TWI408725B

TWI408725B - 電子發射式發光裝置及其封裝方法

Info

Publication number: TWI408725B
Application number: TW097147162A
Authority: TW
Inventors: Po Hung Wang; Jung Yu Li; Shih Pu Chen; Yi Ping Lin; Yen I Chou; Ming Chung Liu
Original assignee: Ind Tech Res Inst
Priority date: 2008-12-04
Filing date: 2008-12-04
Publication date: 2013-09-11
Also published as: US8049401B2; US8313356B2; US20100141112A1; US20110183576A1; TW201023242A

Description

電子發射式發光裝置及其封裝方法

本發明是有關於一種發光元件及其封裝方法，且特別是有關於一種電子發射式發光裝置及其封裝方法。

目前量產的發光裝置包括氣體放電光源以及場發射光源。氣體放電光源應用於例如電漿面板或氣體放電燈上，主要利用陰極與陽極之間的電場，使充滿於放電腔內的氣體游離，藉由氣體導電的方式使電子撞擊氣體後產生躍遷並發出紫外光，而同樣位於放電腔內的螢光層吸收紫外光後便發出可見光。場發射光源應用於例如奈米碳管場發射顯示器等，主要是提供一超高真空的環境，並且在陰極上製作奈米碳材的電子發射端(electron emitter)，以利用電子發射端中高深寬比的微結構幫助電子克服陰極的功函數(work function)而脫離陰極。此外，在銦錫氧化物(ITO)製成的陽極上塗佈螢光層，以藉由陰極與陽極之間的高電場使電子由陰極的奈米碳管逸出。如此，電子可在真空環境中撞擊陽極上的螢光層，以發出可見光。

然而，上述兩種發光結構皆有其缺點。舉例而言，因考量受到紫外光照射後的衰減問題，因此對於氣體放電光源內的材料選用需有特殊要求。此外，因為氣體放電的發光機制歷經兩道過程才能發出可見光，故能量的損耗較大，如果過程中需產生電漿，則更為耗電。另一方面，場發射光源需要在陰極上成長或塗佈均勻的電子發射端，但目前大面積生產此類陰極結構的技術尚未成熟，且遇到電子發射端的均勻度與生產良率不佳的瓶頸。此外，場發射光源的陰極與陽極的間距需控制精確，超高真空度的封裝困難，也相對增加製作的成本。

另外，在發光裝置的設計上，薄型化及發光均勻化也是目前發光裝置在研發上的重點。

本發明提供一種電子發射式發光裝置，其可發出均勻的光，並且可以滿足薄型化之要求。

本發明另提供一種電子發射式發光裝置的封裝方法，其可以方便且快速的將氣體通入。

本發明提出一種電子發射式發光裝置，其包括第一基板、第二基板、氣體、密封膠以及螢光層。第一基板上配置有陰極，且所述陰極具有圖案設計。第二基板位於第一基板的對向，且第二基板上配置有陽極。密封膠位於第一基板與第二基板的邊緣，以將第一基板與第二基板組立在一起。氣體配置於陰極與陽極之間，利用氣體放電用以誘導陰極發出多個電子，其中氣體所存在之環境的氣壓介於10托爾(torr)至10^-3 托爾(torr)。螢光層配置於電子的移動路徑上，以與電子撞擊作用而發出光線。

在本發明之一實施例中，上述之陰極包括一導電層以及位於導電層表面上之多個導電圖案。

在本發明之一實施例中，上述之第一基板具有多個凹紋，且第一基板的表面上覆蓋有共形的一導電層以構成陰極。

在本發明之一實施例中，上述之密封膠內分佈有多個第一間隙物。

在本發明之一實施例中，上述之電子發射式發光裝置更包括多個第二間隙物，其分佈於陰極與陽極之間。

在本發明之一實施例中，上述之第一基板與第二基板為平面或是曲面。

在本發明之一實施例中，上述之螢光層位於陽極表面。

在本發明之一實施例中，上述之陽極之材質包括透明導電材料(Transparent Conductive Oxide,TCO)。

在本發明之一實施例中，上述之陽極或陰極的材質包括金屬。

在本發明之一實施例中，上述之電子發射式發光裝置更包括一誘發放電結構，其配置於陽極與陰極至少其中之一上。

在本發明之一實施例中，上述之誘發放電結構包括金屬材、奈米碳管(carbon nanotube)、奈米碳壁(carbon nanowall)、奈米孔隙碳材(carbon nanoporous)、柱狀氧化鋅(ZnO)、氧化鋅(ZnO)材等。

在本發明之一實施例中，上述之電子發射式發光裝置更包括一二次電子源材料層(secondary electron source material layer)，配置於陰極上。

在本發明之一實施例中，上述之二次電子源材料層的材質包括氧化鎂(MgO)、二氧化矽(SiO2)、三氧化二鋱(Tb₂ O₃ )、三氧化二鑭(La₂ O₃ )或二氧化鈰(CeO₂ )。

在本發明之一實施例中，上述之氣體包括惰性氣體、氫氣、二氧化碳、氧氣或空氣。

本發明另提出一種電子發射式發光裝置的封裝方法。此方法首先提供一電子發射式發光裝置，其包括第一基板以及第二基板，且第一基板上已形成有陰極，第二基板上已形成有陽極，陽極及陰極至少其中之一上已形成有螢光層。在第一基板與第二基板之間形成密封膠，且密封膠具有開口。接著，在密封膠之開口裝設通氣管，並且將通氣管與管路連接，其中管路與抽氣裝置以及與填充氣體裝置連接。之後，將電子發射式發光裝置加熱，並開啟抽氣裝置使電子發射式發光裝置內的氣體抽出。之後，關閉抽氣裝置，且開啟填充氣體裝置，以將氣體填充至電子發射式發光裝置中。最後燒斷通氣管，以密封住密封膠之開口。

在本發明之一實施例中，上述之電子發射式發光裝置被加熱至攝氏300～400度。

在本發明之一實施例中，上述之第一基板上的陰極為具有圖案設計的陰極。

在本發明之一實施例中，上述之密封膠內分佈有多個間隙物。

基於上述，由於本發明之電子發射式發光裝置的陰極具有圖案的設計，因此可以分散兩電極之間的電場邊緣效應，進而增加發光裝置的發光均勻度，並且可減少電子發射式發光裝置的整體厚度。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

本發明所提出的電子發射式發光裝置兼具傳統氣體放電光源與場發射光源的優點，且克服了這兩種傳統發光結構的缺點。更詳細地說，本發明的電子發射式發光裝置不需形成電子發射端，而是利用稀薄的氣體放電將電子由陰極輕易導出，並使電子直接與撞擊螢光層反應而發出光線。相較於習知的氣體放電光源，本發明之電子發射式發光裝置內所填充之氣體的量僅需要能將電子由陰極導出即可，且並非利用紫外光照射螢光層來產生光線，因此不需擔心元件內的材料被紫外光照射的衰減問題。由實驗與理論驗證我們得知，本發明之電子發射式發光裝置內的氣體較為稀薄，因此電子的平均自由路徑可以達到約5mm或5mm以上。換言之，大部分的電子在撞擊氣體的分子前便會直接撞擊到螢光層，而發出光線。此外，本發明之電子發射式發光裝置不需經由兩道過程來產生光線，因此發光效率較高，也可減少能量損耗。

此外，本發明之電子發射式發光裝置內填充稀薄的氣體，因此不需超高真空度環境，可避免進行超高真空度封裝時所遇到的困難。另外，經由實驗獲知，本發明之電子發射式發光裝置藉由氣體的幫助，可以使啟始電壓(turn on voltage)降至約0.4V/μm，遠低於一般場發射光源高達1~3V/μm的啟始電壓值。再者，依據Child-Langmuir方程式，將本發明之電子發射式發光裝置的實際相關數據代入計算，可以得出本發明之電子發射式發光裝置的陰極暗區分布範圍約在10~25公分(cm)之間，遠大於陽極與陰極的間距。換言之，在陽極與陰極之間幾乎不會產生電漿狀態的氣體，因此可以確定本發明之電子發射式發光裝置並非利用電漿機制發光，而是利用氣體導放電的方式導出陰極的電子，再由電子直接與螢光層作用而發光。

請參考圖2，其繪示本發明之電子發射式發光裝置的剖面示意圖。如圖2所示，電子發射式發光裝置200主要包括第一基板218、第二基板208、密封膠250、氣體230以及螢光層240，其中第一基板218上具有陰極220，且第二基板208上具有陽極210。

第一基板218、第二基板208例如是透明基板，其材質例如是玻璃、聚合物或是其他合適的透明材質。

陽極210例如是由一透明導電材料(Transparent Conductive Oxide,TCO)所製成，以使所產生的光線可穿過陽極210射出電子發射式發光裝置200，其中可以選用的透明導電材料例如是銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)等常見的材質。當然，在其他實施例中，陽極210也可以是由金屬或其他具有良好導電性的材質製作而成。此外，陰極220亦可由一透明導電材料或是金屬所製成，其中可以選用的透明導電材料例如是銦錫氧化物或銦鋅氧化物等常見的材質。值得注意的是，陰極220與陽極210至少其中之一為透明導電材料，以使所產生的光線可由陰極220、陽極210或是兩者穿出。

一般來說，在兩平行板電極的邊緣之間會產生較高密度的電力線分佈與電場，其稱為電場的邊緣效應(edge effect)。而且當兩電極之間的距離越接近的時候，電場邊緣效應將會更加的嚴重而使放電不均勻，也就是造成發光不均勻的情形。如果要對發光裝置進行薄化將勢必考慮到邊緣效應所帶來的問題。因此，本發明特別在電子發射式發光裝置的陰極作圖案設計，以分散邊緣效應。換言之，本發明在陰極上設計圖案，由於每一陰極的圖案的邊緣也會有邊緣效應，因此可以分散所產生的電場邊緣效應，使得電場邊緣效應不再集中於發光裝置的四個邊緣。而在陰極設計圖案的方法可以是如圖2A或圖2B所示之實施例。

請先參照圖2A，在此實施例中，使陰極具有圖案設計的方法是先在第一基板218上形成一導電層220a，之後再於導電層220a表面上之多個導電圖案220b，因而陰極220之表面即具有高低起伏之圖案。形成導電圖案220b的方法例如是先進行沈積程序再進行蝕刻程序而形成，或者是直接以遮罩進行沈積程序而形成。導電圖案220b可以是條狀、塊狀、島狀形式且可以為任意形狀。導電層220a與導電圖案220b之材質例如是透明導電材料或金屬，且兩者之材質可以是相同或是不相同。

在另一實施例中，使陰極20具有圖案設計的方法如圖2B所示。先在第一基板218之表面形成凹紋218a，之後再於第一基板218的表面形成共形的導電層220，以構成具有圖案設計的陰極220。而在第一基板218的表面形成圖案218a的方法例如是以超音波加工程序對第一基板217進行刻凹紋。類似地，在第一基板217上所刻出的凹紋218a可以是條狀、塊狀或是點狀形式的凹紋且可為任意形狀。

請再回到圖1，電子發射式發光裝置除了上述之陰極220以及陽極210之外，還包括螢光層240、密封膠250以及氣體230。

螢光層240配置於電子202的移動路徑上，以與電子202作用而發出光線。在本實施例中，螢光層240例如是被塗佈在陽極210的表面。此外，藉由選擇螢光層240的種類，可以使電子發射式發光裝置發出可見光、紅外線或紫外線等不同類型的光線。

密封膠250位於第一基板218與第二基板208的邊緣，以將第一基板218與第二基板208組立在一起。密封膠250可為紫外光密封膠、熱固化密封膠或是其他合適之密封膠。另外，根據本發明之一實施例，在密封膠250中更包括分佈有間隙物250a，用以加強密封膠250的支撐強度。此外，根據電子發射式發光裝置的尺寸大小，可以選擇是否要在電子發射式發光裝置內部放置支撐物230a，以支撐第一基板218與第二基板208之間的間隙。

值得一提的是，由於本發明在陰極220設計有圖案以分散兩電極之間的電場邊緣效應，其除了可以使發光均勻度提升之外，還可以達到薄化發光裝置的目的。更詳細而言，由於本發明可使兩電極之間的電場邊緣效應分散，因而將陰極與陽極之間的距離縮小也不會造成發光不均勻的情形。因此，本發明之電子發射式發光裝置不需使用玻璃邊框，而可直接使用密封膠250將兩基板218、208組立在一起，進而使電子發射式發光裝置整體厚度大幅減少。

氣體230填充於陽極210(螢光層240)、陰極220與密封膠250之間，且氣體230受到電場作用後會產生適量的帶正電離子204，用以誘導陰極220發出多個電子202。值得注意的是，本發明之氣體230所存在之環境的氣壓介於10托爾(torr)至10^-3 托爾(torr)，較佳者，此氣壓介於2x10^-2 托爾(torr)至10^-3 托爾(torr)，氣壓的大小與陰極與陽極之間的距離有關。此外，本發明所使用的氣體230可以是惰性氣體、氫氣(H₂ )、二氧化碳(CO₂ )、氧氣(O₂ )或空氣等解離後具有良好導電性能的氣體，上述之惰性氣體包括氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)或氙(Xe)。

除了圖1所繪示的實施例之外，本發明為了提高發光效率，更可以在陰極上形成容易產生電子的材料，用以提供額外的電子源。圖2所繪示的電子發射式發光裝置與圖1之發光裝置相似，不同之處在於其陰極220上更包括形成有二次電子源材料層(secondary electron source material layer)222。此二次電子源材料層222的材質可以為氧化鎂(MgO)、三氧化二鋱(Tb₂ O₃ )、三氧化二鑭(La₂ O₃ )、氧化鋁(Al₂ O₃ )或二氧化鈰(CeO₂ )。由於氣體230會產生游離的離子204，且離子204帶正電荷，會遠離陽極210而朝向陰極220移動，因此當離子204撞擊陰極220上的二次電子源材料層222時，便可產生額外的二次電子202’。較多的電子(包括原有的電子202與二次電子202’)與螢光層240作用，便有助於增加發光效率。值得注意的是，此二次電子源材料層222不僅有助於產生二次電子，更可以保護陰極220避免受到離子204的過度轟擊。

此外，本發明亦可以選擇在陽極或陰極其中之一或同時在陽極與陰極上形成類似場發射光源之電子發射端的結構，用以降低電極上的工作電壓，更容易產生電子。圖4～6即分別繪示本發明多種具有誘發放電結構的電子發射式發光裝置，其中以相同的標號表示類似的構件，而對於這些構件不會重複說明。

圖4所示的電子發射式發光裝置與圖1之發光裝置的結構相似，不同之處在於其陰極220上形成有一誘發放電結構252，其例如是金屬材、奈米碳管(carbon nanotube)、奈米碳壁(carbon nanowall)、奈米孔隙碳材(carbon nanoporous)、柱狀氧化鋅(ZnO)、氧化鋅(ZnO)材等所構成的微結構。此外，氣體230位於陽極210與陰極220之間，而螢光層240配置於陽極210表面。藉由誘發放電結構252可以降低陽極210與陰極220之間工作電壓，更容易產生電子202。電子202與螢光層240作用，便可以產生光線。

圖5所繪示的電子發射式發光裝置與圖4所繪示者類似，較明顯的差異處乃是改為在陽極210上配置誘發放電結構254，而此誘發放電結構254如同前述，可為金屬材、奈米碳管(carbon nanotube)、奈米碳壁(carbon nanowall)、奈米孔隙碳材(carbon nanoporous)、柱狀氧化鋅(ZnO)、氧化鋅(ZnO)材等所構成的微結構。此外，螢光層240則是配置於誘發放電結構254上。

圖6則是繪示兼具誘發放電結構254與252的一種電子發射式發光裝置，其中誘發放電結構254配置於陽極210上，螢光層240配置於誘發放電結構254上，而誘發放電結構252配置於陰極220上。氣體230則位於陽極210與陰極220之間。

上述之多種具有誘發放電結構252與/或254的電子發射式發光裝置更可以整合如圖2所繪示之二次電子源材料層222的設計，而在陰極220上形成二次電子源材料層，若陰極220上已形成有誘發放電結構254，則可以使二次電子源材料層覆蓋誘發放電結構254。如此，不僅可以降低陽極210與陰極220之間的工作電壓，使電子202的產生更為容易，也可以藉由二次電子源材料層增加電子202的數量，提高發光效率。

上述各實施例所描述的電子發射式發光裝置皆為平面形式的發光裝置，然本發明不限於此。在其他的實施例中，電子發射式發光裝置亦可以是曲面形式，如圖7以及圖8所示。在圖7以及圖8之電子發射式發光裝置中僅繪示出第一基板218、第二基板208以及密封膠250並省略繪示兩基板218、208上之膜層以易於說明。事實上，第一基板218、第二基板208上已形成有如上各實施例所述之陰極、陽極及螢光層，在其他的實施例中，更有誘發放電結構及/或二次電子源材料層。在圖7與圖8中，第一基板218與第二基板208為非平面基板，而是具有曲率的基板。因而後續形成在第一基板218與第二基板208上的膜層將同樣順著基板的彎曲度彎曲。因此，最後將兩基板組立在一起之後即可形成曲面型式的電子發射式發光裝置。

圖9A至圖9C為根據本發明之實施例之電子發射式發光裝置的封裝方法的示意圖。請參照圖9A，首先提供電子發射式發光裝置，其包括第一基板218以及第二基板208。為方便說明，圖9A與圖9B僅繪示出第一基板218以及第二基板208而省略繪示兩基板218、208上之膜層。事實上，第一基板218、第二基板208上已形成有如上各實施例所述之陰極、陽極及螢光層，在其他的實施例中，更有誘發放電結構及/或二次電子源材料層等等。

接著，在第一基板218與第二基板208之間形成密封膠250，且密封膠250具有開口251。如同先前實施例所述，密封膠250內亦可包含有間隙物，在兩基板218、208之間亦可以分散有間隙物。

之後，請參照圖9B，在密封膠250之開口251裝設通氣管304。上述之通氣管304例如是玻璃管。接著，將通氣管304與管路320連接，其中所述管路320與抽氣裝置306以及與填充氣體裝置308連接。而在通氣管304與抽氣裝置306之間的管路320上更設置有閥門310，在通氣管304與填充氣體裝置308之間的管路320上更設置有閥門312。

之後，在電子發射式發光裝置的周圍裝設加熱裝置302，以對電子發射式發光裝置進行加熱，加熱裝置302例如是線圈電阻式加熱裝置，且上述之加熱溫度例如是攝氏200～400度。之後，開啟閥門210並且啟動抽氣裝置306，以使電子發射式發光裝置內的氣體抽出。之後，關閉閥門310以及抽氣裝置306，然後開啟閥門312並且啟動填充氣體裝置308，以將氣體填充至電子發射式發光裝置中。上述之氣體例如是惰性氣體、氫氣(H₂ )、二氧化碳(CO₂ )、氧氣(O2)或空氣等解離後具有良好導電性能的氣體，上述之惰性氣體包括氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)或氙(Xe)。

最後，燒斷通氣管304，以密封住密封膠250之開口251，如圖9C所示。燒斷的通氣管304a將形成用以密封的塞子，以使電子發射式發光裝置內的氣體無法散出。如此，即完成電子發射式發光裝置的封裝。

本發明所提出的電子發射式發光裝置之陰極具有圖案設計，藉以分散兩電極之間的電場邊緣效應。因此，本發明之電子發射式發光裝置的發光均勻度較佳。另外，由於本發明可分散兩電極之間的電場邊緣效應，因此即使將兩電極之間的距離拉近，也不會使發光均勻度受到影響，因而可減少電子發射式發光裝置的整體厚度。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

202．．．電子

202’．．．二次電子

204．．．離子

208．．．第二基板

210．．．陽極

218．．．第一基板

218a．．．凹紋

220．．．陰極

220a．．．導電層

220b．．．導電圖案

230．．．氣體

240．．．螢光層

222．．．二次電子源材料層

252、254．．．誘發放電結構

250．．．密封膠

250a、230a．．．間隙物

251．．．開口

302．．．加熱裝置

304．．．通氣管

306．．．抽氣裝置

308．．．填充氣體裝置

310、312．．．閥門

320．．．管線

圖1是根據本發明之一實施例之電子發射式發光裝置的剖面示意圖。

圖2A及圖2B是根據本發明之實施例之電子發射式發光裝置中的陰極的剖面示意圖。

圖3至圖6是根據本發明之數個實施例之電子發射式發光裝置的剖面示意圖。

圖7及圖8是根據本發明之實施例之曲面式電子發射式發光裝置的剖面示意圖。

圖9A至圖9C是根據本發明之實施例之電子發射式發光裝置的封裝方法的示意圖。

218．．．基板

220．．．陰極

220a．．．導電層

220b．．．導電圖案

Claims

一種電子發射式發光裝置，包括：一第一基板，該第一基板具有多個凹紋，且該第一基板的表面上覆蓋有一共形的導電層以構成一陰極，其中該陰極具有圖案設計；一第二基板，位於該第一基板的對向，且該第二基板上配置有一陽極；一密封膠，位於該第一基板與該第二基板的邊緣，以將該第一基板與該第二基板組立在一起；一氣體，配置於該陰極與該圖案化陽極之間，用以誘導該陰極發出多個電子，其中該氣體所存在之環境的氣壓介於10托爾(torr)至10^-3 托爾(torr)；以及一螢光層，配置於該些電子的移動路徑上，以與該些電子撞擊作用而發出光線。
一種電子發射式發光裝置，包括：一第一基板，該第一基板具有一陰極，其中該陰極包括一未圖案化導電層以及位於該未圖案化導電層表面上之多個導電圖案；一第二基板，位於該第一基板的對向，且該第二基板上配置有一陽極；一密封膠，位於該第一基板與該第二基板的邊緣，以將該第一基板與該第二基板組立在一起；一氣體，配置於該陰極與該圖案化陽極之間，用以誘導該陰極發出多個電子，其中該氣體所存在之環境的氣壓介於10托爾(torr)至10^-3 托爾(torr)；以及一螢光層，配置於該些電子的移動路徑上，以與該些電子撞擊作用而發出光線。
如申請專利範圍第1或2項所述之電子發射式發光裝置，其中該密封膠內分佈有多個第一間隙物。
如申請專利範圍第1或2項所述之電子發射式發光裝置，更包括多個第二間隙物，分佈於該陰極與該陽極之間。
如申請專利範圍第1或2項所述之電子發射式發光裝置，其中該第一基板與該第二基板為平面或是曲面。
如申請專利範圍第1或2項所述之電子發射式發光裝置，其中該螢光層位於該陽極表面。
如申請專利範圍第1或2項所述之電子發射式發光裝置，其中該陽極由一透明導電材料(Transparent Conductive Oxide,TCO)所製成。
如申請專利範圍第1或2項所述之電子發射式發光裝置，其中該陽極或該陰極的材質包括金屬。
如申請專利範圍第1或2項所述之電子發射式發光裝置，更包括一誘發放電結構，其配置於該陽極與該陰極至少其中之一上。
如申請專利範圍第9項所述之電子發射式發光裝置，其中該誘發放電結構包括金屬材、奈米碳管(carbon nanotube)、奈米碳壁(carbon nanowall)、奈米孔隙碳材(carbon nanoporous)、柱狀氣化鋅(ZnO)、氧化鋅(ZnO)材等。
如申請專利範圍第1或2項所述之電子發射式發光裝置，更包括一二次電子源材料層(secondary electron source material layer)，配置於該陰極上。
如申請專利範圍第11項所述之電子發射式發光裝置，其中該二次電子源材料層的材質包括氧化鎂(MgO)、二氧化矽(SiO2)、三氧化二鋱(Tb₂ O₃ )、三氧化二鑭(La₂ O₃ )、氧化鋁(Al₂ O₃ )或二氧化鈰(CeO₂ )。
如申請專利範圍第1或2項所述之電子發射式發光裝置，其中該氣體包括惰性氣體、氫氣、二氧化碳、氧氣或空氣。
一種電子發射式發光裝置的封裝方法，包括：提供一電子發射式發光裝置，其包括一第一基板以及一第二基板，且該第一基板上已形成有一陰極，該第二基板上已形成有一陽極，該陽極或該陰極上已形成有一螢光層；在該第一基板與該第二基板之間形成一密封膠，且該密封膠具有一開口；在該密封膠之開口裝設一通氣管；將該通氣管與一管路連接，其中該管路與一抽氣裝置以及與一填充氣體裝置連接；將該電子發射式發光裝置加熱，並透過開啟該抽氣裝置使該電子發射式發光裝置內的氣體抽出；關閉該抽氣裝置，且開啟該填充氣體裝置，以將一氣體填充至該電子發射式發光裝置中；以及燒斷該通氣管，以密封住該密封膠之開口。
如申請專利範圍第14項所述之電子發射式發光裝置的封裝方法，其中該電子發射式發光裝置被加熱至攝氏 200~400度。
如申請專利範圍第14項所述之電子發射式發光裝置的封裝方法，其中該第一基板上的該陰極為具有圖案設計的陰極。
如申請專利範圍第14項所述之電子發射式發光裝置的封裝方法，其中該第一基板與該第二基板為平面或是曲面。
如申請專利範圍第14項所述之電子發射式發光裝置的封裝方法，其中該密封膠內分佈有多個第一間隙物。