JP4213767B2 - 電子部品用接着剤 - Google Patents
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Description
これに伴い、半導体チップは極めて薄い薄膜となり、更に半導体チップには微細な配線が形成されるようになってきた。このような3次元実装の半導体チップ積層体においては、各半導体チップを損傷なく、かつ、水平を保って積層することが求められている。
また、近年トランス部品等においても小型化が進んできており、例えば、EI型鉄心やEE型鉄心等のエアギャップ部分を有するコイル鉄心の該エアギャップ部分の間隔を一定に保つことが求められており、例えば、エアギャップ部分に接着剤を充填することが行われているが、このようなトランス部品等においても、エアギャップ部分の間隔の精密な制御が課題となっている。
このようなスペーサー粒子配合のダイアタッチメントペーストを介して電子部品を積層する場合、電子部品間の接続性及び高水平性を保持するため、電子部品間がスペーサー粒子の粒子径により担保され得る程度に電子部品を押し付けることが必要となる。
ところが、このようなニードルノズルから接着剤を吐出させる方法は、基材等に接着剤を接触させる必要があるため、基材等の表面に段差がある場合には適用できず、形成するドット状の接着剤の量が不安定になるといった問題があった。
このようなジェットディスペンス装置による接着剤の塗布を連続して安定的に行うためには、接着剤に極めて高い塗布性が求められる。接着剤の塗布性を向上させる方法として、例えば、希釈剤等を添加することで低粘度化を図ることが行われている(例えば、特許文献3等参照)。
従って、これまでのところ、接合した電子部品間の距離を高精度に保ち、信頼性の高い電気装置を得ることができるとともに、ジェットディスペンス装置を用いた塗布を連続して安定的に行うことが可能な電子部品用接着剤は得られていない。
以下に本発明を詳述する。
本発明の電子部品用接着剤は、CV値が10%以下のスペーサー粒子を含有する。
このようなスペーサー粒子を含有することにより、例えば、本発明の電子部品用接着剤を用いて2以上の半導体チップを積層する場合に半導体チップ同士の間隔を一定に保つことが可能となる。
なお、本明細書においてCV値とは、下記式(1)により求められる数値のことである。
粒子径のCV値(%)=(σ2/Dn2)×100 (1)
式(1)中、σ2は、粒子径の標準偏差を表し、Dn2は、数平均粒子径を表す。
K=(3/√2)・F・S−3/2・R−1/2 (2)
式(2)中、F、Sはそれぞれ樹脂微粒子の10%圧縮変形における荷重値(kgf)、圧縮変位(mm)を表し、Rは該スペーサーの半径(mm)を表す。
まず、平滑表面を有する鋼板の上に粒子を散布した後、その中から1個の粒子を選び、微小圧縮試験機を用いてダイヤモンド製の直径50μmの円柱の平滑な端面で微粒子を圧縮する。この際、圧縮荷重を電磁力として電気的に検出し、圧縮変位を作動トランスによる変位として電気的に検出する。そして、得られた圧縮変位−荷重の関係から10%圧縮変形における荷重値、圧縮変位をそれぞれ求め、得られた結果からK値を算出する。
上記K値の測定の場合と同様の手法によって圧縮変位を作動トランスによる変位として電気的に検出し、反転荷重値まで圧縮したのち荷重を減らしていき、その際の荷重と圧縮変位との関係を測定する。得られた測定結果から圧縮回復率を算出する。ただし、除荷重における終点は荷重値ゼロではなく、0.1g以上の原点荷重値とする。
上記スペーサー粒子に表面処理を施すことにより、本発明の電子部品用接着剤において後述する粘度特性を実現することが可能となる。
上記表面処理の方法としては特に限定はされないが、例えば、接着組成物が全体として疎水性を示す場合には、表面に親水基を付与することが好ましい。このような手段としては特に限定されないが、例えば、スペーサー粒子として上記樹脂粒子を用いる場合には、樹脂粒子の表面を親水基を有するカップリング剤で処理する方法等が挙げられる。
また、上記スペーサー粒子以外に、上記スペーサー粒子の平均粒子径以上の径を有する固形成分を含有する場合は、このような固形成分の配合量の好ましい上限は、1重量%である。また、その固形成分の融点は硬化温度以下であることが好ましい。
更に、固形成分の最大粒子径は、スペーサー粒子の平均粒子径の1.1〜1.5倍であることが好ましく、1.1〜1.2倍であることがより好ましい。
上記エポキシ化合物(A)は、繰り返し単位中に芳香環を有する10量体以下の分子構造を持つものである。このようなエポキシ化合物(A)は、極めて結晶性が高く25℃で結晶性固体となるとともに、25℃より高い温度領域において粘度が急激に低下するという性質を有する。これは、上記エポキシ化合物(A)は、25℃では上記の通り結晶性固体であるが、10量体以下と低分子量であるため、25℃を超えて加熱することで、結晶構造が壊れて粘度が低下するからであると考えられる。具体的には、上記エポキシ化合物(A)は、25℃で結晶固体であり、50〜80℃の温度範囲においてE型粘度計で測定した場合の粘度の上限が1Pa・sとなる。10量体を超えると、50〜80℃の温度範囲における粘度が高くなり、本発明の電子部品用接着剤を用いて電子部品の積層等を行うと、電子部品間の間隔をスペーサー粒子の粒子径と実質的に等しい距離にすることが困難となり、電子部品間隔にバラツキが生じてしまう。上記エポキシ化合物(A)3量体以下であることがより好ましい。なお、上記粘度が1Pa・sとなる温度領域を50〜80℃としたのは、通常の電子部品積層体の製造工程において、電子部品を加熱加圧する際の温度条件を考慮したものである。また、上記エポキシ化合物(A)が結晶性固体となる温度を25℃としたのは、電子部品の接合を行うための接着剤の塗布は、通常室温で行われることを考慮したものである。
すなわち、上記エポキシ化合物(A)は、繰り返し単位中に芳香環を有することで25℃において結晶性個体となるため、該エポキシ化合物(A)を含有する本発明の電子部品用接着剤は25℃での粘度が高いものとなり、接合する電子部品上に塗布したときに塗布形状が流延してしまうことがない。また、上記エポキシ化合物(A)は、加熱されることで急激に低粘度となるため、例えば、電子部品同士の積層を行った際に、スペーサー粒子と電子部品との間に接着剤を残留させることなく1の電子部品と他の電子部品との積層ができ、電子部品間の間隔をスペーサー粒子の粒子径と実質的に等しい距離にすることができる。また、電子部品の積層が完了した後温度を25℃に戻すと、上記エポキシ化合物(A)は粘度が急激に上昇し、電子部品同士を積層した後の本発明の電子部品用接着剤が流延してしまうこともない。
更に、本発明の電子部品用接着剤は、上記エポキシ化合物(A)を含有させることで加熱時の低粘度を実現させているため、従来の希釈剤のみを添加することで低粘度としていた接着剤のようにボイドが発生することもない。また、上記エポキシ化合物(A)は、耐熱性が優れたものとなるため、該エポキシ化合物(A)を含有する本発明の電子部品用接着剤の耐熱性も優れたものとなる。
なお、上記エポキシ化合物(1)が、加温により粘度が急激に落ちるのは、エポキシ化合物(1)が室温では結晶性を有するが、加温により結晶性が崩れるためであると考えられる。
更に、上記エポキシ化合物(1)は、上記エポキシ化合物(A)と同様、後述するコハク酸無水物等の硬化剤と併用することによって、極めて速く硬化する。従って、他の反応性希釈剤を配合した場合と比較すると、得られる硬化物においてボイドの発生を極めて効果的に低減することができる。
このような低分子量エポキシ化合物を上記範囲で含む硬化性化合物を含有し、粘度特性を上述した範囲とすることで、本発明の電子部品用接着剤は、ジェットディスペンス装置による塗布を連続的かつ安定的に可能となる。なお、本明細書において、「数平均分子量」とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)を用いてポリスチレンをスタンダードとして求めた値であり、Waters社製の測定装置(カラム:昭和電工社製 Shodex GPC LF−804(長さ300mm)×2本、測定温度:40℃、流速:1mL/min、溶媒:テトラヒドロフラン、標準物質:ポリスチレン)を用いて測定した値を意味する。
なかでも、上記多官能エポキシ化合物は、下記一般式(2)で表される化合物(以下、化合物(2)ともいう)であることが好ましい。
このようなエポキシ化合物(2)を含有することによって、電子部品の接合信頼性の向上を図ることができる。
更に、上記エポキシ化合物(2)は、後述するコハク酸無水物等の硬化剤と併用することによって、極めて速く硬化する。硬化速度が速いと、上記エポキシ化合物(2)が揮発してしまう前に硬化するため、得られる硬化物のボイドの発生を極めて効果的に低減することができる。
上記希釈剤としては特に限定されず、例えば、反応性希釈剤や非反応性希釈剤等が挙げられる。なかでも、反応性希釈剤が好適に用いられる。
例えば、上記エポキシ化合物(A)の配合割合の上記エポキシ化合物(B)の配合割合に対する比(B/A)が0.5未満であると、本発明の電子部品用接着剤に充分な耐湿性が得られないことがあり、上記エポキシ化合物(B)の配合割合の上記エポキシ化合物(A)の配合割合に対する比(A/B)が0.5未満であると、本発明の電子部品用接着剤に後述する粘度特性が得られないことがある。
また、上記希釈剤は、上述したエポキシ化合物(A)等の硬化性化合物よりも、硬化開始温度が低く、硬化速度が大きいものであることが好ましい。
上記硬化剤としては特に限定されず、従来公知の硬化剤を上記エポキシ化合物(A)等の本発明の電子部品用接着剤に含有される硬化性化合物に合わせて適宜選択することができるが、具体的には、例えば、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の加熱硬化型酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤、ジシアンジアミド等の潜在性硬化剤、カチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。これらの硬化剤は、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
硬化剤として酸無水物を含有することによって、硬化速度が速いため、得られる硬化物において、ボイドの発生を極めて効果的に低減し、得られる電子部品接合体において、電子部品の反りの発生を極めて効果的に低減することができる。
コハク酸無水物を用いることによって、硬化速度が極めて速いため、得られる硬化物において、ボイドの発生を極めて効果的に低減し、得られる電子部品接合体において、電子部品の反りの発生を極めて効果的に低減することができる。
上記酸無水物化合物が有する炭素数10以上の側鎖は、得られる硬化物において、柔軟性を発揮する。すなわち、得られる硬化物において、炭素数10以上の側鎖が柔軟な骨格として働くため、得られる硬化物は、全体として柔軟性を発揮することができる。このようにして、得られる硬化物は、室温下での比較的低弾性率を担保することができる。
また、融点が120℃以上の材質で被覆されたマイクロカプセル型硬化剤も好適に用いることができる。
なお、本明細書において、「室温」とは、25℃を意味する。
また、(−55℃における弾性率E/125℃における弾性率E)の好ましい下限は1、好ましい上限は3である。特に3を超えると、温度の変化によるひずみが大きく、接合信頼性に悪影響を与えることがある。より好ましい下限は2である。
なお、本明細書において、上記硬化収縮率は、JIS A06024に基づき、硬化前後による比重差より体積収縮率(%)として求めることができる値を意味する。この場合、比重の測定は測定温度25℃において行う。
上記混合の方法としては特に限定されないが、例えば、ホモディスパー、万能ミキサー、バンバリーミキサー、ニーダー等を使用する方法を用いることができる。
ジェットディスペンス装置による本発明の電子部品用接着剤の塗布形状としては、ドット状のほか、線状、帯状等任意の形状が挙げられる。
すなわち、一般には、ボンディング工程において、基板上等に電子部品用接着剤を塗布した後、電子部品を接合すると、接合した電子部品に傾きが生じることがあり、その後、電子部品に傾きが生じたまま電子部品用接着剤は硬化してしまうことがある(図1a)。こうして得られる電子部品接合体は、著しく信頼性に劣る。
これに対して、本発明の電子部品用接着剤を用いる場合、基板上等に本発明の電子部品用接着剤を塗布した後、電子部品を接合すると、塗布直後に一旦は、電子部品に傾きが生じることはあるものの(図1a)、すぐさま電子部品の自重によって電子部品の傾きが解消され、その後、電子部品用接着剤が硬化することから、最終的に電子部品に傾きが生じることはなく、電子部品と基板との間の距離を高精度に保持した信頼性の高い電子部品接合体を得ることができる(図1b)。
これは、加温しながら電子部品を接合する際に、上記エポキシ化合物(A)の粘度が一時急激に低下するため、接合工程において、電子部品が若干傾いた場合であっても、あたかも自己アライメントのように傾きが解消されるものである。
図1aは、電子部品用接着剤を用いて基板と電子部品とを接合した際、電子部品に傾きが生じている状態を示す模式図である。図1bは、電子部品用接着剤を用いて基板と電子部品とを接合した際、電子部品の自重によって電子部品の傾きが解消された状態を示す模式図である。図1中、1は電子部品、2は基板、3は電子部品用接着剤、4はスペーサー、5は電子部品接合体を表す。
また、本発明の電子部品用接着剤は、2以上の電子部品を積層する場合だけでなく、基板上に電子部品を積載することや、センサー等の部品を接合することを目的とする接着剤としても好適に用いることができる。
図2に示すように、トランス部品用のコイル鉄心10は、E型コア部品11とI型コア部品15とが、E型コア部品11の外足12及び中足13とI型コア部品15との間にギャップが形成されるように組み合わされた構造である。このようなコイル鉄心10において、E型コア部品11の外足12とI型コア部品15との間には、本発明の電子部品用接着剤からなるギャップ層14が設けられており、スペーサー粒子16により、E型コア部品11とI型コア部品15とのギャップが一定に保たれている。
なお、実施例及び比較例に記載の粒子径の測定には粒子サイズ測定機(コールターカウンターZB/C−1000、コールターエレクトロニクス社製)を、K値及び圧縮回復率の測定には、圧縮試験微小圧縮試験機(フィッシャースコープH100C、フィッシャーインストルメンツ社製)を使用した。
表1の組成に従って、下記に示すスペーサー粒子以外の各材料を、ホモディスパーを用いて攪拌混合して、接着組成物を作製した。得られた接着組成物に、スペーサー粒子を表1の組成に従って配合し、更にホモディスパーを用いて攪拌混合することにより電子部品用接着剤を作製した。なお、表1中、各組成の配合量は重量部を表す。
レゾルシノール型エポキシ(EX−201、長瀬産業社製、単量体、25℃で結晶固体、融点30〜60℃、50℃での粘度250mPa・s)
結晶性エポキシ樹脂(YSLV−80XY、東都化成社製、単量体、25℃で結晶固体、融点80℃、80℃での粘度1Pa・s)
EP3950S、EP3900S(以上、いずれもADEKA社製)
ジシクロペンタジエン型エポキシ(EP−4088S、アデカ社製、単量体)
ジシクロペンタジエン型エポキシ化合物(HP−7200、大日本インキ化学工業社製、5量体)
ビスフェノールA型エポキシ化合物(EP828、ジャパンエポキシレジン社製、50℃での粘度2Pa・s)
ナフタレン型エポキシ化合物(HP−4032D、常温液状、大日本インキ化学工業社製、50℃での粘度5Pa・s)
ビスフェノールA型エポキシ化合物(EP−1001、ジャパンエポキシレジン社製、常温固体、80℃での粘度20Pa・s)
フェノール型エポキシ化合物(EX−141、ナガセ産業社製、常温液状、50℃での粘度7mPa・s)
NBR変性ビスA型エポキシ化合物(EPR−4030、アデカ社製、常温液状、50℃での粘度50Pa・s)
ビスフェノールA型エポキシ化合物(YL−980、ジャパンエポキシレジン社製)
シクロヘキサン型エポキシ化合物(ZX−1658、東都化成社製)
ポリプロピレン型エポキシ化合物(EX−931、ナガセケムテックス社製)
エポキシ基含有アクリル樹脂(ブレンマーCP−30、ジャパンエポキシレジン社製)
酸無水物(YH−306、ジャパンエポキシレジン社製)
酸無水物(YH−307、ジャパンエポキシレジン社製)
コハク酸無水物(DDSA、新日本理化社製)
イミダゾール化合物(2MA−OK、四国化成工業社製)
イミダゾールシランカップリング剤(SP−1000、日鉱マテリアル社製)
樹脂粒子(ミクロパールSP−210、積水化学工業社製、平均粒子径:10μm、CV値=4%)
得られた電子部品用接着剤を10mLシリンジ(岩下エンジニアリング社製)に充填し、シリンジ先端に精密ノズル(岩下エンジニアリング社製、ノズル先端径0.3mm)を取り付け、ディスペンサ装置(SHOT MASTER300、武蔵エンジニアリング社製)を用いて、吐出圧0.4MPa、半導体チップとニードルとのギャップ200μm、塗布量5mgにてガラス基板上に塗布した。
塗布を行った後、ペリフェラル状に110μmのパッド開口部を172個有する半導体チップ(チップ1)(厚さ80μm、8mm×12mm角、メッシュ状パターン、アルミ配線:厚み0.7μm、L/S=15/15、表面の窒化シリコン膜の厚み:1.0μm)をフリップチップボンダー(DB−100、澁谷工業社製)を用いて温度60℃若しくは80℃で0.15MPaの圧力で5秒間押圧することにより積層した。次いで、チップ1に電子部品用接着剤を上述のディスペンサ装置を用いて塗布し、上述のボンディング装置を用いてチップ1と同様の半導体チップ(チップ2)を、チップ1の長辺とチップ2の長辺が交差するように載せ、温度60℃若しくは80℃で0.15MPaで5秒間押圧することにより積層した。その後、熱風乾燥炉内にて80℃で60分間放置後、150℃で60分間加熱を行い、電子部品用接着剤を硬化させることにより、半導体チップ積層体を作製した。
実施例及び比較例で得られた電子部品用接着剤及び半導体チップ積層体について、以下の方法により評価を行った。結果を表1に示した。
E型粘度測定装置(商品名:VISCOMETER TV−22、TOKI SANGYO CO.LTD社製、使用ローター:φ15mm、設定温度:25℃)を用いて回転数10rpmにおける粘度、25℃、50℃若しくは80℃で10rpmにおける粘度を測定した。
チクソ比Ti(0.5/5)は、50℃においてE型粘度計を用いて0.5rpmで測定した時の粘度を、5rpmで測定した時の粘度で除することで算出した。
実施例、比較例で得られた電子部品用接着剤のSP値は、使用したエポキシ化合物のSP値をモル平均した。
ガラス基板上に塗布した後、塗布形状が塗布直後から貼り合せまでの間に形状が崩れてしまい好適な形状を保持できないものを×、塗布直後から貼り合せまでの間好適な系以上を保持できるものを○として評価した。
実施例及び比較例で得られた半導体チップ積層体について、サンプルを10個作製し、各半導体チップ積層体の積層状態をレーザー変位計(KS−1100、KEYENCE社製)を用いて測定した。具体的には、チップ1とチップ2の上面との段差を測定し、測定値からチップ厚みを引くことで、チップ1とチップ2との間のチップ間距離を求めた後、チップ間距離のバラツキを3σ(σ;標準偏差)として算出した。
積層後、硬化前の状態と、硬化後の状態との両方について評価した。
得られた半導体チップ積層体を、85℃、85%の恒温高湿オーブンに24時間放置したのち、230℃以上が20秒以上でかつ最高温度が260℃となるIRリフロー炉に投入した。投入後、半導体装置のリフロークラックの発生の有無を超音波探傷装置(SAT)により観察した。なお、表1においては、リフロークラックの発生数を不良率として表示した。
ジェットディスペンス適性の評価はジェットディスペンサー(DJ−9000、アシムテック社製)を用いて評価した。使用した部品は、ノズル(No.4、100μm径)、バルブ(C−03、380μm)、ニードルアッセンブリー(No.16、2.4mm)である。吐出条件は、ノズル温度50℃若しくは80℃、ストローク780μm、液圧1000kPa、バルブ圧558kPa、バルブオンタイム5ms、バルブオフタイム5ms、ノズル高さ1.0mmである。
ノズル温度50℃若しくは80℃で30分連続吐出できた場合を○、30分までに吐出が止まってしまった場合を×とした。
実施例1〜7及び比較例7で作製した半導体チップ積層体の半導体チップの対角線に沿って反り量をレーザー変位計(KEYENCE社製 LT9010M、KS−1100)にて測定した。具体的には、チップ2の各辺の中央とチップ中心の高低差を測定し、平均した。この測定を10サンプルにて行った。
23℃60%の環境下で168時間吸湿させたガラスエポキシ基板を用意した。
実施例2及び実施例5で得られた接着剤を用いて、実施例1と同様の方法で基板に半導体チップを1つのみ接着した。得られた積層体を、85℃85%の高温高湿オーブンに24時間放置した。その後、230℃以上が20秒以上でかつ最高温度が260℃となるIRリフロー炉に投入した。投入後、半導体装置のリフロークラックの発生の有無を超音波探傷装置(SAT)を用いてボイドの有無を観察した。
実施例2の接着剤を用いた場合は、接着面積の7%にあたるボイドが観察された。実施例5の接着剤を用いた場合は、ボイドは観察されなかった。実施例5で得られた接着剤は、硬化が早く、そのため、基板が吸湿している場合でもボイドの発生を抑制できるためと推察された。
実施例及び比較例で得られた電子部品用接着剤及び半導体チップ積層体の総合評価として、以下の基準で評価を行った。
◎:ジェットディスペンス適性に優れ、塗布形状保持性に優れ、チップ間距離を極めて高精度に制御することができ、かつ、反りが80μm以下で、リフロークラック信頼性の高い半導体チップ積層体を得ることのできる接着剤である。
○:ジェットディスペンス適性に優れ、塗布形状保持性に優れ、チップ間距離を極めて高精度に制御することができ、かつ、反りが130μm以下で、リフロークラック信頼性の高い半導体チップ積層体を得ることのできる接着剤である。
×:上記評価のいずれかが不良であった接着剤である。
2 基板
3 電子部品用接着剤
4 スペーサー
5 電子部品接合体
10 コイル鉄心
11 E型コア部品
12 外足
13 中足
14 ギャップ層
15 I型コア部品
16 スペーサー粒子
Claims (7)
- 更に、3官能以上の多官能エポキシ化合物を含有することを特徴とする請求項1記載の電子部品用接着剤。
- 硬化剤は、炭素数10以上の側鎖を有する酸無水物化合物であることを特徴とする請求項1、2又は3記載の電子部品用接着剤。
- 硬化剤は、コハク酸無水物であることを特徴とする請求項1、2、3又は4記載の電子部品用接着剤。
- 室温においてE型粘度計を用いて10rpmで測定した粘度が0.5〜50Pa・sであり、かつ、前記ジェットディスペンス装置による塗布温度においてE型粘度計を用いて10rpmで測定した粘度が0.01〜5.0Pa・sであることを特徴とする請求項1、2、3、4又は5記載の電子部品用接着剤。
- 塗布温度におけるチクソ値が1.5〜5であることを特徴とする請求項1、2、3、4、5又は6記載の電子部品用接着剤。
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