JP4119397B2 - 異常検出回路 - Google Patents
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Description
強誘電体メモリの性能劣化を検出するための異常検出回路であって、
前記強誘電体メモリ内の実際に使用されるメモリセルである本セルと同様に構成された、前記性能劣化の検出に用いられる検出用FeRAMセルと、
前記性能劣化の判定に用いるフィルタリング用電圧を生成するフィルタリング用電圧生成回路と、
前記検出用FeRAMセルに予め格納したデータに等しい期待値を出力する期待値出力回路と、
前記フィルタリング用電圧を用いて前記検出用FeRAMセルに格納されたデータを再生するセンスアンプと、
前記期待値と前記センスアンプで再生されたデータとを比較し、それらが一致しないときに前記強誘電体メモリの性能劣化を示す異常検出信号を出力する比較器と、
前記比較器から出力された前記異常検出信号を監視し、メモリ異常を外部へ通知するための制御部と、
を有し、
前記フィルタリング用電圧生成回路は、
所定の制御信号にしたがって、異なる複数のフィルタリング用電圧を出力し、
前記制御部は、
前記検出用FeRAMセルに格納されたデータの再生時に、前記フィルタリング用電圧生成回路から出力される前記フィルタリング用電圧を変化させるための制御信号を出力し、前記比較器から前記異常検出信号が出力されるときのフィルタリング用電圧を求める構成である。
前記強誘電体メモリ内の実際に使用されるメモリセルである本セルと同様に構成された、前記性能劣化の検出に用いられる検出用FeRAMセルと、
前記性能劣化の判定に用いるフィルタリング用電流を生成するフィルタリング用電流生成回路と、
前記検出用FeRAMセルに予め格納したデータに等しい期待値を出力する期待値出力回路と、
前記フィルタリング用電流を用いて前記検出用FeRAMセルに格納されたデータを再生するセンスアンプと、
前記期待値と前記センスアンプで再生されたデータとを比較し、それらが一致しないときに前記強誘電体メモリの性能劣化を示す異常検出信号を出力する比較器と、
前記比較器から出力された前記異常検出信号を監視し、メモリ異常を外部へ通知するための制御部と、
を有し、
前記フィルタリング用電流生成回路は、
所定の制御信号にしたがって、異なる複数のフィルタリング用電流を出力し、
前記制御部は、
前記検出用FeRAMセルに格納されたデータの再生時に、前記フィルタリング用電流生成回路から出力される前記フィルタリング用電流を変化させるための制御信号を出力し、前記比較器から前記異常検出信号が出力されるときのフィルタリング用電流を求める構成である。
図1は本発明の異常検出回路の第1の実施の形態の構成を示すブロック図である。
図2は本発明の異常検出回路の第2の実施の形態の構成を示すブロック図である。
2 フィルタリング用電圧生成回路
3、13 センスアンプ
4、14 期待値出力回路
5、15 比較器
6、16 制御部
12 フィルタリング用電流生成回路
Claims (12)
- 強誘電体メモリの性能劣化を検出するための異常検出回路であって、
前記強誘電体メモリ内の実際に使用されるメモリセルである本セルと同様に構成された、前記性能劣化の検出に用いられる検出用FeRAMセルと、
前記性能劣化の判定に用いるフィルタリング用電圧を生成するフィルタリング用電圧生成回路と、
前記検出用FeRAMセルに予め格納したデータに等しい期待値を出力する期待値出力回路と、
前記フィルタリング用電圧を用いて前記検出用FeRAMセルに格納されたデータを再生するセンスアンプと、
前記期待値と前記センスアンプで再生されたデータとを比較し、それらが一致しないときに前記強誘電体メモリの性能劣化を示す異常検出信号を出力する比較器と、
前記比較器から出力された前記異常検出信号を監視し、メモリ異常を外部へ通知するための制御部と、
を有し、
前記フィルタリング用電圧生成回路は、
所定の制御信号にしたがって、異なる複数のフィルタリング用電圧を出力し、
前記制御部は、
前記検出用FeRAMセルに格納されたデータの再生時に、前記フィルタリング用電圧生成回路から出力される前記フィルタリング用電圧を変化させるための制御信号を出力し、前記比較器から前記異常検出信号が出力されるときのフィルタリング用電圧を求める異常検出回路。 - 前記検出用FeRAMセルは、
1T1Cタイプまたは2T2Cタイプのいずれか一方のメモリセルと同様の構成である請求項1記載の異常検出回路。 - 前記フィルタリング用電圧は、
前記本セルに格納されたデータを判定するための判定基準電圧よりも高い電圧値である請求項1または2記載の異常検出回路。 - 前記制御部は、
電源投入毎に前記異常検出信号を確認する請求項1乃至3のいずれか1項記載の異常検出回路。 - 前記制御部は、
前記電源が供給されている動作中に前記異常検出信号を確認する1乃至3のいずれか1項記載の異常検出回路。 - 前記制御部は、
前記強誘電体メモリからの特定データの読み出し時に前記異常検出信号を確認する1乃至3のいずれか1項記載の異常検出回路。 - 強誘電体メモリの性能劣化を検出するための異常検出回路であって、
前記強誘電体メモリ内の実際に使用されるメモリセルである本セルと同様に構成された、前記性能劣化の検出に用いられる検出用FeRAMセルと、
前記性能劣化の判定に用いるフィルタリング用電流を生成するフィルタリング用電流生成回路と、
前記検出用FeRAMセルに予め格納したデータに等しい期待値を出力する期待値出力回路と、
前記フィルタリング用電流を用いて前記検出用FeRAMセルに格納されたデータを再生するセンスアンプと、
前記期待値と前記センスアンプで再生されたデータとを比較し、それらが一致しないときに前記強誘電体メモリの性能劣化を示す異常検出信号を出力する比較器と、
前記比較器から出力された前記異常検出信号を監視し、メモリ異常を外部へ通知するための制御部と、
を有し、
前記フィルタリング用電流生成回路は、
所定の制御信号にしたがって、異なる複数のフィルタリング用電流を出力し、
前記制御部は、
前記検出用FeRAMセルに格納されたデータの再生時に、前記フィルタリング用電流生成回路から出力される前記フィルタリング用電流を変化させるための制御信号を出力し、前記比較器から前記異常検出信号が出力されるときのフィルタリング用電流を求める異常検出回路。 - 前記検出用FeRAMセルは、
1Tタイプのメモリセルと同様の構成である請求項7記載の異常検出回路。 - 前記フィルタリング用電流は、
前記本セルに格納されたデータを判定するための判定基準電流よりも大きい電流値である請求項7または8記載の異常検出回路。 - 前記制御部は、
電源投入毎に前記異常検出信号を確認する請求項7乃至9のいずれか1項記載の異常検出回路。 - 前記制御部は、
前記電源が供給されている動作中に前記異常検出信号を確認する請求項7乃至9のいずれか1項記載の異常検出回路。 - 前記制御部は、
前記強誘電体メモリからの特定データの読み出し時に前記異常検出信号を確認する請求項7乃至9のいずれか1項記載の異常検出回路。
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