JP4290979B2 - 半導体素子の多層金属配線形成方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子の多層金属配線形成方法に関するもので、特に、多層金属配線の層間絶縁膜形成工程時低誘電率絶縁膜を用いて素子の特性及び信頼性を向上させる技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、素子の間、又は素子と外部回路の間を電気的に接続させるための半導体素子の配線は配線のための所定のコンタクトホール及びビアホールを配線材料に埋め立てて配線層を形成し後続工程を経て成され、特に低い抵抗を必要とする所には金属配線を用いる。
【0003】
前記金属配線はアルミニウムAlに少量のシリコンや銅(Cu)が含まれるかシリコンと銅が全て含まれて非抵抗が低いながら加工性に優れるアルミニウム合金を配線材料にして物理気相蒸着法(physical vapor deposition、以下PVDとする)方法のスパッタリングに前記コンタクトホール及びビアホールを埋め立てる方法から形成される。
【0004】
半導体素子が高集積化されることによって金属配線形成工程はRC遅延(resistance capacitance delay)を減らすための層間絶縁膜に低誘電常数を有するローケイ物質層を回転塗布方式で形成し上部配線と下部配線を連結するためにビアホールを形成した後、これを埋め立ててタングステンコンタクトプラグを形成する方法を用いる。
このとき、前記低誘電率絶縁膜を回転塗布するとき金属配線の広さ及び密度によって金属配線上の低誘電率絶縁膜が不均一に塗布される。
【0005】
また、不均一な厚さによって上部金属配線と下部金属配線間のインターキャパシタンス値が金属配線の広さ及び密度によって異になりこれは素子の特性を低下させる。
また、ビアホールドライエッチングボーイング(bowing)現象を起こすことでエッチング条件を難しくし、ビアホール側壁のボーイング現象によって接着膜と拡散防止膜の蒸着不良によって後続工程のタングステンコンタクトプラグ形成工程を難しくする。
【0006】
図1ないし図4は従来技術の実施態様による半導体素子の多層金属配線形成方法を示す断面図である。
図1を参照すると、半導体基板11上部に下部金属配線13を形成する。
このとき下部金属配線13はアルミニウム合金で形成されたもので、その上部及び下部にはTi又はTi/TiNの積層構造が備えられている。
ここで、参照符号100は下部金属配線の面積変化領域を示し、参照符号200は下部金属配線の密度変化領域を示す。即ち、下部金属配線の面積変化100は左側には面積の大きい金属配線が形成されており、その右側には面積の小さい金属配線が形成されており、下部金属配線の密度変化領域200は左側には金属配線の密度が高く、その右側には左側に比べて密度が相対的に低い金属配線が形成されている。
【0007】
その次に、前記下部金属配線13を塗布する低誘電率絶縁膜15を形成する。
このとき、前記低誘電率絶縁膜15は誘電常数が約3の物質を回転塗布方法で形成したものである。
このとき前記低誘電率絶縁膜15は金属と金属間の埋め立て性、即ち、段差被覆性に優れるが低誘電率絶縁膜が有している粘着性によって金属配線上に同一な厚さに塗布されず金属配線の広さと密度によって他の厚さで塗布される。
一般的に金属配線の面積が大きい場合には小さい場合に比べて厚く塗布され、金属配線の密度が高い箇所では低い箇所に比べて厚く塗布される。
【0008】
その後、前記低誘電率絶縁膜15の上部にPECVD(plasma enhanced chemical vapor depoaition、以下PECVD方法と称する)方法を用いて酸化膜17を蒸着する。
このとき、前記酸化膜17は誘電常数が約4の物質であって、厚く形成されたものである。
その後、前記酸化膜17を化学機械研磨(chemical mechanical polishing、以下CMPとする)させて低誘電率絶縁膜15と酸化膜17の積層構造に形成された層間絶縁膜を形成する。
【0009】
また、図2を参照すると、前記層間絶縁膜15、17上部に感光膜パターン19を形成する。
このとき前記感光膜パターン19はビアコンタクトマスクを用いた露光及び現像工程によって形成したものである。
図3を参照すると、前記感光膜パターン19をマスクにして前記層間絶縁膜17、15をエッチングして前記下部金属配線13を露出させるビアコンタクトホール21を形成する。
このとき前記低誘電率絶縁膜15が前記酸化膜17より1.5倍以上エッチング選択比が大きいので前記低誘電率絶縁膜15が厚く形成された部分で前記低誘電率絶縁膜15が側面エッチングされる。
【0010】
また、ビアコンタクトエッチング工程の後残った感光膜パターン19を除去し前記ビアコンタクトホール21を含む全体表面上部に接着層/拡散防止膜のTi/TiN膜23を形成する。このとき、低誘電率絶縁膜15の側面エッチングされた部分には前記Ti/TiN膜23が薄く形成されるか殆ど形成されない。
図4を参照すると前記ビアコンタクトホール21を介して前記下部金属配線13に接続されるコンタクトプラグタングステン層25をPECVD方法に全体表面上部に形成する。
このとき、前記低誘電率絶縁膜15が側面エッチングされる部分で@のようにボーイング現象が生じる。
【0011】
前記説明のように従来技術による半導体素子の多層金属配線形成方法は、
ビアコンタクトエッチング工程時エッチング選択比が高い低誘電率絶縁膜が側面エッチングされる現象によって後続工程にボーイング現象が起こることで半導体素子の特性及び信頼性を低下させるという問題があった。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記従来技術の問題点を解決するためのもので、ボーイング現象を発せず予定のビアコンタクトプラグを形成して半導体素子の高集積化が十分な多層金属配線を容易に形成できるようにする半導体素子の多層金属配線形成方法を提供することが目的である。
【0013】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、半導体素子の多層金属配線形成方法であって、面積が相対的に大きい第1下部金属配線と面積が相対的に小さい第2下部金属配線とを有する面積変化領域、及び/又は、配線密度が相対的に高い領域の第3下部金属配線と配線密度が相対的に低い領域の第4下部金属配線とを有する密度変化領域を備える半導体基板上部に第1低誘電率絶縁膜を形成しその上部に第1酸化膜を形成する工程と、
前記第1酸化膜を平坦化し前記第1酸化膜及び第1低誘電率絶縁膜をエッチバックして前記下部金属配線上に第1低誘電率絶縁膜を所定厚さに残す工程と、
全体表面上部に平坦化された第2低誘電率絶縁膜を形成する工程と、
前記第2低誘電率絶縁膜上部に第2酸化膜を形成する工程と、
ビアコンタクトマスクを用いたフォトエッチング工程によって、前記第2酸化膜をエッチングし前記第1、2低誘電率絶縁膜をエッチングして、下部金属配線に対してそれぞれ同時期にビアコンタクトホールを形成する工程と、
前記ビアコンタクトホールを含む全体表面上部に接着膜/拡散防止膜を形成する工程と、
前記ビアコンタクトホールを埋め立てるコンタクトプラグを形成しこれに接続される上部金属配線を形成する工程を含むことを特徴とする。
【0014】
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の半導体素子の多層金属配線形成方法であって、前記低誘電率絶縁膜は4000〜6000Å厚さを回転塗布方法で形成することを特徴とする。
【0015】
請求項3に記載の発明は、請求項1に記載の半導体素子の多層金属配線形成方法であって、前記第1酸化膜はPECVD方法を用いて5000〜7000Å厚さに形成することを特徴とする。
【0016】
請求項4に記載の発明は、請求項1に記載の半導体素子の多層金属配線形成方法であって、前記第1酸化膜の平坦化工程はCMP工程に行うことを特徴とする。
【0017】
請求項5に記載の発明は、請求項1に記載の半導体素子の多層金属配線形成方法であって、前記エッチバック工程はCFガスを用いて行い、前記第1低誘電率絶縁膜を500〜1000Å厚さほど残すことを特徴とする。
【0018】
請求項6に記載の発明は、請求項1に記載の半導体素子の多層金属配線形成方法であって、前記エッチバック工程は1×1010ion/cm3の低いイオン密度で1000〜1500mTorrの圧力、800〜1200ワットの電力、CHF340〜60sccm、CF4100〜150sccm、Ar1000〜1500sccmのガスフローを有する条件で行うことを特徴とする。
【0019】
請求項7に記載の発明は、請求項1に記載の半導体素子の多層金属配線形成方法であって、前記エッチバック工程後クリーニング工程を行うことを特徴とする。
【0020】
請求項8に記載の発明は、請求項1に記載の半導体素子の多層金属配線形成方法であって、前記第2低誘電率絶縁膜は回転塗布方法で6000〜7000Å厚さで形成することを特徴とする。
【0021】
請求項9に記載の発明は、請求項1に記載の半導体素子の多層金属配線形成方法であって、前記第2酸化膜は500〜1000Å厚さで形成することを特徴とする。
【0022】
請求項10に記載の発明は、請求項1に記載の半導体素子の多層金属配線形成方法であって、前記第2酸化膜のエッチング工程はCFガスとHが含まれたガスを用いてプラズマエッチングすることを特徴とする。
【0023】
請求項11に記載の発明は、請求項10に記載の半導体素子の多層金属配線形成方法であって、前記第2酸化膜のエッチング工程は1×1010ion/cm3の中間イオン密度で30〜50mTorrの圧力、1800〜2200ワットのソース電力、1300〜1600ワットのバイアス電力、CHF320〜30sccm、CHF450〜80sccm、Ar400〜600sccm、O210〜15sccmのガスフローを有する条件で行うことを特徴とする。
【0024】
請求項12に記載の発明は、請求項1に記載の半導体素子の多層金属配線形成方法であって、前記第1、2低誘電率絶縁膜エッチング工程は、30〜50mTorrの圧力、1800〜2200ワットのソース電力、1500〜1700ワットバイアス電力、C5F815〜25sccm、CH2F25〜10sccm、Ar400―600sccm、O210−15sccmのガスフロー有する条件に行うことを特徴とする。
【0025】
請求項13に記載の発明は、請求項1に記載の半導体素子の多層金属配線形成方法であって、前記接着膜/拡散防止膜はTi/TiN膜をPECVD方法に形成することを特徴とする。
【0026】
【発明の実施の形態】
上記目的を達成するための本発明による半導体素子の多層金属配線形成方法は、下部金属配線が形成された半導体基板上部に第1低誘電率絶縁膜を形成しこれを平坦化エッチング(平坦化)して前記下部金属配線上部に所定厚さ残す工程と、前記下部金属配線上部の第1低誘電率絶縁膜をプラズマエッチングして除去する工程と、
前記下部金属配線及び前記下部金属配線間の第1低誘電率絶縁膜上部にエッチング障壁層を形成する工程と、前記エッチング障壁層上部に第2低誘電率絶縁膜を形成する工程と、前記第2低誘電率絶縁膜上部に酸化膜を形成する工程と、ビアコンタクトマスクを用いたフォトエッチング工程に前記酸化膜、第2低誘電率絶縁膜及びエッチング障壁層をエッチングして前記下部金属配線を露出させるビアコンタクトホールを形成する工程と、前記ビアコンタクトホールを含む全体表面上部に接着膜/拡散防止膜を形成する工程と、前記ビアコンタクトホールを埋め立てるコンタクトプラグを形成しこれに接続される上部金属配線を形成する工程とからなることを特徴とする。
【0027】
なお、本発明の原理は次の通りである。
低誘電率絶縁膜を塗布しその上部に酸化膜を低く蒸着した後、CMP工程で前記酸化膜を平坦化させエッチング速度差異を用いたエッチバック工程を行った後、金属配線の広さと密度によって不均一に金属配線上の低誘電率絶縁膜の厚さを最小化した後更に不均一に金属配線上の低誘電率絶縁膜の厚さを最小化した後更に低誘電率絶縁膜を回転塗布方法で形成し、その上部に酸化膜を薄く形成することで金属配線上部の低誘電率絶縁膜の厚さを一定に保持すると共に低誘電率絶縁膜(誘電常数≒〜3)と酸化膜(誘電常数≒〜4.5)に形成される層間絶縁膜で酸化膜の厚さを低く保持して相対的に平坦化された低誘電率絶縁膜の厚さを高かめることによって上部金属配線と下部金属配線間のインターキャパシタンスを下部金属配線の広さ及び密度に拘らず、一定に従来の層間絶縁膜より低く保持できるようにするものである。
【0028】
また、ビアコンタクトホールを形成するためのプラズマドライエッチング工程で低誘電率絶縁膜の厚さが一定してエッチング条件の設定に有利であり、低誘電率絶縁膜のエッチング条件にビアコンタクトホールの側壁に絶縁膜スペーサを形成する条件を適用してボーイング現象が乗生じることを防止することでタングステンコンタクトプラグの形成を容易にする。
即ち、低誘電率絶縁膜と酸化膜とに形成される層間絶縁膜を大部分低誘電率絶縁膜に形成しその表面に酸化膜を形成した後、これをビアコンタクトエッチングしてボーイング現象が起こらないようにすることで後続工程に安定されたビアコンタクト工程を行うようにするものである。
【0029】
以下、添付の図面を参照して本発明を更に詳細に説明する。
【0030】
図5ないし図8は本発明の実施態様による半導体素子の多層金属配線形成方法の断面図である。
図5を参照すると半導体基板31上部に下部金属配線33を形成する。このとき前記下部金属配線33はアルミニウム合金に形成され、その上部及び下部にはTiまたはTi/TiNの積層構造が形成されるものである。
ここで、参照符号300は下部金属配線の面積変化領域を示し、参照符号400は下部金属配線の密度変化領域を示す。即ち、下部金属配線の面積変化300は左側には面積の大きい金属配線(第1下部金属配線)が形成されており、その右側には面積の小さい金属配線(第2下部金属配線)が形成されており、下部金属配線の密度変化領域400は左側には金属配線(第3下部金属配線)の密度が高く、その右側には左側に比べて密度が相対的に低い金属配線(第4下部金属配線)が形成されている。
【0031】
その次に、前記下部金属配線33を塗布する第1低誘電率絶縁膜35を形成する。この時前記1低誘電率絶縁膜35は誘電常数が約3の物質を回転塗布方法で4000〜6000Å厚さで形成する。
この時、前記第1低誘電率絶縁膜35は金属と金属間の埋め立て性、即ち、段差被覆性は優れるが第1低誘電率絶縁膜が有している粘着性によって金属配線上に同一な厚さで塗布されず金属配線の広さと密度によって他の厚さで塗布される。
【0032】
一般に金属配線の面積が大きい場合には小さい場合に比べて厚く塗布され、金属配線の密度が高い箇所が低い箇所に比べて厚く塗布される。
その後、前記第1低誘電率絶縁膜35の上部にPECVD方法を用いて第1酸化膜37を蒸着する。
このとき前記第1酸化膜は誘電常数が約4の物質を用いて従来より薄く5000〜7000Å厚さで形成する。
その後、前記第1酸化膜37をCMPさせて第1低誘電率絶縁膜35と第1酸化膜37の積層構造に形成された層間絶縁膜を形成する。
この時前記第1酸化膜37は従来技術における層間絶縁膜17、15に備えられる酸化膜17より薄く形成する。
【0033】
図6を参照するとCFガスを用いて第1低誘電率絶縁膜と第1酸化膜37の選択比が2:1以上になる条件でエッチバックして前記第1酸化膜37を除去すると共に前記下部金属配線33の広さとパターン密度による第1低誘電率絶縁膜35の厚さを500〜1000Åで最小化する。
この時エッチバック工程は、1×1010ion/cm3の低いイオン密度で1000〜1500mTorrの圧力、800〜1200ワットの電力、CHF340〜60sccm、CF4100〜150sccm、Ar1000〜1500sccmのガスフローを有する条件で行う。
【0034】
その後、クリーニング工程で前記エッチバック工程時生じるポリマーを除去する。
又、全体表面上部に第2低誘電率絶縁膜39を回転塗布方法で6000〜7000Å厚さで形成して平坦化させる。
この第2低誘電率絶縁膜39の上部に第2酸化膜を500〜1000Å厚さで形成する。
【0035】
図7を参照すると、前記層間絶縁膜35,39,41上部に感光膜パターン43を形成する。
このとき、前記感光膜パターン43はコンタクトマスクを用いた露光及び現像工程で形成したものである。
図8を参照すると、前記感光膜パターン43をマスクにして前記層間絶縁膜41,39,35をエッチングして前記下部金属配線33を露出させるビアコンタクトホール45を形成する。
このとき、前記層間絶縁膜のエッチング工程はプラズマを用いて前記第2酸化膜41をエッチングする工程と低誘電率絶縁膜39、35をエッチングする工程に行う。
【0036】
前記第2酸化膜41のエッチング工程はCFガスとHが含まれたガスを用いてプラズマエッチングすることで前記第2低誘電率絶縁膜39を露出し、酸素流量を調節してビアコンタクトホール側壁保護膜を保持できるようにする。このとき、前記CFガスは多量のポリマーを発生する役割をし、前記Hを含むガスはプラズマによって発生された自由フッ素を除去するHを提供する役割を果たす。また、前記第2酸化膜41エッチング工程は1×1010ion/cm3の低いイオン密度で30〜50mTorrの圧力、1800〜2200ワットのソース電力、1300〜1600ワットのバイアス電力、CHF320〜30sccm、CF450〜80sccm、Ar400〜600sccmのO210〜15のガスフローを有する条件で行う。
【0037】
前記低誘電率絶縁膜39、35のエッチング工程は30〜50mTorrの圧力、1800〜2200ワットのソース電力、1500〜1700ワットのバイアス電力、C5F815〜25sccm、CH2F25〜10sccm、Ar400〜600sccmのO210〜15のガスフローを有する条件で行う。
その後、前記ビアコンタクトホール45を含む全体表面上部に接着膜/拡散防止膜のTi/TiN膜47をPECVD方法で形成する。
また、前記ビアコンタクトホール45を埋め立てるタングステン層49を全体表面上部に形成する。
後続工程で前記タングステン層49を平坦化エッチングしてコンタクトプラグ(図示せず)を形成しこれに接続される上部金属配線(図示せず)を形成する。
【0038】
以上本発明の好適な一実施形態に対して説明したが、前記実施形態のものに
限定されるわけではなく、本発明の技術思想に基づいて種々の変形又は変更が可能である。
【0039】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体素子の多層金属配線形成方法によると、次のような効果がある。
【0040】
即ち、下部金属配線上部に形成される層間絶縁膜の形成工程時平坦化された低誘電率絶縁膜を形成し、その上部に薄酸化膜を形成した後、ビアコンタクトエッチング工程を行ってボーイング現像を起こらず、ビアコンタクトホールを形成Sることで素子の特性劣化無しに半導体素子の特性及び信頼性を向上させる共に、半導体素子の高集積化を可能にする効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来技術の実施態様による半導体素子の多層金属配線形成方法を示す断面図である。
【図2】 従来技術の実施態様による半導体素子の多層金属配線形成方法を示す断面図である。
【図3】 従来技術の実施態様による半導体素子の多層金属配線形成方法を示す断面図である。
【図4】 従来技術の実施態様による半導体素子の多層金属配線形成方法を示す断面図である。
【図5】 本発明の実施態様による半導体素子の多層金属配線形成方法を示す工程断面図である。
【図6】 本発明の実施態様による半導体素子の多層金属配線形成方法を示す工程断面図である。
【図7】 本発明の実施態様による半導体素子の多層金属配線形成方法を示す工程断面図である。
【図8】 本発明の実施態様による半導体素子の多層金属配線形成方法を示す工程断面図である。
【符号の説明】
11、31 半導体基板
13、33 下部金属配線
15 低誘電率絶縁膜
17 酸化膜
19、43 感光膜パターン
21、45 ビアコンタクトホール
23、47 Ti/TiN膜
25、49 タングステン層
35 第1低誘電率絶縁膜
37 第1酸化膜
39 第2低誘電率絶縁膜
41 第2酸化膜
100、300 下部金属配線の面積変化領域
200、400 下部金属配線の密度変化領域
@ ボーイング
Claims (13)
- 面積が相対的に大きい第1下部金属配線と面積が相対的に小さい第2下部金属配線とを有する面積変化領域、及び/又は、配線密度が相対的に高い領域の第3下部金属配線と配線密度が相対的に低い領域の第4下部金属配線とを有する密度変化領域を備える半導体基板上部に第1低誘電率絶縁膜を形成しその上部に第1酸化膜を形成する工程と、
前記第1酸化膜を平坦化し前記第1酸化膜及び第1低誘電率絶縁膜をエッチバックして前記下部金属配線上に第1低誘電率絶縁膜を所定厚さに残す工程と、
全体表面上部に平坦化された第2低誘電率絶縁膜を形成する工程と、
前記第2低誘電率絶縁膜上部に第2酸化膜を形成する工程と、
ビアコンタクトマスクを用いたフォトエッチング工程によって、前記第2酸化膜をエッチングし前記第1、2低誘電率絶縁膜をエッチングして、下部金属配線に対してそれぞれ同時期にビアコンタクトホールを形成する工程と、
前記ビアコンタクトホールを含む全体表面上部に接着膜/拡散防止膜を形成する工程と、
前記ビアコンタクトホールを埋め立てるコンタクトプラグを形成しこれに接続される上部金属配線を形成する工程を含むことを特徴とする半導体素子の多層金属配線形成方法。 - 前記低誘電率絶縁膜は4000〜6000Å厚さを回転塗布方法で形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の多層金属配線形成方法。
- 前記第1酸化膜はPECVD方法を用いて5000〜7000Å厚さに形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の多層金属配線形成方法。
- 前記第1酸化膜の平坦化工程はCMP工程に行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の多層金属配線形成方法。
- 前記エッチバック工程はCFガスを用いて行い、前記第1低誘電率絶縁膜を500〜1000Å厚さほど残すことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の多層金属配線形成方法。
- 前記エッチバック工程は1×1010ion/cm3の低いイオン密度で1000〜1500mTorrの圧力、800〜1200ワットの電力、CHF340〜60sccm、CF4100〜150sccm、Ar1000〜1500sccmのガスフローを有する条件で行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の多層金属配線形成方法。
- 前記エッチバック工程後クリーニング工程を行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の多層金属配線形成方法。
- 前記第2低誘電率絶縁膜は回転塗布方法で6000〜7000Å厚さで形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の多層金属配線形成方法。
- 前記第2酸化膜は500〜1000Å厚さで形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の多層金属配線形成方法。
- 前記第2酸化膜のエッチング工程はCFガスとHが含まれたガスを用いてプラズマエッチングすることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の多層金属配線形成方法。
- 前記第2酸化膜のエッチング工程は1×1010ion/cm3の中間イオン密度で30〜50mTorrの圧力、1800〜2200ワットのソース電力、1300〜1600ワットのバイアス電力、CHF320〜30sccm、CHF450〜80sccm、Ar400〜600sccm、O210〜15sccmのガスフローを有する条件で行うことを特徴とする請求項10に記載の半導体素子の多層金属配線形成方法。
- 前記第1、2低誘電率絶縁膜エッチング工程は、30〜50mTorrの圧力、1800〜2200ワットのソース電力、1500〜1700ワットバイアス電力、C5F815〜25sccm、CH2F25〜10sccm、Ar400―600sccm、O210−15sccmのガスフロー有する条件に行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の多層金属配線形成方法。
- 前記接着膜/拡散防止膜はTi/TiN膜をPECVD方法に形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の多層金属配線形成方法。
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