JP4158389B2 - 高配向性多結晶セラミックス及びその製造方法、並びに熱電変換素子 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高配向性多結晶セラミックス及びその製造方法、並びに熱電変換素子に関し、さらに詳しくは、太陽熱発電器、海水温度差熱電発電器、化石燃料熱電発電器、工場排熱や自動車排熱の回生発電器等の各種の熱電発電器、光検出素子、レーザーダイオード、電界効果トランジスタ、光電子増倍管、分光光度計のセル、クロマトグラフィーのカラム等の温度を制御する精密温度制御装置、恒温装置、冷暖房装置、冷蔵庫、時計用電源等に用いられる熱電変換素子を構成する熱電変換材料として好適な高配向性多結晶セラミックス及びその製造方法、並びに、このような高配向性多結晶セラミックスを熱電変換材料として用いた熱電変換素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
熱電変換とは、セーベック効果やペルチェ効果を利用して、電気エネルギーを冷却や加熱に、また逆に熱エネルギーを電気エネルギーに直接変換することをいう。熱電変換は、（１）エネルギー変換の際に余分な老廃物を排出しない、（２）排熱の有効利用が可能である、（３）材料が劣化するまで継続的に発電を行うことができる、（４）モータやタービンのような可動装置が不要であり、メンテナンスの必要がない、等の特徴を有していることから、エネルギーの高効率利用技術として注目されている。
【０００３】
熱と電気とを相互に変換できる材料、すなわち、熱電変換材料の特性を評価する指標としては、一般に、性能指数Ｚ（＝Ｓ^２σ／κ、但し、Ｓ：ゼーベック係数、σ：電気伝導率、κ：熱伝導率）、又は、性能指数Ｚと、その値を示す絶対温度Ｔの積として表される無次元性能指数ＺＴが用いられる。ゼーベック係数は、１Ｋの温度変化によって生じる起電力の大きさを表す。熱電変換材料は、それぞれ固有のゼーベック係数を持っており、ゼーベック係数が正であるもの（ｐ型）と、負であるもの（ｎ型）に大別される。
【０００４】
また、熱電変換材料は、通常、ｐ型の熱電変換材料とｎ型の熱電変換材料とを接合した状態で使用される。このような接合対は、一般に、熱電変換素子と呼ばれている。熱電変換素子の性能指数は、ｐ型熱電変換材料の性能指数Ｚ_ｐ、ｎ型熱電変換材料の性能指数Ｚ_ｎ、並びに、ｐ型及びｎ型熱電変換材料の形状に依存し、また、形状が最適化されている場合には、Ｚ_ｐ及び／又はＺ_ｎが大きくなるほど、熱電変換素子の性能指数が大きくなることが知られている。従って、性能指数の高い熱電変換素子を得るためには、性能指数Ｚ_ｐ、Ｚ_ｎの高い熱電変換材料を用いることが重要である。
【０００５】
このような熱電変換材料としては、例えば、Ｂｉ−Ｔｅ系、Ｐｂ−Ｔｅ系、Ｓｉ−Ｇｅ系、酸化物セラミックス系等の種々の材料が知られている。これらの中で、Ｂｉ−Ｔｅ系及びＰｂ−Ｔｅ系の化合物半導体は、それぞれ、室温近傍及び３００〜５００℃の中温域において、優れた熱電特性（ＺＴ〜０．８）を示す。しかしながら、これらの化合物半導体は、高温域での使用は困難である。また、材料中には高価な稀少元素（例えば、Ｔｅ、Ｓｂ、Ｓｅなど）や、毒性の強い環境負荷物質（例えば、Ｔｅ、Ｓｂ、Ｓｅ、Ｐｂなど）を含むという問題がある。
【０００６】
一方、Ｓｉ−Ｇｅ系の化合物半導体は、１０００℃付近の高温域において優れた熱電特性（ＺＴ〜１．０）を示し、また、材料中に環境負荷物質を含まないという特徴がある。しかしながら、Ｓｉ−Ｇｅ系の化合物半導体は、高温大気中において長時間使用するためには、材料表面を保護する必要があり、熱的耐久性が低いという問題がある。
【０００７】
これに対し、酸化物セラミックス系の熱電変換材料は、材料中に稀少元素や環境負荷物質を必ずしも含まない。また、高温大気中において長時間使用しても熱電特性の劣化が少なく、熱的耐久性に優れるという特徴がある。そのため、酸化物セラミックス系の熱電変換材料は、化合物半導体に代わる材料として注目されており、熱電特性の高い新材料やその製造方法について、従来から種々の提案がなされている。
【０００８】
例えば、A.C.Massetらは、コバルトを含有する層状酸化物（以下、これを「コバルト層状酸化物」という。）の一種であるＣａ_３Ｃｏ_４Ｏ_９の多結晶体及び単結晶を作製し、その結晶構造と熱電特性の評価を行っている（A.C.Masset et al., Phys. Rev. B, 62(1), pp.166-175, 2000参照）。同文献には、Ｃａ_３Ｃｏ_４Ｏ_９は、岩塩型の結晶構造を有するＣａ_２ＣｏＯ_３層と、ＣｄＩ_２型の結晶構造を有するＣｏＯ_２層が、所定の周期でｃ軸方向に積層された格子不整合層状酸化物である点が記載されている。
【０００９】
また、同文献には、Ｃａ_３Ｃｏ_４Ｏ_９の比抵抗に異方性があり、｛００ｌ｝面内の比抵抗は、｛００ｌ｝面に垂直な方向の比抵抗より格段に小さくなる点が記載されている。さらに、Ｃａ_３Ｃｏ_４Ｏ_９単結晶の｛００ｌ｝面方向のゼーベック係数は、３００Ｋ近傍において約１２５μＶ／Ｋに達し、ゼーベック係数の温度依存性も小さい点が記載されている。
【００１０】
なお、コバルト層状酸化物の「｛００ｌ｝面」とは、熱電特性が高い面、すなわち、ＣｏＯ_２層と平行な面をいう。コバルトを含有する層状酸化物は、結晶構造が明らかになっていないものが多く、また、単位格子の取り方によって結晶軸及び結晶面の定義が異なるが、本発明においては、｛００ｌ｝面を上述のように定義する。
【００１１】
また、例えば、特開２００１−１９５４４号公報には、Ｂｉ_２Ｓｒ_２−ｘＣａ_ｘＣｏ_２Ｏ_ｗ、Ｂｉ_２−ｙＰｂ_ｙＳｒ_２Ｃｏ_２Ｏ_ｗ、Ｂｉ_２Ｓｒ_２−ｚＬａ_ｚＣｏ_２Ｏ_ｗ等の一般式（但し、０≦ｘ≦２、０≦ｙ≦０．５、０＜ｚ≦０．５）で表される組成を有し、層状の結晶構造を有し、かつ１．０×１０^４Ｓ／ｍ以上の電気伝導度を有する複合酸化物焼結体が開示されている。また、同公報には、Ｂｉ供給源、Ｓｒ供給源、Ｃａ供給源、Ｃｏ供給源等の原料を加圧成形し、この成形体を一軸加圧しながら酸素雰囲気中で加熱することによって原料の一部を部分溶融させた後、徐冷する複合酸化物の製造方法が開示されている。
【００１２】
さらに、特開２０００−２６９５６０号公報には、フラックス法で合成した平均粒径５ｍｍ、平均厚さ２０μｍのＮａＣｏ_２Ｏ_４結晶を金型成形した後、この成形体をホットプレスすることにより得られる複合酸化物集合体が開示されている。また、同公報には、スパッタリング法を用いて、基板上にＮａＣｏ_２Ｏ_４薄膜を形成させる複合酸化物の薄膜の製造方法が開示されている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
Ｃａ_３Ｃｏ_４Ｏ_９、Ｂｉ_２Ｓｒ_２−ｘＣａ_ｘＣｏ_２Ｏ_ｗ等のコバルト層状酸化物は、相対的に大きなゼーベック係数を有するｐ型の熱電変換材料であり、しかも、その熱電特性には、結晶方位に応じた異方性がある。従って、熱電特性の高い結晶面（｛００ｌ｝面）が一方向に配向した材料を用いれば、熱電特性の異方性を最大限に利用することができ、性能指数の向上が期待できる。また、これを用いた熱電変換素子の性能指数の向上も期待できる。
【００１４】
しかしながら、ＣａＣＯ_３、Ｃｏ_３Ｏ_４等の成分元素を含む単純化合物の混合物を仮焼し、これを成形・焼結する通常のセラミックス製造プロセスでは、熱電特性の高い結晶面が一方向に配向したコバルト層状酸化物の焼結体は得られない。
【００１５】
一方、特開２００１−１９５５４号公報には、成形体を一軸加圧しながら原料の一部を部分溶融させた後、徐冷すると、冷却過程において再結晶が起こり、加圧面に平行な方向に沿って｛００ｌ｝面が成長した結晶粒からなる焼結体が得られる点が記載されている。しかしながら、この方法では、再結晶によって所望の結晶が得られる物質系や組成のみに限られ、例えば、結晶化の際に分相や結晶構造の変化を生ずる系には適用できないという問題がある。
【００１６】
また、特開２０００−２６９５６０号公報に開示されているように、スパッタリング法によれば、基板の材質、スパッタリング条件等を最適化することによって、｛００ｌ｝面が高い配向度で配向したＮａＣｏ_２Ｏ_４薄膜を基板上に形成することができる。しかしながら、スパッタリング法では、薄膜しか得られず、実用に耐えうる大きな断面積を有する熱電セラミックスを作製するのは困難である。一方、フラックス法で合成した粗大な板状粉末を単にホットプレスする方法では、高い配向度を有する熱電セラミックスを作製するのは困難である。
【００１７】
さらに、熱電特性の高い結晶面を配向させるために、コバルト層状酸化物を単結晶化することも考えられる。しかしながら、単結晶は、製造コストが高いという問題がある。また、一般に、小さな単結晶は得られるが、熱電変換に用いるミリメートルオーダーサイズのバルク材料の作製は困難である。
【００１８】
本発明が解決しようとする課題は、優れた熱電特性を示すコバルト層状酸化物からなり、かつ、高い性能指数を示す高配向性多結晶セラミックスを提供することにある。
【００１９】
また、本発明が解決しようとする他の課題は、物質系によらず広範囲な系に適用でき、かつ、断面積の大きな焼結体を製造することが可能な高配向性多結晶セラミックスの製造方法を提供することにある。
【００２０】
さらに、本発明が解決しようとする他の課題は、このような高配向性多結晶セラミックスを熱電変換材料として用いた熱電変換素子を提供することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明に係る高配向性多結晶セラミックスは、ＣｏＯ_２層からなる第１副格子と、擬岩塩構造層からなる第２副格子とが交互に堆積した構造を有するコバルト層状酸化物の多結晶体からなり、前記コバルト層状酸化物の｛００ｌ｝面のロッキングカーブ半値幅が、１５度以下であることを要旨とする。
【００２２】
本発明に係る高配向性多結晶セラミックスは、優れた熱電特性を有するコバルト層状酸化物の多結晶体からなり、しかも極めて高い｛００ｌ｝面配向度を有しているので、｛００ｌ｝面が配向している方向と平行な方向の性能指数は、同一組成を有する無配向焼結体の性能指数より高い値を示す。
【００２３】
また、本発明に係る高配向性多結晶セラミックスの製造方法は、ＣｏＯ _２ 層からなる第１副格子と、擬岩塩構造層からなる第２副格子とが交互に堆積した構造を有するコバルト層状酸化物のＣｏＯ_２層と格子整合性がある結晶面Ａを備えた第１粉末を含む原料を調製する原料調製工程と、前記結晶面Ａのロットゲーリング法による配向度が５５％以上となるように、前記原料を成形する成形工程と、該成形工程で得られた成形体を加熱し、焼結させる焼結工程とを備えていることを要旨とする。
【００２４】
この場合、前記第１粉末は、前記コバルト層状酸化物の前駆体であっても良く、あるいは、前記コバルト層状酸化物であっても良い。また、前記第１粉末は、その発達面が、前記結晶面Ａである異方形状粉末が好ましい。
【００２５】
コバルト層状酸化物からなる配向焼結体を製造する場合において、焼結体中のコバルト層状酸化物の｛００ｌ｝面の配向度は、成形体に含まれる第１粉末の配向度に強く依存する。そのため、成形体中における第１粉末の配向度をある一定の値以上とすれば、各結晶粒の｛００ｌ｝面が極めて高い配向度で配向した高配向性多結晶セラミックスが得られる。
【００２６】
さらに、本発明に係る熱電変換素子は、熱電変換材料として本発明に係る高配向性多結晶セラミックスを用いたことを要旨とする。本発明に係る高配向性多結晶セラミックスは、同一組成を有する無配向焼結体より高い性能指数を有しているので、これを用いた熱電変換素子は、同一組成を有する無配向焼結体を用いた熱電変換素子よりも高い性能指数を示す。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態について詳細に説明する。本発明に係る高配向性多結晶セラミックスは、コバルト層状酸化物の多結晶体からなり、コバルト層状酸化物の｛００ｌ｝面のロッキングカーブ半値幅が、１５度以下であることを特徴とする。
【００２８】
ここで、「コバルト層状酸化物」とは、構造は明確にされていないが、ＣｏＯ_２層からなる第１副格子と、ＣｏＯ_２層とは異なる層からなる第２副格子とが所定の周期で堆積した層状化合物、すなわち、ＣｏＯ_２層を副格子とする層状化合物をいう。
【００２９】
第１副格子は、１層又は２層以上のＣｏＯ_２層からなる。また、「ＣｏＯ_２層」とは、正八面体の中心に１個のＣｏ原子があり、かつ、その頂点に合計６個の酸素原子があるＣｏＯ_６八面体が、酸素を共有する形で二次元的に連結したものをいう。この場合、ＣｏＯ_２層に含まれるＣｏ原子の一部は、他の金属元素（例えば、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｃｒ等）に置換されていても良い。
【００３０】
一方、第２副格子は、ＣｏＯ_２層とは異なる層であれば良く、その組成や構造については、特に限定されるものではない。すなわち、第２副格子は、１種類の層からなるものであっても良く、あるいは、組成や副格子構造の異なる２種以上の層が規則的又は不規則的に組み合わされたものであっても良い。但し、高い熱電特性を得るためには、第２副格子は、岩塩構造又は歪んだ岩塩構造を有するもの（本発明において、これらを「擬岩塩構造層」という。）が特に好適である。
【００３１】
また、第１副格子と第２副格子は、交互に堆積していれば良く、その堆積周期は、特に限定されるものではない。すなわち、コバルト層状酸化物は、１層又は２層以上のＣｏＯ_２層（第１副格子）と、１層又は２層以上の他の層（第２副格子）とが、短周期もしくは長周期で規則的に堆積したものであっても良く、あるいは、これらが不規則的に堆積したものであっても良い。
【００３２】
コバルト層状酸化物としては、具体的には、Ｃａ_３Ｃｏ_４Ｏ_９、Ｂｉ_２Ｃａ_２Ｃｏ_２Ｏ_９、Ｂｉ_２Ｓｒ_２Ｃｏ_２Ｏ_９、Ｂｉ_２Ｂａ_２Ｃｏ_２Ｏ_９等、及び、これらの層状酸化物を構成する陽イオン元素の一部が他の元素に置換された層状酸化物が好適な一例として挙げられる。これらの中でも、カルシウムを含有するコバルト層状酸化物（以下、これを「カルシウムコバルト層状酸化物」という。）であって、次の化１の一般式で表されるものは、高い熱電特性を有しているので、結晶方位を一方向に揃えることによって、高い性能指数を有する熱電変換材料となる。
【００３３】
【化１】
｛（Ｃａ_１−ｘＡ_ｘ）_２ＣｏＯ_３＋α｝（ＣｏＯ_２＋β）_ｙ
（但し、Ａは、アルカリ金属、アルカリ土類金属及びＢｉから選ばれる１種又は２種以上の元素、０≦ｘ≦０．３、０．５≦ｙ≦２．０、０．８５≦｛３＋α＋（２＋β）ｙ｝／（３＋２ｙ）≦１．１５）
【００３４】
なお、化１の式において、「０．８５≦｛３＋α＋（２＋β）ｙ｝／（３＋２ｙ）≦１．１５」は、基本組成（{(Ｃａ_１−ｘＡ_ｘ)_２ＣｏＯ_３}(ＣｏＯ_２)_ｙ ）を有するカルシウムコバルト層状酸化物に含まれる酸素の化学量論量（３＋２ｙ）に対し、最大で±１５ａｔｍ％の範囲で酸素が過剰となったり、あるいは、酸素の欠損を生ずる場合があることを示す。この場合、増減する酸素は、第１副格子に含まれる酸素（β）又は第２副格子に含まれる酸素（α）のいずれか一方であっても良く、あるいは、双方の酸素であっても良い。
【００３５】
化１の式に示すカルシウムコバルト層状酸化物において、Ｃａの一部をアルカリ金属、アルカリ土類金属及び／又はＢｉからなる置換元素Ａで置換すると、層状酸化物の電気伝導度が向上するという効果がある。但し、置換元素ＡによるＣａの置換量が過大になると、大気中の水分と反応するなど化学的に不安定になるので、置換量は３０ａｔｍ％以下が好ましい。
【００３６】
また、化１の式に示すカルシウムコバルト層状酸化物において、第１副格子及び／又は第２副格子に含まれるＣｏの一部をＣｕ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｚｒ及び／又はＣｒ（以下、これらを「置換元素Ｃ」という。）で置換しても良い。Ｃｏの一部を置換元素Ｃで置換すると、層状酸化物のゼーベック係数及び／又は電気伝導度が向上するという効果がある。この場合、置換元素ＣによるＣｏの置換量は、２５ａｔｍ％以下が好ましい。
【００３７】
高い熱電特性を示すコバルト層状酸化物の第２の具体例は、次の化２の一般式で表されるものからなる。化２の式で表されるコバルト層状酸化物もまた、結晶方位を一方向に揃えることによって、高い性能指数を有する熱電変換材料となる。
【００３８】
【化２】
（Ｂｉ_{１−ｘーｙ}Ｂ_ｘＣｏ_ｙＯ_１＋α）（ＣｏＯ_２＋β）_ｚ
（但し、Ｂは、アルカリ金属及びアルカリ土類金属から選ばれる１種又は２種以上の元素、０．２≦ｘ≦０．８、０≦ｙ＜０．５、０．２≦ｘ＋ｙ≦１、０．２５≦ｚ≦０．５、０．８５≦｛１＋α＋（２＋β）ｚ｝／（１＋２ｚ）≦１．１５）
【００３９】
なお、化２の式において、「０．８５≦｛１＋α＋（２＋β）ｚ｝／（１＋２ｚ）≦１．１５」は、基本組成（ (Ｂｉ_{１−ｘーｙ}Ｂ_ｘＣｏ_ｙＯ)(ＣｏＯ_２)_ｚ）を有するコバルト層状酸化物に含まれる酸素の化学量論量（１＋２ｚ）に対し、最大で±１５ａｔｍ％の範囲で酸素が過剰となったり、あるいは、酸素の欠損を生ずる場合があることを示す。この場合、増減する酸素は、第１副格子に含まれる酸素（β）又は第２副格子に含まれる酸素（α）のいずれか一方であっても良く、あるいは、双方の酸素であっても良い。
【００４０】
また、化２の式に示すコバルト層状酸化物において、第１副格子及び／又は第２副格子に含まれるＣｏの一部は、置換元素Ｃで置換されていても良い。Ｃｏの一部を置換元素Ｃで置換すると、層状酸化物のゼーベック係数及び／又は電気伝導度が向上するという効果がある。この場合、置換元素ＣによるＣｏの置換量は、２５ａｔｍ％以下が好ましい。
【００４１】
「ロッキングカーブ」とは、単色のＸ線を一定方向から試料に入射させ、試料をブラッグ角の付近で回転させたときに得られる回折強度の角度変化を表す曲線をいう。多結晶体のある１つの面（測定面）に単色のＸ線を入射させ、特定の結晶面に対応するＸ線回折ピークのロッキングカーブを測定すると、測定面に対する特定の結晶面の配向度を知ることができる。一般に、ロッキングカーブの半値幅が狭くなるほど、特定の結晶面が測定面に対して高い配向度で配向していることを示す。
【００４２】
また、多結晶体を構成する各結晶粒の特定の結晶面の配向の程度を表す指標であって、ロッキングカーブ半値幅以外のものとしては、例えば、後述するロットゲーリング（Ｌｏｔｇｅｒｉｎｇ）法による平均配向度Ｑ（ＨＫＬ）が知られている。ロットゲーリング法による平均配向度Ｑ（ＨＫＬ）は、中〜高配向度領域における配向度を表す指標として適している。一方、ロッキングカーブ半値幅は、ロットゲーリング法による平均配向度Ｑ（ＨＫＬ）ではほとんど区別が付かない高配向度領域における配向度を詳細に表す指標として適している。
【００４３】
本発明に係る高配向性多結晶セラミックスにおいて、高い熱電特性を得るためには、配向面に対して測定されたコバルト層状酸化物の｛００ｌ｝面のロッキングカーブ半値幅は、小さい程良い。｛００ｌ｝面のロッキングカーブ半値幅は、具体的には、１５度以下が好ましく、さらに好ましくは、１２度以下である。
【００４４】
なお、｛００ｌ｝面に対応するＸ線回折ピークは、通常、複数本現れる。これらの内、ロッキングカーブ半値幅の測定に用いるピークは、コバルト層状酸化物の組成、結晶構造等に応じて、最適なものを選択する。一般的には、少なくとも最大の｛００ｌ｝面ピークを用いて測定されたロッキングカーブ半値幅が、上述の範囲にあればよい。また、相対的に大きな｛００ｌ｝面ピークが複数本ある場合には、少なくとも高角側にある｛００ｌ｝面ピークを用いて測定されたロッキングカーブ半値幅が、上述の範囲にあればよい。
【００４５】
例えば、化１の式で表されるコバルト層状酸化物の場合、（００４）面のＸ線回折ピークが用いられる。一方、化２の式で表されるコバルト層状酸化物の場合、（００１０）面のＸ線回折ピークが用いられる。
【００４６】
次に、本発明に係る高配向性多結晶セラミックスの作用について説明する。圧電定数など、ある特性について結晶方位に応じた異方性がある材料において、特定の結晶方位を配向させると、配向方向の特性が向上することは知られている。この場合、配向度が高くなるほど特性は向上するが、配向度がある一定の値を越えると、特性は飽和し、それ以上向上しないのが一般的である。
【００４７】
しかしながら、コバルト層状酸化物からなる配向焼結体の場合、その熱電特性は、ロットゲーリング法による配向度ではほとんど区別が付かない高配向度領域（具体的には、ロットゲーリング法による｛００ｌ｝面の配向度が９９％以上の領域）においても飽和せず、配向度の僅かな変動が、熱電特性の大きな変動を引き起こす。これは、配向度の僅かな変動によって、配向方向の電気伝導率σが大きく変動するためと考えられる。
【００４８】
本発明に係る高配向性多結晶セラミックスは、高い熱電特性を示すコバルト層状酸化物の多結晶体からなり、しかも、｛００ｌ｝面の配向度が極めて高くなっている。そのため、本発明に係る高配向性多結晶セラミックスは、同一組成を有する無配向セラミックス及び低配向度の配向セラミックスより高い熱電特性を示す。また、本発明に係る高配向性多結晶セラミックスを用いた熱電変換素子は、同一組成を有する無配向セラミックス及び低配向度の配向セラミックスを用いた熱電変換素子よりも高い性能指数を示す。
【００４９】
次に、本発明の第１の実施の形態に係る高配向性多結晶セラミックスの製造方法について説明する。コバルト層状酸化物のような複雑な組成を有するセラミックスは、通常、成分元素を含む単純化合物を化学量論比になるように配合し、この混合物を成形・仮焼した後に解砕し、次いで解砕粉を再成形・焼結する方法によって製造される。しかしながら、このような方法では、各結晶粒の特定の結晶面が特定の方向に配向した配向焼結体を得るのは極めて困難である。
【００５０】
本実施の形態においては、この問題を解決するために、特定の条件を満たす針状、板状等の異方形状粉末を成形体中に相対的に高い配向度で配向させ、この異方形状粉末をテンプレート又は反応性テンプレートとして用いてコバルト層状酸化物の成長及び／又は合成、並びにその焼結を行わせ、これによって多結晶体を構成する各結晶粒の｛００ｌ｝面を極めて高い配向度で一方向に配向させた点に特徴がある。本実施の形態において、異方形状粉末には、以下の条件を満たすものが用いられる。
【００５１】
第１に、異方形状粉末には、成形時に一定の方向に配向させることが容易な形状を有しているものが用いられる。そのためには、異方形状粉末の平均アスペクト比（＝異方形状粉末の最大寸法／最小寸法の平均値）は、３以上であることが望ましい。平均アスペクト比が３未満であると、成形時に異方形状粉末を一方向に配向させるのが困難となる。異方形状粉末の平均アスペクト比は、さらに好ましくは５以上である。
【００５２】
一般に、異方形状粉末の平均アスペクト比が大きくなるほど、異方形状粉末の配向が容易化される傾向がある。但し、平均アスペクト比が過大になると、後述する原料調製工程において異方形状粉末が破砕され、異方形状粉末が高い配向度で配向した成形体が得られない場合がある。従って、異方形状粉末の平均アスペクト比は、１００以下が好ましく、さらに好ましくは２０以下である。
【００５３】
また、異方形状粉末の平均粒径（＝異方形状粉末の最大寸法の平均値）は、０．０５μｍ以上２０μｍ以下が好ましい。異方形状粉末の平均粒径が０．０５μｍ未満であると、成形時に作用させる剪断応力によって異方形状粉末を一定の方向に配向させるのが困難になる。一方、異方形状粉末の平均粒径が２０μｍを超えると、焼結性が低下する。異方形状粉末の平均粒径は、さらに好ましくは、０．１μｍ以上５μｍ以下である。
【００５４】
第２に、異方形状粉末には、その発達面（最も広い面積を占める面）が、コバルト層状酸化物のＣｏＯ_２層と格子整合性を有しているものが用いられる。所定の形状を有する異方形状粉末であっても、その発達面がコバルト層状酸化物のＣｏＯ_２層と格子整合性を有していない場合には、本発明に係る高配向性多結晶セラミックスを製造するためのテンプレートとして機能しない場合がある。
【００５５】
格子整合性の良否は、異方形状粉末の発達面の格子寸法とコバルト層状酸化物のＣｏＯ_２層の格子寸法の差の絶対値を異方形状粉末の発達面の格子寸法で割った値（以下、この値を「格子整合率」という。）で表すことができる。格子整合率が小さくなるほど、その異方形状粉末は、良好なテンプレートとして機能することを示す。極めて高い配向度を有する高配向性多結晶セラミックスを製造するためには、異方形状粉末の格子整合率は、２０％以下が好ましく、さらに好ましくは１０％以下である。
【００５６】
第３に、異方形状粉末は、必ずしもコバルト層状酸化物そのものである必要はなく、後述する第２粉末と反応して、コバルト層状酸化物を生成するもの（以下、これを「コバルト層状酸化物の前駆体」という。）であっても良い。従って、異方形状粉末は、コバルト層状酸化物に含まれる陽イオン元素の内のいずれか１種以上の元素を含む化合物あるいは固溶体の中から選ばれることになる。
【００５７】
以上のような条件を満たす異方形状粉末であれば、いずれも本発明に係る高配向性多結晶セラミックスを製造するためのテンプレート又は反応性テンプレートとして機能する。このような条件を満たす材料としては、具体的には、作製しようとする高配向性多結晶セラミックスと同一組成を有するコバルト層状酸化物、あるいは、Ｃｏ(ＯＨ)_２、ＣｏＯ、Ｃｏ_３Ｏ_４、ＣｏＯ(ＯＨ)等のコバルト化合物が好適である。これらは、いずれも、コバルト層状酸化物のＣｏＯ_２層と格子整合性を有する結晶面Ａを発達面とする板状粉末を比較的容易に合成することができる。
【００５８】
｛００ｌ｝面を発達面とするコバルト層状酸化物の板状粉末は、当然に本発明に係る高配向性多結晶セラミックスを製造するためのテンプレートとして機能する。このような板状粉末は、その構成元素を含む塩類を水に溶解し、この水溶液にアルカリ水溶液（例えば、ＮａＯＨ、ＫＯＨ、アンモニア水等）を滴下する沈殿法、その構成元素を含む酸化物をフラックスと共に加熱するフラックス法、その構成元素を含む酸化物をオートクレーブ中で加熱する水熱法等、液相が関与した合成法を用いて合成することができる。また、この時、合成条件を適宜制御すれば、板状粉末の形状制御も比較的容易に行うことができる。
【００５９】
Ｃｏ(ＯＨ)_２は、ＣｄＩ_２型の結晶構造を有している。Ｃｏ(ＯＨ)_２の｛００１｝面は、他の結晶面に比して表面エネルギーが小さいので、｛００１｝面を発達面とする板状粉末の製造は比較的容易である。また、Ｃｏ(ＯＨ)_２の｛００１｝面は、コバルト層状酸化物のＣｏＯ_２層との間に極めて良好な格子整合性を有している。そのため、｛００１｝面を発達面とするＣｏ(ＯＨ)_２板状粉末は、本発明に係る高配向性多結晶セラミックスを製造するための反応性テンプレートとして特に好適である。
【００６０】
｛００１｝面を発達面とするＣｏ(ＯＨ)_２板状粉末は、沈殿法により合成することができる。具体的には、ＣｏＣｌ_２、Ｃｏ(ＮＯ_３)_２等のコバルト塩を含む水溶液中に、アルカリ水溶液（ＮａＯＨ、ＫＯＨ、アンモニア水等）を滴下すればよい。これにより、水溶液中に、｛００１｝面が発達したＣｏ(ＯＨ)_２の板状粉末を析出させることができる。また、この時、合成条件を適宜制御すれば、板状粉末の形状制御も比較的容易に行うことができる。
【００６１】
また、ＣｏＯは、岩塩型の結晶構造を有し、その｛１１１｝面は、コバルト層状酸化物のＣｏＯ_２層との間に極めて良好な格子整合性を有している。そのため、｛１１１｝面を発達面とするＣｏＯ板状粉末は、本発明に係る高配向性多結晶セラミックスを製造するための反応性テンプレートとして好適である。
【００６２】
沈殿法でＣｏ(ＯＨ)_２粉末を合成した後、この水溶液を大気中で長時間撹拌すると、Ｃｏ(ＯＨ)_２板状粉末が徐々に酸化される。この時、酸化条件を最適化すると、Ｃｏ(ＯＨ)_２の｛００１｝面がＣｏＯの｛１１１｝面として承継され、｛１１１｝面を発達面とするＣｏＯ板状粉末が得られる。
【００６３】
また、Ｃｏ_３Ｏ_４は、スピネル型の結晶構造を有し、その｛１１１｝面は、コバルト層状酸化物のＣｏＯ_２層との間に極めて良好な格子整合性を有している。そのため、｛１１１｝面を発達面とするＣｏ_３Ｏ_４板状粉末は、本発明に係る高配向性多結晶セラミックスを製造するための反応性テンプレートとして好適である。
【００６４】
次に、上述した板状粉末をテンプレート又は反応性テンプレートとして用いた本実施の形態に係る高配向性多結晶セラミックスの製造方法について説明する。本実施の形態に係る製造方法は、原料調製工程と、成形工程と、焼結工程とを備えている。
【００６５】
初めに、原料調製工程について説明する。原料調製工程は、上述したコバルト層状酸化物のＣｏＯ_２層と格子整合性を有する「結晶面Ａ」を備えた第１粉末を含む原料を調製する工程である。本実施の形態においては、第１粉末として、上述した板状粉末、すなわち発達面が結晶面Ａである板状粉末が用いられる。この場合、板状粉末は、１種類の化合物からなるものであって良く、あるいは、２種以上の化合物の混合物であっても良い。
【００６６】
また、板状粉末がコバルト層状酸化物の前駆体である場合、板状粉末と第２粉末とを所定の比率で混合する。「第２粉末」とは、前駆体である板状粉末と反応してコバルト層状酸化物となる化合物をいう。第２粉末の組成及び配合比率は、合成しようとするコバルト層状酸化物の組成、及び、反応性テンプレートとして使用する板状粉末の組成に応じて定まる。また、第２粉末の形態については、特に限定されるものではなく、水酸化物、酸化物粉末、複合酸化物粉末、炭酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、酢酸塩などの塩、アルコキシド等を用いることができる。
【００６７】
例えば、コバルト層状酸化物が化１の一般式で表されるカルシウムコバルト層状酸化物であり、板状粉末として、Ｃｏ(ＯＨ)_２、ＣｏＯ、Ｃｏ_３Ｏ_４及び／又はＣｏＯ(ＯＨ)を用いる場合には、第２粉末として、Ｃａ等のアルカリ土類金属元素を含有する第２化合物を用いる。また、コバルト層状酸化物がアルカリ土類金属元素及びＣｏ以外の第３元素（この場合は、１種若しくは２種以上のアルカリ金属元素及び／又はＢｉ）を含む場合には、第２粉末として、これらを含有する第３化合物を用いる。
【００６８】
第２化合物は、焼成によってアルカリ土類金属元素の酸化物を形成し得るものであればよく、アルカリ土類金属元素を含有する酸化物、水酸化物、塩、アルコキシド等、種々の化合物を用いることができる。
【００６９】
Ｃａを含有する第２化合物としては、具体的には、酸化カルシウム（ＣａＯ）、水酸化カルシウム（Ｃａ(ＯＨ)_２）、塩化カルシウム（ＣａＣｌ_２）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ_３）、硝酸カルシウム（Ｃａ(ＮＯ_３)_２）、カルシウムジメトキシド（Ｃａ(ＯＣＨ_３)_２）、カルシウムジエトキシド（Ｃａ(ＯＣ_２Ｈ_５)_２）、カルシウムジイソプロポキシド（Ｃａ(ＯＣ_３Ｈ_７)_２）等が好適である。また、第２化合物は、上述した化合物の内、いずれか１種類のみを用いても良く、あるいは、２種以上の化合物を組み合わせて用いても良い。
【００７０】
第２化合物が固体である場合又は固体状態のまま混合を行う場合、第２化合物の平均粒径は、１０μｍ以下が好ましい。平均粒径が１０μｍを超えると、反応が不均一となったり、焼結性が低下するので好ましくない。第２化合物の平均粒径は、さらに好ましくは５μｍ以下である。第２化合物の平均粒径は、成形性や取扱性が低下しない限りにおいて、小さいほど良い。
【００７１】
第３化合物は、焼成によって第３元素を含む酸化物を形成し得るものであればよく、第３元素を含有する酸化物、水酸化物、塩、アルコキシド等、種々の化合物を用いることができる。
【００７２】
Ｎａのみを含有する第３化合物としては、具体的には、炭酸ナトリウム（Ｎａ_２ＣＯ_３）、硝酸ナトリウム（ＮａＮＯ_３）、ナトリウムイソプロポキシド（Ｎａ（ＯＣ_３Ｈ_７））等が好適である。
【００７３】
Ｋのみを含有する第３化合物としては、具体的には、炭酸カリウム（Ｋ_２ＣＯ_３）、酢酸カリウム（ＣＨ_３ＣＯＯＫ）、硝酸カリウム（ＫＮＯ_３）、カリウムイソプロポキシド（Ｋ（ＯＣ_３Ｈ_７））等が好適である。
【００７４】
Ｂｉのみを含有する第３化合物としては、具体的には、酸化ビスマス（Ｂｉ_２Ｏ_３）、硝酸ビスマス（Ｂｉ(ＮＯ_３)_３）、塩化ビスマス（ＢｉＣｌ_３）、水酸化ビスマス（Ｂｉ(ＯＨ)_３）、ビスマストリイソプロポキシド（Ｂｉ(ＯＣ_３Ｈ_７)_３）、Ｂｉ金属単体等が好適である。
【００７５】
さらに、第３化合物は、２種以上の第３元素を含む複合化合物であっても良い。また、第２粉末として、上述した第３化合物の内、１種類のみを用いても良く、あるいは、２種以上の第３化合物を組み合わせて用いても良い。
【００７６】
なお、第３化合物が固体である場合又は固体状態のまま混合を行う場合、第３化合物の平均粒径は、１０μｍ以下が好ましく、さらに好ましくは５μｍ以下である点は、第２化合物と同様である。
【００７７】
また、例えば、コバルト層状酸化物が、化１の一般式で表され、かつ、Ｃｏの一部が置換元素Ｃで置換されたカルシウムコバルト層状酸化物であり、板状粉末として、Ｃｏ(ＯＨ)_２、ＣｏＯ、Ｃｏ_３Ｏ_４及び／又はＣｏＯ(ＯＨ)を用いる場合には、第２粉末として、上述した第２化合物及び第３化合物に加えて、置換元素Ｃを含有する１種又は２種以上の第４化合物を用いれば良い。
【００７８】
第４化合物は、焼成によって置換元素Ｃを含む酸化物を形成し得るものであればよく、置換元素Ｃを含有する酸化物、水酸化物、塩、アルコキシド等、種々の化合物を用いることができる。Ｃｕを含有する第４化合物としては、具体的には、酸化銅（ＣｕＯ、Ｃｕ_２Ｏ）、炭酸銅（ＣｕＣＯ_３）、塩化銅（ＣｕＣｌ、ＣｕＣｌ_２）、Ｃｕ金属単体等が好適な一例として挙げられる。また、第４化合物は、上述した化合物の内、いずれか１種類のみを用いても良く、あるいは、２種以上の化合物を組み合わせて用いても良い。
【００７９】
なお、第４化合物が固体である場合又は固体状態のまま混合を行う場合、第４化合物の平均粒径は、１０μｍ以下が好ましく、さらに好ましくは５μｍ以下である点は、第２化合物及び第３化合物と同様である。
【００８０】
また、例えば、コバルト層状酸化物が化２の一般式で表される組成を有し、板状粉末として、Ｃｏ(ＯＨ)_２、ＣｏＯ、Ｃｏ_３Ｏ_４及び／又はＣｏＯ(ＯＨ)を用いる場合には、第２粉末として、アルカリ土類金属元素を含有する１種又は２種以上の第２化合物、Ｂｉを含有する１種又は２種以上の第３化合物、及び、アルカリ金属を含有する１種又は２種以上の第３化合物を用いる。
【００８１】
さらに、コバルト層状酸化物が、化２の一般式で表され、かつ、Ｃｏの一部が置換元素Ｃで置換されたものであり、板状粉末として、Ｃｏ(ＯＨ)_２、ＣｏＯ、Ｃｏ_３Ｏ_４及び／又はＣｏＯ(ＯＨ)を用いる場合には、第２粉末として、上述した第２化合物及び第３化合物に加えて、置換元素Ｃを含有する１種又は２種以上の第４化合物を用いれば良い。他の組成を有するコバルト層状酸化物からなる結晶配向セラミックスを製造する場合も同様である。
【００８２】
なお、原料調製工程においては、所定の比率で配合された板状粉末及び第２粉末に対して、さらに、作製しようとするコバルト層状酸化物と同一組成を有する非板状の微粉（以下、これを「第３粉末」という。）を添加しても良い。原料中に第３粉末を添加すると、焼結体密度が向上するという効果がある。
【００８３】
この場合、第３粉末の配合比率が過大になると、必然的に原料全体に占める板状粉末の配合比率が小さくなり、焼結体中のｃ面の配向度が低下するおそれがある。従って、第３粉末の配合比率は、要求される｛００ｌ｝面の配向度が得られるように、最適な値を選択するのが好ましい。
【００８４】
また、板状粉末に対して、第２粉末及び／又は第３粉末を添加する場合、これらの混合は、乾式で行っても良く、あるいは、水、アルコール等の適当な分散媒を加えて湿式で行っても良い。さらに、この時、必要に応じてバインダ及び／又は可塑剤を加えても良い。
【００８５】
次に、成形工程について説明する。成形工程は、結晶面Ａのロットゲーリング法による配向度が所定の値以上となるように、原料を成形する工程である。ロットゲーリング（Ｌｏｔｇｅｒｉｎｇ）法による「配向度」とは、次の数１の式で表される平均配向度Ｑ（ＨＫＬ）をいう。
【００８６】
【数１】

【００８７】
なお、数１の式において、ΣＩ(ｈｋｌ)は、配向成形体について測定された測定対象物（この場合は、第１粉末）のすべての結晶面（ｈｋｌ）のＸ線回折強度の総和であり、ΣＩ_０(ｈｋｌ)は、配向成形体と同一組成を有する無配向成形体について測定された測定対象物のすべての結晶面（ｈｋｌ）のＸ線回折強度の総和である。また、Σ’Ｉ(ＨＫＬ)は、配向成形体について測定された測定対象物の結晶学的に等価な特定の結晶面（ＨＫＬ）のＸ線回折強度の総和であり、Σ’Ｉ_０(ＨＫＬ)は、配向成形体と同一組成を有する無配向成形体について測定された測定対象物の結晶学的に等価な特定の結晶面（ＨＫＬ）のＸ線回折強度の総和である。
【００８８】
従って、成形体中に含まれる第１粉末が無配向である場合には、平均配向度Ｑ（ＨＫＬ）は０％となる。また、成形体中に含まれるすべての第１粉末の特定の結晶面（ＨＫＬ）が測定面に対して平行に配向している場合には、平均配向度Ｑ（ＨＫＬ）は１００％となる。
【００８９】
高い熱電特性を示す高配向性多結晶セラミックスを得るためには、成形体中に含まれる第１粉末の結晶面Ａの配向度は、高いほど良い。結晶面Ａのロットゲーリング法による配向度は、５５％以上が好ましく、さらに好ましくは、７０％以上、さらに好ましくは、８０％以上である。
【００９０】
結晶面Ａ（すなわち、板状粉末の発達面）の配向度が高い成形体を得る方法には、具体的には、以下のような方法がある。第１の方法は、原料調製工程で得られた原料を直接、圧延（ロールプレス）する方法である。この場合、圧延温度、圧下率等の圧延条件を最適化することによって、結晶面Ａの配向度を制御することができる。一般に、圧延温度が高くなるほど、及び／又は、圧下率が大きくなるほど、結晶面Ａの配向度を高くすることができる。なお、圧下率とは、次式により定義される値をいう。
圧下率＝（圧延前のシートの厚み−圧延後のシートの厚み）／圧延前のシートの厚み×１００（％）
【００９１】
第２の方法は、ドクターブレード（テープキャスト）法、押出法、プレス成形等、板状粉末に強い剪断力が作用する方法を用いて成形体を作製し、次いで得られた成形体を圧延（ロールプレス）する方法である。特に、ドクターブレード法又は押出法を用いてテープ状に成形し、これを直接、又は所定枚数積層圧着した後、圧延する方法が好適である。ドクターブレード法又は押出法は、板状粉末に相対的に強い剪断力が作用するので、テープ面に対して板状粉末が平行に配向したテープを得ることができる。このテープをさらに圧延すると、板状粉末の配向度をさらに高めることができる。
【００９２】
この場合も、圧延温度、圧下率等の圧延条件を最適化することによって、結晶面Ａの配向度を制御することができる。例えば、ドクターブレード法を用いて得られるテープの積層体を圧延する場合、圧下率は、１０％以上が好ましく、さらに好ましくは、３０％以上である。また、５０％を超える圧下率で圧延すると成形体が薄くなるので、このような場合には、厚さの低下を見込んで予め厚い成形体を用意するか、あるいは、積層圧着−圧延を所定回数繰り返すのが好ましい。
【００９３】
圧延は、室温で行っても良く、あるいは、バインダの分解、変質等が生じない温度以下の温間で行っても良い。この際、圧延ロールを加熱しても良いし、あらかじめ成形体を加熱しても良いし、その両方でも良い。室温で圧延を行う場合であっても、板状粉末の配向度を高めることができるが、温間で圧延を行うと、バインダが軟化するために、板状粉末の配向が容易化する。一般に、圧下率が同一である場合、圧延温度が高くなるほど、テープ又はテープの積層体にクラックが生じにくくなり好ましい。温間で圧延する場合、圧延温度は、４０℃以上が好ましく、さらに好ましくは、６０℃以上であるが、用いるバインダーに対して最適な温度を選択すれば良い。
【００９４】
次に、焼結工程について説明する。焼結工程は、成形工程で得られた成形体を加熱し、焼結させる工程である。板状粉末（第１粉末）、並びに、必要に応じて添加された第２粉末及び第３粉末を含む成形体を所定の温度に加熱すると、これらの反応によってコバルト層状酸化物が成長及び／又は生成すると同時に、コバルト層状酸化物の焼結も進行する。
【００９５】
コバルト層状酸化物の場合、焼結は、通常、８００℃以上１２００℃以下で行われる。最適な加熱温度は、反応及び焼結が効率よく進行し、かつ異相が生成しないように、使用する板状粉末、第２粉末、作製しようとするコバルト層状酸化物の組成等に応じて選択する。例えば、Ｃｏ(ＯＨ)_２板状粉末とＣａＣＯ_３から、Ｃａ_３Ｃｏ_４Ｏ_９組成を有する高配向性多結晶セラミックスを作製する場合、加熱温度は、９３０℃以下が好ましい。また、加熱時間は、所定の焼結体密度が得られるように、加熱温度に応じて最適な値を選択すればよい。
【００９６】
加熱方法としては、室温から所定温度に徐々に昇温する方法や、あらかじめ所定温度に加熱した炉内に配向成形体を導入し、一気に加熱する方法などがあり、作製しようとするコバルト層状酸化物の組成などに応じて、最適な方法を選択すればよい。また、焼結は、常圧で行っても良く、あるいは、ホットプレス、ホットフォージング、ＨＩＰ等、加圧下で行っても良い。特に、ホットプレス法は、配向度の極めて高い焼結体を得る方法として好適である。
【００９７】
また、焼結工程は、酸素が存在する雰囲気下（すなわち、大気中又は酸素中）で行うのが好ましい。酸素を含まない雰囲気下で成形体を加熱すると、コバルト層状酸化物に含まれる酸素量が減少し、熱電特性が低下する場合があるので好ましくない。特に、酸素中において成形体を加熱すると、高い熱電特性を有する高配向性多結晶セラミックスが得られる。
【００９８】
なお、バインダを含む成形体の場合、焼結工程の前に、脱脂を主目的とする熱処理を行っても良い。この場合、脱脂の温度は、特に限定されるものではなく、少なくともバインダを熱分解させるに十分な温度であれば良い。但し、出発原料として、Ｎａ等の低融点金属を含む化合物を用いる場合には、Ｎａ等の蒸発を防ぐために、５００℃以下で脱脂を行うのが好ましい。また、脱脂は、酸素が存在する雰囲気下で行うのが好ましい。
【００９９】
また、配向成形体の脱脂を行うと、配向成形体中の板状粉末の配向度が低下したり、あるいは、反応が進行して配向成形体が膨張する場合がある。このような場合には、脱脂を行った後、焼結を行う前に、配向成形体に対して、さらに静水圧（ＣＩＰ）処理を行うのが好ましい。脱脂後の配向成形体に対して、さらに静水圧処理を行うと、脱脂に伴う配向度の低下、あるいは、配向成形体の密度低下に起因する焼結体密度の低下を抑制できるという利点がある。
【０１００】
次に、本実施の形態に係る高配向性多結晶セラミックスの製造方法の作用について説明する。板状粉末、並びに、必要に応じて添加された第２粉末及び第３粉末を含む原料を調製し、これを板状粉末に対して剪断応力が作用するような成形方法を用いて成形すると、板状粉末が成形体中に配向する。このような配向成形体を所定の温度で加熱すると、板状粉末、第２粉末及び第３粉末が反応し、コバルト層状酸化物が成長及び／又は生成する。
【０１０１】
この時、板状粉末の発達面とコバルト層状酸化物のＣｏＯ_２層との間には格子整合性があるので、板状粉末の発達面が、コバルト層状酸化物の｛００ｌ｝面として承継される。その結果、焼結体中には、｛００ｌ｝面が一方向に配向した状態で、コバルト層状酸化物の板状結晶が成長する。
【０１０２】
このような工程を経て得られた焼結体中のコバルト層状酸化物の｛００ｌ｝面の配向度（特に、高配向度領域における｛００ｌ｝面の配向度）は、成形体中に含まれる板状粉末の配向度に強く依存する。そのため、板状粉末に強い剪断力を作用させることによって、板状粉末の配向度が所定の値以上である成形体を作製し、これを焼結すれば、各結晶粒の｛００ｌ｝面が極めて高い配向度で配向した高配向性多結晶セラミックスが得られる。
【０１０３】
本実施の形態に係る製造方法は、通常のセラミックスプロセスをそのまま用いることができるので、低コストである。また、配向度及び組成が均一であり、しかも断面積の大きな高配向性多結晶セラミックスが得られる。また、この方法により得られる高配向性多結晶セラミックスは、多結晶体であるので、単結晶より破壊靱性が大きく、また、粒界や空孔でフォノンが散乱されるので、単結晶より熱伝導率が低くなる。さらに、この方法により得られる高配向性多結晶セラミックスは、電気伝導度の高い｛００ｌ｝面が極めて高い配向度で配向しているので、無配向セラミックスより高い熱電特性を示す。そのため、これを熱電変換材料として用いれば、耐久性及び熱電特性に優れた熱電変換素子を作製することができる。
【０１０４】
次に、本発明の第２の実施の形態に係る高配向性多結晶セラミックスの製造方法について説明する。本実施の形態に係る製造方法は、成形方法として、第１粉末が含まれる原料を大きな磁場中で成形する磁場中成形法を用いた点を特徴とする。
【０１０５】
この場合、第１粉末は、作製しようとする高配向性多結晶セラミックスと同一組成を有するコバルト層状酸化物であってもよく、あるいは、コバルト層状酸化物の前駆体であっても良い。
【０１０６】
また、第１粉末は、コバルト層状酸化物のＣｏＯ_２層と格子整合性を有する結晶面Ａを有していれば良い。また、結晶面Ａの配向を容易化するためには、第１粉末は、発達面が結晶面Ａである異方形状粉末が好ましい。特に、上述したコバルト層状酸化物又はＣｏ(ＯＨ)_２等のコバルト化合物からなる板状粉末が、第１粉末として好適である。なお、その他の点については、第１の実施の形態に係る製造方法と同一であるので、説明を省略する。
【０１０７】
第１粉末を含む原料に対して強力な磁場を作用させながら成形する場合において、磁場の組み合わせを最適化すると、結晶面Ａの配向度が所定の値以上である配向成形体が得られる。このような成形体を所定温度に加熱すると、配向した結晶面Ａに対して平行にコバルト層状酸化物の板状結晶が成長及び／又は生成する。その結果、｛００ｌ｝面が極めて高い配向度で配向した高配向性多結晶セラミックスが得られる。
【０１０８】
本実施の形態に係る製造方法によれば、｛００ｌ｝面の配向度が極めて高く、配向度及び組成が均一であり、しかも相対的に断面積の大きな高配向性多結晶セラミックスが低コストで得られる。また、これを熱電変換材料として用いれば、耐久性及び熱電特性に優れた熱電変換素子を作製することができる。
【０１０９】
【実施例】
（実施例１）
以下の手順に従い、Ｃｏ(ＯＨ)_２板状粉末を合成した。まず、濃度０．１ｍｏｌ／ｌのＣｏＣｌ_２水溶液、及び、濃度０．４ｍｏｌ／ｌのＮａＯＨ水溶液を調製した。次いで、６００ｍｌのＣｏＣｌ_２水溶液に対し、３００ｍｌのＮａＯＨ水溶液を１００ｍｌ／ｈの速度で滴下した。これにより、溶液中には、青色の沈殿物（Ｃｏ(ＯＨ)_２）が生成した。
【０１１０】
ＮａＯＨ水溶液の滴下が終了した後、Ｎ_２バブリングしながら溶液を撹拌し、室温で２４時間熟成させることによりピンク色の結晶（Ｃｏ(ＯＨ)_２）が得られた。この結晶を吸引濾過し、室温でＮ_２ガスにより２４時間乾燥させた。本実施例で得られたＣｏ(ＯＨ)_２粉末は、六角形を呈する板状粉末であった。また、板状粉末の平均粒径は０．５μｍであり、平均アスペクト比は約５であった。
【０１１１】
（実施例２）
図１に示す手順に従い、Ｃａ_３Ｃｏ_４Ｏ_９組成を有する高配向性多結晶セラミックスを作製した。まず、ステップ１（以下、これを単に「Ｓ１」という。）において、ＣａＣＯ_３粉末（平均粒径０．２μｍ）、実施例１で合成したＣｏ(ＯＨ)_２板状粉末、トルエン及び無水エタノールをそれぞれ容器に所定量計り取った。次いで、これらの原料をボールミルに入れ、２４時間湿式混合した（Ｓ２）。混合終了後、スラリーに所定量のバインダー及び可塑剤を添加し（Ｓ３）、さらにボールミルで３時間湿式混合した（Ｓ４）。表１に、各原料の仕込量を示す。
【０１１２】
【表１】

【０１１３】
次に、スラリーをポットから取り出し、テープキャストにより厚さ約１００μｍのシート状に成形した（Ｓ５）。さらに、得られたシートを重ね合わせ、温度：８０℃、圧力：１００ｋｇ／ｃｍ^２（９．８ＭＰａ）の条件で圧着した（Ｓ６）。さらに、この積層体に対して、圧延処理を行った（Ｓ７）。本実施例において、圧延温度は常温とし、圧下率は３０％とした。
【０１１４】
次に、成形体を、大気中において、温度：７００℃、加熱時間：２時間の条件下で脱脂した（Ｓ８）。次いで、脱脂後の成形体を圧力：３ｔｏｎ／ｃｍ^２（２９４ＭＰａ）の条件下で加圧成形（静水圧処理）した（Ｓ９）。さらに、この成形体を、酸素中において、温度：９２０℃、加熱時間：４８ｈｒ、加圧力：１００ｋｇ／ｃｍ^２（９．８ＭＰａ）の条件下でホットプレスした（Ｓ１０）。
【０１１５】
（実施例３）
圧延処理（Ｓ７）の圧延温度を６０℃とした以外は、実施例２と同一の手順に従い、高配向性多結晶セラミックスを作製した。
【０１１６】
（比較例１）
圧延処理（Ｓ７）を行わなかった以外は、実施例２と同一の手順に従い、焼結体を作製した。
【０１１７】
実施例２、３及び比較例１で得られた脱脂前の成形体について、それぞれ、Ｃｏ(ＯＨ)_２粉末の｛００１｝面のロットゲーリング法による平均配向度Ｑ（ＨＫＬ）を測定した。また、実施例２、３及び比較例１で得られた焼結体について、それぞれ、コバルト層状酸化物の｛００ｌ｝面のロットゲーリング法による平均配向度Ｑ（ＨＫＬ）及び（００４）面のロッキングカーブ半値幅（ＲＣ半値幅）を測定した。表２に、その結果を示す。
なお、（００４）面のＲＣ半値幅の測定は、Ｘ線源にＣｕ−Ｋαを用い、ＤＳ（発散スリット）１／２°、ＳＳ（散乱スリット）１／２°、ＲＳ（受光スリット）０．１５ｍｍの条件下で行った。また、ＲＣ半値幅は、ＲＣ半値幅の測定値から装置固有の半値幅を差し引いた値を用いた。
【０１１８】
【表２】

【０１１９】
圧延処理を行わなかった比較例１の場合、成形体のロットゲーリング法による平均配向度Ｑ（ＨＫＬ）は、５２．６％であった。これに対し、実施例２及び３の場合、成形体の平均配向度Ｑ（ＨＫＬ）は、それぞれ、７８．９％及び８２．４％に向上した。
【０１２０】
一方、各焼結体について測定されたロットゲーリング法による平均配向度Ｑ（ＨＫＬ）は、圧延処理の有無によらず、いずれも９９％を越えていた。しかしながら、焼結体のＲＣ半値幅は、圧延処理の有無及び圧延条件によって大きく相違した。すなわち、比較例１の場合、ＲＣ半値幅は１５．７°であった。これに対し、実施例２及び３の場合、ＲＣ半値幅は、それぞれ、１０．１°及び９．３°であり、｛００ｌ｝面の配向度が向上した。表２より、焼結体のＲＣ半値幅は、成形体の配向度に強く依存することがわかる。
【０１２１】
次に、実施例２、３及び比較例１で得られた焼結体から、テープ面と平行な方向に沿って棒状試料を切り出した。次いで、この棒状試料を用いて、２００℃〜７００℃の温度範囲において、テープ面と平行な方向について、ゼーベック係数、熱伝導率及び電気伝導率を測定した。さらに、得られたゼーベック係数、電気伝導率及び熱伝導率を用いて、無次元性能指数ＺＴを算出した。図２に、測定温度と無次元性能指数の関係を示す。
【０１２２】
図２より、実施例２、３で得られた焼結体の無次元性能指数ＺＴは、全温度域において、比較例１の焼結体より大きいことがわかる。また、ＲＣ半値幅が小さくなるほど、無次元性能指数ＺＴが大きくなることがわかる。これは、電気伝導率の高い｛００ｌ｝面を一方向に、かつ極めて高い配向度で配向させることによって、テープ面と平行な方向の電気伝導率が向上し、これによって性能指数Ｚが向上したためである。
【０１２３】
以上、本発明の実施の形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態に何ら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の改変が可能である。
【０１２４】
例えば、上記実施例においては、焼結法としてホットプレス法が用いられているが、ホットプレス法に代えて、常圧焼結法、常圧焼結＋ＨＩＰ処理法等、他の焼結法を用いても良い。
【０１２５】
また、上記実施例においては、成形方法として、ドクターブレード法と圧延法が用いられているが、成形体中における結晶面Ａの配向度を所定の値以上とすることができる限り、他の成形方法を用いても良い。
【０１２６】
また、コバルト層状酸化物の前駆体からなる板状粉末（第１粉末）に対して第２粉末を添加し、コバルト層状酸化物を生成させる場合において、第２粉末として、板状粉末（第１粉末）と同一組成を有する前駆体からなる不定形粉末を用いても良い。この場合、目的とする組成を有する高配向性多結晶セラミックスが得られるように、他の粉末の組成及び配向比率に応じて、不定形粉末を所定の比率で配合すればよい。
【０１２７】
さらに、本発明に係る高配向性多結晶セラミックスは、高い性能指数を示すので、熱電発電器、精密温度制御装置、恒温装置、冷暖房装置、冷蔵庫、時計用電源等に用いられる熱電発電素子を構成する熱電変換材料として特に好適であるが、本発明の用途はこれに限定されるものではなく、巨大磁気抵抗効果を利用した各種の電子素子（例えば、磁気ヘッド）にも応用することができる。
【０１２８】
【発明の効果】
本発明に係る高配向性多結晶セラミックスは、コバルト層状酸化物の多結晶体からなり、かつ各結晶粒の｛００ｌ｝面が極めて高い配向度で配向しているので、同一組成を有する無配向セラミックスに比して高い性能指数を示すという効果がある
【０１２９】
また、本発明に係る高配向性多結晶セラミックスの製造方法は、成形過程において、結晶面Ａを相対的に高い配向度で配向させるので、コバルト層状酸化物の｛００ｌ｝面が極めて高い配向度で配向した高配向性多結晶セラミックスを低コストで製造できるという効果がある。また、本発明に係る方法は、物質系によらず適用でき、断面積の大きな焼結体であっても容易に製造できるという効果がある。
【０１３０】
さらに、本発明に係る高配向性多結晶セラミックスは、同一組成を有する無配向セラミックスに比して高い性能指数を示すので、これを熱電変換材料として用いれば、高い性能指数を有する熱電変換素子が得られるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施の形態に係る高配向性多結晶セラミックスの製造方法を示す工程図である。
【図２】 実施例２、３及び比較例１で得られた焼結体の温度Ｔと無次元性能指数ＺＴとの関係を示す図である。

Claims (9)

1. ＣｏＯ_２層からなる第１副格子と、擬岩塩構造層からなる第２副格子とが交互に堆積した構造を有するコバルト層状酸化物の多結晶体からなり、
   前記コバルト層状酸化物は、
   一般式：｛（Ｃａ _１−ｘ Ａ _ｘ ） _２ ＣｏＯ _３＋α ｝（ＣｏＯ _２＋β ） _ｙ
   （但し、Ａは、アルカリ金属、アルカリ土類金属及びＢｉから選ばれる１種又は２種以上の元素、０≦ｘ≦０．３、０．５≦ｙ≦２．０、０．８５≦｛３＋α＋（２＋β）ｙ｝／（３＋２ｙ）≦１．１５）、または、
   一般式：（Ｂｉ _{１−ｘーｙ} Ｂ _ｘ Ｃｏ _ｙ Ｏ _１＋α ）（ＣｏＯ _２＋β ） _ｚ
   （但し、Ｂは、アルカリ金属及びアルカリ土類金属から選ばれる１種又は２種以上の元素、０．２≦ｘ≦０．８、０≦ｙ＜０．５、０．２≦ｘ＋ｙ≦１、０．２５≦ｚ≦０．５、０．８５≦｛１＋α＋（２＋β）ｚ｝／（１＋２ｚ）≦１．１５）で表されるものであり、
   前記コバルト層状酸化物の｛００ｌ｝面のロッキングカーブ半値幅が、１５度以下である高配向性多結晶セラミックス。
2. 前記コバルト層状酸化物は、Ｃｏの０〜２５ａｔｍ％が、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｚｒ及びＣｒから選ばれる少なくとも１つの置換元素Ｃで置換されたものである請求項１に記載の高配向性多結晶セラミックス。
3. ＣｏＯ _２ 層からなる第１副格子と、擬岩塩構造層からなる第２副格子とが交互に堆積した構造を有するコバルト層状酸化物のＣｏＯ_２層と格子整合性がある結晶面Ａを備えた第１粉末を含む原料を調製する原料調製工程と、
   前記結晶面Ａのロットゲーリング法による配向度が５５％以上となるように、前記原料を成形する成形工程と、
   該成形工程で得られた成形体を加熱し、焼結させる焼結工程とを備えた高配向性多結晶セラミックスの製造方法。
4. 前記第１粉末は、前記コバルト層状酸化物の前駆体からなる請求項３に記載の高配向性多結晶セラミックスの製造方法。
5. 前記第１粉末は、前記コバルト層状酸化物からなる請求項３に記載の高配向性多結晶セラミックスの製造方法。
6. 前記第１粉末は、その発達面が前記結晶面Ａからなる異方形状粉末である請求項３から５までのいずれかに記載の高配向性多結晶セラミックスの製造方法。
7. 前記成形工程は、前記異方形状粉末を含む原料又はその成形体を圧延する圧延工程を備えている請求項６に記載の高配向性多結晶セラミックスの製造方法。
8. 前記成形体は、前記異方形状粉末がテープ面に対して平行に配向したテープ又はその積層体である請求項７に記載の高配向性多結晶セラミックスの製造方法。
9. 請求項１または２に記載の高配向性多結晶セラミックスを用いた熱電変換素子。

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