JP4282775B2 - 不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は不揮発性メモリ素子及びその製造方法に係り、特に集積度を向上させる不揮発性メモリ素子及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
フラッシュメモリ(flesh memory)のような不揮発性メモリにおいて、一般にソ−ス/ドレイン及び浮遊ゲ−トと制御ゲ−トを有するゲ−ト電極より構成される一つのトランジスタは一つのメモリセルトランジスタを構成する。ここで、浮遊ゲ−トはデ−タを貯蔵する役割を行い、制御ゲ−トはその浮遊ゲ−トを制御する役割を果たす。
【0003】
このようなフラッシュメモリに対する技術は、R.Shirotaなどにより1990年 IEDMの103ペ−ジ〜106ペ−ジに記載された“ A 2.5 μm2 Memory Cell Structure for 16Mb NAND EEPROMs ”に詳細に開示されている。
セルトランジスタの動作は、浮遊ゲ−トからソ−ス、ドレイン及びバルク(チャンネル)に電子を引き出してセルのスレショルド電圧を低下させる消去動作、ソ−ス電位より高いゲ−ト電位とドレイン電位を用いてチャンネルホット電子を浮遊ゲ−トに注射させることによりセルのスレショルド電圧を増やすプログラム動作及びセルの消去状態とプログラム状態を読む読み取り動作よりなる。
【0004】
図1は従来の方法により製造された不揮発性メモリ素子を示した断面図である。
図1を参照すれば、不揮発性メモリの単位セルトランジスタは、半導体基板1に形成されたソ−ス11及びドレイン12、この間の半導体基板上に形成されて浮遊ゲ−ト5と制御ゲ−ト9よりなるゲ−ト電極、ソ−ス11上に形成された共通ソ−ス線15、ドレイン12上に形成されたパッド層16及び埋め込まれたタングステン19を通してパッド層16と連結されたビットライン21より構成されている。
【0005】
この際、前記ソ−ス11及びドレイン12は第1方向に隣接するセルトランジスタと共有されており、前記浮遊ゲ−ト5は各セルトランジスタに限定されており、前記制御ゲ−ト9は第2方向に隣接するセルトランジスタと共有されており、前記共通ソ−ス線15は第2方向に隣接するセルトランジスタのソ−スと共有されており、前記パッド層16は各セルトランジスタに限定されており、前記ビットライン21は第1方向に隣接するセルトランジスタのドレインと共有されている。共通ソ−ス線15とパッド層16は自己整合接触(self-align contact; SAC)技法を用いて形成されており、ビットライン21とドレイン12を連結するコンタクトホ−ル23はタングステン19により埋め込まれている。
【0006】
前記従来の方法により製造された不揮発性メモリ素子は、自己整合接触技法を用いて共通ソ−ス線15とパッド層16を形成することによりメモリセルの集積度の向上を図るが、第一、共通ソ−ス線15とパッド層16は同一な写真食刻で形成されるので、この間隔はデザインル−ルにより限定される。即ち、メモリ素子の集積度を向上させるためには単位セルトランジスタ間の間隔及び要素間の間隔を出来るかぎり縮めるべきであるが、同一な写真食刻工程で形成される共通ソ−ス線15とパッド層16との間隔を縮めるには制限がある。
【0007】
第二、パッド層16上にビットライン21とドレイン12を接続させるためのコンタクトホ−ル23を形成するとき、形成されるべきコンタクトホ−ルが深いので(図1参照)、コンタクトホ−ル23が完全に開放されない場合が生じうる。これは接続失敗を誘発してメモリ素子の誤動作をもたらす。
第三、タングステンにてコンタクトホ−ル23を埋め込むために、タングステンを過度に蒸着するので、パチクルの発生による良好な収率が得にくく、埋め込まれたタングステン19によりセルトランジスタに印加される物理的なストレスによるセルトランジスタの特性低下の恐れがある。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は前記従来の問題点を解決する不揮発性メモリ素子を提供するにある。
本発明の他の目的は前記不揮発性メモリ素子の製造において好適な製造方法を提供するにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために本発明による不揮発性メモリ素子は、第1方向に隣接するセルトランジスタと共有するソ−ス及びドレイン、各セルトランジスタに限定される浮遊ゲ−ト及び第2方向に隣接するセルトランジスタと共有する制御ゲ−トより構成されるセルトランジスタと、第2方向に隣接するセルトランジスタのソ−スが互いに連結されるように、前記第2方向に長棒状で形成された第1埋没導電層と、各セルトランジスタのドレインとそれぞれ接続されている第2埋没導電層と、前記第1埋没導電層上に、前記第1埋没導電層と接続されるように第2方向に長棒状で形成された共通ソ−ス線と、前記第2埋没導電層上に、各セルトランジスタに限定されるように形成されたパッド層と、コンタクトホ−ルを通して前記パット層と連結されるビットラインとを含むことを特徴とする。
【0010】
本発明による不揮発性メモリ素子において、前記第1及び第2埋没導電層は不純物のド−プされた多結晶シリコンで形成し、前記共通ソ−ス線とパッド層はシリサイドで形成することが望ましい。この際、前記シリサイドはタングステンシリサイドであることが望ましい。
本発明による不揮発性メモリ素子において、前記ドレインは、第2導電型の第1高濃度不純物層と、前記第2導電型の第1高濃度不純物を取り囲む第1導電型の低濃度不純物層で形成されていることが望ましく、前記ソ−スは、第2導電型の低濃度不純物層と、前記第2導電型の低濃度不純物層と部分的に重畳される第2導電型の第2高濃度不純物層で形成されていることが望ましい。
【0011】
前記他の目的を達成するために本発明の一実施例による不揮発性メモリ素子の製造方法は、第1方向に隣接するセルトランジスタと共有するソース及びドレイン、各セルトランジスタに限定される浮遊ゲート及び第2方向に隣接するセルトランジスタと共有する制御ゲートより構成されたセルトランジスタを形成する第1段階と、前記第1段階後の結果物上に各セルトランジスタの積層された前記浮遊ゲート及び前記制御ゲートの側壁に形成された絶縁膜からなるスペーサとスペーサとの間の前記ソース及び前記ドレインが露出している溝を埋め込むように第1導電層を形成する第2段階と、前記第1導電層をエッチバックして前記溝にのみ第1導電層を埋め込む第3段階と、前記第3段階後の結果物上に第2導電層を形成する第4段階と、前記第2導電層上に第1絶縁膜を形成する第5段階と、前記第1絶縁膜をパタニングすることにより第2方向に隣接するセルトランジスタのソース上方を覆うように第2方向に長棒状の第1絶縁膜パターンを形成する第6段階と、各セルトランジスタのドレイン上に、隣接するセルトランジスタとは分離される形態の第1感光膜パターンを形成する第7段階と、前記第1絶縁膜パタ−ン及び第1感光膜パターンを食刻マスクとして前記第1導電層及び第2導電層を食刻することにより前記第2方向に隣接するセルトランジスタのソースを連結させる前記第1導電層よりなる第1埋没導電層と、前記第1埋没導電層と平行な前記第2導電層よりなる共通ソース線と、各セルトランジスタのドレインとそれぞれ接続する前記第1導電層よりなる第2埋没導電層及び前記第2埋没導電層と接続する前記第2導電層よりなるパッド層を形成する第8段階とを含むことを特徴とする。
【0012】
本発明による不揮発性メモリ素子の製造方法において、前記第8段階以後に層間絶縁層を形成する第9段階、前記パッド層を露出させるコンタクトホ−ルを前記層間絶縁層に形成する第10段階及びコンタクトホ−ルを通して前記パッド層と接続するビットラインを形成する第11段階を追加することが望ましい。
本発明による不揮発性メモリ素子の製造方法において、前記第1導電層として不純物のド−プされた多結晶シリコンを使用し、前記第2導電層としてはシリサイド物質を使用するこが望ましく、この際、前記シリサイド物質としてはタングステンシリサイドを使用することが望ましい。
【0013】
本発明による不揮発性メモリ素子の製造方法において、前記第1段階は、半導体基板を活性領域と非活性領域に分けるフィ−ルド酸化膜を形成する段階と、前記活性領域の半導体基板上にゲ−ト絶縁膜を形成する段階と、前記ゲ−ト絶縁膜を含む結果物上に第3導電層を形成する段階と、前記第3導電層をパタニングすることにより、第1方向に長棒状の浮遊ゲ−トパタ−ンを形成する段階と、浮遊ゲ−トパタ−ンが形成された結果物の全面に誘電体膜、第4導電層及び第5導電層を順次に積層する段階と、前記浮遊ゲ−トパタ−ン、誘電体膜、第4導電層及び第5導電層を第2方向に長棒状でパタニングすることにより、各セルトランジスタに限定された浮遊ゲ−トと第2方向に隣接するセルトランジスタと共有される制御ゲ−トを形成する段階と、ドレインが形成される領域の半導体基板を露出させる第2感光膜パタ−ンを形成する段階と、第1導電型の不純物を低濃度で注入した後、第2導電型の不純物を第1高濃度で注入することにより第1方向に隣接するセルトランジスタと共有される、第2導電型の第1高濃度不純物層と前記第2導電型の第1高濃度不純物層を取り囲む第1導電型の低濃度不純物層より構成されるドレインを形成する段階と、前記第2感光膜パタ−ンを取り除く段階と、前記第2感光膜パタ−ンを取り除いた半導体基板の全面に第2導電型の不純物を低濃度で注入する段階と、低濃度不純物を注入した結果物の全面に第2絶縁膜を形成した後、これを異方性食刻することにより各セルトランジスタのゲ−ト側壁にスペ−サを形成する段階と、スペ−サが形成されている半導体の全面に第2導電型の不純物を第2高濃度で注入することにより第1方向に隣接するセルと共有される、第2導電型の第2高濃度不純物層と前記第2導電型の第2高濃度不純物と部分的に重畳される第2導電型の低濃度不純物層より構成されるソ−スを形成する段階とを含めてなることが望ましい。
【0014】
前記第3及び第4導電層として不純物のド−プされた多結晶シリコン層を使用し、前記第5導電層としてタングステンシリサイドを使用することが望ましい。
前記第1導電型の不純物はP型の不純物であり、前記第2導電型の不純物はN型の不純物であることが望ましい。
この際、ドレインを形成する前記段階中、第1導電型の不純物イオンを低濃度で注入する前記段階では、ボロンイオンを1.0E13〜1.0E14イオン/cm2のド−ズ、約50〜150keVのエネルギ−で注入し、第2導電型の不純物を第1高濃度で注入する前記段階では、砒素イオンを1.0E15〜6.0E14イオン/cm2のド−ズ、略30〜80keVのエネルギ−で注入することが望ましい。
【0015】
ソ−スを形成する前記段階中、第2導電型の不純物を低濃度で注入する前記段階では、燐イオンを1.0E13〜5.0E13イオン/cm2のド−ズ、略30〜80keVのエネルギ−で注入し、第2導電型の不純物を第2高濃度で注入する前記段階では、砒素イオンを6.0E15イオン/cm2のド−ズ、略30〜100keVのエネルギ−で注入することが望ましい。
【0016】
本発明による不揮発性メモリ素子の製造方法において、前記浮遊ゲ−トパタ−ン、誘電型膜、第4導電層及び第5導電層をパタニングする前記段階は、前記第5導電層上に第3絶縁膜を形成する段階と、前記第3絶縁膜上に感光膜を塗布した後、写真工程を行い第2方向に長棒状の制御ゲ−トの形成のための第3感光膜パタ−ンを形成する段階と、前記第3感光膜パタ−ンを食刻マスクとして前記第3絶縁膜を異方食刻することにより制御ゲ−ト形成のための第3絶縁膜パタ−ンを形成する段階と、前記第3絶縁膜パタ−ンを食刻マスクとして前記第5導電層、第4導電層、誘電型膜、第3導電層を異方性食刻する段階とより行われることが望ましい。
【0017】
前記他の目的を達成するために本発明の他の実施例による不揮発性メモリ素子の製造方法は、第1方向に隣接するセルトランジスタと共有するソース及びドレイン、セルトランジスタに限定された浮遊ゲート及び第2方向に隣接するセルトランジスタと共有する制御ゲートより構成されるセルトランジスタを形成する第1段階と、前記セルトランジスタを形成した後の結果物上に各セルトランジスタの積層された前記浮遊ゲート及び前記制御ゲートの側壁に形成された絶縁膜からなるスペーサとスペーサとの間の前記ソース及び前記ドレインが露出している溝を埋め込むように第1導電層を形成する第2段階と、前記第1導電層をエッチバックして前記溝にのみ第1導電層を埋め込む第3段階と、前記埋め込む段階後の結果物上に第2導電層を形成する第4段階と、前記第2導電層上に第1絶縁膜を形成する第5段階と、前記第1絶縁膜を食刻することにより各セルトランジスタのドレイン上に各セルトランジスタに限定される第1絶縁膜パターンを形成する第6段階と、前記第1絶縁膜パターンが形成された結果物の全面上に感光膜を塗布する第7段階と、第2方向に隣接するソース上方を覆うように第2方向に長棒状の第1感光膜パターンを形成する第8段階と、前記第1絶縁膜パターン及び第1感光膜パターンを食刻マスクとして前記第2導電層及び第1導電層を食刻することにより第2方向に隣接するセルトランジスタのソースを連結する前記第1導電層よりなる第1埋没導電層と、前記第1埋没導電層と平行な前記第2導電層よりなる共通ソース線、各セルトランジスタのドレインと接続する前記第1導電層よりなる第2埋没導電層及び前記第2埋没導電層と接続する前記第2導電層よりなるパッド層を形成する第9段階とを含むことを特徴とする。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面に基づき本発明をさらに詳細に説明する。
図2において、一点鎖線で示されたY軸に長い長方形は半導体基板を活性領域及び非活性領域に限定するフィ−ルド酸化膜形成のためのマスクパタ−ン110を、二線鎖線で示されたY軸に長い長方形は浮遊ゲ−トパタ−ンパタ−ン形成のためのマスクパタ−ン120を、点線で示されたX軸に長い長方形は制御ゲ−ト形成のためのマスクパタ−ン130を、そして、実線で示されたX軸に長い長方形はドレイン形成のためのマスクパタ−ン140をそれぞれ示す。前記図2において、マスリックス状の太い点線に限定された長方形(F)は浮遊ゲ−トを示す。
【0019】
図3において、一点鎖線で示されたX軸に長い長方形(G)は埋め込まれた導電層を示し、実線で示されたX軸に長い長方形は共通ソ−ス線形成のためのマスクパタ−ン150を示す。
図4において、実線で示されてその内部に斜線の引かれた四角形はパッド層の形成のためのマスクパタ−ン160を示す。
【0020】
図5において、一点鎖線で示されてその内部に対角線の引かれた四角形はコンタクトホ−ル形成のためのマスクパタ−ン170を示し、実線で示されたY軸に長い長方形はビットライン形成のためのマスクパタ−ン180を示す。
図6及び図7は本発明の第1実施例により製造された不揮発性メモリ素子を示した断面図であり、前記図6は図5のAA′線による断面図であり、前記図7は図5のB−C−D−E線による断面図である。
【0021】
ゲ−ト電極は各セルトランジスタに限定された浮遊ゲ−ト46とX軸方向に隣接するセルトランジスタと共有される制御ゲ−ト50より構成され、ドレイン300はP型の低濃度不純物層56とN型の第1高濃度不純物層58より構成され、ソ−ス400はN型の低濃度不純物層60とN型の第2高濃度不純物層64より構成される。この際、前記ソ−ス400及びドレイン300はY軸方向に隣接するセルトランジスタと共有される。
【0022】
第1埋没導電層66はX方向に隣接するセルトランジスタ400と共有されるようにX方向に長棒状で形成されており、第2埋没導電層69は各セルトランジスタのドレイン300とそれぞれ接続するように各セルトランジスタごとに一つずつ形成されている。
かつ、共通ソ−ス線71はX方向に隣接するセルトランジスタと共有されるように前記第1埋没導電層66上に形成されており、パッド層73は各セルトランジスタの前記第2埋没導電層69と接続されるように各セルトランジスタごとに一つずつ形成されている。ビットライン80はコンタクトホ−ル79を通して前記パッド層73と接続する。
【0023】
図面符号30はP型の半導体基板を、32はN型のウェルを、34はP型のポケットウェルを、43はフィ−ルド酸化膜を、44はゲ−ト絶縁膜を示す。
本発明による不揮発性メモリ素子によれば、共通ソ−ス線71は絶縁膜72を食刻マスクとした食刻工程で形成され、パッド層73は感光膜パタ−ン(図示せず)を食刻マスクとする食刻工程で形成される。したがって、前記共通ソ−ス線71とパッド層73との間隔はデザインル−ルにより限定されないので、メモリセルの縮小が容易になる。
【0024】
かつ、各セルトランジスタの間、即ち、ソ−ス400及びドレイン300上には第1及び第2埋没導電層66,69が形成されている。これはビットライン80をドレイン300に接続させるためのコンタクトホ−ル79を形成するとき、コンタクトホ−ル79の深さを浅くするので、誤接続などの問題を引き起こさない。
【0025】
【第1実施例】
前記図2乃至図5、前記図8乃至図22及び図9乃至図23に基づき本発明の第1実施例の方法を説明する。
まず、図8及び図9は半導体基板30を活性領域及び非活性領域に限定するためのフィ−ルド酸化膜(図示せず)を形成する段階を示したものであり、これは第1導電型の半導体基板30に第2導電型のウェル32を形成する第1段階、前記第2導電型のウェル32内に第1導電型のポケット−ウェル34を形成する第2段階、前記第2段階後の結果物上にパッド酸化膜36、多結晶シリコン膜38及び窒化膜40を積層する第3段階、前記窒化膜40上に感光膜を塗布した後、前記図2のマスクパタ−ン110を用いた写真工程を行うことにより活性領域となる領域のみを覆う第1感光膜パタ−ン42を形成する第4段階、前記第1感光膜パタ−ン42を食刻マスクとして露出された前記窒化膜40を完全に取り除く第5段階及び前記第1感光膜パタ−ン42を食刻マスクとして露出された前記多結晶シリコン38を所定の深さで食刻する第6段階とを含む。
【0026】
本発明の一実施例による不揮発性メモリ素子のセルアレイはP型のポケット−ウェル34、N型のウェル32及びP型の半導体基板30より構成される三重ウェル内に位置する。N型のウェル32はP型の半導体基板30に6μm〜8μmの深さに形成され、前記P型の半導体基板30とは電気的に分離されたP型のポケット−ウェル34はN型のウェル32に3μm〜4μmの深さに形成される。
【0027】
前記三重ウェルの形成方法は一般に普遍化された技術なので、具体的な説明は省く。P型のポケット−ウェル34はメモリ素子の消去動作時、高電圧が印加されるので、P型の半導体基板30とは電気的に分離されなければならない。
また、フィ−ルド酸化膜は一般に緩衝されたLOCOS(buffered local-oxide-on-silicon)工程を用いて形成される。
【0028】
本発明の一実施例では、前記パッド酸化膜36を240Å程度の厚さに形成し、前記多結晶シリコン38を1000Å程度の厚さに形成し、前記窒化膜40を1500Å程度の厚さに形成した。
前記第6段階後、第1感光膜パタ−ン42を取り除く第7段階、前記第1感光膜パタ−ンの取り除かれた半導体基板の全面に、例えば、ボロンイオンのようなN型の不純物イオンを、1.0E13〜1.0E14イオン/cm2のド−ズに、50keVのエネルギ−で注入してNチャンネルストッパ(図示せず)を形成する第8段階及び酸化雰囲気中、約6000Å程度厚さのフィ−ルド酸化膜(図11の43)を形成する第9段階を行う。
【0029】
図8乃至図22に示された方位表示“丸”は紙面の下側から紙面の上側への方向(即ち、X方向)を示し、“→”は紙面の左側から紙面の右側への方向(即ち、Y方向)を示し、図2乃至図5に示された方位表示と一致する。即ち、図8乃至図22におけるX軸方向は図2乃至図5のX軸方向と一致する。
図10及び図11はゲ−ト絶縁膜44、浮遊ゲ−ト46、誘電体膜48、制御ゲ−ト50およびドレイン300を形成する段階を示したものであり、これはフィ−ルド酸化膜43を形成した後、半導体基板30上に積層されている物質を除く第1段階、ゲ−ト絶縁膜44を形成する第2段階、前記ゲ−ト絶縁膜44上に第1導電層(以後の工程により浮遊ゲ−トパタ−ンとなる)を形成する第3工程、図2のマスクパタ−ン120を用いた写真食刻工程で前記第1導電層を食刻することにより浮遊ゲ−トパタ−ン(以後の工程により浮遊ゲ−ト46となる)を形成する第4段階、前記第4段階から得た結果物の全面に誘電体物質層(以後の工程により誘電体膜48となる)を形成する第5段階、前記誘電体物質層上に第2及び第3導電層(以後の工程により制御ゲ−ト50となる)を順次に積層する第6段階、前記第3導電層上に第1絶縁膜52を形成する第7段階、図2のマスクパタ−ン130を用いた写真食刻工程で前記第1絶縁膜、第3及び第2導電層、誘電物質層及び浮遊ゲ−トパタ−ンを食刻することにより浮遊ゲ−ト46、誘電体膜48及び制御ゲ−ト50を形成する第8段階、前記第8段階から得られた結果物の全面に感光膜を塗布する第9段階、図2のマスクパタ−ン140を用いた写真工程によりドレインが形成される領域の半導体基板を露出させる第2感光膜パタ−ン54を形成する第10段階及び第1導電型の不純物を低濃度でド−プして第1導電型の低濃度不純物層56を形成した後、第2導電型の不純物を第1高濃度でド−プして第2導電型の第1高濃度不純物層58を形成することによりドレイン300を形成する第11段階とを含む。
【0030】
LOCOS工程に用いられる窒化膜は燐酸を使用した湿式食刻で取り除き、多結晶シリコンは乾式食刻し、パッド酸化膜は湿式食刻する。
前記第1段階後、後続く段階で形成されるゲ−ト絶縁膜44の膜質を改善するために、約500Å程度の厚さの犠牲酸化膜を成長させた後、湿式食刻でこれを取り除く段階を行うこともできる。
【0031】
前記ゲ−ト絶縁膜44は酸化膜を約100Å程度の厚さに成長させて形成する。前記第1導電層は多結晶シリコンを約1500Å程度の厚さに堆積して形成する。この際、前記多結晶シリコンはバルク抵抗を減らすためにPOCl3 でド−プされる。POCl3 のド−プされた多結晶シリコンの抵抗は約50Ω/□となる。
【0032】
浮遊ゲ−トパタ−ンはY軸方向、即ち、活性領域上に長棒状で形成される。かつ、前記活性領域を完全に覆うだけでなく、前記フィ−ルド酸化膜43とは部分的に重畳されて形成される。
誘電体膜48は約100Å程度厚さの酸化膜、約150Å程度厚さの窒化膜及び30〜50Å程度厚さの酸化膜を順次に積層して形成する。
【0033】
第2導電型としては50Ω/□の抵抗を有するようにPOCl3 を堆積した多結晶シリコンが使用され、第3導電層としてはシリサイド、例えば、タングステンシリサイド(WSi2 )を用いる。前記第2及び第3導電層は、それぞれ例えば、1500Å程度厚さに形成する。したがって、制御ゲ−ト50は多結晶シリコンとタングステンシリサイドが積層されたポリサイド構造を有する。
【0034】
また、前記制御ゲ−ト50はX軸方向に長棒状で形成される。即ち、X軸方向に配置された隣接するセルトランジスタと共有される。この際、浮遊ゲ−ト46は、前記図2の図面符号Fを参照すれば、各セルトランジスタに限定されていることがわかる。
前記第8段階(自己整合食刻工程)は、前記第1絶縁膜を食刻して第1絶縁膜パタ−ン52を形成する段階及び前記第1絶縁膜パタ−ン52を食刻マスクとして第3及び第2導電層、誘電物質層及び浮遊ゲ−トパタ−ンを食刻する段階に分けて行える。この際、前記第1絶縁膜は約3000Å程度の厚さに形成することが望ましい。
【0035】
前記第1導電型の低濃度不純物層56は、例えばボロンのようなP型の不純物を1.0E13〜1.0E14イオン/cm2ド−ズ、50〜150keVのエネルギ−で注入して形成され、前記第2導電型の第1高濃度不純物層58は、例えば、砒素のようなN型の不純物を1.0E15〜6.0E15イオン/cm2ド−ズ、30〜80keVのエネルギ−で注入して形成される。
【0036】
前記第11段階後、約850〜950℃で熱処理を行うことにより、前記第1導電型の低濃度不純物層56が第2導電型の高濃度不純物層58を取り囲むドレイン構造を形成する。前記ドレイン300はプログラム動作時、ホット電子を多く発生させる。
また、前記熱処理工程時、約100〜200Å程度厚さの酸化膜を成長させて浮遊ゲ−ト46とドレイン300の重畳部位にあるゲ−ト絶縁膜44を些か厚く成長させることにより、セル動作時に生じる電圧のストレスを緩和させる。
【0037】
図14及び図15はソース400及びスペーサ62を形成する工程を示したものであり、これは第2感光膜パターン54を取り除く第1段階、第2導電型の不純物を低濃度でド−プして第2導電型の低濃度不純物層60を形成する第2段階、第2絶縁膜(以後の工程によりスペーサ62となる)を前記第2導電型の低濃度不純物層60が形成されている半導体基板の全面に形成する第3段階と、ポケット−ウェル34が露出されるように前記第2絶縁膜を乾式食刻することによりゲート電極46〜50の側壁にスペーサ62を形成する第4段階及び第2導電型の不純物を第2高濃度でド−プして第2導電型の第2高濃度不純物層64を形成することにより前記ソース400を完成する第5段階とを含む。
【0038】
前記第2導電型の低濃度不純物層60は、例えば、燐のようなN型の不純物を1.0E13〜5.0E13イオン/cm2のド−ズ、30〜80keVのエネルギ−で注入して形成し、前記第2導電型の第2高濃度不純物層64は、例えば、砒素のようなN型の不純物を約6.0E15イオン/cm2のド−ズ、30〜100keVのエネルギ−で注入して形成される。
【0039】
第2絶縁膜は酸化膜を約2000Å程度の厚さに積層して形成する。
前記第2乃至第5段階により、メモリセルトランジスタのソ−スはLDD構造を有する。
図16及び図17は埋没導電層66,68を形成する工程を示したものであり、これはスペ−サ62が形成されている結果物の全面に、第4導電層64をスペ−サ間の溝を完全に埋め込む程度の厚さに形成する第1段階及び前記第4導電層をエッチバックしてスペ−サ間の溝を埋め込む程度に第4導電層を残すことにより埋没導電層66,68を形成する第2段階を含む。
【0040】
前記第4導電層64としては不純物のド−プされた多結晶シリコンを使用する。この際、第4導電層64の厚さはスペ−サ間の間隔の1/2より大きくなければならない。
前記埋没導電層66,68は、ビットライン(図示せず)とドレイン300を接続させるためのコンタクトホ−ルの形成時(以後に行われる)、コンタクトホ−ルの深さを著しく縮めて誤接続を防止する役割を果たす。
【0041】
前記埋没導電層66,68は、図3を参照するとき、X軸方向に長棒状で形成されていることがわかる。即ち、ソ−ス400上に形成された埋没導電層66はX軸方向に隣接するセルトランジスタのソ−ス(図示せず)と連結されており、ドレイン300上に形成された埋没導電層68はX軸方向に隣接するセルトランジスタのドレイン(図示せず)と連結されている(図3の図面符号G参照)。
【0042】
図18及び図19は共通ソース線(図示せず)形成のための第3絶縁膜パタ−ン72を形成する工程を示したものであり、これは埋没導電層66,68が形成されている半導体基板の全面に第5導電層70を形成する第1段階と、前記第5導電層70(以後の工程により共通ソース線及びパッド層(図20の図面符号71,73)となる)上に第3絶縁膜を形成する第2段階、前記第3絶縁膜上に感光膜を塗布する第3段階、図3のマスクパターン150を用いた写真工程を行って共通ソース線形成のための第3感光膜パターン74を形成する第4段階、前記第3感光膜パターン74を食刻マスクとし、第3絶縁膜を食刻対象物とする乾式食刻を行って第3絶縁膜パターン72を形成する第5段階とを含む。
【0043】
第5導電層70としてはシリサイドを用いる。本発明ではタングステンシリサイド(WSi2 )を約1500Å程度の厚さに堆積して前記第5導電層70を形成した。
第3絶縁膜として約1500Å程度の厚さの酸化膜を使用する。酸化膜の代わりに窒化膜を使用する場合もある。即ち、前記第3絶縁膜を構成する物質としては、任意の食刻工程に対して前記第5導電層70を構成する物質とは異なる食刻率を有する絶縁物質ならいずれもよい。
【0044】
前記第3絶縁膜パタ−ン72はX軸方向に長棒状で形成される。即ち、ソ−ス400上に形成された埋没導電層66と平行に形成される。
図20及び図21は共通ソ−ス線71及びパッド層73を形成する工程を示したものであり、これは第3感光膜パタ−ン(図18の図面符号74)を取り除く第1段階、前記第3感光膜パタ−ンを取り除いた半導体基板の全面に感光膜を再塗布する第2段階、図4のマスクパタ−ン160を用いた写真工程を行い、パッド層73の形成のための第4感光膜パタ−ン76を形成する第3段階、前記第3絶縁膜パタ−ン72及び第4感光膜パタ−ン76を食刻マスクとして第5導電層(図18の図面符号70)及び埋没導電層(図18の図面符号66,68)を乾式食刻するので、第1埋没導電層66,第2埋没導電層69、共通ソ−ス線71及びパッド層73を形成する第4段階とを含む。
【0045】
第1埋没導電層66は図3に示したように(図3の図面符号G)、X軸方向に長棒状であり、第2埋没導電層69は各セルトランジスタのドレインとそれぞれ接続し、各セルトランジスタに限定される(図4のマスクパタ−ン160とX軸方向の長さが同一である)。
共通ソ−ス線71は前記第1埋没導電層66と平行に配置され、前記第1埋没導電層66を完全に覆うように形成される。また、前記第1埋没導電層66を通してソ−ス400と接続される。
【0046】
パッド層73は前記第2埋没導電層69と平行に配置され、前記第2埋没導電層69を完全に覆うように形成される。また、前記第2埋没導電層69を通してドレイン300と接続される。
図4に示したように、共通ソ−ス線71及び第1埋没導電層66はX軸方向に隣接するセルトランジスタのソ−スと共有されるが、パッド層73及び第2埋没導電層69は各セルトランジスタに限定される。
【0047】
図18と図19、図20と図21を参照すれば、共通ソ−ス線71とパッド層73は相異なる写真食刻により形成される。即ち、共通ソ−ス線71は第3絶縁膜パタ−ン72を食刻マスクとする食刻工程により形成されるが、パッド層73は第4感光膜パタ−ン76を食刻マスクとする食刻工程により形成される。この際、前記第3絶縁膜パタ−ン72と第4感光膜パタ−ン76は二回の相異なる写真工程で形成される。
【0048】
したがって、前記工程により形成された共通ソ−ス線71とパッド層73との間隔はデザインル−ルにより限定されない。即ち、共通ソ−ス線71とパッド層73との間隔はミスアライン(misalign) 限界まで縮ませる。
図22及び図23はビットライン80を形成する工程を示したものであり、これは共通ソ−ス線71及びパッド層73が形成されている半導体基板の全面に例えば、酸化膜及びボロン−燐イオンがド−プされているシリコン(BPSG)を蒸着して層間絶縁層78を形成する第1段階、図5のマスクパタ−ン170を用いた写真食刻工程で前記層間絶縁層を部分的に食刻することによりパッド層73を露出させるコンタクトホ−ル79を形成する第2段階及び結果物の全面に前記コンタクトホ−ル79を埋め込むように第6導電層(以後の工程によりビットライン80となる)を蒸着した後、これを図5のマスクパタ−ン180を用いた写真食刻工程でパタニングすることによりビットライン80を形成する第3段階とを含む。
【0049】
ボロン−燐イオンのド−ピングされたシリコンは段差塗布性を良好にするために、950℃で約30分間、窒素(N2 )雰囲気で熱処理してリフロ−させる。
第6導電層として、例えば、アルミニウムを使用する。
ビットライン80はY軸方向に長棒状で形成され、Y軸方向に隣接するセルトランジスタのドレイン(図示せず)と共有される。
【0050】
【第2実施例】
図24乃至図28は前記図3乃至図5のAA′線による断面図であり、本発明の第2実施例の方法を説明するために示したものである。
図25乃至図29は前記図3ないし図5のB−C−D−E線による断面図であり、本発明の第2実施例の方法を説明するために示したものである。
【0051】
第1実施例では、共通ソ−ス線71とパッド層73を形成するために、第5導電層(図18の図面符号70)の上に、共通ソ−ス線形成のための第3絶縁膜パタ−ン(図18の図面符号72)を先に形成した後、パッド層形成のための第4感光膜パタ−ン(図20の図面符号76)を形成したが、本実施例では第5導電層上にパッド層形成のための絶縁膜パタ−ン72aを先に形成した後(図24及び図25参照)、共通ソ−ス線形成のための感光膜パタ−ン77を形成した(図26及び図27参照)。
【0052】
前記第1実施例の方法によれば、絶縁膜パタ−ン72aが共通ソ−ス線71の上に形成されるが(図22参照)、本実施例の方法によれば、絶縁膜パタ−ン72aがパッド層73の上に形成される(図28参照)ということがわかる。
【0053】
【第3実施例】
図30は本発明の第3実施例による不揮発性メモリ素子の製造に使用されるレイアウト図である。
図31は前記図30のB−C−D−E線による断面図であり、本発明の第3実施例の方法を説明するために示したものである。
【0054】
本実施例は不揮発性メモリセルのゲ−ト電極の側壁に形成されるスペ−サに関する。第1実施例の場合、スペ−サを形成するための別途のマスクパタ−ンが不要であるが(図32及び図33参照)、本実施例ではスペ−サ形成のための別途のマスクパタ−ン190を使用した。
本実施例では、スペ−サ82形成のための食刻工程時、フィ−ルド酸化膜上に感光膜よりなる食刻マスク84を形成した。したがって、活性領域側には前記図32のようなスペ−サ62が形成され、フィ−ルド酸化膜側には図31のような絶縁膜パタ−ン82が形成された。
【0055】
本実施例は段差を改善するために提案された方法であって、後続く工程時にフィ−ルド酸化膜側は絶縁膜パタ−ン82により段差が減る効果がある。
【0056】
【第4実施例】
図32は本発明の第4の他の実施例による不揮発性メモリ素子の製造に使用されるレイアウト図である。
図33は前記図32のB−C−D−E線による断面図であり、本発明のさらに他の実施例の方法を説明するために示したものである。
【0057】
本実施例は前記第3実施例と同一な効果を達成するためのものであり、メモリセルトランジスタのドレインとドレインと間のフィ−ルド酸化膜とを覆うマスクパタ−ン200を用いる。
本実施例によれば、ドレインとドレインとの間のフィ−ルド酸化膜とを覆う感光膜パタ−ン94を用いた食刻工程を行うことにより、フィ−ルド酸化膜43の上には絶縁膜パタ−ン92が残存し、フィ−ルド参加膜43上の感光膜パタ−ン92により覆われない不揮発性メモリのゲ−ト電極の他の側壁にのみスペ−サ62が形成される。
【0058】
【発明の効果】
したがって、本発明による不揮発性メモリ装置及びその製造方法によれば、第一、共通ソ−ス線とパッド層は相異なる写真食刻工程により形成されるので、両子間の間隔を縮めるに制限がなくて集積度の向上が容易である。第二、各セルのゲ−ト電極間のソ−ス/ドレイン上に形成された溝に埋没導電層を埋め込んだ後、ビットラインをドレインに接続させるためのコンタクトホ−ルを形成するので、コンタクトホ−ルの深さを低めて誤接続を防止する。第三、タングステンをコンタクトホ−ルに埋め込む工程がないので、埋め込まれたタングステンにより生じる問題も防止する。
【0059】
本発明は前記実施例に限定されず、多くの変形が本発明の技術的な思想内で当分野での通常の知識を持つ者により可能なのは明白である。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の方法により製造された不揮発性メモリ素子を示した断面図である。
【図2】本発明の第1及び第2実施例による不揮発性メモリ素子の製造に使用されるレイアウト図である。
【図3】本発明の第1及び第2実施例による不揮発性メモリ素子の製造に使用されるレイアウト図である。
【図4】本発明の第1及び第2実施例による不揮発性メモリ素子の製造に使用されるレイアウト図である。
【図5】本発明の第1及び第2実施例による不揮発性メモリ素子の製造に使用されるレイアウト図である。
【図6】 本発明の第1実施例により製造された不揮発性メモリ素子の断面図である。
【図7】 本発明の第1実施例により製造された不揮発性メモリ素子の断面図である。
【図8】 前記図2乃至図5のAA′線による断面図であり、本発明の第1実施例の方法を説明するために示したものである。
【図9】 前記図2乃至図5のB−C−D−E線による断面図であり、本発明の第1実施例の方法を説明するために示したものである。
【図10】 前記図2乃至図5のAA′線による断面図であり、本発明の第1実施例の方法を説明するために示したものである。
【図11】 前記図2乃至図5のB−C−D−E線による断面図であり、本発明の第1実施例の方法を説明するために示したものである。
【図12】 前記図2乃至図5のAA′線による断面図であり、本発明の第1実施例の方法を説明するために示したものである。
【図13】 前記図2乃至図5のB−C−D−E線による断面図であり、本発明の第1実施例の方法を説明するために示したものである。
【図14】 前記図2乃至図5のAA′線による断面図であり、本発明の第1実施例の方法を説明するために示したものである。
【図15】 前記図2乃至図5のB−C−D−E線による断面図であり、本発明の第1実施例の方法を説明するために示したものである。
【図16】 前記図2乃至図5のAA′線による断面図であり、本発明の第1実施例の方法を説明するために示したものである。
【図17】 前記図2乃至図5のB−C−D−E線による断面図であり、本発明の第1実施例の方法を説明するために示したものである。
【図18】 前記図2乃至図5のAA′線による断面図であり、本発明の第1実施例の方法を説明するために示したものである。
【図19】 前記図2乃至図5のB−C−D−E線による断面図であり、本発明の第1実施例の方法を説明するために示したものである。
【図20】 前記図2乃至図5のAA′線による断面図であり、本発明の第1実施例の方法を説明するために示したものである。
【図21】 前記図2乃至図5のB−C−D−E線による断面図であり、本発明の第1実施例の方法を説明するために示したものである。
【図22】 前記図2乃至図5のAA′線による断面図であり、本発明の第1実施例の方法を説明するために示したものである。
【図23】 前記図2乃至図5のB−C−D−E線による断面図であり、本発明の第1実施例の方法を説明するために示したものである。
【図24】 前記図3乃至図5のAA′線による断面図であり、本発明の第2実施例の方法を説明するためのものである。
【図25】 前記図3乃至図5のB−C−D−E線による断面図であり、本発明の第2実施例の方法を説明するために示したものである。
【図26】 前記図3乃至図5のAA′線による断面図であり、本発明の第2実施例の方法を説明するためのものである。
【図27】 前記図3乃至図5のB−C−D−E線による断面図であり、本発明の第2実施例の方法を説明するために示したものである。
【図28】 前記図3乃至図5のAA′線による断面図であり、本発明の第2実施例の方法を説明するためのものである。
【図29】 前記図3乃至図5のB−C−D−E線による断面図であり、本発明の第2実施例の方法を説明するために示したものである。
【図30】 本発明の第3実施例による不揮発性メモリ素子の製造に使用されるレイアウト図である。
【図31】 前記図30のB−C−D−E線による断面図であり、本発明の第3実施例の方法を説明するために示したものである。
【図32】本発明の第4実施例による不揮発性メモリ素子の製造に使用されるレイアウト図である。
【図33】前記図32のB−C−D−E線による断面図であり、本発明の第4実施例の方法を説明するために示したものである。
【符号の説明】
66 第一埋没導電層
69 第二埋没導電層
300 ドレイン
400 ソース
Claims (11)
- 第1方向に隣接するセルトランジスタと共有するソース及びドレイン、各セルトランジスタに限定される浮遊ゲート及び第2方向に隣接するセルトランジスタと共有する制御ゲートより構成されたセルトランジスタを形成する第1段階と、
前記第1段階後の結果物上に各セルトランジスタの積層された前記浮遊ゲート及び前記制御ゲートの側壁に形成された絶縁膜からなるスペーサとスペーサとの間の前記ソース及び前記ドレインが露出している溝を埋め込むように第1導電層を形成する第2段階と、
前記第1導電層をエッチバックして前記溝にのみ第1導電層を埋め込む第3段階と、
前記第3段階後の結果物上に第2導電層を形成する第4段階と、
前記第2導電層上に第1絶縁膜を形成する第5段階と、
前記第1絶縁膜をパタニングすることにより第2方向に隣接するセルトランジスタのソース上方を覆うように第2方向に長棒状の第1絶縁膜パターンを形成する第6段階と、
各セルトランジスタのドレイン上に、隣接するセルトランジスタとは分離される形態の第1感光膜パターンを形成する第7段階と、
前記第1絶縁膜パターン及び第1感光膜パターンを食刻マスクとして前記第1導電層及び第2導電層を食刻することにより前記第2方向に隣接するセルトランジスタのソースを連結させる前記第1導電層よりなる第1埋没導電層と、前記第1埋没導電層と平行な前記第2導電層よりなる共通ソース線と、各セルトランジスタのドレインとそれぞれ接続する前記第1導電層よりなる第2埋没導電層及び前記第2埋没導電層と接続する前記第2導電層よりなるパッド層を形成する第8段階とを含むことを特徴とする不揮発性メモリ素子の製造方法。 - 前記第8段階以後に層間絶縁層を形成する第9段階、前記パッド層を露出させるコンタクトホ−ルを前記層間絶縁層に形成する第10段階及びコンタクトホ−ルを通して前記パッド層と接続するビットラインを形成する第11段階を追加することを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。
- 前記第1導電層として不純物のド−プされた多結晶シリコンを使用し、前記第2導電層としてはシリサイド物質を使用することを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。
- 前記シリサイド物質としてタングステンシリサイドを使用することを特徴とする請求項3に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。
- 前記第1段階は、
半導体基板を活性領域と非活性領域に分けるフィ−ルド酸化膜を形成する段階と、
前記活性領域の半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜を含む結果物上に第3導電層を形成する段階と、
前記第3導電層をパタニングすることにより、第1方向に長棒状の浮遊ゲートパターンを形成する段階と、
浮遊ゲートパターンが形成された結果物の全面に誘電体膜、第4導電層及び第5導電層を順次に積層する段階と、
前記浮遊ゲートパターン、誘電体膜、第4導電層及び第5導電層を第2方向に長棒状でパタニングすることにより、各セルトランジスタに限定された浮遊ゲートと第2方向に隣接するセルトランジスタと共有される制御ゲートを形成する段階と、
ドレインが形成される領域の半導体基板を露出させる第2感光膜パターンを形成する段階と、
第1導電型の不純物を低濃度で注入した後、第2導電型の不純物を第1高濃度で注入することにより第1方向に隣接するセルトランジスタと共有される、第2導電型の第1高濃度不純物層と前記第2導電型の第1高濃度不純物層を取り囲む第1導電型の低濃度不純物層より構成されるドレインを形成する段階と、
前記第2感光膜パターンを取り除く段階と、
前記第2感光膜パターンを取り除いた半導体基板の全面に第2導電型の不純物を低濃度で注入する段階と、
低濃度不純物を注入した結果物の全面に第2絶縁膜を形成した後、これを異方性食刻することにより各セルトランジスタのゲート側壁にスペーサを形成する段階と、
スペーサが形成されている半導体の全面に第2導電型の不純物を第2高濃度で注入することにより第1方向に隣接するセルと共有される、第2導電型の第2高濃度不純物層と前記第2導電型の第2高濃度不純物と部分的に重畳される第2導電型の低濃度不純物層より構成されるソースを形成する段階とを含めてなることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。 - 前記第3及び第4導電層として不純物のド−プされた多結晶シリコン層を使用し、前記第5導電層としてタングステンシリサイドを使用することを特徴とする請求項5に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。
- 前記第1導電型の不純物はP型の不純物であり、前記第2導電型の不純物はN型の不純物であることを特徴とする請求項5に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。
- ドレインを形成する前記段階中、第1導電型の不純物イオンを低濃度で注入する前記段階では、ボロンイオンを1.0E13〜1.0E14イオン/cm2のドーズ、約50〜150keVのエネルギーで注入し、第2導電型の不純物を第1高濃度で注入する前記段階では、砒素イオンを1.0E15〜6.0E14イオン/cm2のドーズ、略30〜80keVのエネルギーで注入することを特徴とする請求項7に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。
- ソースを形成する前記段階中、第2導電型の不純物を低濃度で注入する前記段階では、燐イオンを1.0E13〜5.0E13イオン/cm2のドーズ、略30〜80keVのエネルギーで注入し、第2導電型の不純物を第2高濃度で注入する前記段階では、砒素イオンを6.0E15イオン/cm2のドーズ、略30〜100keVのエネルギーで注入することを特徴とする請求項7に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。
- 前記浮遊ゲートパターン、誘電体膜、第4導電層及び第5導電層をパタニングする前記段階は、
前記第5導電層上に第3絶縁膜を形成する段階と、
前記第3絶縁膜上に感光膜を塗布した後、写真工程を行い第2方向に長棒状の制御ゲートの形成のための第3感光膜パターンを形成する段階と、
前記第3感光膜パターンを食刻マスクとして前記第3絶縁膜を異方性食刻することにより制御ゲート形成のための第3絶縁膜パターンを形成する段階と、
前記第3絶縁膜パターンを食刻マスクとして前記第5導電層、第4導電層、誘電体膜、第3導電層を異方性食刻する段階とを含むことを特徴とする請求項5に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。 - 第1方向に隣接するセルトランジスタと共有するソース及びドレイン、セルトランジスタに限定された浮遊ゲート及び第2方向に隣接するセルトランジスタと共有する制御ゲートより構成されるセルトランジスタを形成する第1段階と、
前記セルトランジスタを形成した後の結果物上に各セルトランジスタの積層された前記浮遊ゲート及び前記制御ゲートの側壁に形成された絶縁膜からなるスペーサとスペーサとの間の前記ソース及び前記ドレインが露出している溝を埋め込むように第1導電層を形成する第2段階と、
前記第1導電層をエッチバックして前記溝にのみ第1導電層を埋め込む第3段階と、
前記埋め込む段階後の結果物上に第2導電層を形成する第4段階と、
前記第2導電層上に第1絶縁膜を形成する第5段階と、
前記第1絶縁膜を食刻することにより各セルトランジスタのドレイン上に各セルトランジスタに限定される第1絶縁膜パターンを形成する第6段階と、
前記第1絶縁膜パターンが形成された結果物の全面上に感光膜を塗布する第7段階と、
第2方向に隣接するソース上方を覆うように第2方向に長棒状の第1感光膜パターンを形成する第8段階と、
前記第1絶縁膜パターン及び第1感光膜パターンを食刻マスクとして前記第2導電層及び第1導電層を食刻することにより第2方向に隣接するセルトランジスタのソースを連結する前記第1導電層よりなる第1埋没導電層と、前記第1埋没導電層と平行な前記第2導電層よりなる共通ソース線、各セルトランジスタのドレインと接続する前記第1導電層よりなる第2埋没導電層及び前記第2埋没導電層と接続する前記第2導電層よりなるパッド層を形成する第9段階とを含むことを特徴とする不揮発性メモリ素子の製造方法。
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