JP2004128050A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】Ｃｕ配線の形状劣化を防止できる多層Ｃｕ配線を実現すること。
【解決手段】Ｃｕ配線４上に、ＳｉＣＮＨ膜（拡散防止用絶縁膜）５、ＳｉＣＨ膜（エッチングストッパ膜）６を介して、ＳｉＣＯＨ膜（層間絶縁膜）７を設け、これらの絶縁膜５〜７内にＣｕデュアルダマシン配線１５を形成する。
【選択図】　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属配線上の絶縁膜の改良を図った半導体装置およびその製造方法に係わり関する。
【０００２】
【従来の技術】
図６は、従来の多層Ｃｕ配線を示す断面図である。図中、８１は第１の層間絶縁膜、８２はバリアメタル膜、８３は第１のＣｕ配線、８４はＣｕの拡散を防止するための拡散防止用絶縁膜（例えばＳｉＣＮＨ膜）、８５は第２の層間絶縁膜（例えばＴＥＯＳ膜）、８６はバリアメタル膜、８７は第２のＣｕ配線を示している。
【０００３】
この種の多層Ｃｕ配線のプロセスは、図７に示すように、レジストパターン８８をマスクにして第２の層間絶縁膜８５をＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）プロセスによりエッチングし、拡散防止用絶縁膜８４に達する貫通口８９を第２の層間絶縁膜８５に形成する工程を含む。
【０００４】
このとき、従来の技術では、拡散防止用絶縁膜８４と第２の層間絶縁膜８５との間のエッチング選択比を十分に確保できないことと、貫通口８９のアスペクト比が高くて貫通口８９内のエッチング速度を均一に制御することが困難であることから、図８に示すように、拡散防止用絶縁膜８４の一部分がエッチングされ、拡散防止用絶縁膜８４の膜厚は一部分で薄くなる。すなわち、貫通口８９の底面において、拡散防止用絶縁膜８４の膜厚にばらつきが生じる。
【０００５】
このため、貫通口８９の底面下の拡散防止用絶縁膜８４をエッチングにより除去し、第１のＣｕ配線８３の表面を露出させる工程において、拡散防止用絶縁膜８４の膜厚が薄い箇所下の第１のＣｕ配線８３は、過剰にエッチングされる。その結果、第１のＣｕ配線８２の形状劣化という問題が生じる。さらに、エッチングガスによりＣｕ配線にコロージョンが生じ、配線信頼性の低下という問題も生じる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述の如く、従来の多層Ｃｕ配線のプロセスにおいては、拡散防止用絶縁膜とその上の層間絶縁膜との間のエッチング選択比を十分に確保できないために、拡散防止用絶縁膜下のＣｕ配線の形状が劣化するという問題がある。
【０００７】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、金属配線の形状劣化を防止できる多層金属配線を含む半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
【０００９】
すなわち、上記目的を達成するために、本発明に係る半導体装置は、半導体基板上に設けられた金属配線層と、前記金属配線層上に設けられた第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に設けられた第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜上に設けられ、前記第１の絶縁膜に対するエッチング選択比よりも前記第２の絶縁膜に対するエッチング選択比を高くできる第３の絶縁膜とを具備してなることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に金属配線層を形成する工程と、前記金属配線層上に第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜上に、前記第１の絶縁膜に対するエッチング選択比よりも前記第２の絶縁膜に対するエッチング選択比を高くできる第３の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜をエッチングストッパ膜に用いて、前記第３の絶縁膜をエッチングし、該第３の絶縁膜中に貫通口を形成する工程と、前記貫通口下の前記第１および第２の絶縁膜をエッチングし、前記第１、第２および第３の絶縁膜中に、前記金属配線層に達する接続孔を形成する工程と、前記接続孔内に導電膜を形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１１】
さらに本発明においては、より具体的には、以下のように構成することができる。
【００１２】
（１）金属配線層中の金属はＣｕである。
【００１３】
（２）第１の絶縁膜中のＳｉ、Ｃ、ＮおよびＨの成分比は、Ｓｉ：Ｃ：Ｎ：Ｈ＝２：２：１：５であり、第２の絶縁膜中のＳｉ、ＣおよびＨの成分比は、Ｓｉ：Ｃ：Ｈ＝５：６：９である。
【００１４】
（３）第３の絶縁膜は、誘電率が３．５以下の低誘電率絶縁膜である。
【００１５】
（４）第３の絶縁膜中のＳｉ、Ｃ、ＯおよびＨの成分比は、Ｓｉ：Ｃ：Ｏ：Ｈ＝３：３：６：８である。
【００１６】
（５）導電膜はＣｕ膜を含む。
【００１７】
（６）第３および第４の絶縁膜は、互いに組成が異なる誘電率が５．５以下の低誘電率絶縁膜である。
【００１８】
従来は、層間絶縁膜下のＣｕ配線層上の絶縁膜は単層であったため、該単層の絶縁膜に拡散防止膜としての役割とエッチングストッパ膜としての役割を同時に担わせることは困難であった。
【００１９】
これに対して本発明によれば、層間絶縁膜（第３の絶縁膜）下の金属配線層上の絶縁膜を、多層の絶縁膜（第１、第２の絶縁膜）とすることにより、拡散防止膜としての絶縁膜とエッチングストッパ膜としての絶縁膜をそれぞれ別の層の絶縁膜に担わせることができる。すなわち、第１の絶縁膜を拡散防止膜として使用し、第２の絶縁膜をエッチングストッパ膜として使用する。
【００２０】
これにより、第３の絶縁膜をエッチングして該第３の絶縁膜に貫通口を形成する工程において、前記貫通口の底面に露出する第２の絶縁膜の表面の一部がエッチングされることを防止できる。すなわち、下層の金属配線層の形状劣化、信頼性低下の原因となる、層間絶縁膜（第３の絶縁膜）下の絶縁膜の膜厚ばらつきを防止できるようになる。
【００２１】
本発明の上記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記載および添付図面によって明らかになるであろう。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。
【００２３】
図１および図２は、本発明の一実施形態に係る多層Ｃｕ配線の形成工程を示す断面図である。
【００２４】
図１（ａ）は、素子が集積形成されたシリコン基板１上に層間絶縁膜２が堆積され、さらに層間絶縁膜２内にＴａ膜（バリアメタル膜）３、Ｃｕ配線４がダマシンプロセスにより形成された段階、すなわち第１のＣｕ配線層までが形成された工程の断面図を示している。ここまでは、周知の多層Ｃｕ配線のプロセスと同じである。
【００２５】
なお、図１および図２では、Ｃｕ配線４は、いわゆるシングルダマシン配線になっているが、デュアルダマシン配線でも構わない。また、Ｃｕ配線４は、シリコン基板１上の第１層目のＣｕ配線であるが、２層目以降のＣｕ配線であっても構わない。
【００２６】
次に、図１（ｂ）に示すように、第１のＣｕ配線層上に、平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用いてＣｕの拡散防止用絶縁膜（第１の絶縁膜）としてのＳｉＣＮＨ膜５を３０ｎｍ堆積する。ＳｉＣＮＨ膜５は、Ｓｉ、Ｃ、Ｎ、Ｈを主成分とし、それらの成分比は、Ｓｉ：Ｃ：Ｎ：Ｈ＝２：２：１：５である。また、ＳｉＣＮＨ膜５の誘電率は５である。
【００２７】
ＳｉＣＮＨ膜５の代表的な成膜条件は、例えば、成膜温度：３５０℃、ガス：トリメチルシランＳｉＨ（ＣＨ_３）_３／ＮＨ_３／Ｈｅ＝１００／２００／３００ｓｃｃｍ、圧力：４Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー：３００Ｗである。
【００２８】
次に、同図（ｂ）に示すように、ＳｉＣＮＨ膜５上に、平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用いてエッチングストッパ膜としてのＳｉＣＨ膜６（第２の絶縁膜）を２０ｎｍ堆積する。ＳｉＣＨ膜６は、Ｓｉ、Ｃ、Ｈを主成分とし，それらの成分比は、Ｓｉ：Ｃ：Ｈ＝５：６：９である。また、ＳｉＣＨ膜６の誘電率は４．５である。
【００２９】
このＳｉＣＨ膜６の代表的な成膜条件は、例えば、成膜温度：３５０℃、ガス：トリメチルシランＳｉＨ（ＣＨ_３）_３／Ｈｅ＝２００／４００ｓｃｃｍ、圧力４：Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー：３００Ｗである。
【００３０】
なお、ＳｉＣＨ膜６は、エッチングストッパ膜としての役割の他に、以下のような役割も備えている。すなわち、ＳｉＣＨ膜６を形成した後の熱処理、例えばレジスト形成時の熱処理によって、下地のＳｉＣＮＨ膜５中の窒素がＳｉＣＮＨ膜５の外に蒸発することを防止する役割も持っている。これにより、窒素の蒸発に起因する問題、例えばレジストポイズニングを防止できるようになる。
【００３１】
次に、同図（ｂ）に示すように、ＳｉＣＨ膜６上に、平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用いて層間絶縁膜（第３の絶縁膜）としてのＳｉＣＯＨ膜７を５００ｎｍ堆積する。ＳｉＣＯＨ膜７は、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、Ｈを主成分とし、それらの成分比は、Ｓｉ：Ｃ：Ｏ：Ｈ＝３：３：６：８である。また、ＳｉＣＯＨ膜７の誘電率は、３．０である。
【００３２】
このＳｉＣＯＨ膜７の代表的な成膜条件は、例えば、成膜温度：３５０℃、トリメチルシランＳｉＨ（ＣＨ_３）_３／Ｈｅ／酸素＝６００／１００／２００ｓｃｃｍ、圧力：４Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー：４００Ｗである。
【００３３】
次に、図１（ｃ）に示すように、ＳｉＣＯＨ膜７上に、ビアホールパターンを含むレジストパターン８をフォトリソグラフィ技術により形成し、その後、レジストパターン８をマスクにしてＳｉＣＯＨ膜７をＲＩＥプロセスによりエッチングし、ＳｉＣＯＨ膜７にビアホールパターンに対応した貫通口９を形成する。
【００３４】
このＳｉＣＯＨ膜７の代表的なエッチング条件は、ガス流量比：Ｃ_５Ｆ_８／Ａｒ／Ｎ_２＝１０／５００／１００ｓｃｃｍ、圧力：１００ｍＴ、ＲＦパワー：５００Ｗである。
【００３５】
このとき、ＳｉＣＯＨ膜７に対するＳｉＣＨ膜６のエッチング選択比（ＳｉＣＨ／ＳｉＣＯＨ）は、ＳｉＣＯＨ膜７に対するＳｉＣＮＨ膜５のエッチング選択比（ＳｉＣＮＨ／ＳｉＣＯＨ）よりも大きい。具体的には、エッチング選択比（ＳｉＣＮＨ／ＳｉＣＯＨ）が１０であるに対し、エッチング選択比（ＳｉＣＨ／ＳｉＣＯＨ）は１５である。
【００３６】
その結果、ＳｉＣＯＨ膜７のエッチングはＳｉＣＨ膜６で停止するとともに、貫通口９の底面に露出するＳｉＣＨ膜６の表面の一部がエッチングされること、すなわちＣｕ配線４の形状劣化、信頼性劣化の原因となる、ＳｉＣＨ膜６の膜厚ばらつきは抑制される。すなわち、本実施形態によれば、ＳｉＣＨ膜６の膜厚ばらつきを招くことなく、高アスペクト比で良好な形状な貫通口９をＳｉＣＯＨ膜７に形成することができるようになる。
【００３７】
その後、レジストパターン８と、ＳｉＣＯＨ膜７のエッチング時に生じた残渣とをドライエッチング（アッシング）とウェットエッチングとで剥離する。このとき、ＳｉＣＯＨ膜７下のＣｕ配線４は、ＳｉＣＮＨ膜５およびＳｉＣＨ膜６で覆われているので、Ｃｕ配線４の清浄度は確保される。
【００３８】
次に、図１（ｄ）に示すように、貫通口９内をレジスト１０で充填し、さらにＳｉＣＯＨ膜７上に配線溝パターンを含むレジストパターン１１をフォトリソグラフィ技術により形成する。
【００３９】
次に、図２（ｅ）に示すように、レジスト１０，レジストパターン１１をマスクにしてＳｉＣＯＨ膜７をＲＩＥプロセスによりエッチングし、ＳｉＣＯＨ膜７の表面に配線溝１２を形成する。
【００４０】
このときのＳｉＣＯＨ膜７の代表的なエッチング条件は、ガス：Ｃ_５Ｆ_８／Ａｒ／Ｎ_２＝５／１０００／１００ｓｃｃｍ、圧力：１００ｍＴ、ＲＦパワー：１５００Ｗである。
【００４１】
次に、レジスト１０，レジストパターン１１をアッシングにより剥離し、その後、図２（ｆ）に示すように、ＳｉＣＨ膜６のエッチングに対して最適なエッチング条件に変更し、貫通口９下のＳｉＣＨ膜６、ＳｉＣＮＨ膜５を除去し、Ｃｕ配線４に達するビアホール１３を形成する。
【００４２】
上記最適なエッチング条件は、例えば、ガス：ＣＨ_２Ｆ_２／ＣＦ_４／Ａｒ／Ｏ_２＝１０／１０／２００／２０ｓｃｃｍ、圧力：１００ｍＴ、ＲＦパワー：１５００Ｗである。
【００４３】
次に、図２（ｇ）に示すように、スパッタリング法を用いて、配線溝１２およびビアホール１３の内壁を覆うようにバリアメタル膜としてのＴａ膜１４を１０ｎｍを全面に堆積し、続いて、スパッタリング法を用いて、Ｔａ膜１４上にＣｕメッキのシード層としてＣｕ膜（不図示）を４０ｎｍ堆積し、その後、メッキ法を用いて、ビアホール１３内を埋め込むように、Ｃｕデュアルダマシン配線（Ｃｕ配線およびＣｕビアプラグ）となるＣｕ膜１５を全面に形成する。
【００４４】
次に、Ｃｕ膜１５（シード層としてのＣｕ膜を含む。）に対して３００℃程度の熱処理を行う。この熱処理により、Ｃｕ膜１５の体積が収縮して緻密化され、Ｃｕ膜１５の配線としての信頼性が高まる。
【００４５】
次に、図２（ｈ）に示すように、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）プロセスにより、配線溝１２の外部の不要なＣｕ膜１５およびＴａ膜１４を除去するとともに、表面を平坦化することにより、Ｃｕデュアルダマシン配線１５、Ｔａ膜１４を含む第２のＣｕ配線層が完成する
なお、ＳｉＣＨ膜（エッチングストッパ膜）６は、ＳｉＣＮＨ膜（拡散防止用絶縁膜）５に比べて、一般に、絶縁特性が劣るが、以下に説明するように、実用上問題はない。
【００４６】
図３の平面図に示すように、ビアホール１３の径は０．１μｍ程度と小さいので、隣り合う二つのビアホール１３内に埋め込まれたＣｕビアプラグの対向面積は小さい。ＳｉＣＨ膜６は、このような対向面積が小さいＣｕビアプラグ間に設けられている。ＳｉＣＨ膜６の絶縁性が劣っていても、隣り合う二つのＣｕビアプラグの絶縁性は確保される。したがって、リーク電流等の影響は十分小さくなり、実用上問題はない。
【００４７】
しかも、本実施形態では、ＳｉＣＨ膜６の下にはそれよりも誘電率が高いＳｉＣＮＨ膜５が存在し、さらに、誘電率が高いＳｉＣＨ膜５の膜厚を厚くする一方で、誘電率が低いＳｉＣＮＨ膜５の膜厚を薄くしているので、ＳｉＣＨ膜の絶縁特性に起因する問題を十分に解決することが可能となる。
【００４８】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、図２（ｈ）のＣＭＰプロセス時のＳｉＣＯＨ膜７のダメージを防止するために、ＳｉＣＯＨ膜７上にそれよりも研磨レートが遅い研磨防止用絶縁膜（第４の絶縁膜）、例えばＴＥＯＳ膜等のＳｉＯ_２系絶縁膜１６を図４（ａ）に示すようにＳｉＣＯＨ膜７上に形成し、次に、図４（ｂ）に示すようにレジストパターン１１をマスクにしてＳｉＯ_２系絶縁膜１６、ＳｉＣＯＨ膜７をＲＩＥプロセスによりエッチングし、ＳｉＯ_２系絶縁膜１６、ＳｉＣＯＨ膜７にビアホールパターンに対応した貫通口９を形成し、その後、図１（ｄ）以降の工程を行っても構わない。
【００４９】
また、上記実施形態では、ＳｉＣＮＨ膜（拡散防止用絶縁膜）５、ＳｉＣＨ膜（エッチングストッパ膜）６、ＳｉＣＯＨ膜（層間絶縁膜）７をプラズマＣＶＤ法により形成したが、他の成膜方法、例えば塗布法により形成することもでき、同様な効果を得ることができる。
【００５０】
また、上記実施形態では、ビアホール先作りのデュアルダマシンプロセスの場合について説明したが、本発明は配線溝先作りのデュアルダマシンプロセスにも同様に適用できる。この場合の多層Ｃｕ配線の形成工程を示す断面程図を図５に示す。なお、図１および図２と対応する部分には図１および図２と同一符号を付してある。
【００５１】
また、上記実施形態では、ＳｉＣＯＨ膜（層間絶縁膜）７の下を、ＳｉＣＨ膜６とＳｉＣＮ膜５との２層の積層絶縁膜としたが、３層以上の積層絶縁膜にしても構わない。すなわち、一つの絶縁膜に、拡散防止、エッチングストッパおよびその他の役割を持たせるのではなく、役割毎に異なる絶縁膜を積層したものを用いる。
【００５２】
３層の積層絶縁膜の例としては、ＳｉＣＨ膜６上に、ＳｉＣＯＨ膜（層間絶縁膜）７との密着性の向上を目的とする絶縁膜を形成することがあげられる。この絶縁膜は、ＳｉＣＯＨ膜（層間絶縁膜）７をＣＶＤ法以外の成膜法で形成する場合、例えば塗布法で形成する場合において有効である。
【００５３】
何故なら、塗布法で形成したＳｉＣＯＨ膜７とＳｉＣＨ膜６との密着性は、一般に、低いからである。ＳｉＣＯＨ膜７以外の絶縁膜を層間絶縁膜として用いた場合もである。このような密着性を改善するための絶縁膜としては、例えば塗布有機膜や塗布有機Ｓｉ膜があげられる。
【００５４】
また、金属配線、拡散防止用絶縁膜、エッチングストッパ膜、層間絶縁膜は、上記実施形態で例示したものに限定されるものではない。
【００５５】
さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題を解決できる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【００５６】
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
【００５７】
【発明の効果】
以上詳説したように本発明によれば、金属配線の形状劣化を防止できる多層金属配線を含む半導体装置およびその製造方法を実現できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る多層Ｃｕ配線の形成工程を示す断面図
【図２】図１に続く同る多層Ｃｕ配線の形成工程を示す断面図
【図３】ＳｉＣＨ膜の絶縁特性が低くても実用上問題が無い理由を説明するための平面図
【図４】図１の多層Ｃｕ配線の形成工程の変形例を示す断面図
【図５】図１の多層Ｃｕ配線の形成工程の他の変形例を示す断面図
【図６】従来の多層Ｃｕ配線を示す断面図
【図７】従来の多層Ｃｕ配線の形成方法を説明するための断面図
【図８】従来の多層Ｃｕ配線の形成方法の問題点を説明するための断面図
【符号の説明】
１…シリコン基板
２…層間絶縁膜
３…Ｔａ膜（バリアメタル膜）
４…Ｃｕ配線
５…ＳｉＣＮＨ膜（第１の絶縁膜）
６…ＳｉＣＨ膜（第２の絶縁膜）
７…ＳｉＣＯＨ膜（第３の絶縁膜）
８…レジストパターン
９…貫通口
１０…レジスト
１１…レジストパターン
１２…配線溝
１３…ビアホール
１４…Ｔａ膜（バリアメタル膜）
１５…Ｃｕ膜（Ｃｕデュアルダマシン配線）
１６…ＳｉＯ_２系絶縁膜（第４の絶縁膜）

Claims (16)

1. 半導体基板上に設けられた金属配線層と、
   前記金属配線層上に設けられた第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上に設けられた第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上に設けられ、前記第１の絶縁膜に対するエッチング選択比よりも前記第２の絶縁膜に対するエッチング選択比を高くできる第３の絶縁膜と
   を具備してなることを特徴とする半導体装置。
2. 前記第１の絶縁膜は、前記金属配線層中の金属の拡散を防止するための絶縁膜であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記第１の絶縁膜はＳｉ、Ｃ、ＮおよびＨを含み、前記第２の絶縁膜はＳｉ、ＣおよびＨを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
4. 前記第２の絶縁膜はＮを含まないことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
5. 前記第２の絶縁膜は前記第１の絶縁膜よりも薄いことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の半導体装置。
6. 前記第３の絶縁膜は、Ｓｉ、Ｃ、ＯおよびＨを含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の半導体装置。
7. 前記第３の絶縁膜は配線溝を有し、前記第１、第２および第３の絶縁膜は前記配線溝と前記金属配線層とを接続するための接続孔を有し、該接続孔および前記配線溝内には前記金属配線層とは別の金属配線層を構成する導電膜が設けられていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の半導体装置。
8. 前記第３の絶縁膜上に設けられた第４の絶縁膜をさらに具備してなることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の半導体装置。
9. 前記第４の絶縁膜は、前記第３の絶縁膜よりも低い研磨レートで研磨できる絶縁膜であることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
10. 半導体基板上に金属配線層を形成する工程と、
    前記金属配線層上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
    前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する工程と、
    前記第２の絶縁膜上に、前記第１の絶縁膜に対するエッチング選択比よりも前記第２の絶縁膜に対するエッチング選択比を高くできる第３の絶縁膜を形成する工程と、
    前記第２の絶縁膜をエッチングストッパ膜に用いて、前記第３の絶縁膜をエッチングし、該第３の絶縁膜中に貫通口を形成する工程と、
    前記貫通口下の前記第１および第２の絶縁膜をエッチングし、前記第１、第２および第３の絶縁膜中に、前記金属配線層に達する接続孔を形成する工程と、
    前記接続孔内に導電膜を形成する工程と
    を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
11. 前記第１の絶縁膜は、前記金属配線層中の金属の拡散を防止するための絶縁膜であることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
12. 前記第１の絶縁膜はＳｉ、Ｃ、ＮおよびＨを含み、前記第２の絶縁膜はＳｉ、ＣおよびＨを含むことを特徴とする請求項１０または１１に記載の半導体装置の製造方法。
13. 前記第２の絶縁膜はＮを含まず、かつ該第２の絶縁膜を形成した後に熱処理を行う工程をさらに有することを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
14. 前記第３の絶縁膜は、Ｓｉ、Ｃ、ＯおよびＨを含むことを特徴とする請求項１０ないし１３のいずれか１項に記載の半導体装置。
15. 前記貫通口を形成する工程において、前記第３の絶縁膜のエッチングを、Ｃ_５Ｆ_８を含むガスを用いたドライエッチングにより行い、
    前記接続孔を形成する工程において、前記第１および第２の絶縁膜のエッチングを、ＣＨ_２Ｆ_２とＣＦ_４とＯ_２を含むガスを用いたドライエッチングにより行うことを特徴とする請求項１２ないし１４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
16. 前記第３の絶縁膜の表面に前記接続孔に繋がる配線溝を形成する工程をさらに有し、前記接続孔内に前記導電膜を形成する工程において、前記配線溝内にも前記導電膜を形成することを特徴とする請求項１０ないし１５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。

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