KR20090010397A - 전자방출 표시장치와, 이의 제조방법 - Google Patents

전자방출 표시장치와, 이의 제조방법 Download PDF

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Abstract

전자방출 표시장치와, 이의 제조방법을 개시한다. 본 발명은 제 1 기판과, 이와 대향되게 배치된 제 2 기판을 가지는 복수의 기판;과, 제 1 기판과, 제 2 기판 사이에 형성된 전극;과, 제 1 기판과, 제 2 기판 사이에 형성된 발광층;과, 전극상에 형성된 전자 방출원;과, 상기 전자 방출원의 표면에 코팅된 하이 밴드 갭재;를 포함한 것으로서, 전자 방출원의 표면에 하이 밴드 갭재가 코팅되고, 이를 재활성화처리됨으로써, 전자의 이온화 충돌에 의하여 생성된 가스 이온들이 전자 방출원으로 가속되어 충돌시 전자 방출원을 보호하게 된다. 또한, 장기적으로 안정성이 향상될뿐 아니라, 턴 온 전압, 동작 전압을 낮출 수가 있다.
전자 방출원, 전계 방출 소자, 전자방출 표시장치

Description

전자방출 표시장치와, 이의 제조방법{Electron emisson display device and the fabrication method thereof}
본 발명은 전자방출 표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전자방출 표시장치의 장기적인 안정성을 향상시키고, 전압 및 휘도를 향상시키기 위하여 구조와 방법이 개선된 기체여기 발광소자와, 이의 제조방법에 관한 것이다.
통상적으로, 전자방출 표시장치(electron emisson display device)는 제 1 기판쪽에 방출된 전자를 제 2 기판에 형성된 발광층에 충돌시켜 이의 발광을 이용해 소정의 영상을 구현하는 평판 표시 장치(flat display device)로서, 전자 방출원으로서 열음극(hot cathode)을 이용하는 방식과 냉음극(cold cathode)을 이용하는 방식이 있다.
이중에서 냉음극을 이용하는 방식의 전자방출 표시장치로는 전계방출 표시장치(field emission display device, 이하 FED)가 있으며, 상기 전계방출 표시장치는 전계 방출(field emitter, FE)형 전계방출 표시장치와, 금속-절연층-금속 (metal-insulator-metal, MIM)형 전계방출 표시장치와, 금속-절연층-반도체 (metal-insulator-semiconductor, MIS)형 전계방출 표시장치 및 표면전도 에미 션(surface conduction emission, SCE)형 전계방출 표시장치등이 알려져 있다.
상기 전계방출 표시장치는 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들로 전자 방출원을 형성하고, 전자 방출을 제어하기 위한 전극들을 구비하여 소정의 표시를 행한다. 이러한 전계방출 표시장치는 전자 방출원의 특성에 따라 표시 장치의 전체 품질이 큰 영향을 받게 된다.
종래의 전계방출 표시장치는 고전자 방전 효율과 안정성을 가지는 탄소나노튜브(carbon nano tube)를 전자 방출원으로서 이용하고자 하였다. 탄소나노튜브를 전자 방출원으로 이용할 경우, 휘도를 높이기 위하여 그리드 전극 또는 애노우드 바이어스 전압을 높이거나, 캐소우드와 그리드 전극간의 길이가 비교적 큰 경우에 일정한 전계를 형성하기 위하여 그리드 전압을 높이면, 전류값과 휘도가 시간이 지나면서 서서히 감쇄하는 문제가 발생하게 된다. 그 원인은 전자 충돌에 생성된 가스 이온이 캐소우드로 가속하여 탄소나노튜브와 충돌하여서 탄소나노튜브가 파손되는 것에 기인하는 것으로 예측된다.
도 1a 및 도 1b는 종래의 캐소우드와 그리드 전극 사이에 70V 이상의 고전압이 인가되었을 때, 휘도가 감소하면서 패널이 에이징되는 현상을 보여주고 있는데, 탄소나노튜브는 서서히 도 1a에서 도 1b처럼 파손되는듯한 현상이 나타난다. 이에 따라, 전류 및 휘도가 감소하고, 깜빡이는 부분이 발생하게 된다.
도 4는 종래의 듀티(duty) 변화에 따른 애노우드 전류 변화를 측정한 것이다.
도면을 참조하면, 52 마이크로미터의 간격을 두고, 7.13 토르(Torr) 이하의 Xe 압력에서 싱글 게이트 탄소나노튜브 트로이드 구조에서 전류 변화를 측정한 결과인데, 진공에 비하여 가스중에서 애노우드로 흐르는 전류값(la)가 큼을 알 수 있다. 즉, 여기뿐만 아니라, 가속 전자에 의한 전리도 발생하며, 결과적으로 탄소나노튜브의 장기 안정성에 영향을 끼칠 수 있다는 것을 보여주고 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 전자의 이온화 충돌에 의하여 생성된 가스 이온들이 전자 방출원으로 가속되어 충돌시 전자 방출원이 파손하는 것을 방지하기 위한 전자방출 표시장치와, 이의 제조방법을 제공하는 것을 주된 과제로 한다.
상기와 같은 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 측면에 따른 전자방출 표시장치는,
제 1 기판과, 이와 대향되게 배치된 제 2 기판을 가지는 복수의 기판
상기 제 1 기판과, 제 2 기판 사이에 형성된 전극;
상기 제 1 기판과, 제 2 기판 사이에 형성된 발광층;
상기 전극상에 형성된 전자 방출원; 및
상기 전자 방출원의 표면에 코팅된 하이 밴드 갭재;를 포함한다.
또한, 상기 하이 밴드 갭재는 금속계 산화물인 것을 특징으로 한다.
아울러, 상기 금속계 산화물은 산화마그네슘(MgO)나, 산화규소(SiO2)나, 산호티타늄(TiO2)중에서 선택된 어느 하나이다.
게다가, 상기 하이 밴드 갭재의 두께는 0 보다 크고, 300 Å 이하이다.
더욱이, 상기 전극은 상기 제 1 기판의 내표면에 형성된 애노우드와, 상기 제 2 기판의 내표면에 형성된 캐소우드와, 절연층을 사이에 두고 상기 캐소우드와 절연된 게이트 전극을 포함하고,
상기 전자 방출원은 상기 캐소우드상에 형성된 것을 특징으로 한다.
아울러, 상기 전자 방출원은 상기 하이 밴드 갭재가 코팅된 다음에 재활성처리된다.
본 발명의 다른 측면에 따른 전자방출 표시장치의 제조 방법은,
기판상에 전극을 형성하는 단계;
상기 전극상에 전자 방출원을 형성하고, 활성화하는 단계;
상기 전자 방출원의 표면에 하이 밴드 갭재를 형성하는 단계; 및
상기 전자 방출원을 재활성화하는 단계;를 포함한다.
또한, 상기 하이 밴드 갭재는 금속계 산화물을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 한다.
게다가, 상기 전자 방출원을 재활성화하는 단계에서는,
접착성 테이프나, 실리콘 고무나, 자외선 경화형 수지중 선택된 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 전자방출 표시장치와, 이의 제조방법은 전계 방출 표시 장치와, 이의 제조 방법은 전자 방출원의 표면에 하이 밴드 갭재가 코팅되고, 이를 재활성화처리됨으로써, 전자의 이온화 충돌에 의하여 생성된 가스 이온들이 전자 방출원으로 가속되어 충돌시 전자 방출원을 보호하게 된다. 또한, 장기적으로 안정성이 향상될뿐 아니라, 턴 온 전압, 동작 전압을 낮출 수가 있다.이상의 설명에서와 같이, 본 발명의 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
이하에서, 첨부된 도면을 참조하면서, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전자방출 표시장치를 상세하게 설명하고자 한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자방출 표시장치(300)를 도시한 것이다.
도면을 참조하면, 상기 전자방출 표시장치(300)는 제 1 기판(301)과, 상기 제 1 기판(301)과 대향되게 배치된 제 2 기판(302)을 포함하며, 제 2 기판(302)에는 전계를 방출하는 구성이 형성되며, 상기 제 1 기판(301)에는 방출된 전자에 의하여 소정의 이미지를 구현하는 구성이 형성되어 있다.
즉, 상기 제 2 기판(302)의 내표면에는 캐소우드(303)가 형성되어 있다. 상기 캐소우드(303)는 스트라이프 형상이며, 제 2 기판(302)의 일방향으로 라인 패턴화되어 있다. 상기 캐소우드(303)로는 도전성이 우수한 금속막, 은 페이스트를 이용하여 형성되어 있다. 상기 캐소우드(303) 상에는 전자 방출원(304)이 형성되어 있다.
상기 캐소우드(303)는 절연층(305)에 의하여 매립되어 있다. 상기 절연층(305)은 전자 방출원(304)을 노출시키는 개구부(306)를 가지면서 제 2 기판(302)의 전체 영역에 걸쳐서 형성되어 있으며, 절연 기능을 위하여 충분한 두께를 확보하고 있다. 상기 절연층(305)은 실리콘 옥사이드계 또는 실리콘 나이트라이드계로 이루어져 있다.
상기 절연층(305)의 윗면에는 게이트 전극(307)이 형성되어 있다. 상기 게이트 전극(307)은 스트라이프 형상이며, 제 2 기판(302)의 타방향으로 라인 패턴화되어 있다. 상기 게이트 전극(307)은 상기 캐소우드(303)와 교차하는 방향으로 배치되어서, 교차 영역을 픽셀 영역으로 정의할 수가 있다.
상기 게이트 전극(307)은 ITO 막이나, IZO 막과 같은 투명화 도전막이나, 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 텅스텐(W) 또는 은(Ag)과 같은 전도성이 우수한 금속막과 같은 소재로 이루어져 있다. 상기 캐소우드(303)와, 절연층(305)과, 게이트 전극(307)의 패턴은 상기 구조에 한정되지 않고, 다양한 패턴으로 형성가능함은 물론이다.
상기 제 2 기판(302)과 평행하게 배치된 제 1 기판(301)의 내표면에는 상기 전자 방출원(304)으로부터 방출된 전자를 가속하기 위하여 필요한 고전압, 이를테면, 1 내지 5 kV가 인가되는 애노우드(308)가 형성되어 있다. 상기 애노우드(308)는 개구율을 고려하여 ITO막과 같은 투명한 도전막으로 이루어져 있다.
상기 애노우드(308)의 표면에는 전자에 의하여 여기되어 가시광을 방출하는 발광층(309)이 형성되어 있다. 상기 발광층(309)은 전자 방출원(304)이 형성된 영역과 대응되는 곳에 형성되어 있다. 상기 발광층(309) 사이에는 콘트라스트를 향상시키기 위하여 블랙 매트리스층(310)이 형성될 수 있다.
한편, 상기 제 1 기판(201)과, 제 2 기판(202) 사이에는 결합된 내부 공간을 진공 상태로 유지하면서 일정한 셀 갭을 유지하기 위하여 다수의 스페이서(미도시)가 배치될 수가 있다.
여기서, 상기 전자 방출원(302)의 표면에는 하이 밴드 갭재가 코팅되어 있으며, 상기 전자 방출원(302)은 재활성(reactivation)화되어 있다.
보다 상세하게는 다음에 설명하는 바와 같다.
상기 캐소우드(304)와 게이트 전극(307)이 서로 교차하는 지점, 즉, 각각의 픽셀 영역에는 에미터 홀(emitter hole)이라고 정의할 수 있는 개구부(306)가 형성되어 있다. 상기 개구부(306)에는 절연층(305)과 게이트 전극(307)을 다같이 관통하고, 전자 방출원(304)이 형성된 캐소우드(303)가 일부 노출되어 있다.
이때, 상기 전자 방출원(304)은 진공중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 소재, 탄소나노튜브나, 흑연, 흑연 나노파이버나, 다이아몬드와 같은 카본계 소재나, 실리콘 나노 와이어(silicon nano wire)와 같은 나노미터 크기의 소재가 바람직하다.
상기 카본계 소재나, 나노미터 크기의 소재로 된 전자 방출원(304)은 화학적으로 안정적이고, 구조적으로 강성이 있으며, 고온에서 안정적이다. 또한, 소성 온도를 높일 수가 있으며, 공기중에서도 소성이 가능하다. 그리고, 합성된 형상을 살 펴보면 뒤틀림이 없으며, 표면 결함(surface defect)이 적다. 이에 따라, 전도성이 우수하며, 전계 방출 특성이 우수하다.
이처럼, 상기 전자 방출원(304)은 캐소우드(303)와 게이트 전극(307)이 교차하는 영역에 선택적으로 형성될 수 있다. 대안으로는 상기 전자 방출원(304)은 기판상에 라인 패턴화된 게이트 전극이 형성되고, 그 상면에 절연층에 의하여 절연된 캐소우드가 형성된 이른바 언더 게이트(undergate)형 전자방출 표시장치에도 적용가능하는등 어느 하나에 한정되는 것은 아니다.
이때, 상기 전자 방출원(304)의 표면에는 하이 밴드 갭재(hi band gap material, 311)이 코팅되어 있다.
도 4는 도 3의 전자 방출원이 형성된 부분을 확대 도시한 것이고, 도 5a는 도 4의 B 부분을 확대 도시한 것이고, 도 5b는 도 4의 C 부분을 확대도시한 것이고, 도 6은 도 3의 전자 방출원을 재활성화처리한 이후를 확대 도시한 것이다.
도 4 내지 도 6을 참조하면, 상기 전자 방출원(304)의 표면에는 하이 밴드 갭재(311)가 코팅되어 있다. 상기 하이 밴드 갭재(311)는 전자의 이온화 충돌에 의하여 생성된 가스 이온들이 전자 방출원(304)으로 가속되어서 충돌시 상기 전자 방출원(304)의 파손을 방지하기 위하여 형성되어 있다.
상기 하이 밴드 갭재(311)로는 금속계 산화물, 예컨대, 산화마그네슘(MgO)나, 산화규소(SiO2)나, 산호티타늄(TiO2)중에서 선택된 어느 하나인 것이 바람직하다. 상기 하이 밴드 갭재(311)가 전자 방출원(304)의 표면에 형성되는 방법은 다양 한 방법이 있는데, 전자빔 증착법이나, 스퍼터링법이나, CVD법중 선택된 어느 하나의 방법으로 형성하는 것이 바람직하다.
이때, 상기 하이 밴드 갭재(311)의 두께는 0 보다 크고 300 Å 이하이다. 상기 하이 밴드 갭재(311)의 두께가 300 Å 이하가 될 경우에는 턴온(turn on) 전압, 동작 전압을 낮게 할 수 있으므로 유리하다.
한편, 상기 하이 밴드 갭재(311)가 코팅된 전자 방출원(304)은 재활성(reactivation)화 처리되어 있다. 상기 전자 방출원(304)은 상기 하이 밴드 갭재(311)가 증착된 직후에는 전자 방출이 이루이지지 않다가, 재활성화된 이후에는 전자를 방출하는 특성을 나타낸다.
상기와 같은 구성을 가지는 전자방출 표시장치(300)의 작용을 살펴보면 다음과 같다.
상기 캐소우드(303)와, 게이트 전극(307) 사이에 소정의 전압을 인가하고, 상기 애노우드(308)에 전자 가속에 필요한 고전압을 인가하게 되면 전계방출 표시 장치(300)가 구현하게 된다.
즉, 상기 캐소우드(303)에는 수 내지 수십 볼트(V)의 “－” 전압을 인가하고, 상기 게이트 전극(307)에는 수 내지 수십 볼트(V)의 “＋” 전압을 인가하고, 상기 애노우드(308)에는 1 내지 5 킬로볼트(kV)의 “＋” 전압이 인가되면, 상기 캐소우드(303)과 게이트 전극(307) 사이로 전계를 형성하면서 상기 전자 방출원(304)으로부터 전자를 방출하고, 이 방출된 전자들을 전자빔화하여 형광체층(309)으로 유도함으로서 이를 타격하여 발생되는 가시광으로 소정의 칼라 이미지 를 구현할 수가 있게 된다.
보다 상세하게는 상기 캐소우드(303), 게이트 전극(307)의 전위차이에 의하여 전자 방출원(304) 주위에 강한 전계가 형성되며, 형성된 전계에 의하여 상기 전자 방출원(304)으로부터 양자역학적 터널링 효과(quantum mechanical tunneling effect)에 의하여 전자들이 방출되고, 상기 전자들이 애노우드(308)에 인가된 전압에 의하여 형광체층(309)에 높은 에너지를 가지고 충돌하여 이를 발광시켜 이미지를 형성하게 된다.
이때, 상기 전자방출 표시장치(300)은 특정 전압 이상에서는 전자 방출원(304)의 파손으로 전류 및 휘도가 감소하게 되는데, 이는 전자 충돌에 의하여 생성된 가스 이온이 전자 방출원(304)에 충돌하는 것으로 추정된다.
이를 방지하기 위하여, 상기 전자 방출원(304)의 표면에는 하이 밴드 갭재(311)이 코팅되어 있으므로, 전자의 이온화 충돌에 의하여 생성된 가스 이온들이 전자 방출원(304)으로 가속되어 충돌시 전자 방출원(304)를 보호가능하다. 한편, 상기 전자 방출원(304)은 하이 밴드 갭재(311)를 코팅화 이후에 재활성화처리하였으므로, 전자 방출 특성을 나타내게 된다.
본 출원인의 실험 결과에 따른 전자 방출원(304)의 특성을 도 7a 및 도 7b와 표 1을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
< 표 1>
비교예 실시예
턴 온 전압 55V 35V
여기서, 본 발명의 일 실시예에 따른 전계표시 방출장치는 활성화 면적이 12.25 cm2이고, 전자 방출원상에 하이 밴드 갭재로서 산화 마그네슘층을 코팅하고, 코팅된 산화 마그네슘층의 두께는 100Å이다. 또한, 에미터 홀이라고 할 수 있는 개구부의 직경은 12 마이크로미터이며, 전자 방출원의 표면에 하이 밴드 갭재를 코팅한 이후에 재활성처리를 한 것이다.
반면에, 비교예는 종래의 경우로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 전계표시 방출장치와는 비교시, 전자 방출원의 표면에 하이 밴드 갭재가 코팅되지 않고, 재활성화처리되지 않은 것을 제외하고는 동일한 조건이다.
도 7a, 도 7b 및 표 1을 참조하면, 10-6 토르(Torr) 진공중에서, 비교예의 경우에는 턴 온 전압이 55V 였지만, 본 실시예의 경우처럼, 전자 방출원의 표면에 하이 밴드 갭재를 코팅하고, 재활성화 처리를 했을때(조건: Vg 45V, Va 80V에서 la 170㎂) 턴 온 전압이 35V로 낮아짐을 알 수 있다.
상기와 같은 구조를 가지는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자방출 표시장치(300)을 제조하는 과정을 도 3 내지 6을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
먼저, 투명한 글래스로 된 제 2 기판(302)을 마련하고, 상기 제 2 기판(302)의 윗면에 은 페이스트와 같은 도전성이 우수한 금속재를 이용하여 캐소우드(303)를 스트립 형상으로 라인 패턴화시킨다. 상기 캐소우드(303)는 스크린 프린팅 또는 스퍼터링등의 방법에 의하여 형성시킬 수가 있다.
이어서, 상기 캐소우드(303)가 형성된 제 2 기판(302)상에 실리콘 옥사이드계 또는 실리콘 나이트라이드계 글래스 페이스트를 수회 스크린 프린트하여 절연 층(305)을 형성하게 된다.
다음으로서, 상기 절연층(305)의 윗면에 ITO, IZO와 같은 투명한 도전막이나, Mo, Ni, Ti, Cr, W, Ag와 같은 금속막을 이용하여서 게이트 전극(307)을 스트립 형상으로 라인 패턴화시킨다. 이때, 상기 게이트 전극(307)은 상기 캐소우드(303)과 교차하는 방향으로 형성시킨다.
이어서, 상기 절연층(305)과 게이트 전극(307)을 다같이 관통하는 에미터 홀역할을 하는 개구부(306)를 형성하게 된다. 상기 개구부(306)이 형성될 때, 상기 캐소우드(304)의 표면 일부가 노출된다.
상기 개구부(306)의 형성이 완료되면, 상기 개구부(306)를 통하여 상기 캐소우드(303)의 표면에 이와 전기적으로 연결되는 탄소나노튜브나, 흑연, 흑연 나노파이버나, 다이아몬드와 같은 카본계 소재나, 실리콘 나노 와이어와 같은 나노미터 크기의 소재로 이루어진 전자 방출원(304)를 형성하게 된다. 상기 전자 방출원(304)은 인쇄법이나, CVD법으로 형성시키는 것이 바람직하다.
상기 전자 방출원(304)이 형성된 다음에는 이를 활성화시킨다.
다음으로, 상기 전자 방출원(304)의 표면에 하이 밴드 갭재(311)를 코팅하게 된다. 상기 하이 밴드 갭재(311)로는 금속계 산화물, 예컨대, 산화마그네슘(MgO)나, 산화규소(SiO2)나, 산호티타늄(TiO2)중에서 선택된 어느 하나이다. 또한, 상기 하이 밴드 갭재(311)를 전자 방출원(304)의 표면에 형성시키는 방법으로는 전자빔 증착법이나, 스퍼터링법이나, CVD법중 선택된 어느 하나의 방법으로 형성된다. 이 때, 상기 하이 밴드 갭재(311)는 0 보다 크고 300 Å 이하의 두께로 형성시킨다.
이어서, 상기 하이 갭재(311)가 코팅된 전자 방출원(304)은 표면 처리 부재를 이용하여 표면 처리를 하여서 전자 방출원(304)를 재활성화시킨다.
이를 위해서, 제 2 기판(302) 상에 접착성 테이프를 위치시켜서 이를 하이 갭재(311)가 코팅된 전자 방출원(304)의 표면과 접촉시켜서 물리적 에너지에 의하여 전자 방출원(304)를 일으켜 세우게 된다. 대안으로는, 상기 하이 갭재(311)가 코팅된 전자 방출원(304)을 재활성화시키는 방법으로는 실리콘 고무나, 자외선 경화형 수지를 이용하는 방법이 있는등 어느 하나에 한정되는 것은 아니다.
이에 따라, 상기 전자 방출원(304)은 수직으로 정렬하게 된다. 이것은 상기 전자 방출원(304)의 단부가 애노우드(308)에 대하여 보다 가깝게 직선형으로 위치한 것을 의미한다.
한편, 상기 제 1 기판(301)의 내면에는 투명한 도전막으로 이루어진 애노우드(308)을 형성하고, 상기 애노우드(308)의 내면에 적,녹,청색의 발광층(309)을 형성하고, 상기 적,녹,청색의 발광층(309) 사이에 블랙 매트리스층(310)을 형성하게 된다. 이때, 상기 적,녹,청색의 발광층(309)은 상기 전자 방출원(304)과 대응되는 곳에 위치하고 있다.
상기와 같이 완성된 제 1 기판(301)과, 제 2 기판(302)은 대향되는 면의 가장자리를 따라서 프릿트 글라스와 같은 밀봉 부재를 이용하여 밀봉하고, 이를 소성시켜서, 상기 제 1 기판(301)과, 제 2 기판(302) 사이의 내부 공간의 밀폐를 완성하게 된다.
본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
도 1a는 종래의 전자 방출원이 파손되기 이전의 상태를 도시한 사진,
도 1b는 도 1a의 전자 방출원이 파손된 이후의 상태를 도시한 사진,
도 2는 종래의 듀티 변화에 따른 애노우드 전류를 도시한 그래프,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기체여기 발광소자의 구조를 도시한 단면도,
도 4a는 도 3의 기체여기 발광소자의 I-V 특성을 도시한 그래프,
도 4b는 도 3의 기체여기 발광소자의 진공 대 가스특성을 도시한 그래프,
도 5는 도 3의 전자 에미터가 형성된 부분을 확대도시한 단면도,
도 6a는 도 5의 A 부부을 확대도시한 단면도,
도 6b는 도 5의 B 부분을 확대도시한 단면도,
도 7은 도 5의 전자 에미터를 재활성한 이후의 상태를 확대도시한 단면도.
<도면의 주요 부호에 대한 간단한 설명>
300...전자방출 표시장치 301...제 1 기판
302...제 2 기판 303...캐소우드
304...전자 방출원 305...절연층
306...개구부 307...게이트 전극
308...애노우드 309...발광층
311...하이 밴드 갭재

Claims (13)

  1. 제 1 기판과, 이와 대향되게 배치된 제 2 기판을 가지는 복수의 기판
    상기 제 1 기판과, 제 2 기판 사이에 형성된 전극;
    상기 제 1 기판과, 제 2 기판 사이에 형성된 발광층;
    상기 전극상에 형성된 전자 방출원; 및
    상기 전자 방출원의 표면에 코팅된 하이 밴드 갭재;를 포함하는 전자방출 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전자 방출원은 탄소나노튜브(CNT)인 것을 특징으로 하는 전자방출 표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 하이 밴드 갭재는 금속계 산화물인 것을 특징으로 하는 전자방출 표시장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 금속계 산화물은 산화마그네슘(MgO)나, 산화규소(SiO2)나, 산호티타 늄(TiO2)중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전자방출 표시장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 하이 밴드 갭재의 두께는 0 보다 크고, 300 Å 이하인 것을 특징으로 하는 전자방출 표시장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 전극은 상기 제 1 기판의 내표면에 형성된 애노우드와, 상기 제 2 기판의 내표면에 형성된 캐소우드와, 절연층을 사이에 두고 상기 캐소우드와 절연된 게이트 전극을 포함하고,
    상기 전자 방출원은 상기 캐소우드상에 형성된 것을 특징으로 하는 전자방출 표시장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 전자 방출원은 상기 하이 밴드 갭재가 코팅된 다음에 재활성처리된 것을 특징으로 하는 전자방출 표시장치.
  8. 기판상에 전극을 형성하는 단계;
    상기 전극상에 전자 방출원을 형성하고, 활성화하는 단계;
    상기 전자 방출원의 표면에 하이 밴드 갭재를 형성하는 단계; 및
    상기 전자 방출원을 재활성화하는 단계;를 포함하는 전자방출 표시장치의 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 전자 방출원은 탄소나노튜브를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전자방출 표시장치의 제조방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 전자 방출원은 인쇄법 또는 CVD법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전자방출 표시장치의 제조방법.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 하이 밴드 갭재는 금속계 산화물을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전자방출 표시장치의 제조방법.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 하이 밴드 갭재는 전자빔 증착법이나, 스퍼터링법이나, CVD법중 선택된 어느 하나의 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전자방출 표시장치의 제조방법.
  13. 제 8 항에 있어서,
    상기 전자 방출원을 재활성화하는 단계에서는,
    접착성 테이프나, 실리콘 고무나, 자외선 경화형 수지중 선택된 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 전자방출 표시장치의 제조방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112164643A (zh) * 2020-09-29 2021-01-01 金陵科技学院 合手浅拱面阴极反弧加固直坡门控结构的发光背光源

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