的連接例的圖。 圖1 2為驅動1C電路的另一例的示意圖。
476167
圖式簡單說明 圖U為顯示由I28發光點/6〇Odpi/4閘極配線的發光閘 體矩陣陣列與驅動IC的搭接線的連接例的圖。 圖14為顯示由128發光點/6 0 0dpi/4閱k ° ρ w 4閘極配飧 體矩陣陣列與驅動I C的搭接線的另一連接^ %的發先p甲g 圖1 5為習知發光閘流體矩陣陣列的另—例的圖。 ’ 一例的示意圖。
90101756.ptd 第20頁

Claims (1)

  1. 476167 六、申請專利範圍 係形成於晶片上者，其 配列的N個（N為2以 1 ·—種發光閘流體矩陣陣列，其 特徵為：具備 在上述晶片的長邊平行且呈一列狀地 上=整數）3端子發光閘流體；及 銲ί十述晶片的長邊平行且呈-列狀地配列的複數個搭接 又2具：Π專利範圍第1項之發光間流體矩陣陣列，其中 及上逑Ν個發光閉流體的陰極或陽極連接之共通端子. '條^ Μ為2以上的整數）閘極選擇線， 將第k個發光閘流體的閘極與第 的閘極選擇線&連接， “ Kk~l)M〇D Μ} + ι ] 端子\或陰極端子Kj •如申請專利範圍第2項之發光泣雕 匕閘極選擇線數Μ滿足如下公式’瓜肢矩陣陣列，其 L/((N/M)+M) >ρ α 為晶片=邊 配列間隙界限值）。 月長边之長度，Ρ為搭接銲墊 4 .如申請專利笳笛Q ^ ^ ^,,,, ^ ^ t 連接 將第k個發光閘流體之不連接上述Λ 與第]個二接二 中 上述 之 的質= 上述閘極選擇線數Μ為最小之整數
    \\326\2d-\90-04\90101756.ptd 第21頁 476167 六、申請專利範圍 或是第2小、或第3小的整數。 6^如申請專利範圍第3項之發光閘流體矩 為2與3組，，爛 7戈疋弟2小、或弟3小、或第4小、或第5小的整數。 7目如申請專利範圍第1項之發光閘流體矩陣陣列，立中 又具備有： ” 子與^述N個3端子發光閘流體的陰極或陽極連接之共通端 2以上的整數）陽極選擇線或陰極選擇線， 努位&擇線Ai或陰極選擇線Κ·連接， 將第k個發光閘流體閘極， 個 間極端子6」連接。 ”弟]個[广Kk-1)/MH1]的 上8述範圍第7項之發光閘流體矩陣陣列… 上述％極布線或陰極布線數M滿足如 彳/、中 L/((N/MHM) >p (L為晶片長邊 式、“ 配列間隙界限值）。 、又’ P為搭接銲墊之 其中 9.如申請專利範圍第8 上述搭接鲜塾的配列間隙界矩陣陣列 1 〇 ·如申凊專利範圍第8項之二☆ m N的質因數僅為2組成時，、=閑〜體矩陣陣列，其中 最小之整數或是第2小、或極布線或陰極布線數Μ為 11·如申請專利範圍第3^: = ;。 Ν的質因數僅為2與3組成日士 、疋閘流體矩陣陣列，其中 守，上述陽極布線或陰極布線數Μ \\326\2d-\90-04\90l0l756.ptd 第22頁 '、申請專利範圍 _____ 為最小之敕4 ----- 整數。&數或是第2小、或第3小、或第〇 1 2 —紅 4弟5小的 12. —插s a乐〇小的 6項中任電路，其係 驅動上、f項之發光閑流體矩陣陣列；申=乾圍第2至 与區動ίΪ?極選擇線的電路及 徵為··具傷 驅動上‘二，知子或陰極端子的電路， :出端子選；Γ電⑬，具有偶數個間極選… :端：中之-：端號=上=極選擇 路。使輪出上述「選擇丄::;順端 1 3·如申請 A 極選擇線之雪々利範圍第12項之驅動電路，其中在驅動問 14.如申▲主路使用串列輸入/並行輸出之移位暫存哭。 選擇信號利範圍第13項之驅動電路，其中上述閘極 J *而子數為4、6、8、12、16個中之任一者。 90101756.ptd 第23頁
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