JP4215911B2 - ニオブ粉末凝集物 - Google Patents

ニオブ粉末凝集物 Download PDF

Info

Publication number
JP4215911B2
JP4215911B2 JP28559699A JP28559699A JP4215911B2 JP 4215911 B2 JP4215911 B2 JP 4215911B2 JP 28559699 A JP28559699 A JP 28559699A JP 28559699 A JP28559699 A JP 28559699A JP 4215911 B2 JP4215911 B2 JP 4215911B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reduction
niobium
niobium powder
temperature
earth metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP28559699A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000119710A (ja
Inventor
ヨズア・レフエルホルツ
フランク・ベーレンス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HC Starck GmbH
Original Assignee
HC Starck GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by HC Starck GmbH filed Critical HC Starck GmbH
Publication of JP2000119710A publication Critical patent/JP2000119710A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4215911B2 publication Critical patent/JP4215911B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/04Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/048Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
    • H01G9/052Sintered electrodes
    • H01G9/0525Powder therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/16Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
    • B22F9/18Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G33/00Compounds of niobium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G35/00Compounds of tantalum
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22BPRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B34/00Obtaining refractory metals
    • C22B34/20Obtaining niobium, tantalum or vanadium
    • C22B34/24Obtaining niobium or tantalum
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22BPRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B5/00General methods of reducing to metals
    • C22B5/02Dry methods smelting of sulfides or formation of mattes
    • C22B5/18Reducing step-by-step
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C1/00Making non-ferrous alloys
    • C22C1/04Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
    • C22C1/045Alloys based on refractory metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C27/00Alloys based on rhenium or a refractory metal not mentioned in groups C22C14/00 or C22C16/00
    • C22C27/02Alloys based on vanadium, niobium, or tantalum
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/50Solid solutions
    • C01P2002/52Solid solutions containing elements as dopants
    • C01P2002/54Solid solutions containing elements as dopants one element only
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/50Agglomerated particles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/51Particles with a specific particle size distribution
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/60Particles characterised by their size
    • C01P2004/61Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/60Particles characterised by their size
    • C01P2004/62Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/10Solid density
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/12Surface area
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/40Electric properties
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/80Compositional purity

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、キャパシタを製造するのに適当なニオブ粉末に関するものであり、そしてアルカリ土類金属及び/又は希土類金属によりニオブ酸化物を還元することによりニオブ粉末を製造する方法に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
アルカリ土類金属又は水素化物による重金属酸化物の還元は基本的に知られている。例えば米国特許第1728941号、米国特許第2516863号及び米国特許第4687632号参照。1つの問題は還元が強く発熱的に進行するということである。還元されるべき酸化物と還元剤の混合物を強熱した(ignite)後、反応は非常に短い期間にわたり実質的に制御不可能に進行し、そして反応混合物が1000℃をはるかに超える温度に加熱されるということである。このタイプの反応は、爆発の方式で強まる高い圧力、反応熱を消散させる必要及び反応器材料に対してなされる要求により、制御するのに必ず困難を伴う。特に、他の問題のなかでも、制御できない粒子径(grain size)を有し、再現できないグレードの生成物が得られる。キャパシタに使用するための高純度土酸金属粉末(acidic earth metal powders)を製造するためにこの反応を使用しても成功しなかった。
【0003】
【課題を解決するための手段】
本発明は、アルカリ土類金属及び/又は希土類金属により対応するニオブ及び/又はタンタル酸化物を還元することによりニオブ及び/又はタンタル粉末を製造する方法であって、還元を制御された温度で2段階で行い、第1反応段階を、(Nb、Ta)Ox、式中xは0.5〜1.5である、に対応する平均組成に達するまで行い、そして第2段階の前に鉱酸で洗浄することにより第1段階の還元生成物から、形成されるアルカリ土類酸化物及び/又は希土類金属酸化物及び場合により過剰のアルカリ土類金属及び/又は希土類金属を除去することを特徴とする方法を含んで成る。
【0004】
第1還元段階において、アルカリ土類金属及び/又は希土類金属の溶融物を好ましくは容器に入れ、該酸化物を、第1還元段階の温度が750℃より低くはならず且つ950℃を超えないような方法で、該溶融物中に徐々に計量供給する。計量供給は、温度が上記した範囲内の予め選ばれた温度から50℃以上は変わらないような方法で行うのが最も好ましい。この予め選ばれた温度は最も好ましくは750℃〜850℃である。
【0005】
還元することができる酸化物はNb25、NbO2及び/又はTa25であり、Nb25が特に好ましい。
【0006】
本発明に従う好ましい還元性金属はマグネシウム、カルシウム、ランタン及びセリウムである。マグネシウムは特に好ましい。
【0007】
アルカリ土類金属及び/又は希土類金属による土酸金属粉末(acidic earth metal powders)の還元は一般により高い温度が可能ならば土酸金属段階まで行うことができるけれども、本発明に従う制御された低い温度では、還元は形成されるアルカリ土類金属酸化物及び/又は希土類金属酸化物により明らかに妨害され、その結果形成される酸化物が除去されるまで土酸金属段階には到達しないことが見いだされた。
【0008】
第1段階においてできる限り徹底的な(extensive)還元を確実にするために、酸化物は還元反応に関して化学量論的量以下の量で還元剤溶融物中に計量供給される。
【0009】
溶融物における局部的過熱効果を防止するために、溶融物は好ましくは撹拌される。特に、還元剤としてのマグネシウムの好まれる使用により、マグネシウムの沸点以上への溶融物の局部的過熱は、たとえ短い時間でも防止されなければならない。
【0010】
反応熱を消散させる(dissipate)ために、酸化物の満足すべき工業的に有用な添加速度を確実にするために溶融物を入れる反応器の表面を介して適切な冷却を与えることが必要である。他方、表面を介して与えられる冷却は還元剤の溶融温度以下に反応器壁の温度を減少させてはならない。例えば、マグネシウムの溶融温度は650℃であり、セリウムの溶融温度は797℃であり、カルシウムの溶融温度は850℃でありそしてランタンの溶融温度は920℃である。故に、容器表面の単位面積当たりの熱の消散があまり大きくないように注意しなければならない。
【0011】
液体冷却媒体を使用するならば、冷却媒体と還元温度との温度差は、好ましくは50〜100Kとするべきである。ガス状冷却媒体を使用するならば、冷却能力は、ガスの低い熱容量により、もっぱら供給されるガスの量によって制御することができる。
【0012】
あまりにも高すぎる冷却能力を有する冷却媒体を使用するならば、冷却能力は還元容器を対応して絶縁することにより制御することができる。
【0013】
冷却は、五酸化ニオブ各kg/時間の計量添加のために0.01〜0.1m2、好ましくは0.02〜0.08m2の冷却表面積が溶融物に接触しているように行うのが好ましい。この状況において、十分に均一な温度が撹拌された溶融物に行きわたるように冷却能力を制御することが可能である。
【0014】
還元は、不活性ガスの下に、即ち、特に酸素と炭素を含まない雰囲気で行うのが好ましい。窒素又はアルゴンのような希ガスは本発明に従う不活性ガスとして適当である。
【0015】
還元剤の溶融物への五酸化ニオブの徐々の連続的又はバツチ式添加のため、均一な滞留時間を保証することができない。反応を完了させそして15分の最小滞留時間を確実にするために、還元生成物をその後更に750〜900℃で15〜180分、好ましくは15〜30分加熱する。
【0016】
しかる後、還元生成物を100℃以下の温度に冷却しそして酸素含有雰囲気との漸次の接触により不活性化される。還元剤から形成された酸化物及び化学量論的量より過剰に存在している還元剤を、次いで酸で洗浄することによりNbOx粉末から分離する。好ましく使用される酸は硫酸、特にpH<1.5を有する硫酸である。酸による洗浄及び水による洗浄を、マグネシウムが酸中にもはや検出できなくなるまで交互に(alternately)且つ繰り返して行うことができる。NbOx粉末からの酸の最終洗浄除去は水中に硫酸がもはや検出できなくなるまで行われる。
【0017】
得られるNbOx粉末は凝集した一次粒子(agglomerated primary particles)の形態で存在する。
【0018】
一次粒子径(primary particle size)は酸素の除去及び結晶構造の変化による容積の減少を考慮して、酸化物出発物質の粒子径(particle size)により本質的に決定される。
【0019】
酸化物出発物質の粒子径は所望の一次粒子径に従って選ばれる。この目的は、酸化物出発物質の対応する粉砕及びふるい分けにより第2還元段階後に得ることができる土酸金属粉末について0.1〜1μmの一次粒子径を達成することである。
【0020】
本発明に従う第1還元段階はバッチ操作として行うことができる。この目的で、還元剤を(好ましくはタンタルシートでライニングされておりそしてニオブ又はタンタルから作られた撹拌器を具備する)容器に入れ、そして還元温度に加熱し、撹拌器を作動させ、次いで五酸化ニオブを溶融物に少量ずつ(in small dose)で加える。できるだけ徹底的な還元を達成するために、還元剤の化学量論的過剰は添加された五酸化物の全量に対して少なくとも10%であるべきである。還元反応器の内容物を撹拌することができるために、25〜400%過剰の還元剤が好ましくは使用される。還元剤の化学量論的過剰は最も好ましくは50〜200%であるべきである。還元剤の過剰は、塩化又はフッ化ナトリウム又はカリウムのような還元温度で液体である不活性希釈剤塩により部分的に置き換えることもできる。
【0021】
与えられたバッチサイズ(batch size)について、この第1段階の還元生成物の凝集物(agglomerates)のサイズ及びサイズ分布、従って第2段階後に得られた金属粉末の寸法及び寸法分布は、化学量論的過剰及び場合により希釈剤塩の量、並びに撹拌速度の選択により制御することができる。化学量論的大過剰の還元性金属(reducing metal)及び大量の希釈剤塩はより高い撹拌速度と同様により小さな凝集物を生じさせる。
【0022】
キャパシタに使用するために、マスターサイザー(Mastersizer)により測定されたD50値が50〜300μmである凝集物が好ましく、その際D90値はD50値の1.8〜2.5倍であることができる。
【0023】
凝集物の寸法は粉砕操作により調整することができ、又は第2還元段階において調整することができる(凝集物の拡大)。
【0024】
他の目的、特徴及び利点は添付図面に関してなされる好ましい態様の以下の詳細な説明から明らかになるであろう。
【0025】
図1は、モータ(M)駆動式撹拌器2、還元剤及び酸化物仕込み成分のための供給部3、4を有する円錐形反応容器1を示す。更なる入り口(示されていない)が保護ガスを供給するのに使用される。仕込み物(charge)は溶融段階に加熱され(還元剤について)、そして(Tn、Nb)酸化物は目標金属粒子に転換され、該目標金属粒子は角度の付いた出口区域6を有する出口管5を通過して、チャンネル供給ストッパー7を通って出てコンベヤ又はベルト(示されていない)上の小さなトレー8に至り、室9、11を通って輸送され、そして不活性雰囲気及び新たに形成された粒子の冷却のための最終空気放出を制御するインターロック弁10、12を越えて通過する。
【0026】
本方法の好ましい態様に従えば、第1還元段階は連続的に行われる。この手順において、還元剤の溶融物を円錐形容器に入れ、そして五酸化物及び還元剤を同時に又は交互に、上記の部品3、4を介して溶融物に連続的に加える。形成されたNbOx及びアルカリ土類酸化物はそれらのより高い密度のため反応器の円錐形先端部(conical tip)に沈降し、そしてそこから連続的に又は断続的に取り出すことができる。還元により形成されるNbOx/MgO粉末の円錐形先端部における圧縮(compaction)に依存して、粒子間に存在する溶融したマグネシウムはNbOx/MgO粉末の容積の25〜45%の量で除去される。従って、マグネシウムは対応して化学量論的過剰に加えられる。
【0027】
高純度の五酸化ニオブ及び還元剤を本発明に従う方法の出発物質として使用するのが好ましい。150ppmより少ない外来の金属の総含有率を有する五酸化ニオブを使用すると、キャパシタの製造に適当な最も好ましいニオブ粉末が得られる。最も好ましくは、不純物金属のどれも10ppmより多い量で存在するべきではない。還元剤として使用される金属又はタンタルのより高い含有率は問題を起こさない。一般に、非金属不純物は還元中に実質的に除去される。本発明に従えば、ニオブとタンタルの2つの金属の不完全な分離から生じる混合ニオブ/タンタル酸化物を使用することもできる。しかしながら、酸化物の炭素含有率は低いことが必須である。50ppmより少ない、最も好ましくは10ppmより少ない炭素含有率を有する酸化物を使用するのが好ましい。
【0028】
還元剤もできる限り純粋な形態で使用される。しかしながら、この要求はこの場合にはあまり厳しくはない。何故ならば、50ppmより少ない個々の金属不純物はNbOx又はニオブ金属中に混入されないか又は非常に僅かな程度にしか混入されないことが観察されたからである。
【0029】
冷却及び酸による洗浄の後NbOxは金属に還元される。これは任意の所望の方法で行うことができる。NbOx粉末は好ましくは、残留酸素含有率に関して化学量論的量より大きい量のマグネシウム削り屑(turnings)で好ましくは処理され、そして750〜960℃、好ましくは約850℃の温度で保護ガスの下に1〜4時間、好ましくは約2時間の期間加熱される。
【0030】
次いでバッチを100℃未満に冷却し、それを不活性化するために酸素を徐々に導入し、酸洗浄を第1還元段階の場合と同様に繰り返す。
【0031】
凝集物の拡大は第2還元段階における温度及び滞留時間の選択により制御することができる。
【0032】
第2還元段階は滑りバットキルン(sliding batt kiln)中でバッチ式で又は連続的に行うことができる。
【0033】
電解キャパシタに使用することを意図するニオブ粉末は元素窒素、リン、ホウ素又は硫黄の少なくとも1種でドーピングされる。窒素によるドーピングは20000ppmまで行うことができ、リンによるドーピングは1000ppmまで行うことができ、ホウ素によるドーピングは1500ppmまで行うことができ、硫黄によるドーピングは100ppmまで行うことができる。窒素によるドーピングは好ましくは少なくとも500ppmの含有率を与えるように行われ、リンによるドーピングは少なくとも50ppmの含有率を与えるように行われる。ドーピングは、好ましくはドーピング剤元素を含有する化合物の水性溶液でニオブ粉末を含浸させることにより好ましくは行われ、溶媒は乾燥により除去され、次いでドーピング剤元素は1〜4時間の期間にわたり750〜960℃、好ましくは約850℃の温度で還元条件下に拡散により混入される。この目的で、粉末の表面結合酸素に関して化学量論的量の1.1〜2.2倍の量の含浸され乾燥された粉末とマグネシウム削り屑を混合し、そしてバッチを不活性ガス、好ましくはアルゴン下に内部拡散温度に加熱する。次いでバッチを保護ガスの下に再び100℃以下に冷却しそして徐々に酸素を入れることにより不動態化させる。
【0034】
ドーピングするための適当な化合物はリン又はリン化合物、例えば、リン酸アンモニウム、リン酸水素アンモニウム、又はリン酸を包含する。
【0035】
ドーピング剤元素の還元性内部拡散期間中に形成される酸化マグネシウムは、必要ならばマグネシウムと一緒に、鉱酸、特に硫酸により、場合により過酸化水素を添加して再びその後洗浄される。次いで生成物を洗浄水が中性になるまで水により付着酸がなくなるまで洗浄し、そして温和な温度で乾燥する。
【0036】
ドーピング操作はより高いレベルのドーピングを達成するために随時繰り返される。
【0037】
本発明の更なる好ましい態様に従えば、ドーピング剤による処理又は追加の処理は第2還元段階の前に行うことができ、その結果ドーピング物質の内部拡散は第2還元中に起こる。
【0038】
粉末は好ましくは−400μm、好ましくは−300μmにふるい分けすることができる。
【0039】
本発明に従えば、0.1〜1μmの直径の一次粒子径及びマスターサイザーにより測定した100〜300μmのD50に対応する凝集物直径分布を有するニオブ粉末凝集物も製造される。特に好ましい凝集物直径分布は、更にマスターサイザーにより測定した20〜70μmのD10値及び250〜400μmのD90直径を有する。BET比表面積は2〜15m2/gの範囲内に入るのが好ましい。実験室規模での製造の後、本発明に従う粉末は300ppmより少ない外来金属(マグネシウムとタンタルを除く)の総含有率を有する。工業的規模で製造すると、外来金属の含有率は更に減少させることができると思われ、その結果本発明に従う方法により工業的規模で製造された粉末は、150ppmより少ない外来金属の総含有率を有するであろうということが予想される。粉末の炭素含有率は実験室規模で製造する場合には汚染により同様に約200ppmである。工業的規模で製造を行う場合には、炭素による汚染を有意に減少させることも可能であろう。
【0040】
800〜10000ppmの間で変わることができる比較的高いマグネシウム含有率は本方法により決定される。しかしながら、大抵の粉末は5000ppmより低いマグネシウム含有率を有する。
【0041】
タンタルでライニングされた反応器の使用から生じる1000〜12000ppmのタンタル含有率は有害ではない。
【0042】
酸素含有率は、キャパシタ用途に望ましい範囲内に入り、即ち、BET比表面m2/g当たり2000〜5000ppmの範囲内に入る。
【0043】
1150℃で20分間本発明に従うニオブ粉末凝集物を焼結して約5g/cm3の焼結密度を得そして40ボルトで形成した後、0.5〜1.5nA/μFVの漏洩電流密度(電解質:18%硫酸)を有し70000〜380000μFV/gのキャパシタキャパシタンスを達成することが可能である。同じ焼結条件下に、16ボルトで形成の後、120000〜250000μFV/gのキャパシタキャパシタンス及び0.7〜2nA/μFVの漏洩電流密度を示す。
【0044】
【実施例】
本発明を以下の非限定的実施例により更に詳細に説明する。
【0045】
実施例1〜6
タンタルのシートで内側をライニングされそして145mmの内径及び5リットルの内容積を有する円筒形ステンレス鋼製容器を使用した。
【0046】
タンタル製の撹拌器が容器のカバーの中心を通っていた。更に、不活性ガスの供給及び排出、回転しているロックを介する粉末材料の添加及び熱電対の導入のための接続部を設けた。
【0047】
円筒形容器を、そのカバーをシールして(レトルト)、サーモスタットで調温された装置に挿入した。この装置は頂部が開いており、電熱器を備えそして冷却装置を備えていた。
【0048】
供給配管を接続した後、レトルトをアルゴンでフラッシングした。表1に示された量のMg削り屑を回転ロックを介して導入し、そしてバッチを還元温度(表1)に加熱した。マグネシウムが溶融すると直ちに、撹拌器を作動させた。還元温度を10K越えた後、ヒーターのスイッチを切った。温度が還元温度より20℃低くなると、約10gのNb25粉末を加えた。レトルトの温度は還元温度より10〜25K上に上昇した。温度が再び下がったとき、Nb25を再び加えた。この手順を表1に示されたNb25の全量を添加するまで繰り返した。添加が終了した後更に20分間バッチを撹拌した。
【0049】
次いでバッチを室温に冷却した(<100℃)。次いでアルゴンによるフラッシングを中止し、それにより空気が徐々に入ることができた。
【0050】
反応生成物を取り出し、希硫酸及び水で交互に洗浄し、次いで乾燥した。
【0051】
乾燥した物質は400μmにふるい分けされた。
【0052】
生成したNbOxについて表1に与えられた分析結果を得た。
【0053】
【表1】
Figure 0004215911
【0054】
1)フィッシャー・サブ・シーブ・サイザー(Fisher Sub Shieve Sizer)(FSSS)により測定した粒子径
2)かさ密度
3)BET比表面積
4)マスターサイザーにより測定された粒子径分布
5)走査型電子顕微鏡(SEM)写真から視覚により決定された。
【0055】
得られたNbOx各100gを表2に示された量の元素状リン又はNH4Clで処理し、次いで表2に示された条件下に第2還元段階でニオブ金属に還元した。
【0056】
冷却、不活性化及び酸による洗浄の後、バッチを再びドーピングした(第2ドーピング)。バッチを再び取り出し、不活性化し、酸で洗浄しそして乾燥した。
【0057】
タンタルのワイヤのまわりに得られたニオブ粉末を圧縮(pressing)及び焼結することにより、該得られたニオブ粉末から試験電極を製造した。
【0058】
電極を60℃の0.25%H3PO4の溶液中に形成し、それらのキャパシタとしての性質を室温の18%H2SO4電解液中で測定した。
【0059】
アノードの製造条件及びキャパシタ特性を表3に示す。
【0060】
【表2】
Figure 0004215911
【0061】
【表3】
Figure 0004215911
【0062】
実施例7
連続法
上記したとおり添付図1に略図で示される設備を使用する。出口開口の寸法は面取りしたストッパー7を矢印の方向に変位させることにより調節し、それにより反応器から出る懸濁液の量を調節することができる。貯水パン(catchment pan)8をコンベヤベルト上に出口管6の下に配置する。コンベヤベルトは矢印の方向に移動することができる。出口6が位置している空間9は保護ガスで満たされる。パンは空間9を通して運ばれる間に100℃より低い温度に冷却される。しかる後パンはロック(lock)10を通過する。不動態化空間(passivation space)11は1〜2%の酸素を含有する保護ガスで満たされる。更なるロック12を通過して後、パンは大気に入る。工業的設備は例えば12リットルの容積を持つ円錐形容器1を含んで成る。マグネシウム溶融物と接触している容器表面(レベル13)は0.4m2の面積を有する。それは周囲の空気により冷却される。五酸化ニオブ6.1kg/時間及びマグネシウム4.25kg/時間を連続的に供給する。五酸化ニオブ粉末は容器1で還元され、そして重力の下で6cmの直径と30cmの長さを有する管5内に、マグネシウム溶融物を押しのけながら落下する。還元生成物10.45kg/時間が出口6でパン8に排出される。冷却、不活性化及び酸洗浄の後、1日当たりNbOx130kgが製造された。
【0063】
本発明の主なる特徴及び態様は以下のとおりである。
【0064】
1.対応するニオブ及び/又はタンタル酸化物の還元によりニオブ及び/又はタンタル粉末を製造する方法であって、還元を制御された温度で2段階で行い、
還元をアルカリ土類金属及び希土類金属から成る群より選ばれる還元剤の使用により行い、
第1反応段階を(Nb、Ta)Ox、式中xは0.5〜1.5である、に対応する平均組成に達するまで行い、
次いで、第2段階の前に1種以上の鉱酸で洗浄することにより第1段階の還元生成物から還元剤の酸化物を除去し、
次いで第2還元段階を行って上記金属の粉末を製造することを特徴とする方法。
【0065】
2.第1段階と第2段階との間で還元生成物から過剰の還元剤も除去する上記1に記載の方法。
【0066】
3.第1還元段階において、還元剤金属の溶融物をニオブ及び/又はタンタルの酸化物の酸素含有量に対して少なくとも1.25倍過剰で反応容器に入れ、そして該酸化物を、第1還元段階の還元反応発熱の影響を受けた温度が750℃より低くはならず且つ950℃を超えないような方法で、該溶融物中に徐々に計量供給する、上記1又は2のいずれかに記載の方法。
【0067】
4.溶融物を該酸化物の計量添加(metered addition)中撹拌する上記3に記載の方法。
【0068】
5.容器に入れた還元性金属の溶融物中に酸化物及び還元性金属を同時的に又は交互に計量添加すると共に、還元生成物を連続的に又はバッチ式で排出することにより第1還元段階を連続的に行う上記4に記載の方法。
【0069】
6.第1還元段階及び/又は第2還元段階に続いて、得られる還元生成物をP、B、S及び/又はNを含有するドープ剤物質で処理する上記1又は2に記載の方法。
【0070】
7.ニオブ粉末の製造のために、Nb25をニオブ酸化物として使用しそしてマグネシウムを還元性金属として使用する上記1又は2に記載の方法。
【0071】
8.直径が0.1〜1μmの一次粒子径及びマスターサイザーにより測定して100〜300μmのD50に対応する凝集物直径分布を有するニオブ粉末凝集物。
【0072】
9.2〜15m2/gのBET比表面積を有する上記8に記載のニオブ粉末凝集物。
【0073】
10.1150℃で20分間焼結しそして40ボルトで成形した後、このような凝集物の焼結生成物が70000〜360000μFV/gのキャパシタンス及び0.5〜1.5nA/μFVの漏洩電流密度を示すように調節された物理的性質及び電気的性質を有する上記8又は9に記載のニオブ粉末凝集物。
【0074】
11.1150℃で20分間焼結しそして16ボルトで成形した後、このような凝集物の焼結生成物が120000〜380000μFV/gのキャパシタンス及び0.7〜2nA/μFVの漏洩電流密度を示すように調節された物理的性質及び電気的性質を有する上記8又は9に記載のニオブ粉末凝集物。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の方法の好ましい態様を実施するための装置の略図である。
【符号の説明】
1 円錐形反応容器
2 モータ駆動式撹拌器
3、4 供給部
5 出口管
6 角度の付いた出口区域
7 チャンネル供給ストッパー
8 小さなトレー
9 室
10 ロック
11 室
12 ロック

Claims (4)

  1. 直径が0.1〜1μmの一次粒子径及びマスターサイザーにより測定して100〜300μmのD50に対応する凝集物直径分布を有するニオブ粉末凝集物
  2. 凝集物が2〜15m2/gのBET比表面積を有する請求項1に記載のニオブ粉末凝集物
  3. 1150℃で20分間焼結しそして40ボルトで成形した後、このような凝集物の焼結生成物が70000〜360000μFV/gのキャパシタンス及び0.5〜1.5nA/μFVの漏洩電流密度を示すように調節された物理的性質及び電気的性質を有する請求項1又は2に記載のニオブ粉末凝集物
  4. 1150℃で20分間焼結しそして16ボルトで成形した後、このような凝集物の焼結生成物が120000〜380000μFV/gのキャパシタンス及び0.7〜2nA/μFVの漏洩電流密度を示すように調節された物理的性質及び電気的性
    質を有する請求項1又は2に記載のニオブ粉末凝集物
JP28559699A 1998-10-13 1999-10-06 ニオブ粉末凝集物 Expired - Lifetime JP4215911B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19847012.6 1998-10-13
DE19847012A DE19847012A1 (de) 1998-10-13 1998-10-13 Niobpulver und Verfahren zu dessen Herstellung

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006243028A Division JP4381401B2 (ja) 1998-10-13 2006-09-07 ニオブ粉末の製造方法
JP2007139892A Division JP2007230865A (ja) 1998-10-13 2007-05-28 ニオブの酸化物及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000119710A JP2000119710A (ja) 2000-04-25
JP4215911B2 true JP4215911B2 (ja) 2009-01-28

Family

ID=7884220

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP28559699A Expired - Lifetime JP4215911B2 (ja) 1998-10-13 1999-10-06 ニオブ粉末凝集物
JP2006243028A Expired - Lifetime JP4381401B2 (ja) 1998-10-13 2006-09-07 ニオブ粉末の製造方法
JP2007139892A Pending JP2007230865A (ja) 1998-10-13 2007-05-28 ニオブの酸化物及びその製造方法

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006243028A Expired - Lifetime JP4381401B2 (ja) 1998-10-13 2006-09-07 ニオブ粉末の製造方法
JP2007139892A Pending JP2007230865A (ja) 1998-10-13 2007-05-28 ニオブの酸化物及びその製造方法

Country Status (15)

Country Link
US (1) US6136062A (ja)
EP (1) EP0997542B1 (ja)
JP (3) JP4215911B2 (ja)
KR (1) KR100625726B1 (ja)
CN (1) CN1180910C (ja)
AT (1) ATE235571T1 (ja)
AU (1) AU755289B2 (ja)
BR (1) BR9904431A (ja)
CA (1) CA2285786C (ja)
DE (2) DE19847012A1 (ja)
EE (1) EE04160B1 (ja)
HK (1) HK1027522A1 (ja)
IL (1) IL132317A (ja)
PT (1) PT997542E (ja)
RU (1) RU2238821C2 (ja)

Families Citing this family (97)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030061907A1 (en) * 1994-08-01 2003-04-03 Kroftt-Brakston International, Inc. Gel of elemental material or alloy and liquid metal and salt
US20030145682A1 (en) * 1994-08-01 2003-08-07 Kroftt-Brakston International, Inc. Gel of elemental material or alloy and liquid metal and salt
US7445658B2 (en) 1994-08-01 2008-11-04 Uchicago Argonne, Llc Titanium and titanium alloys
US7435282B2 (en) 1994-08-01 2008-10-14 International Titanium Powder, Llc Elemental material and alloy
US6051044A (en) 1998-05-04 2000-04-18 Cabot Corporation Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors
BRPI9917635B1 (pt) 1998-05-06 2017-06-06 Starck H C Gmbh Co Kg pó de nióbio na forma de partículas aglomeradas primárias e método para a obtenção de um anodo de capacitor
US6576038B1 (en) * 1998-05-22 2003-06-10 Cabot Corporation Method to agglomerate metal particles and metal particles having improved properties
US6416730B1 (en) * 1998-09-16 2002-07-09 Cabot Corporation Methods to partially reduce a niobium metal oxide oxygen reduced niobium oxides
DE19847012A1 (de) * 1998-10-13 2000-04-20 Starck H C Gmbh Co Kg Niobpulver und Verfahren zu dessen Herstellung
JP3871824B2 (ja) 1999-02-03 2007-01-24 キャボットスーパーメタル株式会社 高容量コンデンサー用タンタル粉末
CN100381234C (zh) 1999-03-19 2008-04-16 卡伯特公司 通过研磨制备铌和其它金属粉末
US6375704B1 (en) * 1999-05-12 2002-04-23 Cabot Corporation High capacitance niobium powders and electrolytic capacitor anodes
US6600646B1 (en) * 1999-08-11 2003-07-29 Showa Denko Kabushiki Kaisha Niobium powder, sintered body thereof and capacitor using same
US6960237B2 (en) 1999-07-15 2005-11-01 Showa Denko Kabushiki Kaisha Niobium powder, sintered body thereof and capacitor using the same
DE19953946A1 (de) 1999-11-09 2001-05-10 Starck H C Gmbh Co Kg Kondensatorpulver
US6563695B1 (en) * 1999-11-16 2003-05-13 Cabot Supermetals K.K. Powdered tantalum, niobium, production process thereof, and porous sintered body and solid electrolytic capacitor using the powdered tantalum or niobium
CA2401779A1 (en) * 2000-03-01 2001-09-07 Cabot Corporation Nitrided valve metals and processes for making the same
ATE443919T1 (de) * 2000-03-23 2009-10-15 Cabot Corp Anode beinhaltend nioboxidpulver und verfahren zu ihrer herstellung
US6576099B2 (en) 2000-03-23 2003-06-10 Cabot Corporation Oxygen reduced niobium oxides
CN100339917C (zh) * 2000-04-21 2007-09-26 昭和电工株式会社 铌烧结体及其生产方法以及使用这种铌烧结体的电容器
US6540810B2 (en) * 2000-04-21 2003-04-01 Showa Denko Kabushiki Kaisha Niobium powder for capacitor, sintered body using the powder and capacitor using the same
EP1287172B1 (en) * 2000-05-22 2008-10-29 Cabot Corporation High purity niobium and products containing the same, and methods of making the same
JP3718412B2 (ja) * 2000-06-01 2005-11-24 キャボットスーパーメタル株式会社 ニオブまたはタンタル粉末およびその製造方法
DE10030387A1 (de) * 2000-06-21 2002-01-03 Starck H C Gmbh Co Kg Kondensatorpulver
DE10192560B4 (de) * 2000-06-21 2007-02-15 H.C. Starck Gmbh Kondensatorpulver
BR0113215A (pt) * 2000-08-10 2005-02-01 Showa Denko Kk Pó de nióbio, corpo sinterizado e capacitor usando o corpo
US6652619B2 (en) * 2000-08-10 2003-11-25 Showa Denko K.K. Niobium powder, sintered body thereof, and capacitor using the same
DE10041901A1 (de) * 2000-08-25 2002-03-07 Starck H C Gmbh Kondensatoranode auf Basis Niob
JP2002093666A (ja) * 2000-09-20 2002-03-29 Showa Denko Kk ニオブ粉、それを用いた焼結体及びそれを用いたコンデンサ
US6849104B2 (en) * 2000-10-10 2005-02-01 H. C. Starck Inc. Metalothermic reduction of refractory metal oxides
KR20030046520A (ko) * 2000-11-06 2003-06-12 캐보트 코포레이션 개질된 산소 환원된 밸브 금속 산화물
US6755884B2 (en) * 2000-11-30 2004-06-29 Showa Denko K.K. Niobium powder for capacitor, sintered body thereof and capacitor using the sintered body
US6447570B1 (en) * 2000-11-30 2002-09-10 Vishay Sprague, Inc. Sintered Tantalum and Niobium capacitor pellets doped with Nitrogen, and method of making the same
KR100812689B1 (ko) * 2000-12-01 2008-03-13 쇼와 덴코 가부시키가이샤 커패시터용 니오브 분말, 그 소결체 및 소결체를 이용한커패시터
US7274552B2 (en) 2001-03-16 2007-09-25 Showa Denko K.K. Niobium for capacitor and capacitor using sintered body of the niobium
US7149074B2 (en) * 2001-04-19 2006-12-12 Cabot Corporation Methods of making a niobium metal oxide
CZ307638B6 (cs) * 2001-05-04 2019-01-30 H.C. Starck Tantalum and Niobium GmbH Metalurgická redukce oxidů žáruvzdorných kovů
US7737066B2 (en) * 2001-05-15 2010-06-15 Showa Denko K.K. Niobium monoxide powder, niobium monoxide sintered body and capacitor using the sintered body
KR100524166B1 (ko) 2001-05-15 2005-10-25 쇼와 덴코 가부시키가이샤 일산화 니오브분말, 일산화 니오브 소결체 및 일산화니오브 소결체를 사용한 콘덴서
JP4187953B2 (ja) * 2001-08-15 2008-11-26 キャボットスーパーメタル株式会社 窒素含有金属粉末の製造方法
CN1169643C (zh) * 2001-09-29 2004-10-06 宁夏东方钽业股份有限公司 高比表面积钽粉和/或铌粉的制备方法
US7442227B2 (en) 2001-10-09 2008-10-28 Washington Unniversity Tightly agglomerated non-oxide particles and method for producing the same
TW589684B (en) * 2001-10-10 2004-06-01 Applied Materials Inc Method for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques
JP3610942B2 (ja) * 2001-10-12 2005-01-19 住友金属鉱山株式会社 ニオブおよび/またはタンタルの粉末の製造法
EP1454330B2 (en) 2001-12-10 2017-10-04 Showa Denko K.K. Niobium alloy, sintered body thereof, and capacitor using the same
DE10307716B4 (de) * 2002-03-12 2021-11-18 Taniobis Gmbh Ventilmetall-Pulver und Verfahren zu deren Herstellung
GB2410251B8 (en) * 2002-03-12 2018-07-25 Starck H C Gmbh Valve metal powders and process for producing them
JP4245899B2 (ja) * 2002-06-04 2009-04-02 キャボットスーパーメタル株式会社 金属の回収方法
BR0311690A (pt) * 2002-06-13 2005-03-22 Found Promotion Ind Science Processo de produção de pó metálico e compacto de alimentação de composto metálico
KR100449820B1 (ko) 2002-07-02 2004-09-22 오재완 스크류형 연속식 금속분말 제조장치
JP2004052003A (ja) * 2002-07-16 2004-02-19 Cabot Supermetal Kk ニオブ粉末またはタンタル粉末の製造方法および製造装置
JP2004143477A (ja) * 2002-10-22 2004-05-20 Cabot Supermetal Kk ニオブ粉末およびその製造方法、並びにそれを用いた固体電解コンデンサ
JP4236906B2 (ja) * 2002-11-01 2009-03-11 キャボットスーパーメタル株式会社 金属粉末の製造方法およびこれに使用する原料または希釈塩の評価方法
BR0204587A (pt) 2002-11-04 2004-06-29 Cbmm Sa Processo de produção de pó de nióbio e/ou de tântalo de elevada área superficial
US7655214B2 (en) * 2003-02-26 2010-02-02 Cabot Corporation Phase formation of oxygen reduced valve metal oxides and granulation methods
JP4566593B2 (ja) * 2003-04-14 2010-10-20 昭和電工株式会社 焼結体電極及びその焼結体電極を用いた固体電解コンデンサ
US7713466B2 (en) 2003-04-28 2010-05-11 Showa Denko K.K. Valve acting metal sintered body, production method therefor and solid electrolytic capacitor
US7445679B2 (en) * 2003-05-16 2008-11-04 Cabot Corporation Controlled oxygen addition for metal material
EP2455340A1 (en) * 2003-05-19 2012-05-23 Cabot Corporation Valve metal sub-oxide powders and capacitors and sintered anode bodies made therefrom
JP2007511667A (ja) * 2003-06-10 2007-05-10 キャボット コーポレイション タンタル粉末およびその製造方法
DE10332033A1 (de) * 2003-07-15 2005-02-03 Chemetall Gmbh Verfahren zur Herstellung von Metallpulvern, bzw. von Metallhydridpulvern der Elemente Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta und Cr
DE10342600B4 (de) * 2003-09-12 2009-04-09 H.C. Starck Gmbh Ventilmetalloxid-Pulver und Verfahren zu deren Herstellung
DE10347702B4 (de) * 2003-10-14 2007-03-29 H.C. Starck Gmbh Sinterkörper auf Basis Niobsuboxid
EP1683167B1 (en) * 2003-11-10 2012-04-18 Showa Denko K.K. Niobium powder for capacitor, niobium sintered body and capacitor
WO2005046912A1 (ja) * 2003-11-12 2005-05-26 Cabotsupermetals K.K. 金属タンタルもしくはニオブの製造方法
DE102004011214A1 (de) * 2004-03-04 2005-10-06 W.C. Heraeus Gmbh Hochtemperaturbeständiger Niob-Draht
US7354472B2 (en) * 2004-06-21 2008-04-08 H.C. Starck Inc. Metalothermic reduction of refractory metal oxides
US20080011124A1 (en) * 2004-09-08 2008-01-17 H.C. Starck Gmbh & Co. Kg Deoxidation of Valve Metal Powders
US20060260437A1 (en) * 2004-10-06 2006-11-23 Showa Denko K.K. Niobium powder, niobium granulated powder, niobium sintered body, capacitor and production method thereof
DE102004049040B4 (de) * 2004-10-08 2008-11-27 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Festelektrolytkondensatoren
DE102004049039B4 (de) * 2004-10-08 2009-05-07 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung feinteiliger Ventilmetallpulver
JP4743507B2 (ja) * 2004-11-29 2011-08-10 昭和電工株式会社 固体電解コンデンサ用多孔質陽極体、その製造方法、及び固体電解コンデンサ
CN101368262B (zh) * 2005-05-05 2012-06-06 H.C.施塔克有限公司 向表面施加涂层的方法
EP1880035B1 (en) 2005-05-05 2021-01-20 Höganäs Germany GmbH Method for coating a substrate surface and coated product
US20070017319A1 (en) 2005-07-21 2007-01-25 International Titanium Powder, Llc. Titanium alloy
KR100684416B1 (ko) * 2005-07-29 2007-02-16 한국원자력연구소 커패시터용 탄탈 또는 니오븀 분말의 제조방법
WO2007044635A2 (en) 2005-10-06 2007-04-19 International Titanium Powder, Llc Titanium or titanium alloy with titanium boride dispersion
US20070295609A1 (en) * 2006-06-23 2007-12-27 Korea Atomic Energy Research Institute Method for preparing tantalum or niobium powders used for manufacturing capacitors
US20080078268A1 (en) 2006-10-03 2008-04-03 H.C. Starck Inc. Process for preparing metal powders having low oxygen content, powders so-produced and uses thereof
US20080145688A1 (en) 2006-12-13 2008-06-19 H.C. Starck Inc. Method of joining tantalum clade steel structures
US7753989B2 (en) 2006-12-22 2010-07-13 Cristal Us, Inc. Direct passivation of metal powder
US9127333B2 (en) 2007-04-25 2015-09-08 Lance Jacobsen Liquid injection of VCL4 into superheated TiCL4 for the production of Ti-V alloy powder
US8197894B2 (en) 2007-05-04 2012-06-12 H.C. Starck Gmbh Methods of forming sputtering targets
WO2009012124A2 (en) * 2007-07-18 2009-01-22 Cabot Corporation Niobium suboxide- and niobium-tantalum-oxide-powders and capacitor anodes produced thereof
CN100577574C (zh) * 2007-08-25 2010-01-06 宁夏东方钽业股份有限公司 低价氧化铌或铌粉的制备方法
US8246903B2 (en) 2008-09-09 2012-08-21 H.C. Starck Inc. Dynamic dehydriding of refractory metal powders
JP2010064923A (ja) * 2008-09-11 2010-03-25 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 一酸化ニオブの製造方法及び一酸化ニオブ
DE102008048614A1 (de) * 2008-09-23 2010-04-01 H.C. Starck Gmbh Ventilmetall-und Ventilmetalloxid-Agglomeratpulver und Verfahren zu deren Herstellung
US8043655B2 (en) * 2008-10-06 2011-10-25 H.C. Starck, Inc. Low-energy method of manufacturing bulk metallic structures with submicron grain sizes
CN101574741B (zh) * 2009-06-25 2011-05-18 宁夏东方钽业股份有限公司 电容器用钽粉的制备方法
US9120183B2 (en) 2011-09-29 2015-09-01 H.C. Starck Inc. Methods of manufacturing large-area sputtering targets
CN102773478A (zh) * 2012-07-10 2012-11-14 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司 一种提高钽块机械强度的烧结方法
GB201218675D0 (en) * 2012-10-17 2012-11-28 Univ Bradford Improved method for metal production
CN102990076B (zh) * 2012-12-18 2015-02-25 宁夏东方钽业股份有限公司 金属钠还原氟钽酸钾生产钽粉的搅拌水洗方法及装置
US9924935B2 (en) 2015-10-23 2018-03-27 Smith & Nephew, Inc. Suture anchor assembly with slip fit tip
CN106904577A (zh) * 2017-03-21 2017-06-30 西北工业大学 一种粉体制备高温气流冲击热分解加工方法及其装置
CN117020215A (zh) 2021-12-15 2023-11-10 宁夏东方钽业股份有限公司 采用碱土金属还原氧化钽生产电容器用钽粉的方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1728941A (en) * 1927-02-19 1929-09-24 Westinghouse Lamp Co Production of rare metals
GB489742A (en) * 1937-03-22 1938-08-03 Metallurg De Hoboken Soc Gen Improvements in and relating to the treatment of substances containing tantalum and/or niobium
US2516863A (en) * 1946-07-15 1950-08-01 Gardner Daniel Process of producing tantalum, columbium, and compounds thereof
CH515996A (de) * 1968-06-06 1971-11-30 Starck Hermann C Fa Verfahren zur Herstellung von hochreinem Niob und/oder Tantal
US4687632A (en) * 1984-05-11 1987-08-18 Hurd Frank W Metal or alloy forming reduction process and apparatus
US4684399A (en) * 1986-03-04 1987-08-04 Cabot Corporation Tantalum powder process
US4722756A (en) * 1987-02-27 1988-02-02 Cabot Corp Method for deoxidizing tantalum material
JPH05170485A (ja) * 1991-12-24 1993-07-09 Asahi Glass Co Ltd 熱線遮蔽膜および自動車用窓硝子
JP2823494B2 (ja) * 1993-09-29 1998-11-11 健 増本 非晶質金属超微粒子及びその製造方法
US5442978A (en) * 1994-05-19 1995-08-22 H. C. Starck, Inc. Tantalum production via a reduction of K2TAF7, with diluent salt, with reducing agent provided in a fast series of slug additions
US6165623A (en) * 1996-11-07 2000-12-26 Cabot Corporation Niobium powders and niobium electrolytic capacitors
EP0964936B1 (de) * 1997-02-19 2001-10-04 H.C. Starck GmbH & Co. KG Tantal-pulver, verfahren zu seiner herstellung, sowie daraus erhältliche sinteranoden
US6416730B1 (en) * 1998-09-16 2002-07-09 Cabot Corporation Methods to partially reduce a niobium metal oxide oxygen reduced niobium oxides
DE19847012A1 (de) * 1998-10-13 2000-04-20 Starck H C Gmbh Co Kg Niobpulver und Verfahren zu dessen Herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007230865A (ja) 2007-09-13
JP2006336112A (ja) 2006-12-14
CN1251325A (zh) 2000-04-26
JP2000119710A (ja) 2000-04-25
EP0997542A1 (de) 2000-05-03
HK1027522A1 (en) 2001-01-19
EE04160B1 (et) 2003-10-15
IL132317A (en) 2003-07-06
CA2285786C (en) 2009-12-01
ATE235571T1 (de) 2003-04-15
AU755289B2 (en) 2002-12-12
JP4381401B2 (ja) 2009-12-09
CA2285786A1 (en) 2000-04-13
BR9904431A (pt) 2000-08-08
KR100625726B1 (ko) 2006-09-20
DE59904709D1 (de) 2003-04-30
CN1180910C (zh) 2004-12-22
US6136062A (en) 2000-10-24
DE19847012A1 (de) 2000-04-20
RU2238821C2 (ru) 2004-10-27
PT997542E (pt) 2003-08-29
IL132317A0 (en) 2001-03-19
EE9900504A (et) 2000-06-15
EP0997542B1 (de) 2003-03-26
AU5012799A (en) 2000-04-20
KR20000028989A (ko) 2000-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4215911B2 (ja) ニオブ粉末凝集物
KR100583702B1 (ko) 가스상의 환원제로 산화물을 환원시켜 금속 분말을 제조하는 방법 및 그로부터 제조된 금속 분말
US9543075B2 (en) Niobium powders having a particle shape
CA2190603C (en) Tantalum production and product
RU2346891C2 (ru) Получение высокочистого моноксида ниобия и изготовление из него конденсатора
EP2794943B1 (en) A method for extraction and refining of titanium
JP4202609B2 (ja) 気体状マグネシウムを用いる酸化物の還元により製造される金属粉末
JP4690638B2 (ja) 耐熱金属酸化物のメタロサーミック還元
JP2004531646A5 (ja)
JP3671133B2 (ja) チタンの製造方法
RU2089350C1 (ru) Способ получения танталового порошка
JP2688452B2 (ja) 高表面積、低金属不純物のタンタル粉末の製造方法
JP2011157228A (ja) 金属硫化物およびその製造方法
WO2005046912A1 (ja) 金属タンタルもしくはニオブの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060307

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20060606

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20060620

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060907

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061128

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20070227

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20070302

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070528

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080129

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20080417

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20080422

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20080702

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080725

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20080725

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20081028

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20081105

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4215911

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111114

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111114

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121114

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121114

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131114

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term