JP4149609B2 - 薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は薄膜トランジスタの製造方法に関する。さらに詳しくは、とくに薄膜トランジスタのチャンネル領域にオフセット領域を形成して薄膜トランジスタのオフ時、薄膜トランジスタのチャンネルを通じて流れる漏洩電流を減少させることができる薄膜トランジスタの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
多結晶シリコンを用いる薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor;TFT)は、スイッチング(Switching)特性が優秀であり、非晶質シリコンを用いた薄膜トランジスタより小さい面積で形成することができる。また、これはアクチブマトリックス液晶表示装置で画素のオン/オフを制御する薄膜トランジスタを小さくするので、液晶表示装置の画素を駆動する駆動回路を薄膜トランジスタと同一の基板に形成することができる。
【0003】
しかし、多結晶シリコン薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置は、駆動回路を同一基板に形成することができる反面、薄膜トランジスタのオフ時、オフ特性の低下で漏洩電流が発生するという問題点がある。
【0004】
薄膜トランジスタのチャンネル領域に非ドーピングされたり、低濃度の不純物でドーピングされたオフセット(offset)領域を形成して薄膜トランジスタのオフ時、ドレインおよびソースからゲートに流れる漏洩電流であるオフ電流を減少させることが知られている。
【0005】
漏洩電流を低減させるための低濃度ドーピングされたオフセット領域を形成した従来の多結晶シリコン薄膜トランジスタを添付した図面を用いて説明するとつぎの通りである。
【0006】
図17は従来の多結晶シリコンからなるゲート電極を有する薄膜トランジスタの構造を示す断面図である。
【0007】
この薄膜トランジスタの製造方法は、まずガラス材質からなる基板1にバッファ層2を形成する。ついでバッファ層2の上面に多結晶シリコンを形成したのち、写真食刻工程を用いて多結晶シリコンをパターニングして活性層3を形成する。そして活性層3の上面に絶縁物質であるシリコン酸化膜を沈積してゲート酸化膜4を形成する。ついでゲート酸化膜4の上面に多結晶シリコンを沈積したのち、写真食刻工程を用いて多結晶シリコンをパターニングしてゲート電極5を形成する。
【0008】
つぎにゲート電極5を形成したのち、ゲート電極5をマスクとして使用して活性層3に低濃度の不純物をドーピングする。続いてゲート電極5を高温雰囲気に酸化させて所定の厚さで酸化膜6を形成したのち、酸化膜6をマスクとして使用して、活性層3の両側に高濃度の不純物をドーピングする。低濃度および高濃度の不純物のドーピングにより活性層3に低濃度でドーピングされたオフセット領域IIおよび高濃度でドーピングされたドレインおよびソース領域3aが形成される。すなわち、活性層3は不純物がドーピングされていないチャンネルI、オフセット領域IIおよび電気信号を受ける(印加される)ためのドレインおよびソース領域3aが形成される。
【0009】
ドレインおよびソース領域3aは、活性層3に形成されたオフセット領域IIによりゲート電極5と離隔されているので、一定電位を有するドレイン端子またはソース端子からゲート電極5に及ぼす電界の影響が減少されて薄膜トランジスタがオフのとき、ドレイン端子とソース端子とのあいだの漏洩電流は減少されて、薄膜トランジスタのオフ電流特性を向上させることができる。
【0010】
しかしながら、このような従来の多結晶シリコンを用いる薄膜トランジスタの製造方法では、ゲート電極を高温で酸化させて形成された酸化膜を用いてオフセットが形成されるので、高温で液晶表示装置の基板が変形する。また、その変形により液晶表示装置の信頼性が低下し、活性層にドーピングされた不純物が活性化されて正確なプロファイルを形成することができない。ゲート電極として導電性を向上させるために、高濃度で不純物が注入された多結晶シリコンを用いるが、多結晶シリコンは高い比抵抗を有するので、大面積の液晶表示素子に適用できないという問題点を有している。
【0011】
図18は従来の金属からなるゲート電極を有する薄膜トランジスタの構造を示す断面図であり、その製造方法はつぎの通りである。
【0012】
図17の薄膜トランジスタの製造方法と同様に、ガラス材質からなる基板1にバッファ層2および多結晶シリコンを形成したのち、写真食刻工程を用いて多結晶シリコンをパターニングして活性層3を形成する。そして活性層3の上面に絶縁物質であるシリコン酸化膜を沈積してゲート酸化膜4を形成する。ついでゲート酸化膜4の上面に金属物質を沈積したのち、写真食刻工程を用いて金属ゲート電極7を形成する。つぎに金属ゲート電極7を形成したのち、金属ゲート電極7をマスクとして使用して、活性層3に低濃度の不純物をドーピングする。続いて金属ゲート電極7の周りに感光膜パターンPRを形成し、その感光膜パターンPRをマスクとして使用して、活性層3に両側に高濃度の不純物をドーピングする。したがって、低濃度および高濃度の不純物ドーピングにより活性層3に低濃度でドーピングされたオフセット(offset)領域IIおよび高濃度でドーピングされたドレインおよびソース領域3aが形成される。すなわち、活性層3は不純物がドーピングされないチャンネル領域I、オフセット領域IIおよび電気信号を受ける(印加される)ためのドレインおよびソース領域3aが形成される。
【0013】
しかし、このような金属ゲート電極を有する薄膜トランジスタの製造方法は、従来の多結晶シリコンをゲート電極に形成した薄膜トランジスタに比べてゲート電極の導電性を向上させることができるが、オフセット領域を形成するための感光膜パータンのために追加的なマスクが必要になるという問題点を有している。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、金属または多結晶シリコンでゲート電極を形成し、ゲート電極の周りに低温の熱処理によりシリサイドを形成し、形成されたシリサイドによりオフセット領域を形成することにより、低い比抵抗のゲート電極を有し、基板の変形が発生せず、液晶表示装置の信頼性を向上させることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供することである。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、基板にシリコンの活性層を形成する工程、前記活性層にゲート酸化膜を形成する工程、前記ゲート酸化膜にCo、Cr、NiまたはMnで作製されたゲート電極およびMo、Ti、W、Zr、SiO 2 またはSiN x で作製された第1膜の積層体を形成する工程、前記ゲート酸化膜上に前記積層体を覆うシリコン膜を形成する工程、前記積層体およびシリコン膜を300〜500℃で熱処理して前記ゲート電極の側面にシリサイドを形成する工程、前記シリコン膜を除去する工程、前記活性層に不純物を高濃度ドーピングする工程、前記シリサイドを除去する工程および前記活性層に不純物を低濃度ドーピングする工程を含むことを特徴とする。
【0016】
また、本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、基板にシリコンの活性層を形成する工程、前記活性層にゲート酸化膜を形成する工程、前記ゲート酸化膜にMo、Ti、WまたはZrで作製されたゲート電極およびCo、Cr、NiまたはMnで作製された第2金属膜の積層体を形成する工程、前記活性層に不純物を高濃度ドーピングする工程、前記ゲート酸化膜上に前記積層体を覆うシリコン膜を形成する工程、前記積層体およびシリコン膜を300〜500℃で熱処理して前記第2金属膜の側面にシリサイドを形成する工程と、前記シリコン膜を除去する工程および前記活性層に不純物を低濃度ドーピングする工程を含むことを特徴とする。
【0024】
【発明の実施の形態】
本発明の第1の薄膜トランジスタの製造方法は、基板にバッファ層、活性層およびゲート酸化膜を順次形成する工程、ゲート酸化膜に金属膜を形成したのち、金属膜をパターニングして金属ゲート電極を形成する工程、金属ゲート電極およびゲート酸化膜にシリコン膜を形成したのち、シリコン膜を基準温度で熱処理して金属ゲート電極の周りにシリサイド膜を形成する工程、シリコン膜を除去したのち、シリサイド膜をマスクとして使用して、活性層に高濃度の不純物をドーピングしてドレインおよびソース領域を形成する工程、ならびにドレインおよびソース領域を形成したのち、シリサイド膜を除去して金属ゲート電極をマスクとして使用して活性層に低濃度の不純物をドーピングしてオフセット領域を形成する工程を備えている。
【0025】
本発明の第2の薄膜トランジスタ製造方法は、基板にバッファ層、活性層およびゲート酸化膜を順次形成する工程、ゲート酸化膜の上面にゲート電極を形成する工程、ゲート電極をマスクとして使用して活性層にオフセット領域を形成するために低濃度の不純物をドーピングする工程、ゲート電極およびゲート酸化膜に第1膜を形成したのち、その第1膜を基準温度で熱処理してゲート電極の周りにシリサイド膜を形成する工程、およびシリサイド膜をマスクとして使用して活性層に高濃度の不純物をドーピングしてドレインおよびソース領域を形成する工程を備えている。
【0026】
本発明の第3の薄膜トランジスタの製造方法は、基板にバッファ層、活性層およびゲート酸化膜を順次形成する工程、ゲート酸化膜に金属膜および第1膜を順次形成したのち、その金属膜および第1膜をパターニングする工程、パターニングされた金属膜と第1膜およびゲート酸化膜にシリコン膜を形成したのち、そのシリコン膜を基準温度で熱処理してパターニングされた金属膜の側面にシリサイド膜を形成する工程、シリコン膜を除去したのち、シリサイド膜をマスクとして使用して活性層に高濃度の不純物をドーピングしてドレインおよびソース領域を形成する工程、ならびに前記ドレインおよびソース領域を形成したのち、シリサイド膜および第1膜を除去してパターニングされた金属膜をマスクとして使用して活性層に低濃度の不純物をドーピングしてオフセット領域を形成する工程を備えている。
【0027】
本発明の第4の薄膜トランジスタの製造方法は、基板にバッファ層、活性層およびゲート酸化膜を順次形成する工程、ゲート酸化膜に第1金属膜および第2金属膜を順次形成したのち、その第1、2金属膜をパターニングする工程、パターニングされた第1、2金属膜をマスクで使用して活性層にオフセット領域を形成するために低濃度の不純物をドーピングする工程、パターニングされた第1、2金属膜およびゲート酸化膜にシリコン膜を形成したのち、そのシリコン膜を基準温度で熱処理してパターニングされた第2金属膜の周りにシリサイド膜を形成する工程およびシリコン膜を除去したのち、シリサイド膜をマスクとして使用して、活性層に高濃度の不純物をドーピングしてドレインおよびソース領域を形成する工程を備えている。
【0028】
また、本発明にかかわる薄膜トランジスタは、基板上に順次形成されたバッファ層、活性層およびゲート酸化膜と、前記ゲート酸化膜の上面に形成されるゲートと、前記ゲートより大きくその上面に形成される第1膜パターンと、前記第1膜パターンと同じ大きさで構成される活性層のチャンネル領域と、前記活性層の両端に形成されるドレインおよびソース領域と、前記活性層のチャンネル領域とドレインおよびソース領域のあいだに形成されるオフセット領域とを有する。
【0029】
以下、本発明の望ましい実施の形態を添付図面を参照して説明する。
【0030】
図1〜図3は本発明の第1の実施の形態にかかわる薄膜トランジスタの製造方法を順次示す断面図である。
【0031】
図1(a)に示したように、基板11にバッファ層12、活性層13およびゲート酸化膜14を順次形成する。図1(b)および図1(c)に示されるように、ゲート酸化膜14の面に金属膜15を形成したのち、写真食刻工程を用いて金属膜15に感光膜パターンPRを形成する。感光膜パターンPRを食刻用マスクとして、金属膜15を食刻して金属ゲート電極15aを形成する。ついで図2(a)に示されるように、金属ゲート電極15aおよびゲート酸化膜14の面にシリコン膜16を形成したのち、基準温度、すなわち、300〜500℃の低温で熱処理して所定の厚さを有するシリサイド膜15bを形成する。シリサイド膜15bは金属ゲート電極15aの外表面に形成される。
【0032】
ここで、前記金属ゲート電極15aは、その周りに低温である300〜500℃でシリサイド膜15bを容易に形成させるために、Co、Cr、Ir、Mn、Ni、PdおよびPtのうちの一つの材質から作製すべきである。金属ゲート電極15aの周りに充分な厚さのシリサイド膜15bが形成されると、図2(b)に示したようにシリコン膜16を食刻工程を使用して全面除去し、シリサイド膜15bをマスクとして使用して、活性層13に高濃度の不純物をドーピングしてドレインおよびソース領域13aを形成する。ドレインおよびソース領域13aを形成したのち、図3に示したように食刻工程を用いてシリサイド膜15bを除去し、金属ゲート電極15aをマスクとして使用して、活性層13に低濃度で不純物をドーピングして低濃度の不純物を有するオフセット領域IIを形成する。なお、Iはチャネル領域である。
【0033】
つぎに図4〜図6は本発明の第2の実施の形態にかかわる薄膜トランジスタの製造方法を順次示した断面図である。
【0034】
図4(a)に示されるように、基板21にバッファ層22、活性層23およびゲート酸化膜24を形成する工程は第1の実施の形態の図1(a)と同一である。図4(b)〜(c)に示したように、ゲート酸化膜24にシリコン膜25を形成したのち、写真食刻工程を用いてシリコン膜25に感光膜パターンPRを形成し、感光膜パターンPRを食刻用マスクとして使用して、シリコン膜25を食刻してシリコンゲート電極25aを形成する。図5(a)に示されるように、シリコンゲート電極25aをマスクとして使用して、活性層23に低濃度で不純物をドーピングして低濃度ドーピング領域23aを形成する。図5(b)に示されるように、シリコンゲート電極25aおよびゲート酸化膜24に金属膜26を形成したのち、基準温度で熱処理してシリサイド膜25bを形成する。図6に示したように、金属膜26を食刻工程を用いて全面除去したのち、シリサイド膜25bをマスクとして使用して、活性層23に高濃度の不純物をドーピングしてドレインおよびソース領域23bを形成する。したがって、活性層23には高濃度の不純物がドーピングされたドレインおよびソース領域23b、低濃度の不純物がドーピングされたオフセット領域IIおよびチャンネル領域Iが形成される。
【0035】
ここでは、ゲート電極としてシリコンを使用し、その上面に金属膜26を形成したが、本発明においては、ゲート電極として金属物質を使用して、その上面にシリコン膜26を形成することもできる。金属物質は、Co、Cr、Ir、Mn、Ni、PdおよびPtのうちの一つを使用できる。
【0036】
本発明の第2の実施の形態の製造方法は、ゲート電極25aをマスクとして使用して、活性層23に低濃度の不純物をドーピングしたのちに、高濃度の不純物をドーピングしている。これに対し、第1の実施の形態では、シリサイド膜15bをマスクとして使用して、高濃度の不純物をドーピングして活性層13にドレインおよびソース領域13aを形成したのち、シリサイド膜15bを除去し、ついで低濃度の不純物をドーピングしてオフセット領域IIを形成している。このため、シリサイド膜15bを除去するとき、金属ゲート電極15aの内部に形成されたシリサイド膜も除去されるから、シリサイド膜15bを除去したのち、金属ゲート電極15aの長さが短くなる。したがって、第1の実施の形態では、長さが短くなった金属ゲート電極15aをマスクとして使用して、低濃度の不純物を形成するので、より大きいオフセット領域IIを形成することに比べて、第2の実施の形態では、小さいオフセット領域IIを形成することができる。
【0037】
つぎに図7〜図11は本発明の第3の実施の形態にかかわる薄膜トランジスタの製造方法を示す断面図である。
【0038】
基準温度は300〜500℃の低温である。金属膜35は、この低温である300〜500℃の熱処理条件で、シリサイド膜35bの形成が容易な材質であるCo、Cr、MnおよびNiのうちの一つの金属から作製される。第1膜は、低温である300〜500℃の熱処理条件で、シリサイド膜35bの形成が難しいMo、Ti、WおよびZrのうちの一つの金属または非金属のSiO2およびSiNxのうちの一つの絶縁物質で構成することができる。
【0039】
図7(a)、図7(b)、図8(a)および図8(b)に示したように、まず基板31にバッファ層32、活性層33、ゲート酸化膜34、金属膜35および第1膜36を順次形成する。ついで第1膜36に感光膜パターンPRを形成したのち、感光膜パターンPRを食刻用マスクとして使用して、金属膜35と第1膜36を食刻して金属ゲート電極35aを形成して、同時にパターニングされた第1膜36aを形成する。パターニングされた第1膜36aは、金属であるMo、Ti、WまたはZrなどで形成する場合には、金属ゲート電極35aとともにゲート電極で使用できる。または非金属のSiO2またはSiNxなどの絶縁物質で形成する場合は、金属ゲート電極35aの保護膜として使用することができる。
【0040】
図9(a)に示したように、パターニングされた第1膜36aおよびゲート酸化膜34上の上面にシリコン膜37を形成したのち、基準温度で熱処理して金属ゲート電極35aの両側面にシリサイド膜35bを形成する。ここで、金属ゲート電極35aは低温である300〜500℃でシリサイド膜の形成が容易であり、パターニングされた第1膜36aはシリサイド膜形成が難しい材質からなる。シリサイド膜35bは金属ゲート電極35aの両側面のみに形成される。
【0041】
図9(b)に示したように、シリサイド膜35bが形成されたのち、食刻工程を用いてシリコン膜37を食刻して除去し、シリサイド膜35bをマスクとして使用して、活性層33に高濃度の不純物をドーピングしてドレインおよびソース領域33aを形成する。図10(a)および図10(b)に示したように、ドレインおよびソース領域33aを形成したのち、食刻工程を用いてパターニングされた第1膜36aおよびシリサイド膜35bを食刻して除去する。ついで金属ゲート電極35aをマスクとして使用して、活性層33に低濃度の不純物をドーピングしてオフセット領域IIを形成する。
【0042】
このとき、シリサイド膜35bは、図9(a)〜(b)に示されるように、金属ゲート電極35aの内部にも形成され、シリサイド膜35bを除去することにより、図10(a)の金属ゲート電極35aの長さは図8(b)の金属ゲート電極35aの長さより短くなるので、金属ゲート電極35aをマスクとして使用して、低濃度の不純物をドーピングすると、図10(b)に示されるように、より大きいオフセット領域IIを形成させることができる。
【0043】
一方、図10(a)でパターニングされた第1膜36aは、シリサイド膜35bと同時に除去したが、これは必ず同時に除去する必要はない。シリサイド膜35bだけを除去すれば、薄膜トランジスタは、図11に示したようにパターニングされた第1膜36aを含む構成からなり、この場合には、金属ゲート電極35aより少し大きいパターニングされた第1膜36aにより、低濃度の不純物のドーピングが妨害されて図10(b)より小さいオフセット領域IIaを形成することができる。
【0044】
つぎに図12〜図16は本発明の第4の実施の形態にかかわる薄膜トランジスタの製造方法を示す断面図である。
【0045】
図12(a)、図12(b)、図13(a)および図13(b)に示したように、まず基板41にバッファ層42、活性層43、ゲート酸化膜44、第1金属膜45、第2金属膜46を順次形成する。ついで第2金属膜46に感光膜パターンPRを形成したのち、感光膜パターンPRを食刻用マスクとして使用して、第1金属膜45と第2金属膜46を食刻して金属ゲート電極45aを形成し、同時にパターニングされた第2金属膜46aを形成する。図14(a)に示したように、パターニングされた第2金属膜46aをマスクとして使用して、活性層43に低濃度の不純物をドーピングして低濃度領域43aを形成する。図14(b)に示したように、パターニングされた第2金属膜46aおよびゲート酸化膜44の上面にシリコン膜47を形成したのち、低温の300〜500℃で熱処理してパターニングされた第2金属膜46aの両側面にシリサイド膜46bを形成する。第1金属膜45aは低温の300〜500℃でシリサイド膜の形成が難しく、第2金属膜46aはシリサイド膜の形成が容易な材質からなるので、シリサイド膜46bは、パターニングされた第2金属膜46aの上部および両側面に形成される。
【0046】
図14(b)に示したように、シリサイド膜46bが形成されたのち、食刻工程を用いてシリコン膜47を食刻して除去し、シリサイド膜46bをマスクとして使用して、活性層43に高濃度の不純物をドーピングしてドレインおよびソース領域43bを形成する。したがって、活性層43に高濃度の不純物でドーピングされたドレインおよびソース領域43b、低濃度の不純物でドーピングされたオフセット領域IIおよびチャンネルIが形成される。
【0047】
なお、第4の実施の形態の薄膜トランジスタの製造方法では、図16に示されるようにドレインおよびソース領域を形成したのち、食刻工程を用いてシリサイド膜46bおよびパターニングされた第2金属膜46aを除去することもできる。
【0048】
本発明の第4の実施の形態による製造方法において、基準温度は300〜500℃の低温である。金属ゲート電極45aは、低温である300〜500℃の熱処理条件で、シリサイド膜46bの形成が難しいMo、Ti、WまたはZrなどの金属からなり、金属ゲート電極45aの上部にパターニングされた第2金属膜46aは、シリサイド膜46bの形成が容易な材質であるCo、Cr、MnまたはNiなどの金属で形成される。
【0049】
【発明の効果】
本発明の薄膜トランジスタの製造方法によれば、ゲート電極の周りに低温の熱処理によりシリサイド膜を形成したのち、形成されたシリサイド膜により活性層にオフセット領域を形成するので、製造された薄膜トランジスタは、ゲート電極は低い比抵抗を有し、基板の変形が発生せず、液晶表示装置の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態にかかわる薄膜トランジスタの製造方法を示す断面図である。
【図2】本発明の第1の実施の形態にかかわる薄膜トランジスタの製造方法を示す断面図である。
【図3】本発明の第1の実施の形態にかかわる薄膜トランジスタの製造方法を示す断面図である。
【図4】本発明の第2の実施の形態にかかわる薄膜トランジスタの製造方法を示す断面図である。
【図5】本発明の第2の実施の形態にかかわる薄膜トランジスタの製造方法を示す断面図である。
【図6】本発明の第2の実施の形態にかかわる薄膜トランジスタの製造方法を示す断面図である。
【図7】本発明の第3の実施の形態にかかわる薄膜トランジスタの製造方法を示す断面図である。
【図8】本発明の第3の実施の形態にかかわる薄膜トランジスタの製造方法を示す断面図である。
【図9】本発明の第3の実施の形態にかかわる薄膜トランジスタの製造方法を示す断面図である。
【図10】本発明の第3の実施の形態にかかわる薄膜トランジスタの製造方法を示す断面図である。
【図11】本発明の第3の実施の形態にかかわる薄膜トランジスタの製造方法を示す断面図である。
【図12】本発明の第4の実施の形態にかかわる薄膜トランジスタの製造方法を示す断面図である。
【図13】本発明の第4の実施の形態にかかわる薄膜トランジスタの製造方法を示す断面図である。
【図14】本発明の第4の実施の形態にかかわる薄膜トランジスタの製造方法を示す断面図である。
【図15】本発明の第4の実施の形態にかかわる薄膜トランジスタの製造方法を示す断面図である。
【図16】本発明の第4の実施の形態にかかわる薄膜トランジスタの製造方法を示す断面図である。
【図17】従来の多結晶シリコンで形成されたゲート電極を有する薄膜トランジスタの構造を示す断面図である。
【図18】従来の金属で形成されたゲート電極を有する薄膜トランジスタの構造を示す断面図である。
【符号の説明】
11 基板
12 バッファ層
13 活性層
13a ドレインおよびソース領域
14 ゲート酸化膜
15 金属膜
15a 金属ゲート電極
15b シリサイド膜
16 シリコン膜
I チャンネル領域
II オフセット領域
Claims (2)
- 基板にシリコンの活性層を形成する工程、
前記活性層にゲート酸化膜を形成する工程、
前記ゲート酸化膜にCo、Cr、NiまたはMnで作製されたゲート電極および前記ゲート電極上にMo、Ti、W、Zr、SiO2またはSiNxで作製された第1膜の積層体を形成する工程、
前記ゲート酸化膜上に前記積層体を覆うシリコン膜を形成する工程、
前記積層体およびシリコン膜を300〜500℃で熱処理して前記ゲート電極の側面にシリサイドを形成する工程、
前記シリコン膜を除去する工程、
前記シリサイドをマスクとして前記活性層に不純物を高濃度ドーピングしてドレイン及びソース領域を形成する工程、
前記シリサイドを除去する工程および
前記ゲート電極をマスクとして前記活性層に不純物を低濃度ドーピングしてオフセット領域を形成する工程を順次行うことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 基板にシリコンの活性層を形成する工程、
前記活性層にゲート酸化膜を形成する工程、
前記ゲート酸化膜にMo、Ti、WまたはZrで作製されたゲート電極および前記ゲート電極上にCo、Cr、NiまたはMnで作製された第2金属膜の積層体を形成する工程、
前記第2金属膜をマスクとして前記活性層に不純物を低濃度ドーピングして低濃度領域を形成する工程、
前記ゲート酸化膜上に前記積層体を覆うシリコン膜を形成する工程、
前記積層体およびシリコン膜を300〜500℃で熱処理して前記第2金属膜の側面にシリサイドを形成する工程と、
前記シリコン膜を除去する工程および
前記シリサイドをマスクとして前記活性層に不純物を高濃度ドーピングして前記低濃度領域にドレイン及びソース領域を形成するとともに前記低濃度領域の残りの部位をオフセット領域とする工程を順次行うことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
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